JPS59155843A - 露光装置 - Google Patents
露光装置Info
- Publication number
- JPS59155843A JPS59155843A JP59011946A JP1194684A JPS59155843A JP S59155843 A JPS59155843 A JP S59155843A JP 59011946 A JP59011946 A JP 59011946A JP 1194684 A JP1194684 A JP 1194684A JP S59155843 A JPS59155843 A JP S59155843A
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- JP
- Japan
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- aperture
- illumination
- exposure
- lens
- integrator
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70091—Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane or angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole or quadrupole settings; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70141—Illumination system adjustment, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of illumination system
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の利用分野］
本発明は、半導体素子等の製造に用いられる露光装置の
改良に関する。
改良に関する。
［発明の背景］
縮小投影露光装置や１：１投影型アゾイナーなどの露光
装置における露光照明光の絞り方によって露光されるパ
ターンの解像度を変えることができる。第１図に示すよ
うに解像度は照明条件によって変わる。ここで、横軸は
空間周波数（Ｓｐａ−しｊＭ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）、
絞細は空間解像度（ＭＴＦ）を示す。そしてσは照明系
の光源像の直径と露光光学系の入射瞳の直径との比であ
り、σ＝０をコヒーレント照明、０〈σ〈１をパーシャ
ルコヒーレント照明、σ≧１をインコヒーレント照明と
呼ぶ。σ値を任意に設定することによって解像度を選ぶ
ことができる。
装置における露光照明光の絞り方によって露光されるパ
ターンの解像度を変えることができる。第１図に示すよ
うに解像度は照明条件によって変わる。ここで、横軸は
空間周波数（Ｓｐａ−しｊＭ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）、
絞細は空間解像度（ＭＴＦ）を示す。そしてσは照明系
の光源像の直径と露光光学系の入射瞳の直径との比であ
り、σ＝０をコヒーレント照明、０〈σ〈１をパーシャ
ルコヒーレント照明、σ≧１をインコヒーレント照明と
呼ぶ。σ値を任意に設定することによって解像度を選ぶ
ことができる。
一般に、露光装置は上記のような機能を持たせることが
できるが、従来の装置では、照明条件を１つに固定して
行なっていた。従って、この方式では、パターンの露光
を種々の条件で行なうことは、不可能であった。
できるが、従来の装置では、照明条件を１つに固定して
行なっていた。従って、この方式では、パターンの露光
を種々の条件で行なうことは、不可能であった。
例えば、Ｎ像度をさらに上げたい場合、あるいはそれほ
ど解像度を必要としないが、露光時間を短くしたい場合
には、その条件にあった照明条件を選ぶ必要がある訳で
ある。
ど解像度を必要としないが、露光時間を短くしたい場合
には、その条件にあった照明条件を選ぶ必要がある訳で
ある。
［発明の目的］
本発明は、」二記の点に着目してなされたものであり、
種々の照明条件を変えることができる露光装置を提供す
ることを目的とするものである。
種々の照明条件を変えることができる露光装置を提供す
ることを目的とするものである。
［発明の概要］
上記目的を達成するために、本発明では、照明”条件、
つまり絞りを任意に変化させる機構を有し、さらに制御
系を介して、絞りの状態を設定できる機能を持つように
構成したものである。
つまり絞りを任意に変化させる機構を有し、さらに制御
系を介して、絞りの状態を設定できる機能を持つように
構成したものである。
［発明の実施例コ
以下、本発明を実施例を参照して説明する。
１片
