JPS5928337A - プロジエクシヨンアライナ - Google Patents

プロジエクシヨンアライナ

Info

Publication number
JPS5928337A
JPS5928337A JP57137269A JP13726982A JPS5928337A JP S5928337 A JPS5928337 A JP S5928337A JP 57137269 A JP57137269 A JP 57137269A JP 13726982 A JP13726982 A JP 13726982A JP S5928337 A JPS5928337 A JP S5928337A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
illuminance
distribution
projection aligner
photomask
light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP57137269A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0445970B2 (ja
Inventor
Mitsuhiro Morita
光洋 森田
Keizo Nomura
敬三 野村
Hiroshi Nishizuka
西塚　弘
Yasushi Hoshi
星　泰
Yoichiro Tamiya
洋一郎 田宮
Terushige Asakawa
浅川　輝重
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Renesas Eastern Japan Semiconductor Inc
Original Assignee
Hitachi Tokyo Electronics Co Ltd
Hitachi Ltd
Hitachi Ome Electronic Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Tokyo Electronics Co Ltd, Hitachi Ltd, Hitachi Ome Electronic Co Ltd filed Critical Hitachi Tokyo Electronics Co Ltd
Priority to JP57137269A priority Critical patent/JPS5928337A/ja
Priority to US06/519,675 priority patent/US4598197A/en
Priority to KR1019830003692A priority patent/KR840005916A/ko
Priority to FR8313041A priority patent/FR2536547B1/fr
Priority to GB08321335A priority patent/GB2126740A/en
Priority to DE19833328578 priority patent/DE3328578A1/de
Priority to IT22492/83A priority patent/IT1164408B/it
Publication of JPS5928337A publication Critical patent/JPS5928337A/ja
Priority to US06/823,750 priority patent/US4701608A/en
Priority to US07/100,227 priority patent/US4780606A/en
Publication of JPH0445970B2 publication Critical patent/JPH0445970B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/70066—Size and form of the illuminated area in the mask plane, e.g. reticle masking blades or blinds
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/702—Reflective illumination, i.e. reflective optical elements other than folding mirrors, e.g. extreme ultraviolet [EUV] illumination systems
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70233—Optical aspects of catoptric systems, i.e. comprising only reflective elements, e.g. extreme ultraviolet [EUV] projection systems
