JP4576954B2 - レジストパターン形成方法、マスター情報担体の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、レジストパターン形成方法およびディジタル情報信号を磁気記録媒体に記録するために用いられるマスター情報担体の製造方法に関する。

現在、磁気記録再生装置は、小型でかつ大容量のものを実現するために、高記録密度化の傾向にある。代表的な磁気記録再生装置であるハードディスクドライブの分野においては、すでに面記録密度が９３Ｍｂｉｔ／ｍｍ^２を超える装置が商品化されており、現在では、面記録密度が１５５Ｍｂｉｔ／ｍｍ^２の装置の実用化が予想されるほどの急峻な技術の進歩が認められる。

このような高記録密度化が可能になった技術的背景として、磁気記録媒体およびヘッド・ディスクインターフェースの性能の向上やパーシャルレスポンス等の新規な信号処理方式の出現による線記録密度の向上があげられる。しかし、近年では、トラック密度の増加傾向が線記録密度の増加傾向を大きく上回り、面記録密度の向上の主な要因となっている。

これは、従来の誘導型磁気ヘッドに比べて再生出力性能がはるかに優れた磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子）や巨大磁気抵抗効果素子（ＧＭＲ素子）を用いた薄膜磁気ヘッドの実用化によるものである。現在、ＧＭＲヘッドの実用化により、１μｍ以下のトラック幅信号を高いＳ／Ｎ比をもって再生することが可能となっている。一方、今後のさらなるヘッド性能の向上に伴い、更に狭トラックピッチ化が進むものと予想されている。

さて、磁気ヘッドがこのような狭トラックを正確に走査し、信号をＳ／Ｎ良く再生するためには、磁気ヘッドのトラッキングサーボ技術が重要な役割を果たしている。このようなトラッキングサーボ技術に関しては、例えば非特許文献１に詳細な内容が示されている。非特許文献１によれば、現在のハードディスクドライブでは、ディスクの１周、すなわち角度にして３６０度中において、一定の角度間隔でトラッキング用サーボ信号やアドレス情報信号、再生クロック信号等が記録された領域を設けている（以下、「プリフォーマット」という）。

磁気ヘッドは、一定間隔でこれらの信号を再生することにより、ヘッドの位置を確認、修正しながら正確にトラック上を走査することができるのである。既述のトラッキング用サーボ信号やアドレス情報信号、再生クロック信号等は、ヘッドが正確にトラック上を走査するための基準信号となるものであるので、その記録時には、正確な位置決め精度が要求される。例えば非特許文献２に記載された内容によれば、現在のハードディスクドライブでは、ディスクをドライブに組み込んだ後、専用のサーボ記録装置を用いて厳密に位置制御された磁気ヘッドによりプリフォーマット記録が行われている。

従来、上記のような専用のサーボ記録装置を用いた磁気ヘッドによるサーボ信号やアドレス情報信号、再生クロック信号のプリフォーマット記録においては、以下のような課題があった。

まず第１に、磁気ヘッドによる記録は、基本的にヘッドと媒体との相対移動に基づく線記録である。このため、専用のサーボ記録装置を用いて磁気ヘッドを厳密に位置制御しながら記録を行う上記の方法では、プリフォーマット記録に多くの時間を要するとともに、専用のサーボ記録装置が相当に高価であることにも起因して、非常にコスト高となる。

第２に、ヘッド・媒体間スペーシングや記録ヘッドのポール形状による記録磁界の広がりのため、プリフォーマット記録されたトラック端部の磁化遷移が急峻性にかけるという点がある。現在のトラッキングサーボ技術は、ヘッドがトラックをはずれて走査した際の再生出力の変化量によって、ヘッドの位置検出を行うものである。

従って、プリフォーマット記録された信号トラックには、サーボ領域間に記録されたデータ情報信号を再生する際のようにヘッドがトラック上を正確に走査した際のＳ／Ｎに優れるだけではなく、ヘッドがトラックをはずれて走査した際の再生出力変化量、すなわちオフトラック特性が急峻であることが要求される。

上記の課題はこの要求に反するものであり、今後のサブミクロントラック記録における正確なトラッキングサーボ技術の実現を困難なものとしている。

さて、上記のような磁気ヘッドによるプリフォーマット記録の課題を解決する手段として、基体の表面にプリフォーマット情報信号に対応する強磁性薄膜パターンが形成されているマスター情報担体の表面を、磁気記録媒体の表面に接触させた後に、マスター情報担体に形成された強磁性薄膜パターンを磁化させることにより、強磁性薄膜パターンに対応する磁化パターンを磁気記録媒体に記録する技術が提案されている（特許文献１参照）。

このプリフォーマット記録技術によれば、記録媒体のＳ／Ｎ比、インターフェース性能等の他の重要性能を犠牲にすることなく、良好なプリフォーマット記録を効率的に行うことができる。

一方、マスター情報担体に形成される強磁性薄膜パターンは、ハードディスクの高密度化に伴い、より微細なパターンが求められる。半導体集積回路（ＬＳＩ）の高集積化には、フォトリソグラフィにおける高密度パターン形成技術とレジスト材料の開発が求められるが、マスター情報担体の高密度化にも同様の開発が必要となる。

フォトリソグラフィ装置としては、マスクアライナーあるいはステッパーなどが用いられ、パターンの微細化に伴い、光源の波長が、ｇ線（４３６ｎｍ）、ｉ線（３６５ｎｍ）、エキシマレーザー光（２４８ｎｍ）などのように短波長側に推移している。一方、レジスト材料も露光波長に適した材料開発が行われている。

高精度なショットつなぎ合わせが要求されるステッパーに対し、ウエハー全面の一括露光ができるマスクアライナーは設備単価が安く、ＬＳＩ以外の薄膜部品デバイスにはよく用いられる装置である。しかし、マスクアライナーはステッパーに比べてパターン解像度が悪く、一般的にはサブミクロンオーダーの微細パターンの形成には適さない。この対策として、特許文献２に開示されているように、段差を設けたレジストとフォトマスクをコンタクトし、真空引きを行った後、露光する方法がある。この方法によれば、レジストとフォトマスク間に介在する隙間が無くなるので、レジストとフォトマスクの密着性が向上する。このため、マスクアライナーにおいても高解像度のパターンが得られる。

マスター情報担体を用いた上記方法では、マスター情報担体に形成されたディジタル情報信号に対応する強磁性薄膜のパターン配列が磁気記録媒体にプリフォーマット記録される。従って、良好な磁気信号特性を得るためにはマスター情報担体に形成された強磁性薄膜のパターンが精度良く形成されることが必要である。

図６（ａ）〜図６（ｄ）は、特許文献２に開示されたレジストパターンの形成方法を示す断面図である。図９は、レジスト膜の凸部や抜気用凹部とレジスト凹所との関係を模式的に示す平面図である。図６（ａ）〜図６（ｄ）は、図９のＣ−Ｃ′線における断面図に対応する。

図６（ａ）は、抜気用凹部形成の露光工程を示しており、図６（ｂ）は抜気用凹部形成後の状態を示している。図６（ａ）に示すように、基体１上に塗布されたレジスト膜２上のパターン形成領域以外をフォトマスク３を通してＵＶ光４によって露光し、その後現像する。このことにより、図６（ｂ）に示すようにレジスト膜２の表面に抜気用凹部２５１とレジスト膜の凸部２５２とを形成する。

図６（ｃ）はパターン形成の露光工程を示しており、図６（ｄ）はパターン形成後の状態を示している。図６（ｃ）に示すように、フォトマスク３１をレジスト膜の凸部２５２に接触させ、抜気用凹部２５１を介して真空引きを矢印７に示す方向に沿って行う。このことにより、フォトマスク３１とレジスト膜の凸部２５２の密着性を高める。この状態で、ＵＶ光４を用い、レジストの目標線幅を実現するための露光量を照射した後、現像し、図６（ｄ）に示すように、レジスト膜の凸部２５２上にレジスト凹所２１を形成する。
特開平１０−４０５４４号公報 特開２００３−０２９４２４号公報 山口,「磁気ディスク装置の高精度サーボ技術」，日本応用磁気学会誌，Ｖｏｌ．２０，Ｎｏ．３，ｐｐ．７７１，（１９９６） 植松、他「メカ・サーボ、ＨＤＩ技術の現状と展望」，日本応用磁気学会第９３回研究会資料，９３−５，ｐｐ．３５（１９９６）

マスター情報担体を用いた上記方法では、マスター情報担体に形成されたディジタル情報信号に対応する強磁性薄膜の形状およびパターン配列が磁気記録媒体にプリフォーマット記録される。従って、良好な磁気信号特性を得るためにはマスター情報担体に形成された強磁性薄膜のパターンが精度良く形成されることが必要である。

