JP3383812B2

JP3383812B2 - レジストパターン形成方法およびマスター情報担体の製造方法

Info

Publication number: JP3383812B2
Application number: JP2002091056A
Authority: JP
Inventors: 照美柳; 展之古村; 達朗石田; 宮田　　敬三
Original assignee: Panasonic Corp; Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Corp; Panasonic Holdings Corp
Priority date: 2001-05-11
Filing date: 2002-03-28
Publication date: 2003-03-10
Anticipated expiration: 2022-03-28
Also published as: JP2003029424A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、レジストパターン
形成方法および情報信号を磁気記録媒体に転写記録する
ために用いられるマスター情報担体の製造方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】現在、磁気記録再生装置は、小型でかつ
大容量のものを実現するために、高記録密度化の傾向に
ある。代表的な磁気記録再生装置であるハードディスク
ドライブの分野においては、すでに面記録密度が１０Ｇ
ｂｉｔ／ｉｎ²（１５．５Ｍｂｉｔ／ｍｍ²）を超える装
置が商品化されており、現在では、面記録密度が２０Ｇ
ｂｉｔ／ｉｎ²（３１．０Ｍｂｉｔ／ｍｍ²）の装置の実
用化が予想されるほどの急速な技術の進歩が認められ
る。

【０００３】このような高記録密度化が可能になった技
術的背景として、磁気記録媒体およびヘッド・ディスク
インターフェースの性能の向上やパーシャルレスポンス
等の新規な信号処理方式の出現による線記録密度の向上
が挙げられる。

【０００４】しかし、近年では、トラック密度の増加傾
向が線記録密度の増加傾向を大きく上回り、面記録密度
の向上の主な要因となっている。これは、従来の誘導型
磁気ヘッドに比べて再生出力性能がはるかに優れた磁気
抵抗効果素子（ＭＲ素子）を用いた薄膜磁気ヘッドの実
用化によるものである。現在、ＭＲヘッドの実用化によ
り、数μｍ以下のトラック幅信号を高いＳ／Ｎ比をもっ
て再生することが可能となっている。

【０００５】一方、今後のさらなるヘッド性能の向上に
伴い、近い将来には、トラックピッチがサブミクロン領
域に達するものと予想されている。

【０００６】さて、磁気ヘッドがこのような狭トラック
を正確に走査し、信号をＳ／Ｎ良く再生するためには、
磁気ヘッドのトラッキングサーボ技術が重要な役割を果
たしている。

【０００７】このようなトラッキングサーボ技術に関し
ては、例えば、“山口：磁気ディスク装置の高精度サー
ボ技術、日本応用磁気学会誌、Vol.２０，No.３，ｐｐ
７７１，（１９９６）”に詳細な内容が示されている。
上記の文献によれば、現在のハードディスクドライブで
は、ディスクの1周、すなわち角度にして３６０度中に
おいて、一定の角度間隔でトラッキング用サーボ信号や
アドレス情報信号、再生クロック信号等が記録された領
域を設けている（以下、プリフォーマットと称する）。

【０００８】磁気ヘッドは、一定間隔でこれらの信号を
再生することにより、ヘッドの位置を確認、修正しなが
ら正確にトラック上を走査することができるのである。

【０００９】既述のトラッキング用サーボ信号やアドレ
ス情報信号、再生クロック信号等は、ヘッドが正確にト
ラック上を走査するための基準信号となるものであるの
で、その記録時には、正確な位置決め精度が要求され
る。例えば、“植松、他：メカ・サーボ、ＨＤＩ技術の
現状と展望、日本応用磁気学会第９３回研究会資料、９
３−５，ｐｐ.３５（１９９６）”に記載された内容に
よれば、現在のハードディスクドライブでは、ディスク
をドライブに組み込んだ後、専用のサーボ記録装置を用
いて厳密に位置制御された磁気ヘッドによりプリフォー
マット記録が行われている。

【００１０】従来より、上記のような専用のサーボ記録
装置を用いた磁気ヘッドによるサーボ信号やアドレス情
報信号、再生クロック信号のプリフォーマット記録にお
いては、以下のような課題があった。

【００１１】まず第一に、磁気ヘッドによる記録は、基
本的にヘッドと磁気記録媒体との相対移動に基づく線記
録である。このため、専用のサーボ記録装置を用いて磁
気ヘッドを厳密に位置制御しながら記録を行う上記の方
法では、プリフォーマット記録に多くの時間を要すると
ともに、専用のサーボ記録装置が相当に高価であること
にも起因して、非常にコスト高となる。

【００１２】第二に、ヘッド・媒体間スペーシングや記
録ヘッドのポール形状による記録磁界の広がりのため、
プリフォーマット記録されたトラック端部の磁化遷移が
急峻性に欠けるという点がある。

【００１３】現在のトラッキングサーボ技術は、ヘッド
がトラックを外れて走査した際の再生出力の変化量によ
って、ヘッドの位置検出を行うものである。従って、プ
リフォーマット記録された信号トラックには、サーボ領
域間に記録されたデータ情報信号を再生する際のように
ヘッドがトラック上を正確に走査した際のＳ／Ｎに優れ
るだけではなく、ヘッドがトラックを外れて走査した際
の再生出力変化量、すなわちオフトラック特性が急峻で
あることが要求される。

