JPS6236636B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6236636B2 JPS6236636B2 JP14982283A JP14982283A JPS6236636B2 JP S6236636 B2 JPS6236636 B2 JP S6236636B2 JP 14982283 A JP14982283 A JP 14982283A JP 14982283 A JP14982283 A JP 14982283A JP S6236636 B2 JPS6236636 B2 JP S6236636B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- mask
- resist
- exposure
- slope
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 33
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 14
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 14
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 11
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910000889 permalloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(a) 発明の技術分野
本発明は、パターンリソグラフ用マスクを使用
し露光・現像または露光・現像・エツチングのパ
ターン形成処理により該マスクのマスクパターン
によるパターンを形成する方法に係り、特にパタ
ーン側面の傾斜角を制御する方法に関する。
し露光・現像または露光・現像・エツチングのパ
ターン形成処理により該マスクのマスクパターン
によるパターンを形成する方法に係り、特にパタ
ーン側面の傾斜角を制御する方法に関する。
(b) 技術の背景
半導体部品を主とする種々の分野でリソグラフ
技術を利用した微細加工技術は長足の進歩を逐げ
更に進みつつあるが、これ等の過程においてパタ
ーン側面の傾斜角は急峻（パターン側面が垂直な
状態）であることが重要であつた。
技術を利用した微細加工技術は長足の進歩を逐げ
更に進みつつあるが、これ等の過程においてパタ
ーン側面の傾斜角は急峻（パターン側面が垂直な
状態）であることが重要であつた。
一方、最近磁気バブル装置では高密度化のため
磁気バブル（情報）を格納するマイナーループを
イオン注入転送パターン、磁気バブルを伝播させ
るメジヤーラインをパーマロイ転送パターンによ
り構築することが提案されている。この場合例え
ばイオン注入転送パターンはそのパターン周囲の
側面が、パーマロイ転送パターンとの側面部分を
なだらかな傾斜角とし、それ以外の周囲側面を急
峻な傾斜角にする必要がある。このようにパター
ン形成において近時パターン側面の傾斜が急峻な
ものとなだらかなものとを混在させて作成する要
請がでてきている。
磁気バブル（情報）を格納するマイナーループを
イオン注入転送パターン、磁気バブルを伝播させ
るメジヤーラインをパーマロイ転送パターンによ
り構築することが提案されている。この場合例え
ばイオン注入転送パターンはそのパターン周囲の
側面が、パーマロイ転送パターンとの側面部分を
なだらかな傾斜角とし、それ以外の周囲側面を急
峻な傾斜角にする必要がある。このようにパター
ン形成において近時パターン側面の傾斜が急峻な
ものとなだらかなものとを混在させて作成する要
請がでてきている。
(c) 従来技術の問題点
パターンソグラフ用マスクを使用した露光作業
において一般にはコンタクト露光方式又は投影露
光方式が主として採用されているが、何れの場合
もこれに使われる上記マスクのマスクパターン面
は一面のみである。このため該マスクによつてレ
ジストパターンや回路パターンの側面の傾斜角が
急峻なものとなだらかなものを混在させて作成す
る場合には、その傾斜角の種類に対応させて別々
に露光・現像等のパターン形成処理の作業を行わ
ねばならず、これに伴う製品品質の低下作製工数
の増加等の欠点がある。
において一般にはコンタクト露光方式又は投影露
光方式が主として採用されているが、何れの場合
もこれに使われる上記マスクのマスクパターン面
は一面のみである。このため該マスクによつてレ
