JPH0445970B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH0445970B2
JPH0445970B2 JP57137269A JP13726982A JPH0445970B2 JP H0445970 B2 JPH0445970 B2 JP H0445970B2 JP 57137269 A JP57137269 A JP 57137269A JP 13726982 A JP13726982 A JP 13726982A JP H0445970 B2 JPH0445970 B2 JP H0445970B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
illuminance
light
light shielding
illumination section
projection aligner
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP57137269A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS5928337A (ja
Inventor
Mitsuhiro Morita
Keizo Nomura
Hiroshi Nishizuka
Yasushi Hoshi
Yoichiro Tamya
Terushige Asakawa
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Renesas Eastern Japan Semiconductor Inc
Original Assignee
Hitachi Tokyo Electronics Co Ltd
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Tokyo Electronics Co Ltd, Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Tokyo Electronics Co Ltd
Priority to JP57137269A priority Critical patent/JPS5928337A/ja
Priority to US06/519,675 priority patent/US4598197A/en
Priority to KR1019830003692A priority patent/KR840005916A/ko
Priority to FR8313041A priority patent/FR2536547B1/fr
Priority to DE19833328578 priority patent/DE3328578A1/de
Priority to GB08321335A priority patent/GB2126740A/en
Priority to IT22492/83A priority patent/IT1164408B/it
Publication of JPS5928337A publication Critical patent/JPS5928337A/ja
Priority to US06/823,750 priority patent/US4701608A/en
Priority to US07/100,227 priority patent/US4780606A/en
Publication of JPH0445970B2 publication Critical patent/JPH0445970B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/70066—Size and form of the illuminated area in the mask plane, e.g. reticle masking blades or blinds
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/702—Reflective illumination, i.e. reflective optical elements other than folding mirrors, e.g. extreme ultraviolet [EUV] illumination systems
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70233—Optical aspects of catoptric systems, i.e. comprising only reflective elements, e.g. extreme ultraviolet [EUV] projection systems
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
    • G03F7/70558—Dose control, i.e. achievement of a desired dose