【００１４】上記の課題はこの要求に反するものであ
り、今後のサブミクロントラック記録における正確なト
ラッキングサーボ技術の実現を困難なものとしている。

【００１５】さて、上記のような磁気ヘッドによるプリ
フォーマット記録の課題を解決する手段として、基体の
表面にプリフォーマット情報信号に対応する強磁性薄膜
パターンが形成されているマスター情報担体の表面を磁
気記録媒体の表面に接触させた後に、マスター情報担体
に形成された強磁性薄膜パターンを磁化させることによ
り、強磁性薄膜パターンに対応する磁化パターンを磁気
記録媒体に記録する技術が提案されている（特開平１０
−４０５４４号公報参照）。このプリフォーマット記録
技術によれば、記録媒体のＳ／Ｎ比、インターフェース
性能等の他の重要性能を犠牲にすることなく、良好なプ
リフォーマット記録を効率的に行うことができる。

【００１６】

【発明が解決しようとする課題】マスター情報担体を用
いた上記方法では、マスター情報担体に形成されたディ
ジタル信号に対応する強磁性薄膜の形状およびパターン
配列が磁気記録媒体にプリフォーマット記録される。従
って、良好な磁気信号特性を得るためにはマスター情報
担体に形成された強磁性薄膜のパターンが精度良く形成
されることが必要である。

【００１７】従来のマスター情報担体の製造方法におい
ては、図９（ａ）に示すように、非磁性基体１１上にレ
ジスト膜２を塗布し、マスク３とレジスト膜２との間の
接触面隙間に対する真空引き７により、両者の接触面を
密着させた後、ＵＶ光（紫外線）４を照射し、現像する
ことで図９（ｂ）に示すように所定のレジストパターン
２１を形成する。さらに、図９（ｃ）に示すように前記
レジストパターン２１および基体露出面１２上に強磁性
薄膜６を成膜した後、図９（ｄ）に示すようにリフトオ
フで強磁性薄膜パターン６３を形成する。

【００１８】しかし、上記従来法では図１０に示すよう
に、特に中心部の空気が抜け難く、レジスト膜２とマス
ク３の間にエアーギャップ８が生じ、照射されたＵＶ光
４の回り込み４１によってパターン形状にばらつきを生
じるという課題があった。

【００１９】例えば、図１１に示すように上記従来法で
はレジストパターン２１はＵＶ光の回り込み４１によっ
てパターンの側壁テーパー２２が付き、強磁性薄膜６を
リフトオフで除去する際に側壁にバリ６１が発生する原
因となっている。

【００２０】また、パターン線幅の細線化に伴い、図１
２に示すようにＵＶ光の回り込み４１によってマスク３
で覆われているレジスト膜２が感光され、現像後にパタ
ーンが形成されず非磁性基体１１の一部に露出面１２が
できるという課題があった。

【００２１】上記観点から、本発明は、磁気転写により
磁気記録媒体に情報信号をプリフォーマット記録するた
めのマスター情報担体について、情報信号対応の強磁性
薄膜パターンを精度良く形成することが可能なマスター
情報担体の製造方法を提供することを目的とする。ま
た、マスター情報担体に限らずに広く一般的に基体表面
にレジストパターンを形成する有用なレジストパターン
形成方法を提供することを目的とする。

【００２２】

【課題を解決するための手段】上記した課題の解決を図
ろうとするレジストパターン形成方法についての本発明
は、レジスト膜に所要のパターン形状のパターン露光を
行うに際して、あらかじめ、レジスト膜に抜気用凹溝を
形成しておき、次いで、所要のパターン形状のパターン
露光を行うときに、その抜気用凹溝を介して真空引きを
行って、レジスト膜におけるパターン形成領域に対する
マスクの密着性を向上させることを特徴としている。

【００２３】すなわち、基体の表面に形成したレジスト
膜において、パターン形成領域外であるパターン非形成
領域に対して露光・現像を行うことにより、あらかじめ
レジスト膜表面に抜気用凹溝を形成しておく。原則とし
て、パターン形成領域の両側または周囲に抜気用凹溝が
形成されることになる。逆にいうと、抜気用凹溝の両側
または周囲にパターン形成領域が凸部の状態で残ってい
ることになる。所要のパターン形状のパターン露光は、
レジスト膜における凸部であるパターン形成領域に対し
て行う。パターン露光では、レジスト膜をマスクで覆う
が、このマスクは凸部であるパターン形成領域の表面に
接触する。この状態で、抜気用凹溝の領域では、マスク
とレジスト膜との間に空間が空いている。この抜気用凹
溝を介して真空引きを行うことにより、凸部であるパタ
ーン形成領域の表面とマスクとの接触面に介在している
気体（空気）を効率良く排気し、その接触面を減圧して
パターン形成領域とマスクとの密着性を充分に高いもの
にする。このような高い密着状態で、パターン形成領域
に対して所要のパターン形状のパターン露光を行って、
レジスト膜にパターンを形成する。この高密着状態での
パターン露光の結果として、光の回り込みを防ぎ、パタ
ーン形状ばらつき、バリ発生、パターン形成無しなどの
不具合を回避して、レジストパターンを精度良く形成す
ることができる。

