JP3950732B2 - 照明光学系、照明方法及び露光装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、一般には、照明光学系に関し、特に、半導体ウェハ用の単結晶基板、液晶ディスプレイ(LCD)用のガラス基板などのデバイスを製造するのに使用される照明光学系に関する。本発明は、例えば、フォトリソグラフィー工程において、被処理体にコンタクトホール列のパターン、あるいは孤立コンタクトホールとコンタクトホール列とが混在するパターンを投影露光する照明光学系に好適である。
【0002】
【従来の技術】
近年の電子機器の小型化及び薄型化の要請から、電子機器に搭載される半導体素子の微細化への要求はますます高くなっている。例えば、デザインルールは、100nm以下の回路パターン形成を量産工程で達成しようとし、今後は更に80nm以下の回路パターン形成に移行することが予想される。その主流となる加工技術はフォトリソグラフィーであり、マスク又はレチクル(本明細書ではこれらの用語を交換可能に使用する)に描画されたマスクパターンを投影光学系によってウェハに投影してパターンを転写する投影露光装置が従来から使用されている。
【0003】
投影露光装置の解像度Rは、光源の波長λと投影光学系の開口数(NA)を用いて以下のレーリーの式で与えられる。
【0004】
【数1】
【0005】
一方、一定の結像性能を維持できる焦点範囲を焦点深度といい、焦点深度DOFは次式で与えられる。
【0006】
【数2】
【0007】
なお、焦点深度DOFは小さくなるとフォーカス合わせが難しくなり、基板のフラットネス(平坦度)やフォーカス精度を上げることが要求されるため、基本的に大きい方が好ましい。
【0008】
マスクパターンは、近接した周期的なラインアンドスペース(L&S)パターン、近接及び周期的な(即ち、ホール径と同レベルの間隔で並べた)コンタクトホール列、近接せずに孤立した孤立コンタクトホール、その他の孤立パターン等を含むが、高解像度でパターンを転写するためには、パターンの種類に応じて最適な照明条件を選択する必要がある。
【0009】
また、近年の半導体産業は、より高付加価値な、多種多様なパターンが混在するシステムチップに生産が移行しつつあり、マスクにも複数種類のコンタクトパターンを混在させる必要が生じてきた。しかし、コンタクトホール列と孤立コンタクトホールが混在したコンタクトホールパターンを同時に解像度よく露光することができなかった。
【0010】
そこで、コンタクトホール列や縦横の繰り返し配線パターンのみに限定して、その解像限界を高め、焦点深度を増加する方式が種々提案されている。かかる方式として、例えば、2枚のマスクを用いて異なる種類のパターンを別々に露光する二重露光(又は多重露光)方式や後述する1枚のマスクを特殊な照明条件下で露光を行う方式がある。それ以外にも、マスクパターンに種々の補助パターンを設けて正規パターンの解像力を強化する方式などがある。
【0011】
【課題を解決するための手段】
本発明の一側面としての照明光学系は、光源からの光束で被照明面を照明する照明光学系であって、前記被照明面とフーリエ変換の関係となる面に光量分布を形成するプリズムを有し、該プリズムは、光軸方向に並んだ凹形状プリズム及び凸形状プリズムを有し、該凹形状プリズム及び凸形状プリズムは、前記光軸方向に沿って視て複数の領域に分割されており、前記凹形状プリズムの一の分割部材と前記凸形状プリズムの一の分割部材とを透過した光は、前記光量分布における一の照射領域を照射し、前記凹形状プリズムの他の分割部材と前記凸形状プリズムの他の分割部材とを透過した光は、前記光量分布における他の照射領域を照射し、前記凹形状プリズムの一の分割部材と前記凸形状プリズムの一の分割部材との間隔を、前記凹形状プリズムの他の分割部材と前記凸形状プリズムの他の分割部材との間隔と異ならせることで、前記一の照射領域と前記他の照射領域とのうちの前記一の照射領域のみを前記被照明面とフーリエ変換の関係となる面上で変位させることを特徴とする。
【0012】
確かに、従来の技術において、通常の円形状の有効光源から輪帯状の有効光源への変換機能、又は、四重極の有効光源への切り替え機構の開示はされている。しかしながら、今後のパターンの微細化に対応するためには、同じタイプの有効光源であってもそれを変化させて解像性能を高めることが必要である。
【0013】
【課題を解決するための手段】