ジストパターンや回路パターンの側面の傾斜角が
急峻なものとなだらかなものを混在させて作成す
る場合には、その傾斜角の種類に対応させて別々
に露光・現像等のパターン形成処理の作業を行わ
ねばならず、これに伴う製品品質の低下作製工数
の増加等の欠点がある。
(d) 発明の目的
本発明の目的はパターンリソグラフ用マスクを
使用し、パターン側面の傾斜角が急峻なものとな
だらかなものを即ち傾斜角が複数種類持つパター
ンを一回の露光工程を含むパターン形成処理で得
ることができるパターンの形成方法を提供するに
ある。
使用し、パターン側面の傾斜角が急峻なものとな
だらかなものを即ち傾斜角が複数種類持つパター
ンを一回の露光工程を含むパターン形成処理で得
ることができるパターンの形成方法を提供するに
ある。
(e) 発明の構成
本発明は、複数層のマスクパターン面にマスク
パターンを備えたパターン形成用露光マスクを設
け、該マスクを使用してパターン側面の傾斜角が
複数種類のパターンを１回の露光・現像または露
光・現像・エツチングのパターン形成処理により
混在して形成するようにしたことを特徴とするパ
ターン形成方法を提供するものである。
パターンを備えたパターン形成用露光マスクを設
け、該マスクを使用してパターン側面の傾斜角が
複数種類のパターンを１回の露光・現像または露
光・現像・エツチングのパターン形成処理により
混在して形成するようにしたことを特徴とするパ
ターン形成方法を提供するものである。
(f) 発明の実施例
以下に本発明の実施例を図で説明する。第１図
は従来のパターンリソグラフ用マスクを示し、第
１図ａはその斜視図、第１図ｂはその側面図、ま
た、第２図・第３図は本発明によるパターンリソ
グラフ用マスクの例を示し、第２図ａ・第３図ａ
はそれぞれの斜視図、第２図ｂ・第３図ｂはそれ
ぞれの側面図である。これ等の図において、１，
１′はマスク基板、２，２′はマスクパターンを示
す。第１図ではマスク基板１の下面である一面の
みがマスクパターン面となりマスクパターン２が
備えられているが、第２図の例ではマスク基板１
の上下面の２面がマスクパターン面となりそれぞ
れの面にマスクパターン２，２′が備えられてい
る。また、第３図の例では２枚のマスク基板１，
１′のそれぞれの下面がマスクパターン面となり
それぞれにマスクパターン２，２′が備えられた
うえで２板の基板１，１′が重ね合せられてい
る。かくすることにより第２図・第３図における
２個のマスクパターン２，２′の間にはマスクパ
ターン面に対し垂直方向にd3の間隔が設けられる
がこの間隔はレジストパターンの側面（以下エツ
ジと言う）の傾斜による巾の大きさに関与するの
で上記d3は以下に説明するd3の値に合致させてあ
る。第４図はコンタクト露光方式による場合のま
た第５図は投影露光方式による場合のd3決定法を
示し、第４図ａ・第５図ａはそれぞれの方式を側
面から見た構成図、第４図ｂ・第５図ｂはそれぞ
れの方式におけるd3を図から求める方法を示した
図である。これ等の図において、符号１，２は第
２図・第３図の１，２に対応し、３はレジストを
塗布してある基板例えばウエフアー、４は露光前
のレジスト、４′は露光・現像により転写形成さ
れたレジストパターン、５はレンズ系を示す。コ
ンタクト露光方式の場合第４図ａにおけるレジス
ト４とマスクパターン２との間隔をｄとして転写
形成により得られたレジストパターン４′の傾斜
による巾の大きさをｂとすればｄ＝０でｂ＝０と
なりｄを大きくするに従いｂも大きくなり第４図
ｂに示すようなグラフが得られる。ここで第２
図・第３図のマスクパターン２より転写形成する
レジストパターンのエツジの傾斜による巾の大き
さをb1同様にマスクパターン２′によつてb2を得
ようとする場合それぞれのｄの値はd1，d2となる
から第２図・第３図のd3の値はd3＝d2−d1で求め
られる。投影露光方式の場合は第５図ａにおける
レンズ系５の任意に設定した基準位置からマスク
パターン２までの間隔をｄとして第４図の場合と
同様にすれば第５図ｂのようなグラフが得られ
る。ここでd0はレジストパターン４′のエツジの
傾斜による巾の大きさｂが０になる所謂ベストフ
オーカスを得るｄの値である。そして第４図の場
合と同様にしてb1，b2に対応してd0より大きい領
域でd1，d2を、またd0より小さい領域でd1′，
d2′が得られ、d3はd3＝d2−d1またはd3＝d2′−
d1′で求められる。以上のように構成されたパタ
ーンリソグラフ用マスクを使用し、コンタクト露
