JP2729058B2 - 半導体装置の露光装置 - Google Patents
半導体装置の露光装置Info
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- JP2729058B2 JP2729058B2 JP63217934A JP21793488A JP2729058B2 JP 2729058 B2 JP2729058 B2 JP 2729058B2 JP 63217934 A JP63217934 A JP 63217934A JP 21793488 A JP21793488 A JP 21793488A JP 2729058 B2 JP2729058 B2 JP 2729058B2
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- Japan
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- ultraviolet light
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- ultraviolet
- exposure apparatus
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70066—Size and form of the illuminated area in the mask plane, e.g. reticle masking blades or blinds
-
- G—PHYSICS
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
-
- G—PHYSICS
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70716—Stages
- G03F7/70725—Stages control
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置に製造に際してフォトリソグラフ
ィ技術に用いられる露光装置に関し、特に寸法変動の少
ないパターン転写を可能とした露光装置に関する。
ィ技術に用いられる露光装置に関し、特に寸法変動の少
ないパターン転写を可能とした露光装置に関する。
〔従来の技術〕 従来、この種の露光装置を用いて行うフォトリソグラ
フィ技術では、露光に用いる紫外線の強度が変動する
と、パターン転写を行うフォトレジストに対する露光量
が変動し、パターン幅寸法等にばらつきが生じて高精度
のパターン転写を行うことが難しい。このため、従来の
露光装置では、人間が紫外線強度計測用センサを露光装
置内に挿入して強度測定を行い、露光装置の強度調整ダ
イヤルにて紫外線強度を一定に保持するように手動調整
を行っている。
フィ技術では、露光に用いる紫外線の強度が変動する
と、パターン転写を行うフォトレジストに対する露光量
が変動し、パターン幅寸法等にばらつきが生じて高精度
のパターン転写を行うことが難しい。このため、従来の
露光装置では、人間が紫外線強度計測用センサを露光装
置内に挿入して強度測定を行い、露光装置の強度調整ダ
イヤルにて紫外線強度を一定に保持するように手動調整
を行っている。
上述した従来の露光装置では、一度紫外線強度の調整
を実施した後でも、次の強度調整までの間に強度の変動
があった場合には、変動した分に対して強度が補正され
ることはない。このため、上述したような露光量の過不
足が生じ、露光された半導体装置のフォトレジストパタ
ーンの寸法が変動してしまうという問題がある。
を実施した後でも、次の強度調整までの間に強度の変動
があった場合には、変動した分に対して強度が補正され
ることはない。このため、上述したような露光量の過不
足が生じ、露光された半導体装置のフォトレジストパタ
ーンの寸法が変動してしまうという問題がある。
本発明は露光強度を自動的に補正，調整してパターン
寸法の変動を防止する半導体装置の露光装置を提供する
ことを目的とする。
寸法の変動を防止する半導体装置の露光装置を提供する
ことを目的とする。
本発明の半導体装置の露光装置は、スリットを通した
紫外線の強度を計測する計測部と、この計測値に基づい
て予め記憶したデータから紫外線強度の補正量を決定す
るデータ処理部と、この補正量に基づいて半導体基板等
を走査するためのキャリッジの速度を制御するコントロ
ーラとを備えている。
紫外線の強度を計測する計測部と、この計測値に基づい
て予め記憶したデータから紫外線強度の補正量を決定す
るデータ処理部と、この補正量に基づいて半導体基板等
を走査するためのキャリッジの速度を制御するコントロ
ーラとを備えている。
上述した構成では、紫外線強度の変動に対応してキャ
リッジの速度を補正し、半導体基板に対して常に一定の
強度による紫外線露光を行い、露光強度の変動による転
写パターン幅の変動を防止する。
リッジの速度を補正し、半導体基板に対して常に一定の
強度による紫外線露光を行い、露光強度の変動による転
写パターン幅の変動を防止する。
次に、本発明を図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の正面構成図である。図に
おいて、１は光源としての紫外線を発生する水銀ランプ
であり、ここから射出された紫外線は光路２上に配設し
たスリット３で絞られ、ハーフミラー４で反射されてフ
ォトマスク５を照射する。更に、紫外線は光学系６を通