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
    • G03F7/70558—Dose control, i.e. achievement of a desired dose
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Projection-Type Copiers In General (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は照度分布の均−化金図ったプロジェクションア
ライナに関するものである。
半導体ウェーハに集積回路を形成する際には所謂ホ）　
ＩＪソゲラフイエ程か行なわれるか、この工程の中では
ホトマスクの回路パターン業ウェーハ表面に焼き付ける
装置としてプロジェクションアライナが利用さｎている
。このプロジェクションアライナはホトマスクの回路パ
ターン盆）“Ｌ学糸葡利用してウェーハ表面に結１＃！
シかつ露−）Ｙ；　ｋ行なうものであるため、ホトマス
クとウェーハ奮密着させて露光を行なうコンタクト方式
のものに比１１ツして焼きイ１け自由度力玉大きいとい
う１０点かある。しかしながら、一方ではプロジェクシ
ョン方式は照明光の照度分布のばらつきが七のｔ’を回
路パターン像に影響を与え易く、シたかつて均一照度の
回路パターン像？得るためには１１（１明光の照度分布
耐検出に管理することが要求されて込る。
このため従来では、作業者かプロジェクションアライナ
のホトマスク近傍位置等における照度【８（す定し、こ
の測定結釆に基づいてアライナ各部奮０４整して照度の
均一化ヶ図ることかホトリソグラフイエ提作業の一つと
して行なわれるだけでめるため、作業の途中或いは他の
卑備作業時Ｋ　１１（を度分布に狂いか生じてもこれｔ
見い″出丁ことは困難であり、結局照度分布の不適切な
露光が行なわれて露光寸法か規格ケ越え、不足品か発生
して歩留を悪くするという問題か生じることになる。
したがって本発明の目的は１１（１度分布の狂い盆すみ
やかに検出して不足品の発生ヶ未然に防止することので
きるプロジェクションアライナｋｍ供することにある。
また、本発明の他の目的は照度分布の狂い會丁みやかに
検出すると共に、仁の照度の不拘−盆直ぢに自動的に補
正することのできるプロジェクションアライナ荀提供す
ることにある。
この目的ヶ達成するために本発明は、プロジェクション
アライナの露光作動に伴なって露９゛Ｃ元路内に進入し
かつ退避される照度センサに設けると共に、この照度セ
／すの出力に基づいてｉ（を度分イ１ｉ金検出する手段
？設け、更にこの検出手段の出力に基づいて照度分布に
狂いが生じたときに訃報ｒ発生して露光ｒ停止させ得る
電報手段を設けるようにしたものである。
凍た本発明は前記した照度センサや検出手段に加えて照
度分布に狂いか生じたときＶＣ１１４１度分布ケ自動的
に補正する手段を設けたものである。
以下、本発明金図示の実施例によ＃）説明する。
ｆｉｔ図ｔユ本発明のプロジェクションアライナの一実
施例の構Ｊｙ、図であり、ｑヶにｌ：１プ０ジエクシヨ
ンアライナで例示している。図において、２は基盤１上
ｔ工アベアリング機病によって図示の左右に往復移動ち
れるスキャンテーブルでおり、七の一端側に設は几透孔
３上には１９【定の回路パターン金形成したホトマスク
４企設置し、他端側の上部には表面にホトレジストか塗
布された半導体ウェーハ５を設置している。前記基盤１
はその一端側一部に透孔６奮有し、この透孔６の下側に
は九０１里ランプ７、反射鏡８．９、レンズ１０．１１
．１２、凹面鏡１３、スリット１４等奮有する照明部１
５葡設けている。この照明部１５に前記光源ランプ７の
九荀反射鏡、レンズ、スリットを通し、更に透孔６會通
した上で前記スリット１４の円弧状スリットに沿った元
形状でＩｔ（を明會行なうことかできる。一方、透孔６
の上方位置には反射鏡１６．１７．１８、凹面鏡１９、
凸面鏡２０奮有する結像部２１金設け、ホトマスク４１
象ケ前記ウエーノ・５表面に形成する。
更に、前記スキャンテーブル２の透孔３内には、第２図
に平面状／２１１’に示すように袂数個の照度センサ２
２荀前記スリツトの形状に相対するように円弧状に配役
固定している。そして、これら各照度センサ２２ｔまマ
イクロコンピュータｒ主体とする照度検出手段２３に接
続し、このＩ（し度検出手段２３では各照度センサ２２
の出力信金相互におよび所定の基準値と比較する。また
、ｍＪ記１１＜を度検出手段２３には警報器２４’に接
続しており、照度検出手段２３からの所定の出力信号に
よって作動式れる。
以上のＭ成によ扛ば、照明部１５において形成された円
弧状スリット光は透孔６．３を通してホトマスク４を円
弧線状に照明する。そして、この照明された部分は結像
部２１によってウエーノ・５の表面に結像される。した
がって、スキャンテーブル２を例えば図の右から左へ移
動すれば、前記スリット光はホトマスク４の全面ケスキ
ャンすることになり、結果的にホトマスク全面ｔウェー
ハ表面に露光芒せる。このとき、スキャンチーフル２【