【００２４】なお、パターン露光については、好例とし
て、マスクアライナーを用いて行い、基体を着装したホ
ルダーとマスク間を密閉し、基体外周部より真空引きす
ることが挙げられるが、必ずしもそれに限定されるもの
ではない。

【００２５】また、マスター情報担体の製造方法につい
ての本発明は、上記のレジストパターン形成方法を適用
して、マスター情報担体を製造するものである。マスタ
ー情報担体は、所要のパターン形状の強磁性薄膜を非磁
性基体の表面に形成したものである。その所要のパター
ン形状は、磁気記録媒体表面に磁気転写すべき情報信号
を表すものとなっている。

【００２６】非磁性基体の表面に形成したレジスト膜に
対して、上記のレジストパターン形成方法でパターンを
形成する。非磁性基体に対する強磁性薄膜の付着の態様
にはいくつかのものがある。レジストパターンの形成後
に、レジストパターンを介して非磁性基体上に強磁性薄
膜を堆積する態様、レジストパターンを介して非磁性基
体に埋め込み用凹所を形成し、その埋め込み用凹所に強
磁性薄膜を埋め込む態様、レジストパターン形成前に非
磁性基体表面に強磁性薄膜を成膜しておき、強磁性薄膜
に対して上記のレジストパターン形成方法でレジストパ
ターンを形成し、そのレジストパターンを介して強磁性
薄膜パターンを形成する態様などがある。

【００２７】いずれの態様においても、抜気用凹溝を介
しての真空引きを行うことによって、マスクと凸部であ
るパターン形成領域との密着性を高いものにできるの
で、情報信号を表すパターン形状の強磁性薄膜を非磁性
基体において高精度に形成することができる。

【００２８】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を総括
的に説明する。

【００２９】本願第１の発明のレジストパターン形成方
法は、基体の表面にレジストを塗布してレジスト膜を形
成する第１の工程と、前記レジスト膜におけるパターン
非形成領域に対する露光・現像により前記レジスト膜表
面に抜気用凹溝を形成する第２の工程と、前記レジスト
膜における凸部であるパターン形成領域の表面に接触さ
せて前記レジスト膜をマスクで覆う状態で前記抜気用凹
溝を介して真空引きしながら、前記パターン形成領域に
対して所要のパターン形状のパターン露光し、現像を行
う第３の工程とを含むことを特徴としている。

【００３０】この第１の発明による作用については、上
記の〔課題を解決するための手段〕の項で説明したのと
実質的に同様のものとなる。すなわち、あらかじめレジ
スト膜表面に抜気用凹溝を形成しておき、パターン露光
に際して、抜気用凹溝を介して真空引きを行うことによ
り、凸部であるパターン形成領域の表面とマスクとの密
着性を充分に高いものにし、もって、パターン露光の光
の回り込みを防ぎ、パターン形状ばらつき、バリ発生、
パターン形成無しなどの不具合を回避して、レジストパ
ターンを精度良く形成することが可能となる。

【００３１】本願第２の発明のレジストパターン形成方
法は、上記第１の発明において、前記レジスト膜表面に
前記抜気用凹溝を形成する前記第２の工程において、複
数の互いに独立した抜気用凹溝を、各々が前記レジスト
膜の外周部に至る状態で形成することを特徴としてい
る。

【００３２】これは、抜気用凹溝が複数あること、それ
ら複数の抜気用凹溝は互いに独立したものであること、
および、抜気用凹溝に対する真空引きを最も簡単に行う
手法の一つとして、各々の抜気用凹溝をレジスト膜外周
部にまで延在させていることを記述している。これによ
れば、レジスト膜や基体の平面内の領域内（外周部を除
く）に抜気のための連通孔や貫通孔を形成する必要がな
く、真空引きを簡単に実現することが可能となる。

【００３３】本願第３の発明のレジストパターン形成方
法は、上記第２の発明において、前記基体として略円盤
形状の基体を用い、前記レジスト膜における抜気用凹溝
を、前記レジスト膜の中心近傍から前記外周部に至るま
での略放射状に形成することを特徴としている。

【００３４】これは、基体が略円盤形状のものであるこ
と、および、その円盤形状の基体に成膜したレジスト膜
において、互いに独立した複数の抜気用凹溝を中心近傍
から外周部にかけて略放射状に形成することを記述して
いる。これは、マスター情報担体の製造方法への転用に
おいて有利なものとなる。

【００３５】磁気記録媒体では、扇状のセクタが単位で
あり、周方向で隣接するセクタどうし間において放射状
に、トラッキングサーボなどのための情報信号の記録領
域が展開されている。これに対応して、マスター情報担
体では、強磁性薄膜による情報信号パターンが放射状に
形成される。それが凸部であるパターン形成領域であ
り、このパターン形成領域どうし間に抜気用凹溝を形成
するとなると、上記のように、互いに独立した複数の抜
気用凹溝を中心近傍から外周部にかけて略放射状に形成
することになる。抜気用凹溝を介しての真空引きによ
り、中心近傍までも高度に減圧することが可能となり、
レジストパターンの形成を基体全面にわたって高精度な
ものにすることが可能となる。