り、半導体基板７上にフォトマスクパターンを結像させ
る。なお、フォトマスク5,光学系6,及び半導体基板７は
走査用のキャリッジ８に搭載されている。
おいて、１は光源としての紫外線を発生する水銀ランプ
であり、ここから射出された紫外線は光路２上に配設し
たスリット３で絞られ、ハーフミラー４で反射されてフ
ォトマスク５を照射する。更に、紫外線は光学系６を通
り、半導体基板７上にフォトマスクパターンを結像させ
る。なお、フォトマスク5,光学系6,及び半導体基板７は
走査用のキャリッジ８に搭載されている。
そして、前記ハーフミラー４の背後には、紫外線の一
部を検出する紫外線強度計測部９を配設し、これをデー
タ処理部10に接続している。このデータ処理部10は予め
紫外線強度の補正量が記憶された記憶部を有しており、
検出した紫外線強度をこの記憶部の補正量と比較し、そ
の結果に基づいて前記スリット３の幅を制御するコント
ローラ11と、前記キャリッジ８の移動速度を制御するコ
ントローラ12を制御する。
部を検出する紫外線強度計測部９を配設し、これをデー
タ処理部10に接続している。このデータ処理部10は予め
紫外線強度の補正量が記憶された記憶部を有しており、
検出した紫外線強度をこの記憶部の補正量と比較し、そ
の結果に基づいて前記スリット３の幅を制御するコント
ローラ11と、前記キャリッジ８の移動速度を制御するコ
ントローラ12を制御する。
この構成によれば、第２図及び第３図にフローチャー
トを示すように、紫外線強度計測部９はスリット３を通
った紫外線の強度を計測し、このデータをデータ処理部
10へ出力する。このデータ処理部10では計測値と記憶値
との比較から、好適な露光時間の補正量を決定し、スリ
ットコントローラ11でスリット幅を調整して半導体基板
７に照射される紫外線の強度を制御し、同時にキャリッ
ジコントローラ12でキャリッジ８の移動速度を調整し
て、半導体基板に対する露光量を制御する。
トを示すように、紫外線強度計測部９はスリット３を通
った紫外線の強度を計測し、このデータをデータ処理部
10へ出力する。このデータ処理部10では計測値と記憶値
との比較から、好適な露光時間の補正量を決定し、スリ
ットコントローラ11でスリット幅を調整して半導体基板
７に照射される紫外線の強度を制御し、同時にキャリッ
ジコントローラ12でキャリッジ８の移動速度を調整し
て、半導体基板に対する露光量を制御する。
なお、前記実施例ではスリット幅の調整とキャリッジ
速度の調整を同時におこなっているが、本発明はキャリ
ッジ速度の調整を行うものであれば、スリット幅の調整
は行わなくともよい。
速度の調整を同時におこなっているが、本発明はキャリ
ッジ速度の調整を行うものであれば、スリット幅の調整
は行わなくともよい。
したがって、この構成によれば、紫外線の強度が変化
した場合でも、これに対応してキャリッジ速度を自動的
に補正し、半導体基板７に対する紫外線照度を常に一定
に保持することが可能となる。これにより、フォトレジ
ストに対する露光量を一定にし、転写パターンの幅を均
一にして高精度のパターン転写を実現する。
した場合でも、これに対応してキャリッジ速度を自動的
に補正し、半導体基板７に対する紫外線照度を常に一定
に保持することが可能となる。これにより、フォトレジ
ストに対する露光量を一定にし、転写パターンの幅を均
一にして高精度のパターン転写を実現する。
以上説明したように本発明は、紫外線の強度を計測部
で計測した上で、予め記憶したデータからその補正量を
決定し、かつこの補正量に基づいてキャリッジ速度を制
御するように構成しているので、紫外線強度の変動に対
応してキャリッジ速度を補正し、半導体基板に対して常
に一定の強度による紫外線露光を行って、紫外線強度の
ばらつきによるフォトレジスタパターンの寸法のばらつ
きを低減できる効果がある。
で計測した上で、予め記憶したデータからその補正量を
決定し、かつこの補正量に基づいてキャリッジ速度を制
御するように構成しているので、紫外線強度の変動に対
応してキャリッジ速度を補正し、半導体基板に対して常
に一定の強度による紫外線露光を行って、紫外線強度の
ばらつきによるフォトレジスタパターンの寸法のばらつ
きを低減できる効果がある。
第１図は本発明の一実施例の正面構成図、第２図及び第
３図は夫々露光量を補正する際の工程を示すフローチャ
ートである。 １……水銀ランプ、２……光路、３……スリット、４…
…ハーフミラー、５……フォトマスク、６……光学系、
７……半導体基板、８……キャリッジ、９……紫外線強
度計測部、10……データ処理部、11……スリットコント
ローラ、12……キャリッジコントローラ。
３図は夫々露光量を補正する際の工程を示すフローチャ
ートである。 １……水銀ランプ、２……光路、３……スリット、４…
…ハーフミラー、５……フォトマスク、６……光学系、
７……半導体基板、８……キャリッジ、９……紫外線強
度計測部、10……データ処理部、11……スリットコント
ローラ、12……キャリッジコントローラ。
Claims (1)
- 【請求項１】フォトマスク、半導体基板等の被露光体を
キャリッジで移動させながらスリットを通した紫外線を
照射させる構成の露光装置において、前記紫外線の強度
を計測する計測部と、この計測部での計測値に基づいて
予め記憶されているデータから前記紫外線の強度の補正
量を決定するデータ処理部と、前記補正量に基づいて前
記キャリッジの移動速度を制御するコントローラとを備