第２図は、本発明の一実施例を示す概拠図である。図に
おいて、原画パターン８は縮小レンズ９を介して乾板］
０上に縮小投影露光される。この露光に用いる照明光は
、光源６からインテグレータ５とコンデンサレンズ７を
介して導かれる。照明光の絞り１は、駆動機構２により
駆動される。
おいて、原画パターン８は縮小レンズ９を介して乾板］
０上に縮小投影露光される。この露光に用いる照明光は
、光源６からインテグレータ５とコンデンサレンズ７を
介して導かれる。照明光の絞り１は、駆動機構２により
駆動される。
絞りの設定は駆動機構の制御系３により行なわれ、設定
値はコンピュータを介して与えられる。なお、図中、４
は絞り１の可動方向、１１は乾板（ウェハ等）を載置す
るＸＹＪ動台、および１２は原図パターン８の縮小像で
ある。
値はコンピュータを介して与えられる。なお、図中、４
は絞り１の可動方向、１１は乾板（ウェハ等）を載置す
るＸＹＪ動台、および１２は原図パターン８の縮小像で
ある。
縮小レンズ９には、レンズ固有の入射瞳１３と出射瞳１
４がある。縮小レンズ９を使ってパターンを結像するさ
い、その解像度は、入射瞳１３に入る照明光の光束の大
きさによって決定される。
４がある。縮小レンズ９を使ってパターンを結像するさ
い、その解像度は、入射瞳１３に入る照明光の光束の大
きさによって決定される。
入射瞳１３に入る光束の大きさは、インテグレータ（フ
ライアイレンズ）５の出口側に設けた、絞り１を使って
変化させることができる。
ライアイレンズ）５の出口側に設けた、絞り１を使って
変化させることができる。
露光装置において、このような絞りを何種類も設け、パ
ターンの解像度を縮小レンズの性能の範囲で任意に設定
できるようにする。また、露光に要する時間も変えるこ
とができるので、装置のスループットも解像度と合わせ
て設定することができる。しかも、上記の絞りを設定す
るためには、あらかじめプログラムされた回路によって
、リモートコン１へロールで任意に選択することができ
る。
ターンの解像度を縮小レンズの性能の範囲で任意に設定
できるようにする。また、露光に要する時間も変えるこ
とができるので、装置のスループットも解像度と合わせ
て設定することができる。しかも、上記の絞りを設定す
るためには、あらかじめプログラムされた回路によって
、リモートコン１へロールで任意に選択することができ
る。
本機能を実現するために、第３図、第４百に示すような
機構を用いる。第３図はインテグレータと絞りの変換機
構部の一例を示したものである。
機構を用いる。第３図はインテグレータと絞りの変換機
構部の一例を示したものである。
第４図は、同様に第３図の側面を示したものである。
第３図、第４図において１円板１６−を二に、それぞれ
絞り径の違う絞り１８〜２５を設ける。絞りは例えば、
コヒーレント係数σが０．３，０．４・・・・・・１，
０となるようにする。円板１６はパルスモータ２８によ
り３２のように回転し、これによってインテグレータ５
の位置に、所要の絞りを位置決めすることができる。
絞り径の違う絞り１８〜２５を設ける。絞りは例えば、
コヒーレント係数σが０．３，０．４・・・・・・１，
０となるようにする。円板１６はパルスモータ２８によ
り３２のように回転し、これによってインテグレータ５
の位置に、所要の絞りを位置決めすることができる。
一方、インテグレータ５の一部であるレンズ１５と絞り
１８とは、回折の影響による照度むらを防ぐため、密着
させる必要がある。このため、絞り１８は図のように板
ばね１７で支持し、軸方向に可動できる構造とする。円
板１６は、図のようにモータ３０と偏心カム２９によっ
て３１方向に移動する。これにより、円板１６を回転さ
せ、所望の絞りを位置決めすると、コントローラ３から
の制御信号により偏心カム２９が回転し、絞り１８とイ
ンテグレータのレンズ１５とが密着する。なお、本機構
において、円板１６の軸方向移動９回転の２つの運動を
させるためには、軸方向のみ可動し、回転方向には回転
しないように固定した支持体２６により軸３５を支持、
案内するものと、支持体２６全体を軸受２７により支持
する構造とする。パルスモータ２８からの回転は、支持
体２６を回転させるように伝達される。
１８とは、回折の影響による照度むらを防ぐため、密着
させる必要がある。このため、絞り１８は図のように板
ばね１７で支持し、軸方向に可動できる構造とする。円
板１６は、図のようにモータ３０と偏心カム２９によっ
て３１方向に移動する。これにより、円板１６を回転さ
せ、所望の絞りを位置決めすると、コントローラ３から
の制御信号により偏心カム２９が回転し、絞り１８とイ
ンテグレータのレンズ１５とが密着する。なお、本機構
において、円板１６の軸方向移動９回転の２つの運動を
させるためには、軸方向のみ可動し、回転方向には回転
しないように固定した支持体２６により軸３５を支持、
案内するものと、支持体２６全体を軸受２７により支持
