JPH03198319A - 露光装置 - Google Patents

露光装置

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JPH03198319A
JPH03198319A JP1336665A JP33666589A JPH03198319A JP H03198319 A JPH03198319 A JP H03198319A JP 1336665 A JP1336665 A JP 1336665A JP 33666589 A JP33666589 A JP 33666589A JP H03198319 A JPH03198319 A JP H03198319A
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mask
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exposure light
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substrate
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70258Projection system adjustments, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of projection system
    • GPHYSICS
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    • G03F7/70358Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) 本発明は、凹凸の各反射鏡から成る反射投影光学系を用
いた露光装置に関する。
(従来の技術) 第4図は反射投影光学系を用いた露光装置の構成図であ
る。水銀ランプ等の光源1から放射された露光光は図示
しない光学系により円弧スリット状照明光束に形成され
てマスク2に照射される。
このマスク2には所定パターンが形成されており、この
パターンを通過した露光光は第1の平面ミラー3で反射
して反射投影光学系4に入射する。この反射投影光学系
4は凹面鏡5と凸面鏡6との各光軸を一致させて配置し
たもので、平面ミラー3からの露光光を凹面鏡5で反射
して凸面鏡6に送り、さらにこの凸面鏡6で反射した露
光光を再び凹面鏡5で反射させて第2の平面ミラー7に
送っている。そして、平面ミラー7で反射した露光光は
ウェハ8に照射される。なお、ウェハ8は反射投影光学
系4の結像位置に配置されている。又、マスク2とウェ
ハ8とは1軸走査テーブル9によって同期してX方向に
移動される。このX方向への移動によりマスク2のパタ
ーンがウェハ8の全域に亙ってスキャンされる。かくし
て、マスク2に形成されたパターンがウェハ8に転写さ
れる。
ところが、このような装置ではマスク2とウェハ8との
移動を1軸走査テーブル9によって行っているので、こ
の1軸走査テーブル9にマスク2とウェハ8とが一体と
なって傾くヨーイング誤差が生じると、マスク2のパタ
ーンがウェハ8に正確に転写されなくなる。このため、
ヨーイング誤差を小さくするために1軸走査テーブル9
の支持ガイドに2本のエアスライドを設け、1軸走査テ
ーブル9を移動させる場合、このうちの1本のエアスラ
イドの精度に他方のエアスライドを倣わせたり、又エア
スライドに空気圧センサを設けて空気圧を調整すること
が行われている。
しかしながら、エアスライドを用いる方法ではl軸走査
テーブル9のストロークが大きくなるほどエアスライド
の真直度等に高い精度が要求される。このため、エアス
ライドは高度な加工技術によって製造されることが要求
される。又、2本のエアスライドは互いに平行に設けら
れるが、この平行度の調整が大変困難である。さらに、
空気圧センサを設けて空気圧を調整する方法では、応答
速度に限界があるので、1軸走査テーブル9のテーブル
速度が大きくなった場合にヨーイング誤差の補正が困難
となる。
又、上記のような反射投影光学系4では光学系のNA 
(s1nθ、θ:広がり角)が縮小投影露光装置と比較
して小さいので、焦点深度(フォーカス許容範囲)が大
きくなる。このため、ヨーイング誤差を補正は、ウェハ
8側に1軸走査テーブル9と同一方向に微動可能なステ
ージを設け、この微動ステージの微動によってマスク2
とウェハ8との相対位置を調整することが行われている