えることを特徴とする半導体装置の露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63217934A JP2729058B2 (ja) | 1988-08-31 | 1988-08-31 | 半導体装置の露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63217934A JP2729058B2 (ja) | 1988-08-31 | 1988-08-31 | 半導体装置の露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0265222A JPH0265222A (ja) | 1990-03-05 |
| JP2729058B2 true JP2729058B2 (ja) | 1998-03-18 |
Family
ID=16712001
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63217934A Expired - Lifetime JP2729058B2 (ja) | 1988-08-31 | 1988-08-31 | 半導体装置の露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2729058B2 (ja) |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6078381A (en) | 1993-02-01 | 2000-06-20 | Nikon Corporation | Exposure method and apparatus |
| US5591958A (en) * | 1993-06-14 | 1997-01-07 | Nikon Corporation | Scanning exposure method and apparatus |
| JP3235078B2 (ja) | 1993-02-24 | 2001-12-04 | 株式会社ニコン | 走査露光方法、露光制御装置、走査型露光装置、及びデバイス製造方法 |
| US5854671A (en) | 1993-05-28 | 1998-12-29 | Nikon Corporation | Scanning exposure method and apparatus therefor and a projection exposure apparatus and method which selectively chooses between static exposure and scanning exposure |
| JPH08250402A (ja) * | 1995-03-15 | 1996-09-27 | Nikon Corp | 走査型露光方法及び装置 |
| JP2800731B2 (ja) * | 1995-08-29 | 1998-09-21 | 株式会社ニコン | 走査露光方法、及び走査露光による回路素子製造方法 |
| KR970022562A (ko) * | 1995-10-12 | 1997-05-30 | 김광호 | 노광장치 |
| EP3226073A3 (en) | 2003-04-09 | 2017-10-11 | Nikon Corporation | Exposure method and apparatus, and method for fabricating device |
| TWI609409B (zh) | 2003-10-28 | 2017-12-21 | 尼康股份有限公司 | 照明光學裝置、曝光裝置、曝光方法以及元件製造方法 |
| TWI512335B (zh) | 2003-11-20 | 2015-12-11 | 尼康股份有限公司 | 光束變換元件、光學照明裝置、曝光裝置、以及曝光方法 |
| TWI614795B (zh) | 2004-02-06 | 2018-02-11 | Nikon Corporation | 光學照明裝置、曝光裝置、曝光方法以及元件製造方法 |
| EP3232270A3 (en) | 2005-05-12 | 2017-12-13 | Nikon Corporation | Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method |
| JP5267029B2 (ja) | 2007-10-12 | 2013-08-21 | 株式会社ニコン | 照明光学装置、露光装置及びデバイスの製造方法 |
| US8379187B2 (en) | 2007-10-24 | 2013-02-19 | Nikon Corporation | Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| US9116346B2 (en) | 2007-11-06 | 2015-08-25 | Nikon Corporation | Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
-
1988
- 1988-08-31 JP JP63217934A patent/JP2729058B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0265222A (ja) | 1990-03-05 |
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