TWI612338B - 光學照明裝置、曝光裝置、曝光方法、以及元件製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種光學照明裝置，不僅能有效地抑制光量 損失，且能夠形成周方向偏光狀態的輪帶狀之照明瞳分佈。本發明的光學照明裝置，配置光束變換元件(50)，可依入射光束在所定面形成輪帶狀的光強度分布。該光束變換元件，用有旋光性的光學材料形成，由包括：依入射光束形成輪帶狀光強度分布中的第一圓弧狀區域分佈的第一基本元件(50A)，及形成第二圓弧狀區域分佈的第二基本元件(50B)，及形成第三圓弧狀區域分佈的第三基本元件(50C)，以及形成第四圓弧狀區域分佈的第四基本元件構成。該些各基本元件在沿光束之透過方向的厚度互異。

Description

光學照明裝置、曝光裝置、曝光方法、以及元 件製造方法
本發明為關於光束變換元件，光學照明裝置，曝光裝置，以及曝光方法。特別是關於半導體元件，攝影元件液晶顯示元件薄膜磁頭等的微元件，用微影蝕刻工程製造之際，使用的曝光裝置適用之光學照明裝置。
此種典型的曝光裝置，由光源射出的光束，透過光學積分器及蠅眼透鏡，由多數的光源形成實質的面光源之二次光源。二次光源(一般為光學照明裝置的照明瞳或在其近傍形成的照明瞳分佈)照出的光束，經配置在蠅眼透鏡的後側焦點面近傍之開口光圈限制後，射入聚光透鏡。
由該聚光透鏡聚集的光束，重疊地照明己形成所定之圖案的罩膜。透過該罩膜之圖案的光，通過光學投影系統在晶片上成像。如此，罩膜圖案投影曝光(複製)到晶片上。又，在罩膜形成的圖案己被高度積體化，該微細圖案要正確地複製到晶片上，在晶片上有均勻的照明度分佈是不可缺的。
例如在本申請人提出申請的日本專利第3246615號公報 中有揭露，為實現能將任意方向的微細圖案，忠實地複製之合適的照明條件，在蠅眼透鏡的後側焦點面形成輪帶狀的二次光源，將通過該輪帶狀的二次光源之光束，設定成以該周方向為偏光方向之直線偏光狀態(以下稱「周方向偏光狀態」)的技術。
[專利文獻1]日本專利第3246615號公報
但是，在上述的公報揭露的先前之技術，是將經蠅眼透鏡形成的圓形光束，再經有輪帶狀開口部的開口光圈限制形成輪帶狀的二次光源。結果，先前的技術，在開口光圈發生大量的光量損失，引發曝光裝置的通光量低下之不適合現象。
本發明之目的，為提供一種能有效地抑制光量損失，且成周方向偏光狀態的輪帶狀之照明瞳分佈。又，本發明因能有效抑制光量損失，且形成周方向偏光狀態的環狀照明瞳，另一目的為能夠在適切的照明條件下將任意方向的微細圖案忠實且高速地複製。
為解決上述的問題，本發明的第一形態，提供一種光束變換元件，依據入射光束在所定面形成所定的光強度分佈。該光束變換元件包含：第一基本元件，由有旋光性的光學材料形成，依據該入射光束，形成所述所定的光強度分佈之中的第一區域分佈；以及第二基本元件，由有旋光性的光學材料形成，依據該入射光束，形成所述所定的光強度分佈之中的第二區域分佈；其中，所述第一基本元件及第二基本元件，在沿著光的透過方向之厚度互異。
本第一形態的較佳形式，為該第一基本元件的厚度及該第二基本元件的厚度之設定，在使直線偏光射入時，形成該第一區域分佈的直線偏光之偏光方向，及形成第二區域分佈的直線偏光之偏光方向相異。又該些第一區域分佈及第二區域分佈的位置，被設定在前述之所定面之以所定點為中心的所定輪帶狀區域的至少一部份，通過該第一區域分佈與該第二區域分的光束，有以該所定輪帶狀區域的圓周方向為偏光方向之直線偏光為主成分的偏光狀態較佳。
此場合，該所定的光強度分佈，與該所定輪帶狀區域有幾乎同一形狀的外形，通過該第一區域分佈之光束的偏光狀態，有與沿該第一區域分佈的圓周方向之中心位置之該所定點為中心之圓的切線方向大約一致的直線偏光成分。該第二區域分佈通過之光束的偏光狀態，有與該第二區域分佈的沿圓周方向之中心位置之該所定點為中心的圓之切線方向大約一致的直線偏光成分較佳。或者，該所定的光強度分佈，為在該所定輪帶狀區域內分佈的多極狀，通過該第一區域分佈的光束之偏光狀態，有與該第一區域分佈的圓周方向之中心位置的該所定點為中心之圓的切線方向大約一致的直線偏光成分。通過該第二區域分佈之光束的偏光狀態，有與該第二區域分佈的圓周方向之中心位置的該所定點為中心之圓的切線方向大約一致的直線偏光成分較佳。
又，本第一形態的較佳形式，為該第一基本元件及該第二基本元件，用對使用波長之光有100度/mm以上的旋光能之光學材料形成。又，該第一基本元件及該第二基本元件，用水晶形成較佳。又，該光束變換元件含有大約同個數的該一基本元件與該第二基本元件較佳。又，該第一基本元件及第二基本元件具有繞射作用或折射作用者較佳。
又，本第一形態的較佳形式為：該第一基本元件，依據該入射光束在該所定面上至少形成二個該第一區域分佈；該第二基本元件，依據該入射光束在該所定面上，至少形成二個該第二區域分佈較佳。又，較佳為更包括：第三基本元件，由有旋光性之光學材料形成，依據該入射光束形成該所定之光強度分佈之中的第三區域分佈；以及第四基本元件，由有旋光性的光學材料形成，依據該入射光束形成該所定之光強度分佈之中的第四區域分佈。
本發明的第二形態，提供一種光束變換元件，依據入射光束在所定面上，形成與該入射光束的斷面形狀不同形狀的所定之光強度分佈，該光束變換元件之特徵在於包括：折射面或繞射面，用以在該所定面上形成該所定的光強度分佈；該所定的光強度分佈，分佈在該所定面之以所定點為中心的所定之輪帶狀區域即所定輪帶狀區域的至少一部分，由該光束變換元件發出通過該所定輪帶狀區域之光束，具有：以該所定輪帶狀區域的圓周方向為偏光方向之直線偏光為主成分的偏光狀態。
依本第二形態的較佳形式，該所定的光強度分佈為多極形狀，又有輪帶狀的外形。又該光束變換元件，由有旋光性的光學材料形成較佳。
本發明的第三形態，提供一種光學照明裝置，基於來自光源的光束而對於被照射面進行照明，所述光學照明裝置的特徵在於包括：第一形態或第二形態的光束變換元件，變換來自所束光 源的光束，在該光學照明裝置的照明瞳或在其近傍形成照明瞳分佈。
本第三形態的較佳形式為，該光束變換元件構成為：能夠與其他特性相異之光束變換元件進行交換。又，較佳為，在該光束變換元件與該被照射面之間的光路中，增加配置波面分割型的光學積分器，該光束變換元件依據入射光束在該光學積分器的入射面，形成該所定的光強度分佈。
又依本第三形態的較佳形式，前述所定面上的光強度分佈，以及通過前述所定輪帶狀區域的該光束變換元件之光束的偏光狀態，二者之至少有一方之設定，考慮及配置在該光源與該被照射面之間的光路中之光學元件的影響。又，由該光束變換元件來的光束之偏光狀態，設定成使在該被照射面照射之光為以S偏光為主成分的偏光狀態較佳。
本發明的第四形態，提供一種曝光裝置，其特徵在於包括：該第三形態之光學照明裝置，用以照明罩膜，而將該罩膜的圖案曝光到感光性基板上。
依本第四形態的較佳形式，前述所定面上的光強度分佈，以及通過前述所定輪帶狀區域的該光束變換元件來的光束之偏光狀態，二者之至少有一方之設定，考慮配置在該光源與該感光性基板之間的光路中之光學元件的影響。又由該光束變換元件來的光束之偏光狀態，設定成在該感光性基板照射之光，為以S偏光為主成分的偏光狀態較佳。
本發明的第五形態，提供一種曝光方法，其特徵為包括：使用第三形態的照明裝置照明罩膜的照明工程，以及將該罩膜的圖案曝光到感光性基板上的曝光工程。
依本第五形態的較佳形式，前述所定面上的光強度分佈，以及通過前述所定輪帶狀區域的該光束變換元件的光束之偏光狀態，二者之至少有一方之設定，考慮及配置在該光源與該感光性基板之間的光學元件之影響。又，將該光束變換元件發出的光束之偏光狀態，設定成在該感光性基板照射之光，為以S偏光為主成分的偏光狀態較佳。
本發明的光學照明裝置，異於先前的裝置，在開口光圈不發生大量的光量損失，利用光束變換元件的光學繞射元件之繞射作用及旋光作用，不發生實質的光量損失，能夠形成周方向偏光狀態的輪帶狀之照明瞳分佈。亦即本發明的光學照明裝置，能夠良好地抑制光量損失，且能形成周方向偏光狀態的輪帶狀之照明瞳分佈。
又，使用本發明之光學照明裝置的曝光裝置及曝光方法，因使用能夠良好地抑制光量損失，而且能形成周方向偏光狀態的輪帶狀照明窗分佈的光學照明裝置，故能夠在適切的照明條件下，忠實且高速地複製任意方向的微小圖案，亦即能夠以高生產率製造良好的元件。
1‧‧‧光源
4‧‧‧偏光狀態切換裝置
4a‧‧‧1/4波長板
4b‧‧‧1/2波長板
5,50‧‧‧光學繞射元件(光束變換元件)
6‧‧‧無焦透鏡
8‧‧‧圓錐旋轉三稜鏡系統
9,10‧‧‧圓柱形透鏡偶
11‧‧‧變焦距透鏡
12‧‧‧微蠅眼透鏡
13‧‧‧偏光監視器
13a‧‧‧第一光束分離器
13b‧‧‧第二光束分離器
14‧‧‧光學聚光系統
15‧‧‧罩膜遮蔽體
16‧‧‧光學成像系統
31‧‧‧輪帶狀二次光源
31A~31D‧‧‧圓弧狀區域
50A~50D‧‧‧基本元件
M‧‧‧罩膜
PL‧‧‧光學投影系統
W‧‧‧晶圓
圖1繪示本發明之實施例的配備光學照明裝置之曝光裝置的構造概略圖。
圖2繪示在輪帶狀照明形成輪帶狀的二次光源。
圖3繪示圖1中，在無焦距透鏡的前側透鏡群與後側透鏡群之間的光路中，配置的圓錐旋轉三稜鏡系統的構造之概略圖。
圖4繪示圓錐旋轉三稜鏡系統對輪帶狀的二次光源之作用的說明圖。
圖5繪示變焦距透鏡對輪帶狀二次光源之作用的說明 圖。
圖6繪示在圖1中，在無焦透鏡的前側透鏡群與後側透鏡群之間的光路中，配置的第一圓柱形透鏡偶及第二圓柱形透鏡偶的構造之概略圖。
圖7為說明第一圓柱形透鏡偶及第二圓柱形透鏡偶對輪帶狀二次光源之作用的第一圖。
圖8為說明第一圓柱形透鏡偶及第二圓柱形透鏡偶對輪帶狀二次光源之作用的第二圖。
圖9為說明第一圓柱形透鏡偶及第二圓柱形透鏡偶對輪帶狀二次光源之作用的第三圖。
圖10繪示圖1之偏光監視器的內部構造之概略的斜視圖。
圖11繪示本實施例的周方向偏光輪帶狀照明用的光學繞射元件之構造的概略圖。
圖12繪示設定成周方向偏光狀態的輪帶狀二次光源之概略圖。
圖13繪示第一基本元件之作用的說明圖。
圖14繪示第二基本元件之作用的說明圖。
圖15繪示第三基本元件之作用的說明圖。
圖16繪示第四基本元件之作用的說明圖。
圖17繪示水晶之旋光性的說明圖。
圖18的(a)繪示由沿周方向互相離開的八個圓弧狀區域形成的周方向偏光狀態的八極狀二次光源。
圖18的(b)繪示由沿周方向互相離開的四個圓弧狀區域形成的周方向偏光狀態的四極狀二次光源。
圖19繪示沿圓周向互相重複的八圓弧狀區域形成的周 方向偏光狀態的輪帶狀二次光源。
圖20的(a)繪示由沿周方向互相離開的六個區域形成的周方向偏光狀態之六極狀二次光源。
圖20的(b)繪示由沿周方向互相離開的複數個區域以及光軸上的區域形成的周方向偏光狀態之二次光源。
圖21繪示沿周方向偏光輪帶狀照明用的光學繞射元件的光射入側之面平面化之例。
圖22繪示製造微元件的半導體元件之程序的流程圖。
圖23繪示製造微元件的液晶顯示元件之程序的流程圖。
以下，依據所附圖面說明本發明的實施例。
圖1示本發明實施例之配備光學照明裝置的曝光裝置之構造的概略圖。在圖1中，設定作為感光性基板的晶圓W的法線方向為Z軸，在晶圓W的面內與圖1之紙面平行方向為Y軸，在晶圓W的面內與圖1之紙面垂直方向為X軸。本實施例的曝光裝置設有光源1供給曝光用之光(照明光)。
光源1可使用例如供給波長248nm之光的KrF準分子雷射(Excimer Laser)光源，或供給波長193nm之光的ArF準分子雷射光源。由光源1沿Z方向射出的大約平的光束，在沿X方向延伸形成細長的矩形斷面，射入由一對透鏡2a及2b形成的光束擴大器2。各透鏡2a及2b在圖1的紙面內(YZ平面內)分別具有負的反射力及正反射力。因此入射光束擴大器2的光束，在圖1的紙面內被擴大，被整形成有所定之短形斷面的光束。
通過有光學整形系統功能的光束擴大器2之大約平行的光束，在偏向鏡3被轉向Y方向後，通過1/4波長板4a，1/2波長板4b、消偏振鏡(非偏光化元件)4c、以及輪帶狀照明用的光學繞 射元件5，射入無焦透鏡(Afocal lense)6。此處之1/4波長板4a，1/2波長板4b，及消偏振鏡4c為如後述之構成偏光狀態切換裝置4。該無焦透鏡6為光學無焦點系統，被設定成該前側焦點位置與光學繞射元件5的位置大約一致，且該後側焦點位置與圖中虛線所示的所定面7的位置大約一致。
一般，光學繞射元件為可在基板形成有階差之構造，所述階差具有曝光的光(照明光)的波長程度的間隔(pitch)，有使入射光束向所希望之角度繞射之作用。具體的說，輪帶狀照明用的光學繞射元件5，在矩形斷面的平行光束入射之場合，有在其遠場(Far Field又稱Fraunhofer繞射區域)形成輪帶狀的光強度分佈之機能。因此，射入當做光束變換元件的光學繞射元件5的大約平行之光束，在無焦透鏡6的瞳面形成輪帶狀的光強度分佈後，成約略平行光束由無焦透鏡6射出。
又，在無焦透鏡6的前側透鏡群6a及後側透鏡群6b之間的光路中，在其瞳面或瞳面近傍，由光源側起依順序配置有圓錐旋轉三稜鏡系統8，第一圓柱形透鏡偶9，以及第二圓柱形透鏡偶10，該些的詳細構造及作用以後再述。以下為簡化說明，暫時忽視圓錐旋轉三稜鏡系統8，第一圓柱形透鏡偶9，及第二圓柱形透鏡偶10的作用，僅說明基本的構造及作用。
透過無焦透鏡6的光束，通過值變更用的變焦距透鏡11(Zoom Lense)，射入做為光學積分器的微蠅眼透鏡12(又叫蠅眼透鏡)。微蠅眼透鏡12，為由有正折射力的多數之微小透鏡縱橫且稠密配列的光學元件。一般情況，該微蠅眼透鏡，例如在平行平面板，施行蝕刻處理形成微小透鏡群之方式構成。
此處，構成微蠅眼透鏡的各微小透鏡，較構成蠅眼透鏡的各透鏡元件更微小。又，微蠅眼透鏡與由互相隔絕的透鏡元件 構成的蠅眼透鏡不同，係多數的微小透鏡(微小折射面)未互相隔絕一體化形成。然而，由於有正折射力的透鏡元件縱橫配置之點，微蠅眼透鏡與蠅眼透鏡同屬波面分割型之光學積分器。
所定面7的位置就在變焦距透鏡11的前側焦點位置近傍，微蠅眼透鏡12的入射面配置在變焦距透鏡11的後側焦點位置近傍。換言之，變焦距透鏡11將所定面7與微蠅眼透鏡12的入射面實質的成傳里葉變換(Fourier Transformation)之關係配置，亦即無焦透鏡6的瞳面與微蠅眼透鏡12的入射面，成光學的大約共軛之配置。
因此，在微蠅眼透鏡12的入射面上，與無焦透鏡6的瞳面同樣地，形成列如以光軸AX為中心的輪帶狀之照域。該輪帶狀之照域的全體形狀，隨變焦距透鏡11的焦點距離，做相似的變化。構成微蠅眼透鏡12的各微小透鏡，與在罩膜M上形成的全部照域之形狀(在晶圓W上形成的全部曝光區域之形狀)有相似的矩形斷面。
射入微蠅眼透鏡12的光束，由多數的微小透鏡分割成二次元化，在該後側焦點面(照明瞳)，如圖2所示，形成與由入射光束形成之照域大約相同光強度分佈的二次光源，即由以光軸AX為中心的輪帶狀之實質的面光源形成的二次光源。由在微蠅眼透鏡12的後側焦點面形成的二次光源(一般為光學照明裝置的瞳面或在其近傍形成的照明瞳分佈)射出的光束，通過光束分離器13a及光學聚光系統14後，重疊的照明罩膜遮蔽體15。
如此，在做為照明視野光圈的罩膜遮蔽體15，對應構成微蠅眼透鏡12之各微小透鏡的形狀與焦點距離形成矩形的照域。又關於內藏光束分離器13a的偏光監視器13的內部構成及作用，以後再說明。通過罩膜遮蔽體15之矩形開口部(光透過部)的光 束，在受到光學成像系統16的聚光作用後，重疊照明己形成所定之圖案的罩膜M。
即光學成像系統16，將罩膜遮蔽體15之矩形開口部的像，在罩膜上形成。透過罩膜M之圖案的光束，通過光學投影系統PL，在感光基板的晶圓W上形成罩膜圖案的像。如此，在與光學投影系統PL的光軸AX直交的平面(XY面)內，一面施行二次元的驅動控制晶圓，一面進行總括曝光或掃瞄曝光，將罩膜M的圖案逐次在晶圓W的各曝光區域曝光。
又，在偏光狀態切換裝置4中，該1/4波長板4a，其光學結晶軸可以光軸AX為中心自在的回轉，將射入的橢圓偏光之光線，變換為直線偏光之光。又1/2波長板4b，其光學結晶軸，可以光軸AX為中心自在回轉，可變化射入的直線偏光的偏光面。又，消偏振鏡(Depolairzer)4c，由互補形狀的楔形水晶稜鏡(未圖示)及楔形石英稜鏡(未圖示)構成。該水晶稜鏡與石英稜鏡，為成一體的稜鏡組合體，可對照明光路進退自在之構造。
使用KrF準分子雷射光源或ArF準分子雷射光源作為光源1之場合，由該些光源射出的光為典型的有95%以上的偏光度，對1/4波長板4a射入大略直線偏光的光。但在光源1與偏光狀態切換裝置4之間的光路中有做為裡面反射鏡的直角稜鏡介在之場合，如射入之直線偏光的偏光面與P偏光面或S偏光面不一致時，由於直角稜鏡的全反射直線偏光會變成橢圓偏光。
在偏光狀態切換裝置4，例如在直角稜鏡的全反射引起的橢圓偏光之光射入，亦可由1/4波長板4a的作用變換成直線偏光之光，射入1/2波長板4b。1/2波長板4b的光學結晶軸設定為對射入的直線偏光之偏光面形成0度或90度角度之場合，射入1/2波長板4b的直線偏光的光偏光面不會變化，保持原狀通過。
又，1/2波長板4b的光學結晶軸設定為對射入的直線偏光之偏光面成45度的角度之場合，射入水晶稜鏡的直線偏光之光，被變換成非偏光狀態(非偏光化)之光。
在偏光狀態切換裝置4中，該消偏振鏡4c在照明光路中的位置，配置在使該水晶稜鏡的光學結晶軸，對射入的直線偏光之偏光面形成45度的角度之位置。另外，如設定成該水稜鏡的光學結晶軸，對射入的直線偏光之偏光面成0度或90度的角度時，水晶稜鏡對射入的直線偏光的光偏光面不發生變化，原狀通過。又如1/2波長板4b的光學結晶軸，設定成對射入的直線偏光的偏光面形成22.5度的角度時，射入該1/2波長板4b的直線偏光之光，變換成非偏光狀態的光，包含偏光面不變化直接通過的直線偏光成份，以及僅偏光面變化90度的直線偏光成份。
在偏光狀態切換裝置4，如上述有直線偏光射入1/2波長板4b，但以下之說明為簡化起見假定有圖1中之Z方向之偏光方向(電場之方向)的直線偏光(以下稱Z方向偏光)之光射入1/2波長板，在照明光路中的消偏振鏡4c的位置決定後之場合，如設定1/2波長板4b的光學結晶軸對射入之Z方向偏光的偏光面(偏光方向)成0度或90度之角度，則射入1/2波長板4b的Z方向偏光之光，不會變化仍然以Z方向偏光射入消偏振鏡4c的水晶稜鏡。因水晶稜鏡的光學結晶軸已設定成對射入的Z方向偏光之偏光面形成45度角度，故射入水晶稜鏡的Z方向偏光之光，被變換成非偏光狀態之光。
經水晶稜鏡非偏光化的光，為了補償光的進行方向，再經當做補償器的石英稜鏡，以非偏光狀態射入光學繞射元件5。另一方面，如設定1/2波長板4b的光學結晶對入射之Z方向偏光的偏光面形成45度之角度，則射入1/2波長板4b的Z方向偏光之 光，僅偏光面變化90度，形成向圖1中的X方向之偏光方向(電場之方向)的直線偏光(以下稱X方向偏光)之光，射入消偏振鏡4c的水晶稜鏡。因水晶稜鏡的光學結晶軸亦設定成對射入的X方向偏光之偏光面形成45度的角度，故射入水晶稜鏡的X方向偏光之光，被變換成非偏光狀態之光，經過石英稜鏡，以非偏光狀態射入光學繞射元件5。
對此，在將消偏振鏡4c退出照明光路之場合，如設定該1/2波長板4b的光學結晶軸，對射入之Z方向偏光的偏光面成0度或90度的角度，則射入1/2波長板4b的Z方向偏光之光，偏光面不變化仍以Z方向偏光通過，以Z方向偏光狀態射入光學繞射元件5。另一方面，如設定該1/2波長板4b的光學結晶軸，對射入之Z方向偏光的偏光面成45度的角度，則射入1/2波長板4b的Z方向偏光之光，僅偏光面變化90度變成X方向偏光之光，以X方向偏光狀態射入光學繞射元件5。
如以上所述，偏光狀態切換裝置4，利用消偏振鏡4c在照明光路中插入並決定其位置，可將上述偏光變換成非偏光狀態射入光學繞射元件。又，把消偏振鏡4c由照明光路退出，且設定1/2波長板4b的光學結晶軸，對射入的Z方向偏光之偏光面成0度或90度的角度，則可將Z方向偏光狀態的光射入光學繞射元件5。再者，把消偏振鏡4c自照明光路退出，且設定1/2波長板4b的光學結晶軸，對射入的Z方向偏光之偏光面成45度之角度，則將X方向偏光狀態之光射入光學繞射元件5。
換言之，在偏光狀態切換裝置4，利用1/4波長板4a與1/2波長板4b，以及消偏振鏡4c構成的偏光狀態切換裝置的作用，可將向光學繞射元件之入射光的偏光狀態(在後述之本發明的周方向偏光輪帶狀照明用的光學繞射元件以外，使用通常的光學繞 射元件之場合，為罩膜M及晶圓W照明之光的偏光狀態)，在直線偏光狀態與非偏光狀態之間切換。在直線偏光狀態之場合，可在互相直交的偏光狀態間(Z方向偏光與X方向偏光之間)切換。
圖3繪示在圖1的無焦透鏡6的前側透鏡群與後側透鏡群之間的光路中，配置的圓錐旋轉三稜鏡系統的構成之概略圖。該圓錐旋轉三稜鏡系統8，由第一稜鏡元件8a以及二稜鏡元件8b構成，由光源側順序排列配置，該第一稜鏡元件8a向光源側之面成平面，向罩膜側之面為凹圓錐形曲折面；該第二稜鏡元件8b，則向罩膜側之面為平面，向光源側之面成凸圓錐形的曲折面。
該第一稜鏡元件8a的凹圓錐形曲折面，與第二稜鏡元件8b的凸圓錐形曲折面，為可對接的互補形形狀。又，第一稜鏡元件8a及第二稜鏡元件8b之中，至少有一個元件為可沿光軸AX移動之構造，且第一稜鏡元件8a的凹圓錐形彎曲折面與與第二稜鏡元件8b的凸圓錐形彎曲折面的間隔為可變的構造。
此處，第一稜鏡元件8a的凹圓錐形曲折面，與第二稜鏡元件8b的凸圓錐形曲折面，在互相接合之狀態時，圓錐旋轉三稜鏡系統8僅做為平行平面板之機能，對形成之輪帶狀的二次光源沒有影響。但在第一稜鏡元件8a的凹圓錐形曲折面，與第二稜鏡元件8b的凸圓錐形曲折面隔離時，圓錐旋轉三稜鏡系統8即有所謂光束擴大器之機能。因此，伴隨圓錐旋轉三稜鏡系統8的間隔變化，可變化對所定面7的入射光束之角度。
圖4為說明圓錐旋轉三稜鏡系統系統對輪帶狀之二次光源的作用的說明圖。參照圖4，在圓錐旋轉三稜鏡系統8的間隔為零，且變焦距透鏡11的焦點距離設定在最小值之狀態(以下稱標準狀態)形成的最小之輪帶狀二次光源30a，可隨著圓錐旋轉三稜鏡系統8的間隔由零擴大至所定之值，該二次光源30a的寬度(外徑 與入徑之差的1/2，圖中用箭印表示)不變，其外徑及內徑變化形成輪帶狀二次光源30b。換言之，因圓錐旋轉三稜鏡系統8的作用，該輪帶狀二次光源的寬度不會變化，僅該輪胎比內徑/外徑)及大小(外徑)一起變化。
圖5說明變焦距透鏡11對輪帶狀二次光源的作用。參照圖5，在標準狀態形成的輪帶狀二次光源30a，因變焦距透鏡11的焦點距離，從最小值擴大至所定之值，變化成其全體形狀相似的擴大的輪帶狀二次光源30。換言之，因變焦距透鏡11的作用，輪帶狀二次光源的輪胎比不變，其寬度及大小(外徑)一起變化。
圖6為圖1的無焦透鏡6在前側鏡群與後側鏡群之間的光路中配置的第一圓柱形透鏡偶9及第二圓柱形透鏡偶10之構造的概略圖。在圖6中，由光源側第一圓柱形透鏡偶9及第二圓柱形透鏡偶10，依順序配置。第一圓柱形透鏡偶9，由光源側起依序配置，例如在YZ平面內有負折射力且在XY平面內無折射力的第一圓柱形負透鏡9a，以及在同一YZ平面內有正折射力且在XY平面內無折射力的第一圓柱形正透鏡9b。
另一方的第二圓柱形透鏡偶10，由光源側起依序配設，例如在XY平面內有負折射力，且在YZ平面內無折射力的第二圓柱形負透鏡10a，以及在同樣XY平面內有正折射力且在YZ平面內無折射力的第二圓柱形正透鏡10b。該第一圓柱形負透鏡9a與第一圓柱形正透鏡9b，為以光軸AX為中心成一體化旋轉之構造。同樣地，該第二圓柱形負透鏡10A與第二圓柱形正透鏡10b，為以光軸AX為中心成一體化旋轉之構造。
在圖6所示之狀態，第一圓柱形透鏡偶9有向Z方向光束擴張功率之機能，第二圓柱形透鏡偶10有向X方向光束擴張功率之機能。又，第一圓柱形透鏡偶9的功率與第二圓柱形透鏡偶 10的功率，設定成互同。
圖7至圖9為說明第一圓柱形透鏡偶9及第二圓柱形透鏡偶10對輪帶狀二次光源的作用之圖。圖7之中，設定第一圓柱形透鏡偶9的功率方向為由光軸AX對Z軸轉+45度之角度；第二圓柱形透鏡偶10的功率方向為由光軸對Z軸轉-45度之角度。
因此，第一圓柱形透鏡偶9的功率方向與第二圓柱形透鏡偶10的功率方向互相直交，在第一圓柱形透鏡偶9與第二圓柱形透鏡偶10的合成系統中，z方向的功率與x方向的功率相同。其結果，如圖7所示的正圓狀態，通過第一圓柱形透鏡偶9與第二圓柱形透鏡偶10的合成系統之光束，在z方向及x方向受到同樣功率之擴大作同，在照明瞳形成正圓的輪帶狀二次光源。
與上述對比，圖8之中，設定第一圓柱形透鏡偶9的功率方向為由光軸AX對Z軸轉例如+80度之角度，第二圓柱形透鏡偶10的功率方向為由光軸AX對Z軸轉-80度之角度。因此，在第一圓柱形透鏡偶9與第二圓柱形透鏡偶10的合成系統中，Z方向的功率小，X方向的功率較大。其結果，如圖8所示的橫橢圓狀態，通過第一圓柱形透鏡偶9與第二圓柱形透鏡偶10之合成系統的光束，在X方向受到較Z方向更大的擴大作用之功率，在照明瞳形成X方向細長的橫形輪帶狀二次光源。
又，圖9中，設定第一圓柱形透鏡偶9的功率方向，由光軸AX對Z軸轉例如+10度之角度，第二圓柱形透鏡偶10的功率方向由光軸對Z軸轉-10度之角度。則在第一圓柱形透鏡偶9與第二圓柱形透鏡偶10的合成系統中，X方向的功率小，Z方向的功率較大。其結果如圖9所示的縱橢圓狀態，通過第一圓柱形透鏡偶9與第二圓柱形透鏡偶10之合成系統的光束，在Z方向受到較X方向更大的功率之擴大作用，在照明瞳形成Z方向細長的縱 向之輪帶狀二次光源。
又，將第一圓柱形透鏡偶9及第二圓柱形透鏡偶10，設定成如圖7所示的正圓狀態與圖8所示的橫橢圓狀態之間的任意狀態，能夠形成各種縱橫比例的橫長輪帶狀二次光源。再如將第一圓柱形透鏡偶9及第二圓柱形透鏡偶10，設定成圖7所示的正圓狀態與圖9所的縱橢圓狀態之間的任意狀態，就能夠形成各種縱橫比例的縱長輪帶狀之二次光源。
圖10繪示圖1中之偏光監視器的內部構成之概略斜視圖。參照圖10，偏光監視器13設有第一光束分離器13a，配置在微蠅眼透鏡12與光學聚光系統14之間的光路中。該第一光束分離器13a，為例如由石英玻璃形成的未塗裝的平行平面板(即原玻璃)，有將與入射光的偏光狀態不同的偏光狀態之反射光，自光路取出之機能。
由第一光束分離器13a取出的光，射入第二光束分離器13b。該第二光束分離器13b，與第一光束分離器13a同樣例如由石英玻璃形成的未塗裝之平行平面板。有發生與入射光的偏光狀態不同之偏光狀態的反射光之機能。然後設定成對第一光束分離器13a的P偏光，成為對第二光束分離器13b的S偏光，且對第一光束分離器13a的S偏光成為對第二光束分離器13b的P偏光。
又，透過第二光束分離器13b的光，被第一光強度檢測器13c檢測出；在第二光束分離器13b反射的光，由第二光強度檢測器13d檢測出。第一光強度檢測器13c及第二光強度檢測器13d的輸出，分別供給控制部(未圖示)。控制部則依必要驅動構成偏光狀態切換裝置4的1/4波長板4a，1/2波長板4b，及消偏振鏡4c。
如上述，在第一光束分離器13a及第二光束分離器13b， 對P偏光的反射率與對S偏光的反射率，實質的不同。因此，在偏光監視器13，由第一光束分離器13a的反射光，包含例如第一光束分離器13a的入射光之約10%的S偏光成份(為對第一光束分離器13a的S偏光成份，對第二光束分離器13b的P偏光成份)；以及例如第一光束分離器13a的入射光之約1%的P偏光成份(為對第一光束分離器13a的P偏光成份，對第二光束分離器13b的S偏光成份)。
又，第二光束分離器13b的反射光，包含例如第一光束分離器13a的入射光之10%×1%=0.1%左右的P偏光成份(為對第一光束分離器13a的P偏光成份，對第二光束分離器13b之S偏光成份)；以及例如第一光束分離器13a的入射光之10%×1%=0.1%左右的S偏光成份(為對第一光束分離器13a的S偏光成份，對第二光束分離器13b的P偏光成份)。
如上述，在偏光監視器13中，第一光束分離器13a，有對應該反射特性，自光路取出與入射光之偏光狀態不同的偏光狀態之反射光的機能。其結果，因第二光束分離器13b的偏光特性影響偏光變動極小，所以依據第一光強度檢測器13c的輸出(第二光束分離器13b的透光之強度有關之情報，亦即與第一光束分離器13a的反射光大約相同偏光狀態之光的強度之情報)，就能測知第一光束分離器13入射光之偏光狀態(偏光度)，亦即能測知罩膜M的照明光之偏光狀態。
又，在偏光監視器13中，設定對第一光束分離器13a的P偏光成為對第二光束分離器13b的S偏光，且對第一光束分離器13a的S偏光成為對第二光束分離器13b的P偏光。其結果，依據第二光強度檢測器13d的輸出(在第一光束分離器13a及第二光束分離器13b順次反射之光的強度有關情報)，能夠測知第一光 束分離器13a之入射光的光量，亦即能測知罩膜M的照明光之光量(強度)，可實質地不受第一光束分離器13a的入射光之偏光狀態變化之影響。
如上述，利用偏光監器13，能測知第一光束分離器13a的入射光之偏光狀態，引伸可以判定罩膜M的照明光是否為所望的非偏光狀態或直線偏光狀態。然後，在控制部依據偏光監視器13的檢測結果，確認罩膜M(或晶圓W)的照明光不是所定的非偏光狀態或直線偏光狀態之場合，即驅動調整構成偏光狀態切換裝置4的1/4波長板4a，1/2波長板4b及消偏振鏡4c，可調整罩膜M的照明光之狀態，成為所望的非偏光狀態或直線偏光狀態。
又，輪帶狀照明用的光學繞射元件5，可用四極照明用的光學繞射元件(未圖示)取代，在照明光路中設置，就能施行四極照明。該四極照明用的光學繞射元件，在有矩形斷面的平行光束射入之場合，有在其遠場(Far Field)形成四極狀光強度分佈之機能。因此，通過四極照明用的光學繞射元件之光束，在微蠅眼透鏡12的入射面，形成以光軸AX為中心之有四個圓形狀之照域的四極狀照域。其結果，在微蠅眼透鏡12的後側焦點面，亦形成與該入射面形成之照域相同的四極狀之二次光源。
又，該輪帶狀照明用的光學繞射元件5，用圓形照明用的光學繞射元件5(未圖示)取代，設置於照明光路中，就能施行通常的圓形照明。該圓形照明用的光學繞射元件，在有矩形斷面的平行光束射入之場合，有在遠場形成圓形的光強度分佈之機能。因此，通過該圓形照明用的光學繞射元件之光束，在微蠅眼透鏡12的入射面，形成以光軸AX為中心之圓形照域形成的四極狀照域。其結果，在微蠅眼透鏡12的後側焦點面，亦形成與在該入射面形成之照域相同的圓形狀二次光源。
再者，該輪帶狀照明用的光學繞射元件5，用其他的複數極照明用的光學繞射元件(未圖示)取代，設定於照明光路中，就可施行各種的複數極照明(如二極照明，八極照明等)。同樣地，將輪帶狀照明用的光學繞射元件5，用有適當之特性的光學繞射元件(未圖示)取代設置於照明光路中，則能施行各種形態的變形照明。
本實施例，用所謂的周方向偏光輪帶狀照明用的光學繞射元件50，取代輪帶狀照明用的光學繞射元件5，設置於照明光路中，可將通過輪帶狀二次光源的光束設定成周方向偏光狀態的變形照明，亦即能施行周方向偏光的輪帶狀照明。圖11繪示本實施例的周方向偏光的輪帶狀照明用的光學繞射元件之構造的概略圖。又圖12繪示被設定成周方向偏光狀態的輪帶狀二次光源之概略圖。
參照圖11及圖12，本實施例的周方向偏光的照明用之光學繞射元件50，為具有互相同的矩形斷面且在沿光之透過方向(Y方向)的厚度(光軸方向之長度)互異的四種基本元件50A~50D，縱橫且稠密配置構成。此處，第一基本元件50A的厚度最大，第四基本元件50D的厚度最小，第二基本元件50B的厚度大於第三基本元件50C的厚度。
又，光學繞射元件50，包含大約同數量的第一基本元件50A、第二基本元件50B、第三基本元件50C，以及第四基本元件50D，且該些四種基本元件為隨機配置。而且，在各基本元件50A~50D的靠罩膜側形成繞射面(圖中斜線部份所示)，各基本元件50A~50D的繞射面，在與光軸AX(圖11中未示出)直交的一個平面整齊排列。其結果，光學繞射元件50的靠罩膜側之面為平面狀，但光學繞射元件50的靠光源側之面，則因各基本元件50A~50D的厚度相異，形成凹凸狀。
如上述，第一基本元件50A的繞射面之構造，可形成在圖12所示的輪帶狀二次光源31之中，對通過光軸AX的Z方向軸線對稱的一對圓弧狀區域31A。亦即如圖13所示，第一基本元件50A，有在光學繞射元件50的遠場50E(引伸為各基本元件50A~50D的遠場)，對通過光軸AX的Z方向軸線，形成對稱的一對圓弧狀的光強度分佈32A(與一對圓弧狀區域31A對應)之機能。
第二基本元件50B的繞射面之構造，可在將通過光軸AX的Z方向軸線，以Y軸為中心回轉-45度(在圖12中向反時鐘方向轉45度)後，對該軸線形成對稱的一對圓弧狀區域31B。亦即如圖14所示，第二基本元件50B有在遠場50E之通過光軸AX的Z方向軸線，對Y軸旋轉-45度的該軸線，形成對稱的一對圓弧狀的光強度分佈32B(對應於一對的圓弧狀區域31B)之機能。
第三基本元件50C的繞射之構造，可對通過光軸AX的X方向之軸線，形成對稱的一對圖弧狀區域31C。亦即如圖15所示，第三基本元件50C，有在遠域50E之通過光軸AX的X方向之軸線，形成對稱的一對圓弧狀的光強度分佈32C(對應於一對的圓弧狀區域31C)之機能。
第四基本元件50D的繞射面之構造，可在通過光軸AX的Z方向軸線依Y軸旋轉+45度(在圖12中順時鏡方向旋轉45度)後，對該軸線形成對稱的一對圓弧狀區域31D。亦即如圖16所示，第四基本元件50D，有在遠場50E之通過光軸AX的Z方向軸線，依Y軸旋轉+45度後，對該軸線形成對稱的一對圓弧狀光強度分佈32D(對應於一對之圓弧狀區域31D)之機能。又，各圓弧狀區域31A~31D的大小大約互同，該些八個圓弧狀區域31A~31D不互相重複且亦不互相隔離，構成以光軸AX為中心的輪帶狀之二次光源31。
又，本實施例中，各基本元件50A~50D用有旋光性的光學材料之水晶構成，各基本元件50A~50D的光學結晶軸設定成大約與光軸AX一致。以下，圖17中，對水晶的旋光性簡單說明。參考圖17，光學元件35，為水晶形成的厚度d之平行平面板狀元件，其光學結晶軸配置成與光軸AX一致。此場合，因光學元件35的旋光性，射入之直線偏光的偏光方向，以光軸AX為轉軸只迴轉θ角之狀態射出。
此時，因光學元件35的旋光性發生的作光方向之迴轉角θ，依光學元件35的厚度d與水晶的旋光能p，可以下式(1)表示。
θ=d．p (1)
一般，水晶的旋光能p，有使用之光的波長越短旋光能P越大之傾向，依日文「應用光學Ⅱ」的第167頁之記述，對波長250.3nm之光，水晶的旋光能p為153.9度/mm。