しかし、マスクアライナーを用いて、更に微細なレジストパターンを安定して形成するためには、従来方法では、以下に示すような課題があった。

図７（ａ）のようにフォトマスク３１と基体１（レジスト膜を含む）の密着性を良くするために真空引き７を強くすると、図７（ｂ）に示すようにフォトマスク３１に歪み２５５が生じる。そのため、パターン形成領域であるレジスト膜の凸部２５２に隙間８ができ、露光するとＵＶ光の回り込みが生じ、微細なパターンの形成が困難になるという課題があった。図７では、フォトマスクに歪みが発生した場合を示したが、基体に歪みが発生した場合も同様の課題が発生する。また、フォトマスクと接触するレジスト膜の凸部２５２の端に応力が集中し、それによりレジスト膜が歪み、パターン形状に影響を及ぼす可能性もある。

対策としては、図８（ａ）に示すように、レジスト膜の凸部２５２を広くする、あるいは図８（ｂ）に示すように、レジスト膜の凸部２５２の数を増やして配置するなどすることにより、フォトマスクの歪２５５を少なくする方法などがある。

しかし、この場合にはフォトマスク３１とレジスト膜２との接触面積が大きくなり、露光後に基体１（レジスト膜を含む）とフォトマスク３１が貼り付くという別のプロセス上の課題がある。強引に基体１とフォトマスク３１を離間するとレジスト膜の凸部２５２が剥離し、マスター情報担体に形成された強磁性薄膜のパターンに欠陥を生じたり、あるいは精度を悪化させるといった不具合を生じていた。

上記観点から、本発明は、マスクアライナーを用いてさらに微細なパターンを、より安定に形成することを可能ならしめるレジストパターンの形成方法、とりわけディジタル情報信号をプリフォーマット記録するためのマスター情報担体のパターンを精度良く形成することが可能なマスター情報担体の製造方法を提供することを目的とする。

上記目的を達成するため、本発明の構成は、基体表面に塗布したレジスト膜において、表面が平滑な領域と、前記表面が平滑な領域よりも表面粗さの大きい領域と、抜気用凹部が形成された領域とを有するレジスト形状パターンであって、前記レジスト膜にフォトマスクを重ねた状態で、前記抜気用凹部を介して真空引きすることにより、前記レジスト膜の表面にフォトマスクを密着させる工程と、所要のパターンを露光する工程とを含むことを特徴とする。

本発明のパターン形成方法において、基体表面に塗布したレジスト膜に、表面が平滑な領域と、前記表面が平滑な領域よりも表面粗さの大きい領域と、抜気用凹部が形成された領域とを形成する第１の方法は、基体の表面にレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜のパターン非形成領域の一部を構成する第１の領域を露光・現像することにより前記レジスト膜の表面粗さを大きくする工程と、前記レジスト膜のパターン非形成領域の第１の領域を除く第２の領域を露光・現像することにより、前記レジスト膜の表面に抜気用凹部を形成する工程とを有することを特徴とする。

本発明のパターン形成方法において、基体表面に塗布したレジスト膜に、表面が平滑な領域と、前記表面が平滑な領域よりも表面粗さの大きい領域と、抜気用凹部が形成された領域とを形成する第２の方法は、基体の表面にレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜のパターン非形成領域の一部を構成する第１の領域を露光・現像することにより、前記レジスト膜の表面に抜気用凹部を形成する工程と、前記レジスト膜のパターン非形成領域の第１の領域を除く第２の領域を露光・現像することにより、前記レジスト膜の表面粗さを大きくする工程とを有することを特徴とする。

本発明のパターン形成方法において、基体表面に塗布したレジスト膜に、表面が平滑な領域と、前記表面が平滑な領域よりも表面粗さの大きい領域と、抜気用凹部が形成された領域とを形成する第３の方法は、基体の表面にレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜のパターン非形成領域を露光する第１の露光工程と、前記レジスト膜のパターン非形成領域の一部を露光する第２の露光工程と、前記レジスト膜を現像することにより、前記第１の露光工程で露光された第１の領域のうち前記第２露光工程で露光された第２の領域との共通部分を除く部分のレジスト膜の表面粗さを大きくするとともに、前記第２領域との共通部分には抜気用凹部を形成する工程とを有することを特徴とする。

本発明のパターン形成方法において、基体表面に塗布したレジスト膜に、表面が平滑な領域と、前記表面が平滑な領域よりも表面粗さの大きい領域と、抜気用凹部が形成された領域とを形成する第４の方法は、基体の表面にレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜のパターン非形成領域の一部を露光する第１の露光工程と、前記レジスト膜のパターン非形成領域を露光する第２の露光工程と、前記レジスト膜を現像することにより、前記第２の露光工程で露光された第２の領域のうち前記第１の露光工程で露光された第１の領域との共通部分を除く部分のレジスト膜の表面粗さを大きくするとともに、前記第１領域との共通部分には抜気用凹部を形成する工程とを有することを特徴とする。

本発明の第1のマスター情報担体の製造方法は、非磁性基体の表面にレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜に表面が平滑な領域と、前記表面が平滑な領域よりも表面粗さの大きい領域と、抜気用凹部が形成された領域とを形成する工程と、前記レジスト膜にフォトマスクを重ねた状態で、前記抜気用凹部を介して真空引きすることにより前記レジスト膜の凸部と前記フォトマスクとを密着させる工程と、前記レジスト膜表面のパターン形成領域に対して所要のディジタル情報信号パターンを露光・現像して前記所要のディジタル情報信号パターンに対応するレジスト凹所を形成し、前記レジスト凹所の底部に前記非磁性体基体の表面を露出させる工程と、前記所要のディジタル情報信号パターンを露光・現像した後の前記レジスト膜表面および前記レジスト凹所を通じて露出させた前記非磁性基体表面に対して強磁性薄膜を堆積する工程と、前記所要のディジタル情報信号パターンを露光・現像した後の前記レジスト膜を前記所要のディジタル情報信号パターンを露光・現像した後の前記レジスト膜表面に堆積した前記強磁性薄膜とともに除去して、前記非磁性基体表面上に前記所要のディジタル情報信号パターンに対応する強磁性薄膜パターンを形成する工程とを含むことを特徴とするマスター情報担体の製造方法。

本発明の第２のマスター情報担体の製造方法は、非磁性基体の表面にレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜に表面が平滑な領域と、前記表面が平滑な領域よりも表面粗さの大きい領域と、抜気用凹部が形成された領域とを形成する工程と、前記レジスト膜にフォトマスクを重ねた状態で、前記抜気用凹部を介して真空引きすることにより前記レジスト膜の凸部と前記フォトマスクとを密着させる工程と、前記レジスト膜表面のパターン形成領域に対して所要のディジタル情報信号パターンを露光・現像して前記所要のディジタル情報信号パターンに対応するレジスト凹所を形成し、前記レジスト凹所の底部に前記非磁性体基体の表面を露出させる工程と、前記所要のディジタル情報信号パターンを露光・現像した後の前記レジスト膜をマスクにしてエッチングを行い、前記レジスト凹所を通じて露出させた前記非磁性基体表面に前記所要のディジタル情報信号パターンに対応する基体凹所を形成する工程と、前記エッチング後に残存した前記レジスト膜表面および前記基体凹所に対して、前記基体凹所に埋め込む状態で強磁性薄膜を堆積する工程と、前記基体凹所に埋め込んだ強磁性薄膜を残す状態で前記エッチング後に残存した前記レジスト膜を前記エッチング後に残存した前記レジスト膜表面に堆積した前記強磁性薄膜とともに除去して、前記非磁性基体表面に前記所要のディジタル情報信号パターンに対応する強磁性薄膜パターンを形成する工程とを含むことを特徴とするマスター情報担体の製造方法。

本発明の第３のマスター情報担体の製造方法は、非磁性基体の表面に強磁性薄膜を堆積する工程と、非磁性基体の表面にレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜に表面が平滑な領域と、前記表面が平滑な領域よりも表面粗さの大きい領域と、抜気用凹部が形成された領域とを形成する工程と、前記レジスト膜にフォトマスクを重ねた状態で、前記抜気用凹部を介して真空引きすることにより前記レジスト膜の表面に前記フォトマスクを密着させる工程と、前記レジスト膜の凸部の領域に所要のパターンを露光・現像することにより所要のパターンのレジスト凹所を形成し、前記レジスト凹所の底部に前記強磁性薄膜を露出する工程と、前記所要のパターン露光後のレジスト膜をマスクにしてエッチングを行い、前記レジスト凹所を通じて露出させた部分の前記強磁性薄膜を除去する工程と、前記エッチング後に残存した前記レジスト膜を除去して前記非磁性基体表面に所要のディジタル情報信号対応の強磁性薄膜パターンを形成する工程とを含むことを特徴とするマスター情報担体の製造方法。

本発明の磁気記録媒体の製造方法は、非磁性基体上に所要のディジタル情報信号に対応する強磁性薄膜パターンが形成されたマスター情報担体を製造する工程と、前記マスター情報担体を磁気記録媒体の表面に対向配置した状態で外部磁界を印加し、前記強磁性薄膜パターンに対応する磁化情報を前記磁気記録媒体に記録する工程とを備えた磁気記録媒体の製造方法であって、前記マスター情報担体を製造する工程は、前記強磁性薄膜パターンを形成するためのレジストパターンの形成工程を含んでおり、前記レジストパターンの形成工程は、非磁性基体の表面にレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜に表面が平滑な領域と、前記表面が平滑な領域よりも表面粗さの大きい領域と、抜気用凹部が形成された領域とを形成する工程とを含み、前記レジスト膜にフォトマスクを重ねた状態で、前記抜気用凹部を介して真空引きすることにより、前記レジスト膜の表面に前記フォトマスクを密着させる工程と、所要のパターンを露光する工程とを含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。