【００３６】本願第４の発明のレジストパターン形成方
法は、上記第１の発明において、前記レジスト膜表面に
前記抜気用凹溝を形成する前記第２の工程において、複
数の抜気用凹溝を、互いに連結させる状態で、かつ、そ
の連結状態の抜気用凹溝の少なくとも１箇所が前記レジ
スト膜の外周部に至る状態で形成することを特徴として
いる。

【００３７】これは、本発明のレジストパターン形成方
法は、マスター情報担体の製造方法に限らず、様々な実
施形態において他の分野に応用可能であるということを
記述している。例えば、半導体チップや薄膜磁気ヘッド
やそのスパイラルコイルのような同じチップパターンの
配列を露光する際に適している。同じチップパターンど
うし間すなわち凸部どうし間に抜気用凹溝が存在する
が、それらの抜気用凹溝を連結させることにより、真空
引きのための負圧印加口の数を少なくすることが可能と
なる。

【００３８】本願第５以下の発明はマスター情報担体の
製造方法にかかわるものである。

【００３９】本願第５の発明のマスター情報担体の製造
方法は、次の第１〜第６の工程を行う。

【００４０】（１）第１の工程では、非磁性基体の表面
にレジストを塗布してレジスト膜を形成する。

【００４１】（２）第２の工程では、前記レジスト膜に
おけるパターン非形成領域に対する露光・現像により前
記レジスト膜表面に抜気用凹溝を形成する。

【００４２】（３）第３の工程では、マスクで前記レジ
スト膜を覆うのであるが、マスクは、前記レジスト膜に
おける凸部であるパターン形成領域の表面に接触させ
る。パターン非形成領域では抜気用凹溝の存在によって
空間を確保する。この抜気用凹溝を介して真空引きしな
がら、パターン露光し、現像を行うことによりパターン
形成領域（凸部）に対して所要のパターン形状の凹所を
形成する。凹所の底部には非磁性基体表面を露出させ
る。所要のパターン形状とは、磁気記録媒体表面に磁気
転写すべき情報信号を表すものである。

【００４３】（４）第４の工程では、凸部のパターン形
成領域に対して所要のパターン形状のパターンを露光・
現像して凹所を形成し、凹所の底部に非磁性体基体の表
面を露出させる。

【００４４】（５）第５の工程では、パターン露光・現
像後のレジスト膜表面および凹所を通じて露光させた非
磁性基体表面に対して強磁性薄膜を堆積させる。第６の
工程ではレジスト膜をレジスト膜表面に堆積した強磁性
薄膜とともに除去して非磁性基体表面上に情報信号対応
の強磁性薄膜パターンを形成する。

【００４５】本願第６の発明のマスター情報担体の製造
方法は、次の第１〜第７の工程を行う。

【００４６】（１）第１の工程では、非磁性基体の表面
にレジストを塗布してレジスト膜を形成する。

【００４７】（２）第２の工程では、前記レジスト膜に
おけるパターン非形成領域に対する露光・現像により前
記レジスト膜表面に抜気用凹溝を形成する。

【００４８】（３）第３の工程では、マスクで前記レジ
スト膜を覆うのであるが、マスクは、前記レジスト膜に
おける凸部であるパターン形成領域の表面に接触させ
る。パターン非形成領域では抜気用凹溝の存在によって
空間を確保する。この抜気用凹溝を介して真空引きしな
がら、パターン露光し、現像することによりパターン形
成領域（凸部）に対して所要のパターン形状の凹所を形
成する。凹所の底部には非磁性基体表面を露出させる。
所要のパターン形状とは、磁気記録媒体表面に磁気転写
すべき情報信号を表すものである。

【００４９】（４）第４の工程では、凸部のパターン形
成領域に対して所要のパターン形状のパターンを露光・
現像して凹所を形成し、凹所の底部に非磁性体基体の表
面を露出させる。

【００５０】（５）第５の工程では、パターン露光・現
像後のレジスト膜をマスクにしてエッチングを行い、凹
所を通じて露光させた非磁性基体表面に情報信号対応の
パターン形状で埋め込み用凹所を形成する。

【００５１】（６）第６の工程では、埋め込み用凹所に
埋め込む状態でパターン露光・現像後の前記レジスト膜
表面に対して強磁性薄膜を堆積する。

【００５２】（７）第７の工程では、埋め込み用凹所に
埋め込んだ強磁性薄膜を残す状態でレジスト膜をレジス
ト膜表面に堆積した強磁性薄膜とともに除去して非磁性
基体表面に情報信号対応の強磁性薄膜パターンを形成す
る。