ホトマスク４の寸法よりも若干大きく移動子れば、Ｓｒ
Ｉ２じスリット光はホトマスク４の直近に設けた複数個
の照度センサ２２に当射され、各照度センサ２２からは
スリット光各部のｌｌ（１度か出力式れる。したがって
、これらの出力から＋＋ａ　ｒｗ検出十段２３ではスリ
ット光の照度分布耐検出し、ｊ（６度分布が所定のＩＳ
準に対して狂っていると＠には蝉外器２４奮作動させ、
作業者奮弁して或いは自動的にプロジェクションアライ
ナの作動ヶ停止芒せるのである。
これにより、このプロジェクションアライナでは、スキ
ャンテーブル２の１往後毎に、つまりホトマスクの１回
露光毎に照度分布チェックし、分布に狂すがおるときに
は直ちに露光？停止するので、１（６度の不均一が原因
とされる不良品ｒ確実に防止でき、歩留の向上會達成で
きる。ｌた、これによれば１日１回準備作業で行なう照
度分布チェックも不要となり、準備作業時間の短縮ケ図
ることもできる。
なお、照度センサ２２は複数個設ける代りに、１１１υ
の照度センザ會スリット元に沿って円弧状に移動させ、
各移動点において照度ｔυ１１するようにしでもよい。
第３図にｅユ前述と異なる発明のプロジェクションアラ
イナの一実施例を示しており、図において第１図と同一
部分には同−符号盆付して説明は雀略する。
本発明にあっては、照度分布の検出手段２３からの出力
に基づいてＩＩｋ度分布ｒ自動的に補止する補正手段２
５會設けた点にｌ旨徴欠イエする。ｌ−！ＩＩち、同図
において、照明部１５内に遮光装置２６勿設け、この遮
光装置２６ケ前記照度検出手段２３の出力に基づいて作
動する制御部２７に、ｌ：つて駆動することにより照度
分布全補正することができる。
前記遮光装ｒＩＢ−２６は第４図（Ａ）、Ｑう）のよう
に、光源ランプ７の円弧状光束７Ａに沿って標数個並設
され、各装置は夫々独立して駆動８れる。各装置は、フ
レーム２８の上端罠一端奮支持した揺動アーム２９【有
し、このアーム２９の先端に略り字状の遮光板３０ケ固
定している。ナして、前記アーム２９は引張スプリング
３１にて下方へ付勢される一方、七の下面にはフレーム
２８に支持δれたマイクロメータヘッド３２の先端金当
接芒せてｂる。！ｉた、このマイクロメータヘッド３２
はフレーム２８の下１１１１に取着したパルスモータ３
３により回転烙れるように連結され、その回転方向に応
じて前記した先端を上動或いは下動δせる。前記パルス
モータ３３は前記制御部２７に接続され、制御部２７か
らの信号により正、逆転駆動さノ１．る。
以上のｆｌ′ｖＪＪｙ、によれば、照度センサ２２の出
力により照度検出平反２３が照度の不拘−奮検出すると
、スリット元における高照度部位または低照度部位を制
御部２７に出力し７、制ｍ１１部２７ではこれに基づい
て補正ｒ必要とするスリット元部位に相対する趣元装Ｖ
ｌ　２６　’ｃ選択的に駆動する。即ち、冒照度部位の
遮光装置は、パルスモータ２３にてマイクロメータヘッ
ド２３’ｉ＜右転することにより先端を上動させ、更に
アーム２９を上方へ揺動させる。これによりアーム２９
と一体の３恩元板３０は光束７人中への進入以が壇太し
、その部位の光！ｔｒ低減して照度を部分的に低減式−
Ｗる。一方、低Ｊ１ｄ度部位に対してはパルスモータ３
３ｉ左転することによｔ）透光板３０’ｊ５下動させ、
ブＣ束７人中における遮光板の進入貴荀低減してその部
位の光量葡増大させ、照度ケ部分的に増大δせる。した
がって、各遮光装置ケ独立して制（財）することにより
、均一な照［ｋ自動的に行なうことができるのである。
ここで、曙光装置は他の構成であってもよく、要は光束
中における遮光板の進入ｒ１［孕部分的にＷ、■整でき
るものであればよい。′ｆ、た、補正手段としては、連
光装置金膜ける代りに光弁ランフの位ｆｆ！’ｒ−を可
変できる装置構造とし、ランプ位＋ｒｑ、　＊　ｘ旧骸
することにより照度の均一化７図るようにし−Ｃもよい
。
以上のように本発明のプロジェクションアライナによれ
ば、ホトマスクの露光の度に）′Ｃ：路内に１ｌｌｔ人
位置される照度センサを設けて照度分布ｒ検出し、分布
が不均一になったと＠ＶＣ１ｆｌ報ケ発し、或いはこれ
ｔ自動的に補正するようにしているので、照度分布ケ常
に均一に保って照度不拘−が原因とされる不良品の発生
勿未然に防止し、こｒｔｒこより歩留の向上盆達成する
ことができるという効果ｒ秦する。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明のプロジェクションアライナの構成図、 第２図は照度センサの平面配置図、 第３図は他の発明のプロジェクションアライナの構成図
、 第４図（Ａ）、（Ｂ）は遮光装置の正面図と側面図であ
る。 １・・・Ｍｕ、２・・・スキャンテーブル、４・・・ホ
トマスク、５・・・ウェーハ、７・・・光源、１４・・
・スリット、１５・・・照明部、２１・・・結像部、２
２・・・照度センサ、２３・・・ｌｌＧ１度検出手段、
２４・・・警報器、２５・・・補正手段、２６・・・遮
光装置、２７・・・制御部。 第　　１　　図 ｆ ／ 第　　２　　図 ４ （Ａ） ４図 と８） 一１７Ａ ＝１４７

