JPH03179350A - 縮小投影露光装置およびそれを用いた半導体装置の製造方法 - Google Patents
縮小投影露光装置およびそれを用いた半導体装置の製造方法Info
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- JPH03179350A JPH03179350A JP1317976A JP31797689A JPH03179350A JP H03179350 A JPH03179350 A JP H03179350A JP 1317976 A JP1317976 A JP 1317976A JP 31797689 A JP31797689 A JP 31797689A JP H03179350 A JPH03179350 A JP H03179350A
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Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 5
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70325—Resolution enhancement techniques not otherwise provided for, e.g. darkfield imaging, interfering beams, spatial frequency multiplication, nearfield lenses or solid immersion lenses
- G03F7/70333—Focus drilling, i.e. increase in depth of focus for exposure by modulating focus during exposure [FLEX]
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、縮小投影露光装置およびそれを使用したホト
リソグラフィにおいて焦点深度の拡大を可能にする半導
体装置の製造方法に関するものである。
リソグラフィにおいて焦点深度の拡大を可能にする半導
体装置の製造方法に関するものである。
従来の技術
半導体素子の微細化にともない、ホトリソグラフィの高
解像度化が求められている。縮小投影露光装置では、高
解像度を実現するために縮小投影レンズの高開口数化が
図られているが、解像度が向上する反面、焦点深度が低
下する問題がある。
解像度化が求められている。縮小投影露光装置では、高
解像度を実現するために縮小投影レンズの高開口数化が
図られているが、解像度が向上する反面、焦点深度が低
下する問題がある。
焦点深度を拡大する方法として異った焦点を持つ複数像
をホトレジスト膜上に結像させる多重結像露光法（ＦＬ
ＥＸ法：Ｆｏｃｕｓ Ｌａｔｉｔｕｄｅ Ｅｎｈａｎｃ
ｅｍｅｎｔＥｘｐｏｓｒｅ）が提案されており、効果が
確認される。
をホトレジスト膜上に結像させる多重結像露光法（ＦＬ
ＥＸ法：Ｆｏｃｕｓ Ｌａｔｉｔｕｄｅ Ｅｎｈａｎｃ
ｅｍｅｎｔＥｘｐｏｓｒｅ）が提案されており、効果が
確認される。
発明が解決しようとする課題
しかしＦＬＥＸ法をおこなう場合に露光ショツト時に焦
点位置を移動させることは、この目的のために特別に設
計された装置でない限り不可能であり、焦点機構が十分
検討されていないと安定な焦点精度を保証することがで
きない。
点位置を移動させることは、この目的のために特別に設
計された装置でない限り不可能であり、焦点機構が十分
検討されていないと安定な焦点精度を保証することがで
きない。
本発明は、上記問題を解決するもので、容易に焦点深度
を拡大することが可能な縮小投影露光装置およびそれを
用いた半導体装置の製造方法を提供することを目的とす
るものである。
を拡大することが可能な縮小投影露光装置およびそれを
用いた半導体装置の製造方法を提供することを目的とす
るものである。
課題を解決するための手段
上記問題を解決するために、本発明の縮小投影露光装置
は、同一パターン、複数チップ構成のレチクルを備え、
その複数のパターン平面と縮小投影レンズの理想被写体
平面に対してそれぞれ異った位置に配置したものである
。
は、同一パターン、複数チップ構成のレチクルを備え、
その複数のパターン平面と縮小投影レンズの理想被写体
平面に対してそれぞれ異った位置に配置したものである
。
さらに、本発明は、この縮小投影露光装置を用い、レチ
クル上の複数チップパターンのそれぞれを投影基板面上
の同一位置に露光転写して半導体装置を製造するもので
ある。
クル上の複数チップパターンのそれぞれを投影基板面上
の同一位置に露光転写して半導体装置を製造するもので
ある。
作用
上記構成によれば、複数のチップが異った被写体平面に
配置されているため、この縮小投影露光装置を用いるこ
とにより、それぞれの平面高さの差は縮小倍率の２乗に
比例して結像面での焦点シフトとなって現われる。した
がもて、この複数のチップを基板上の同一位置に結像さ
せれば、縮小投影露光装置の焦点制御機構を操作しなく
ても、ＦＬＥＸ法による転写露光をおこなうことができ
る。この方法を使用した場合に縮小投影レンズが片テレ
センの場合は、倍率誤差を生じるため、各チップに対し
て倍率を補正する必要が有るが、最近の両テレセンのレ
ンズではその必要がない。
配置されているため、この縮小投影露光装置を用いるこ
とにより、それぞれの平面高さの差は縮小倍率の２乗に
比例して結像面での焦点シフトとなって現われる。した
がもて、この複数のチップを基板上の同一位置に結像さ
せれば、縮小投影露光装置の焦点制御機構を操作しなく
ても、ＦＬＥＸ法による転写露光をおこなうことができ
る。この方法を使用した場合に縮小投影レンズが片テレ
センの場合は、倍率誤差を生じるため、各チップに対し
て倍率を補正する必要が有るが、最近の両テレセンのレ
ンズではその必要がない。
実施例
以下本発明の一実施例を図面に基づいて説明する。
第１図は本発明の一実施例の半導体装置の製造方法によ
るパターン露光プロセス図である。第１図（ａ）におい
て、まず、紫外光（ｉ線）１を光源としてレチクル２の
第１のパターン３を投光し、縮小投影レンズ５によって
段差を有する半導体基板７の上に塗布されたホトレジス
ト６に１１５のサイズに投影露光する０次に、第１図（
ｂ）に示すように、半導体基板７を搭載したステージ８
を移動して。
るパターン露光プロセス図である。第１図（ａ）におい
て、まず、紫外光（ｉ線）１を光源としてレチクル２の
第１のパターン３を投光し、縮小投影レンズ５によって
段差を有する半導体基板７の上に塗布されたホトレジス
ト６に１１５のサイズに投影露光する０次に、第１図（
ｂ）に示すように、半導体基板７を搭載したステージ８
を移動して。
レチクル２の第２のパターン４の投影位置が前に露光し
た第１のパターン３の潜像９に重なるようにし、紫外光
１を光源として第２のパターン４を縮小投影レンズ５に
よってね影露光する。第１のパターン３と第２のパター