【００５３】上記の第５、第６の発明において共通的な
特徴は、情報信号のパターンに対応の強磁性薄膜の形成
のもとになるレジスト膜における凹所を形成するに当た
って、従来技術のように１枚のマスクで直ちに凹所を形
成するのではなく、抜気用凹溝を形成する第１段階と凹
所を形成する第２段階とに分けている。マスクも各段階
に応じたものを用いる。抜気用凹溝を形成することで、
抜気のための空間を確保するだけでなく、抜気用凹溝の
両側または周囲に凸部（パターン形成領域）を同時的に
作っていることも重要である。凸部であるパターン形成
領域は、マスクにおける透光部領域を密着させる部分で
ある。その凸部の両側または周囲に抜気用凹溝があり、
真空引きによって凸部（パターン形成領域）にマスクの
透光部領域を密着させる密着力を大きなものとなすこと
が可能となる。その結果、パターン露光の光の回り込み
を防ぎ、パターン形状ばらつき、バリ発生、パターン形
成無しなどの不具合を回避して、凹所の形成の精度を充
分に高いものとなし、つまりはレジストパターンを精度
良く形成することが可能となる。

【００５４】この形成精度の充分に高い凹所をもって強
磁性薄膜を形成するので、強磁性薄膜による情報信号パ
ターンの形成精度が高く、良好なマスター情報担体を製
造することが可能となる。

【００５５】（具体的な実施の形態）以下、本発明にか
かわるレジストパターン形成方法およびマスター情報担
体の製造方法の具体的な実施の形態を図面に基づいて説
明する。

【００５６】（実施の形態１）図１は本発明の実施の形
態１のレジストパターン形成方法の概要を説明する断面
図である。

【００５７】図１に示すように、基体１上にレジストを
スピンコートし、低温ベークを施してレジスト膜２を形
成した後、フォトリソ技術を用いて、マスク３をもって
レジスト膜２を限界露光量（Ｅｔ）以下で露光し、現像
することによりレジスト表面に凹凸２５を形成する。す
なわち、マスク３の透光部３ａをレジスト膜２における
パターン非形成領域に位置対応させて、レジスト膜２上
にマスク３を載置し、露光・現像することにより、レジ
スト膜２の表面に抜気用凹溝２５１を形成する。抜気用
凹溝２５１の両側はパターン形成領域としてのレジスト
膜凸部２５２となっている。抜気用凹溝２５１は有底の
ものである。

【００５８】このときのレジスト段差（凹凸量）は図２
に示すように、露光量にほぼ比例し、レジスト膜厚に対
する限界露光量（Ｅｔ）より少ない露光量では基体１上
にレジストが残り、限界露光量（Ｅｔ）より多い露光量
ではレジスト膜厚相当の段差が形成される。

【００５９】次に、所定のパターンが形成されているマ
スク３１をレジスト膜２の表面に接触させる。すなわ
ち、マスク３１における所定のパターンをなす透光部領
域３１ａをレジスト膜凸部２５２上に接触させ、マスク
３１におけるマスク領域３１ｂで抜気用凹溝２５１の領
域を被覆する。

【００６０】次いで、基体ホルダー（図示せず）とマス
ク間を密閉し、さらに、レジスト膜２の外周部２７から
真空引き７をすることによりマスク３１とレジスト膜凸
部２５２との接触面を密着させ、最適露光量（Ｅｏ）で
露光し、レジストパターン２１を形成する。この場合
に、抜気用凹溝２５１を介して真空引き７を行うゆえ
に、レジスト膜凸部２５２に対するマスク３１の密着性
が充分に高いものになり、その結果として、パターン露
光の光の回り込みを防ぎ、パターン形状ばらつき、バリ
発生、パターン形成無しなどの不具合を回避して、凹所
２５３の形成の精度を充分に高いものとなし、レジスト
パターン２１を精度良く形成することができる。

【００６１】図３は本発明のレジストパターン形成方法
をマスター情報担体の製造方法に応用した場合の実施形
態を示す一例である。フォトリソ技術を用いて、レジス
ト膜２に複数の抜気用凹溝２５１を形成する。個々の抜
気用凹溝２５１は、レジスト膜２の中心近傍２６から外
周部２７に至るまでの略放射状に形成されている。複数
の抜気用凹溝２５１は互いに独立している。

【００６２】その後、レジスト膜２におけるレジスト膜
凸部２５２の表面に対して、ディジタル信号パターンに
対応したマスク３１を接触させ、レジスト膜２の外周部
２７から真空引きをすることによりマスク３１とレジス
ト膜凸部２５２との接触面を密着させ、露光・現像する
ことにより、レジスト膜凸部２５２に所定のレジストパ
ターン２１を形成する。

【００６３】図４および図５はレジスト表面に凹凸２５
を形成した本発明の実施形態の他の例を示すパターン平
面図である。

【００６４】抜気用凹溝２５１がレジスト膜２内に複数
個存在し、それら複数個の抜気用凹溝２５１が連結さ
れ、レジスト膜２の外周部２７より真空引きをすること
により、マスク３１とレジスト膜凸部２５２を密着させ
て露光する本発明の実施形態を示す。

【００６５】図４は、例えば半導体チップや薄膜磁気ヘ
ッドのような同じチップパターンの配列を露光する際に
適しており、図５は例えば薄膜磁気ヘッドに用いられて
いるスパイラルコイルのように略円形のパターンの露光
に適している。

