JP4599964B2 - レジストパターン形成方法およびマスター情報担体の製造方法 - Google Patents
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Description
図1は本実施の形態1の露光方法に係り、露光時間および非露光時間と露光によって排出される窒素ガス量の関係を示す図である。
図2(a)〜図2(c)、図3(d)〜図3(h)は本実施の形態2に係るパターン形成方法を示す断面図である。
実施の形態3は実施の形態2に係るレジストパターン形成方法を、マスター情報担体の製造方法に用いた実施の形態である。
実施の形態4は実施の形態3に係るマスター情報担体の製造法を用いた磁気記録媒体の製造方法、磁気記録再生装置の製造方法、および磁気記録再生装置について説明する。
以下、本発明の一実施例について説明する。基体上にレジスト厚約0.7μmのレジスト膜をスピンコート塗布し、90℃のホットプレートで1分間ソフトベークした後、レジスト膜表面の一部分にUV照射パワー10mW/cm2で2秒〜4秒露光し現像することによって段差量が約0.1〜0.5μmのレジストの凹凸を形成した。
11 非磁性基体
13 基体凹所
15 基体外端部
155 非磁性基体外周部
2 レジスト
21 レジスト凹所
211 レジストパターン
25 レジスト表面の凹凸
251 抜気用凹部
252 レジスト膜の凸部
3 抜気用凹部を形成するためのフォトマスク
31 所要の形状パターンを有するフォトマスク
32 フォトマスクの透過部
33 ディジタル信号に対応したパターンを有するフォトマスク
39 マスター情報担体
4 UV光
41 窒素ガス
5 エッチング
6 強磁性薄膜
63 強磁性薄膜パターン
7 真空引き
8 隙間
Claims (4)
- 基体の表面にレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜の少なくとも一部を露光・現像することにより前記レジスト膜表面にレジスト膜の凸部と抜気用凹部とを形成する工程と、
前記レジスト膜にフォトマスクを重ねた状態で、前記抜気用凹部を介して真空引きすることにより、前記レジスト膜の凸部と前記フォトマスクとを密着させる工程と、
前記レジスト膜に対して所要のパターンを露光・現像する工程とを含み、
前記所要のパターンを露光する工程において、露光している時間と非露光時間が複数回にわたり繰り返し処理される間欠露光であって、
少なくとも前記非露光時間に、前記露光している時間に前記レジスト膜から発生する窒素ガスを、前記抜気用凹部を介して真空引きし、
前記露光している時間をt 1 とし、前記非露光時間をt 2 としたとき、
常に前記抜気用凹部を介して真空引きを行いながら処理した場合には、t 1 ≦t 2 の関係が成り立ち、
非露光時のみに、前記抜気用凹部を介して真空引きを行いながら処理した場合には、2t 1 ≦t 2 の関係が成り立つことを特徴とするレジストパターン形成方法。 - 非磁性基体の表面にレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜の少なくとも一部を露光・現像することにより前記レジスト膜表面にレジスト膜の凸部と抜気用凹部とを形成する工程と、
前記レジスト膜にフォトマスクを重ねた状態で、前記抜気用凹部を介して真空引きすることにより、前記レジスト膜の凸部と前記フォトマスクとを密着させる工程と、
前記レジスト膜に対して所要のパターンを露光・現像してレジスト凹所を形成し、前記レジスト凹所の底部に前記非磁性基体の表面を露出させる工程と、
前記所要のパターンを露光・現像した後の前記レジスト膜表面および前記レジスト凹所を通じて露出させた前記非磁性基体表面に対して強磁性薄膜を堆積する工程と、
前記所要のパターンを露光・現像した後の前記レジスト膜を前記所要のパターンを露光・現像した後の前記レジスト膜表面に堆積した前記強磁性薄膜とともに除去して前記非磁性基体表面上に情報信号対応の強磁性薄膜パターンを形成する工程とを含み、
前記レジスト凹所を形成する工程における前記所要のパターンの露光方法が、露光している時間と非露光時間が複数回にわたり繰り返し処理される間欠露光であって、