本発明の磁気記録再生装置の製造方法は、前記磁気記録媒体の製造方法を含む磁気記録再生装置の製造方法であって、前記強磁性薄膜の形状パターンに対応する磁化情報が記録された前記磁気記録媒体を回転部分に搭載する工程を備えたことを特徴とする。

本発明の磁気記録再生装置は、前記磁気記録媒体の製造方法により製造した磁気記録媒体と、薄膜磁気ヘッドと、前記薄膜磁気ヘッドが前記磁気記録媒体と対向するように支持する支持部材と、前記磁気記録媒体を回転させる回転手段と、前記支持部材に結合され、前記薄膜磁気ヘッドを前記磁気記録媒体の膜面に沿って移動させる移動手段と、前記薄膜磁気ヘッド、前記回転手段及び前記移動手段と電気的に結合され、前記薄膜磁気ヘッドと信号を交換し、前記磁気記録媒体の回転を制御し、前記薄膜磁気ヘッドの移動を制御する処理手段とを備えたことを特徴とする。

本発明によれば、レジスト表面が平滑なパターン形成領域でのフォトマスクとレジストの密着性が向上すると共に、レジスト表面のパターン形成領域以外は表面が粗くなっているか、抜気用凹部であるため、良好な露光後の離間性が実現できる。その結果、レジスト剥離などが発生せず、レジスト表面のパターン形成領域に良好なレジストパターンを形成することができる。

本発明のレジスト形状パターンを用いたパターン形成方法によれば、抜気用凹部を介した真空引きによるフォトマスクの歪を大幅に低減でき、レジスト表面の平滑なパターン形成領域でのフォトマスクとレジストの密着性が向上する。また、レジスト表面のパターン形成領域以外は表面が粗くなっているため、その部分の実効的なフォトマスクとの接触面積はごく僅かであり、露光後に基体とフォトマスクは容易に離間することができる。その結果、レジスト剥離などが発生せず、レジスト表面のパターン形成領域に良好なレジストパターンを形成することができる。

また、本発明のレジストパターン形成方法を用いれば、微細なディジタル情報信号パターンを有するマスター情報担体を高精度にかつ安定して作製することができる。

本発明の磁気記録媒体の製造方法、磁気記録再生装置の製造方法、磁気記録再生装置によれば、マスター情報担体から磁気記録媒体に転写されたディジタル情報信号の精度を高めることができるので、大容量化に有利になる。

また、前記磁気記録媒体の製造方法、磁気記録再生装置においては、前記ディジタル情報信号がトラッキングサーボに用いるための信号であることが好ましい。

この構成によれば、磁気記録媒体に転写記録されたトラッキング用サーボ信号磁化反転長が小さくなるため、トラック幅方向の位置決め精度が向上し、大容量化に有利になる。また、低コスト化をも実現可能である。

以下、本発明の実施形態について、図面を用いて説明する。

（実施の形態１）
図１および図２は本実施の形態１のレジスト形状パターンを示す図である。

図１（ａ）は本実施の形態１のレジスト形状パターンの構造を模式的に示す平面図であり、図１（ｂ）は図１(ａ)のＡ−Ａ‘における断面図である。

基体１上に塗布したレジスト２の表面が抜気用凹部２５１とレジスト膜の凸部２５２とからなり、レジスト膜の凸部２５２はレジスト表面が平滑なパターン形成領域２５４とレジスト表面が粗くなった領域２５３から構成される。

図２（ａ）は、図１で示したレジスト形状パターンを用いて、所要のパターンを形成した状態を模式的に示す平面図であり、図２（ｂ）は図２（ａ）のＢ−Ｂ‘における断面図である。

所要のレジストパターンはフォトリソグラフィ技術を用いてレジスト膜の凸部２５２の表面が平滑なパターン形成領域２５４に形成される。

図３（ａ）〜（ｅ）および図４（ａ）〜（ｅ）は本実施の形態１に係るレジストパターン形成方法を示す図である。

図３は本発明のレジストパターン形成方法を説明する工程図であり、図２（ａ）のＢ-Ｂ`における断面図で示す。

図３(ａ)に示すように、基体１上に塗布されたレジスト２にフォトマスク３ａを用いてパターン非形成部を露光し、さらに、図３（ｂ）に示すように、フォトマスク３ｂを用いてパターン非形成部の一部を露光し、現像することによって、図３（ｃ）に示すように、レジスト膜の凸部２５２と抜気用凹部２５１が形成され、レジスト膜の凸部２５２はレジスト表面が平滑なパターン形成領域２５４とレジスト表面が粗くなった領域２５３で構成される。次に、図３（ｄ）に示すように、レジスト膜の凸部２５２に所要のパターンを有するフォトマスク３１を接触し、基体１の外周部から真空引き７を行うことによりフォトマスク３１とレジスト膜の凸部２５２を密着した後、ＵＶ光４を照射することによりフォトマスク３１の透過部３２を通じて所要のパターンをレジスト２に露光する。その後、窒素あるいは酸素など抜気用凹部２５１を通じて流入し、フォトマスク３１と基体１（レジスト膜２を含む）を離間する。次に、アルカリ現像液を用いて現像し、レジスト膜の凸部２５２のパターン形成領域２５４に所要のパターンに対応するレジスト凹所２１が形成される。

本実施の形態によれば、フォトマスク３１と密着するレジスト膜の凸部２５２はレジスト表面が平滑なパターン形成領域２５４とレジスト表面が粗くなった領域２５３から構成されているので、レジスト表面が粗くなった領域２５３の実効的なフォトマスクとの接触面積はごく僅かである。そのため、良好な露光後の離間性が実現できる。

また、本実施の形態によれば、レジスト膜の凸部２５２が平滑なパターン形成領域２５４のみで構成されている場合に比べて、レジスト膜の凸部２５２を広くすることができ、フォトマスクが歪むことも無く、表面が平滑なパターン形成領域２５４は露光時に高い密着性を維持することができる。その結果、光の回り込みによるパターン不良などが発生せず、良好な形状のレジストパターンが形成できる。

図５はレジストの露光量と段差量の関係を求めた実験結果である。

本発明の実施形態に用いた露光量は、レジストの残膜厚がゼロになる露光量（しきい値露光量）をＥ_ｔ、抜気用凹部を形成するのに必要な露光量をＥ_１、レジスト表面を荒らすのに必要な露光量をＥ_２とすると、Ｅ_１＞Ｅ_２の露光量でＵＶ照射する必要がある。

一実施例において、図３（ａ）における露光量はＥ_２であり、図３（ｂ）での露光量はＥ_１−Ｅ_２である。

また、Ｅ_ｔ＞Ｅ_１で露光すると基体上にレジストが残存した抜気用凹部になり、Ｅ_１＞Ｅ_ｔで露光すると基体表面が露出した抜気用凹部になる。

図１８は、図３（ｃ）で示したレジストの断面形状を、より詳細に示す図である。図中のＤ_１は抜気用凹部２５１とパターン形成領域２５４との段差量であり、Ｄ_２はレジスト膜の凸部２５２に含まれるレジスト表面が粗くなった領域２５３とパターン形成領域２５４との段差量である。

図４(a)〜（e）は本実施の形態１に係るレジストパターン形成方法の他の一例を示す断面図であって、図３（ａ）のパターン非形成領域を露光する工程と図３（ｂ）のパターン非形成領域の少なくとも一部を露光する工程の順番が逆転した場合の工程を示しており、本実施形態においてもパターン形成になんら支障がない。ただし、図４（ａ）における露光量はＥ_１−Ｅ_２であり、図４（ｂ）での露光量はＥ_２である。

また、本実施の形態では、図３（ａ）のパターン非形成領域を露光する工程の後は現像処理を行わず、図３（ｂ）のパターン非形成領域の少なくとも一部を露光する工程の後に現像処理を行っているが、両工程の露光後に、それぞれ現像処理を行っても、効果は変わらない。

尚、本実施の形態１に係るパターン形成方法の一実施例で用いたフォトマスク３ａはレジスト膜表面が平滑なパターン形成領域に対してＵＶ光が透過しない構成のフォトマスクであって、フォトマスク３ｂは抜気用凹部形成領域に対してＵＶ光が透過する構成のフォトマスクである。

（実施の形態２)
図１７（ａ）〜図１７（ｅ）は本実施の形態２に係るパターン形成方法を示す断面図である。

図１７（ａ）〜（ｃ）はフォトリソグラフィ技術を用いて、レジスト膜に凹凸を形成する工程を示し、図１７（ｄ）はレジストパターンの露光工程を示し、図１７（ｅ）はレジストパターン形成後の状態を示す。