本発明の一側面としての照明光学系は、光源からの光束で被照明面を照明する照明光学系であって、前記被照明面とフーリエ変換の関係となる面に光量分布を形成するプリズムを有し、前記プリズムは、光軸方向に対して垂直な面内で分割された第1の部材と第2の部材とを含み、前記第1の部材及び前記第2の部材は、それぞれ独立して前記光軸方向に駆動可能であり、
前記第1の部材は、前記光量分布のうち第1の領域を形成し、前記第2の部材は、前記光量分布のうち第2の領域を形成し、前記第1の部材と前記第2の部材の前記光軸方向の相対位置を変えることで、前記第1の領域と前記第2の領域とは相対的に変位することを特徴とする。
【0022】
本発明の別の側面としての露光装置は、レチクルのパターンを被処理体に露光する露光装置であって、被照明面に配置された前記レチクルを照明する請求項1又は2記載の照明光学系と、前記レチクルのパターンを前記被処理体に投影する投影光学系とを有することを特徴とする。
【0023】
本発明の別の側面としてのデバイス製造方法は、上述の露光装置を用いて被処理体を露光するステップと、露光された前記被処理体を現像するステップとを有することを特徴とする。
【0024】
本発明の更なる目的又はその他の特徴は、以下添付図面を参照して説明される好ましい実施例によって明らかにされるであろう。
【0025】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照して本発明の例示的一態様である露光装置について説明する。但し、本発明は、これらの実施例に限定するものではなく、本発明の目的が達成される範囲において、各構成要素が代替的に置換されてもよい。なお、各図において、同一の部材については、同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。
【0026】
ここで、図1は、本発明の一側面としての露光装置100の例示的一形態を示す概略構成図である。露光装置100は、図1によく示されるように、照明装置200と、マスク300と、投影光学系400と、プレート500とを有する。
【0027】
露光装置100は、例えば、ステップアンドリピート方式やステップアンドスキャン方式でマスク300に形成された回路パターンをプレート500に露光する投影露光装置である。かかる露光装置は、サブミクロンやクオーターミクロン以下のリソグラフィー工程に好適であり、以下、本実施形態では、ステップアンドスキャン方式の露光装置(「スキャナー」とも呼ばれる)を例に説明する。ここで、「ステップアンドスキャン方式」は、マスクに対してウェハを連続的にスキャンしてマスクパターンをウェハに露光すると共に、1ショットの露光終了後ウェハをステップ移動して、次のショットの露光領域に移動する露光方法である。また、「ステップアンドリピート方式」とは、ウェハのショットの一括露光ごとにウェハをステップ移動して次のショットの露光領域に移動する露光方法である。
【0028】
照明装置200は、転写用の回路パターンが形成されたマスク300を照明し、光源部210と照明光学系220とを有する。
【0029】
光源部210は、例えば、光源としてレーザーを使用する。レーザーは、波長約193nmのArFエキシマレーザー、波長約248nmのKrFエキシマレーザー、波長約153nmのF2レーザーなどを使用することができるが、レーザーの種類はエキシマレーザーに限定されず、そのレーザーの個数も限定されない。また、レーザープラズマ光源を用いて、EUV(Extreme ultraviolet)光を使用することもできる。また、光源部210に使用可能な光源はレーザーに限定されるものではなく、一又は複数の水銀ランプなどのランプも使用可能である。
【0030】
照明光学系220は、光源部210から射出した光束を用いて所望のパターンを有する被照射面(例えば、マスク300)を照明する光学系であり、本実施形態では、ビーム整形系221と、均一化素子222と、有効光源形成手段240と、第1のズームコンデンサーレンズ223と、インテグレーター224と、第2のズームコンデンサーレンズ225と、スリット226と、マスキングブレード227と、マスキング結像系228とを有する。
【0031】
光源部210から発した照明光束は、ビーム整形系221の作用により一旦集光された後に均一化素子222に入射する。均一化素子222は、光束を光軸に垂直な面内において、ほぼ均一な分布に変換する機能を有する。
【0032】
均一化素子222から射出した照明光束は、有効光源形成手段240と第1のズームコンデンサーレンズ223を通過してインテグレーター224に入射する。本実施例では、かかるインテグレーター224の射出面に形成される光強度分布が有効光源分布を決定し、露光装置100の解像性能に大きく寄与する。