少なくとも前記非露光時間に、前記露光している時間に前記レジスト膜から発生する窒素ガスを、前記抜気用凹部を介して真空引きし、
前記露光している時間をt 1 とし、前記非露光時間をt 2 としたとき、
常に前記抜気用凹部を介して真空引きを行いながら処理した場合には、t 1 ≦t 2 の関係が成り立ち、
非露光時のみに、前記抜気用凹部を介して真空引きを行いながら処理した場合には、2t 1 ≦t 2 の関係が成り立つことを特徴とするマスター情報担体の製造方法。 - 非磁性基体の表面にレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜の少なくとも一部を露光・現像することにより前記レジスト膜表面にレジスト膜の凸部と抜気用凹部とを形成する工程と、
前記レジスト膜にフォトマスクを重ねた状態で、前記抜気用凹部を介して真空引きすることにより、前記レジスト膜の凸部と前記フォトマスクとを密着させる工程と、
前記レジスト膜に対して所要のパターンを露光・現像してレジスト凹所を形成し、前記レジスト凹所の底部に前記非磁性基体の表面を露出させる工程と、
前記所要のパターンを露光・現像した後の前記レジスト膜をマスクにしてエッチングを行い、前記レジスト凹所を通じて露出させた前記非磁性基体表面に基体凹所を形成する工程と、
前記基体凹所に埋め込む状態で前記エッチング後に残存する前記レジスト膜表面および前記基体凹所に対して強磁性薄膜を堆積する工程と、
前記基体凹所に埋め込んだ強磁性薄膜を残す状態で前記エッチング後に残存する前記レジスト膜を前記エッチング後に残存する前記レジスト膜表面に堆積した前記強磁性薄膜とともに除去して前記非磁性基体表面に情報信号対応の強磁性薄膜パターンを形成する工程とを含み、
前記レジスト凹所を形成する工程における前記所要のパターンの露光方法が、露光している時間と非露光時間が複数回にわたり繰り返し処理される間欠露光であって、
少なくとも前記非露光時間に、前記露光している時間に前記レジスト膜から発生する窒素ガスを、前記抜気用凹部を介して真空引きし、
前記露光している時間をt 1 とし、前記非露光時間をt 2 としたとき、
常に前記抜気用凹部を介して真空引きを行いながら処理した場合には、t 1 ≦t 2 の関係が成り立ち、
非露光時のみに、前記抜気用凹部を介して真空引きを行いながら処理した場合には、2t 1 ≦t 2 の関係が成り立つことを特徴とするマスター情報担体の製造方法。 - 非磁性基体の表面に強磁性薄膜を堆積する工程と、
前記強磁性薄膜の表面にレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜の少なくとも一部を露光・現像することにより前記レジスト膜表面にレジスト膜の凸部と抜気用凹部とを形成する工程と、
前記レジスト膜にフォトマスクを重ねた状態で、前記抜気用凹部を介して真空引きすることにより、前記レジスト膜の凸部と前記フォトマスクとを密着させる工程と、
前記レジスト膜に対して所要のパターンを露光・現像してレジスト凹所を形成し、前記レジスト凹所の底部に前記強磁性薄膜を露出する工程と、
前記所要のパターンを露光・現像した後の前記レジスト膜をマスクにしてエッチングを行い、前記レジスト凹所を通じて露出させた部分の前記強磁性薄膜を除去する工程と、
エッチング後に残存する前記レジスト膜を除去して前記非磁性基体表面に情報信号対応の強磁性薄膜パターンを形成する工程とを含み、
前記レジスト凹所を形成する工程における前記所要のパターンを露光する方法が、露光している時間と非露光時間が複数回にわたり繰り返し処理される間欠露光であって、
少なくとも前記非露光時間に、前記露光している時間に前記レジスト膜から発生する窒素ガスを、前記抜気用凹部を介して真空引きし、
前記露光している時間をt 1 とし、前記非露光時間をt 2 としたとき、
常に前記抜気用凹部を介して真空引きを行いながら処理した場合には、t 1 ≦t 2 の関係が成り立ち、
非露光時のみに、前記抜気用凹部を介して真空引きを行いながら処理した場合には、2t 1 ≦t 2 の関係が成り立つことを特徴とするマスター情報担体の製造方法。
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