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Projection-Type Copiers In General (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は照度分布の均一化を図つたプロジエク
シヨンアライナに関するものである。
半導体ウエーハに集積回路を形成する際には所
謂ホトリソグラフイ工程が行なわれるが、この工
程の中ではホトマスクの回路パターンをウエーハ
表面に焼き付ける装置としてプロジエクシヨンア
ライナが利用されている。このプロジエクシヨン
アライナはホトマスクの回路パターンを光学系を
利用してウエーハ表面に結像しかつ露光を行なう
ものであるため、ホトマスクとウエーハを密着さ
せて露光を行なうコンタクト方式のものに比較し
て焼き付け自由度が大きいという利点がある。し
かしながら、一方ではプロジエクシヨン方式は照
明光の照度分布のばらつきがそのまま回路パター
ン像に影響を与え易く、したがつて均一照度の回
路パターン像を得るためには照明光の照度分布を
厳格に管理することが要求されている。
このため従来では、作業者がプロジエクシヨン
アライナのホトマスク近傍位置等における照度を
測定し、この測定結果に基づいてアライナ各部を
調整して照度の均一化を図ることがホトリソグラ
フイ工程作業の一つとして行なわれるだけである
ため、作業の途中或いは他の準備作業時に照度分
布に狂いが生じてもこれを見い出すことは困難で
あり、結局照度分布の不適切な露光が行なわれて
露光寸法が規格を越え、不良品が発生して歩留を
悪くするという問題が生じることになる。
したがつて本発明の目的は照度分布の狂いをす
みやかに検出して不良品の発生を未然に防止する
ことのできるプロジエクシヨンアライナを提供す
ることにある。
また、本発明の他の目的は照度分布の狂いをす
みやかに検出すると共に、この照度の不均一を直
ちに自動的に補正することのできるプロジエクシ
ヨンアライナを提供することにある。
この目的を達成するために本発明は、照明部に
より証明されるホトマスクの回路パターンを結像
部にてウエーハ等に結蔵させるようにしたプロジ
エクシヨンアライナにおいて、前記ウエーハ等へ
の結像露光作業前記照明部の光路内で照度検出す
る複数の照度センサと、この複数の照度センサの
出力に基づいて前記照明部の照度分布を検出する
照度検出手段と、この照度検出手段の出力に基づ
いて前記照明部の照度分布を自動的に補正する補
正手段とを備え、かつ前記補正手段は、前記照明
部の光路に沿つて並設されるとともに前記光路内
への進入量が個々に変化される複数の遮光板を備
えた複数の遮光装置と、この遮光装置を作動させ
制御部とからなることを特徴とするプロジエクシ
ヨンアライナ、とするものである。
以下、本発明を図示の実施例により説明する。
第１図は本発明のプロジエクシヨンアライナの
一実施例の構成図であり、時に１：１プロジエク
シヨンアライナで例示している、図において、２
は基盤１をエアベアリング機構によつて図示の左
右に往復移動されるスキヤンテーブルであり、そ
の一端側に設けた透孔３上には所定の回路パター
ンを形成したホトマスク４を設置し、他端側の上
部には表面にホトレジストが塗布された半導体ウ
エーハ５を設置している。前記基盤１はその一端
側一部に透孔６を有し、この透孔６の下側には光
源ランプ７、反射鏡８，９、レンズ１０，１１，
１２、凹面鏡１３、スリツト１４等を有する照明
部１５を設けている。この照明部１５は前記光源
ランプ７の光を反射鏡、レンズ、スリツトを通
し、更に透孔６を通した上で前記スリツト１４の
円弧状スリツトに沿つた光形状で照明を行なうこ
とができる。一方、透孔６の上方位置には反射鏡
１６，１７，１８、凹面鏡１９、凸面鏡２０を有
する結像部２１を設け、ホトマスク４像を前記ウ
エーハ５表面に形成する。
更に、前記スキヤンテーブル２の透孔３内に
は、第２に平面状態を示すように複数個の照度セ
ンサ２２を前記スリツトの形状に相対するように
円弧状に配設固定している。そして、これら各照
度センサ２２はマイクロコンピユータを主体とす
る照度検出手段２３に接続し、この照度検出手段
２３では各照度センサ２２の出力値を相互におよ
び所定の基準値と比較する。また、前記照度検出
手段２３には警報器２４を接続しており、照度検
出手段２３からの所定の出力信号によつて作動さ
れる。
以上の構成によれば、照明部１５において形成
された円弧状スリツト光は透孔６，３を通してホ
トマスク４を円弧線状に照明する。そして、この
照明された部分は結像部２１によつてウエーハ５
の表面に結像される。したがつて、スキヤンテー
ブル２を例えば図の右から左へ移動すれば、前記
スリツト光はホトマスク４の全面をスキヤンする
ことになり、結果的にホトマスク全面をウエーハ
表面に露光させる。このとき、スキヤンテーブル
２をホトマスク４の寸法よりも若干大きく移動す
れば、前記スリツト光はホトマスク４の直近に設
けた複数個の照度センサ２２に当射され、各照度
センサ２２からはスリツト光各部の照度が出力さ
れる、したがつて、これらの出力から照度検出手
段２３ではスリツト光の照度分布を検出し、照度
分布が所定の基準に対して狂つているときには警
報器２４を作動させ、作業者を介して或いは自動
的にプロジエクシヨンアライナの作動を停止させ
るのである。
これにより、このプロジエクシヨンアライナで