【0033】
インテグレーター224から射出した照明光束は、第2のコンデンサーレンズ225の作用でスリット226面上に集光され、スリット226の遮光効果によりスリット状(投影光学系400の収差補正領域に対応した部分で得ある)に切り出される。その透過光は、直後に配置されたマスキングブレード227を通過し、マスキング結像系228の結像作用によってマスク300面上に所定の倍率で結像する。
【0034】
ここで、有効光源形成手段240について詳細に説明する。有効光源形成手段240は、透過部材である変形照明形成素子242を有する。変形照明形成素子242としては、例えば、図2に示すように、四重極プリズム242が上げられる。四重極プリズム242は、光軸方向の断面が、図3に示されるように、凹形状プリズム242a及び凸形状プリズム242bから構成される。また、図4に示されるように、凹形状プリズム242a及び凸形状プリズム242bは、光軸方向からみるとP1、P2、P3及びP4の90度に等分割された4つの領域からなりたっている。ここで、図2は、変形照明形成素子の一例である四重極プリズム242を示す概略斜視図、図3は、図2に示す四重極プリズム242の光軸方向の概略断面図、図4は、図2に示す四重極プリズム242の光軸に対して垂直方向の概略断面図である。
【0035】
四重極プリズム242は、図5又は図6に示すような、有効光源分布を形成する。図5及び図6は、図2に示す四重極プリズム242が形成する有効光源分布の一例を示す概略図である。図5及び図6を参照するに、領域W1、W2、W3、W4、D1、D2、D3、D4(即ち、斜線部分)が明部であり、その光軸O−O´からの距離Rw、Rv、Rhは、図3に示す凹形状プリズム242a及び凸形状プリズム242bの間隔zoと第1のコンデンサー223のズーム倍率で決定される。
【0036】
本発明の最も特徴とする点を以下に述べる。は、に示した凹形状プリズム242a及び凸形状プリズム242bを光軸周りに90度回転させた概略断面図(H−H´断面)である。H−H´断面で現れる凹形状プリズム242a及び凸形状プリズム242bの領域は4分割のうち領域P2及びP4(一の分割部材)であり、かかる領域P2及びP4は、図3に示す凹形状プリズム242a及び凸形状プリズム242bの領域P1及びP3(他の分割部材)に対して光軸方向に更にzだけ繰り出されている。これを実現するために、部分ズーミング手段(駆動手段)246が有効に働く。
【0037】
このような構成によって、に示すような有効光源分布が形成される。は、及びに示す四重極プリズムが形成する有効光源分布を示す概略図である。即ち、部分ズーミング効果により、領域P2及びP4によって形成される明部S2及びS4がzpだけ光軸O−O´から遠ざかっている(部分有効光源S1及びS3(他の照射領域)の半径Rvに対して部分有効光源S2及びS4(一の照射領域)の半径Rhの方が大きい)。実際の回路パターンは縦横方向の繰り返し配線があり、これに対して、部分有効光源S1及びS3は横方向の配線パターンに寄与し、部分有効光源S2及びS4は縦方向の配線パターンの解像力を決定づける。従って、同一のマスク上に縦横方向の配線パターンが混在していても、本発明の部分ズーミングにより縦方向の配線パターンと横方向の配線パターンのそれぞれに対して最適な照明条件を提供することができる。
<変形例1>次に、乃至を参照して、変形例1について説明する。この変形例1においては、変形照明形成素子242に八重極プリズム244を使用する。八重極プリズム244は、凹形状プリズム244a及び凸形状プリズム244bから構成される。また、に示されるように、凹形状プリズム244a及び凸形状プリズム244bは、光軸に対して垂直な方向の断面からみるとQ1、Q2、Q3、Q4、Q5、Q6、Q7及びQ8の8つの45度等分割された領域からなりたっている。ここで、は、変形照明形成素子の一例である八重極プリズム244を示す概略斜視図、は、に示す八重極プリズム244の光軸に対して垂直方向の概略断面図である。
【0038】
八重極プリズム244は、図11に示すような、有効光源分布を形成する。図11は、図9に示す八重極プリズム244が形成する有効光源分布の一例を示す概略図である。図11を参照するに、領域T1、T2、T3、T4、T5、T6、T7、T8(即ち、斜線部分)が部分有効光源(明部)である。
【0039】
八重極プリズム244の8つの分割領域Q1、Q2、Q3、Q4、Q5、Q6、Q7及びQ8のうち、上述したように領域Q1、Q3、Q5及びQ7を部分ズーミングすることによって、部分有効光源T1、T3、T5及びT7(一の照射領域)がzpだけ偏心される(光軸O−O´からの半径がRsからRoに拡大されている)。
