JPS5838822A - リングフイ−ルドプロジエクシヨン装置における照度の均一性を測定する装置 - Google Patents

リングフイ−ルドプロジエクシヨン装置における照度の均一性を測定する装置

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JPS5838822A
JPS5838822A JP57138647A JP13864782A JPS5838822A JP S5838822 A JPS5838822 A JP S5838822A JP 57138647 A JP57138647 A JP 57138647A JP 13864782 A JP13864782 A JP 13864782A JP S5838822 A JPS5838822 A JP S5838822A
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along
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レイモンド・シ−・リユ−
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    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/70091Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane or angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole or quadrupole settings; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J1/00Photometry, e.g. photographic exposure meter
    • G01J1/42Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
    • GPHYSICS
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  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、一般的に近接して制御される位置で一連の光
像に感光性対象物を曝露する装置において照度の均一性
を測定することに関する。
この形式の装置は、特に集積回路を製造する際に使用さ
れる。このような集積回路の1製造法では、シリコンの
酸化ウェハをフォトレジスト材料で被覆する。このウエ
ノ・は処理後に縦横に切断して多数のチップにすること
ができるような寸法を有していてもよい。こうして被覆
したウェハな露光すると、フォトレジスト材料は重合し
て固着した被覆を形成する、それによって露光されなか
った層の領域は、例えば溶剤又は現像剤を用いて迅速に
除去することができる。
光を透過することができる透明な線及び領域のパターン
を除いては不透明である”マスク”又は6マスター”に
よって、フォトレジスト被覆を有するウェハは、回路の
素子に一致したパターンに基づいて露光され、その写真
反転像を形成する。マスクは典型的には横及び縦列に配
置された多数の同じパターンを有する。マスクの像は像
形成装置によってプワジエクションプリンテイング(p
rojection printing )と同様にウ
ェハの表面に投影することができる。この種のプロジェ
クションプリンティング装置は、米国特許第4,068
,947号明細書に開示されている。この特許明細書に
は、ウェハを旋回キャリニジを使用することによってマ
スクの像に基づいて露光することができる光学装置が開
示されている。このような装置においては、照度の均一
性を制御するのが重要である。それというのもフォトレ
ジスト内に形成される画像の忠実度は照度の均一性に左
右されるからである。光が透過することができるスリッ
トは、有利にはキャリニジの旋回中・6軸からの相対距
離及びスリットに沿った位置の相異に関係してテーパ状
であるべきである。このテーパ状の結果として、スリッ
トに沿って走査される光検出器は、スリットの一方端部
から他方に向かって移行する際の照度の線状変化を理想
的に監視することができる。この理想値からの変軸をチ
ェックするためには、照度軌路からの線状変化を消去し
かつアナログ又はデジタル式パネルメータによって均一
性の読取りを行なうのが有利である。
本発明は、リングフィールドプロジェクション装置の照
度均一性における変動を直接的に測定するための方法及
び装置を開示するものである。リングフィールド装置と
旋回走査系を組合せた特殊な場合には、照明系でテーパ
状スリットによって生じる照度の線状変動を理想値から
の偏差のみが指示されるように均一性測定値から消去す
ることができる。
本発明のリングフィールドプロジェクション装置におけ
る照度の均一性を測定する装置は、スリットを通過して
投射された照度を上記スリットの全長に沿った種々の位
置で検出する装置と、光を検出した位置を指示する信号
を放出する装置と、理想値からの均一性の偏差を直接的
に表示するディスプレイ装置とから構成されていること
を特徴とする。