は、スキヤンテーブル２の１往復毎に、つまりホ
トマスクの１回露光毎に照明分布をチエツクし、
分布に狂いがあるときには直ちに露光を停止する
ので、照度の不均一が原因とされる不良品を確実
に防止でき、歩留の向上を達成できる。また、こ
れによれば１日１回準備作業で行なう照度分布チ
エツクも不要となり、準備作業時間の短縮を図る
こともできる。
なお、照度センサ２２は複数個設ける代りに、
１個の照度センサをスリツト光に沿つて円弧状に
移動させ、各移動点において照度を測るようにし
てもよい。
第３図には前述と異なる発明のプロジエクシヨ
ンアライナの一実施例を示しており、図において
第１図と同一部分には同一符号を付して説明は省
略する。
本発明にあたつては、照度分布の検出手段２３
からの出力に基づいて照度分布を自動的に補正す
る補正手段２５を設けた点に特徴を有する。即
ち、同図において、照明部１５内に遮光装置２６
を設け、この遮光装置２６を前記照度検出手段２
３の出力に基づいて作動する制御部２７によつて
駆動することにより照度分布を補正することがで
きる。
前記遮光装置２６は第４図Ａ，Ｂのように、光
源ランプ７の円弧状光束7Aに沿つて複数個並設
され、各装置は夫々独立して駆動される。各装置
は、フレーム２８の上端に一端を支持した揺動ア
ーム２９を有し、このアーム２９の先端に略Ｌ字
状の遮光板３０を固定している。そして、前記ア
ーム２９は引張スプリング３１に下方へ付勢され
る一方、その下面にはフレーム２８に支持された
マイクロメータヘツド３２の先端を当接させてい
る。また、このマイクロメータヘツド３２はフレ
ーム２８の下側に取着したパルスモータ３３によ
り回転されるように連結され、その回転方向に応
じて前記した先端を上動或いは下動させる。前記
パルスモータ３３は前記制御部２７に接続され、
制御部２７からの信号により正、逆転駆動され
る。
以上の構成によれば、照度センサ２２の出力に
より照度検出手度２３が照度の不均一を検出する
と、スリツト光における高照度部位または低照度
部位を制御部２７に出力し、制御部２７ではこれ
に基づいて補正を必要とするスリツト光部位に相
対する遮光装置２６を選択的に駆動する。即ち、
高照度部位の遮光装置は、パルスモータ２３にて
マイクロメータヘツド２３を右転することにより
先端を上動させ、更にアーム２９を上方へ揺動さ
せる。これによりアーム２９と一体の遮光板３０
は拘束7A中への進入量が増大し、その部位の光
量を低減して照度を部分的に低減させる。一方、
低照度部位に対してはパルスモータ３３を左転す
ることにより遮光板３０を下動させ、拘束7A中に
おける遮光板の進入量を低減してその部位の光量
を増大させ、照度を部分的に増大させる。したが
つて、各遮光装置を独立して制御することなによ
り、均一な照度を自動的に行なうことができるの
である。
ここで、遮光装置は他の構成であつてもよく、
要は拘束中における遮光板の進入量を部分的に調
整できるものであればよい。また、補正手段とし
ては、遮光装置を設ける代りに光源ランプの位置
を可変できる装置構造とし、ランプ位置を調整す
ることにより照度の均一化を図るようにしてもよ
い。
以上のように本発明のプロジエクシヨンアライ
ナによれば、ホトマスクの露光の度に光路内に進
入位置される照度センサを設けて照度分布を検出
し、分布が不均一になつたときに警報を発し、或
いはこれを自動的に補正するようにしているの
で、照度分布を常に均一に保つて照度不均一が原
因とされる不良品の発生を未然に防止し、これに
より歩流の向上を達成することができるという効
果を奏する。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明のプロジエクシヨンアライナの
構成図、第２図は照度センサの平面配置図、第３
図は他の発明のプロジエクシヨンアライナの構成
図、第４図Ａ，Ｂは遮光装置の正面図と側面図で
ある。 １……基盤、２……スキヤンテーブル、４……
ホトマスク、５……ウエーハ、７……光源、１４
……スリツト、１５……照明部、２１……結像
部、２２……照度センサ、２３……照度検出手
段、２４……警報器、２５……補正手段、２６…
…遮光装置、２７……制御部。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ 照明部により照明されるホトマスクの回路パ
    ターンを結像部にてウエーハ等に結像させるよう
    にしたプロジエクシヨンアライナにおいて、前記
    ウエーハ等への結像露光作業時前記照明部の光路
    内で照度検出する複数の照度センサと、この複数
    の照度センサの出力に基づいて前記照明部の照度
    分布を検出する照度検出手段と、この照度検出手
    段の出力に基づいて前記照明部の照度分布を自動
    的に補正する補正手段とを備え、かつ前記補正手
    段は、前記照明部の光路に沿つて並設されるとと
    もに前記光路内への進入量が個々に変化される複
    数の遮光板を備えた複数の遮光装置と、この遮光
    装置を作動させる制御部とからなることを特徴と
    するプロジエクシヨンアライナ。
JP57137269A 1982-08-09 1982-08-09 プロジエクシヨンアライナ Granted JPS5928337A (ja)