在本實施例中，第一基本元件50A，如圖13所示，有Z方向之偏光方向的直線偏光之光射入之場合，設定厚度dA，使射出之直線偏光的光，有向該Z方向沿Y軸轉180度之方向亦即Z方向的偏光方向。其結果，使在遠場50E形成的一對圓弧狀之光強度分佈32A，通過的光束之偏光方向成Z方向。圖12所示的一對圓弧狀區域31A，通過的光束之偏光方向亦成Z方向。
第二基本元件50B，如圖14所示，有Z方向之偏光方向的直線偏光之光射入之場合，設定厚度dB，使射出的直線偏光之光，有向該Z方向沿Y軸轉+135度之方向，即該Z方向沿Y軸轉-45度之方向的偏光方向。其結果，在遠場50E形成的一對圓弧狀之光強度分佈32B，通過的光束之偏光方向，亦成為由Z方向沿Y軸轉-45度之方向。在圖12所示的一對圓弧狀區域 31B，通過之光束之偏光方向亦成由Z方向沿Y軸轉-45度之方向。
第三基本元件50C，如圖15所示，有Z方向之偏光方向的直線偏光之光射入之場合，設定厚度dC，使射出的直線偏光之光，有向該Z方向沿Y軸轉+90度之方向，即X方向的偏光方向。其結果，在遠場50E形成的一對圓弧狀之光強度分佈32C，通過的光束之偏光方向亦成X方向。在圖12所示的一對圓弧狀區域31C，通過之光束的偏光方向亦成X方向。
第四基本元件50D，如圖16所示有Z方向之偏光方向的直線偏光之光射入之場合，設定厚dD，使射出的直線偏光之光，有向該Z方向沿Y軸轉+45度之方向的偏光方向。其結果在遠場50E形成的一對圓弧狀之光強度分佈32D，通過的光束之偏光方向成為由Z方向沿Y軸轉+45度之方向。在圖12所示的一對圓弧狀區域31D，通過之光束的偏光方向亦成為由Z方向沿Y軸轉+45度之方向。
本實施例，為在周方向偏光輪帶狀照明時，於照明光路中設置周方向偏光輪帶狀照明用的光學繞射元件50，再向光學繞射元件50射入有Z方向之偏光方向的直線偏光之光。其結果，在微蠅眼透鏡12的後側焦點面(即照明瞳或其近傍)，形成如圖12所示的輪帶狀之二次光源31(輪帶狀的照明瞳分佈)，通過該輪帶狀之二次光源的光束，被設定成周方向偏光狀態。
在周方向偏光狀態，通過構成輪帶狀二次光源的各圓弧狀區域31A~31D的各光束，在各該些圓弧狀區域之以光軸AX為中心的圓周，形成與切線方向大約一致的偏光方向的直線偏光狀態。如此，本實施例的開口光圈，異於先前技術的發生大量的光量損失，由於當做光束變換元件的光學繞射元件50的繞射作用及 旋光作用，能夠實質的不發生光量損失形成周方向偏光狀態的輪帶狀二次光源31。
換言之，本實施例的光學照明裝置，能良好的抑制光量損失，且能夠形成周方向偏光狀態的輪帶狀之照明瞳分佈。其結果，本實施例的曝光裝置，因使用能良好抑制光量損失，且能夠形成周方向偏光狀態的輪帶狀之照明瞳分佈的光學照明裝置，故能夠在適合的條件下忠實且高良率地複製任意方向的微細圓案。
又，在根據周方向偏光狀態的輪帶狀照明瞳分佈的周方向偏光輪帶狀照明，照射到被照射面的晶圓W之光，成為以S偏光為主成份的偏光狀態。此處的所謂之S偏光，為對射入面保持垂直之偏光方向的直線偏光(在射入垂直之方向電矢量振動之偏光)。但所謂的射入面之定義，為光到達媒質的境界面(被照射面；晶圓W的表面)時，在該點之境界面的包含法線與光入射方向之面。
又在上述的實施例，使用相同之矩形斷面的四種基本元件50A~50D，以同樣的數量縱橫且稠密地隨機配置，構成周方向偏光輪帶狀照明用的光學繞射元件50。但並不以該些為限，各基本元件的數量，斷面形狀，種類數，配置等皆可能有各種的變形例。
又在上述的實施例，使用四種基本元件50A~50D形成的光學繞射元件50，由不互相重複且不互相分開配置的八個圓弧狀區域31A~31D，構成以光軸AX為中心的輪帶狀二次光源31。但是仍不受該些之限定，構成輪帶狀二次光源的區域之個數，形狀配置等亦有各種變形例之可能。
具體的說，如圖18的(a)所示的，例如利用四種基本元件組成的光學繞射元件，形成由八個圓弧狀區域沿周方向互相隔 開地構成之周方向偏光狀態的八極狀之二次光源33a亦可。又如圓18的(b)所示，例如用四種基本元件組成的光學繞射元件，形成由四個圓弧狀區域沿周方向互相離開配置的周方向偏光狀態的四極狀之二次光源33b亦可。又，在該些八極狀之二次光源或四極狀之二次光源，各區域的形狀不限定為圓弧狀，例如圓形，橢圓形，或扇形皆可以。又如圖19所示，例如利用四種基本元件組成的光學繞射元件，形成八個圓弧狀區域沿周方向互相重複配置的周方向偏光狀態之輪帶狀二次光源33c也可以。
又，除由四個或八個區域沿周方向互相離開配置成周方向偏光狀態的四極狀或八極狀的二次光之外，如圖20的(a)所示，由六個區域沿周方向互相離開配置形成周方向偏光狀態的六極狀之二次光源亦佳。又如圖20的(b)所示，由複數的區域沿周方向互相離開配置成的周方向偏光狀態之多極狀二次光源，以及在光軸上的區域形成的非偏光狀態，或直線偏光狀態的中心極狀二次光源，二者組成的二次光源亦可。又由二個區域沿周方向互相離開形成周方向偏光狀態的二極狀之二次光源亦可。
又，上述的實施例，如圖11所示，先個別形成四種的基本元件50A~50D，再將該些元件組合構成光學繞射元件50。但並不受上述之限定，對一個水晶基板例如施行蝕刻加工形成各基本元件50A~50D的射出側之繞射面，以及射入側的凹凸面，一體化的構成光學繞射元件50也可以。
又，上述的實施例，用水晶形成各基本元件50A~50D(亦即光學繞射元件50)。但並無此限定，用有旋光性的其他適當之光學材料，形成各基本元件亦可。此場合，採用對使用波長之光有100度/mm以上之旋光能的光學材料較佳。亦即使用旋光能小的光學材料時，為複得偏光方向的所要之迴轉角，元件必要的厚度過 大，成為光量損失的原因，所以不佳。
又，在上述的實施例，形成輪帶狀的照明瞳分佈(二次光源)，但並不以此為限，在照明瞳或其近傍形成圓形的照明瞳分佈亦可。又，輪帶狀的照明瞳分佈或多極狀的照明瞳分佈，可再增加例如形成包含光軸的中心區域分佈，可實現所謂的有中心極的輪帶狀照明，或有中心極的複數極照明。
又，在上述的實施例，在照明瞳或其近傍形成周方向偏光狀態的照明瞳分佈。但有時在比光束變元件的光學繞射元件，更靠近晶圓側的光學系統(光學照明系統或光學投影系統)的偏光像差，會引起偏光方向的變化。此場合，需考慮該些光學系統的偏光像差，適當地設定通過在照明瞳或其近傍形成的照明瞳分佈之光束的偏光狀態。
又，與該偏光像差有關，在比光束變換元件更靠近晶圓側的光學系統(光學照明系統或光學投影系統)中，配置的反射元件之偏光特性，有時會引起反射光在每偏光方向有相位差。在此場合，亦有必要考慮該反射元件的偏光特性引起之相位差之影響，適當地設定通過在照明瞳或其近傍形成的照明瞳分佈之光束的偏光狀態。
又，在比光束變換元件更靠近晶圓側的光學系統(光學照明系統或光學投影系統)中，配置的反射元件之偏光特性，有時會引起反射元件的反射率依偏光方向變化。此場合，需考慮各偏光方向的反射率，在照明瞳或其近傍形成的光強度分佈加入補償量，即在各基本元件的數量設分佈較佳。又在比光束變換元件更靠近晶圓側的光學系統的透過率，依偏光方向變化之場合，亦可適用同樣的方法補正。
又在上述的實施例，光學繞射元件50的光源側之面， 因各基本元件50A~50D的厚度不同，形成有階差的凹凸狀。此點，如圖21所所示，厚度最大的第一基本元件50A以外的基本元件，即在第二基本元件50B，第三基本元件50C以及第四基本元件50D的光源側附設補正元件36，可使光學繞射元件50的光源側(光射入側)之面成平面狀。此場合，該補正元件36需使用無旋光性的光學材料形成。
又，上述的實施例，只說明在照明瞳或其近傍形成的照明瞳分佈，通過的光束為沿圓周方向有直線偏光成份的光束之例。但不受此限定，通過照明瞳分佈的光束的偏光狀態，只要以圓周方向為偏光方向的直線偏光為主成份之狀態，就能獲得本發明要求的效果。
又在本實施例，使用由有繞射作用的複數種之基本元件構成的光學繞射元件為光束變換元件，依據入射光束在所定之面上，形成與其斷面形狀不同形狀的光強度分佈。但是並不以此為限，例如具有與各基本元件的繞射面與光學性，大約相當的折射面的複數種之基本元件，亦即使用由複數種有折射作用的基本元件，構成的光學折射元件為光束變換元件亦可。
在上述實施例的曝光裝置，用光學照明裝置照明罩膜(十字標記)(即照明工程)；用光學投影系統將在罩膜形成的複製用的圖案，在感光性基板曝光(曝光工程)，如此能夠製造微元件(半導體元件、攝影元件、液晶顯示元件、薄膜磁頭等)。以下，參照圖22的流程圖說明，使用上述實施例的曝光裝置，在當做感光性基板的晶圓等形成所定的電路圖案，以製造微元件的半導體元件之際的程序。
首先，在圖22的步驟301，在一組的晶圓上蒸鍍金屬膜。其次在步驟302，在該一組晶圓的金屬膜上塗佈光阻劑。其次 在步驟303，使用上述實施例的曝光裝置，罩膜上的圖案像通過該光學投影系統，在該一組晶圓上的各照射區域順次曝光複製。其後在步驟304，進行該一組晶圓上的光阻劑之顯像，其後在步驟305，在該一組晶圓上，以光阻劑圖案為罩膜，進行蝕刻，在各晶圓上的各照射區域形成與罩膜上之圖案對應的電路圖案。其後，進行更上層電路圖案的形成等工程，以製造半導體元件等之元件。依上述的半導體元件的製造方法，能夠以良好的生產率製造有極微細電路圖案的半導體元件。
又，上述的實施例之曝光裝置，可在基板(玻璃基板)上形成所定的圖案(電路圖案，電極圖案等)，亦可製造微元件之一的液晶顯示元件。以下，參照圖23的流程圖，說明該製程之一例。圖23中，在步驟401的圖案形成工程，使用上述實施例的曝光裝置，將罩膜的圖案在感光性基板(塗佈光阻劑的玻璃基板等)複製曝光，再施行所謂的微影蝕刻工程。依該微影蝕刻工程，在感光性基板上形成含有多數之電極等的所定圖案。其後，曝光過的基板再經顯像工程，蝕刻工程，光阻劑剝離工程等之各工程，在基板上形成所定的圖案，再移到其次的濾色器形成工程402。
其次，在濾色器形成工程402，形成R(紅)、G(綠)、B(藍)對應的三個點之組合多數成陣列狀配列，或R、B、G的三支條紋狀的濾色器組複數成水平掃描線方向配列的濾色器。在濾色器形成工程402之後，進行元件組合工程403。在元件組合工程403中，使用在圖案形成工程401製作的有所定圖案之基板，以及在濾色器形成工程402製造的濾色器等組合成液晶面板(液晶元件)。
在元件組合工程403，例如，在圖案形成工程401獲得的有所定之圖案的基板，與濾色器形成工程402所得的濾色器之間，植入液晶製成液晶面板(液晶元件)。其後，在模組組合工程 404，安裝使組合的液晶面板(液晶元件)進行顯示動作的電路，背光模組等各零件以完成液晶顯示元件。依上述的液晶顯示元件的製造方法，能以良好的生產率製造有極微細之電路圖案的液晶顯示元件。
又，在上述的實施例，曝光的光源使用KrF準分子雷射光(波長：248nm)，或ArF準分子雷射光(波長：193nm)，但不以此為限，其他適當的雷射光源有，例如供給波長157nm之雷射光的F2雷射光源等亦可適用本發明。另外，在上述的實施例是以配備光學照明裝置的曝光裝置為例說明本發明，但罩膜或晶圓以外的被照射面之照明的一般之光學照明裝置，亦顥然可使用本發明。
又，在上述的實施例，在光學投影系統與感光性基板之間的光路中，使用折射率大於1：1的媒體(典型的為液體)填滿的方法，即用所謂的液浸法亦佳。此場合的在光學投影系統與感光性基板之間的光路中填滿液體之方法，有國際專利申請案W099/049504號公報揭露的局部的充滿液體之方法；或日本專利特開平6-124873號公報揭露的使保持曝光對象的基板之載台，在液槽中移動的方法；或日本專利特開平10-303114號公報揭露的在載台上形成所定深度的液體槽，在其中保持基板的方法等可採用。此處，援引國際專利申請案W099/049504號公報、日本專利特開平6-124873號公報、以及日本專利特開平10-303114號公報供參考。
又，上述之液體，以對曝光之光有透過性，折射率盡可能高，且對在光學投影系統或基板表面塗佈的光阻劑亦安定的較好。在例如用KrF準分子雷射光源或ArF準分子雷射光源為曝光的光源之場合，該液體可使用純水或去離子水。又，曝光光源使用F2雷射之場合，該液體可使用F2雷射可透過的氟系油或過氟化聚 醚(PFPE)等的氟素系液體。
50‧‧‧光束變換元件
50A~50D‧‧‧基本元件

Claims (17)

  1. 一種光學照明裝置，利用照明光對物體進行照明，所述光學照明裝置的特徵在於包括：旋光元件，由具有旋光性的光學材料形成，以所述光學材料的光學軸的方向與所述光學照明裝置的光軸的方向一致的方式，而配置在所述照明光的光路中，且利用所述光學材料的旋光性而使所述照明光的偏光方向進行旋轉；以及光學積分器，配置在所述照明光的光路中的所述旋光元件與所述光學照明裝置的瞳面之間的光路中；所述旋光元件，是以入射到所述旋光元件的所述照明光中的通過在與所述光軸直交的方向上互相相異的位置的第1光束及第2光束的偏光方向為互相相異的角度而能夠旋轉的方式，來將相對於所述光軸的方向的所述旋光元件的厚度中的所述第1光束的光路中的第1厚度與所述第2光束的光路中的第2厚度設定為相互相異的厚度。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的光學照明裝置，其中，所述旋光元件的所述第1厚度與所述第2厚度，是以所述照明光以一方向作為偏光方向的直線偏光狀態而入射到所述旋光元件，使所述第1光束及所述第2光束以相互互異的方向作為偏光方向的直線偏光狀態的方式而進行設定。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的光學照明裝置，其中，所述旋光元件的所述第1厚度與所述第2厚度，是以所述第1光束及所述第2光束的偏光方向相互為90度或45度的相異角度進行旋轉的方式而進行設定。
  4. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的光學照明裝 置，其中，所述旋光元件的所述第1厚度與所述第2厚度，是以所述第1光束與所述第2光束的偏光方向在所述瞳面中互相為90度或45度的相異的方式而進行設定。
  5. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的光學照明裝置，其中，所述光學積分器是蠅眼透鏡，以所述蠅眼透鏡的後側焦點面與所述瞳面為一致的方式而配置。
  6. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的光學照明裝置，其中，所述光學材料是：相對於所述照明光具有100度/mm以上之旋光能。
  7. 如申請專利範圍第2項所述的光學照明裝置，其中包括：偏光變換元件，配置在所述旋光元件的入射側的所述照明光的光路，將所述照明光的偏光狀態，從包含單一的直線偏光或橢圓偏光的偏光狀態，變換為將所述一方向作為偏光方向的直線偏光狀態。
  8. 如申請專利範圍第7項所述的光學照明裝置，其中，所述偏光變換元件包含1/2波長板。
  9. 如申請專利範圍第8項所述的光學照明裝置，其中，所述偏光變換元件包含1/4波長板。
  10. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的光學照明裝置，其中包括：檢測裝置，包含光束分離器，所述光束分離器是配置在來自於所述旋光元件的所述照明光的光路中，基於從所述照明光被所束光束分離器分離的光的檢測結果，而檢測來自於所述旋光元件的所述照明光的偏光狀態。
  11. 如申請專利範圍第9項所述的光學照明裝置，其中包 括：檢測裝置，包含光束分離器，所述光束分離器是配置在來自於所述旋光元件的所述照明光的光路中，基於從所述照明光被所束光束分離器分離的光的檢測結果，而檢測來自於所述旋光元件的所述照明光的偏光狀態；以及驅動裝置，基於所述檢測裝置的檢測結果，而使所述1/2波長板與所述1/4波長板進行旋轉驅動。
  12. 一種曝光裝置，利用來自於物體的光，對基板進行曝光，所述曝光裝置的特徵在於包括：載台，保持所述基板；如申請專利範圍第1項至第11項任一項所述的光學照明裝置，對所述物體進行照明；以及光學投影系統，將利用所述光學照明裝置而照明的所述物體的像，投影到被保持在所述載台的所述基板。
  13. 如申請專利範圍第12項所述的曝光裝置，其中，所述物體的像是經由設置在來自於所述光學投影系統的所述光的光路中的液體，而被投影到所述基板。
  14. 一種曝光方法，利用經由設置在物體上的圖案的光，對基板進行曝光，所述曝光方法的特徵在於包括：將所述基板配置於載台；使用如申請專利範圍第1項至第11項任一項所述的光學照明裝置，對所述圖案進行照明；以及使用光學投影系統，將利用所述光學照明裝置而照明的所述圖案的像，投影到所述載台上的所述基板。
  15. 如申請專利範圍第14項所述的曝光方法，其中，所述圖案的像是經由設置在來自於所述光學投影系統的所述光的 光路中的液體，而被投影到所述基板。
  16. 一種元件製造方法，在基板上形成元件，所述元件製造方法的特徵在於包括：使用如申請專利範圍第12項或第13項所述的曝光裝置，將圖案轉寫到所述基板；以及使轉寫了所述圖案的所述基板進行顯像。
  17. 一種元件製造方法，在基板上形成元件，所述元件製造方法的特徵在於包括：使用如申請專利範圍第14項或第15項所述的曝光方法，將圖案轉寫到所述基板；以及使轉寫了所述圖案的所述基板進行顯像。
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Families Citing this family (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2157480B1 (en) 2003-04-09 2015-05-27 Nikon Corporation Exposure method and apparatus, and device manufacturing method
TWI474132B (zh) 2003-10-28 2015-02-21 尼康股份有限公司 照明光學裝置、投影曝光裝置、曝光方法以及元件製造方法
TWI519819B (zh) 2003-11-20 2016-02-01 尼康股份有限公司 光束變換元件、光學照明裝置、曝光裝置、以及曝光方法
US20070019179A1 (en) 2004-01-16 2007-01-25 Damian Fiolka Polarization-modulating optical element
KR101295439B1 (ko) * 2004-01-16 2013-08-09 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 편광변조 광학소자
US8270077B2 (en) * 2004-01-16 2012-09-18 Carl Zeiss Smt Gmbh Polarization-modulating optical element
TWI395068B (zh) * 2004-01-27 2013-05-01 尼康股份有限公司 光學系統、曝光裝置以及曝光方法
TWI505329B (zh) 2004-02-06 2015-10-21 尼康股份有限公司 光學照明裝置、曝光裝置、曝光方法以及元件製造方法
US7324280B2 (en) * 2004-05-25 2008-01-29 Asml Holding N.V. Apparatus for providing a pattern of polarization
US20080273185A1 (en) * 2004-06-16 2008-11-06 Nikon Corporation Optical System, Exposing Apparatus and Exposing Method
US20070222962A1 (en) * 2004-08-10 2007-09-27 Nikon Corporation Illumination Optical Equipment, Exposure System and Method
KR100614651B1 (ko) * 2004-10-11 2006-08-22 삼성전자주식회사 회로 패턴의 노광을 위한 장치 및 방법, 사용되는포토마스크 및 그 설계 방법, 그리고 조명계 및 그 구현방법
WO2006131517A2 (de) * 2005-06-07 2006-12-14 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungseinrichtung einer mikrolithographischen projektionsbelichtungsanlage
DE102006031807A1 (de) * 2005-07-12 2007-01-18 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungseinrichtung einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage, sowie Depolarisator
WO2007055120A1 (ja) * 2005-11-10 2007-05-18 Nikon Corporation 照明光学装置、露光装置、および露光方法
US7884921B2 (en) * 2006-04-12 2011-02-08 Nikon Corporation Illumination optical apparatus, projection exposure apparatus, projection optical system, and device manufacturing method
JP5158439B2 (ja) * 2006-04-17 2013-03-06 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置、およびデバイス製造方法
EP2031640A4 (en) * 2006-06-16 2009-06-10 Nikon Corp DEVICE WITH A VARIABLE SLOT, LIGHTING DEVICE, EXPOSURE DEVICE, EXPOSURE METHOD AND METHOD FOR PRODUCING THE DEVICE
DE102006032878A1 (de) * 2006-07-15 2008-01-17 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungssystem einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
JP2008070870A (ja) * 2006-08-25 2008-03-27 Jds Uniphase Corp パッシブ・デポラライザ
DE102007007907A1 (de) * 2007-02-14 2008-08-21 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Herstellung eines diffraktiven optischen Elements, nach einem derartigen Verfahren hergestelltes diffraktives optisches Element, Beleuchtungsoptik mit einem derartigen diffratkiven optischen Element, Mikrolithografie-Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen Beleuchtungsoptik, Verfahren zum Herstellen eines mikroelektronischen Bauelements unter Verwendung einer derartigen Projektionsbelichtungsanlage sowie mit einem solchen Verfahren hergestelltes Bauelement
DE102007019831B4 (de) 2007-04-25 2012-03-01 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungseinrichtung einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
KR100896875B1 (ko) * 2007-07-23 2009-05-12 주식회사 동부하이텍 노광장치 및 노광방법
DE102007043958B4 (de) 2007-09-14 2011-08-25 Carl Zeiss SMT GmbH, 73447 Beleuchtungseinrichtung einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
US7996762B2 (en) * 2007-09-21 2011-08-09 Microsoft Corporation Correlative multi-label image annotation
KR101546987B1 (ko) * 2007-10-16 2015-08-24 가부시키가이샤 니콘 조명 광학 시스템, 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
KR101562073B1 (ko) * 2007-10-16 2015-10-21 가부시키가이샤 니콘 조명 광학 시스템, 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
JP5224027B2 (ja) * 2007-10-22 2013-07-03 大日本印刷株式会社 回折格子作製用位相マスクを用いた回折格子作製方法
JP2009198903A (ja) * 2008-02-22 2009-09-03 Olympus Corp 光学機器
DE102008041179B4 (de) * 2008-08-12 2010-11-04 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungsoptik für eine Mikrolithografie-Projektionsbelichtungsanlage
DE102009006685A1 (de) * 2009-01-29 2010-08-05 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungssystem für die Mikro-Lithographie
JP5360399B2 (ja) * 2009-08-06 2013-12-04 大日本印刷株式会社 回折格子作製用位相マスク
US20110037962A1 (en) * 2009-08-17 2011-02-17 Nikon Corporation Polarization converting unit, illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
US20110205519A1 (en) * 2010-02-25 2011-08-25 Nikon Corporation Polarization converting unit, illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
DE102010046133B4 (de) * 2010-09-13 2014-01-09 Klaus Becker Lichtbandgenerator
CN107390477B (zh) * 2011-10-24 2020-02-14 株式会社尼康 照明系统、曝光装置及制造、图像形成、照明与曝光方法
DE102011085334A1 (de) 2011-10-27 2013-05-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches System in einer Beleuchtungseinrichtung einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
WO2013089258A1 (ja) * 2011-12-15 2013-06-20 株式会社ニコン 顕微鏡及び刺激装置
DE102012200371A1 (de) 2012-01-12 2013-07-18 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches System für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage sowie mikrolithographisches Belichtungsverfahren
DE102012200370A1 (de) 2012-01-12 2013-08-01 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Herstellen eines polarisationsbeeinflussenden optischen Elements, sowie polarisationsbeeinflussendes optisches Element
CN103792767B (zh) * 2012-10-31 2015-10-07 深圳市绎立锐光科技开发有限公司 波长转换器件、其制造方法以及相关波长转换装置
GB201713740D0 (en) 2017-08-25 2017-10-11 Nkt Photonics As Depolarizing homogenizer
JP7227775B2 (ja) * 2019-01-31 2023-02-22 キヤノン株式会社 照明光学系、露光装置および物品製造方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4744615A (en) * 1986-01-29 1988-05-17 International Business Machines Corporation Laser beam homogenizer
JPH0653120A (ja) * 1992-07-27 1994-02-25 Nikon Corp 照明光学装置
US20020085276A1 (en) * 2000-11-29 2002-07-04 Nikon Corporation Illumination optical apparatus and exposure apparatus provided with illumination optical apparatus
US20020186462A1 (en) * 2001-05-15 2002-12-12 Carl Zeiss Semiconductor Manufacturing Technologies Ag Optical imaging system with polarizer and a crystalline-quartz plate for use therewith
TW200301848A (en) * 2002-01-09 2003-07-16 Nikon Corp Exposure apparatus and exposure method

Family Cites Families (1003)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3293882B2 (ja) 1992-03-27 2002-06-17 株式会社東芝 投影露光装置
GB856621A (en) 1956-07-20 1960-12-21 Nat Res Dev Improvements in or relating to polarising microscopes
US3146294A (en) 1959-02-13 1964-08-25 American Optical Corp Interference microscope optical systems
US3180216A (en) 1962-08-13 1965-04-27 American Optical Corp System and apparatus for variable phase microscopy
JPS444993Y1 (zh) 1964-05-28 1969-02-24
US3758201A (en) 1971-07-15 1973-09-11 American Optical Corp Optical system for improved eye refraction
JPS557673B2 (zh) 1972-11-25 1980-02-27
US3892469A (en) 1974-02-01 1975-07-01 Hughes Aircraft Co Electro-optical variable focal length lens using optical ring polarizer
US3892470A (en) * 1974-02-01 1975-07-01 Hughes Aircraft Co Optical device for transforming monochromatic linearly polarized light to ring polarized light
FR2385241A1 (fr) * 1976-12-23 1978-10-20 Marie G R P Convertisseurs de mode de polarisation pour faisceaux laser et generateurs de plasma les utilisant