<変形例2>次に、変形例2について説明する。本変形例2では、のマスク300として、に示すマスク300aのような所望のコンタクトホールパターンが所定の周期で配置され、その周辺に補助パターン(ダミーのコンタクトホールパターン)が配置されたものを使う。ここで、は所望のコンタクトホールパターン及び補助パターンを形成したバイナリマスクの概略図である。のマスクは、透過部である所望のコンタクトホールパターン31及び補助パターン32と、遮光部33とから構成されている。なお、各光透過部の位相は等しい。コンタクトホールパターン31及び補助パターン32は、ホール径をPとすると縦横方向にピッチP0=2Pで整列して、コンタクトホール列を2次元的に形成する。
【0040】
このマスク300aに対して、コンタクトホールを解像するための十字斜入射照明と、その十字斜入射照明によって生じる偽解像を制御する(即ち、偽解像パターンに対応する露光量は抑え(露光量の増加小)、所望のコンタクトホールパターンの露光量を強調する(露光量の増加大))ような照明を行うことで、所望のコンタクトホールパターンをプレート500に解像力よく露光することができる。以下、その詳細について述べる。
【0041】
コンタクトホールのピッチが小さいと図18のマスク300aを用いて小σ照明をした場合には、投影光学系400の瞳面における回折光は、0次回折光を除き他の回折光は瞳外へ外れてしまう。図19に示すように、0次回折光10が生じ、他の回折次数の回折光は瞳面上において、回折光11乃至18のようになる。よって、0次以外の回折光は投影レンズの瞳の外へ出てしまい、このような条件のもとではパターンが形成されない。ここで、図19は、図18に示すマスク300aに小σ照明したときの投影光学系400の瞳面上の回折光の位置と、斜入射照明したときの回折光の移動する位置を示した模式図である。
【0042】
そこで、これらの回折光11乃至18が瞳に入るような照明をする必要がある。例えば、2つの回折光10及び15を例にとって、かかる回折光が図19に示す投影光学系400の瞳面の斜線領域に来るようにするには、図20で示される有効光源面において、暗い矩形の領域aで示されるように斜入射照明を設定する。10´及び15´で示される回折光はクロス及び斜線で示す矩形領域b1及びb2にそれぞれ移動し、投影光学系400の瞳両端に入射することになる。一つの矩形で示される有効光源で2つの回折光が瞳に入射し、両者の干渉によりプレート500に等ピッチの直線状の干渉縞が形成される。同様に、2つの回折光10及び17においても10及び15で説明した斜入射照明を設定することができる。このような矩形の有効光源領域を図21に示すように4つ組み合わせることにより、プレート500には縦と横の等ピッチ直線状の干渉縞が形成され、光強度の重なった交点に強度が大きい部分と小さい部分が2次元周期的に現れる。このときの有効光源形状は図22(a)に示すように、十字に配置された瞳の半径方向に直交する方向に長手を有する4つの矩形となる。
【0043】
図18に示すマスク300aでは、所望のコンタクトホールパターンのホール径の大きさが、補助パターンより大きくしてあるので、その部分のみ周辺より強度が大きく、所望のコンタクトホールパターンがプレート500に形成されることになる。しかしながら、単に十字型の斜入射照明をしただけでは、プレート500には、図23(a)及び(b)に示すように偽解像パターンが生じてしまい、所望のコンタクトホールパターン以外にも不必要なパターンが生まれてしまう(ここで、図23は右側の開口絞りの開口形状に対応したプレート500での解像パターンのシミュレーションを示した図である)。
【0044】
つまり、露光量で考えると、図24に示す細い実線で描かれた波線のようになり、所望径露光量レベル(レジストの閾値)においては、所望パターンP1の間に偽解像パターンP2が生じてしまっているのである(ここで、図24は十字斜入射照明及び本発明の変形照明における露光量及び当該露光量に対応するプレート500での像を示した図である)。
【0045】
そこで、図19に示すように、瞳面上で2つの回折光位置を直線的に結んで表わされる領域cを除き、少なくとも1つの回折光のみ瞳面に入射する有効光源分布を加える。この場合は一つの回折光としては0次光とするのが斜入射角を小さくできるので都合がよい。図25に有効光源分布の一例を示す。このような照明を行うためには、例えば、1つの回折光10´が瞳面において暗い扇型の領域aとして示されるように照明を設定すればよい。これにより、10´で示される回折光は明るい扇型として示される領域bにそれぞれ移動し、回折光が瞳面320に入射することになる。このような条件に相当するものは合計4つ存在し、結局図22(b)に示すような形の有効光源となる。