Priority Applications (9)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57137269A JPS5928337A (ja) 1982-08-09 1982-08-09 プロジエクシヨンアライナ
US06/519,675 US4598197A (en) 1982-08-09 1983-08-02 Projection aligner
KR1019830003692A KR840005916A (ko) 1982-08-09 1983-08-06 프로젝션 어라이너
GB08321335A GB2126740A (en) 1982-08-09 1983-08-08 Projection imaging
DE19833328578 DE3328578A1 (de) 1982-08-09 1983-08-08 Projektions-justiervorrichtung
FR8313041A FR2536547B1 (fr) 1982-08-09 1983-08-08 Dispositif d'alignement pour projection, notamment pour la fabrication de dispositifs a semi-conducteurs
IT22492/83A IT1164408B (it) 1982-08-09 1983-08-09 Apparecchiatura di allineamento di proiezioni atta a controllare la luminosita' o intensita', e la distribuzione o uniformita' di esse
US06/823,750 US4701608A (en) 1982-08-09 1986-01-29 Projection aligner with a sensor for monitoring light quantity
US07/100,227 US4780606A (en) 1982-08-09 1987-09-23 Projection aligner method utilizing monitoring of light quantity

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57137269A JPS5928337A (ja) 1982-08-09 1982-08-09 プロジエクシヨンアライナ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5928337A JPS5928337A (ja) 1984-02-15
JPH0445970B2 true JPH0445970B2 (ja) 1992-07-28