US4103260A (en) 1977-01-03 1978-07-25 Hughes Aircraft Company Spatial polarization coding electro-optical transmitter
US4198123A (en) 1977-03-23 1980-04-15 Baxter Travenol Laboratories, Inc. Optical scrambler for depolarizing light
FR2413678A1 (fr) 1977-12-28 1979-07-27 Marie G R P Convertisseurs de mode d'une onde non confinante en une onde confinante dans l'infrarouge lointain
US4286843A (en) 1979-05-14 1981-09-01 Reytblatt Zinovy V Polariscope and filter therefor
JPS5857066B2 (ja) 1979-06-29 1983-12-17 古河電気工業株式会社 リニアモ−タ
EP0023231B1 (de) 1979-07-27 1982-08-11 Tabarelli, Werner, Dr. Optisches Lithographieverfahren und Einrichtung zum Kopieren eines Musters auf eine Halbleiterscheibe
FR2465241A1 (fr) 1979-09-10 1981-03-20 Thomson Csf Dispositif illuminateur destine a fournir un faisceau d'eclairement a distribution d'intensite ajustable et systeme de transfert de motifs comprenant un tel dispositif
FR2474708B1 (fr) 1980-01-24 1987-02-20 Dme Procede de microphotolithographie a haute resolution de traits
US4346164A (en) 1980-10-06 1982-08-24 Werner Tabarelli Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits
JPS57117238A (en) 1981-01-14 1982-07-21 Nippon Kogaku Kk <Nikon> Exposing and baking device for manufacturing integrated circuit with illuminometer
JPS57152129A (en) 1981-03-13 1982-09-20 Sanyo Electric Co Ltd Developing method of resist
JPS57153433A (en) 1981-03-18 1982-09-22 Hitachi Ltd Manufacturing device for semiconductor
JPS5849932A (ja) 1981-09-21 1983-03-24 Ushio Inc 照度分布パタ−ンの調整器
JPS5845502U (ja) 1981-09-21 1983-03-26 株式会社津山金属製作所 広角反射器
JPS58115945A (ja) 1981-12-29 1983-07-09 Toyoda Gosei Co Ltd ハンドル部への電力伝送と信号送受方法
JPS58202448A (ja) 1982-05-21 1983-11-25 Hitachi Ltd 露光装置
DD206607A1 (de) 1982-06-16 1984-02-01 Mikroelektronik Zt Forsch Tech Verfahren und vorrichtung zur beseitigung von interferenzeffekten
JPS5919912A (ja) 1982-07-26 1984-02-01 Hitachi Ltd 液浸距離保持装置
DD242880A1 (de) 1983-01-31 1987-02-11 Kuch Karl Heinz Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung
JPS59226317A (ja) 1983-06-06 1984-12-19 Nippon Kogaku Kk <Nikon> 照明装置
DD221563A1 (de) 1983-09-14 1985-04-24 Mikroelektronik Zt Forsch Tech Immersionsobjektiv fuer die schrittweise projektionsabbildung einer maskenstruktur
JPS59155843A (ja) 1984-01-27 1984-09-05 Hitachi Ltd 露光装置
DD224448A1 (de) 1984-03-01 1985-07-03 Zeiss Jena Veb Carl Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung
JPS6144429A (ja) 1984-08-09 1986-03-04 Nippon Kogaku Kk <Nikon> 位置合わせ方法、及び位置合せ装置
JPS6145923A (ja) 1984-08-10 1986-03-06 Aronshiya:Kk 反射式ロ−タリ−エンコ−ダ−用回転デイスクの製作方法
JPH0682598B2 (ja) 1984-10-11 1994-10-19 日本電信電話株式会社 投影露光装置
JPS61217434A (ja) 1985-03-20 1986-09-27 Mitsubishi Chem Ind Ltd 搬送用装置
JPS6194342U (zh) 1984-11-27 1986-06-18
JPS61156736A (ja) 1984-12-27 1986-07-16 Canon Inc 露光装置
JPS61196532A (ja) 1985-02-26 1986-08-30 Canon Inc 露光装置
JPS61251025A (ja) 1985-04-30 1986-11-08 Canon Inc 投影露光装置
JPS61270049A (ja) 1985-05-24 1986-11-29 Toshiba Corp テ−ブル装置
JPS622539A (ja) 1985-06-28 1987-01-08 Canon Inc 照明光学系
JPS622540A (ja) 1985-06-28 1987-01-08 Canon Inc ライトインテグレ−タとそれを含むケ−ラ−照明系
DE3523641C1 (de) * 1985-07-02 1986-12-18 Max-Planck-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V., 3400 Göttingen Einrichtung zum Selektieren von rotationssymmetrischen Polarisationskomponenten einesLichtbuendels und Verwendung einer solchen Einrichtung
US4683420A (en) 1985-07-10 1987-07-28 Westinghouse Electric Corp. Acousto-optic system for testing high speed circuits
JPS6217705A (ja) 1985-07-16 1987-01-26 Nippon Kogaku Kk <Nikon> テレセントリツク光学系用照明装置
JPS6265326A (ja) 1985-09-18 1987-03-24 Hitachi Ltd 露光装置
JPS62100161A (ja) 1985-10-23 1987-05-09 Shin Etsu Chem Co Ltd 平面モ−タ
JPS62120026A (ja) 1985-11-20 1987-06-01 Fujitsu Ltd Ｘ線露光装置
JPS62121417A (ja) 1985-11-22 1987-06-02 Hitachi Ltd 液浸対物レンズ装置
JPH07105323B2 (ja) 1985-11-22 1995-11-13 株式会社日立製作所 露光方法
JPS62153710A (ja) 1985-12-27 1987-07-08 Furukawa Alum Co Ltd ロ−タリエンコ−ダ用反射基板の製造方法
JPH0782981B2 (ja) 1986-02-07 1995-09-06 株式会社ニコン 投影露光方法及び装置
JPS62188316A (ja) 1986-02-14 1987-08-17 Canon Inc 投影露光装置
JPS62203526A (ja) 1986-02-28 1987-09-08 トヨタ自動車株式会社 無線電力伝送装置
JPH0666246B2 (ja) 1986-05-14 1994-08-24 キヤノン株式会社 照明光学系
JP2506616B2 (ja) 1986-07-02 1996-06-12 キヤノン株式会社 露光装置及びそれを用いた回路の製造方法
JPS6336526A (ja) 1986-07-30 1988-02-17 Oki Electric Ind Co Ltd ウエハ露光装置
JPS6344726A (ja) * 1986-08-12 1988-02-25 Norihisa Ito エキシマレ−ザを用いたステツパの照明光学装置
JPH0695511B2 (ja) 1986-09-17 1994-11-24 大日本スクリ−ン製造株式会社 洗浄乾燥処理方法
JPS63128713A (ja) 1986-11-19 1988-06-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd 走査型露光装置のデイスト−シヨン補正方法
JPS63131008A (ja) 1986-11-20 1988-06-03 Fujitsu Ltd 光学的アライメント方法
JPS63141313A (ja) 1986-12-03 1988-06-13 Hitachi Ltd 薄板変形装置
JPS63157419A (ja) 1986-12-22 1988-06-30 Toshiba Corp 微細パタ−ン転写装置
JPS63160192A (ja) 1986-12-23 1988-07-02 株式会社明電舎 高周波加熱装置の接続導体
JPS63231217A (ja) 1987-03-19 1988-09-27 Omron Tateisi Electronics Co 移動量測定装置
JPH0718699B2 (ja) 1987-05-08 1995-03-06 株式会社ニコン 表面変位検出装置
JPS6426704A (en) 1987-05-11 1989-01-30 Jiei Shirinian Jiyon Pocket structure of garment
JPS63292005A (ja) 1987-05-25 1988-11-29 Nikon Corp 走り誤差補正をなした移動量検出装置
JPH07117371B2 (ja) 1987-07-14 1995-12-18 株式会社ニコン 測定装置
JPS6468926A (en) 1987-09-09 1989-03-15 Nikon Corp Measurement of image distortion in projection optical system
US4981342A (en) 1987-09-24 1991-01-01 Allergan Inc. Multifocal birefringent lens system
JPH0191419A (ja) 1987-10-01 1989-04-11 Canon Inc 露光装置
JPH01115033A (ja) 1987-10-28 1989-05-08 Hitachi Ltd ガス放電表示装置
JPH01147516A (ja) 1987-12-04 1989-06-09 Canon Inc ビーム位置制御装置
JP2728133B2 (ja) 1987-12-09 1998-03-18 株式会社リコー デジタル画像形成装置
JPH01202833A (ja) 1988-02-09 1989-08-15 Toshiba Corp 高精度ｘｙステージ装置
JPH0831513B2 (ja) 1988-02-22 1996-03-27 株式会社ニコン 基板の吸着装置
JPH0545102Y2 (zh) 1988-02-24 1993-11-17
JPH01255404A (ja) 1988-04-05 1989-10-12 Toshiba Corp 浮上用電磁石装置
US4952815A (en) 1988-04-14 1990-08-28 Nikon Corporation Focusing device for projection exposure apparatus
JPH01278240A (ja) 1988-04-28 1989-11-08 Tokyo Electron Ltd 半導体製造装置用無停電電源
JPH01276043A (ja) 1988-04-28 1989-11-06 Mitsubishi Cable Ind Ltd 導波路型液体検知器
JPH01286478A (ja) 1988-05-13 1989-11-17 Hitachi Ltd ビーム均一化光学系おゆび製造法
JPH01292343A (ja) 1988-05-19 1989-11-24 Fujitsu Ltd ペリクル
JPH01314247A (ja) 1988-06-13 1989-12-19 Fuji Plant Kogyo Kk プリント基板の自動露光装置
JPH0831514B2 (ja) 1988-06-21 1996-03-27 株式会社ニコン 基板の吸着装置
JPH0242382A (ja) 1988-08-02 1990-02-13 Canon Inc 移動ステージ構造
EP0394464A4 (en) 1988-08-22 1991-04-03 Idemitsu Kosan Company Limited Oxirane derivatives and herbicides containing same as active ingredients
JPH0265149A (ja) 1988-08-30 1990-03-05 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JP2729058B2 (ja) 1988-08-31 1998-03-18 山形日本電気株式会社 半導体装置の露光装置
JPH0297239A (ja) 1988-09-30 1990-04-09 Canon Inc 露光装置用電源装置
JP2682067B2 (ja) 1988-10-17 1997-11-26 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法
JP2697014B2 (ja) 1988-10-26 1998-01-14 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法
JPH02139146A (ja) 1988-11-15 1990-05-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd 一段６自由度位置決めテーブル
JP2940553B2 (ja) 1988-12-21 1999-08-25 株式会社ニコン 露光方法
US5253110A (en) 1988-12-22 1993-10-12 Nikon Corporation Illumination optical arrangement
JPH07104442B2 (ja) 1989-04-06 1995-11-13 旭硝子株式会社 フッ化マグネシウム膜及び低反射膜の製造方法
DE3907136A1 (de) 1989-03-06 1990-09-13 Jagenberg Ag Vorrichtung zum verbinden von materialbahnen
JPH02261073A (ja) 1989-03-29 1990-10-23 Sony Corp 超音波モータ
JPH02287308A (ja) 1989-04-03 1990-11-27 Mikhailovich Khodosovich Vladimir 光学ユニットのマウント内のレンズの中心合わせの方法
JPH02285320A (ja) 1989-04-27 1990-11-22 Olympus Optical Co Ltd 内視鏡の絞装置
JP2527807B2 (ja) 1989-05-09 1996-08-28 住友大阪セメント株式会社 光学的連想識別装置
JPH02298431A (ja) 1989-05-12 1990-12-10 Mitsubishi Electric Corp 放電加工装置
JPH02311237A (ja) 1989-05-25 1990-12-26 Fuji Electric Co Ltd 搬送装置
JPH0341399A (ja) 1989-07-10 1991-02-21 Nikon Corp 多層膜反射鏡の製造方法
JPH0364811A (ja) 1989-07-31 1991-03-20 Okazaki Seisakusho:Kk 中空心線ｍｉケーブルと中空心線ｍｉケーブルの製造方法
JPH0372298A (ja) 1989-08-14 1991-03-27 Nikon Corp 多層膜反射鏡の製造方法
JPH0394445A (ja) 1989-09-06 1991-04-19 Mitsubishi Electric Corp 半導体ウエハ搬送システム
JPH03132663A (ja) 1989-10-18 1991-06-06 Fujitsu Ltd ペリクル
JPH03134341A (ja) 1989-10-20 1991-06-07 Fuji Photo Film Co Ltd ダンパ機構、防振機構およびこのダンパ機構等を組み込む光ビーム走査装置
JP2784225B2 (ja) 1989-11-28 1998-08-06 双葉電子工業株式会社 相対移動量測定装置
JP3067142B2 (ja) 1989-11-28 2000-07-17 富士通株式会社 ホトマスクの検査装置及びホトマスクの検査方法
JPH03211812A (ja) 1990-01-17 1991-09-17 Canon Inc 露光装置
JPH03263810A (ja) 1990-03-14 1991-11-25 Sumitomo Heavy Ind Ltd 半導体露光装置の振動制御方法
JP2624560B2 (ja) 1990-04-20 1997-06-25 日鐵溶接工業株式会社 ガスシールドアーク溶接用フラックス入りワイヤ
JPH0710897B2 (ja) 1990-04-27 1995-02-08 日本油脂株式会社 プラスチックレンズ
JPH0432154A (ja) 1990-05-25 1992-02-04 Iwasaki Electric Co Ltd メタルハライドランプ装置
JP2897355B2 (ja) 1990-07-05 1999-05-31 株式会社ニコン アライメント方法，露光装置，並びに位置検出方法及び装置
JP3077176B2 (ja) 1990-08-13 2000-08-14 株式会社ニコン 露光方法、装置、及び素子製造方法
JP3049774B2 (ja) 1990-12-27 2000-06-05 株式会社ニコン 投影露光装置及び方法、並びに素子製造方法
US7656504B1 (en) * 1990-08-21 2010-02-02 Nikon Corporation Projection exposure apparatus with luminous flux distribution
JP2995820B2 (ja) 1990-08-21 1999-12-27 株式会社ニコン 露光方法及び方法，並びにデバイス製造方法
JPH04130710A (ja) 1990-09-21 1992-05-01 Hitachi Ltd 露光装置
JP2548834B2 (ja) 1990-09-25 1996-10-30 三菱電機株式会社 電子ビーム寸法測定装置
JPH04133414A (ja) 1990-09-26 1992-05-07 Nec Yamaguchi Ltd 縮小投影露光装置
JPH04152512A (ja) 1990-10-16 1992-05-26 Fujitsu Ltd ウエハチャック
DE4033556A1 (de) 1990-10-22 1992-04-23 Suess Kg Karl Messanordnung fuer x,y,(phi)-koordinatentische
US5072126A (en) 1990-10-31 1991-12-10 International Business Machines Corporation Promixity alignment using polarized illumination and double conjugate projection lens
JPH04179115A (ja) 1990-11-08 1992-06-25 Nec Kyushu Ltd 縮小投影露光装置
US6252647B1 (en) 1990-11-15 2001-06-26 Nikon Corporation Projection exposure apparatus
US6710855B2 (en) * 1990-11-15 2004-03-23 Nikon Corporation Projection exposure apparatus and method
JP3094439B2 (ja) 1990-11-21 2000-10-03 株式会社ニコン 露光方法
JPH0480052U (zh) 1990-11-27 1992-07-13
JPH04235558A (ja) 1991-01-11 1992-08-24 Toshiba Corp 露光装置
JP3084760B2 (ja) 1991-02-28 2000-09-04 株式会社ニコン 露光方法及び露光装置
JP3084761B2 (ja) 1991-02-28 2000-09-04 株式会社ニコン 露光方法及びマスク
JP3255168B2 (ja) 1991-02-28 2002-02-12 株式会社ニコン 露光方法及びその露光方法を用いたデバイス製造方法、及び露光装置
JP3200894B2 (ja) 1991-03-05 2001-08-20 株式会社日立製作所 露光方法及びその装置
JP2860174B2 (ja) 1991-03-05 1999-02-24 三菱電機株式会社 化学気相成長装置
JPH04280619A (ja) 1991-03-08 1992-10-06 Canon Inc ウエハ保持方法およびその保持装置
JPH04282539A (ja) 1991-03-11 1992-10-07 Hitachi Ltd 反射・帯電防止膜の形成方法
JPH05259069A (ja) 1991-03-13 1993-10-08 Tokyo Electron Ltd ウエハ周辺露光方法
JPH04211110A (ja) 1991-03-20 1992-08-03 Hitachi Ltd 投影式露光方法
JPH04296092A (ja) 1991-03-26 1992-10-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd リフロー装置
JP2602345Y2 (ja) 1991-03-29 2000-01-11 京セラ株式会社 静圧軸受装置
US5251222A (en) 1991-04-01 1993-10-05 Teledyne Industries, Inc. Active multi-stage cavity sensor
JPH04305915A (ja) 1991-04-02 1992-10-28 Nikon Corp 密着型露光装置
JPH04305917A (ja) 1991-04-02 1992-10-28 Nikon Corp 密着型露光装置
JP3200874B2 (ja) 1991-07-10 2001-08-20 株式会社ニコン 投影露光装置
JPH04330961A (ja) 1991-05-01 1992-11-18 Matsushita Electron Corp 現像処理装置
FR2676288B1 (fr) 1991-05-07 1994-06-17 Thomson Csf Collecteur d'eclairage pour projecteur.
JPH04343307A (ja) 1991-05-20 1992-11-30 Ricoh Co Ltd レーザー調整装置
JP2884830B2 (ja) 1991-05-28 1999-04-19 キヤノン株式会社 自動焦点合せ装置
JPH0590128A (ja) 1991-06-13 1993-04-09 Nikon Corp 露光装置
US5541026A (en) * 1991-06-13 1996-07-30 Nikon Corporation Exposure apparatus and photo mask
JPH0545886A (ja) 1991-08-12 1993-02-26 Nikon Corp 角形基板の露光装置
US5272501A (en) 1991-08-28 1993-12-21 Nikon Corporation Projection exposure apparatus
JPH0562877A (ja) 1991-09-02 1993-03-12 Yasuko Shinohara 光によるｌｓｉ製造縮小投影露光装置の光学系
US5348837A (en) 1991-09-24 1994-09-20 Hitachi, Ltd. Projection exposure apparatus and pattern forming method for use therewith
KR950004968B1 (ko) * 1991-10-15 1995-05-16 가부시키가이샤 도시바 투영노광 장치
JPH05109601A (ja) 1991-10-15 1993-04-30 Nikon Corp 露光装置及び露光方法
JPH05129184A (ja) 1991-10-30 1993-05-25 Canon Inc 投影露光装置
JPH05127086A (ja) 1991-11-01 1993-05-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光強度の均一化方法およびそれを用いた露光装置
JP3203719B2 (ja) 1991-12-26 2001-08-27 株式会社ニコン 露光装置、その露光装置により製造されるデバイス、露光方法、およびその露光方法を用いたデバイス製造方法
JPH05199680A (ja) 1992-01-17 1993-08-06 Honda Motor Co Ltd 電源装置
JPH0794969B2 (ja) 1992-01-29 1995-10-11 株式会社ソルテック 位置合せ方法及びその装置
JP3194155B2 (ja) 1992-01-31 2001-07-30 キヤノン株式会社 半導体デバイスの製造方法及びそれを用いた投影露光装置
JPH05217837A (ja) 1992-02-04 1993-08-27 Toshiba Corp Ｘｙ移動テーブル
JP2796005B2 (ja) 1992-02-10 1998-09-10 三菱電機株式会社 投影露光装置及び偏光子
JP3153372B2 (ja) 1992-02-26 2001-04-09 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JPH05241324A (ja) 1992-02-26 1993-09-21 Nikon Corp フォトマスク及び露光方法
JPH05243364A (ja) 1992-03-02 1993-09-21 Hitachi Ltd 半導体ウェハの除電方法およびそれを用いた半導体集積回路製造装置
JP3278896B2 (ja) 1992-03-31 2002-04-30 キヤノン株式会社 照明装置及びそれを用いた投影露光装置
US5312513A (en) 1992-04-03 1994-05-17 Texas Instruments Incorporated Methods of forming multiple phase light modulators
JPH05304072A (ja) 1992-04-08 1993-11-16 Nec Corp 半導体装置の製造方法
JP3242693B2 (ja) 1992-05-15 2001-12-25 富士通株式会社 ペリクル貼り付け装置
JP2673130B2 (ja) 1992-05-20 1997-11-05 株式会社キトー 走行用レールの吊下支持装置
JP2929839B2 (ja) * 1992-06-17 1999-08-03 住友電装株式会社 ワイヤーハーネスの生産管理方法
JP2946950B2 (ja) 1992-06-25 1999-09-13 キヤノン株式会社 照明装置及びそれを用いた露光装置
JPH0629204A (ja) 1992-07-08 1994-02-04 Fujitsu Ltd レジスト現像方法及び装置
JPH0636054A (ja) 1992-07-20 1994-02-10 Mitsubishi Electric Corp ワンチップマイクロコンピュータ
JPH06188169A (ja) * 1992-08-24 1994-07-08 Canon Inc 結像方法及び該方法を用いる露光装置及び該方法を用いるデバイス製造方法
JPH07318847A (ja) 1994-05-26 1995-12-08 Nikon Corp 照明光学装置
JPH06104167A (ja) 1992-09-18 1994-04-15 Hitachi Ltd 露光装置及び半導体装置の製造方法
JP2884947B2 (ja) 1992-10-01 1999-04-19 株式会社ニコン 投影露光装置、露光方法および半導体集積回路の製造方法
US6404482B1 (en) * 1992-10-01 2002-06-11 Nikon Corporation Projection exposure method and apparatus
JPH06118623A (ja) 1992-10-07 1994-04-28 Fujitsu Ltd レチクル及びこれを用いた半導体露光装置
JPH06124873A (ja) 1992-10-09 1994-05-06 Canon Inc 液浸式投影露光装置
JP2724787B2 (ja) 1992-10-09 1998-03-09 キヤノン株式会社 位置決め装置
US5459000A (en) 1992-10-14 1995-10-17 Canon Kabushiki Kaisha Image projection method and device manufacturing method using the image projection method
JPH06124872A (ja) * 1992-10-14 1994-05-06 Canon Inc 像形成方法及び該方法を用いて半導体装置を製造する方法
JP3322274B2 (ja) 1992-10-29 2002-09-09 株式会社ニコン 投影露光方法及び投影露光装置
JPH06148399A (ja) 1992-11-05 1994-05-27 Nikon Corp Ｘ線用多層膜ミラーおよびｘ線顕微鏡
JPH06163350A (ja) 1992-11-19 1994-06-10 Matsushita Electron Corp 投影露光方法および装置
JP2753930B2 (ja) 1992-11-27 1998-05-20 キヤノン株式会社 液浸式投影露光装置
JPH06177007A (ja) 1992-12-01 1994-06-24 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 投影露光装置
JP3180133B2 (ja) 1992-12-01 2001-06-25 日本電信電話株式会社 投影露光装置
JP2866267B2 (ja) 1992-12-11 1999-03-08 三菱電機株式会社 光描画装置およびウェハ基板の光描画方法
JP2698521B2 (ja) * 1992-12-14 1998-01-19 キヤノン株式会社 反射屈折型光学系及び該光学系を備える投影露光装置