する構造とする。パルスモータ２８からの回転は、支持
体２６を回転させるように伝達される。
なお第３図において、３６は円板１６の軸方向移動のさ
いのガタをなくすためプリロードを与えるバネである。
いのガタをなくすためプリロードを与えるバネである。
また、３３は、インテグレータ５に入射する照明光束、
３４はインテグレータ５により均一化され、かつ絞りに
より光束直径の決定された光束である。
３４はインテグレータ５により均一化され、かつ絞りに
より光束直径の決定された光束である。
［発明の効果コ
以上のように、本発明の露光装置を用いることによって
、従来不可能であった照明系の絞りを任意に変えること
ができ、露光するパターンに合った照明条件で露光する
ことができる。つまり、解像度の高いパターンの露光が
必要な場合、絞りを絞る側（パーシャルコヒーレント）
の設定値にプログラムされているものを指定することに
よって、自動的に絞りが設定される。反対に、それ程解
像度を必要としない場合、絞りを開く側（インコヒーレ
ント）に設定値を指定する。この場合、照明光の強度は
、絞りを絞った場合に比べ高くなり、露光に要する時間
は短くなるので、装置のスループッ１−を上げるこ、と
ができるという利点がある。
、従来不可能であった照明系の絞りを任意に変えること
ができ、露光するパターンに合った照明条件で露光する
ことができる。つまり、解像度の高いパターンの露光が
必要な場合、絞りを絞る側（パーシャルコヒーレント）
の設定値にプログラムされているものを指定することに
よって、自動的に絞りが設定される。反対に、それ程解
像度を必要としない場合、絞りを開く側（インコヒーレ
ント）に設定値を指定する。この場合、照明光の強度は
、絞りを絞った場合に比べ高くなり、露光に要する時間
は短くなるので、装置のスループッ１−を上げるこ、と
ができるという利点がある。
第１図は、パターンのＭ像度の照明条件による変化を示
−す特性線図、第２図は、本発明の一実施例を示す概略
図、第３図は、本発明におけるインタグレータと絞りの
変換機構部の一例を示す図、および第４図は、第３図の
側面を示す図である。 図において、１・・・絞り、２・・駆動機構、３・・・
制御系、５・・インタグレータ、６・・・光源、・・・
コンデンサレンズ、９・・・縮小レンズ、１０・・・乾
板、１１￥Ｊ １ 閃 ５ｐｏｋｏｌ ６ｔｐｅｎｃｌ ”” Ｐ”ｒ４ｗ−ｍ
−）第２図 ￥３３ 閃 藷 猥 ４ 図 第１頁の続き ０発 明 者 原田達男 国分寺市東恋ケ窪１丁目２８０番 地株式会社日立製作所中央研究 所内
−す特性線図、第２図は、本発明の一実施例を示す概略
図、第３図は、本発明におけるインタグレータと絞りの
変換機構部の一例を示す図、および第４図は、第３図の
側面を示す図である。 図において、１・・・絞り、２・・駆動機構、３・・・
制御系、５・・インタグレータ、６・・・光源、・・・
コンデンサレンズ、９・・・縮小レンズ、１０・・・乾
板、１１￥Ｊ １ 閃 ５ｐｏｋｏｌ ６ｔｐｅｎｃｌ ”” Ｐ”ｒ４ｗ−ｍ
−）第２図 ￥３３ 閃 藷 猥 ４ 図 第１頁の続き ０発 明 者 原田達男 国分寺市東恋ケ窪１丁目２８０番 地株式会社日立製作所中央研究 所内
Claims (1)
- 半導体素子等の製造に用いられる露光装置において、露
光照明系の絞りを任意に選択、設定することができる機
構を有することを特徴とする露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59011946A JPS59155843A (ja) | 1984-01-27 | 1984-01-27 | 露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59011946A JPS59155843A (ja) | 1984-01-27 | 1984-01-27 | 露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59155843A true JPS59155843A (ja) | 1984-09-05 |
Family
ID=11791805
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59011946A Pending JPS59155843A (ja) | 1984-01-27 | 1984-01-27 | 露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59155843A (ja) |
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- 1984-01-27 JP JP59011946A patent/JPS59155843A/ja active Pending
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