しかしながら、微動ステージによる調整ではこの微動ス
テージは1軸走査テーブル9上を走行するので、1軸走
査テーブル9の剛性が十分でない場合、外乱の影響が大
きくなって微動ステージのフィードバック系が不安定と
なる。
(発明が解決しようとする課題) 以上のようにヨーイング誤差を補正しようとしてもエア
スライドを用いる方法では、エアスライドに高度な加工
技術が要求されるとともに平行度の調整が大変困難であ
り、又テーブル速度が大きくなった場合にヨーイング誤
差の補正が困難となる。一方、反射投影光学系4では微
動ステージを設けるが、l軸走査テーブル9の剛性が十
分でない場合、外乱の影響が大きくなって微動ステージ
のフィードバック系が不安定となる。
そこで本発明は、ヨーイング誤差により生じるマスクパ
ターンの転写ずれを簡単な構成で補正できる機能を備え
た露光装置を提供することを目的とする。
〔発明の構成] (課題を解決するための手段) 本発明は、所定パターンが形成されマスクを通過した露
光光を第1の平面ミラーで反射させて凹凸の各反射鏡か
ら成る反射投影光学系の光軸に対して平行に入射し、こ
の反射投影光学系から出射された露光光を第2の平面ミ
ラーで反射して反射投影光学系の結像位置に配置された
基板に照射してマスクの所定パターンを基板に転写する
露光装置において、マスクと基板とを一体的に移動させ
て露光光を基板全体に走査する走査機構と、マスクと基
板との基準位置からのずれを検出するずれ検出手段と、
このずれ検出手段により検出されたずれ量に応じて第1
と第2の平面ミラーのうちいずれか一方又は両方の配置
角度を可変する補正手段とを備えて上記目的を達成しよ
うとする露光装置である。
(作用) このような手段を備えたことにより、マスクを通過した
露光光を反射投影光学系を通して基板に照射してマスク
の所定パターンを基板に転写する際にマスクと基板とは
走査機構により一体的に移動され、このときマスクと基
板とはずれ検出手段により基準位置からのずれが検出さ
れる。そして、このずれ量に応じて補正手段により露光
光を反射投影光学系の光軸に対して平行に入出射する第
1と第2の平面ミラーのうちいずれか一方又は両方の配
置角度が可変される。
(実施例) 以下、本発明の一実施例について図面を参照して説明す
る。尚、第4図と同一部分には同一符号を付してその詳
しい説明は省略する。
レーザ測長器10はマスク2及びウェハ8の各基準位置
からの各ずれ量ΔX M r ΔXuを測定するもので
、これらずれ量ΔXM r ΔXuはずれ出演算器11
に送られている。このずれ出演算器11はCPU (中
央処理装置)を備え、レーザ測長器10からの各ずれ量
ΔxM、ΔXuを受は取って平面ミラー7の補正角度θ
、を演算し求める機能を有するものである。そして、こ
の補正角度θ、は制御トライバ12に送られている。一
方、平面ミラー7にはDCモータ13が設けられ、この
DCモータ13の駆動によって平面ミラー7が反射投影
光学系4の光軸を仰ぐ矢印(イ)方向に回動するものと
なっている。前記制御ドライバ12はずれ出演算器11
から受は取った補正角度θ、に応じてDCモータ13の
駆動量を制御する機能を有するものである。
次に上記の如く構成された装置の作用について説明する
水銀ランプ等の光#、1から放射された露光光は図示し
ない光学系により円弧スリット状照明光束に形成されて
マスク2に照射される。このマスク2のパターンを通過
した露光光は平面ミラー3で反射して反射投影光学系4
に入射する。この反射投影光学系4において露光光は凹
面鏡5で反射して凸面鏡6に送られ、さらにこの凸面鏡
6で反射し再び凹面鏡5で反射して平面ミラー7に送ら
れる。そして、平面ミラー7で反射した露光光はウェハ
8に照射される。このとき、マスク2とウェハ8とは1
軸走査テーブル9によって同期してX方向に移動される
。しかるに、このX方向への移動によりマスク2のパタ
ーンがウェハ8の全域に亙ってスキャンされ、マスク2
に形成されたパターンがウェハ8に転写される。
この状態にレーザ測長器10はマスク2及びウェハ8の
基準位置からのずれ量ΔxM + ΔXUが測定される
。そして、これらずれ量ΔxM +ΔXL+はずれ出演
算器11に送られる。ここで、第2図に示すようにマス
ク2及びウェハ8が1軸走査テーブル9のヨーイングに
より中点Qを中心に角度θ、だけ傾いてマスク2′及び
ウェハ8′に配置された場合について説明する。マスク
2及びウェハ8の基準位置をP−P =とすると、マス
ク2′とウェハ8′との各ずれ量ΔX M r ΔX。
は基準位置をP−P−との間隔となる。従って、レーザ