図１７(ａ)に示すように、基体１上に塗布されたレジスト２にフォトマスク３ｃを用いてパターン非形成部の一部を露光し、さらに、図１７（ｂ）に示すように、フォトマスク３ｄを用いてパターン非形成部の一部を露光し、現像することによって、図１７（ｃ）に示すように、レジスト膜の凸部２５２と抜気用凹部２５１が形成され、レジスト膜の凸部２５２はパターン形成領域２５４とレジスト表面が粗くなった領域２５３で構成される。次に、図１７（ｄ）に示すように、レジスト膜の凸部２５２に所要のパターンを有するフォトマスク３１を密着し、抜気用凹部２５１を介して基体１の外周部から真空引き７を行うことによりフォトマスク３１とレジスト膜の凸部２５２を密着した後、ＵＶ光４を照射することによりフォトマスク３１の透過部３２を通じてレジスト２を露光する。その後、窒素あるいは酸素などを抜気用凹部２５１を通じて流入し、フォトマスク３１と基体１（レジスト２を含む）を離間する。次に、アルカリ現像液を用いて現像することによりレジスト膜の凸部２５２のパターン形成領域２５４にレジスト凹所２１を形成する。本実施形態によれば、フォトマスク３１と密着するレジスト膜の凸部２５２はパターン形成領域２５４とレジスト表面が粗くなった領域２５３から構成されているので、レジスト表面が粗くなった領域２５３の実効的なフォトマスクとの接触面積はごく僅かである。そのため、良好な露光後の離間性が実現できる。

また、本実施の形態によれば、レジスト膜の凸部２５２が表面の平滑なパターン形成領域２５４のみで構成されている場合に比べて、レジスト膜の凸部２５２を広くすることができ、フォトマスクが歪むことも無く、表面が平滑なパターン形成領域２５４は露光時に高い密着性を維持することができる。その結果、光の回り込みによるパターン不良などが発生せず、良好な形状のレジストパターンが形成できる。

本実施の形態のパターン形成方法の工程において、図１７（ａ）のパターン非形成領域の一部を露光する工程と図１７（ｂ）のパターン非形成領域の一部を露光する工程の順番が逆転してもなんら支障がない。一実施例において、図１７（ａ）における露光量はＥ_２であり、図１７（ｂ）での露光量はＥ_１である。

また、図１７（ａ）および図１７（ｂ）のそれぞれの工程で露光後、現像処理を行っても効果は変わらない。

尚、本実施の形態２に係るパターン形成方法の一実施例で用いたフォトマスク３ｃは表面が平滑な領域よりも表面粗さの大きい領域に対してＵＶ光が透過する構成のフォトマスクであって、フォトマスク３ｄは抜気用凹部形成領域に対してＵＶ光が透過する構成のフォトマスクである。

本発明の実施形態１および実施形態２に記載のレジストパターン形成方法において、複数の互いに独立した抜気用凹部を、各々が前記レジスト膜の外周部に至る状態で形成することにより、基体とフォトマスク間に介在するエアーが効率よく排出されるので密着性が高く、露光時の光の回り込みが発生せず、その結果、良好な形状のパターンが得られる。

また、複数の抜気用凹部を、連結させる状態で、かつ、その連結状態の抜気用凹部の少なくとも１箇所がレジスト膜の外周部に至る状態で形成しても良い。

また、図１０（ａ）および図１０（ｂ）に示すように、所要のパターンを有するフォトマスクを用いて露光・現像することによって形成されるレジスト凹所２１をレジストの凸部２５２から抜気用凹部２５１に至るように形成することにより、露光時にレジストから発生する窒素ガスが抜気用凹部２５１を通じて効率よく排気できる。そのため、レジストから発生する窒素ガスによるフォトマスクと基体の密着性の低下を生ずることなく露光でき、良好な形状を持つレジストパターンが形成できる。

本発明の実施形態の説明例は、パターン形成領域がレジスト膜の凸部のほぼ中心に設定された場合について説明したが、図１１（ｃ）のようにレジスト膜の凸部の中心にレジスト表面が粗くなった領域２５４が存在し、その回りのレジスト膜の凸部に表面が平滑なパターン形成領域２５４が配置されても同様の効果が得られる。

また、本発明の実施形態に用いる基体が図１１（ｄ）に示すように、略円盤形状の形状であって、実施の形態１および実施の形態２により形成されたレジスト膜の凸部２５２が、レジスト膜の中心近傍１６から基体外端部１５に至るまでの略放射状に形成され、かつ、レジスト膜の凸部２５２がレジストの表面が粗くなった領域２５３と表面が平滑なパターン形成領域２５４とから構成されている（図示せず）場合、所要のパターン露光を行う際、基体とフォトマスク間に介在するエアーが抜気用凹部２５１を通じて非常に効率よく排出されるので短時間で密着し、露光時の光の回り込みが発生せず、良好な形状のパターンが安定して得られる。また、露光後、レジスト凹部２５１を通じて窒素ガスを流入する時も、非常に効率よく流入させることができる。さらに、レジスト表面が粗くなった領域２５３の実効的なフォトマスクとの接触面積はごく僅かであるため、短時間、かつ安定して離間することが可能である。

（実施の形態３）
実施の形態３は実施の形態１および実施の形態２に係るレジストパターン形成方法を、マスター情報担体の製造方法に用いた実施の形態である。

まず、全体構成を説明するため、抜気用凹部形成後の図１２について説明する。非磁性基体１１上にはレジスト膜２が塗布されており、レジスト膜２には、レジスト膜の凸部２５２と抜気用凹部２５１とで凹凸が形成されている。さらに、レジスト膜の凸部２５２は表面が平滑なパターン形成領域２５４と表面が粗れた領域２５３とで構成されている（図示せず）。抜気用凹部２５１は、非磁性基体１１上の略径方向に延びた溝状部分と、凸部２５２を囲む円環状部分とで形成されている。このため、抜気用凹部２５１は、内周部から外周部を経て、非磁性基体１１の外部空間に通じていることになる。

図１３、図１４、図１５、図１６はマスター情報担体の製造方法における本発明の実施形態をさらに詳細に示す基体断面図である。

図１３(a)は非磁性基体１１に塗布されたレジスト２に、異なる二つのフォトマスクを用いて露光と現像を行い、レジスト表面に、表面が平滑な領域２５４と、前記表面が平滑な領域よりも表面粗さの大きい領域２５３と、抜気用凹部２５１形成後の状態を示す図である。以上の工程は実施の形態１および実施の形態２に示すパターン形成方法で詳細な説明しているので省略する。

図１３（ｂ）〜図１３（ｃ）はレジストパターン露光工程を示し、図１３（ｄ）はレジストパターン形成後の状態を示す。

図１３（ｂ）に示すように、所要のディジタル情報信号のパターンに対応したフォトマスク３３とレジスト表面を接触させた後、非磁性基体外周部より真空引きを行い、抜気用凹部２５１を介して抜気し、フォトマスク３３とレジスト膜の凸部２５２を密着させ、図１３（ｃ）に示すようにフォトマスク３３の透過部３２を通じてレジスト膜２を露光し、現像することで図１３（ｄ）に示すように、所要のディジタル情報信号に対応したレジスト凹所２１を有するレジストパターン２１１が形成される。

図１３（ｅ）は強磁性薄膜を成膜した状態を示し、図１３（ｆ）は強磁性薄膜パターン６３形成後の状態を示す。

図１３（ｅ）に示すように、非磁性基体１１およびレジストパターン２１１上に強磁性薄膜６を成膜した後、レジストパターン２１１上に堆積した不要な強磁性薄膜６を溶剤を用いてリフトオフすることにより、図１３（ｆ）に示すように、強磁性薄膜パターン６３を形成する。

図１４（ａ）〜（ｄ）および図１５（ｅ）〜（ｈ）に本実施の形態３の第２の例を示す。図１４（ａ）〜（ｄ）は抜気用凹部２５１形成後からレジストパターン形成後までの工程を示し、図１５（ｅ）〜（ｈ）は形成したレジストパターンを用いたマスター情報担体の製造方法の他の一例を示す断面図である。

図１４（ａ）は塗布されたレジスト２に、異なる二つのフォトマスクを用いて露光と現像を行い、レジスト表面に、表面が平滑な領域２５４と、前記表面が平滑な領域よりも表面粗さの大きい領域２５３と、抜気用凹部２５１形成後の状態を示す断面図である。以上の工程は実施の形態１および実施の形態２に示すパターン形成方法で詳細な説明しているので省略する。

図１４（ｂ）〜図１４（ｃ）はレジストパターン露光工程を示し、図１４（ｄ）はレジストパターン形成後の状態を示す。

図１４（ｂ）に示すように、所要のディジタル情報信号のパターンに対応したフォトマスク３３とレジスト表面を接触させた後、非磁性基体外周部より真空引きを行い、抜気用凹部２５１を介して抜気し、フォトマスク３３とレジスト膜の凸部２５２を密着させ、図１４（ｃ）に示すようにフォトマスク３３の透過部３２を通じてレジスト膜２を露光し、現像することで図１４（ｄ）に示すように、所要のディジタル情報信号に対応したレジスト凹所２１を有するレジストパターン２１１が形成される。