次に図示の実施例につき本発明の詳細な説明する。
第1図及び第2図には、米国特許第4.068゜947
号明細書に開示された光学的プロジェクション及び走査
装置が示されている。本発明は前記の米国特許第4.0
68.947号明細書に開示された装置と関連しており
、従って本発明を完全に理解するためには、上記特許明
細書を参照するのが望ましい。第1図及び第2図に関し
て説明すれば、キャリニジは一般に10で示されており
かつガラス製円筒体16及び18によって一緒に支持さ
れた2つの平行な金属側板12及び14を有する。キャ
リニジ1oは円筒体16の軸線上又はその近くに位置す
る2oで示された旋回中心軸を中心に正確に旋回するよ
うに取付けられている。旋回は駆動機構24に接続され
た押棒24によって行なわれる。側板14は内側にマス
ク27を支持するマスクステージを有しかつ側板12は
収容されたウェハ30と一緒に示されたウェハステージ
28を有する。マスク27は典形的にはその上に一部は
不透明なかつ一部は透明なパターンが施されたガラス板
である。マスクステージ26及びウェハステージ28は
、図示されていない装置によってキャリニジに対して夫
々無関係に微調整量で可動である。ウェハ30は任意の
通常の方法でウェハステージ28に挿入しかつそこから
取出し可能である。マスク27も同様にマスクステージ
26に挿入しかつそこから取出し可能である。マスクス
テージ26内のマスク27は一般に31で示されている
光源によって照射される、該光源は第6図に詳細に示さ
れており、光をマスク21を透過する方向に導びぐ。
マスク27は光源31から導びかれた光に照射されると
、アーチ状に形成されたスリットの画像32を光学系3
6を経てウェハ30の表面に32′で投影する。スリッ
ト像32の上方区分は、キャリニジ10のアーチ状の移
動のために下方区分よりも広幅になるように生ぜしめら
れる。光学系36の構成部材は、第1凹面鏡38、第2
凸面鏡40及び反射鏡アレイ42を包含する。反射鏡3
8及び40は同心的ないしほぼ同心的に配置されており
かつ第2反射鏡40には、照射されたスリット状画像3
2と一致せしめられる軸状の高品質の画像を形成するよ
うに、反射鏡38の曲率半径の’/2よりも僅かに大き
な曲率半径が与えられている。アレイ42は適当に成形
されかつ組合された6ブロツクのガラス44.46.4
8から構成されていてもよい。
この種のアレイ42に関する詳細は前記の米国特許第4
,068,947号明細書に記載されている。マスク2
7からの光は第1反射鏡38に向かって反射され、そこ
から第2反射鏡40に向かって反射され、第1反射鏡3
8に戻され、次いでもう一部アレイ42に示される。
第3図について説明すれば、マスク27上にスリット像
32を形成する光源31が詳細に示されている。この光
源は、第1反射鏡41に対して間隔を置いた第2反射鏡
39に向いた水銀レンズ37を含んだ光学系である。第
1反射鏡41に隣接しかつその僅かに下方に、アーチ状
スリット45を有する板43が配置されている。
板43の次にかつその下にトロイド状反射鏡47が配置
されている。その他に光学系31は、第1平面鏡49、
第2平面鏡51、リレー反射鏡53及びマスク27に面
した光学線フィルタ55を有する。第6図の矢印から明
らかなように、水銀ランプ37からの光はレンズ39を
透過しかつ第1反射鏡41に向かう。この光は第1反射
鏡から反射されて、光をグレート43に反射するように
被覆されたレンズ39の反対側の1/2に向かって戻さ
れる。光の一部分はスリット45を経てトロイド状反射
鏡47に達し、そこから反射されて、第1平面鏡49、
第2平面鏡51、リレー反射鏡53、及びフィルタ55
を経てマスク27上にスリット像32を形成する。
次に第4図について説明すれば、該図面には自在装置が
61で示されており、該装置はスリット63と、該スリ
ットの幅をそのアーチ状の全長に沿って調整することが
できる適当な部材を有している。この自在装置は、一方
端部64がスリット形状の一方端を規定するために固定
された半円形状スリット61を有するプレート62から
成っている。変形可能な帯材66はスリット61の形状
の一方端を規定するために使用される。この変形可能な
帯材66は6抽の可動曲げ部材68及び1個の固定曲げ
部材70によって支持されている。操業者はノブ72及
びフシキシプルケーブル74によって調整ねじ76を回
転させ、それにより調整可能な曲げ部材68を作動させ
て帯材66をその所望の位置に調節する旋回レバー78
の位置を移動させることができる。操作者はノブ72を
回転させることにより、光を供給するレンズ37又は介
入光学部材が不均一であるかないし不完全に配列されて
いる場合でも、単位スリット長さ当りの光又はエネルギ
ーの所望量をスリット61を通過させることかできるよ
うに帯材66を変形させることができる。自在装置61
は以下に説明するようにレンズ37のために所望される
スリット45を整合させる目的のプレート43の位置に
配置されていてもよい。
プレート43の代りに自在装置61を使用する際に、ス
リット63を通過する単位長さ当りのエネルギーを決定
するために、オゾチカルヘッド77がリング79上に取
付けられておりかつ該オゾチカルヘッドは第5図に示さ
れているように検出器80と、可動な平行リンク機構8
2に接続された位置感知ポテンシオメータ81から構成