光方式の場合は該マスクのマスクパターン２，
２′の位置がd1，d2の位置になるように該マスク
を位置させ、また投影露光方式においても同様な
関係が成立する位置に該マスクを位置させて露光
を行えば一回の露光でエツジの傾斜による巾の大
きさが、２種類あるレジストパターンを形成する
ことができる。第６回は本発明を磁気バブル装置
のイオン注入磁気バブル結晶の場合のレプリケー
タ部に適用した例で、第６図ａはイオン注入領域
を示す平面図およびそのＡ−Ａ断面図、第６図ｂ
はレジストパターンを示す平面図および側面図、
第６図ｃはパターンリソグラフ用マスクを示す平
面図およびＢ−Ｂ断面図、第６図ｄはイオン注入
のための金（Au）マスクパターンを示す平面図
および側面図である。これ等の図において符号
１，２，２′は第２図・第３図の１，２，２′に対
応し、３−１，３−１′ａ，３−１′ｂはイオン注
入のための金（Au）マスクパターンを形成する
前の金（Au）層および該金（Au）マスクパター
ン、４′ａ，４′ｂはマスクパターン２，２′より
転写形成されたレジストパターン、６は磁気バブ
ル結晶、７はイオン注入領域をそれぞれ示す。第
６図ａにおいて、レプリケーターの性能向上のた
め左側平面図のイオン注入領域７の右端のエツジ
はイオン注入・非注入の境界でポテンシヤルの壁
を低くするよう左右方向のイオン注入量の変化を
なだらかにすることが望ましく、他のエツジはイ
オン注入量変化が急峻であることが必要で側面図
のイオン注入領域７はその状況を示す。このよう
なイオン注入をするためには第６図ｄに示すよう
に右側の金（Au）マスクパターン３−１′ｂの左
端のエツジの傾斜をなだらかにしておく必要があ
るが、これは該金（Au）マスクパターン３−
１′ｂを形成するためのレジスト・パターン４′ｂ
のエツジの傾斜をなだらかにしておきドライエツ
チングを施すことによつて実現できる。従つて第
６図ａに示すイオン注入領域を得るためには第６
図ｂに示すようにエツジの傾斜による巾が０であ
るレジストパターン４′ａと或る大きさを持つレ
ジストパターン４′ｂとを混在させる必要があ
る。レジストが例えばネガ形の場合には上記のた
めに使うパターンリソグラフ用マスクは第６図ｃ
の如くなりマスクパターン２′がレジストパター
ン４′ｂのエツジの傾斜をなだらかにするための
ものでマスクパターン２の右端は該傾斜の範囲の
左側を規制している。
は従来のパターンリソグラフ用マスクを示し、第
１図ａはその斜視図、第１図ｂはその側面図、ま
た、第２図・第３図は本発明によるパターンリソ
グラフ用マスクの例を示し、第２図ａ・第３図ａ
はそれぞれの斜視図、第２図ｂ・第３図ｂはそれ
ぞれの側面図である。これ等の図において、１，
１′はマスク基板、２，２′はマスクパターンを示
す。第１図ではマスク基板１の下面である一面の
みがマスクパターン面となりマスクパターン２が
備えられているが、第２図の例ではマスク基板１
の上下面の２面がマスクパターン面となりそれぞ
れの面にマスクパターン２，２′が備えられてい
る。また、第３図の例では２枚のマスク基板１，
１′のそれぞれの下面がマスクパターン面となり
それぞれにマスクパターン２，２′が備えられた
うえで２板の基板１，１′が重ね合せられてい
る。かくすることにより第２図・第３図における
２個のマスクパターン２，２′の間にはマスクパ
ターン面に対し垂直方向にd3の間隔が設けられる
がこの間隔はレジストパターンの側面（以下エツ
ジと言う）の傾斜による巾の大きさに関与するの
で上記d3は以下に説明するd3の値に合致させてあ
る。第４図はコンタクト露光方式による場合のま
た第５図は投影露光方式による場合のd3決定法を
示し、第４図ａ・第５図ａはそれぞれの方式を側
面から見た構成図、第４図ｂ・第５図ｂはそれぞ
れの方式におけるd3を図から求める方法を示した
図である。これ等の図において、符号１，２は第
２図・第３図の１，２に対応し、３はレジストを
塗布してある基板例えばウエフアー、４は露光前
のレジスト、４′は露光・現像により転写形成さ
れたレジストパターン、５はレンズ系を示す。コ
ンタクト露光方式の場合第４図ａにおけるレジス
ト４とマスクパターン２との間隔をｄとして転写
形成により得られたレジストパターン４′の傾斜
による巾の大きさをｂとすればｄ＝０でｂ＝０と
なりｄを大きくするに従いｂも大きくなり第４図
ｂに示すようなグラフが得られる。ここで第２
図・第３図のマスクパターン２より転写形成する
レジストパターンのエツジの傾斜による巾の大き