Family

ID=15194718

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP57137269A Granted JPS5928337A (ja) 1982-08-09 1982-08-09 プロジエクシヨンアライナ

Country Status (7)

Country Link
US (3) US4598197A (ja)
JP (1) JPS5928337A (ja)
KR (1) KR840005916A (ja)
DE (1) DE3328578A1 (ja)
FR (1) FR2536547B1 (ja)
GB (1) GB2126740A (ja)
IT (1) IT1164408B (ja)

Families Citing this family (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5928337A (ja) * 1982-08-09 1984-02-15 Hitachi Ltd プロジエクシヨンアライナ
US5153419A (en) * 1985-04-22 1992-10-06 Canon Kabushiki Kaisha Device for detecting position of a light source with source position adjusting means
US4947030A (en) * 1985-05-22 1990-08-07 Canon Kabushiki Kaisha Illuminating optical device
JPS62133475A (ja) * 1985-12-04 1987-06-16 Fuji Photo Film Co Ltd 未定着駒の定着方法
JPS6461716A (en) * 1987-08-31 1989-03-08 Canon Kk Illuminator
US4924257A (en) * 1988-10-05 1990-05-08 Kantilal Jain Scan and repeat high resolution projection lithography system
US5285488A (en) * 1989-09-21 1994-02-08 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus
DE69030348T2 (de) * 1989-10-03 1997-09-04 Canon Kk Belichtungsvorrichtung
CA2069132C (en) * 1991-08-29 1996-01-09 Koji Fujii Light-beam heating apparatus
US5291240A (en) * 1992-10-27 1994-03-01 Anvik Corporation Nonlinearity-compensated large-area patterning system
US6078381A (en) 1993-02-01 2000-06-20 Nikon Corporation Exposure method and apparatus
EP0614124A3 (en) * 1993-02-01 1994-12-14 Nippon Kogaku Kk Exposure device.
US6753948B2 (en) 1993-04-27 2004-06-22 Nikon Corporation Scanning exposure method and apparatus
KR100296778B1 (ko) 1993-06-11 2001-10-24 오노 시게오 노광장치및그장치를사용하는소자제조방법
US5729331A (en) * 1993-06-30 1998-03-17 Nikon Corporation Exposure apparatus, optical projection apparatus and a method for adjusting the optical projection apparatus
US6246204B1 (en) * 1994-06-27 2001-06-12 Nikon Corporation Electromagnetic alignment and scanning apparatus
US5559629A (en) * 1994-08-19 1996-09-24 Tamarack Scientific Co., Inc. Unit magnification projection system and method
US5712698A (en) * 1996-03-04 1998-01-27 Siemens Aktiengesellschaft Independently controllable shutters and variable area apertures for off axis illumination
US5966202A (en) * 1997-03-31 1999-10-12 Svg Lithography Systems, Inc. Adjustable slit
US6013401A (en) * 1997-03-31 2000-01-11 Svg Lithography Systems, Inc. Method of controlling illumination field to reduce line width variation
US5982475A (en) * 1997-09-30 1999-11-09 Tropel Corporation Raster-scan photolithographic reduction system
JP3517583B2 (ja) 1998-03-27 2004-04-12 キヤノン株式会社 露光装置、デバイス製造方法及び放電灯
US6404499B1 (en) 1998-04-21 2002-06-11 Asml Netherlands B.V. Lithography apparatus with filters for optimizing uniformity of an image
EP0952491A3 (en) * 1998-04-21 2001-05-09 Asm Lithography B.V. Lithography apparatus
SE514835C2 (sv) 1999-01-21 2001-04-30 Micronic Laser Systems Ab System och metod för mikrolitografiskt skrivande
US6248509B1 (en) 1999-07-27 2001-06-19 James E. Sanford Maskless photoresist exposure system using mems devices
US7106493B2 (en) * 1999-07-27 2006-09-12 Sanford James E MEMS-based valve device
TW546699B (en) 2000-02-25 2003-08-11 Nikon Corp Exposure apparatus and exposure method capable of controlling illumination distribution
US6704090B2 (en) 2000-05-11 2004-03-09 Nikon Corporation Exposure method and exposure apparatus
US6788469B2 (en) * 2000-12-30 2004-09-07 Texas Instruments Incorporated Automated lamp focus
EP1267209A1 (en) * 2001-06-13 2002-12-18 James E. Sanford Maskless exposure system using mems devices
EP1291721B1 (en) * 2001-09-07 2008-02-27 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US6744034B2 (en) * 2002-01-30 2004-06-01 Texas Instruments Incorporated Micro-electromechanical apparatus and method with position sensor compensation
WO2005017483A1 (ja) * 2003-08-18 2005-02-24 Nikon Corporation 照度分布の評価方法、光学部材の製造方法、照明光学装置、露光装置および露光方法
DE102004063314A1 (de) * 2004-12-23 2006-07-13 Carl Zeiss Smt Ag Filtereinrichtung für die Kompensation einer asymmetrischen Pupillenausleuchtung
WO2007039257A1 (en) * 2005-10-03 2007-04-12 Firma Carl Zeiss Smt Ag Illumination system comprising an otpical filter
US8467032B2 (en) * 2008-04-09 2013-06-18 Nikon Corporation Exposure apparatus and electronic device manufacturing method
US8610986B2 (en) 2009-04-06 2013-12-17 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Mirror arrays for maskless photolithography and image display
NL2004770A (nl) * 2009-05-29 2010-11-30 Asml Holding Nv Lithographic apparatus and method for illumination uniformity correction and uniformity drift compensation.

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5136357A (en) * 1974-09-19 1976-03-27 Kawase Gijutsu Kenkyusho Kk Gakushuzukueniokeru gakushuchunoshodobusokukeihosochi
JPS51143411A (en) * 1975-05-19 1976-12-09 Optical Ass Exposure device
JPS5450270A (en) * 1977-09-09 1979-04-20 Shii Hoiraa Koubarii Constant intensity light source
JPS5838822A (ja) * 1981-08-13 1983-03-07 ザ・パ−キン−エルマ−・コ−ポレイシヨン リングフイ−ルドプロジエクシヨン装置における照度の均一性を測定する装置