図１５（ｅ）〜（ｆ）はディジタル情報信号に対応したパターンを有する基体凹所１３を形成する工程を示し、図１５（ｇ）は強磁性薄膜６を成膜した状態を、図１５（ｈ）は所要のディジタル情報信号に対応した強磁性薄膜パターン６３が基体凹部に埋め込まれた状態を示す。

図１５（ｅ）に示すように、レジストパターン２１１をマスクにして非磁性基体１１を反応性ガス５によりエッチングする。このことにより、図１５（f）に示すように、所要のディジタル情報信号に対応したパターンを有する基体凹所１３が形成される。

この基体凹所１３に埋め込むように強磁性薄膜６を成膜後、リフトオフすることにより、図１５（ｈ）に示すように、非磁性基体１１内に埋め込まれた強磁性薄膜パターン６３を形成する。

本実施例においてレジストの残膜厚がゼロになる露光量（しきい値露光量）をＥ_ｔ、抜気用凹部を形成するのに必要な露光量をＥ_１、レジスト表面を荒らすのに必要な露光量をＥ_２とすると、Ｅ_１＞Ｅ_２で且つＥ_ｔ＞Ｅ_１の関係が成り立つような露光量で露光することにより抜気用凹部にレジストが残存する。そのため、その後の工程で抜気用凹部２５１上に成膜された強磁性薄膜はリフトオフによってレジストと共に除去され、パターン形成領域２５４のみに強磁性薄膜パターンが形成される。

図１６（a）〜図１６（ｆ）は本実施の形態３の第３の例を示す。

図１６（ａ）は、強磁性薄膜６を成膜した非磁性基体１１上に塗布されたレジスト２に、異なる二つのフォトマスクを用いて露光と現像を行い、レジスト表面に、表面が平滑な領域２５４と、前記表面が平滑な領域よりも表面粗さの大きい領域２５３と、抜気用凹部２５１形成後の状態を示す断面図である。以上の工程は実施の形態１および実施の形態２に示すパターン形成方法で詳細な説明しているので省略する。

図１６（ｂ）〜図１６（ｃ）はレジストパターン露光工程を示し、図１６（ｄ）はレジストパターン形成後の状態を示す。

図１６（ｂ）に示すように、所要のディジタル情報信号のパターンに対応したフォトマスク３３とレジスト表面を接触させた後、非磁性基体外周部より真空引きを行い、抜気用凹部２５１を介して抜気し、フォトマスク３３とレジスト膜の凸部２５２を密着させ、図１６（ｃ）に示すように露光し、現像することで図１６（ｄ）に示すように、所要のディジタル情報信号に対応したレジストパターン２１１が形成される。

図１６（ｅ）は強磁性薄膜６をエッチングする工程を示し、図１６（ｆ）は所要のディジタル情報信号に対応した強磁性薄膜パターン６３形成後の状態を示す。

図１６（ｅ）に示すように、レジストパターン２１１をマスクにして、反応性ガス５を用いたリアクティブイオンエッチングあるいはイオンミリング等により強磁性薄膜６をエッチングし、その後、強磁性薄膜パターン６３上の不要なレジストを除去することにより、所要のディジタル情報信号に対応した強磁性薄膜パターン６３を形成する。

本実施例では、抜気用凹部２５１を形成するのに必要な露光量Ｅ_１を、レジストの残膜厚がゼロになる露光量（しきい値露光量）Ｅ_ｔよりも大きくし、抜気用凹部２５１では強磁性薄膜６の表面が露出している場合を示しているが、Ｅ_ｔ＞Ｅ_１の関係が成り立つような露光量で露光することにより抜気用凹部２５１にレジストが残存している場合でも、図１２（ｂ）で示すフォトマスク３３を用いた露光によって抜気用凹部２５１の残存レジストは全て感光し、現像後に除去することができる。そのため、どちらの場合でもパターン形成領域２５４のみにディジタル情報信号に対応した強磁性薄膜パターンのみが形成される。

本実施形態によれば、抜気用凹部を通じて真空引きを行う際、レジスト膜の凸部２５２の一部にレジスト表面が粗くなった領域２５３が存在するため、フォトマスクの歪を抑えることが出来る。そのため、パターン形成領域２５４はフォトマスクと高い密着性を実現できる。また、レジスト表面が粗くなった領域２５３の実効的なフォトマスクとの接触面積はごく僅かであるため、露光後、容易に離間することが可能である。その結果、レジスト剥離が発生せず、レジスト膜の凸部のパターン形成領域に良好なレジストパターンを形成することができ、高精度なパターン精度を有するマスター情報担体を安定して作製することができる。

（実施の形態４）
実施の形態４は実施の形態３に係るマスター情報担体の製造法を用いた磁気記録媒体の製造方法、磁気記録再生装置の製造方法、および磁気記録再生装置について説明する。

図１９は、ディジタル情報信号の磁気転写記録を実施するための記録装置の概略図を示している。図１９において、磁気記録媒体である磁気ディスク４９は、中心孔４９ａを有するドーナツ円盤状のディスクである。磁気ディスク４９は、非磁性基板の表面にＣｏ等を主成分とする強磁性薄膜をスパッタリング法によって成膜することにより構成されている。

磁気ディスク４９の強磁性薄膜表面に接触するように、円盤状のマスター情報担体３９が重ね合わせて配置している。マスター情報担体３９は、本実施の形態３で説明した製造方法により製造したものであり、磁気ディスク４９に接触する側の表面に信号領域３９ａが設けられている。信号領域３９ａは、本実施の形態３の強磁性薄膜パターン６３で形成されたものであり、磁気ディスク４９に磁気転写記録すべきディジタル情報信号に対応した微細な配列パターンである。

磁気ディスク４９は、ディスク保持体３４で保持されている。ディスク保持体３４の先端部には、磁気ディスク４９を位置決め保持するチャック部３４ａが設けられている。また、ディスク保持体３４の内部には吸引孔３４ｂが設けられており、吸引孔３４ｂは磁気ディスク４９の中心孔４９ａに連通し、かつ一端が排気ダクト３５に接続されている。

排気ダクト３５の端部には排気装置３６が装着されており、この排気装置３６を始動させることにより、排気ダクト３５、ディスク保持体３４の吸引孔３４ｂを通して、磁気ディスク４９とマスター情報担体３９との間の空間が負圧状態となる。このことにより、マスター情報担体３９が磁気ディスク４９側に吸引され、マスター情報担体３９に磁気ディスク４９が位置決めされた状態で重ね合わされることになる。

着磁用ヘッド３７は、マスター情報担体３９から磁気ディスク４９に転写記録する際に必要な外部磁界を印加するためのものである。着磁用ヘッド３７から印加される磁界により、マスター情報担体３９に形成されたディジタル情報信号に対応した強磁性薄膜パターンが磁化され、これらから発生する漏れ磁束によって磁気ディスク４９に信号領域３９ａの強磁性薄膜パターンに対応したディジタル情報信号が記録される。

さらに、以上のような工程を経て製造した磁気記録媒体を用いて、磁気記録再生装置を製造することができる。磁気記録再生装置の詳細は、後に図２０を用いて説明するが、磁気記録再生装置を製造する際には、マスター情報担体を用いてディジタル情報信号を記録した磁気記録媒体を回転部分に搭載することになる。

図２０は、磁気記録再生装置の概略図を示している。磁気記録媒体である磁気ディスク４１は、前記のような工程を経て製造したものである。磁気ディスク４１は、回転部分であるスピンドル４２上に支持されている。磁気ディスク４１は、スピンドル４２を介して回転手段であるスピンドルモータ４３の回転によって回転する。

薄膜磁気ヘッド４４は、支持部材であるサスペンション４５及びアクチュエータアーム４６を介して移動手段であるアクチュエータ４７に取り付けられている。

この構成によれば、薄膜磁気ヘッド４４はアクチュエータ４７の動作により、移動できる。また、薄膜磁気ヘッド４４は、磁気ディスク４１面に対向して配置されている。このため、磁気ディスク４１の回転、及び薄膜磁気ヘッド４４の磁気ディスク４１の半径方向の移動によって、磁気ディスク４１のほぼ全面に対して信号の読み書きが可能となる。また、磁気ディスク４１の回転の制御、薄膜磁気ヘッド４４の位置制御、及び記録再生信号の制御等は処理手段である制御回路４８で行われる。

（実施例）
以下、本発明の実施例について説明する。基体上にレジスト厚約０．７μｍをスピンコート塗布し、９０℃のホットプレートで１分間ソフトベークした後、パターン非形成領域のレジスト表面にＵＶ照射パワー８ｍＷ／ｃｍ２で２秒露光し、次に、パターン非形成領域の少なくとも一部を４秒露光し、現像することによって、パターン形成領域２５４と抜気用凹部２５１との段差量が約０．３μｍのレジストの凹凸を形成した。また、そのときのレジスト膜の凸部のレジスト表面が粗くなった領域２５３のレジスト表面粗さは５０ｎｍから７０ｎｍであった。

次に、所要の形状パターンが搭載されたフォトマスクとレジスト膜の凸部とを接触し、真空引きにより密着させて、レジストの目標線幅を得るための最適露光量（Ｅo）で露光し、フォトマスクとレジスト膜を離間した後、現像することによりサブミクロン領域の線幅においても良好な形状のレジストパターンを得ることができた。