【0046】
このように、照明系は、2つの回折光が瞳に入射する有効光源分布(図22(a)参照)を足し合わせた、図22(c)に示されるような中央が十字状に抜けた有効光源を持つ変形照明を行うことができる。このような有効光源分布を有する変形照明を行うことで、プレート500面上では、図23(c)に示すように偽解像が消滅して所望のパターンのみを得られることが理解される。
【0047】
つまり、プレート500での露光量は図24に示す太い実線で描かれた波線のようになり、所望径露光量レベル(レジストの閾値)において、マスクの所望のパターンに相当する部分の露光量のみが増加され、偽解像パターンが消失した所望パターンP3のみを得ることができるのである。
【0048】
以上より、図18のマスク300aに対して、図22(c)のような有効光源分布を有する変形照明を行うことで、コンタクトホールパターンの解像度がよくなることがわかる。
【0049】
本変形例では、図22(c)の有効光源分布のうち、コンタクトホールを解像するための照明を行うための部分を領域1とし、その照明によって生じる偽解像を抑制する(所望のコンタクトホールパターンと補助パターンのコントラストをよくする)照明を行うための部分を領域2とする(参照:図26)。
【0050】
このような領域1と領域2を有する有効光源分布を作るために、八重極プリズム244の8つの分割領域Q1、Q2、Q3、Q4、Q5、Q6、Q7及びQ8が等分割されていないものを使うとよい。図12は、等分割されていない八重極プリズム244の光軸に対して垂直方向の概略断面図である。図12を参照するに、八重極プリズム244は、縦横方向の領域R1、R3、R5及びR7が拡大され、斜め方向の領域R2、R4、R6及びR8が縮小されている。かかる八重極プリズム244は、図13に示すような有効光源分布を形成する。図13は、図12に示す八重極プリズム244が形成する有効光源分布の一例を示す概略図である。
【0051】
を参照するに、領域U1、U2、U3、U4、U5、U6、U7、U8(即ち、斜線部分)が部分有効光源(明部)である。コンタクトホールの解像力を決定する領域1(有効光源領域U1、U3、U5及びU7(一の照射領域))を投影光学系400の瞳上で光軸から遠くに配置し(空間コヒーレンス(σ)を大きくし)、且つ、その光量を大きくしている。これに対して、斜め方向の領域2(有効光源領域U2、U4、U6及びU8(他の照射領域))は、特に、偽解像を抑制する(所望のコンタクトホールパターンと補助パターンのコントラストをよくする)のに寄与する部分であり、投影光学系400の瞳上で光軸から近くに配置し(空間コヒーレンス(σ)を小さくし)、且つ、その光量を小さくしている。
【0052】
上述したズーミング手段246と同様のズーミング手段(不図示)により、図13に示すような有効光源分布の領域1(本変形例においては、縦横方向の領域U1、U3、U5及びU7)を変位可能とすることで、領域1を領域2(本変形例においては、斜め方向の領域U2、U4、U6及びU8)に対して相対的に変位させ、マスク上のコンタクトホールの寸法や配列が変化した場合でも瞬時に照明条件を最適化することができる。つまり、形成させたいコンタクトホールパターンに応じて、領域1と領域2の相対位置を変化させることで、補助パターンのアシスト効果がそのコンタクトホールパターンの解像にとって最適となるようにできるのである。
【0053】
なお、本変形例では、有効光源分布の領域1を変位可能としたが、領域2を変位可能としてもよく、領域1及び領域2のどちらも変位可能としてもよい。
<変形例3>
次に、図14及び図15を参照して、有効光源形成手段240の変形例である有効光源形成手段250について説明する。図14は、有効光源形成手段240の変形例である有効光源形成手段250を含む投影露光装置100Aを示す概略構成図である。有効光源形成手段250は、図1に示す有効光源形成手段240と比べて、複数の変形照明形成素子252a乃至252eを切り替え手段255で切り替えられるようにした点が異なる。図15は、図14に示す切り替え手段255を有する有効光源形成手段250の一例を示す概略平面図である。
【0054】