【００６６】このように本発明のレジストパターン形成
方法は、マスター情報担体の製造方法に限らず、様々な
実施形態において他の分野に応用可能である。

【００６７】以上のように本発明の実施形態によれば、
レジスト膜２における抜気用凹溝２５１を介してマスク
３１とレジスト膜２との間に介在する空気を容易に排出
することができ、マスク３１とレジスト膜凸部２５２と
の密着性を向上させることにより、図１（ｄ）に示すよ
うに、内周面が基体１に対して垂直な凹所２５３を所要
のパターンとして形成されたレジストパターン２１を得
ることができる。図６に、良好に形成されたレジストパ
ターンの写真を示す。

【００６８】（実施の形態２）図７は本発明の実施の形
態２のマスター情報担体の製造方法を詳細に示す断面図
である。

【００６９】図７（ａ）に示すように、円盤状の非磁性
基体１１の表面にレジストを塗布してレジスト膜２を形
成する。次いで、マスク３におけるマスク領域３ｂをレ
ジスト膜２におけるパターン形成領域に位置対応させる
状態で、レジスト膜２の表面に対してマスク３を載置す
る。さらに、フォトリソ技術を用いて、マスク３の透光
部３ａを介してレジスト膜２を露光・現像することによ
り、レジスト膜２の表面に凹凸２５をつける。

【００７０】図７（ｂ）はマスク３を取り去った状態を
示す。凹凸２５は、マスク３の透光部３ａに位置対応す
る抜気用凹溝２５１と、マスク３のマスク領域３ｂに位
置対応するレジスト膜凸部（パターン形成領域）２５２
とからなる。レジスト膜凸部２５２の両側または周囲に
抜気用凹溝２５１が形成されている。

【００７１】次に、図７（ｃ）に示すように、ディジタ
ル信号すなわちディスク状磁気記録媒体（ハードディス
ク）に磁気転写すべきトラッキングサーボなどのための
情報信号のパターンに対応する透光部領域３１ａが形成
されたマスク３１によってレジスト膜２を被覆する。す
なわち、マスク３１における透光部領域３１ａをレジス
ト膜２におけるレジスト膜凸部２５２の表面に接触さ
せ、マスク３１におけるマスク領域３１ｂを抜気用凹溝
２５１に位置対応させる状態で、マスク３１によりレジ
スト膜２を被覆する。次いで、レジスト膜２の外周部２
７から抜気用凹溝２５１を介して真空引きを行うことに
より、マスク３１とレジスト膜凸部２５２との密着性を
充分なものとなし、この強力密着状態で、露光し、現像
することで情報信号に対応したレジストパターン２１１
をレジスト膜２に形成する。その様子を図７（ｄ）に示
す。マスク３１の透光部領域３１ａに位置対応してレジ
スト膜２には情報信号を表す所要のパターン形状の凹所
２５３が形成されている。凹所２５３の底部には非磁性
基体１１の表面が露出している。

【００７２】次に、図７（ｅ）に示すように、凹所２５
３を通じて非磁性基体１１に強磁性薄膜６を堆積する。
具体的には、レジストパターン２１１となっているレジ
スト膜２の表面に対して強磁性薄膜６を堆積させること
により、凹所２５３の内部にも強磁性薄膜６を侵入さ
せ、非磁性基体１１の表面にも強磁性薄膜６を成膜す
る。

【００７３】次いで、図７（ｆ）に示すように、レジス
トパターン２１１上に堆積した強磁性薄膜６を、有機溶
剤を用いてリフトオフし、情報信号対応の強磁性薄膜パ
ターン６３を形成する。

【００７４】以上により、非磁性基体１１の表面に情報
信号対応の強磁性薄膜パターン６３が形成されたマスタ
ー情報担体の製造が行われたことになる。

【００７５】本実施の形態２によれば、抜気用凹溝２５
１を介しての真空引きにより、レジスト膜凸部２５２と
マスク３１との密着を強力なものとした状態でレジスト
膜２をパターン露光するので、パターン露光における光
の回り込みを確実に防止することができ、レジストパタ
ーン２１１として、側壁テーパーがなくて内周面が非磁
性基体１１表面に対して垂直な凹所２５３をもつレジス
トパターンを形成することができる。その結果として、
従来技術に認められたようなパターン形状ばらつき、バ
リ発生、パターン形成無しなどの不具合のない、高いパ
ターン精度を有するマスター情報担体を作製することが
できる。

【００７６】（実施の形態３）図８は本発明の実施の形
態３のマスター情報担体の製造方法を詳細に示す断面図
である。

【００７７】図８（ａ）から（ｄ）までは実施の形態２
の場合の図７（ａ）から（ｄ）までと同じである。

【００７８】図８（ｅ）に示すように、円盤状の非磁性
基体１１の表面に形成したレジストパターン２１１をマ
スクにして、このレジストパターン２１１の凹所２５３
を通じて非磁性基体１１に対するエッチング５を行うこ
とにより、図８（ｆ）に示すように、レジストパターン
２１１の凹所２５３に位置対応させて非磁性基体１１の
表面に情報信号対応の埋め込み用凹所１１５を形成す
る。