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 ■、照明部により照明されるホトマスク會結像部にてウ
    ェーハ等に結像させるようにしたプロジェクションアラ
    イナにおいて、前■ピウエーノ１等への結像露光作動に
    伴なって前記照明部の光路内に進入可能な照度センサと
    、この照度センサの出力に基づいて前記照明部の照度分
    布を検出する照度検出手段と、この照度検出手段の出力
    に基づき照度分布に狂いが生じているときに作動する警
    報手段とｔ備えることに％’徴とするプロジェクション
    アライナ。 ２、照明部により照明されるホトマスクヶ＃ｉ像部にて
    ウェーハ等に結像させるようにしたプロジェクションア
    ライナにおいて、前記ウェーハ等への結像露光作動に伴
    なって前記照明部の光路内に進入可能な照度センサと、
    この照度センサの出力に基づいて前記照明部の照度分布
    を検出する照度検出手段と、このハロ度検出手段の出力
    に基づいて前記照明部の照度分布全決定する要素の一部
    ケ変化させる補正手段と全備えることヲ特徴とするプロ
    ジェクションアライナ。 ３、補正手段は光路内への進入＃、か変化される連光板
    勿備えた複数個の遮光装置からなる荷ｎ′［請求の範囲
    第２項記載のプロジェクションアライナ。
JP57137269A 1982-08-09 1982-08-09 プロジエクシヨンアライナ Granted JPS5928337A (ja)