JPH06181157A (ja) 1992-12-15 1994-06-28 Nikon Corp 低発塵性の装置
JPH06186025A (ja) 1992-12-16 1994-07-08 Yunisun:Kk 三次元測定装置
JP2520833B2 (ja) 1992-12-21 1996-07-31 東京エレクトロン株式会社 浸漬式の液処理装置
JP3201027B2 (ja) 1992-12-22 2001-08-20 株式会社ニコン 投影露光装置及び方法
JP3316833B2 (ja) 1993-03-26 2002-08-19 株式会社ニコン 走査露光方法、面位置設定装置、走査型露光装置、及び前記方法を使用するデバイス製造方法
JPH06204121A (ja) 1992-12-28 1994-07-22 Canon Inc 照明装置及びそれを用いた投影露光装置
JP2765422B2 (ja) 1992-12-28 1998-06-18 キヤノン株式会社 露光装置及びそれを用いた半導体素子の製造方法
JP2786070B2 (ja) 1993-01-29 1998-08-13 セントラル硝子株式会社 透明板状体の検査方法およびその装置
JPH07245258A (ja) 1994-03-08 1995-09-19 Nikon Corp 露光方法及び露光装置
US5739898A (en) * 1993-02-03 1998-04-14 Nikon Corporation Exposure method and apparatus
JPH06241720A (ja) 1993-02-18 1994-09-02 Sony Corp 変位量の測定方法及び変位計
JPH06244082A (ja) 1993-02-19 1994-09-02 Nikon Corp 投影露光装置
JP3412704B2 (ja) 1993-02-26 2003-06-03 株式会社ニコン 投影露光方法及び装置、並びに露光装置
JP3747958B2 (ja) 1995-04-07 2006-02-22 株式会社ニコン 反射屈折光学系
JP3291818B2 (ja) 1993-03-16 2002-06-17 株式会社ニコン 投影露光装置、及び該装置を用いる半導体集積回路製造方法
JP3537843B2 (ja) 1993-03-19 2004-06-14 株式会社テクノ菱和 クリーンルーム用イオナイザー
JPH0777191B2 (ja) 1993-04-06 1995-08-16 日本電気株式会社 露光光投射装置
JP3309871B2 (ja) 1993-04-27 2002-07-29 株式会社ニコン 投影露光方法及び装置、並びに素子製造方法
JPH06326174A (ja) 1993-05-12 1994-11-25 Hitachi Ltd ウェハ真空吸着装置
CA2161895C (en) * 1993-05-25 2005-09-13 Jeffrey R. Shutic Vehicle powder coating system
JP3265503B2 (ja) 1993-06-11 2002-03-11 株式会社ニコン 露光方法及び装置
US6304317B1 (en) 1993-07-15 2001-10-16 Nikon Corporation Projection apparatus and method
JP3291849B2 (ja) 1993-07-15 2002-06-17 株式会社ニコン 露光方法、デバイス形成方法、及び露光装置
US5677757A (en) 1994-03-29 1997-10-14 Nikon Corporation Projection exposure apparatus
JP3463335B2 (ja) * 1994-02-17 2003-11-05 株式会社ニコン 投影露光装置
JPH0757992A (ja) * 1993-08-13 1995-03-03 Nikon Corp 投影露光装置
JPH0757993A (ja) 1993-08-13 1995-03-03 Nikon Corp 投影露光装置
JP3844787B2 (ja) 1993-09-02 2006-11-15 日産化学工業株式会社 フッ化マグネシウム水和物ゾルとその製造法
JP3359123B2 (ja) 1993-09-20 2002-12-24 キヤノン株式会社 収差補正光学系
JP3099933B2 (ja) 1993-12-28 2000-10-16 株式会社東芝 露光方法及び露光装置
KR0153796B1 (ko) 1993-09-24 1998-11-16 사토 후미오 노광장치 및 노광방법
JPH07122469A (ja) 1993-10-20 1995-05-12 Nikon Corp 投影露光装置
JP3505810B2 (ja) 1993-10-29 2004-03-15 株式会社日立製作所 パターン露光方法及びその装置
KR0166612B1 (ko) * 1993-10-29 1999-02-01 가나이 쓰토무 패턴노광방법 및 그 장치와 그것에 이용되는 마스크와 그것을 이용하여 만들어진 반도체 집적회로
JP3376045B2 (ja) 1993-11-09 2003-02-10 キヤノン株式会社 走査型露光装置及び該走査型露光装置を用いるデバイス製造方法
JP3339144B2 (ja) 1993-11-11 2002-10-28 株式会社ニコン 走査型露光装置及び露光方法
JPH07134955A (ja) 1993-11-11 1995-05-23 Hitachi Ltd 表示装置およびその反射率調整方法
JP3278303B2 (ja) 1993-11-12 2002-04-30 キヤノン株式会社 走査型露光装置及び該走査型露光装置を用いるデバイス製造方法
JPH07147223A (ja) 1993-11-26 1995-06-06 Hitachi Ltd パターン形成方法
EP1209508B1 (en) 1993-12-01 2004-10-27 Sharp Kabushiki Kaisha Display for 3D images
JPH07161622A (ja) * 1993-12-10 1995-06-23 Nikon Corp 投影露光装置
JPH07167998A (ja) 1993-12-15 1995-07-04 Nikon Corp レーザープラズマｘ線源用標的
JP3487517B2 (ja) 1993-12-16 2004-01-19 株式会社リコー 往復移動装置
JP3508190B2 (ja) 1993-12-21 2004-03-22 セイコーエプソン株式会社 照明装置及び投写型表示装置
JPH07183201A (ja) * 1993-12-21 1995-07-21 Nec Corp 露光装置および露光方法
JPH07190741A (ja) 1993-12-27 1995-07-28 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 測定誤差補正法
JPH07220989A (ja) 1994-01-27 1995-08-18 Canon Inc 露光装置及びこれを用いたデバイス製造方法
JPH07220990A (ja) 1994-01-28 1995-08-18 Hitachi Ltd パターン形成方法及びその露光装置
JP2715895B2 (ja) 1994-01-31 1998-02-18 日本電気株式会社 光強度分布シミュレーション方法
JP3372633B2 (ja) 1994-02-04 2003-02-04 キヤノン株式会社 位置合わせ方法及びそれを用いた位置合わせ装置
US5559583A (en) 1994-02-24 1996-09-24 Nec Corporation Exposure system and illuminating apparatus used therein and method for exposing a resist film on a wafer
JP2836483B2 (ja) 1994-05-13 1998-12-14 日本電気株式会社 照明光学装置
JPH07239212A (ja) 1994-02-28 1995-09-12 Nikon Corp 位置検出装置
JPH07243814A (ja) 1994-03-03 1995-09-19 Fujitsu Ltd 線幅測定方法
JPH07263315A (ja) * 1994-03-25 1995-10-13 Toshiba Corp 投影露光装置
US20020080338A1 (en) 1994-03-29 2002-06-27 Nikon Corporation Projection exposure apparatus
US6333776B1 (en) 1994-03-29 2001-12-25 Nikon Corporation Projection exposure apparatus
US5528118A (en) 1994-04-01 1996-06-18 Nikon Precision, Inc. Guideless stage with isolated reaction stage
US5874820A (en) 1995-04-04 1999-02-23 Nikon Corporation Window frame-guided stage mechanism
JPH07283119A (ja) * 1994-04-14 1995-10-27 Hitachi Ltd 露光装置および露光方法
JPH088177A (ja) * 1994-04-22 1996-01-12 Canon Inc 投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法
JP3193567B2 (ja) 1994-04-27 2001-07-30 キヤノン株式会社 基板収容容器
JP3555230B2 (ja) 1994-05-18 2004-08-18 株式会社ニコン 投影露光装置
JPH07335748A (ja) 1994-06-07 1995-12-22 Miyazaki Oki Electric Co Ltd 半導体素子の製造方法
EP0687956B2 (de) 1994-06-17 2005-11-23 Carl Zeiss SMT AG Beleuchtungseinrichtung
US5473465A (en) 1994-06-24 1995-12-05 Ye; Chun Optical rotator and rotation-angle-variable half-waveplate rotator
JP3800616B2 (ja) 1994-06-27 2006-07-26 株式会社ニコン 目標物移動装置、位置決め装置及び可動ステージ装置
JP3090577B2 (ja) 1994-06-29 2000-09-25 浜松ホトニクス株式会社 導電体層除去方法およびシステム
JP3205663B2 (ja) 1994-06-29 2001-09-04 日本電子株式会社 荷電粒子ビーム装置
JPH0822948A (ja) 1994-07-08 1996-01-23 Nikon Corp 走査型露光装置
JP3205468B2 (ja) 1994-07-25 2001-09-04 株式会社日立製作所 ウエハチャックを備えた処理装置および露光装置
JPH0846751A (ja) 1994-07-29 1996-02-16 Sanyo Electric Co Ltd 照明光学系
JP3613288B2 (ja) 1994-10-18 2005-01-26 株式会社ニコン 露光装置用のクリーニング装置
US5838408A (en) 1994-10-26 1998-11-17 Seiko Epson Corporation Liquid crystal device and electronic equipment using the same
JPH08136475A (ja) 1994-11-14 1996-05-31 Kawasaki Steel Corp 板状材の表面観察装置
JPH08151220A (ja) 1994-11-28 1996-06-11 Nippon Sekiei Glass Kk 石英ガラスの成形方法
JPH08162397A (ja) 1994-11-30 1996-06-21 Canon Inc 投影露光装置及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法
JPH08171054A (ja) 1994-12-16 1996-07-02 Nikon Corp 反射屈折光学系
JPH08195375A (ja) 1995-01-17 1996-07-30 Sony Corp 回転乾燥方法および回転乾燥装置
JPH08203803A (ja) 1995-01-24 1996-08-09 Nikon Corp 露光装置
JP3521544B2 (ja) 1995-05-24 2004-04-19 株式会社ニコン 露光装置
JP3312164B2 (ja) 1995-04-07 2002-08-05 日本電信電話株式会社 真空吸着装置
JPH08297699A (ja) 1995-04-26 1996-11-12 Hitachi Ltd 製造不良解析支援システム、製造システム、および製造不良解析支援方法
JPH08316125A (ja) 1995-05-19 1996-11-29 Hitachi Ltd 投影露光方法及び露光装置
US5631721A (en) * 1995-05-24 1997-05-20 Svg Lithography Systems, Inc. Hybrid illumination system for use in photolithography
US5663785A (en) 1995-05-24 1997-09-02 International Business Machines Corporation Diffraction pupil filler modified illuminator for annular pupil fills
US5680588A (en) 1995-06-06 1997-10-21 International Business Machines Corporation Method and system for optimizing illumination in an optical photolithography projection imaging system
KR0155830B1 (ko) 1995-06-19 1998-11-16 김광호 변형노광장치 및 노광방법
JP3531297B2 (ja) 1995-06-19 2004-05-24 株式会社ニコン 投影露光装置及び投影露光方法
KR100474578B1 (ko) 1995-06-23 2005-06-21 가부시키가이샤 니콘 노광장치와그제조방법,조명광학장치와그제조방법,노광방법,조명광학계의제조방법및반도체소자의제조방법
JP3561556B2 (ja) 1995-06-29 2004-09-02 株式会社ルネサステクノロジ マスクの製造方法
JP3637639B2 (ja) 1995-07-10 2005-04-13 株式会社ニコン 露光装置
JPH09108551A (ja) 1995-08-11 1997-04-28 Mitsubishi Rayon Co Ltd 浄水器
JPH0961686A (ja) 1995-08-23 1997-03-07 Nikon Corp プラスチックレンズ
JPH0982626A (ja) 1995-09-12 1997-03-28 Nikon Corp 投影露光装置
JP3487527B2 (ja) 1995-09-14 2004-01-19 株式会社東芝 光屈折装置
US5815247A (en) 1995-09-21 1998-09-29 Siemens Aktiengesellschaft Avoidance of pattern shortening by using off axis illumination with dipole and polarizing apertures
JPH0992593A (ja) 1995-09-21 1997-04-04 Nikon Corp 投影露光装置
DE19535392A1 (de) * 1995-09-23 1997-03-27 Zeiss Carl Fa Radial polarisationsdrehende optische Anordnung und Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage damit
JP3433403B2 (ja) 1995-10-16 2003-08-04 三星電子株式会社 ステッパのインタフェース装置
JPH09134870A (ja) 1995-11-10 1997-05-20 Hitachi Ltd パターン形成方法および形成装置
JPH09148406A (ja) 1995-11-24 1997-06-06 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板搬送装置
JPH09151658A (ja) 1995-11-30 1997-06-10 Nichibei Co Ltd 移動間仕切壁のランナ連結装置
JPH09160004A (ja) 1995-12-01 1997-06-20 Denso Corp 液晶セル及びその空セル
JP3406957B2 (ja) * 1995-12-06 2003-05-19 キヤノン株式会社 光学素子及びそれを用いた露光装置
JPH09162106A (ja) 1995-12-11 1997-06-20 Nikon Corp 走査型露光装置
JPH09178415A (ja) 1995-12-25 1997-07-11 Nikon Corp 光波干渉測定装置
JPH09184787A (ja) 1995-12-28 1997-07-15 Olympus Optical Co Ltd 光学レンズ用解析評価装置
JP3232473B2 (ja) 1996-01-10 2001-11-26 キヤノン株式会社 投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法
JP3189661B2 (ja) 1996-02-05 2001-07-16 ウシオ電機株式会社 光源装置
JP3576685B2 (ja) 1996-02-07 2004-10-13 キヤノン株式会社 露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法
JPH09227294A (ja) 1996-02-26 1997-09-02 Toyo Commun Equip Co Ltd 人工水晶の製造方法
JPH09232213A (ja) 1996-02-26 1997-09-05 Nikon Corp 投影露光装置
JP3782151B2 (ja) 1996-03-06 2006-06-07 キヤノン株式会社 エキシマレーザー発振装置のガス供給装置
JPH09243892A (ja) 1996-03-06 1997-09-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光学素子
JP3601174B2 (ja) 1996-03-14 2004-12-15 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法
JPH09281077A (ja) 1996-04-16 1997-10-31 Hitachi Ltd キャピラリ−電気泳動装置
RU2084941C1 (ru) 1996-05-06 1997-07-20 Йелстаун Корпорейшн Н.В. Адаптивный оптический модуль
JP2691341B2 (ja) 1996-05-27 1997-12-17 株式会社ニコン 投影露光装置
JPH09326338A (ja) 1996-06-04 1997-12-16 Nikon Corp 製造管理装置
JPH09325255A (ja) 1996-06-06 1997-12-16 Olympus Optical Co Ltd 電子カメラ
JPH103039A (ja) 1996-06-14 1998-01-06 Nikon Corp 反射屈折光学系
JPH102865A (ja) 1996-06-18 1998-01-06 Nikon Corp レチクルの検査装置およびその検査方法
JPH1020195A (ja) 1996-06-28 1998-01-23 Nikon Corp 反射屈折光学系
JPH1032160A (ja) 1996-07-17 1998-02-03 Toshiba Corp パターン露光方法及び露光装置
JP3646415B2 (ja) 1996-07-18 2005-05-11 ソニー株式会社 マスク欠陥の検出方法
JPH1038517A (ja) 1996-07-23 1998-02-13 Canon Inc 光学式変位測定装置
JPH1079337A (ja) 1996-09-04 1998-03-24 Nikon Corp 投影露光装置
JP3646757B2 (ja) 1996-08-22 2005-05-11 株式会社ニコン 投影露光方法及び装置
JPH1055713A (ja) 1996-08-08 1998-02-24 Ushio Inc 紫外線照射装置
JPH1062305A (ja) 1996-08-19 1998-03-06 Advantest Corp Ｃｃｄカメラの感度補正方法およびｃｃｄカメラ感度補正機能付ｌｃｄパネル表示試験システム
JPH1082611A (ja) 1996-09-10 1998-03-31 Nikon Corp 面位置検出装置
JPH1092735A (ja) 1996-09-13 1998-04-10 Nikon Corp 露光装置
JP2914315B2 (ja) 1996-09-20 1999-06-28 日本電気株式会社 走査型縮小投影露光装置及びディストーション測定方法
JPH10104427A (ja) 1996-10-03 1998-04-24 Sankyo Seiki Mfg Co Ltd 波長板およびそれを備えた光ピックアップ装置
US5825043A (en) * 1996-10-07 1998-10-20 Nikon Precision Inc. Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus
JPH10116760A (ja) 1996-10-08 1998-05-06 Nikon Corp 露光装置及び基板保持装置
JP3572083B2 (ja) 1996-10-08 2004-09-29 シチズン時計株式会社 光ディスク装置
JPH10116778A (ja) 1996-10-09 1998-05-06 Canon Inc スキャン露光装置
JPH10116779A (ja) 1996-10-11 1998-05-06 Nikon Corp ステージ装置
JP3955985B2 (ja) 1996-10-16 2007-08-08 株式会社ニコン マーク位置検出装置及び方法
KR100191329B1 (ko) 1996-10-23 1999-06-15 윤종용 인터넷상에서의 원격교육방법 및 그 장치.
JP3991166B2 (ja) 1996-10-25 2007-10-17 株式会社ニコン 照明光学装置および該照明光学装置を備えた露光装置
JPH10135099A (ja) 1996-10-25 1998-05-22 Sony Corp 露光装置及び露光方法
EP0951054B1 (en) * 1996-11-28 2008-08-13 Nikon Corporation Aligner and method for exposure
JP4029182B2 (ja) 1996-11-28 2008-01-09 株式会社ニコン 露光方法
JP4029183B2 (ja) 1996-11-28 2008-01-09 株式会社ニコン 投影露光装置及び投影露光方法
JP3624065B2 (ja) 1996-11-29 2005-02-23 キヤノン株式会社 基板搬送装置、半導体製造装置および露光装置
JPH10169249A (ja) 1996-12-12 1998-06-23 Ohbayashi Corp 免震構造
JPH10189700A (ja) 1996-12-20 1998-07-21 Sony Corp ウェーハ保持機構
DE69735016T2 (de) 1996-12-24 2006-08-17 Asml Netherlands B.V. Lithographisches Gerät mit zwei Objekthaltern
US5841500A (en) 1997-01-09 1998-11-24 Tellium, Inc. Wedge-shaped liquid crystal cell
JP2910716B2 (ja) 1997-01-16 1999-06-23 日本電気株式会社 光強度計算のパラメトリック解析方法
JPH10206714A (ja) 1997-01-20 1998-08-07 Canon Inc レンズ移動装置
JP2926325B2 (ja) 1997-01-23 1999-07-28 株式会社ニコン 走査露光方法
JPH10209018A (ja) 1997-01-24 1998-08-07 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Ｘ線マスクフレームおよびｘ線マスクの保持方法
JP3612920B2 (ja) 1997-02-14 2005-01-26 ソニー株式会社 光学記録媒体の原盤作製用露光装置
JPH10255319A (ja) 1997-03-12 1998-09-25 Hitachi Maxell Ltd 原盤露光装置及び方法
JPH10294268A (ja) 1997-04-16 1998-11-04 Nikon Corp 投影露光装置及び位置合わせ方法
JP3747566B2 (ja) 1997-04-23 2006-02-22 株式会社ニコン 液浸型露光装置
JPH118194A (ja) 1997-04-25 1999-01-12 Nikon Corp 露光条件測定方法、投影光学系の評価方法及びリソグラフィシステム
KR100261888B1 (ko) 1997-04-30 2000-07-15 전주범 디지탈 비디오 디스크 레코더의 사용자 정보 처리방법
JP3817836B2 (ja) 1997-06-10 2006-09-06 株式会社ニコン 露光装置及びその製造方法並びに露光方法及びデバイス製造方法
JPH113856A (ja) 1997-06-11 1999-01-06 Canon Inc 投影露光方法及び投影露光装置
JP3233341B2 (ja) 1997-06-12 2001-11-26 船井電機株式会社 製パン機およびこれに用いられる記録媒体
JPH113849A (ja) 1997-06-12 1999-01-06 Sony Corp 可変変形照明フィルタ及び半導体露光装置
JPH1114876A (ja) 1997-06-19 1999-01-22 Nikon Corp 光学構造体、その光学構造体を組み込んだ投影露光用光学系及び投影露光装置
JPH1116816A (ja) 1997-06-25 1999-01-22 Nikon Corp 投影露光装置、該装置を用いた露光方法、及び該装置を用いた回路デバイスの製造方法
JPH1140657A (ja) 1997-07-23 1999-02-12 Nikon Corp 試料保持装置および走査型露光装置
US6829041B2 (en) 1997-07-29 2004-12-07 Canon Kabushiki Kaisha Projection optical system and projection exposure apparatus having the same
JP3264224B2 (ja) 1997-08-04 2002-03-11 キヤノン株式会社 照明装置及びそれを用いた投影露光装置
JP3413074B2 (ja) 1997-08-29 2003-06-03 キヤノン株式会社 露光装置およびデバイス製造方法
JPH1187237A (ja) 1997-09-10 1999-03-30 Nikon Corp アライメント装置
JP4164905B2 (ja) 1997-09-25 2008-10-15 株式会社ニコン 電磁力モータ、ステージ装置および露光装置
JP2000106340A (ja) 1997-09-26 2000-04-11 Nikon Corp 露光装置及び走査露光方法、並びにステージ装置
JPH11111819A (ja) 1997-09-30 1999-04-23 Asahi Kasei Micro Syst Co Ltd ウェハーの固定方法及び露光装置
JPH11111818A (ja) 1997-10-03 1999-04-23 Oki Electric Ind Co Ltd ウェハ保持装置及びウェハ保持具
JPH11111601A (ja) 1997-10-06 1999-04-23 Nikon Corp 露光方法及び装置
JPH11195602A (ja) 1997-10-07 1999-07-21 Nikon Corp 投影露光方法及び装置
JP3097620B2 (ja) 1997-10-09 2000-10-10 日本電気株式会社 走査型縮小投影露光装置
JP4210871B2 (ja) 1997-10-31 2009-01-21 株式会社ニコン 露光装置
JPH11142556A (ja) 1997-11-13 1999-05-28 Nikon Corp ステージ制御方法、ステージ装置、及び該装置を備えた露光装置
JPH11150062A (ja) 1997-11-14 1999-06-02 Nikon Corp 除振装置及び露光装置並びに除振台の除振方法
WO1999027568A1 (fr) 1997-11-21 1999-06-03 Nikon Corporation Graveur de motifs a projection et procede de sensibilisation a projection
JPH11162831A (ja) 1997-11-21 1999-06-18 Nikon Corp 投影露光装置及び投影露光方法
JPH11283903A (ja) 1998-03-30 1999-10-15 Nikon Corp 投影光学系検査装置及び同装置を備えた投影露光装置
JPH11163103A (ja) 1997-11-25 1999-06-18 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法および製造装置
JPH11159571A (ja) 1997-11-28 1999-06-15 Nikon Corp 機械装置、露光装置及び露光装置の運転方法
JPH11166990A (ja) 1997-12-04 1999-06-22 Nikon Corp ステージ装置及び露光装置並びに走査型露光装置
JPH11176727A (ja) 1997-12-11 1999-07-02 Nikon Corp 投影露光装置
JP3673633B2 (ja) 1997-12-16 2005-07-20 キヤノン株式会社 投影光学系の組立調整方法
WO1999031716A1 (fr) 1997-12-16 1999-06-24 Nikon Corporation Aligneur, methode d'exposition et procede de fabrication de ce dispositif
US6208407B1 (en) * 1997-12-22 2001-03-27 Asm Lithography B.V. Method and apparatus for repetitively projecting a mask pattern on a substrate, using a time-saving height measurement
TW449672B (en) 1997-12-25 2001-08-11 Nippon Kogaku Kk Process and apparatus for manufacturing photomask and method of manufacturing the same
WO1999034417A1 (fr) 1997-12-26 1999-07-08 Nikon Corporation Procede d'exposition et appareil d'exposition
JPH11204390A (ja) 1998-01-14 1999-07-30 Canon Inc 半導体製造装置およびデバイス製造方法
JPH11219882A (ja) 1998-02-02 1999-08-10 Nikon Corp ステージ及び露光装置