【００７９】次に、図８（ｇ）に示すように、凹所２５
３を通じて非磁性基体１１の埋め込み用凹所１１５に強
磁性薄膜６を埋め込む。具体的には、レジストパターン
２１１となっているレジスト膜２の表面に対して強磁性
薄膜６を堆積させることにより、凹所２５３の内部にも
強磁性薄膜６を侵入させ、非磁性基体１１の表面におけ
る埋め込み用凹所１１５に強磁性薄膜６を埋め込む。

【００８０】次いで、図８（ｈ）に示すように、レジス
トパターン２１１上に堆積した強磁性薄膜６を、有機溶
剤を用いてリフトオフし、非磁性基体１１に埋め込む状
態で情報信号対応の強磁性薄膜パターン６４を形成す
る。

【００８１】以上により、非磁性基体１１の表面に情報
信号対応の強磁性薄膜パターン６４が埋め込み形成され
たマスター情報担体の製造が行われたことになる。

【００８２】本実施の形態３によれば、上記実施の形態
２と同様に、抜気用凹溝２５１を介しての真空引きによ
り、レジスト膜凸部２５２とマスク３１との密着を強力
なものとした状態でレジスト膜２をパターン露光するの
で、パターン露光における光の回り込みを確実に防止す
ることができ、パターン形状ばらつき、バリ発生、パタ
ーン形成無しなどの不具合のない、高いパターン精度を
有するマスター情報担体を作製することができる。さら
に、情報信号対応の強磁性薄膜パターン６４は非磁性基
体１１に埋め込みの状態で形成されるので、寿命の長い
マスター情報担体を提供することができる。

【００８３】なお、本発明者らによる本発明の一実施例
においては、基体上にレジスト膜厚約１μｍをスピンコ
ート塗布し、９０℃のホットプレートで１分間ソフトベ
ークした後、レジスト膜表面の一部分にＵＶ照射パワー
１０ｍＷ／ｃｍ²で２秒〜４秒露光し現像することによ
って段差量が約０．１〜０．５μｍのレジストの凹凸を
形成した。次に、真空引きにより所定のパターンが形成
されたマスクとレジストの凸部とを密着させて、レジス
ト膜厚１μｍに相当する最適露光量で露光し、現像し
た。その結果として、サブミクロン領域の線幅において
も良好な形状のレジストパターンを得ることができた。

【００８４】以上に示した実施の形態の方法で作製した
マスター情報担体を用いて磁気記録媒体にプリフォーマ
ット記録した後、磁気記録媒体に記録された信号をヘッ
ドを用いて読み取ることにより信号の評価を行った。そ
の結果、パターン線幅が０．５μｍの細線まで設計通り
の信号が記録されていることを確認した。

【００８５】一方、図９に示した従来方法で作成したマ
スターを用いて行った評価では、パターン線幅が０．７
μｍまで細線化すると、設計通りの再生信号が得られな
かった。

【００８６】以上、本発明の実施形態について例を挙げ
て説明したが、本発明は上記実施形態に限定されず、本
発明の技術的思想に基づいた他の実施形態に適用するこ
とができる。

【００８７】

【発明の効果】以上のように、本発明によれば、レジス
ト膜に情報信号対応の凹所を形成するに際して、直ちに
凹所を形成するのではなく、あらかじめパターン非形成
領域に抜気用凹溝を形成し、同時にパターン形成領域を
凸部として残し、凸部であるパターン形成領域に凹所を
形成するときには、抜気用凹溝を介して真空引きを行う
ことにより、レジスト膜凸部に対するマスクの密着性を
充分高いものとなして光の回り込みを確実に防止した上
で、パターン露光・現像を行って情報信号対応の凹所を
形成することにより、従来技術に認められたようなパタ
ーン形状ばらつき、バリ発生、パターン形成無しなどの
不具合を回避して、レジストパターンを精度良く形成す
ることができる。

【００８８】また、上記のレジストパターン形成方法を
適用しつつ、非磁性基体表面に情報信号対応の強磁性薄
膜パターンをパターニングするマスター情報担体の製造
方法によれば、磁気記録媒体への情報信号の磁気転写の
精度がきわめて高い、信頼性に優れたマスター情報担体
を製造することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態１のレジストパターン形成
方法の概要を説明する断面図である。