以上に示した方法で作製したマスター情報担体を用いて磁気記録媒体にプリフォーマット記録した後、磁気記録媒体に記録された信号を、ヘッドを用いて読みとることにより信号の評価を行った。その結果、パターン線幅が０．３μｍの細線でも、設計通りの信号が記録されていることを確認した。

一方、レジストパターンを前記の図６に示した従来方法で作成したマスター情報担体を用いて行った評価では、パターン線幅が０．５μｍまで細線化すると設計通りの再生信号が得られなかった。

ここで、パターン線幅が小さくなると、転写記録されたトラッキング用サーボ信号の磁化反転長が小さくなるため、その信号に基づいたトラック幅方向の分解能が向上し位置決め精度が向上する。この場合の位置決め精度は、磁化反転長の逆数に比例し、線幅が０．５μｍから０．３μｍになると、トラック幅方向の位置決め精度は約１．７倍(０．５μｍ／０．３μｍ)になる。

転写記録されたトラッキング用サーボ信号の磁化反転長が小さくなった場合、トラッキングサーボ信号の占有面積が同一であると仮定すると、磁化反転長が小さくなった分、その中に存在する信号の繰返し周期を増加させることができる。その結果、信号の平均化効果により、信号Ｓ／Ｎが改善し、位置決め精度を向上させることができる。この場合の位置決め精度は、磁化反転長の逆数の平方根に比例し、線幅が０．５μｍから０．３μｍになると、トラック幅方向の位置決め精度が約１．３倍になる。

これらの二つの効果により、線幅が０．５μｍから０．３μｍになると、トラック幅方向の位置決め精度は約２．２倍(１．７×１．３)になる。すなわち、トラック幅方向の密度を２．２倍に高めることが可能となり、磁気記録再生装置の大容量化の実現に非常に大きな効果を発揮することになる。

なお、本発明の実施形態では、フォトマスクに歪みが生ずる場合について示したが、基体が歪む場合でも同様の効果を有する。

また、本発明の実施形態に係るパターン形成方法は、レジスト表面が平滑な領域にのみ微細パターンを形成する方法について説明したが、表面が粗れた領域にサブミクロン以下の線幅を形成することは困難であるが、数μｍ以上のパターンを形成することは可能である。

以上、本発明の実施形態について例をあげて説明したが、本発明は上記実施形態に限定されず、本発明の技術的思想に基づいた他の実施形態に適用することができる。

以上のように、本発明によれば、抜気用凹部を介した真空引きによるフォトマスクの歪を大幅に低減でき、レジスト表面の平滑なパターン形成領域でのフォトマスクとレジストの密着性が向上する。また、レジスト表面のパターン形成領域以外は表面が粗くなっているため、その部分の実効的なフォトマスクとの接触面積はごく僅かである。そのため、良好な露光後の離間性が実現できる。その結果、レジスト剥離などが発生せず、良好なレジストパターンを得ることができるので、例えばマスター情報担体等の製造の際のレジストパターン形成方法に有用である。

本発明の実施形態１のレジスト構成を示す平面および断面図 本発明の実施形態１のパターン形成方法を示す平面および断面図 本発明の実施形態２のレジストパターン形成方法を示す工程断面図 本発明の実施形態２のレジストパターン形成方法の他の一例を示す工程断面図 本発明の一実施形態に係るレジスト段差量と露光量の関係を示す図 従来法によるパターン形成方法を示す工程断面図 従来法によるパターン形成方法における課題を説明する断面図 従来法による課題解決方法の一例を示す断面図 従来法のパターン形成工程におけるパターン配置を示す平面図 本発明の一実施例に係るパターン配置の一例を示す平面図 本発明の一実施例に係るパターン配置の他の一例を示す平面図 本発明の一実施形態に係る抜気用凹部形成後の基体全体の斜視図 本発明の実施形態３のマスター情報担体製造方法の一例を示す断面図 本発明の実施形態３のマスター情報担体製造方法の他の一例を示す断面図 本発明の実施形態３のマスター情報担体製造方法の他の一例を示す断面図であって、図１４に続く工程を示す断面図 本発明の実施形態３のマスター情報担体製造方法の他の一例を示す断面図 本発明の一実施形態に係るレジストパターン形成方法を示す工程断面図 本発明の実施形態のレジストの断面形状を詳細に示す断面図 本発明の実施形態４の磁気記録媒体の製造方法を示す概略図 本発明の実施形態４の磁気記録再生装置の概略図

符号の説明

１ 基体
１１ 非磁性基体
１２ 基体露出面
１３ 基体凹所
１５ 基体外端部
１５５ 非磁性基体外周部
１６ レジスト膜の中心近傍
２ レジスト
２１ レジスト凹所
２１１ ディジタル情報信号に対応したレジストパターン
２５ レジスト表面の凹凸
２５１ 抜気用凹部
２５２ レジスト膜の凸部
２５３ レジストの表面が粗くなった領域
２５４ パターン形成領域
２５５ フォトマスクの歪
３ フォトマスク
３１ 所要のパターン形状を有するフォトマスク
３３ ディジタル情報信号に対応したパターンを有するフォトマスク
３２ フォトマスクの透過部
４ ＵＶ光
４１ 窒素ガス
５ エッチング
６ 強磁性薄膜
６３ 強磁性薄膜パターン
７ 真空引き
８ 隙間

Claims (16)