JPH11288879A (ja) 1998-02-04 1999-10-19 Hitachi Ltd 露光条件決定方法とその装置ならびに半導体装置の製造方法
JP3820728B2 (ja) 1998-02-04 2006-09-13 東レ株式会社 基板の測定装置
JPH11233434A (ja) 1998-02-17 1999-08-27 Nikon Corp 露光条件決定方法、露光方法、露光装置、及びデバイスの製造方法
DE19807120A1 (de) * 1998-02-20 1999-08-26 Zeiss Carl Fa Optisches System mit Polarisationskompensator
JP4207240B2 (ja) 1998-02-20 2009-01-14 株式会社ニコン 露光装置用照度計、リソグラフィ・システム、照度計の較正方法およびマイクロデバイスの製造方法
JPH11239758A (ja) 1998-02-26 1999-09-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JPH11260791A (ja) 1998-03-10 1999-09-24 Toshiba Mach Co Ltd 半導体ウエハの乾燥方法および乾燥装置
JPH11260686A (ja) 1998-03-11 1999-09-24 Toshiba Corp 露光方法
JPH11264756A (ja) 1998-03-18 1999-09-28 Tokyo Electron Ltd 液面検出器および液面検出方法、ならびに基板処理装置
WO1999049366A1 (fr) 1998-03-20 1999-09-30 Nikon Corporation Photomasque et systeme d'exposition par projection
KR20010042098A (ko) * 1998-03-24 2001-05-25 오노 시게오 조명 장치, 노광 방법 및 장치와 디바이스 제조 방법
EP1083462A4 (en) 1998-03-26 2003-12-03 Nikon Corp EXPOSURE METHOD AND SYSTEM, PHOTOMASK, METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF, MICROELEMENT, METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
AU2747999A (en) 1998-03-26 1999-10-18 Nikon Corporation Projection exposure method and system
DE69931690T2 (de) 1998-04-08 2007-06-14 Asml Netherlands B.V. Lithographischer Apparat
JPH11307610A (ja) 1998-04-22 1999-11-05 Nikon Corp 基板搬送装置及び露光装置
JPH11312631A (ja) 1998-04-27 1999-11-09 Nikon Corp 照明光学装置および露光装置
US6238063B1 (en) 1998-04-27 2001-05-29 Nikon Corporation Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus
WO2000070660A1 (fr) * 1999-05-18 2000-11-23 Nikon Corporation Procede et dispositif d'exposition, et dispositif d'eclairage
JP4090115B2 (ja) 1998-06-09 2008-05-28 信越ポリマー株式会社 基板収納容器
JP3985346B2 (ja) 1998-06-12 2007-10-03 株式会社ニコン 投影露光装置、投影露光装置の調整方法、及び投影露光方法
AU4167199A (en) 1998-06-17 2000-01-05 Nikon Corporation Method for producing mask
JP2000012453A (ja) 1998-06-18 2000-01-14 Nikon Corp 露光装置及びその使用方法、露光方法、並びにマスクの製造方法
JP2000021742A (ja) 1998-06-30 2000-01-21 Canon Inc 露光方法および露光装置
JP2000021748A (ja) 1998-06-30 2000-01-21 Canon Inc 露光方法および露光装置
DE19829612A1 (de) * 1998-07-02 2000-01-05 Zeiss Carl Fa Beleuchtungssystem der Mikrolithographie mit Depolarisator
JP2000032403A (ja) 1998-07-14 2000-01-28 Sony Corp データ伝送方法、データ送信装置及び受信装置
JP2000029202A (ja) 1998-07-15 2000-01-28 Nikon Corp マスクの製造方法
JP2000036449A (ja) 1998-07-17 2000-02-02 Nikon Corp 露光装置
JP2000058436A (ja) 1998-08-11 2000-02-25 Nikon Corp 投影露光装置及び露光方法
WO2000011706A1 (fr) 1998-08-18 2000-03-02 Nikon Corporation Illuminateur et appareil d'exposition a la projection
JP2000081320A (ja) 1998-09-03 2000-03-21 Canon Inc 面位置検出装置及びそれを用いたデバイスの製造方法
JP2000092815A (ja) 1998-09-10 2000-03-31 Canon Inc ステージ装置および該ステージ装置を用いた露光装置
JP4132397B2 (ja) 1998-09-16 2008-08-13 積水化学工業株式会社 光硬化性樹脂組成物、液晶注入口封止剤及び液晶表示セル
JP2000097616A (ja) 1998-09-22 2000-04-07 Nikon Corp 干渉計
US6031658A (en) * 1998-09-25 2000-02-29 University Of Central Florida Digital control polarization based optical scanner
JP4065923B2 (ja) 1998-09-29 2008-03-26 株式会社ニコン 照明装置及び該照明装置を備えた投影露光装置、該照明装置による投影露光方法、及び該投影露光装置の調整方法
JP2000121491A (ja) 1998-10-20 2000-04-28 Nikon Corp 光学系の評価方法
JP2001176766A (ja) 1998-10-29 2001-06-29 Nikon Corp 照明装置及び投影露光装置
JP2000147346A (ja) 1998-11-09 2000-05-26 Toshiba Corp モールドレンズの取付機構
JP2000180371A (ja) 1998-12-11 2000-06-30 Sharp Corp 異物検査装置および半導体工程装置
US6563567B1 (en) 1998-12-17 2003-05-13 Nikon Corporation Method and apparatus for illuminating a surface using a projection imaging apparatus
EP1014196A3 (en) 1998-12-17 2002-05-29 Nikon Corporation Method and system of illumination for a projection optical apparatus
US6406148B1 (en) 1998-12-31 2002-06-18 Texas Instruments Incorporated Electronic color switching in field sequential video displays
WO2000041226A1 (fr) * 1999-01-06 2000-07-13 Nikon Corporation Systeme optique de projection, procede de fabrication associe et appareil d'exposition par projection utilisant ce systeme
JP4146952B2 (ja) 1999-01-11 2008-09-10 キヤノン株式会社 露光装置およびデバイス製造方法
JP2000208407A (ja) 1999-01-19 2000-07-28 Nikon Corp 露光装置
JP2000243684A (ja) 1999-02-18 2000-09-08 Canon Inc 露光装置およびデバイス製造方法
JP2000240717A (ja) 1999-02-19 2000-09-05 Canon Inc 能動的除振装置
JP2000252201A (ja) 1999-03-02 2000-09-14 Nikon Corp 面位置検出方法および装置、これらを用いた投影露光方法および装置、半導体デバイス製造方法
JP2000283889A (ja) 1999-03-31 2000-10-13 Nikon Corp 投影光学系の検査装置及び検査方法、露光装置、並びに、マイクロデバイスの製造方法
JP2000286176A (ja) 1999-03-31 2000-10-13 Hitachi Ltd 半導体基板処理装置における処理状況の表示方法及び半導体基板処理装置
JP2001174615A (ja) 1999-04-15 2001-06-29 Nikon Corp 回折光学素子、該素子の製造方法、該素子を備える照明装置、投影露光装置、露光方法、及び光ホモジナイザー、該光ホモジナイザーの製造方法
AU4143000A (en) * 1999-04-28 2000-11-17 Nikon Corporation Exposure method and apparatus
DE19921795A1 (de) 1999-05-11 2000-11-23 Zeiss Carl Fa Projektions-Belichtungsanlage und Belichtungsverfahren der Mikrolithographie
US6498869B1 (en) 1999-06-14 2002-12-24 Xiaotian Steve Yao Devices for depolarizing polarized light
JP2000003874A (ja) 1999-06-15 2000-01-07 Nikon Corp 露光方法及び露光装置
JP2001007015A (ja) 1999-06-25 2001-01-12 Canon Inc ステージ装置
AU4395099A (en) 1999-06-30 2001-01-22 Nikon Corporation Exposure method and device
AU5848100A (en) 1999-07-05 2001-01-22 Nikon Corporation Method for producing quartz glass member and quartz glass member produced thereby
JP2001020951A (ja) 1999-07-07 2001-01-23 Toto Ltd 静圧気体軸受
JP2001023996A (ja) 1999-07-08 2001-01-26 Sony Corp 半導体製造方法
DE10029938A1 (de) 1999-07-09 2001-07-05 Zeiss Carl Optisches System für das Vakuum-Ultraviolett
JP2001037201A (ja) 1999-07-21 2001-02-09 Nikon Corp モータ装置、ステージ装置及び露光装置
JP2001100311A (ja) 1999-07-23 2001-04-13 Seiko Epson Corp プロジェクタ
JP2001044097A (ja) 1999-07-26 2001-02-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd 露光装置
US6280034B1 (en) 1999-07-30 2001-08-28 Philips Electronics North America Corporation Efficient two-panel projection system employing complementary illumination
JP3110023B1 (ja) 1999-09-02 2000-11-20 岩堀 雅行 燃料放出装置
JP2001083472A (ja) 1999-09-10 2001-03-30 Nikon Corp 光変調装置、光源装置、及び露光装置
JP4362857B2 (ja) 1999-09-10 2009-11-11 株式会社ニコン 光源装置及び露光装置
WO2001020733A1 (fr) 1999-09-10 2001-03-22 Nikon Corporation Source lumineuse et procede de commande de stabilisation de longueur d'onde, appareil et procede d'exposition, procede de production d'un appareil d'exposition et procede de fabrication d'un dispositif et dispositif associe
AU5653699A (en) 1999-09-20 2001-04-24 Nikon Corporation Parallel link mechanism, exposure system and method of manufacturing the same, and method of manufacturing devices
EP1139138A4 (en) 1999-09-29 2006-03-08 Nikon Corp PROJECTION EXPOSURE PROCESS, DEVICE AND OPTICAL PROJECTION SYSTEM
WO2001023933A1 (fr) 1999-09-29 2001-04-05 Nikon Corporation Systeme optique de projection
JP2001097734A (ja) 1999-09-30 2001-04-10 Toshiba Ceramics Co Ltd 石英ガラス製容器およびその製造方法
KR100625625B1 (ko) 1999-10-07 2006-09-20 가부시키가이샤 니콘 기판, 스테이지 장치, 스테이지 구동 방법, 노광 장치 및노광 방법
JP2001110707A (ja) 1999-10-08 2001-04-20 Orc Mfg Co Ltd 周辺露光装置の光学系
JP2001118773A (ja) 1999-10-18 2001-04-27 Nikon Corp ステージ装置及び露光装置
JP2001135560A (ja) 1999-11-04 2001-05-18 Nikon Corp 照明光学装置、該照明光学装置を備えた露光装置、および該露光装置を用いたマイクロデバイス製造方法
WO2001035451A1 (fr) * 1999-11-09 2001-05-17 Nikon Corporation Illuminateur, aligneur, et procede de fabrication d'un tel dispositif
JP2001144004A (ja) 1999-11-16 2001-05-25 Nikon Corp 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法
US6361909B1 (en) * 1999-12-06 2002-03-26 Industrial Technology Research Institute Illumination aperture filter design using superposition
JP2001167996A (ja) 1999-12-10 2001-06-22 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置
TW546550B (en) 1999-12-13 2003-08-11 Asml Netherlands Bv An illuminator for a lithography apparatus, a lithography apparatus comprising such an illuminator, and a manufacturing method employing such a lithography apparatus
EP1109067B1 (en) 1999-12-13 2006-05-24 ASML Netherlands B.V. Illuminator
JP2002118058A (ja) 2000-01-13 2002-04-19 Nikon Corp 投影露光装置及び方法
JP2001203140A (ja) 2000-01-20 2001-07-27 Nikon Corp ステージ装置、露光装置及びデバイス製造方法
JP3413485B2 (ja) 2000-01-31 2003-06-03 住友重機械工業株式会社 リニアモータにおける推力リップル測定方法
JP2005233979A (ja) 2000-02-09 2005-09-02 Nikon Corp 反射屈折光学系
JP2001228404A (ja) 2000-02-14 2001-08-24 Nikon Engineering Co Ltd 落射型顕微鏡、プローブカードの検査装置、および、プローブカードの製造方法
JP4018309B2 (ja) 2000-02-14 2007-12-05 松下電器産業株式会社 回路パラメータ抽出方法、半導体集積回路の設計方法および装置
JP3302965B2 (ja) 2000-02-15 2002-07-15 株式会社東芝 露光装置の検査方法
JP2001228401A (ja) 2000-02-16 2001-08-24 Canon Inc 投影光学系、および該投影光学系による投影露光装置、デバイス製造方法
JP2001313250A (ja) 2000-02-25 2001-11-09 Nikon Corp 露光装置、その調整方法、及び前記露光装置を用いるデバイス製造方法
JP2002100561A (ja) 2000-07-19 2002-04-05 Nikon Corp 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法
SG107560A1 (en) 2000-02-25 2004-12-29 Nikon Corp Exposure apparatus and exposure method capable of controlling illumination distribution
JP2001242269A (ja) 2000-03-01 2001-09-07 Nikon Corp ステージ装置及びステージ駆動方法並びに露光装置及び露光方法
DE10010131A1 (de) * 2000-03-03 2001-09-06 Zeiss Carl Mikrolithographie - Projektionsbelichtung mit tangentialer Polarisartion
US7301605B2 (en) 2000-03-03 2007-11-27 Nikon Corporation Projection exposure apparatus and method, catadioptric optical system and manufacturing method of devices
JP2001264696A (ja) * 2000-03-16 2001-09-26 Canon Inc 照明光学系及びそれを備えた露光装置
JP2001265581A (ja) 2000-03-21 2001-09-28 Canon Inc ソフトウエアの不正使用防止システムおよび不正使用防止方法
JP2001267227A (ja) 2000-03-21 2001-09-28 Canon Inc 除振システム、露光装置およびデバイス製造方法
JP2001338868A (ja) 2000-03-24 2001-12-07 Nikon Corp 照度計測装置及び露光装置
JP2001272764A (ja) * 2000-03-24 2001-10-05 Canon Inc 投影露光用フォトマスク、およびそれを用いた投影露光方法
JP4689064B2 (ja) 2000-03-30 2011-05-25 キヤノン株式会社 露光装置およびデバイス製造方法
JP2001282526A (ja) 2000-03-31 2001-10-12 Canon Inc ソフトウェア管理装置、方法、及びコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
JP3927753B2 (ja) 2000-03-31 2007-06-13 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
JP2001296105A (ja) 2000-04-12 2001-10-26 Nikon Corp 面位置検出装置、並びに該検出装置を用いた露光装置および露光方法
JP2001297976A (ja) 2000-04-17 2001-10-26 Canon Inc 露光方法及び露光装置
JP2001307983A (ja) 2000-04-20 2001-11-02 Nikon Corp ステージ装置及び露光装置
JP3514439B2 (ja) 2000-04-20 2004-03-31 キヤノン株式会社 光学要素の支持構造、および該支持構造を用いて構成された露光装置と、該装置によるデバイス等の製造方法
JP2001304332A (ja) 2000-04-24 2001-10-31 Canon Inc 能動制振装置
WO2001082000A1 (en) 2000-04-25 2001-11-01 Silicon Valley Group, Inc. Optical reduction system with elimination of reticle diffraction induced bias
JP2003532281A (ja) 2000-04-25 2003-10-28 エーエスエムエル ユーエス，インコーポレイテッド 照明偏光の制御を備えた光学縮小システム
JP2002014005A (ja) 2000-04-25 2002-01-18 Nikon Corp 空間像計測方法、結像特性計測方法、空間像計測装置及び露光装置
JP2002057097A (ja) 2000-05-31 2002-02-22 Nikon Corp 露光装置、及びマイクロデバイス並びにその製造方法
JP2002016124A (ja) 2000-06-28 2002-01-18 Sony Corp ウェーハ搬送アーム機構
JP2002015978A (ja) 2000-06-29 2002-01-18 Canon Inc 露光装置
JP2002043213A (ja) 2000-07-25 2002-02-08 Nikon Corp ステージ装置および露光装置
ATE352052T1 (de) 2000-08-18 2007-02-15 Nikon Corp Haltevorrichtung für optisches element
JP3645801B2 (ja) * 2000-08-24 2005-05-11 ペンタックス株式会社 ビーム列検出方法および検出用位相フィルター
JP2002071513A (ja) 2000-08-28 2002-03-08 Nikon Corp 液浸系顕微鏡対物レンズ用干渉計および液浸系顕微鏡対物レンズの評価方法
JP4504537B2 (ja) 2000-08-29 2010-07-14 芝浦メカトロニクス株式会社 スピン処理装置
JP2002075835A (ja) * 2000-08-30 2002-03-15 Nikon Corp 照明光学装置および該照明光学装置を備えた露光装置
US6373614B1 (en) 2000-08-31 2002-04-16 Cambridge Research Instrumentation Inc. High performance polarization controller and polarization sensor
JP2002093686A (ja) 2000-09-19 2002-03-29 Nikon Corp ステージ装置及び露光装置
JP2002093690A (ja) 2000-09-19 2002-03-29 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法
JP2002091922A (ja) 2000-09-20 2002-03-29 Fujitsu General Ltd アプリケーションソフトとコンテンツの配信管理方法と配信管理システム
EP1338913A4 (en) * 2000-10-10 2006-09-27 Nikon Corp METHOD FOR EVALUATING PICTURE PERFORMANCE
JP4245286B2 (ja) 2000-10-23 2009-03-25 株式会社ニコン 反射屈折光学系および該光学系を備えた露光装置
JP2002141270A (ja) 2000-11-01 2002-05-17 Nikon Corp 露光装置
US20020075467A1 (en) 2000-12-20 2002-06-20 Nikon Corporation Exposure apparatus and method
JP2002158157A (ja) 2000-11-17 2002-05-31 Nikon Corp 照明光学装置および露光装置並びにマイクロデバイスの製造方法
JP2002162655A (ja) * 2000-11-27 2002-06-07 Sony Corp 光学装置
JP2002170495A (ja) 2000-11-28 2002-06-14 Akira Sekino 隔壁一体型合成樹脂背面基板
JP2002190438A (ja) 2000-12-21 2002-07-05 Nikon Corp 露光装置
JP2002198284A (ja) 2000-12-25 2002-07-12 Nikon Corp ステージ装置および露光装置
JP2002203763A (ja) 2000-12-27 2002-07-19 Nikon Corp 光学特性計測方法及び装置、信号感度設定方法、露光装置、並びにデバイス製造方法
JP2002195912A (ja) 2000-12-27 2002-07-10 Nikon Corp 光学特性計測方法及び装置、露光装置、並びにデバイス製造方法
JP2002202221A (ja) 2000-12-28 2002-07-19 Nikon Corp 位置検出方法、位置検出装置、光学特性測定方法、光学特性測定装置、露光装置、及びデバイス製造方法
JP3495992B2 (ja) 2001-01-26 2004-02-09 キヤノン株式会社 補正装置、露光装置、デバイス製造方法及びデバイス
US6563566B2 (en) 2001-01-29 2003-05-13 International Business Machines Corporation System and method for printing semiconductor patterns using an optimized illumination and reticle
JP2002229215A (ja) * 2001-01-30 2002-08-14 Nikon Corp 露光方法及び露光装置
JP2002227924A (ja) 2001-01-31 2002-08-14 Canon Inc 制震ダンパ及び制震ダンパを備えた露光装置
SE0100336L (sv) 2001-02-05 2002-08-06 Micronic Laser Systems Ab Adresseringsmetod och apparat som använder densamma tekniskt område
KR20040007444A (ko) 2001-02-06 2004-01-24 가부시키가이샤 니콘 노광장치 및 노광방법, 그리고 디바이스 제조방법
TWI285295B (en) 2001-02-23 2007-08-11 Asml Netherlands Bv Illumination optimization in lithography
DE10113612A1 (de) 2001-02-23 2002-09-05 Zeiss Carl Teilobjektiv in einem Beleuchtungssystem
EP1364257A1 (en) 2001-02-27 2003-11-26 ASML US, Inc. Simultaneous imaging of two reticles
JP2002258487A (ja) 2001-02-28 2002-09-11 Nikon Corp 露光方法及び露光装置
JP4501292B2 (ja) 2001-03-05 2010-07-14 コニカミノルタホールディングス株式会社 被塗布基材及び塗布材の塗布方法並びに素子の製造方法
WO2002080185A1 (fr) 2001-03-28 2002-10-10 Nikon Corporation Dispositif a etages, dispositif d'exposition et procede de fabrication du dispositif
JP2002289505A (ja) 2001-03-28 2002-10-04 Nikon Corp 露光装置，露光装置の調整方法，マイクロデバイスの製造方法
JP2002365783A (ja) 2001-04-05 2002-12-18 Sony Corp マスクパターンの作成装置、高解像度マスクの作製装置及び作製方法、並びにレジストパターン形成方法
JP2002305140A (ja) 2001-04-06 2002-10-18 Nikon Corp 露光装置及び基板処理システム
WO2002084850A1 (fr) 2001-04-09 2002-10-24 Kabushiki Kaisha Yaskawa Denki Induit de moteur lineaire protege et moteur lineaire protege
JP2002324743A (ja) 2001-04-24 2002-11-08 Canon Inc 露光方法及び装置
JP3937903B2 (ja) 2001-04-24 2007-06-27 キヤノン株式会社 露光方法及び装置
US7217503B2 (en) 2001-04-24 2007-05-15 Canon Kabushiki Kaisha Exposure method and apparatus
JP2002329651A (ja) 2001-04-27 2002-11-15 Nikon Corp 露光装置、露光装置の製造方法、及びマイクロデバイスの製造方法
DE10123725A1 (de) 2001-05-15 2002-11-21 Zeiss Carl Projektionsbelichtungsanlage der Mikrolithographie, Optisches System und Herstellverfahren
KR20040015251A (ko) 2001-05-15 2004-02-18 칼 짜이스 에스엠티 아게 불화물 결정 렌즈들을 포함하는 렌즈 시스템
DE10124474A1 (de) 2001-05-19 2002-11-21 Zeiss Carl Mikrolithographisches Belichtungsverfahren sowie Projektionsobjektiv zur Durchführung des Verfahrens