Priority Applications (9)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57137269A JPS5928337A (ja) 1982-08-09 1982-08-09 プロジエクシヨンアライナ
US06/519,675 US4598197A (en) 1982-08-09 1983-08-02 Projection aligner
KR1019830003692A KR840005916A (ko) 1982-08-09 1983-08-06 프로젝션 어라이너
DE19833328578 DE3328578A1 (de) 1982-08-09 1983-08-08 Projektions-justiervorrichtung
GB08321335A GB2126740A (en) 1982-08-09 1983-08-08 Projection imaging
FR8313041A FR2536547B1 (fr) 1982-08-09 1983-08-08 Dispositif d'alignement pour projection, notamment pour la fabrication de dispositifs a semi-conducteurs
IT22492/83A IT1164408B (it) 1982-08-09 1983-08-09 Apparecchiatura di allineamento di proiezioni atta a controllare la luminosita' o intensita', e la distribuzione o uniformita' di esse
US06/823,750 US4701608A (en) 1982-08-09 1986-01-29 Projection aligner with a sensor for monitoring light quantity
US07/100,227 US4780606A (en) 1982-08-09 1987-09-23 Projection aligner method utilizing monitoring of light quantity

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57137269A JPS5928337A (ja) 1982-08-09 1982-08-09 プロジエクシヨンアライナ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5928337A true JPS5928337A (ja) 1984-02-15
JPH0445970B2 JPH0445970B2 (ja) 1992-07-28

Family

ID=15194718

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP57137269A Granted JPS5928337A (ja) 1982-08-09 1982-08-09 プロジエクシヨンアライナ

Country Status (7)

Country Link
US (3) US4598197A (ja)
JP (1) JPS5928337A (ja)
KR (1) KR840005916A (ja)
DE (1) DE3328578A1 (ja)
FR (1) FR2536547B1 (ja)
GB (1) GB2126740A (ja)
IT (1) IT1164408B (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008525828A (ja) * 2004-12-23 2008-07-17 カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー 非対称瞳照射を補償するフィルタ装置
US7618767B2 (en) 2003-08-18 2009-11-17 Nikon Corporation Illuminant distribution evaluation method, optical member manufacturing method, illumination optical device, exposure apparatus, and exposure method

Families Citing this family (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5928337A (ja) * 1982-08-09 1984-02-15 Hitachi Ltd プロジエクシヨンアライナ
US5153419A (en) * 1985-04-22 1992-10-06 Canon Kabushiki Kaisha Device for detecting position of a light source with source position adjusting means
US4947030A (en) * 1985-05-22 1990-08-07 Canon Kabushiki Kaisha Illuminating optical device
JPS62133475A (ja) * 1985-12-04 1987-06-16 Fuji Photo Film Co Ltd 未定着駒の定着方法
JPS6461716A (en) * 1987-08-31 1989-03-08 Canon Kk Illuminator
US4924257A (en) * 1988-10-05 1990-05-08 Kantilal Jain Scan and repeat high resolution projection lithography system
US5285488A (en) * 1989-09-21 1994-02-08 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus
EP0421746B1 (en) * 1989-10-03 1997-04-02 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus
CA2069132C (en) * 1991-08-29 1996-01-09 Koji Fujii Light-beam heating apparatus
US5291240A (en) * 1992-10-27 1994-03-01 Anvik Corporation Nonlinearity-compensated large-area patterning system
EP0614124A3 (en) * 1993-02-01 1994-12-14 Nippon Kogaku Kk Exposure device.
US6078381A (en) 1993-02-01 2000-06-20 Nikon Corporation Exposure method and apparatus
US6753948B2 (en) 1993-04-27 2004-06-22 Nikon Corporation Scanning exposure method and apparatus
DE69434080T2 (de) 1993-06-11 2005-10-20 Nikon Corp. Abtastbelichtungsvorrichtung
US5729331A (en) * 1993-06-30 1998-03-17 Nikon Corporation Exposure apparatus, optical projection apparatus and a method for adjusting the optical projection apparatus
US6246204B1 (en) * 1994-06-27 2001-06-12 Nikon Corporation Electromagnetic alignment and scanning apparatus
US5559629A (en) * 1994-08-19 1996-09-24 Tamarack Scientific Co., Inc. Unit magnification projection system and method
US5712698A (en) * 1996-03-04 1998-01-27 Siemens Aktiengesellschaft Independently controllable shutters and variable area apertures for off axis illumination
US6013401A (en) * 1997-03-31 2000-01-11 Svg Lithography Systems, Inc. Method of controlling illumination field to reduce line width variation
US5966202A (en) * 1997-03-31 1999-10-12 Svg Lithography Systems, Inc. Adjustable slit
US5982475A (en) * 1997-09-30 1999-11-09 Tropel Corporation Raster-scan photolithographic reduction system
JP3517583B2 (ja) 1998-03-27 2004-04-12 キヤノン株式会社 露光装置、デバイス製造方法及び放電灯
EP0952491A3 (en) * 1998-04-21 2001-05-09 Asm Lithography B.V. Lithography apparatus
US6404499B1 (en) 1998-04-21 2002-06-11 Asml Netherlands B.V. Lithography apparatus with filters for optimizing uniformity of an image
SE514835C2 (sv) 1999-01-21 2001-04-30 Micronic Laser Systems Ab System och metod för mikrolitografiskt skrivande
US7106493B2 (en) * 1999-07-27 2006-09-12 Sanford James E MEMS-based valve device
US6248509B1 (en) 1999-07-27 2001-06-19 James E. Sanford Maskless photoresist exposure system using mems devices
KR20010085493A (ko) * 2000-02-25 2001-09-07 시마무라 기로 노광장치, 그 조정방법, 및 상기 노광장치를 이용한디바이스 제조방법
US6704090B2 (en) * 2000-05-11 2004-03-09 Nikon Corporation Exposure method and exposure apparatus
US6788469B2 (en) * 2000-12-30 2004-09-07 Texas Instruments Incorporated Automated lamp focus
EP1267209A1 (en) * 2001-06-13 2002-12-18 James E. Sanford Maskless exposure system using mems devices
EP1291721B1 (en) * 2001-09-07 2008-02-27 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US6744034B2 (en) * 2002-01-30 2004-06-01 Texas Instruments Incorporated Micro-electromechanical apparatus and method with position sensor compensation
WO2007039257A1 (en) * 2005-10-03 2007-04-12 Firma Carl Zeiss Smt Ag Illumination system comprising an otpical filter
US8467032B2 (en) * 2008-04-09 2013-06-18 Nikon Corporation Exposure apparatus and electronic device manufacturing method
US8610986B2 (en) 2009-04-06 2013-12-17 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Mirror arrays for maskless photolithography and image display
NL2004770A (nl) * 2009-05-29 2010-11-30 Asml Holding Nv Lithographic apparatus and method for illumination uniformity correction and uniformity drift compensation.