さをb1同様にマスクパターン２′によつてb2を得
ようとする場合それぞれのｄの値はd1，d2となる
から第２図・第３図のd3の値はd3＝d2−d1で求め
られる。投影露光方式の場合は第５図ａにおける
レンズ系５の任意に設定した基準位置からマスク
パターン２までの間隔をｄとして第４図の場合と
同様にすれば第５図ｂのようなグラフが得られ
る。ここでd0はレジストパターン４′のエツジの
傾斜による巾の大きさｂが０になる所謂ベストフ
オーカスを得るｄの値である。そして第４図の場
合と同様にしてb1，b2に対応してd0より大きい領
域でd1，d2を、またd0より小さい領域でd1′，
d2′が得られ、d3はd3＝d2−d1またはd3＝d2′−
d1′で求められる。以上のように構成されたパタ
ーンリソグラフ用マスクを使用し、コンタクト露
光方式の場合は該マスクのマスクパターン２，
２′の位置がd1，d2の位置になるように該マスク
を位置させ、また投影露光方式においても同様な
関係が成立する位置に該マスクを位置させて露光
を行えば一回の露光でエツジの傾斜による巾の大
きさが、２種類あるレジストパターンを形成する
ことができる。第６回は本発明を磁気バブル装置
のイオン注入磁気バブル結晶の場合のレプリケー
タ部に適用した例で、第６図ａはイオン注入領域
を示す平面図およびそのＡ−Ａ断面図、第６図ｂ
はレジストパターンを示す平面図および側面図、
第６図ｃはパターンリソグラフ用マスクを示す平
面図およびＢ−Ｂ断面図、第６図ｄはイオン注入
のための金（Au）マスクパターンを示す平面図
および側面図である。これ等の図において符号
１，２，２′は第２図・第３図の１，２，２′に対
応し、３−１，３−１′ａ，３−１′ｂはイオン注
入のための金（Au）マスクパターンを形成する
前の金（Au）層および該金（Au）マスクパター
ン、４′ａ，４′ｂはマスクパターン２，２′より
転写形成されたレジストパターン、６は磁気バブ
ル結晶、７はイオン注入領域をそれぞれ示す。第
６図ａにおいて、レプリケーターの性能向上のた
め左側平面図のイオン注入領域７の右端のエツジ
はイオン注入・非注入の境界でポテンシヤルの壁
を低くするよう左右方向のイオン注入量の変化を
なだらかにすることが望ましく、他のエツジはイ
オン注入量変化が急峻であることが必要で側面図
のイオン注入領域７はその状況を示す。このよう
なイオン注入をするためには第６図ｄに示すよう
に右側の金（Au）マスクパターン３−１′ｂの左
端のエツジの傾斜をなだらかにしておく必要があ
るが、これは該金（Au）マスクパターン３−
１′ｂを形成するためのレジスト・パターン４′ｂ
のエツジの傾斜をなだらかにしておきドライエツ
チングを施すことによつて実現できる。従つて第
６図ａに示すイオン注入領域を得るためには第６
図ｂに示すようにエツジの傾斜による巾が０であ
るレジストパターン４′ａと或る大きさを持つレ
ジストパターン４′ｂとを混在させる必要があ
る。レジストが例えばネガ形の場合には上記のた
めに使うパターンリソグラフ用マスクは第６図ｃ
の如くなりマスクパターン２′がレジストパター
ン４′ｂのエツジの傾斜をなだらかにするための
ものでマスクパターン２の右端は該傾斜の範囲の
左側を規制している。
(g) 発明の効果
以上に説明したように本発明によればレジスト
パターンのエツジの傾斜による巾が複数種類のも
のを一回の露光で得ることを可能にする効果があ
り、この発明の適用により例えば磁気バブル装置
の性能向上をはかることができる。
パターンのエツジの傾斜による巾が複数種類のも
のを一回の露光で得ることを可能にする効果があ
り、この発明の適用により例えば磁気バブル装置
の性能向上をはかることができる。
第１図ａは従来のパターンリソグラフ用マスク
の斜視図、第１図ｂはその側面図、第２図ａ・第
３図ａは本発明によるパターンリソグラフ用マス
クの斜視図、第２図ｂ・第３図ｂはそのそれぞれ
の側面図、第４図ａはコンタクト露光方式を側面
から見た構成図、第４図ｂはその方式におけるマ
スクパターンの間隔を求める図、第５図ａは投影
露光方式を側面から見た構成図、第５図ｂはその
方式におけるマスクパターンの間隔を求める図、
第６図ａはイオン注入領域を示す平面図およびそ
のＡ−Ａ断面図、第６図ｂはレジストパターンを
示す平面図および側面図、第６図ｃはパターンリ
ソグラフ用マスクを示す平面図および側面図、第
６図ｄはイオン注入のための金（Au）マスクパ
ターンを示す側面図である。 図面にいて、１，１′はマスク基板、２，２′は