1. 基体の表面にレジスト膜を形成する工程と、
   前記レジスト膜のパターン非形成領域の一部を構成する第１の領域を露光・現像することにより、前記レジスト膜の表面粗さを大きくする工程と、
   前記レジスト膜のパターン非形成領域の第１の領域を除く第２の領域を露光・現像することにより、前記レジスト膜の表面に抜気用凹部を形成する工程と、
   前記レジスト膜にフォトマスクを重ねた状態で、前記抜気用凹部を介して真空引きすることにより前記レジスト膜の表面に前記フォトマスクを密着させる工程と、
   前記レジスト膜表面のパターン形成領域に対して所要のパターンを露光する工程とを含むことを特徴とするレジストパターン形成方法。
2. 基体の表面にレジスト膜を形成する工程と、
   前記レジスト膜のパターン非形成領域の一部を構成する第１の領域を露光・現像することにより、前記レジスト膜の表面に抜気用凹部を形成する工程と、
   前記レジスト膜のパターン非形成領域の第１の領域を除く第２の領域を露光・現像することにより、前記レジスト膜の表面粗さを大きくする工程と、
   前記レジスト膜にフォトマスクを重ねた状態で、前記抜気用凹部を介して真空引きすることにより前記レジスト膜の表面に前記フォトマスクを密着させる工程と、
   前記レジスト膜表面のパターン形成領域に対して所要のパターンを露光する工程とを含むことを特徴とするレジストパターン形成方法。
3. 基体の表面にレジスト膜を形成する工程と、
   前記レジスト膜のパターン非形成領域を露光する第１の露光工程と、
   前記レジスト膜のパターン非形成領域の一部を露光する第２の露光工程と、
   前記レジスト膜を現像することにより、前記第１の露光工程で露光された第１の領域のうち前記第２露光工程で露光された第２の領域との共通部分を除く部分のレジスト膜の表面粗さを大きくするとともに、前記第２領域との共通部分には抜気用凹部を形成する工程と、
   前記レジスト膜にフォトマスクを重ねた状態で、前記抜気用凹部を介して真空引きすることにより前記レジスト膜の表面に前記フォトマスクを密着させる工程と、
   前記レジスト膜表面のパターン形成領域に対して所要のパターンを露光する工程とを含むことを特徴とするレジストパターン形成方法。
4. 基体の表面にレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜のパターン非形成領域の一部を露光する第１の露光工程と、前記レジスト膜のパターン非形成領域を露光する第２の露光工程と、前記レジスト膜を現像することにより、前記第２の露光工程で露光された第２の領域のうち前記第１の露光工程で露光された第１の領域との共通部分を除く部分のレジスト膜の表面粗さを大きくするとともに、前記第１領域との共通部分には抜気用凹部を形成する工程と、前記レジスト膜にフォトマスクを重ねた状態で、前記抜気用凹部を介して真空引きすることにより前記レジスト膜の表面に前記フォトマスクを密着させる工程と、前記レジスト膜表面のパターン形成領域に対して所要のパターンを露光する工程とを含むことを特徴とするレジストパターン形成方法。
5. 非磁性基体の表面にレジスト膜を形成する工程と、
   前記レジスト膜のパターン非形成領域の一部を構成する第１の領域を露光・現像することにより前記レジスト膜の表面粗さを大きくする工程と、
   前記レジスト膜のパターン非形成領域の第１の領域を除く第２の領域を露光・現像することにより、前記レジスト膜の表面に抜気用凹部を形成する工程と、
   前記レジスト膜にフォトマスクを重ねた状態で、前記抜気用凹部を介して真空引きすることにより前記レジスト膜の表面に前記フォトマスクを密着させる工程と、
   前記レジスト膜表面のパターン形成領域に対して所要のディジタル情報信号パターンを露光・現像して前記所要のディジタル情報信号パターンに対応するレジスト凹所を形成し、前記レジスト凹所の底部に前記非磁性基体の表面を露出させる工程と、
   前記所要のディジタル情報信号パターンを露光・現像した後の前記レジスト膜表面および前記レジスト凹所を通じて露出させた前記非磁性基体表面に対して強磁性薄膜を堆積する工程と、
   前記所要のディジタル情報信号パターンを露光・現像した後の前記レジスト膜を前記所要のディジタル情報信号パターンを露光・現像した後の前記レジスト膜表面に堆積した前記強磁性薄膜とともに除去して、前記非磁性基体表面上に前記所要のディジタル情報信号パターンに対応する強磁性薄膜パターンを形成する工程とを含むことを特徴とするマスター情報担体の製造方法。
6. 非磁性基体の表面にレジスト膜を形成する工程と、
   前記レジスト膜のパターン非形成領域の一部を構成する第１の領域を露光・現像することにより前記レジスト膜の表面粗さを大きくする工程と、
   前記レジスト膜のパターン非形成領域の第１の領域を除く第２の領域を露光・現像することにより、前記レジスト膜の表面に抜気用凹部を形成する工程と、
   前記レジスト膜にフォトマスクを重ねた状態で、前記抜気用凹部を介して真空引きすることにより前記レジスト膜の表面にフォトマスクを密着させる工程と、
   前記レジスト膜表面のパターン形成領域に対して所要のディジタル情報信号パターンを露光・現像して前記所要のディジタル情報信号パターンに対応するレジスト凹所を形成し、前記レジスト凹所の底部に前記非磁性基体の表面を露出させる工程と、
   前記所要のディジタル情報信号パターンを露光・現像した後の前記レジスト膜をマスクにしてエッチングを行い、前記レジスト凹所を通じて露出させた前記非磁性基体表面に前記所要のディジタル情報信号パターンに対応する基体凹所を形成する工程と、
   前記エッチング後に残存した前記レジスト膜表面および前記基体凹所に対して、前記基体凹所に埋め込む状態で強磁性薄膜を堆積する工程と、
   前記基体凹所に埋め込んだ強磁性薄膜を残す状態で前記エッチング後に残存した前記レジスト膜を前記エッチング後に残存した前記レジスト膜表面に堆積した前記強磁性薄膜とともに除去して、前記非磁性基体表面に前記所要のディジタル情報信号パターンに対応する強磁性薄膜パターンを形成する工程とを含むことを特徴とするマスター情報担体の製造方法。
7. 非磁性基体の表面に強磁性薄膜を堆積する工程と、
   前記強磁性薄膜の表面にレジスト膜を形成する工程と、
   前記レジスト膜のパターン非形成領域の一部を構成する第１の領域を露光・現像することにより前記レジスト膜の表面粗さを大きくする工程と、
   前記レジスト膜のパターン非形成領域の第１の領域を除く第２の領域を露光・現像することにより、前記レジスト膜の表面に抜気用凹部を形成する工程と、
   前記レジスト膜にフォトマスクを重ねた状態で、前記抜気用凹部を介して真空引きすることにより前記レジスト膜の表面に前記フォトマスクを密着させる工程と、
   前記レジスト膜の凸部の領域に所要のパターンを露光・現像することにより所要のパターン形状のレジスト凹所を形成し、前記レジスト凹所の底部に前記強磁性薄膜を露出する工程と、
   前記所要のパターン露光後のレジスト膜をマスクにしてエッチングを行い、前記レジスト凹所を通じて露出させた部分の前記強磁性薄膜を除去する工程と、
   前記エッチング後に残存した前記レジスト膜を除去して前記非磁性基体表面にディジタル情報信号対応の強磁性薄膜パターンを形成することを特徴とするマスター情報担体の製造方法。
8. 非磁性基体の表面にレジスト膜を形成する工程と、
   前記レジスト膜のパターン非形成領域の一部を構成する第１の領域を露光・現像することにより、前記レジスト膜の表面に抜気用凹部を形成する工程と、
   前記レジスト膜のパターン非形成領域の第１の領域を除く第２の領域を露光・現像することにより、前記レジスト膜の表面粗さを大きくする工程と、
   前記レジスト膜にフォトマスクを重ねた状態で、前記抜気用凹部を介して真空引きすることにより前記レジスト膜の表面に前記フォトマスクを密着させる工程と、
   前記レジスト膜表面のパターン形成領域に対して所要のディジタル情報信号パターンを露光・現像して前記所要のディジタル情報信号パターンに対応するレジスト凹所を形成し、前記レジスト凹所の底部に前記非磁性基体の表面を露出させる工程と、
   前記所要のディジタル情報信号パターンを露光・現像した後の前記レジスト膜表面および前記レジスト凹所を通じて露出させた前記非磁性基体表面に対して強磁性薄膜を堆積する工程と、
   前記所要のディジタル情報信号パターンを露光・現像した後の前記レジスト膜を前記所要のディジタル情報信号パターンを露光・現像した後の前記レジスト膜表面に堆積した前記強磁性薄膜とともに除去して、前記非磁性基体表面上に前記所要のディジタル情報信号パターンに対応する強磁性薄膜パターンを形成する工程とを含むことを特徴とするマスター情報担体の製造方法。
9. 非磁性基体の表面にレジスト膜を形成する工程と、
   前記レジスト膜のパターン非形成領域の一部を構成する第１の領域を露光・現像することにより、前記レジスト膜の表面に抜気用凹部を形成する工程と、
   前記レジスト膜のパターン非形成領域の第１の領域を除く第２の領域を露光・現像することにより、前記レジスト膜の表面粗さを大きくする工程と、
   前記レジスト膜にフォトマスクを重ねた状態で、前記抜気用凹部を介して真空引きすることにより前記レジスト膜の凸部に前記フォトマスクを密着させる工程と、
   前記レジスト膜表面のパターン形成領域に対して所要のディジタル情報信号パターンを露光・現像して前記所要のディジタル情報信号パターンに対応するレジスト凹所を形成し、前記レジスト凹所の底部に前記非磁性基体の表面を露出させる工程と、
   前記所要のディジタル情報信号パターンを露光・現像した後の前記レジスト膜をマスクにしてエッチングを行い、前記レジスト凹所を通じて露出させた前記非磁性基体表面に前記所要のディジタル情報信号パターンに対応する基体凹所を形成する工程と、
   前記エッチング後に残存した前記レジスト膜表面および前記基体凹所に対して、前記基体凹所に埋め込む状態で強磁性薄膜を堆積する工程と、
   前記基体凹所に埋め込んだ強磁性薄膜を残す状態で前記エッチング後に残存した前記
   レジスト膜を前記エッチング後に残存した前記レジスト膜表面に堆積した前記強磁性薄膜とともに除去して、前記非磁性基体表面に前記所要のディジタル情報信号パターンに対応する強磁性薄膜パターンを形成する工程とを含むことを特徴とするマスター情報担体の製造方法。
10. 非磁性基体の表面に強磁性薄膜を堆積する工程と、
    前記強磁性薄膜の表面にレジスト膜を形成する工程と、
    前記レジスト膜のパターン非形成領域の一部を構成する第１の領域を露光・現像することにより、前記レジスト膜の表面に抜気用凹部を形成する工程と、