切り替え手段255は、ターレット状になっていて、その回転中心をTT´とし、その周囲に複数の変形照明形成素子252a乃至252eを配置している。変形照明形成素子252a乃至252eは、プリズムでも回折光学素子(例えば、BO(Bainary Optics)やCGH(Computer Generated Hologram)の技術を用いて作成される)でもよく、さらには、変形照明形成素子252a乃至252eうちのいずれかが上述した部分ズーミング手段246と同様の部分ズーミング手段(不図示)により、部分有効光源の一部を変位可能とするものであってもよい。例えば、変形照明形成素子252aは、図示しない部分ズーミング手段をもつ四重極形成素子であり、変形照明形成素子252bは、図示しない部分ズーミング手段をもつ八重極形成素子である。また、あるいは、それぞれの素子は部分ズーミング手段をもたず有効光源分布は固定ではあるが、それらを互いに切り替えることにより、ターレット全体として部分ズーミング機能をもたせることもできる。
【0055】
以上の構成において、照明光学系220は、ズーム機能を有する第1のズームコンデンサーレンズ223を含んでいるので、各有効光源領域の光軸からの距離(例えば、図13中のRsとRo)の比率を一定に保ったままその大きさ(σ値)を変えることができる。なお、変形照明光学素子252に回折光学素子を用いる場合には、第1のズームコンデンサーレンズ223を、均一化素子222の射出端面とインテグレーター224の入射面とをフーリエ変換の関係(本明細書において、フーリエ変換の関係とは、光学的に瞳面と物体面(又は像面)、物体面(又は像面)と瞳面となる関係を意味する)とする第1のズームコンデンサーレンズ223aとすればよい。
【0056】
以上の本実施形態においては、部分的な有効光源は常に照明光学系220の光軸に対称に変位させている。例えば、図8では光軸OO´に垂直な線V−V´に対して線対称に有効光源の一部を変位させており、また、図11では、光軸OO´に点対称に有効光源の一部を変位させている。これによって、変位前後でも部分有効光源の光重心は移動しないので、テレセン度を維持することができる(図8のように、光軸OO´に垂直な線V−V´に対して線対称に有効光源の一部を変位させた場合には、少なくとも線V−V´に垂直なH−H´方向においてテレセン度を維持することができる)。
【0057】
更に、本発明は、部分的な有効光源を光軸に非対称に変位することも含む。例えば、図8に示した有効光源分布において、領域S2だけをH−H´方向に変位するようにしてもよい。これを可能にするためには、ズームング手段を四重極プリズム242の領域P2だけに作用させればよい。本来、部分有効光源S1乃至S4内の光量分布は均一であるのが理想であるが、実際には種々の製造誤差で不均一になってしまうので、見かけ上の光軸からの距離Rhを揃えても、それに光量分布を乗じた光量モーメントは領域S2と領域S4とで異なってくる。かかる場合に、領域S2だけをH−H´方向に変位させれば、光量モーメントを揃えられ、結果としてテレセン度を良好にすることができる。
【0058】
再び、図1に戻って、マスク300は、例えば、石英製で、その上には転写されるべき回路パターン(又は像)が形成され、図示しないマスクステージに支持及び駆動される。マスク300から発せられた回折光は投影光学系400を通りプレート500上に投影される。マスク300とプレート500とは共役の関係に配置される。露光装置100は、ステップアンドスキャン方式の露光装置であるため、マスク300とプレート500を走査することによりマスクパターンをプレート500上に縮小投影する。
【0059】
投影光学系400は、物体面(例えば、マスク300)からの光束を像面(例えば、プレート500などの被処理体)に結像する。投影光学系400の内部には図示しない絞り面があり、かかる絞り面の開閉により開口数(NA)を制御する。かかる絞り面は、インテグレーター224の射出面と光学的に共役な関係にある。投影光学系400は、複数のレンズ素子のみからなる光学系、複数のレンズ素子と少なくとも一枚の凹面鏡とを有する光学系(カタディオプトリック光学系)、複数のレンズ素子と少なくとも一枚のキノフォームなどの回折光学素子とを有する光学系、全ミラー型の光学系等を使用することができる。色収差の補正の必要な場合には、互いに分散値(アッベ値)の異なるガラス材からなる複数のレンズ素子を使用したり、回折光学素子をレンズ素子と逆方向の分散が生じるように構成したりする。
【0060】