マスクパターン、４，４′ａ，４′ｂはレジストパ
ターンをそれぞれ示す。
の斜視図、第１図ｂはその側面図、第２図ａ・第
３図ａは本発明によるパターンリソグラフ用マス
クの斜視図、第２図ｂ・第３図ｂはそのそれぞれ
の側面図、第４図ａはコンタクト露光方式を側面
から見た構成図、第４図ｂはその方式におけるマ
スクパターンの間隔を求める図、第５図ａは投影
露光方式を側面から見た構成図、第５図ｂはその
方式におけるマスクパターンの間隔を求める図、
第６図ａはイオン注入領域を示す平面図およびそ
のＡ−Ａ断面図、第６図ｂはレジストパターンを
示す平面図および側面図、第６図ｃはパターンリ
ソグラフ用マスクを示す平面図および側面図、第
６図ｄはイオン注入のための金（Au）マスクパ
ターンを示す側面図である。 図面にいて、１，１′はマスク基板、２，２′は
マスクパターン、４，４′ａ，４′ｂはレジストパ
ターンをそれぞれ示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 複数層のマスクパターン面にマスクパターン
を備えたパターン形成用露光マスクを設け、該マ
スクを使用してパターン側面の傾斜角が複数種類
のパターンを１回の露光・現像または露光・現
像・エツチングのパターン形成処理により混在し
て形成するようにしたことを特徴とするパターン
形成方法。 ２ 前記パターンが、露光・現像の前記パターン
形成処理により形成されるレジストパターンであ
ることを特徴とした特許請求の範囲第１項記載の
パターン形成方法。 ３ 前記パターンが、レジスト膜の露光・現像に
よつてレジストパターンを形成後該レジストパタ
ーンをマスクとして被エツチング層をエツチング
する前記パターン形成処理により形成される被着
パターンであることを特徴とした特許請求の範囲
第１項記載のパターン形成方法。 ４ 前記被着パターンが磁気バブル転送パターン
を形成するためのマスクパターンであることを特
徴とした特許請求の範囲第３項記載のパターン形
成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58149822A JPS6041228A (ja) | 1983-08-17 | 1983-08-17 | パタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58149822A JPS6041228A (ja) | 1983-08-17 | 1983-08-17 | パタ−ン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6041228A JPS6041228A (ja) | 1985-03-04 |
| JPS6236636B2 true JPS6236636B2 (ja) | 1987-08-07 |
Family
ID=15483452
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58149822A Granted JPS6041228A (ja) | 1983-08-17 | 1983-08-17 | パタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6041228A (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3145527A1 (de) * | 1981-11-17 | 1983-05-26 | Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart | Verfahren und vorrichtung zur steuerung rueckgefuehrter abgasmengen bei brennkraftmaschinen |
| JPH06103008B2 (ja) * | 1985-09-18 | 1994-12-14 | 本田技研工業株式会社 | 内燃エンジンの排気還流制御方法 |
| CA1313792C (en) * | 1986-02-28 | 1993-02-23 | Junji Hirokane | Method of manufacturing photo-mask and photo-mask manufactured thereby |
| JPS63195370A (ja) * | 1987-02-06 | 1988-08-12 | Toyota Motor Corp | 内燃機関の排気ガス再循環装置のダイアグノ−シス装置 |