    前記レジスト膜のパターン非形成領域の第１の領域を除く第２の領域を露光・現像することにより、前記レジスト膜の表面粗さを大きくする工程と、前記レジスト膜にフォトマスクを重ねた状態で、前記抜気用凹部を介して真空引きすることにより前記レジスト膜の表面に前記フォトマスクを密着させる工程と、
    前記レジスト膜の凸部の領域に所要のパターンを露光・現像することにより所要のパターン形状のレジスト凹所を形成し、前記レジスト凹所の底部に前記強磁性薄膜を露出する工程と、
    前記所要のパターン露光後のレジスト膜をマスクにしてエッチングを行い、前記レジスト凹所を通じて露出させた部分の前記強磁性薄膜を除去する工程と、
    前記エッチング後に残存した前記レジスト膜を除去して前記非磁性基体表面にディジタル情報信号対応の強磁性薄膜パターンを形成する工程とを含むことを特徴とするマスター情報担体の製造方法。
11. 非磁性基体の表面にレジスト膜を形成する工程と、
    前記レジスト膜のパターン非形成領域を露光する第１の露光工程と、
    前記レジスト膜のパターン非形成領域の一部を露光する第２の露光工程と、
    前記レジスト膜を現像することにより、前記第１の露光工程で露光された第１の領域のうち前記第２露光工程で露光された第２の領域との共通部分を除く部分のレジスト膜の表面粗さを大きくするとともに、前記第２領域との共通部分には抜気用凹部を形成する工程と、
    前記レジスト膜にフォトマスクを重ねた状態で、前記抜気用凹部を介して真空引きすることにより前記レジスト膜の表面に前記フォトマスクを密着させる工程と、
    前記レジスト膜表面のパターン形成領域に対して所要のディジタル情報信号パターンを露光・現像して前記所要のディジタル情報信号パターンに対応するレジスト凹所を形成し、前記レジスト凹所の底部に前記非磁性基体の表面を露出させる工程と、
    前記所要のディジタル情報信号パターンを露光・現像した後の前記レジスト膜表面および前記レジスト凹所を通じて露出させた前記非磁性基体表面に対して強磁性薄膜を堆積する工程と、
    前記所要のディジタル情報信号パターンを露光・現像した後の前記レジスト膜を前記所要のディジタル情報信号パターンを露光・現像した後の前記レジスト膜表面に堆積した前記強磁性薄膜とともに除去して、前記非磁性基体表面上に前記所要のディジタル情報信号パターンに対応する強磁性薄膜パターンを形成する工程とを含むことを特徴とするマスター情報担体の製造方法。
12. 非磁性基体の表面にレジスト膜を形成する工程と、
    前記レジスト膜のパターン非形成領域を露光する第１の露光工程と、
    前記レジスト膜のパターン非形成領域の一部を露光する第２の露光工程と、
    前記レジスト膜を現像することにより、前記第１の露光工程で露光された第１の領域のうち前記第２露光工程で露光された第２の領域との共通部分を除く部分のレジスト膜の表面粗さを大きくするとともに、前記第２領域との共通部分には抜気用凹部を形成する工程と、
    前記レジスト膜にフォトマスクを重ねた状態で、前記抜気用凹部を介して真空引きすることにより前記レジスト膜の表面に前記フォトマスクを密着させる工程と、
    前記レジスト膜表面のパターン形成領域に対して所要のディジタル情報信号パターンを露光・現像して前記所要のディジタル情報信号パターンに対応するレジスト凹所を形成し、前記レジスト凹所の底部に前記非磁性基体の表面を露出させる工程と、
    前記所要のディジタル情報信号パターンを露光・現像した後の前記レジスト膜をマスクにしてエッチングを行い、前記レジスト凹所を通じて露出させた前記非磁性基体表面に前記所要のディジタル情報信号パターンに対応する基体凹所を形成する工程と、
    前記エッチング後に残存した前記レジスト膜表面および前記基体凹所に対して、前記基体凹所に埋め込む状態で強磁性薄膜を堆積する工程と、
    前記基体凹所に埋め込んだ強磁性薄膜を残す状態で前記エッチング後に残存した前記レジスト膜を前記エッチング後に残存した前記レジスト膜表面に堆積した前記強磁性薄膜とともに除去して、前記非磁性基体表面に前記所要のディジタル情報信号パターンに対応する強磁性薄膜パターンを形成する工程とを含むことを特徴とするマスター情報担体の製造方法。
13. 非磁性基体の表面に強磁性薄膜を堆積する工程と、
    前記強磁性薄膜の表面にレジスト膜を形成する工程と、
    前記レジスト膜のパターン非形成領域を露光する第１の露光工程と、
    前記レジスト膜のパターン非形成領域の一部を露光する第２の露光工程と、
    前記レジスト膜を現像することにより、前記第１の露光工程で露光された第１の領域のうち前記第２露光工程で露光された第２の領域との共通部分を除く部分のレジスト膜の表面粗さを大きくするとともに、前記第２領域との共通部分には抜気用凹部を形成する工程と、
    前記レジスト膜にフォトマスクを重ねた状態で、前記抜気用凹部を介して真空引きすることにより前記レジスト膜の表面に前記フォトマスクを密着させる工程と、
    前記レジスト膜の凸部の領域に所要のパターンを露光・現像することにより所要のパターン形状のレジスト凹所を形成し、前記レジスト凹所の底部に前記強磁性薄膜を露出する工程と、
    前記所要のパターン露光後のレジスト膜をマスクにしてエッチングを行い、前記レジスト凹所を通じて露出させた部分の前記強磁性薄膜を除去する工程と、
    前記エッチング後に残存した前記レジスト膜を除去して前記非磁性基体表面にディジタル情報信号対応の強磁性薄膜パターンを形成する工程とを含むことを特徴とするマスター情報担体の製造方法。
14. 非磁性基体の表面にレジスト膜を形成する工程と、
    前記レジスト膜のパターン非形成領域の一部を露光する第１の露光工程と、
    前記レジスト膜のパターン非形成領域を露光する第２の露光工程と、
    前記レジスト膜を現像することにより、前記第２の露光工程で露光された第２の領域のうち前記第１の露光工程で露光された第１の領域との共通部分を除く部分のレジスト膜の表面粗さを大きくするとともに、前記第１領域との共通部分には抜気用凹部を形成する工程と、
    前記レジスト膜にフォトマスクを重ねた状態で、前記抜気用凹部を介して真空引きすることにより前記レジスト膜の表面に前記フォトマスクを密着させる工程と、
    前記レジスト膜表面のパターン形成領域に対して所要のディジタル情報信号パターンを露光・現像して前記所要のディジタル情報信号パターンに対応するレジスト凹所を形成し、前記レジスト凹所の底部に前記非磁性基体の表面を露出させる工程と、
    前記所要のディジタル情報信号パターンを露光・現像した後の前記レジスト膜表面および前記レジスト凹所を通じて露出させた前記非磁性基体表面に対して強磁性薄膜を堆積する工程と、
    前記所要のディジタル情報信号パターンを露光・現像した後の前記レジスト膜を前記所要のディジタル情報信号パターンを露光・現像した後の前記レジスト膜表面に堆積した前記強磁性薄膜とともに除去して、前記非磁性基体表面上に前記所要のディジタル情報信号パターンに対応する強磁性薄膜パターンを形成する工程とを含むことを特徴とするマスター情報担体の製造方法。
15. 非磁性基体の表面にレジスト膜を形成する工程と、
    前記レジスト膜のパターン非形成領域の一部を露光する第１の露光工程と、
    前記レジスト膜のパターン非形成領域を露光する第２の露光工程と、
    前記レジスト膜を現像することにより、前記第２の露光工程で露光された第２の領域のうち前記第１の露光工程で露光された第１の領域との共通部分を除く部分のレジスト膜の表面粗さを大きくするとともに、前記第１領域との共通部分には抜気用凹部を形成する工程と、
    前記レジスト膜にフォトマスクを重ねた状態で、前記抜気用凹部を介して真空引きすることにより前記レジスト膜の表面に前記フォトマスクを密着させる工程と、
    前記レジスト膜表面のパターン形成領域に対して所要のディジタル情報信号パターンを露光・現像して前記所要のディジタル情報信号パターンに対応するレジスト凹所を形成し、前記レジスト凹所の底部に前記非磁性基体の表面を露出させる工程と、
    前記所要のディジタル情報信号パターンを露光・現像した後の前記レジスト膜をマスクにしてエッチングを行い、前記レジスト凹所を通じて露出させた前記非磁性基体表面に前記所要のディジタル情報信号パターンに対応する基体凹所を形成する工程と、
    前記エッチング後に残存した前記レジスト膜表面および前記基体凹所に対して、前記基体凹所に埋め込む状態で強磁性薄膜を堆積する工程と、
    前記基体凹所に埋め込んだ強磁性薄膜を残す状態で前記エッチング後に残存した前記レジスト膜を前記エッチング後に残存した前記レジスト膜表面に堆積した前記強磁性薄膜とともに除去して、前記非磁性基体表面に前記所要のディジタル情報信号パターンに対応する強磁性薄膜パターンを形成する工程とを含むことを特徴とするマスター情報担体の製造方法。
16. 非磁性基体の表面に強磁性薄膜を堆積する工程と、
    前記強磁性薄膜表面にレジスト膜を形成する工程と、
    前記レジスト膜のパターン非形成領域の一部を露光する第１の露光工程と、
    前記レジスト膜のパターン非形成領域を露光する第２の露光工程と、
    前記レジスト膜を現像することにより、前記第２の露光工程で露光された第２の領域のうち前記第１の露光工程で露光された第１の領域との共通部分を除く部分のレジスト膜の表面粗さを大きくするとともに、前記第１領域との共通部分には抜気用凹部を形成する工程と、
    前記レジスト膜のパターン非形成領域の少なくとも一部を構成する第１領域を露光する工程と、
    前記パターン非形成領域の少なくとも一部を構成する第２領域を露光する工程と、
    前記レジスト膜を現像することにより、前記第２領域のうち前記第１領域との共通部分を除く部分のレジスト膜の表面粗さを大きくするとともに、前記第１領域には抜気用凹部を形成する工程と、
    前記レジスト膜にフォトマスクを重ねた状態で、前記抜気用凹部を介して真空引きす
    ることにより前記レジスト膜の表面に前記フォトマスクを密着させる工程と、
    前記レジスト膜の凸部の領域に所要のパターンを露光・現像することにより所要のパターン形状のレジスト凹所を形成し、前記レジスト凹所の底部に前記強磁性薄膜を露出する工程と、
    前記所要のパターン露光後のレジスト膜をマスクにしてエッチングを行い、前記レジスト凹所を通じて露出させた部分の前記強磁性薄膜を除去する工程と、
    前記エッチング後に残存した前記レジスト膜を除去して前記非磁性基体表面にディジタル情報信号対応の強磁性薄膜パターンを形成する工程とを含むことを特徴とするマスター情報担体の製造方法。

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