プレート500は、本実施形態ではウェハであるが、液晶基板その他の被処理体(被露光体)を広く含む。プレート500には、フォトレジストが塗布されている。フォトレジスト塗布工程は、前処理と、密着性向上剤塗布処理と、フォトレジスト塗布処理と、プリベーク処理とを含む。前処理は、洗浄、乾燥などを含む。密着性向上剤塗布処理は、フォトレジストと下地との密着性を高めるための表面改質(即ち、界面活性剤塗布による疎水性化)処理であり、HMDS(Hexamethyl−disilazane)などの有機膜をコート又は蒸気処理する。プリベークは、ベーキング(焼成)工程であるが現像後のそれよりもソフトであり、溶剤を除去する。
【0061】
プレート500は、図示しないプレートステージに支持される。プレートステージは、当業界で周知のいかなる構成をも適用することができるので、ここでは詳しい構造及び動作の説明は省略する。例えば、プレートステージはリニアモータを利用してXY方向にプレート500を移動することができる。マスク300とプレート500は、例えば、同期走査され、図示しないプレートステージ及びマスクステージの位置は、例えば、レーザー干渉計などにより監視され、両者は一定の速度比率で駆動される。プレートステージは、例えば、ダンパを介して床等の上に支持されるステージ定盤上に設けられ、マスクステージ及び投影光学系400は、例えば、鏡筒定盤は床等に載置されたベースフレーム上にダンパ等を介して支持される図示しない鏡筒定盤上に設けられる。
【0062】
露光において、光源部210から発せられた光束は、照明光学系220によりマスク300を照明する。マスク300を通過してマスクパターンを反映する光は投影光学系400によりプレート500に結像される。
【0063】
露光装置100が使用する照明光学系200は、マスク300に形成された所望のパターンに応じて有効光源領域を移動させて最適な照明条件でマスク300を照明することができるので、高い解像度とスループットで経済性よくデバイス(半導体素子、LCD素子、撮像素子(CCDなど)、薄膜磁気ヘッドなど)を提供することができる。
【0064】
次に、図16及び図17を参照して、上述の露光装置100を利用したデバイスの製造方法の実施例を説明する。図16は、デバイス(ICやLSIなどの半導体チップ、LCD、CCD等)の製造を説明するためのフローチャートである。ここでは、半導体チップの製造を例に説明する。ステップ1(回路設計)では、デバイスの回路設計を行う。ステップ2(マスク製作)では、設計した回路パターンを形成したマスクを製作する。ステップ3(ウェハ製造)では、シリコンなどの材料を用いてウェハを製造する。ステップ4(ウェハプロセス)は前工程と呼ばれ、マスクとウェハを用いてリソグラフィー技術によってウェハ上に実際の回路を形成する。ステップ5(組み立て)は後工程と呼ばれ、ステップ4によって作成されたウェハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程(ダイシング、ボンディング)、パッケージング工程(チップ封入)等の工程を含む。ステップ6(検査)では、ステップ5で作成された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テストなどの検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷(ステップ7)される。
【0065】
図17は、ステップ4のウェハプロセスの詳細なフローチャートである。ステップ11(酸化)では、ウェハの表面を酸化させる。ステップ12(CVD)では、ウェハの表面に絶縁膜を形成する。ステップ13(電極形成)では、ウェハ上に電極を蒸着などによって形成する。ステップ14(イオン打ち込み)では、ウェハにイオンを打ち込む。ステップ15(レジスト処理)では、ウェハに感光剤を塗布する。ステップ16(露光)では、露光装置100によってマスクの回路パターンをウェハに露光する。ステップ17(現像)では、露光したウェハを現像する。ステップ18(エッチング)では、現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ19(レジスト剥離)では、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行うことによってウェハ上に多重に回路パターンが形成される。本実施形態のデバイス製造方法によれば従来よりも高品位のデバイスを製造することができる。
【0066】
以上、本発明の好ましい実施例を説明したが、本発明はこれらに限定されずその要旨の範囲内で様々な変形や変更が可能である。
【0067】
【発明の効果】