されている。ポテンシオメータ81の軸は、可動のリン
クアーム機構82に対して、検出器80が位置決めされ
、ポテンシオメータ軸が回転して、スリット63の中心
位置に対する光検知器80の相対的角度位置に相当する
抵抗値及び得られた電圧を提供するように機械的に取付
けられている。ノ1ンドル85は、オプチカルへラド7
7が第4図に示されているようにスリット63に沿って
移動するようにリンクアーム機構82を選択的に運動さ
せるように構成されている。IJ −y線83は検知器
80によって発生された信号を送るために設けられてい
る。
第6図及び第7図について説明すれば、IJ −ド線8
3は検出器80の出力側に接続されている。このリード
線83は第1増幅器84に接続されかつ可変利得増幅器
85に接続され、該可変利得増幅器は増幅器860入力
端子及びレンジ検出器88の出力に接続されている。他
方のリード線89はポテンシオメータ81に接続されか
つ基準電圧源90と一緒に傾斜補正増幅器92に接続さ
れ、該傾斜補正増幅器は乗算器86の他方の入力端子に
接続されている。乗算器86の出力側は割算器94の2
つの入力の一方に接続されており、他方の入力は監視指
示増幅器96に接続されており、該信号は測定された照
度を指示する。
可変利得増幅器85の出力(これはもちろん光検出器8
0の出力に直接的に比例する)は、図に示せば第7b図
に示した軌跡を描く。この場合、横座標はスリット63
の中心位置に対する光検出器80の相対位置を表わしか
つ縦座標は光検出器80によって検出された照度を表わ
す。この軌跡は±40°の角度範囲で約15係の傾斜を
示し、該傾斜はスリット画像に沿って平行リンク機構8
2によって走査する際に細いスリットを通して監視する
検出器80によって感知されるようなスリット内のテー
パから生じる。第1図に示したキャリニジ1o内では、
旋回中心軸20からスリット画像・頭載までの距離は約
50.8Cr/l(20インチ)でありかつ平行リンク
機構はオノリカルへラド77を半径約5.97ぼ(2,
35インチ)の弧を900に渡ってトレースさせる。こ
の組合せは第7b図に示した軌跡の頂点で15 の傾斜
を惹起する。この軌跡を表わす信号は、第6図に示した
乗算器86の一方の入力側に供給される。可変利得増幅
器84の利得は、割算器94の出方が検出器がスリット
の中央にあな場合メータ98の中心における予め規定さ
れたレベルにあるように調整されている。スリット63
を通過する光はスリットの弧の全長に沿って一様である
と仮定す〜れば、光照射の所望のテーパリングは実質的
に1つの線状関数をとる。検出器の信号を第7a図に示
すように夫々の検出器位置での反対向きの傾斜の余関数
と乗算すれば、く−その結果は水平の軌跡を描くはずで
ある。傾斜補正増幅器92は余関数の信号を提供する。
この信号は乗算器86の一方の端子に供給されかつ軌跡
を表わす信号は他方の端子に供給される。これら2つの
入力は乗算されかつ乗算器86からの出力は第7c図に
示したような配位を取りかつ割算器94の一方の入力側
に供給される。乗算器86の出力は線状電圧変化で生じ
るようなランプ強度の変化と共に変動するので、出力変
動を最小にするために乗算器信号と監視器強度96信号
との比を計算するために投入されている。均一性のパー
セント変動を示すために、割算器94の出力電圧は手動
で可変利得増幅器で調整されかつこの電圧は次いでメー
タの中心での指示器の読取値が0になるように電源90
から供給されるDC基準電圧で減算される。第6図に示
した系で完全に調整されると、第4図に示した自在部材
61を用いてコンデンサー系出力を調整することができ
る。自在部材61のスリット630幅は、可動な曲げ部
材68によって、光照射がスリットの弧の全長に渡って
均一であるように調整され得る。照射の不均一性を補正
することが可能であることにより、均一性において著し
い改善が達成される。
117t)図に示した軌跡の傾斜を第7c図に示した軌
跡を描くように補正することにより、自在部材のスリッ
ト63を調整すればメータ98で一定の値を維持するこ
とが可能である。このような一定値が得られなければ、
ウェハ上のフォトレジストの制御が明らかに困難かつ不
精確になる。
【図面の簡単な説明】
第1図は光学的投影及び走査装置のキャリニジの斜視図
、第2図は第1図のキャリニジ内に示された光学系の拡
大斜視図、第3図は第1図に示された光源の斜視図、第
4図はスリット調整装置の断面図、第5図は本発明で使
用される光学的変換器の平面図、第6図は均一性偏差指
示器の回路構成図、第7a図、第7b図及び第7C図は
本発明に包含される種々のプロットを示す線図である。 10・・・・・・キャリニジ、26・・・・・・マスク
ステージ、27・・・・・・マスク、28・・・・・・
ウエノ・ステージ、30・・・・・・ウェハ、31・・
・・・・光源、32・・・・・・スリット像、36・・
・・・・光学系、37・・・・・・ランプ、38・・・
・・・第1凹面鏡、39・・・・・・第2反射鏡、40
・・・・・・第2凸面鏡、41・・・・・・第1反射鏡
、42・・・・・・反射鏡アレイ、45・・・・・・ア
ーチ状スリット、47・・・・・・トロイド状反射鏡、
49・・・・・・第1平面鏡、51・・・・・・第2平
面鏡、53・・・・・・リレー反射鏡、55・・・・・