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3422442A (en) * 1966-01-12 1969-01-14 Us Army Micro-electronic form masking system
GB1305792A (ja) * 1969-02-27 1973-02-07
US3700329A (en) * 1971-08-02 1972-10-24 Logetronics Inc Radiographic reduction system
US3949226A (en) * 1972-05-26 1976-04-06 Zenith Radio Corporation Automatic light intensity controller for CRT lighthouse
JPS5548693B2 (ja) * 1973-06-26 1980-12-08
DD114726A1 (ja) * 1974-07-23 1975-08-12
JPS5182630A (ja) * 1975-01-16 1976-07-20 Minolta Camera Kk
US4161363A (en) * 1975-08-04 1979-07-17 Quantor Corporation Instantaneous exposure control for film
DE2644341C2 (de) * 1976-10-01 1984-08-02 Ernst Leitz Wetzlar Gmbh, 6330 Wetzlar Verfahren und Anordnungen zur automatischen Verwirklichung des Köhler'schen Beleuchtungsprinzipes
US4147429A (en) * 1978-01-31 1979-04-03 Microx Corporation Apparatus and process for photographically duplicating intelligence existing on photoplastic film
US4202623A (en) * 1979-01-08 1980-05-13 The Perkin-Elmer Corporation Temperature compensated alignment system
DE2909336A1 (de) * 1979-03-09 1980-09-18 Agfa Gevaert Ag Verfahren und vorrichtung zur erkennung von filmsorten
DE2926313A1 (de) * 1979-06-29 1981-02-05 Agfa Gevaert Ag Verfahren zur belichtungssteuerung eines mikrofilm-lese-kopiergeraetes sowie mikrofilm-lese-kopiergeraet zur durchfuehrung des verfahrens
JPS56150826A (en) * 1980-04-25 1981-11-21 Hitachi Ltd Supporting mechanism of wafer
JPS5928337A (ja) * 1982-08-09 1984-02-15 Hitachi Ltd プロジエクシヨンアライナ

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5136357A (en) * 1974-09-19 1976-03-27 Kawase Gijutsu Kenkyusho Kk Gakushuzukueniokeru gakushuchunoshodobusokukeihosochi
JPS51143411A (en) * 1975-05-19 1976-12-09 Optical Ass Exposure device
JPS5450270A (en) * 1977-09-09 1979-04-20 Shii Hoiraa Koubarii Constant intensity light source
JPS5838822A (ja) * 1981-08-13 1983-03-07 ザ・パ−キン−エルマ−・コ−ポレイシヨン リングフイ−ルドプロジエクシヨン装置における照度の均一性を測定する装置

Also Published As

Publication number Publication date
GB2126740A (en) 1984-03-28
IT1164408B (it) 1987-04-08
GB8321335D0 (en) 1983-09-07
IT8322492A0 (it) 1983-08-09
US4598197A (en) 1986-07-01
JPS5928337A (ja) 1984-02-15
DE3328578A1 (de) 1984-04-05
FR2536547B1 (fr) 1986-03-14
KR840005916A (ko) 1984-11-19
US4701608A (en) 1987-10-20
FR2536547A1 (fr) 1984-05-25
US4780606A (en) 1988-10-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0445970B2 (ja)
JP3448991B2 (ja) ステージ移動制御装置、投影型露光装置およびステージ駆動方法ならびに露光方法。
JPH0265222A (ja) 半導体装置の露光装置
JP3363835B2 (ja) 戻り光除去方法と装置
JP2000003874A (ja) 露光方法及び露光装置
JP3282167B2 (ja) 露光方法、走査型露光装置、及びデバイス製造方法
JPS62193125A (ja) 露光むら補正装置
JP2775436B2 (ja) 露光装置
JP3282178B2 (ja) 走査露光方法及び該方法を用いるデバイス製造方法
JPH10189414A (ja) Ｘ線投影露光装置及びｘ線投影露光方法
JP2797980B2 (ja) 露光装置
JP7199256B2 (ja) 出力測定ユニットの合否判定方法
KR100589108B1 (ko) 패터닝 에러를 방지할 수 있는 노광장치
JPH03198319A (ja) 露光装置
JP2805238B2 (ja) 露光装置
JPH0496213A (ja) Ｘ線露光装置
JP3278060B2 (ja) 走査露光方法、走査型露光装置、及び前記方法を用いるデバイス製造方法
JPH0799152A (ja) ランプ位置自動調整装置およびそれを用いた露光装置
JP2843890B2 (ja) 露光装置
JPS62144326A (ja) 半導体装置の製造装置
JP2001326160A (ja) 反射投影露光装置の歪み検出機構
KR20020083674A (ko) 반도체장치 포토리소그래피 설비의 레티클 정렬시스템 및그 정렬방법
JPH03120712A (ja) 露光装置
KR100641504B1 (ko) 레티클 스테이지의 레벨링 장치
JP3106920B2 (ja) マスクパターンとワーク直線部の位置合わせ装置