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5136357A (en) * 1974-09-19 1976-03-27 Kawase Gijutsu Kenkyusho Kk Gakushuzukueniokeru gakushuchunoshodobusokukeihosochi
JPS51143411A (en) * 1975-05-19 1976-12-09 Optical Ass Exposure device
JPS5450270A (en) * 1977-09-09 1979-04-20 Shii Hoiraa Koubarii Constant intensity light source
JPS5838822A (ja) * 1981-08-13 1983-03-07 ザ・パ−キン−エルマ−・コ−ポレイシヨン リングフイ−ルドプロジエクシヨン装置における照度の均一性を測定する装置

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3422442A (en) * 1966-01-12 1969-01-14 Us Army Micro-electronic form masking system
DE2009284C3 (de) * 1969-02-27 1974-08-22 Canon K.K., Tokio Fotomasken-Projektionseinrichtung
US3700329A (en) * 1971-08-02 1972-10-24 Logetronics Inc Radiographic reduction system
US3949226A (en) * 1972-05-26 1976-04-06 Zenith Radio Corporation Automatic light intensity controller for CRT lighthouse
JPS5548693B2 (ja) * 1973-06-26 1980-12-08
DD114726A1 (ja) * 1974-07-23 1975-08-12
JPS5182630A (ja) * 1975-01-16 1976-07-20 Minolta Camera Kk
US4161363A (en) * 1975-08-04 1979-07-17 Quantor Corporation Instantaneous exposure control for film
DE2644341C2 (de) * 1976-10-01 1984-08-02 Ernst Leitz Wetzlar Gmbh, 6330 Wetzlar Verfahren und Anordnungen zur automatischen Verwirklichung des Köhler'schen Beleuchtungsprinzipes
US4147429A (en) * 1978-01-31 1979-04-03 Microx Corporation Apparatus and process for photographically duplicating intelligence existing on photoplastic film
US4202623A (en) * 1979-01-08 1980-05-13 The Perkin-Elmer Corporation Temperature compensated alignment system
DE2909336A1 (de) * 1979-03-09 1980-09-18 Agfa Gevaert Ag Verfahren und vorrichtung zur erkennung von filmsorten
DE2926313A1 (de) * 1979-06-29 1981-02-05 Agfa Gevaert Ag Verfahren zur belichtungssteuerung eines mikrofilm-lese-kopiergeraetes sowie mikrofilm-lese-kopiergeraet zur durchfuehrung des verfahrens
JPS56150826A (en) * 1980-04-25 1981-11-21 Hitachi Ltd Supporting mechanism of wafer
JPS5928337A (ja) * 1982-08-09 1984-02-15 Hitachi Ltd プロジエクシヨンアライナ