| JPS63192942A (ja) * | 1987-02-03 | 1988-08-10 | Toyota Motor Corp | 内燃機関の排気ガス再循環装置のダイアグノ−シス装置 |
| JPS63263254A (ja) * | 1987-04-20 | 1988-10-31 | Toyota Motor Corp | 内燃機関の排気ガス再循環装置のダイアグノ−シス装置 |
| US5079113A (en) * | 1988-09-29 | 1992-01-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | Photo-mask |
| US5260150A (en) * | 1987-09-30 | 1993-11-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | Photo-mask with light shielding film buried in substrate |
| JPH03179350A (ja) * | 1989-12-07 | 1991-08-05 | Matsushita Electron Corp | 縮小投影露光装置およびそれを用いた半導体装置の製造方法 |
| WO2011017740A1 (en) * | 2009-08-11 | 2011-02-17 | Newsouth Innovations Pty Limited | A method for the selective delivery of material to a substrate |
-
1983
- 1983-08-17 JP JP58149822A patent/JPS6041228A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6041228A (ja) | 1985-03-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5480047A (en) | Method for forming a fine resist pattern | |
| JPS6236636B2 (ja) | ||
| JP2723476B2 (ja) | 位相反転マスクの製造方法 | |
| JP2000056469A (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| JPH0795543B2 (ja) | エツチング方法 | |
| JPH05249649A (ja) | フォトマスクおよびその製造方法 | |
| KR100909758B1 (ko) | 반도체 소자의 제조 방법 | |
| JPS59155921A (ja) | レジストパタ−ンの形成方法 | |
| JPS6346972B2 (ja) | ||
| JPS6245026A (ja) | 半導体集積回路の写真製版方法 | |
| JPS62194628A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0462451B2 (ja) | ||
| JPH1140670A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH06186728A (ja) | ホトマスクの製造方法 | |
| JPS6233580B2 (ja) | ||
| JPH1174253A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0526182B2 (ja) | ||
| JPH0462166B2 (ja) | ||
| JPH02226724A (ja) | 集積回路装置の製造方法 | |
| JPH05204130A (ja) | レチクル及びマスクとその製造方法 | |
| JPS6312131A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS62177922A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR20020046489A (ko) | 이중노광에 의한 미세패턴 제조방법 | |
| JPH0117247B2 (ja) | ||
| JPH03147506A (ja) | レジストパターンの形成方法 |