DE10124803A1 (de) * 2001-05-22 2002-11-28 Zeiss Carl Polarisator und Mikrolithographie-Projektionsanlage mit Polarisator
US7053988B2 (en) 2001-05-22 2006-05-30 Carl Zeiss Smt Ag. Optically polarizing retardation arrangement, and microlithography projection exposure machine
TW544758B (en) * 2001-05-23 2003-08-01 Nikon Corp Lighting optical device, exposure system, and production method of micro device
JP2002353105A (ja) 2001-05-24 2002-12-06 Nikon Corp 照明光学装置，該照明光学装置を備えた露光装置，およびマイクロデバイスの製造方法
JP2002359176A (ja) 2001-05-31 2002-12-13 Canon Inc 照明装置、照明制御方法、露光装置、デバイス製造方法及びデバイス
JP4622160B2 (ja) 2001-05-31 2011-02-02 旭硝子株式会社 回折格子一体型旋光子および光ヘッド装置
JP2002359174A (ja) 2001-05-31 2002-12-13 Mitsubishi Electric Corp 露光工程管理システム、露光工程管理方法、および露光工程を管理するためのプログラム
US6737662B2 (en) * 2001-06-01 2004-05-18 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method, device manufactured thereby, control system, computer program, and computer program product
JP4689081B2 (ja) 2001-06-06 2011-05-25 キヤノン株式会社 露光装置、調整方法、およびデバイス製造方法
JP3734432B2 (ja) 2001-06-07 2006-01-11 三星電子株式会社 マスク搬送装置、マスク搬送システム及びマスク搬送方法
JPWO2002101804A1 (ja) 2001-06-11 2004-09-30 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法、並びに温度安定化流路装置
JP2002367523A (ja) 2001-06-12 2002-12-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラズマディスプレイパネルとプラズマディスプレイパネルの製造方法
JPWO2002103766A1 (ja) 2001-06-13 2004-10-07 株式会社ニコン 走査露光方法及び走査型露光装置、並びにデバイス製造方法
JP2002373849A (ja) 2001-06-15 2002-12-26 Canon Inc 露光装置
US6788385B2 (en) 2001-06-21 2004-09-07 Nikon Corporation Stage device, exposure apparatus and method
JP4829429B2 (ja) * 2001-06-27 2011-12-07 キヤノン株式会社 透過率測定装置
US6831731B2 (en) 2001-06-28 2004-12-14 Nikon Corporation Projection optical system and an exposure apparatus with the projection optical system
WO2003003429A1 (fr) 2001-06-28 2003-01-09 Nikon Corporation Systeme de projection optique, systeme d'exposition et procede
JP2003015314A (ja) 2001-07-02 2003-01-17 Nikon Corp 照明光学装置および該照明光学装置を備えた露光装置
JP2003017003A (ja) 2001-07-04 2003-01-17 Canon Inc ランプおよび光源装置
JP2003015040A (ja) 2001-07-04 2003-01-15 Nikon Corp 投影光学系および該投影光学系を備えた露光装置
US6727992B2 (en) * 2001-07-06 2004-04-27 Zygo Corporation Method and apparatus to reduce effects of sheared wavefronts on interferometric phase measurements
JP3507459B2 (ja) 2001-07-09 2004-03-15 キヤノン株式会社 照明装置、露光装置及びデバイス製造方法
US6788389B2 (en) * 2001-07-10 2004-09-07 Nikon Corporation Production method of projection optical system
JP2003028673A (ja) 2001-07-10 2003-01-29 Canon Inc 光学式エンコーダ、半導体製造装置、デバイス製造方法、半導体製造工場および半導体製造装置の保守方法
EP1280007B1 (en) 2001-07-24 2008-06-18 ASML Netherlands B.V. Imaging apparatus
JP2003045712A (ja) 2001-07-26 2003-02-14 Japan Aviation Electronics Industry Ltd 防水コイル及びその製造方法
JP4522024B2 (ja) 2001-07-27 2010-08-11 キヤノン株式会社 水銀ランプ、照明装置及び露光装置
JP2003043223A (ja) 2001-07-30 2003-02-13 Nikon Corp 結晶材料で形成されたビームスプリッターおよび波長板、並びにこれらの結晶光学部品を備えた光学装置、露光装置並びに検査装置
JP2003059799A (ja) 2001-08-10 2003-02-28 Nikon Corp 照明光学系、露光装置、及びマイクロデバイスの製造方法
JP2003059803A (ja) 2001-08-14 2003-02-28 Canon Inc 露光装置
JP2003068600A (ja) 2001-08-22 2003-03-07 Canon Inc 露光装置、および基板チャックの冷却方法
TW554411B (en) 2001-08-23 2003-09-21 Nikon Corp Exposure apparatus
JP2003068604A (ja) 2001-08-23 2003-03-07 Nikon Corp 照明光学装置および該照明光学装置を備えた露光装置
JP2003068607A (ja) 2001-08-23 2003-03-07 Nikon Corp 露光装置および露光方法
JP4183166B2 (ja) 2001-08-31 2008-11-19 京セラ株式会社 位置決め装置用部材
JP2003075703A (ja) 2001-08-31 2003-03-12 Konica Corp 光学ユニット及び光学装置
KR100452928B1 (ko) 2001-08-31 2004-10-14 안희석 감자라면 및 그 제조방법
KR20060098404A (ko) 2001-08-31 2006-09-18 캐논 가부시끼가이샤 레티클
JP2003081654A (ja) 2001-09-06 2003-03-19 Toshiba Ceramics Co Ltd 合成石英ガラスおよびその製造方法
WO2003023832A1 (fr) 2001-09-07 2003-03-20 Nikon Corporation Procede et systeme d'exposition, et procede de construction de dispositif associe
JP2003084445A (ja) 2001-09-13 2003-03-19 Canon Inc 走査型露光装置および露光方法
JP2003090978A (ja) * 2001-09-17 2003-03-28 Canon Inc 照明装置、露光装置及びデバイス製造方法
JP4160286B2 (ja) 2001-09-21 2008-10-01 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社 Ｌｓｉパターンの寸法測定箇所選定方法
JP3910032B2 (ja) 2001-09-25 2007-04-25 大日本スクリーン製造株式会社 基板現像装置
JP2003114387A (ja) 2001-10-04 2003-04-18 Nikon Corp 反射屈折光学系および該光学系を備える投影露光装置
JP4412450B2 (ja) 2001-10-05 2010-02-10 信越化学工業株式会社 反射防止フィルター
JP2003124095A (ja) 2001-10-11 2003-04-25 Nikon Corp 投影露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法
JP2003130132A (ja) 2001-10-22 2003-05-08 Nec Ameniplantex Ltd 除振機構
US6970232B2 (en) 2001-10-30 2005-11-29 Asml Netherlands B.V. Structures and methods for reducing aberration in integrated circuit fabrication systems
JP2003202523A (ja) * 2001-11-02 2003-07-18 Nec Viewtechnology Ltd 偏光ユニット、該偏光ユニットを用いた偏光照明装置及び該偏光照明装置を用いた投写型表示装置
US6577379B1 (en) 2001-11-05 2003-06-10 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for shaping and/or orienting radiation irradiating a microlithographic substrate
JP4362999B2 (ja) 2001-11-12 2009-11-11 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
JP4307813B2 (ja) 2001-11-14 2009-08-05 株式会社リコー 光偏向方法並びに光偏向装置及びその光偏向装置の製造方法並びにその光偏向装置を具備する光情報処理装置及び画像形成装置及び画像投影表示装置及び光伝送装置
US6900915B2 (en) * 2001-11-14 2005-05-31 Ricoh Company, Ltd. Light deflecting method and apparatus efficiently using a floating mirror
JP3809095B2 (ja) 2001-11-29 2006-08-16 ペンタックス株式会社 露光装置用光源システムおよび露光装置
JP2003161882A (ja) 2001-11-29 2003-06-06 Nikon Corp 投影光学系、露光装置および露光方法
JP2003166856A (ja) 2001-11-29 2003-06-13 Fuji Electric Co Ltd 光学式エンコーダ
JP3945569B2 (ja) 2001-12-06 2007-07-18 東京応化工業株式会社 現像装置
JP2003249443A (ja) 2001-12-21 2003-09-05 Nikon Corp ステージ装置、ステージ位置管理方法、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
JP2003188087A (ja) 2001-12-21 2003-07-04 Sony Corp 露光方法および露光装置並びに半導体装置の製造方法
TW200302507A (en) 2002-01-21 2003-08-01 Nikon Corp Stage device and exposure device
JP3809381B2 (ja) 2002-01-28 2006-08-16 キヤノン株式会社 リニアモータ、ステージ装置、露光装置及びデバイス製造方法
JP2003229347A (ja) 2002-01-31 2003-08-15 Canon Inc 半導体製造装置
JP2003233001A (ja) 2002-02-07 2003-08-22 Canon Inc 反射型投影光学系、露光装置及びデバイス製造方法
DE10206061A1 (de) 2002-02-08 2003-09-04 Carl Zeiss Semiconductor Mfg S Polarisationsoptimiertes Beleuchtungssystem
US20050134825A1 (en) 2002-02-08 2005-06-23 Carl Zeiss Smt Ag Polarization-optimized illumination system
JP2003240906A (ja) 2002-02-20 2003-08-27 Dainippon Printing Co Ltd 反射防止体およびその製造方法
JP2003257812A (ja) 2002-02-27 2003-09-12 Nikon Corp 結像光学系の評価方法、結像光学系の調整方法、露光装置および露光方法
JP2003258071A (ja) 2002-02-28 2003-09-12 Nikon Corp 基板保持装置及び露光装置
WO2003075328A1 (fr) 2002-03-01 2003-09-12 Nikon Corporation Procede de reglage d'un systeme optique de projection, procede de prediction, procede d'evaluation, procede de reglage, procede d'exposition, dispositif d'exposition, programme et procede de fabrication dudit dispositif
JP2003263119A (ja) 2002-03-07 2003-09-19 Fuji Xerox Co Ltd リブ付き電極およびその製造方法
JP3984841B2 (ja) 2002-03-07 2007-10-03 キヤノン株式会社 歪み計測装置、歪み抑制装置、及び露光装置、並びにデバイス製造方法
DE10210899A1 (de) 2002-03-08 2003-09-18 Zeiss Carl Smt Ag Refraktives Projektionsobjektiv für Immersions-Lithographie
JP3975787B2 (ja) 2002-03-12 2007-09-12 ソニー株式会社 固体撮像素子
JP4100011B2 (ja) 2002-03-13 2008-06-11 セイコーエプソン株式会社 表面処理装置、有機ｅｌ装置の製造装置及び製造方法
US7085052B2 (en) 2002-03-14 2006-08-01 Optellios, Inc. Over-parameterized polarization controller
US20050094268A1 (en) * 2002-03-14 2005-05-05 Carl Zeiss Smt Ag Optical system with birefringent optical elements
JP4335495B2 (ja) 2002-03-27 2009-09-30 株式会社日立ハイテクノロジーズ 定圧チャンバ、それを用いた照射装置及び回路パターンの検査装置
JP2003297727A (ja) 2002-04-03 2003-10-17 Nikon Corp 照明光学装置、露光装置および露光方法
KR101013347B1 (ko) 2002-04-09 2011-02-10 가부시키가이샤 니콘 노광방법, 노광장치, 및 디바이스 제조방법
WO2003085457A1 (fr) 2002-04-10 2003-10-16 Fuji Photo Film Co., Ltd. Tete d'exposition, dispositif d'exposition et utilisation
DE10310690A1 (de) 2002-04-12 2003-10-30 Heidelberger Druckmasch Ag Bogenführungseinrichtung in einer bogenverarbeitenden Maschine
JP3950732B2 (ja) * 2002-04-23 2007-08-01 キヤノン株式会社 照明光学系、照明方法及び露光装置
JP4333078B2 (ja) * 2002-04-26 2009-09-16 株式会社ニコン 投影光学系、該投影光学系を備えた露光装置および該投影光学系を用いた露光方法並びにデバイス製造方法
US20050095749A1 (en) * 2002-04-29 2005-05-05 Mathias Krellmann Device for protecting a chip and method for operating a chip
JP2005524112A (ja) 2002-04-29 2005-08-11 フラウンホーファー−ゲゼルシャフト・ツール・フェルデルング・デル・アンゲヴァンテン・フォルシュング・アインゲトラーゲネル・フェライン チップの保護装置およびチップの作動方法
JP4324957B2 (ja) * 2002-05-27 2009-09-02 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置および露光方法
KR100554872B1 (ko) * 2002-05-31 2006-02-24 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 광학요소를 조립하기 위한 부품의 키트, 광학요소를조립하는 방법, 광학요소, 리소그래피장치 및디바이스제조방법
JP2004015187A (ja) 2002-06-04 2004-01-15 Fuji Photo Film Co Ltd 撮影補助システム、デジタルカメラ、及びサーバ
JP4037179B2 (ja) 2002-06-04 2008-01-23 東京エレクトロン株式会社 洗浄方法、洗浄装置
JP2004014876A (ja) 2002-06-07 2004-01-15 Nikon Corp 調整方法、空間像計測方法及び像面計測方法、並びに露光装置
JP2004022708A (ja) 2002-06-14 2004-01-22 Nikon Corp 結像光学系、照明光学系、露光装置及び露光方法
JP3448812B2 (ja) 2002-06-14 2003-09-22 株式会社ニコン マーク検知装置、及びそれを有する露光装置、及びその露光装置を用いた半導体素子又は液晶表示素子の製造方法
JP2004179172A (ja) 2002-06-26 2004-06-24 Nikon Corp 露光装置及び露光方法並びにデバイス製造方法
JP4012771B2 (ja) 2002-06-28 2007-11-21 富士通エフ・アイ・ピー株式会社 ライセンス管理方法、ライセンス管理システム、ライセンス管理プログラム
JP2004039952A (ja) 2002-07-05 2004-02-05 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置の監視方法およびプラズマ処理装置
JP2004040039A (ja) 2002-07-08 2004-02-05 Sony Corp 露光方法の選択方法
JP2004045063A (ja) 2002-07-09 2004-02-12 Topcon Corp 光学式ロータリーエンコーダ板の製造方法および光学式ロータリーエンコーダ板
JP2004051717A (ja) 2002-07-17 2004-02-19 Mitsubishi Heavy Ind Ltd バイオマスのガス化装置
AU2003252135A1 (en) 2002-07-26 2004-02-16 Massachusetts Institute Of Technology Optical imaging using a pupil filter and coordinated illumination polarisation
JP2004063847A (ja) 2002-07-30 2004-02-26 Nikon Corp 露光装置、露光方法、及びステージ装置
JP2004063988A (ja) 2002-07-31 2004-02-26 Canon Inc 照明光学系、当該照明光学系を有する露光装置及びデバイス製造方法
JP2004071851A (ja) 2002-08-07 2004-03-04 Canon Inc 半導体露光方法及び露光装置
JP2004085612A (ja) 2002-08-22 2004-03-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd ハーフトーン位相シフトマスク、その製造方法およびそれを用いたパターン形成方法
JP4095376B2 (ja) 2002-08-28 2008-06-04 キヤノン株式会社 露光装置及び方法、並びに、デバイス製造方法
JP2004095653A (ja) 2002-08-29 2004-03-25 Nikon Corp 露光装置
JP2004145269A (ja) 2002-08-30 2004-05-20 Nikon Corp 投影光学系、反射屈折型投影光学系、走査型露光装置及び露光方法
US7293847B2 (en) * 2002-08-31 2007-11-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Cabinet for recessed refrigerators
JP2004103674A (ja) 2002-09-06 2004-04-02 Renesas Technology Corp 半導体集積回路装置の製造方法
JP2004101362A (ja) 2002-09-10 2004-04-02 Canon Inc ステージ位置計測および位置決め装置
JP2004098012A (ja) 2002-09-12 2004-04-02 Seiko Epson Corp 薄膜形成方法、薄膜形成装置、光学素子、有機エレクトロルミネッセンス素子、半導体素子および電子機器
JP2004104654A (ja) 2002-09-12 2004-04-02 Ricoh Co Ltd 画像読取装置
JP2004111579A (ja) 2002-09-17 2004-04-08 Canon Inc 露光方法及び装置
JP4269610B2 (ja) 2002-09-17 2009-05-27 株式会社ニコン 露光装置及び露光装置の製造方法
JP3958163B2 (ja) * 2002-09-19 2007-08-15 キヤノン株式会社 露光方法
KR100480620B1 (ko) 2002-09-19 2005-03-31 삼성전자주식회사 마이크로 미러 어레이를 구비한 노광 장치 및 이를 이용한노광 방법
JP2004119497A (ja) 2002-09-24 2004-04-15 Huabang Electronic Co Ltd 半導体製造設備と方法
JP4333866B2 (ja) 2002-09-26 2009-09-16 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理方法および基板処理装置
JP2004128307A (ja) 2002-10-04 2004-04-22 Nikon Corp 露光装置及びその調整方法
US6665119B1 (en) 2002-10-15 2003-12-16 Eastman Kodak Company Wire grid polarizer
JP2004134682A (ja) 2002-10-15 2004-04-30 Nikon Corp 気体シリンダ、ステージ装置及び露光装置
JP2004140145A (ja) 2002-10-17 2004-05-13 Nikon Corp 露光装置
JP2004146702A (ja) 2002-10-25 2004-05-20 Nikon Corp 光学特性計測方法、露光方法及びデバイス製造方法
JP2004153096A (ja) 2002-10-31 2004-05-27 Nikon Corp 露光装置
JP2004153064A (ja) 2002-10-31 2004-05-27 Nikon Corp 露光装置
JP2004152705A (ja) 2002-11-01 2004-05-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JP2004165249A (ja) 2002-11-11 2004-06-10 Sony Corp 露光装置及び露光方法
JP2004163555A (ja) 2002-11-12 2004-06-10 Olympus Corp 落射顕微鏡及び落射顕微鏡用対物レンズ
SG121819A1 (en) 2002-11-12 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2004165416A (ja) 2002-11-13 2004-06-10 Nikon Corp 露光装置及び建屋
JP2004172471A (ja) 2002-11-21 2004-06-17 Nikon Corp 露光方法及び露光装置
JP4378938B2 (ja) 2002-11-25 2009-12-09 株式会社ニコン 露光装置、及びデバイス製造方法
US6844927B2 (en) 2002-11-27 2005-01-18 Kla-Tencor Technologies Corporation Apparatus and methods for removing optical abberations during an optical inspection
TWI281099B (en) 2002-12-02 2007-05-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4314555B2 (ja) 2002-12-03 2009-08-19 株式会社ニコン リニアモータ装置、ステージ装置、及び露光装置
TW200412617A (en) 2002-12-03 2004-07-16 Nikon Corp Optical illumination device, method for adjusting optical illumination device, exposure device and exposure method
SG171468A1 (en) 2002-12-10 2011-06-29 Nikon Corp Exposure apparatus and method for producing device
US20040108973A1 (en) 2002-12-10 2004-06-10 Kiser David K. Apparatus for generating a number of color light components
JP4232449B2 (ja) 2002-12-10 2009-03-04 株式会社ニコン 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法
AU2003289272A1 (en) 2002-12-10 2004-06-30 Nikon Corporation Surface position detection apparatus, exposure method, and device porducing method
US6992750B2 (en) * 2002-12-10 2006-01-31 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus and method
JP2004301825A (ja) 2002-12-10 2004-10-28 Nikon Corp 面位置検出装置、露光方法、及びデバイス製造方法
WO2004053954A1 (ja) 2002-12-10 2004-06-24 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
JP4179283B2 (ja) 2002-12-10 2008-11-12 株式会社ニコン 光学素子及びその光学素子を用いた投影露光装置
KR20130010039A (ko) 2002-12-10 2013-01-24 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
JP4352874B2 (ja) 2002-12-10 2009-10-28 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
EP1571695A4 (en) 2002-12-10 2008-10-15 Nikon Corp EXPOSURE APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
DE10257766A1 (de) 2002-12-10 2004-07-15 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Einstellung einer gewünschten optischen Eigenschaft eines Projektionsobjektivs sowie mikrolithografische Projektionsbelichtungsanlage
AU2003302831A1 (en) 2002-12-10 2004-06-30 Nikon Corporation Exposure method, exposure apparatus and method for manufacturing device
AU2003289271A1 (en) 2002-12-10 2004-06-30 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method and method for manufacturing device
WO2004053950A1 (ja) 2002-12-10 2004-06-24 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
JP4595320B2 (ja) 2002-12-10 2010-12-08 株式会社ニコン 露光装置、及びデバイス製造方法
JP2004193425A (ja) 2002-12-12 2004-07-08 Nikon Corp 移動制御方法及び装置、露光装置、並びにデバイス製造方法
JP2004198748A (ja) 2002-12-19 2004-07-15 Nikon Corp オプティカルインテグレータ、照明光学装置、露光装置および露光方法
JP2004205698A (ja) 2002-12-24 2004-07-22 Nikon Corp 投影光学系、露光装置および露光方法
US6891655B2 (en) * 2003-01-02 2005-05-10 Micronic Laser Systems Ab High energy, low energy density, radiation-resistant optics used with micro-electromechanical devices
JP2004221253A (ja) 2003-01-14 2004-08-05 Nikon Corp 露光装置
KR20050086953A (ko) 2003-01-15 2005-08-30 마이크로닉 레이저 시스템즈 에이비 결함 픽셀을 탐지하는 방법