【図２】本発明の実施の形態１のレジストパターン形成
方法におけるレジスト段差量の露光量依存性ついての説
明図である。

【図３】本発明の実施の形態１のレジストパターン形成
方法をマスター情報担体の製造方法に応用した場合のパ
ターン平面図である。

【図４】本発明の実施の形態１のレジストパターン形成
方法を半導体チップ等の製造方法に応用した場合のパタ
ーン平面図である。

【図５】本発明の実施の形態１のレジストパターン形成
方法をスパイラルコイル等の製造方法に応用した場合の
パターン平面図である。

【図６】本発明の実施の形態１のレジストパターン形成
方法において形成されたレジストパターンの写真であ
る。

【図７】本発明の実施の形態２のマスター情報担体の製
造方法を詳細に示す断面図である。

【図８】本発明の実施の形態３のマスター情報担体の製
造方法を詳細に示す断面図である。

【図９】従来法によるレジストパターン形成方法の断面
概略図である。

【図１０】従来法によるレジストパターン形成方法の断
面概略図である。

【図１１】従来法によるレジストパターン形成方法の断
面概略図である。

【図１２】従来法によるレジストパターン形成方法の断
面概略図である。

【符号の説明】

１基体１１非磁性基体１１５埋め込み用凹所１２基体露出面２レジスト膜２１レジストパターン２１１情報信号対応のレジストパターン２５レジスト膜表面の凹凸２５１抜気用凹溝２５２レジスト膜凸部２５３凹所２６中心近傍２７レジスト膜の外周部３抜気用凹溝形成用のマスク３１情報信号対応のマスク３１ａ透光部領域３１ｂマスク領域４ＵＶ光５エッチング６強磁性薄膜６３強磁性薄膜パターン６４強磁性薄膜パターン７真空引き８エアーギャップ

フロントページの続き (72)発明者宮田敬三大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内 (56)参考文献特開平11−109642（ＪＰ，Ａ) 特開平３−231743（ＪＰ，Ａ) 特開平10−269566（ＪＰ，Ａ) 特開2000−339670（ＪＰ，Ａ) 特開2001−14666（ＪＰ，Ａ) 特開2000−222728（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G03F 7/38 G03F 7/26 G03F 7/20 G03F 7/40 G11B 5/84

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】基体の表面にレジスト膜を形成する第１
の工程と、前記レジスト膜のパターンの非形成領域を露
光・現像することにより前記レジスト膜の表面に抜気用
凹溝を形成する第２の工程と、前記抜気用凹溝を介して
真空引きすることにより前記レジスト膜の凸部にマスク
を密着させる第３の工程と、前記凸部のパターン形成領
域に対して所要のパターン形状の前記パターンを露光す
る第４の工程とを含むことを特徴とするレジストパター
ン形成方法。
【請求項２】前記第２の工程において、複数の互いに
独立した抜気用凹溝を、各々が前記レジスト膜の外周部
に至る状態で形成することを特徴とする請求項１に記載
のレジストパターン形成方法。
【請求項３】前記基体として略円盤形状の基体を用
い、前記レジスト膜における抜気用凹溝を、前記レジス
ト膜の中心近傍から前記外周部に至るまでの略放射状に
形成することを特徴とする請求項２に記載のレジストパ
ターン形成方法
【請求項４】前記第２の工程において、複数の抜気用
凹溝を、互いに連結させる状態で、かつ、その連結状態
の抜気用凹溝の少なくとも１箇所が前記レジスト膜の外
周部に至る状態で形成することを特徴とする請求項１に
記載のレジストパターン形成方法。
【請求項５】非磁性基体の表面にレジスト膜を形成す
る第１の工程と、前記レジスト膜のパターンの非形成領
域を露光・現像することにより前記レジスタ膜表面に抜
気用凹溝をパターン形成する第２の工程と、前記抜気用
凹溝を介して真空引きすることにより前記レジスト膜の
凸部にマスクを密着させる第３の工程と、前記凸部のパ
ターン形成領域に対して所要のパターン形状のパターン
を露光・現像して凹所を形成し、前記凹所の底部に前記
非磁性体基体の表面を露出させる第４の工程と、前記パ
ターン露光・現像後の前記レジスト膜表面および前記凹
所通じて露出させた前記非磁性基体表面に対して強磁性
薄膜を堆積する第５の工程と、前記レジスト膜を前記レ
ジスト膜表面に堆積した前記強磁性薄膜とともに除去し
て前記非磁性基体表面上に前記情報信号対応の強磁性薄
膜パターンを形成する第６の工程とを含むことを特徴と
するマスター情報担体の製造方法。
【請求項６】非磁性基体の表面にレジスト膜を形成す
る第１の工程と、前記レジスト膜のパターンの非形成領
域を露光・現像することにより前記レジスタ膜の表面に
抜気用凹溝を形成する第２の工程と、前記抜気用凹溝を
介して真空引きすることにより前記レジスト膜の凸部に
マスクを密着させる第３の工程と、前記凸部のパターン
形成領域に対して所要のパターン形状のパターンを露光
・現像して凹所を形成し、前記凹所の底部に前記非磁性
基体の表面を露出させる第４の工程と、前記パターン露
光・現像後の前記レジスト膜をマスクにしてエッチング
を行い、前記凹所を通じて前記露光させた前記非磁性基
体表面に前記情報信号対応のパターン形状で埋め込み用
凹所を形成する第５の工程と、前記埋め込み用凹所に埋
め込む状態で前記パターン露光・現像後の前記レジスト
膜表面に対して強磁性薄膜を堆積する第６の工程と、前
記埋め込み用凹所に埋め込んだ強磁性薄膜を残す状態で
前記レジスト膜を前記レジスト膜表面に堆積した前記強
磁性薄膜とともに除去して前記非磁性基体表面に前記情
報信号対応の強磁性薄膜パターンを形成する第７の工程
とを含むことを特徴とするマスター情報担体の製造方
法。