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5136357A (en) * 1974-09-19 1976-03-27 Kawase Gijutsu Kenkyusho Kk Gakushuzukueniokeru gakushuchunoshodobusokukeihosochi
JPS51143411A (en) * 1975-05-19 1976-12-09 Optical Ass Exposure device
JPS5450270A (en) * 1977-09-09 1979-04-20 Shii Hoiraa Koubarii Constant intensity light source
JPS5838822A (ja) * 1981-08-13 1983-03-07 ザ・パ−キン−エルマ−・コ−ポレイシヨン リングフイ−ルドプロジエクシヨン装置における照度の均一性を測定する装置

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7618767B2 (en) 2003-08-18 2009-11-17 Nikon Corporation Illuminant distribution evaluation method, optical member manufacturing method, illumination optical device, exposure apparatus, and exposure method
JP2008525828A (ja) * 2004-12-23 2008-07-17 カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー 非対称瞳照射を補償するフィルタ装置
JP4700697B2 (ja) * 2004-12-23 2011-06-15 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 非対称瞳照射を補償するフィルタ装置
US8246211B2 (en) 2004-12-23 2012-08-21 Carl Zeiss Smt Gmbh Filter device for the compensation of an asymmetric pupil illumination
US8480261B2 (en) 2004-12-23 2013-07-09 Carl Zeiss Smt Gmbh Filter device for the compensation of an asymmetric pupil illumination
US8636386B2 (en) 2004-12-23 2014-01-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Filter device for the compensation of an asymmetric pupil illumination

Also Published As

Publication number Publication date
GB2126740A (en) 1984-03-28
IT1164408B (it) 1987-04-08
DE3328578A1 (de) 1984-04-05
KR840005916A (ko) 1984-11-19
US4701608A (en) 1987-10-20
FR2536547A1 (fr) 1984-05-25
US4598197A (en) 1986-07-01
GB8321335D0 (en) 1983-09-07
JPH0445970B2 (ja) 1992-07-28
US4780606A (en) 1988-10-25
FR2536547B1 (fr) 1986-03-14
IT8322492A0 (it) 1983-08-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS5928337A (ja) プロジエクシヨンアライナ
US5218415A (en) Device for optically detecting inclination of a surface
JPH03211813A (ja) 露光装置
US20020190189A1 (en) Light exposure apparatus
JP2866243B2 (ja) 投影露光装置及び半導体装置の製造方法
JPH0878323A (ja) フォトクロミック・フィルタを使用する照明調節システム
JP2000081320A (ja) 面位置検出装置及びそれを用いたデバイスの製造方法
KR100313723B1 (ko) 주사노광방법
JPH05159999A (ja) 投影露光装置
JP3017572B2 (ja) 表面状態検査方法
JP3209294B2 (ja) 露光装置
JPH06232030A (ja) 露光方法及び露光装置
JPH01303721A (ja) 面傾き検出装置
JPH06349710A (ja) 照明光学装置
JP2775436B2 (ja) 露光装置
US6832517B1 (en) Optical level detector
KR200156814Y1 (ko) 반도체 노광장비의 기준 미러 셋팅장치
JPH03180019A (ja) 投影露光装置
JPS5950522A (ja) 投影露光装置
KR19980019032A (ko) 펄스 빔을 이용한 주사 노광 방법 및 장치(scanning exposure method and apparatus using pulse beam)
KR100219403B1 (ko) 반도체 제조용 광학시스템의 백미러 조절장치
JPH05259029A (ja) 位置検出装置
JPS62219631A (ja) 異物検査装置
JPH05347240A (ja) 露光装置
JP2805238B2 (ja) 露光装置