JP2004224421A (ja) 2003-01-27 2004-08-12 Tokyo Autom Mach Works Ltd 製品供給装置
JP2004228497A (ja) 2003-01-27 2004-08-12 Nikon Corp 露光装置及び電子デバイスの製造方法
JP2004241666A (ja) 2003-02-07 2004-08-26 Nikon Corp 計測方法及び露光方法
JP2004007417A (ja) 2003-02-10 2004-01-08 Fujitsu Ltd 情報提供システム
JP4366948B2 (ja) 2003-02-14 2009-11-18 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置および露光方法
JP2004259828A (ja) 2003-02-25 2004-09-16 Nikon Corp 半導体露光装置
JP2004259985A (ja) 2003-02-26 2004-09-16 Sony Corp レジストパターン形成装置およびその形成方法、および、当該方法を用いた半導体装置の製造方法
SG2012087615A (en) 2003-02-26 2015-08-28 Nippon Kogaku Kk Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
JP4604452B2 (ja) 2003-02-26 2011-01-05 株式会社ニコン 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
JP2004260115A (ja) 2003-02-27 2004-09-16 Nikon Corp ステージ装置、露光装置、及びデバイス製造方法
US7206059B2 (en) 2003-02-27 2007-04-17 Asml Netherlands B.V. Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems
JP2004260081A (ja) 2003-02-27 2004-09-16 Nikon Corp 紫外域用反射ミラー装置及びそれを用いた投影露光装置
US6943941B2 (en) 2003-02-27 2005-09-13 Asml Netherlands B.V. Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems
JP4305003B2 (ja) 2003-02-27 2009-07-29 株式会社ニコン Ｅｕｖ光学系及びｅｕｖ露光装置
JP4353179B2 (ja) 2003-03-25 2009-10-28 株式会社ニコン 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
JP2004294202A (ja) 2003-03-26 2004-10-21 Seiko Epson Corp 画面の欠陥検出方法及び装置
JP4265257B2 (ja) 2003-03-28 2009-05-20 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、フィルム構造体
JP4496711B2 (ja) 2003-03-31 2010-07-07 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法
JP2004304135A (ja) 2003-04-01 2004-10-28 Nikon Corp 露光装置、露光方法及びマイクロデバイスの製造方法
JP4374964B2 (ja) 2003-09-26 2009-12-02 株式会社ニコン 石英ガラスの成形方法及び成形装置
JP4281397B2 (ja) 2003-04-07 2009-06-17 株式会社ニコン 石英ガラスの成形装置
WO2004091079A1 (ja) 2003-04-07 2004-10-21 Kabushiki Kaisha Yaskawa Denki キャンド・リニアモータ電機子およびキャンド・リニアモータ
JP4465974B2 (ja) 2003-04-07 2010-05-26 株式会社ニコン 石英ガラスの成形装置
JP4288413B2 (ja) 2003-04-07 2009-07-01 株式会社ニコン 石英ガラスの成形方法及び成形装置
ATE426914T1 (de) 2003-04-07 2009-04-15 Nikon Corp Belichtungsgerat und verfahren zur herstellung einer vorrichtung
JP4341277B2 (ja) 2003-04-07 2009-10-07 株式会社ニコン 石英ガラスの成形方法
EP2157480B1 (en) * 2003-04-09 2015-05-27 Nikon Corporation Exposure method and apparatus, and device manufacturing method
US6842223B2 (en) * 2003-04-11 2005-01-11 Nikon Precision Inc. Enhanced illuminator for use in photolithographic systems
JP4428115B2 (ja) 2003-04-11 2010-03-10 株式会社ニコン 液浸リソグラフィシステム
JP2004319724A (ja) 2003-04-16 2004-11-11 Ses Co Ltd 半導体洗浄装置に於ける洗浄槽の構造
WO2004094940A1 (ja) 2003-04-23 2004-11-04 Nikon Corporation 干渉計システム、干渉計システムにおける信号処理方法、該信号処理方法を用いるステージ
JP2004327660A (ja) 2003-04-24 2004-11-18 Nikon Corp 走査型投影露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
EP1620350A1 (en) 2003-04-24 2006-02-01 Metconnex Canada Inc. A micro-electro-mechanical-system two dimensional mirror with articulated suspension structures for high fill factor arrays
US7095546B2 (en) 2003-04-24 2006-08-22 Metconnex Canada Inc. Micro-electro-mechanical-system two dimensional mirror with articulated suspension structures for high fill factor arrays
JP2004335808A (ja) 2003-05-08 2004-11-25 Sony Corp パターン転写装置、パターン転写方法およびプログラム
JP4487168B2 (ja) 2003-05-09 2010-06-23 株式会社ニコン ステージ装置及びその駆動方法、並びに露光装置
JP2004335864A (ja) 2003-05-09 2004-11-25 Nikon Corp 露光装置及び露光方法
US7511886B2 (en) * 2003-05-13 2009-03-31 Carl Zeiss Smt Ag Optical beam transformation system and illumination system comprising an optical beam transformation system
JP2004342987A (ja) 2003-05-19 2004-12-02 Canon Inc ステージ装置
TW200507055A (en) 2003-05-21 2005-02-16 Nikon Corp Polarized cancellation element, illumination device, exposure device, and exposure method
TWI421911B (zh) 2003-05-23 2014-01-01 尼康股份有限公司 An exposure method, an exposure apparatus, and an element manufacturing method
JP2005012190A (ja) 2003-05-23 2005-01-13 Nikon Corp 結像光学系の評価方法、結像光学系の調整方法、露光装置および露光方法
TWI518742B (zh) 2003-05-23 2016-01-21 尼康股份有限公司 A method of manufacturing an exposure apparatus and an element
JP2004349645A (ja) 2003-05-26 2004-12-09 Sony Corp 液浸差動排液静圧浮上パッド、原盤露光装置および液侵差動排液による露光方法
KR101728664B1 (ko) 2003-05-28 2017-05-02 가부시키가이샤 니콘 노광 방법, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법
JP2004356410A (ja) 2003-05-29 2004-12-16 Nikon Corp 露光装置及び露光方法
DE10324477A1 (de) 2003-05-30 2004-12-30 Carl Zeiss Smt Ag Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage
WO2004109780A1 (ja) 2003-06-04 2004-12-16 Nikon Corporation ステージ装置、固定方法、露光装置、露光方法、及びデバイスの製造方法
JP2005005295A (ja) 2003-06-09 2005-01-06 Nikon Corp ステージ装置及び露光装置
JP2005005395A (ja) 2003-06-10 2005-01-06 Nikon Corp ガス給排気方法及び装置、鏡筒、露光装置及び方法
JP2005005521A (ja) 2003-06-12 2005-01-06 Nikon Corp 露光装置、露光方法、および偏光状態測定装置
JP2005011990A (ja) 2003-06-19 2005-01-13 Nikon Corp 走査型投影露光装置、走査型投影露光装置の照度キャリブレーション方法及び露光方法
US6867844B2 (en) 2003-06-19 2005-03-15 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles
KR101134957B1 (ko) 2003-06-19 2012-04-10 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조방법
JP2005019628A (ja) 2003-06-25 2005-01-20 Nikon Corp 光学装置、露光装置、並びにデバイス製造方法
DE10328938A1 (de) 2003-06-27 2005-01-20 Carl Zeiss Smt Ag Korrektureinrichtung zur Kompensation von Störungen der Polarisationsverteilung sowie Projektionsobjektiv für die Mikrolithografie
JP3862678B2 (ja) 2003-06-27 2006-12-27 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
JP2005024890A (ja) 2003-07-02 2005-01-27 Renesas Technology Corp 偏光子、投影レンズ系、露光装置及び露光方法
JP2005026634A (ja) 2003-07-04 2005-01-27 Sony Corp 露光装置および半導体装置の製造方法
WO2005006418A1 (ja) 2003-07-09 2005-01-20 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
JP4515385B2 (ja) 2003-07-09 2010-07-28 株式会社ニコン 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
JPWO2005008754A1 (ja) 2003-07-18 2007-09-20 株式会社ニコン フレア計測方法、露光方法、及びフレア計測用のマスク
JPWO2005010963A1 (ja) 2003-07-24 2007-09-27 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置および露光方法
JP4492239B2 (ja) 2003-07-28 2010-06-30 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法、並びに露光装置の制御方法
JP4492600B2 (ja) 2003-07-28 2010-06-30 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
JP2005050718A (ja) 2003-07-30 2005-02-24 Furukawa Electric Co Ltd:The フラットケーブル用端子接続治具
JP2005051147A (ja) 2003-07-31 2005-02-24 Nikon Corp 露光方法及び露光装置
JP2005055811A (ja) 2003-08-07 2005-03-03 Olympus Corp 光学部材、この光学部材を組み込む光学機器、及びその光学機器の組み立て方法
JP2005064210A (ja) 2003-08-12 2005-03-10 Nikon Corp 露光方法、該露光方法を利用した電子デバイスの製造方法及び露光装置
JP4262031B2 (ja) 2003-08-19 2009-05-13 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイスの製造方法
JP4305095B2 (ja) 2003-08-29 2009-07-29 株式会社ニコン 光学部品の洗浄機構を搭載した液浸投影露光装置及び液浸光学部品洗浄方法
TWI245163B (en) 2003-08-29 2005-12-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
TWI424464B (zh) 2003-08-29 2014-01-21 尼康股份有限公司 A liquid recovery device, an exposure device, an exposure method, and an element manufacturing method
TWI263859B (en) 2003-08-29 2006-10-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4218475B2 (ja) 2003-09-11 2009-02-04 株式会社ニコン 極端紫外線光学系及び露光装置
JP4323903B2 (ja) * 2003-09-12 2009-09-02 キヤノン株式会社 照明光学系及びそれを用いた露光装置
DE10343333A1 (de) 2003-09-12 2005-04-14 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungssystem für eine Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage
EP1668421A2 (en) 2003-09-12 2006-06-14 Carl Zeiss SMT AG Illumination system for a microlithography projection exposure installation
JP2005091023A (ja) 2003-09-12 2005-04-07 Minolta Co Ltd 光学式エンコーダおよびそれを備えた撮像装置
JP4444920B2 (ja) 2003-09-19 2010-03-31 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
JP2005093324A (ja) 2003-09-19 2005-04-07 Toshiba Corp 画像表示装置に用いるガラス基板、ガラス基板の製造方法、およびガラス基板の製造装置
JP2005093948A (ja) 2003-09-19 2005-04-07 Nikon Corp 露光装置及びその調整方法、露光方法、並びにデバイス製造方法
JP2005123586A (ja) 2003-09-25 2005-05-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd 投影装置および投影方法
WO2005031467A2 (en) * 2003-09-26 2005-04-07 Carl Zeiss Smt Ag Microlithographic projection exposure
US7408616B2 (en) * 2003-09-26 2008-08-05 Carl Zeiss Smt Ag Microlithographic exposure method as well as a projection exposure system for carrying out the method
JP2005108925A (ja) 2003-09-29 2005-04-21 Nikon Corp 照明光学装置、露光装置および露光方法
JP4385702B2 (ja) 2003-09-29 2009-12-16 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法
JP4470433B2 (ja) 2003-10-02 2010-06-02 株式会社ニコン 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
JP4513299B2 (ja) 2003-10-02 2010-07-28 株式会社ニコン 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
JP2005114882A (ja) 2003-10-06 2005-04-28 Hitachi High-Tech Electronics Engineering Co Ltd 処理ステージの基板載置方法、基板露光ステージおよび基板露光装置
JP2005116831A (ja) 2003-10-08 2005-04-28 Nikon Corp 投影露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
WO2005036623A1 (ja) 2003-10-08 2005-04-21 Zao Nikon Co., Ltd. 基板搬送装置及び基板搬送方法、露光装置及び露光方法、デバイス製造方法
JP2005136364A (ja) 2003-10-08 2005-05-26 Zao Nikon Co Ltd 基板搬送装置、露光装置、並びにデバイス製造方法
JPWO2005036619A1 (ja) 2003-10-09 2007-11-22 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置および露光方法
WO2005036620A1 (ja) 2003-10-10 2005-04-21 Nikon Corporation 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
EP1524558A1 (en) 2003-10-15 2005-04-20 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2005127460A (ja) 2003-10-27 2005-05-19 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 免震除振床システム
TWI474132B (zh) 2003-10-28 2015-02-21 尼康股份有限公司 照明光學裝置、投影曝光裝置、曝光方法以及元件製造方法
JP4605014B2 (ja) 2003-10-28 2011-01-05 株式会社ニコン 露光装置、露光方法、デバイスの製造方法
JP2005140999A (ja) 2003-11-06 2005-06-02 Nikon Corp 光学系、光学系の調整方法、露光装置、および露光方法
TWI387855B (zh) 2003-11-13 2013-03-01 尼康股份有限公司 A variable slit device, a lighting device, an exposure device, an exposure method, and an element manufacturing method
KR20060109430A (ko) 2003-11-17 2006-10-20 가부시키가이샤 니콘 스테이지 구동 방법, 스테이지 장치, 및 노광장치
TWI519819B (zh) * 2003-11-20 2016-02-01 尼康股份有限公司 光束變換元件、光學照明裝置、曝光裝置、以及曝光方法
JP4976094B2 (ja) 2003-11-20 2012-07-18 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置、露光方法、およびマイクロデバイスの製造方法
JP4470095B2 (ja) 2003-11-20 2010-06-02 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置および露光方法
JP4552428B2 (ja) 2003-12-02 2010-09-29 株式会社ニコン 照明光学装置、投影露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
US6970233B2 (en) 2003-12-03 2005-11-29 Texas Instruments Incorporated System and method for custom-polarized photolithography illumination
JP2005175176A (ja) 2003-12-11 2005-06-30 Nikon Corp 露光方法及びデバイス製造方法
JP2005175177A (ja) 2003-12-11 2005-06-30 Nikon Corp 光学装置及び露光装置
JP4720506B2 (ja) 2003-12-15 2011-07-13 株式会社ニコン ステージ装置、露光装置、及び露光方法
JP3102327U (ja) 2003-12-17 2004-07-02 国統国際股▲ふん▼有限公司 可撓管の漏れ止め機構
JP4954444B2 (ja) 2003-12-26 2012-06-13 株式会社ニコン 流路形成部材、露光装置及びデバイス製造方法
KR101748504B1 (ko) 2004-01-05 2017-06-16 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
JP4586367B2 (ja) 2004-01-14 2010-11-24 株式会社ニコン ステージ装置及び露光装置
KR101295439B1 (ko) * 2004-01-16 2013-08-09 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 편광변조 광학소자
US20070019179A1 (en) 2004-01-16 2007-01-25 Damian Fiolka Polarization-modulating optical element
WO2005071671A2 (en) 2004-01-16 2005-08-04 Koninklijke Philips Electronics N.V. Optical system
US8270077B2 (en) 2004-01-16 2012-09-18 Carl Zeiss Smt Gmbh Polarization-modulating optical element
JP2005209705A (ja) 2004-01-20 2005-08-04 Nikon Corp 露光装置及びデバイス製造方法
JP4474927B2 (ja) 2004-01-20 2010-06-09 株式会社ニコン 露光方法及び露光装置、デバイス製造方法
US7697110B2 (en) 2004-01-26 2010-04-13 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
TWI395068B (zh) * 2004-01-27 2013-05-01 尼康股份有限公司 光學系統、曝光裝置以及曝光方法
US7580559B2 (en) 2004-01-29 2009-08-25 Asml Holding N.V. System and method for calibrating a spatial light modulator
KR101377815B1 (ko) 2004-02-03 2014-03-26 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
TWI505329B (zh) * 2004-02-06 2015-10-21 尼康股份有限公司 光學照明裝置、曝光裝置、曝光方法以及元件製造方法
EP1724815B1 (en) 2004-02-10 2012-06-13 Nikon Corporation Aligner, device manufacturing method, maintenance method and aligning method
JP4370992B2 (ja) 2004-02-18 2009-11-25 株式会社ニコン 光学素子及び露光装置
US20080151200A1 (en) 2004-02-19 2008-06-26 Nikon Corporation Exposure Apparatus and Device Manufacturing Method
JP2005234359A (ja) 2004-02-20 2005-09-02 Ricoh Co Ltd 走査光学系光学特性測定装置、走査光学系光学特性測定装置校正方法、走査光学系及び画像形成装置
JP4693088B2 (ja) 2004-02-20 2011-06-01 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置、および露光方法
KR101106497B1 (ko) 2004-02-20 2012-01-20 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 공급 방법 및 회수 방법, 노광 방법, 및디바이스 제조 방법
JP4333404B2 (ja) 2004-02-25 2009-09-16 株式会社ニコン 搬送装置、搬送方法、露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
DE102004010569A1 (de) 2004-02-26 2005-09-15 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungssystem für eine Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage
JP2005243904A (ja) 2004-02-26 2005-09-08 Nikon Corp 照明光学装置、露光装置及び露光方法
US6977718B1 (en) 2004-03-02 2005-12-20 Advanced Micro Devices, Inc. Lithography method and system with adjustable reflector
JP2005251549A (ja) 2004-03-04 2005-09-15 Nikon Corp マイクロスイッチ及びマイクロスイッチの駆動方法
JP2005259789A (ja) 2004-03-09 2005-09-22 Nikon Corp 検知システム及び露光装置、デバイス製造方法
JP2005257740A (ja) 2004-03-09 2005-09-22 Nikon Corp 投影光学系、露光装置、および露光方法
JP4778685B2 (ja) 2004-03-10 2011-09-21 株式会社日立ハイテクノロジーズ 半導体デバイスのパターン形状評価方法及びその装置
JP4497968B2 (ja) 2004-03-18 2010-07-07 キヤノン株式会社 照明装置、露光装置及びデバイス製造方法
JP2005268700A (ja) 2004-03-22 2005-09-29 Nikon Corp ステージ装置及び露光装置
JP2005276932A (ja) 2004-03-23 2005-10-06 Nikon Corp 露光装置及びデバイス製造方法
JP2005302826A (ja) 2004-04-07 2005-10-27 Nikon Corp 照明光学装置、露光装置及び露光方法
JP4474979B2 (ja) 2004-04-15 2010-06-09 株式会社ニコン ステージ装置及び露光装置
EP2490248A3 (en) 2004-04-19 2018-01-03 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
JP2005311020A (ja) 2004-04-21 2005-11-04 Nikon Corp 露光方法及びデバイス製造方法
JP4776891B2 (ja) * 2004-04-23 2011-09-21 キヤノン株式会社 照明光学系、露光装置、及びデバイス製造方法
JP4569157B2 (ja) 2004-04-27 2010-10-27 株式会社ニコン 反射型投影光学系および該反射型投影光学系を備えた露光装置
US7324280B2 (en) 2004-05-25 2008-01-29 Asml Holding N.V. Apparatus for providing a pattern of polarization
JP2005340605A (ja) 2004-05-28 2005-12-08 Nikon Corp 露光装置およびその調整方法
JP5159027B2 (ja) 2004-06-04 2013-03-06 キヤノン株式会社 照明光学系及び露光装置
JP2006005197A (ja) 2004-06-18 2006-01-05 Canon Inc 露光装置
JP4419701B2 (ja) 2004-06-21 2010-02-24 株式会社ニコン 石英ガラスの成形装置
JP2006017895A (ja) 2004-06-30 2006-01-19 Integrated Solutions:Kk 露光装置
JP4444743B2 (ja) 2004-07-07 2010-03-31 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
JP2006024819A (ja) 2004-07-09 2006-01-26 Renesas Technology Corp 液浸露光装置、及び電子デバイスの製造方法
US7283209B2 (en) 2004-07-09 2007-10-16 Carl Zeiss Smt Ag Illumination system for microlithography
JPWO2006006730A1 (ja) 2004-07-15 2008-05-01 株式会社ニコン 平面モータ装置、ステージ装置、露光装置及びデバイスの製造方法
JP2006032750A (ja) 2004-07-20 2006-02-02 Canon Inc 液浸型投影露光装置、及びデバイス製造方法
EP1621930A3 (en) * 2004-07-29 2011-07-06 Carl Zeiss SMT GmbH Illumination system for a microlithographic projection exposure apparatus