本発明の照明光学系によれば、マスク上の回路パターンに対して最適な照明条件を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の一側面としての露光装置の例示的一形態を示す概略構成図である。
【図2】 変形照明形成素子の一例である四重極プリズムを示す概略斜視図である。
【図3】 図2に示す四重極プリズムの光軸方向の概略断面図である。
【図4】 図2に示す四重極プリズムの光軸に対して垂直方向の概略断面図である。
【図5】 図2に示す四重極プリズムが形成する有効光源分布の一例を示す概略図である。
【図6】 図2に示す四重極プリズムが形成する有効光源分布の一例を示す概略図である。
【図7】 図3に示した凹形状プリズム及び凸形状プリズムを光軸周りに90度回転させた概略断面図である。
【図8】 図3及び図7に示す四重極プリズムが形成する有効光源分布を示す概略図である。
【図9】 変形照明形成素子の一例である八重極プリズムを示す概略斜視図である。
【図10】 図9に示す八重極プリズムの光軸に対して垂直方向の概略断面図である。
【図11】 図9に示す八重極プリズムが形成する有効光源分布の一例を示す概略図である。
【図12】 等分割されていない八重極プリズムの光軸に対して垂直方向の概略断面図である。
【図13】 図12に示す八重極プリズムが形成する有効光源分布の一例を示す概略図である。
【図14】 図1に示す有効光源形成手段の変形例である有効光源形成手段を含む投影露光装置の概略構成図である。
【図15】 有効光源形成手段の一例を示す概略平面図である。
【図16】 デバイス(ICやLSIなどの半導体チップ、LCD、CCD等)の製造を説明するためのフローチャートである。
【図17】 図16に示すステップ4のウェハプロセスの詳細なフローチャートである。
【図18】 変形例2で使用するマスクの概略を示す図である。
【図19】 図18に示すバイナリマスクに小σ照明したときの瞳面上の回折光の位置と、斜入射照明をしたときの回折光の移動する位置を示した模式図である。
【図20】 有効光源分布を説明するための模式図である。
【図21】 有効光源分布を説明するための模式図である。
【図22】 有効光源分布を説明するための模式図である。
【図23】 パターン面上での解像パターンのシミュレーションを示した図である。
【図24】 十字斜入射照明及び変形例2の変形照明における露光量及び当該露光量に対応するパターン上での像を示した図である。
【図25】 有効光源分布の一例を示す図である。
【図26】 有効光源分布を説明するための模式図である。
【符号の説明】
100 露光装置
200 照明装置
210 光源部
220 照明光学系
240 有効光源形成手段
242 四重極プリズム(変形照明形成素子)
244 八重極プリズム(変形照明形成素子)
252 変形照明形成素子
300 マスク
400 投影光学系
500 プレート
Claims (4)
- 光源からの光束で被照明面を照明する照明光学系であって、
前記被照明面とフーリエ変換の関係となる面に光量分布を形成するプリズムを有し、
該プリズムは、光軸方向に並んだ凹形状プリズム及び凸形状プリズムを有し、
該凹形状プリズム及び凸形状プリズムは、前記光軸方向に沿って視て複数の領域に分割されており、
前記凹形状プリズムの一の分割部材と前記凸形状プリズムの一の分割部材とを透過した光は、前記光量分布における一の照射領域を照射し、
前記凹形状プリズムの他の分割部材と前記凸形状プリズムの他の分割部材とを透過した光は、前記光量分布における他の照射領域を照射し、
前記凹形状プリズムの一の分割部材と前記凸形状プリズムの一の分割部材との間隔を、前記凹形状プリズムの他の分割部材と前記凸形状プリズムの他の分割部材との間隔と異ならせることで、前記一の照射領域と前記他の照射領域とのうちの前記一の照射領域のみを前記被照明面とフーリエ変換の関係となる面上で変位させることを特徴とする照明光学系。 - 前記凹形状プリズム及び前記凸形状プリズムは、前記光軸周りに90度間隔で等分割されていることを特徴とする請求項1記載の照明光学系。
- レチクルのパターンを被処理体に露光する露光装置であって、
被照明面に配置された前記レチクルを照明する請求項1又は2記載の照明光学系と、
前記レチクルのパターンを前記被処理体に投影する投影光学系とを有することを特徴とする露光装置。 - 請求項3記載の露光装置を用いて被処理体を露光するステップと、
露光された前記被処理体を現像するステップとを有することを特徴とするデバイス製造方法。
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