測長器10はこれらずれ量ΔX M r ΔXυを測定
してずれ出演算器11に送る。
このずれ出演算器11は各ずれ量ΔX M +ΔXυか
らマスク2′とウェハ8′とのX方向の相対的なずれ量
ΔX ΔX−ΔxM+ΔXu を算出する。なお、マスク2とウェハ8との間隔を2g
とすると、 Δx−247−tan  θ「 の関係が成り立つ。従って、このずれ量ΔXによるマス
クパターンの転写ずれを補正するには第3図に示すよう
に平面ミラー7をθ、だけ矢印(ロ)方向に回動させる
ことになる。そこで、この補正角度θ、は θ、−(1/2)・tan −’ (Δx / m )
となる。なお、mは平面ミラー7とウェハ8との間隔で
ある。
しかるに、ずれ出演算器11はこの補正角度θ、を算出
すると、この角度θ、を制御ドライバ12に送出する。
この制御ドライバ12は補正角度θ、に応じてDCモー
タ13の駆動量を制御する。
かくして、反射投影光学系4が出射された露光光は平面
ミラー7で反射してウェハ8−上で結像する。一方、マ
スク2とウェハ8とは1軸走査テーブル9によって同期
してX方向に移動され、このX方向への移動によりマス
ク2のパターンがウェハ8の全域に亙ってスキャンされ
る。かくして、マスク2に形成されたパターンがウェハ
8に転写される。
このように上記一実施例においては、マスク2を通過し
た露光光を反射投影光学系4を通してウェハ8に照射し
てマスクパターンをウェハ8に転写する際にマスク2と
ウェハ8とを一体的に移動し、このときマスク2とウェ
ハ8との基準位置からのずれ量を検出し、このずれ量に
応じて平面ミラー7の配置角度を調整するようにしたの
で、簡単な構成により1軸走査テーブル9のヨーイング
により生じるずれを補正できて正確なマスクパターンの
転写を行うことができる。そのうえ、かかる構成では高
精度な加工が必要でなく、かつ1軸走査テーブル9のス
トロークが大きくなっても適用可能である。又、応答性
が高く、さらに平面ミラー7′と1軸走査テーブル9と
は独立しているので、外乱の影響が無く安定した補正が
できる。
なお、本発明は上記一実施例に限定されるものでなくそ
の主旨を逸脱しない範囲で変形してもよい。例えば、平
面ミラー7の回動はDCモータ13に限らず他の回転機
を使用してもよく、又マスク2及びウェハ8のずれ量を
検出する手段は他の測長器に代えても良い。又、補正す
る場合、平面ミラー7を回動するだけでなく平面ミラー
3を回動しても補正でき、さらに側平面ミラー3,7を
同時に回動させても補正できる。
[発明の効果] 以上詳記したように本発明によれば、ヨーイング誤差に
より生じるマスクパターンの転写ずれを簡単な構成で補
正できる機能を備えた露光装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
第1図乃至第3図は本発明に係わる露光装置の一実施例
を説明するための図であって、第1図は構成図、第2図
はヨーイングによるずれを示す図、第3図は平面ミラー
による補正角度を示す図、第4図は従来装置の構成図で
ある。 1・・・光源、2・・・マスク、3,7・・・平面ミラ
ー4・・・反射投影光学系、5・・・凹面鏡、6・・・
凸面鏡、8・・・ウェハ、9・・・1軸走査テーブル、
10・・・レーザ測長器、11・・・ずれ出演算器、1
2・・・制御ドライバ、13・・・DCモータ。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 所定パターンが形成されマスクを通過した露光光を第1
    の平面ミラーで反射させて凹凸の各反射鏡から成る反射
    投影光学系の光軸に対して平行に入射し、この反射投影
    光学系から出射された露光光を第2の平面ミラーで反射
    して前記反射投影光学系の結像位置に配置された基板に
    照射して前記マスクの所定パターンを前記基板に転写す
    る露光装置において、前記マスクと前記基板とを一体的
    に移動させて前記露光光を前記基板全体に走査する走査
    機構と、前記マスクと前記基板との基準位置からのずれ
    を検出するずれ検出手段と、このずれ検出手段により検
    出されたずれ量に応じて前記第1と第2の平面ミラーの
    うちいずれか一方又は両方の配置角度を可変する補正手
    段とを具備したことを特徴とする露光装置。
JP1336665A 1989-12-27 1989-12-27 露光装置 Expired - Lifetime JPH0752712B2 (ja)

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