JP4411158B2 (ja) 2004-07-29 2010-02-10 キヤノン株式会社 露光装置
JP2006049758A (ja) 2004-08-09 2006-02-16 Nikon Corp 露光装置の制御方法、並びに、これを用いた露光方法及び装置
JP2006054364A (ja) 2004-08-13 2006-02-23 Nikon Corp 基板吸着装置、露光装置
JP4599936B2 (ja) * 2004-08-17 2010-12-15 株式会社ニコン 照明光学装置、照明光学装置の調整方法、露光装置、および露光方法
WO2006019124A1 (ja) 2004-08-18 2006-02-23 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
JP2006073584A (ja) 2004-08-31 2006-03-16 Nikon Corp 露光装置及び方法並びにデバイス製造方法
KR101187611B1 (ko) 2004-09-01 2012-10-08 가부시키가이샤 니콘 기판 홀더, 스테이지 장치, 및 노광 장치
US7433046B2 (en) 2004-09-03 2008-10-07 Carl Ziess Meditec, Inc. Patterned spinning disk based optical phase shifter for spectral domain optical coherence tomography
JP4772306B2 (ja) 2004-09-06 2011-09-14 株式会社東芝 液浸光学装置及び洗浄方法
JP2006080281A (ja) 2004-09-09 2006-03-23 Nikon Corp ステージ装置、ガスベアリング装置、露光装置、並びにデバイス製造方法
US20080239257A1 (en) 2004-09-10 2008-10-02 Shigeru Hagiwara Stage Apparatus and Exposure Apparatus
JP4844835B2 (ja) 2004-09-14 2011-12-28 株式会社ニコン 補正方法及び露光装置
JP2006086141A (ja) 2004-09-14 2006-03-30 Nikon Corp 投影光学系、露光装置、および露光方法
JP2006086442A (ja) 2004-09-17 2006-03-30 Nikon Corp ステージ装置及び露光装置
US20080318152A1 (en) 2004-09-17 2008-12-25 Takeyuki Mizutani Substrate for Exposure, Exposure Method and Device Manufacturing Method
JP4804358B2 (ja) 2004-09-27 2011-11-02 浜松ホトニクス株式会社 空間光変調装置、光学処理装置、及びカップリングプリズムの使用方法
JP2006100363A (ja) 2004-09-28 2006-04-13 Canon Inc 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法。
JP4747545B2 (ja) 2004-09-30 2011-08-17 株式会社ニコン ステージ装置及び露光装置並びにデバイス製造方法
US7245353B2 (en) * 2004-10-12 2007-07-17 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method
JP4335114B2 (ja) 2004-10-18 2009-09-30 日本碍子株式会社 マイクロミラーデバイス
GB2419208A (en) 2004-10-18 2006-04-19 Qinetiq Ltd Optical correlation employing an optical bit delay
JP2006120985A (ja) 2004-10-25 2006-05-11 Nikon Corp 照明光学装置、露光装置、および露光方法
JP2006128192A (ja) 2004-10-26 2006-05-18 Nikon Corp 保持装置、鏡筒、及び露光装置、並びにデバイス製造方法
TWI416265B (zh) 2004-11-01 2013-11-21 尼康股份有限公司 A method of manufacturing an exposure apparatus and an element
US7271874B2 (en) * 2004-11-02 2007-09-18 Asml Holding N.V. Method and apparatus for variable polarization control in a lithography system
JP4517354B2 (ja) 2004-11-08 2010-08-04 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
TW200636816A (en) 2004-11-11 2006-10-16 Nikon Corp Exposure method, device manufacturing method and substrate
JP2006140366A (ja) 2004-11-15 2006-06-01 Nikon Corp 投影光学系及び露光装置
US9224632B2 (en) 2004-12-15 2015-12-29 Nikon Corporation Substrate holding apparatus, exposure apparatus, and device fabricating method
JP2005150759A (ja) 2004-12-15 2005-06-09 Nikon Corp 走査型露光装置
JP2006170811A (ja) 2004-12-16 2006-06-29 Nikon Corp 多層膜反射鏡、ｅｕｖ露光装置、及び軟ｘ線光学機器
JP2006170899A (ja) 2004-12-17 2006-06-29 Sendai Nikon:Kk 光電式エンコーダ
JP2006179516A (ja) * 2004-12-20 2006-07-06 Toshiba Corp 露光装置、露光方法及び半導体装置の製造方法
JPWO2006068233A1 (ja) 2004-12-24 2008-06-12 株式会社ニコン 磁気案内装置、ステージ装置、露光装置、及びデバイスの製造方法
JP2006177865A (ja) 2004-12-24 2006-07-06 Ntn Corp 磁気エンコーダおよびそれを備えた車輪用軸受装置
JP4402582B2 (ja) 2004-12-27 2010-01-20 大日本印刷株式会社 大型フォトマスク用ケース及びケース交換装置
US20060138349A1 (en) 2004-12-27 2006-06-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7345740B2 (en) * 2004-12-28 2008-03-18 Asml Netherlands B.V. Polarized radiation in lithographic apparatus and device manufacturing method
US7312852B2 (en) * 2004-12-28 2007-12-25 Asml Netherlands B.V. Polarized radiation in lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4632793B2 (ja) 2005-01-12 2011-02-16 京セラ株式会社 ナビゲーション機能付き携帯型端末機
EP1850464A4 (en) 2005-01-21 2017-03-15 Nikon Corporation Linear motor, stage apparatus, and exposure apparatus
TW200923418A (en) 2005-01-21 2009-06-01 Nikon Corp Exposure device, exposure method, fabricating method of device, exposure system, information collecting device, and measuring device
US20060164711A1 (en) * 2005-01-24 2006-07-27 Asml Holding N.V. System and method utilizing an electrooptic modulator
JP4858439B2 (ja) 2005-01-25 2012-01-18 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法並びにマイクロデバイスの製造方法
WO2006085524A1 (ja) 2005-02-14 2006-08-17 Nikon Corporation 露光装置
JP4650619B2 (ja) 2005-03-09 2011-03-16 株式会社ニコン 駆動ユニット、光学ユニット、光学装置、並びに露光装置
JP2006253572A (ja) 2005-03-14 2006-09-21 Nikon Corp ステージ装置、露光装置、及びデバイス製造方法
JP2006269462A (ja) * 2005-03-22 2006-10-05 Sony Corp 露光装置および照明装置
JP5125503B2 (ja) 2005-03-23 2013-01-23 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機ｅｌ素子の製造方法
JP4561425B2 (ja) 2005-03-24 2010-10-13 ソニー株式会社 ホログラム記録再生装置およびホログラム記録再生方法
JP4858744B2 (ja) 2005-03-24 2012-01-18 株式会社ニコン 露光装置
JP2006278820A (ja) 2005-03-30 2006-10-12 Nikon Corp 露光方法及び装置
JP4546315B2 (ja) 2005-04-07 2010-09-15 株式会社神戸製鋼所 微細加工用型の製造方法
CN101156226B (zh) 2005-04-27 2012-03-14 株式会社尼康 曝光方法、曝光装置、组件制造方法、以及膜的评估方法
JP4676815B2 (ja) 2005-05-26 2011-04-27 ルネサスエレクトロニクス株式会社 露光装置および露光方法
JP2006351586A (ja) 2005-06-13 2006-12-28 Nikon Corp 照明装置、投影露光装置、及びマイクロデバイスの製造方法
JP4710427B2 (ja) 2005-06-15 2011-06-29 株式会社ニコン 光学素子保持装置、鏡筒及び露光装置並びにデバイスの製造方法
DE102005030839A1 (de) 2005-07-01 2007-01-11 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsbelichtungsanlage mit einer Mehrzahl von Projektionsobjektiven
US7317512B2 (en) * 2005-07-11 2008-01-08 Asml Netherlands B.V. Different polarization in cross-section of a radiation beam in a lithographic apparatus and device manufacturing method
KR20080028839A (ko) 2005-08-05 2008-04-01 가부시키가이샤 니콘 스테이지 장치 및 노광 장치
JP2007048819A (ja) 2005-08-08 2007-02-22 Nikon Corp 面位置検出装置、露光装置及びマイクロデバイスの製造方法
JP2007043980A (ja) 2005-08-11 2007-02-22 Sanei Gen Ffi Inc 焼成和洋菓子用品質改良剤
US20070058151A1 (en) * 2005-09-13 2007-03-15 Asml Netherlands B.V. Optical element for use in lithography apparatus and method of conditioning radiation beam
JP2007087306A (ja) 2005-09-26 2007-04-05 Yokohama National Univ 目標画像指定作成方式
JP2007093546A (ja) 2005-09-30 2007-04-12 Nikon Corp エンコーダシステム、ステージ装置及び露光装置
JP4640090B2 (ja) 2005-10-04 2011-03-02 ウシオ電機株式会社 放電ランプ用ホルダー、および放電ランプ保持機構
JP2007113939A (ja) 2005-10-18 2007-05-10 Nikon Corp 計測装置及び計測方法、ステージ装置、並びに露光装置及び露光方法
JP2007120333A (ja) 2005-10-25 2007-05-17 Mitsubishi Heavy Ind Ltd ロケット用燃焼器の噴射管およびロケット用燃焼器
JP2007120334A (ja) 2005-10-25 2007-05-17 Denso Corp 車両駆動システムの異常診断装置
JP4809037B2 (ja) 2005-10-27 2011-11-02 日本カニゼン株式会社 黒色めっき膜およびその形成方法、めっき膜を有する物品
EP1947683A4 (en) 2005-11-09 2010-08-25 Nikon Corp EXPOSURE DEVICE, EXPOSURE METHOD AND COMPONENT MANUFACTURING METHOD
WO2007055120A1 (ja) 2005-11-10 2007-05-18 Nikon Corporation 照明光学装置、露光装置、および露光方法
WO2007055373A1 (ja) 2005-11-14 2007-05-18 Nikon Corporation 液体回収部材、露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
JP2007142313A (ja) 2005-11-22 2007-06-07 Nikon Corp 計測工具及び調整方法
JP2007144864A (ja) 2005-11-29 2007-06-14 Sanyo Electric Co Ltd 積層構造体およびそれを用いた冷凍装置
KR20080071552A (ko) 2005-12-06 2008-08-04 가부시키가이샤 니콘 노광 방법, 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
TWI538014B (zh) 2005-12-08 2016-06-11 尼康股份有限公司 A substrate holding device, an exposure apparatus, an exposure method, and an element manufacturing method
JP4800901B2 (ja) 2005-12-12 2011-10-26 矢崎総業株式会社 電圧検出装置及び絶縁インタフェース
US20070166134A1 (en) 2005-12-20 2007-07-19 Motoko Suzuki Substrate transfer method, substrate transfer apparatus and exposure apparatus
JP2007170938A (ja) 2005-12-21 2007-07-05 Sendai Nikon:Kk エンコーダ
JP2007207821A (ja) 2006-01-31 2007-08-16 Nikon Corp 可変スリット装置、照明装置、露光装置、露光方法及びデバイスの製造方法
JP2007220767A (ja) 2006-02-15 2007-08-30 Canon Inc 露光装置及びデバイス製造方法
JP2007227637A (ja) 2006-02-23 2007-09-06 Canon Inc 液浸露光装置
CN101389982A (zh) 2006-02-27 2009-03-18 株式会社尼康 分色镜
JP2007234110A (ja) 2006-02-28 2007-09-13 Toshiba Corp 光情報記録装置および光情報記録装置の制御方法
JP4929762B2 (ja) 2006-03-03 2012-05-09 株式会社ニコン 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
DE102006015213A1 (de) 2006-03-30 2007-10-11 Carl Zeiss Smt Ag Polarisationsbeeinflussende optische Anordnung
JP2007280623A (ja) 2006-04-03 2007-10-25 Seiko Epson Corp 熱処理装置、薄膜形成装置及び熱処理方法
JP2007295702A (ja) 2006-04-24 2007-11-08 Toshiba Mach Co Ltd リニアモータ、および、ステージ駆動装置
WO2007132862A1 (ja) 2006-05-16 2007-11-22 Nikon Corporation 投影光学系、露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法
JP4893112B2 (ja) 2006-06-03 2012-03-07 株式会社ニコン 高周波回路コンポーネント
JP4873138B2 (ja) 2006-06-21 2012-02-08 富士ゼロックス株式会社 情報処理装置及びプログラム
JP2008041710A (ja) * 2006-08-01 2008-02-21 Fujitsu Ltd 照明光学装置、露光方法及び設計方法
JP2008058580A (ja) 2006-08-31 2008-03-13 Canon Inc 画像形成装置、監視装置、制御方法、及びプログラム
JP2008064924A (ja) 2006-09-06 2008-03-21 Seiko Epson Corp 定着装置及び画像形成装置
WO2008041575A1 (fr) 2006-09-29 2008-04-10 Nikon Corporation Dispositif formant platine et dispositif d'exposition
JP2007051300A (ja) 2006-10-10 2007-03-01 Teijin Chem Ltd 難燃性樹脂組成物
JP4924879B2 (ja) 2006-11-14 2012-04-25 株式会社ニコン エンコーダ
WO2008061681A2 (de) 2006-11-21 2008-05-29 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungsoptik für die projektions-mikrolithografie sowie mess- und überwachungsverfahren für eine derartige beleuchtungsoptik
WO2008065977A1 (fr) 2006-11-27 2008-06-05 Nikon Corporation Procédé d'exposition, procédé de formation de motif, dispositif d'exposition, et procédé de fabrication du dispositif
JP2007274881A (ja) 2006-12-01 2007-10-18 Nikon Corp 移動体装置、微動体及び露光装置
JPWO2008075742A1 (ja) 2006-12-20 2010-04-15 株式会社ニコン メンテナンス方法、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
JP4910679B2 (ja) 2006-12-21 2012-04-04 株式会社ニコン 可変キャパシタ、可変キャパシタ装置、高周波回路用フィルタ及び高周波回路
DE102007027985A1 (de) 2006-12-21 2008-06-26 Carl Zeiss Smt Ag Optisches System, insbesondere Beleuchtungseinrichtung oder Projektionsobjektiv einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
WO2008078668A1 (ja) 2006-12-26 2008-07-03 Miura Co., Ltd. ボイラ給水用補給水の供給方法
EP2125745B1 (en) 2006-12-27 2017-02-22 Sanofi Cycloalkylamine substituted isoquinolone derivatives
JP5146323B2 (ja) 2006-12-27 2013-02-20 株式会社ニコン ステージ装置、露光装置、及びデバイスの製造方法
WO2008090975A1 (ja) 2007-01-26 2008-07-31 Nikon Corporation 支持構造体及び露光装置
KR101545361B1 (ko) 2007-05-09 2015-08-19 가부시키가이샤 니콘 포토마스크용 기판, 포토마스크용 기판의 성형 부재, 포토마스크용 기판의 제조 방법, 포토마스크, 및 포토마스크를 사용한 노광 방법
EP2154481A4 (en) 2007-05-31 2014-09-10 Panasonic Ip Corp America PICTURE RECORDING DEVICE, SERVER FOR PROVIDING ADDITIONAL INFORMATION AND SYSTEM FOR FILING SUPPLEMENTARY INFORMATION
JP5194650B2 (ja) 2007-08-31 2013-05-08 株式会社ニコン 電子カメラ
US8451427B2 (en) * 2007-09-14 2013-05-28 Nikon Corporation Illumination optical system, exposure apparatus, optical element and manufacturing method thereof, and device manufacturing method
US20090091730A1 (en) * 2007-10-03 2009-04-09 Nikon Corporation Spatial light modulation unit, illumination apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
JP5267029B2 (ja) * 2007-10-12 2013-08-21 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置及びデバイスの製造方法
KR101562073B1 (ko) * 2007-10-16 2015-10-21 가부시키가이샤 니콘 조명 광학 시스템, 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
JP4499774B2 (ja) 2007-10-24 2010-07-07 株式会社半導体エネルギー研究所 絶縁ゲイト型半導体装置
US8379187B2 (en) * 2007-10-24 2013-02-19 Nikon Corporation Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
JP2010004008A (ja) * 2007-10-31 2010-01-07 Nikon Corp 光学ユニット、照明光学装置、露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法
US9116346B2 (en) * 2007-11-06 2015-08-25 Nikon Corporation Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method
WO2009153925A1 (ja) 2008-06-17 2009-12-23 株式会社ニコン ナノインプリント方法及び装置
KR101504388B1 (ko) 2008-06-26 2015-03-19 가부시키가이샤 니콘 표시소자의 제조방법 및 제조장치
KR20110028473A (ko) 2008-06-30 2011-03-18 가부시키가이샤 니콘 표시 소자의 제조 방법 및 제조 장치, 박막 트랜지스터의 제조 방법 및 제조 장치, 및 회로 형성 장치
US20110037962A1 (en) 2009-08-17 2011-02-17 Nikon Corporation Polarization converting unit, illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
US20110205519A1 (en) 2010-02-25 2011-08-25 Nikon Corporation Polarization converting unit, illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4744615A (en) * 1986-01-29 1988-05-17 International Business Machines Corporation Laser beam homogenizer
JPH0653120A (ja) * 1992-07-27 1994-02-25 Nikon Corp 照明光学装置
US20020085276A1 (en) * 2000-11-29 2002-07-04 Nikon Corporation Illumination optical apparatus and exposure apparatus provided with illumination optical apparatus
US20020186462A1 (en) * 2001-05-15 2002-12-12 Carl Zeiss Semiconductor Manufacturing Technologies Ag Optical imaging system with polarizer and a crystalline-quartz plate for use therewith
US6774984B2 (en) * 2001-05-15 2004-08-10 Carl Zeiss Semiconductor Manufacturing Technologies, Ag Optical imaging system with polarizer and a crystalline-quartz plate for use therewith
TW200301848A (en) * 2002-01-09 2003-07-16 Nikon Corp Exposure apparatus and exposure method

Also Published As

Publication number Publication date
US20090147235A1 (en) 2009-06-11
US9164209B2 (en) 2015-10-20
JP2016212434A (ja) 2016-12-15
CN101685264A (zh) 2010-03-31
JP2014195094A (ja) 2014-10-09
CN101685266B (zh) 2014-12-10
CN101369056A (zh) 2009-02-18
KR101578226B1 (ko) 2015-12-16
JPWO2005050718A1 (ja) 2007-12-06
US20090323041A1 (en) 2009-12-31
KR101578310B1 (ko) 2015-12-16
CN101685264B (zh) 2014-03-12
JP2015008304A (ja) 2015-01-15
EP2251896A1 (en) 2010-11-17
CN101685204A (zh) 2010-03-31
TW200519410A (en) 2005-06-16
HK1128048A1 (en) 2009-10-16
JP2014003306A (ja) 2014-01-09
JP2019032558A (ja) 2019-02-28
KR20150015011A (ko) 2015-02-09
EP3118890A2 (en) 2017-01-18
US20130242394A1 (en) 2013-09-19
JP4976015B2 (ja) 2012-07-18
US20110273698A1 (en) 2011-11-10
TW201305604A (zh) 2013-02-01
JP2016026306A (ja) 2016-02-12
CN101685266A (zh) 2010-03-31
CN100555566C (zh) 2009-10-28
CN1883029A (zh) 2006-12-20
US10281632B2 (en) 2019-05-07
KR101220667B1 (ko) 2013-01-21
KR20150103759A (ko) 2015-09-11
EP1926129A1 (en) 2008-05-28
KR20100029254A (ko) 2010-03-16
JP5731591B2 (ja) 2015-06-10
WO2005050718A1 (ja) 2005-06-02
TW201610473A (zh) 2016-03-16
EP1926129B1 (en) 2012-01-04
US20170351100A1 (en) 2017-12-07
EP2251896B1 (en) 2015-09-23
KR20140029543A (ko) 2014-03-10
JP2014003305A (ja) 2014-01-09
HK1140830A1 (en) 2010-10-22
ATE540424T1 (de) 2012-01-15
EP1693885A4 (en) 2007-06-27
EP2117034B1 (en) 2016-05-04
CN101685265A (zh) 2010-03-31
CN101685267B (zh) 2015-01-14
HK1096197A1 (en) 2007-05-25
US20090147233A1 (en) 2009-06-11
JP5967132B2 (ja) 2016-08-10
KR20100005131A (ko) 2010-01-13
KR101220616B1 (ko) 2013-01-21
HK1128096A1 (en) 2009-10-16
JP2017227906A (ja) 2017-12-28
US20060158624A1 (en) 2006-07-20
JP5983689B2 (ja) 2016-09-06
US20150338663A1 (en) 2015-11-26
CN101369054A (zh) 2009-02-18
KR20170120724A (ko) 2017-10-31
US9885872B2 (en) 2018-02-06
KR20060128892A (ko) 2006-12-14
HK1094093A1 (zh) 2007-03-16
JP5696746B2 (ja) 2015-04-08
HK1140831A1 (zh) 2010-10-22
CN101369056B (zh) 2011-01-12
JP6160666B2 (ja) 2017-07-12
HK1140832A1 (zh) 2010-10-22
TWI519819B (zh) 2016-02-01
KR101220636B1 (ko) 2013-01-18
US20110273692A1 (en) 2011-11-10
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