ン４は同一パターンであり、両パターン面の段差αを７
５μｍとすると、投影結像面での焦点差は３μ−となる
、ここで使用したホトレジスト６は１通常型版されてい
るノボラック樹脂系のポジ型ホトレジストを使用してお
り、１μｍの厚さに塗布した場合、開口数が０．４２の
縮小投影レンズを使用して０．５μ口径のホール状パタ
ーンを±３μ馬の焦点裕度をもって形成できる。
た第１のパターン３の潜像９に重なるようにし、紫外光
１を光源として第２のパターン４を縮小投影レンズ５に
よってね影露光する。第１のパターン３と第２のパター
ン４は同一パターンであり、両パターン面の段差αを７
５μｍとすると、投影結像面での焦点差は３μ−となる
、ここで使用したホトレジスト６は１通常型版されてい
るノボラック樹脂系のポジ型ホトレジストを使用してお
り、１μｍの厚さに塗布した場合、開口数が０．４２の
縮小投影レンズを使用して０．５μ口径のホール状パタ
ーンを±３μ馬の焦点裕度をもって形成できる。
発明の効果
以上のように１本発明によれば、既存の縮小投影露光装
置を使用して焦点深度を拡大することが可能であり、装
置の焦点制御機構を露光中に操作する必要がないため安
定な焦点特性を得ることができ、半導体素子の微細化に
ともなうホトリソグラフィの高解像度化が容易に実現で
きる。
置を使用して焦点深度を拡大することが可能であり、装
置の焦点制御機構を露光中に操作する必要がないため安
定な焦点特性を得ることができ、半導体素子の微細化に
ともなうホトリソグラフィの高解像度化が容易に実現で
きる。
第１図（ａ）、（ｂ）は本−発明の一実施例の縮小投影
露光装置およびパターン露光プロセスを説明する図であ
る。 １・・・紫外光（ｉ線）、２・・・レチクル、３・・・
第１のパターン、４・・・第２のパターン、Ｓ・・・縮
小投影レンズ、６・・・ホトレジスト、７・・・半導体
基板、８・・・ステージ、 ９・・・第１パターンの潜像。
露光装置およびパターン露光プロセスを説明する図であ
る。 １・・・紫外光（ｉ線）、２・・・レチクル、３・・・
第１のパターン、４・・・第２のパターン、Ｓ・・・縮
小投影レンズ、６・・・ホトレジスト、７・・・半導体
基板、８・・・ステージ、 ９・・・第１パターンの潜像。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、同一パターン、複数チップ構成のレチクルを備え、
縮小投影レンズの理想被写体平面に対し、それぞれのチ
ップのパターン平面を異った位置に配置せしめた縮小投
影露光装置。 ２、請求項１記載の縮小投影露光装置を用い、レチクル
上の複数チップパターンのそれぞれを投影基板面上の同
一位置に露光転写することを特徴とする半導体装置の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1317976A JPH03179350A (ja) | 1989-12-07 | 1989-12-07 | 縮小投影露光装置およびそれを用いた半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1317976A JPH03179350A (ja) | 1989-12-07 | 1989-12-07 | 縮小投影露光装置およびそれを用いた半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03179350A true JPH03179350A (ja) | 1991-08-05 |
Family
ID=18094094
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1317976A Pending JPH03179350A (ja) | 1989-12-07 | 1989-12-07 | 縮小投影露光装置およびそれを用いた半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03179350A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH063806A (ja) * | 1992-06-18 | 1994-01-14 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法と露光用マスク |
| JPH06163361A (ja) * | 1992-11-25 | 1994-06-10 | Shodenryoku Kosoku Tsushin Kenkyusho:Kk | 光リソグラフィー縮小投影露光方法 |
| KR100347541B1 (ko) * | 1999-12-23 | 2002-08-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자 제조용 레티클 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55107232A (en) * | 1979-02-12 | 1980-08-16 | Mitsubishi Electric Corp | Method of forming pattern of resist layer |
| JPS6041228A (ja) * | 1983-08-17 | 1985-03-04 | Fujitsu Ltd | パタ−ン形成方法 |
-
1989
- 1989-12-07 JP JP1317976A patent/JPH03179350A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55107232A (en) * | 1979-02-12 | 1980-08-16 | Mitsubishi Electric Corp | Method of forming pattern of resist layer |
| JPS6041228A (ja) * | 1983-08-17 | 1985-03-04 | Fujitsu Ltd | パタ−ン形成方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH063806A (ja) * | 1992-06-18 | 1994-01-14 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法と露光用マスク |
| JPH06163361A (ja) * | 1992-11-25 | 1994-06-10 | Shodenryoku Kosoku Tsushin Kenkyusho:Kk | 光リソグラフィー縮小投影露光方法 |
| KR100347541B1 (ko) * | 1999-12-23 | 2002-08-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자 제조용 레티클 |
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