・化学線フィルタ、61・・、・・・自在装置、63・
・・・・・スリット、66・・・・・・帯材、68.7
0・・・・・・曲げ部材、72・・・・・・ノブ、74
・・・・・・フレキシブルケーブル、76・・・・・・
調整ねじ、77・・・・・・オノチカルヘッド、78・
・・・・・旋回レバー、79・・・・・・リング、80
・・・・・・検出器、81・・・・・・位置感知ポテン
シオメータ、82・・・・・・平行リンク機構、83・
・・・・・リーダ線、85・・・・・・ハンrル0

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、 リングフィールVプロジェクション装置における
    照度の均一性を測定する装置において、スリットを通過
    して投射された照度を上記スリットの全長に沿った種々
    の位置で検出する装置と、光を検出した位置を指示する
    信号を放出する装置と、理想値からの均一性の偏差を直
    接的に表示するディスプレイ装@とから構成されている
    ことを特徴とする、リングフィールドプロジェクション
    装置における照度の均一性を測定する装置。 2、 テーパ状スリットに沿った位置に関係した照度の
    線状変化を消去する装置を有する、特許請求の範囲第1
    i記載の装置。 6、光源の光度を表わす信号を放出する監視装置と、該
    信号を別様にランプの出方変動にょつて惹起される均一
    性測定における間違った偏差を補正するために使用する
    装置とを有する、特許請求の範囲第2項記載の装置。 4、前記の信号補正装置が可変増幅装置を有する、特許
    請求の範囲第2項記載の装置。 5、前記補正装置に接続された基準電圧源を有する、特
    許請求の範囲第3項記載の装置。 6、 スリットに沿った位置に対して、テーパ状のアー
    チ状スリットに沿って結像されるランプから検出される
    エネルギーをプロットすることに得られる軌跡の傾斜を
    消去する方法において、光エネルギーをスリットの全長
    に沿った位置で検出し、スリットの全長に沿った光エネ
    ルギーを表わす信号を収得し、スリットに沿った位置を
    ベースとするテーパ補正関数を規定し、かつ上記照度信
    号を上記補正関数と乗算して、系によって形成される露
    光均一性を表わし、かつ理想的にはスリット位置に関す
    る線状変動を有しない信号を発生させることを特徴とす
    る、軌跡の傾斜を消d−“る方法。 7 ランプの光度を監視しかつランプの光度変化を補償
    する装置を設ける、特許請求の範囲第6項記載の方法。 8 ゾロジエクションマスジ整合装置において旋回キャ
    リニジに支持されたマスク上に結像されるアーチ状スリ
    ットを照射するために使用されるランプの理想値からの
    照度の偏差を補正する装置において、調整可能なスリッ
    トを有する自在itと、上記スリットを調整する装置と
    、上記スリットの全長に沿った位置で照度を検出する装
    置と、スリットの全長に沿った照度を表わす信号を収得
    するために検出装置に接続された装置と、スリットに沿
    った位置をベースとするチー、パ補正関数を発生する装
    置と、上記照度信号と上記補正関数とを乗算して、装置
    で得られた露光の均一性を直接的に指示する信号を発生
    する装置とから構成されていることを特徴とする、照度
    の偏差を補正する装置。 9 ランプの光度における一時的変動を表わす電圧を収
    得するためにランプの光度を監視する装置と、ランプか
    らの瞬時光度に比例する信号で均一性信号を割算する装
    置とを有する、特許請求の範囲第8項記載の装置。 10、走査プロジェクションマスク整合装置で使用され
    るテーパ状のアーチ状スリットに沿った照度の偏差を補
    正する方法において、調整可能なスリットを有する自在
    装置を設け、上記スリットの全長に沿った位置で照度を
    検出し、スリットの全長に沿った照度を表わす信号を収
    得し、スリットに沿った位置をベースとするテーパ補正
    関数を規定し、上記光度軌跡信号を上記補正関数と乗算
    して、スリット全長に沿って一定である信号を発生させ
    かつスリット方向で均一な露光を行なうためにスリット
    幅を調整することを特徴とする、照度の偏差を補正する
    方法。 11、ランプから放出された光度の一時的変動を測定す
    るためにランプの光度を監視しかつ均一な信号をランプ
    の出力信号で割算する、特許請求の範囲第10項記載の
    方法。
JP57138647A 1981-08-13 1982-08-11 リングフイ−ルドプロジエクシヨン装置における照度の均一性を測定する装置 Pending JPS5838822A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US29246681A 1981-08-13 1981-08-13
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JP (1) JPS5838822A (ja)
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