JPH09134870A - パターン形成方法および形成装置 - Google Patents
パターン形成方法および形成装置Info
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- JPH09134870A JPH09134870A JP29288995A JP29288995A JPH09134870A JP H09134870 A JPH09134870 A JP H09134870A JP 29288995 A JP29288995 A JP 29288995A JP 29288995 A JP29288995 A JP 29288995A JP H09134870 A JPH09134870 A JP H09134870A
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 マスク基板上に描かれている複数品種のマス
クパターンのうち所望のものをウエハ基板上に転写する
場合、ウエハの利用率を低下させることなく、かつウエ
ハ基板内のチップ取得数を増加させることが可能な技術
を提供する。 【解決手段】 複数品種のマスクパターン４（４ａ乃至
４ｄ）のうち、所望のマスクパターン４ｂを除いて不所
望のマスクパターン４ａ、４ｃ、４ｄを機械的動作精度
の高いマスク遮蔽手段１７によって遮蔽した状態で、所
望のマスクパターン４ｂをウエハ基板６上に転写する。
マスク遮蔽手段１７を構成しているブラインド基板２０
とマスク基板３との間の距離を従来よりも小さくするこ
とができるため、投影露光時の半影ボケを減少すること
ができるようになる。これによって、ウエハ基板６上に
設けるスクライブラインの幅を狭くできるので、ウエハ
基板６内のチップ取得数が増加する。
クパターンのうち所望のものをウエハ基板上に転写する
場合、ウエハの利用率を低下させることなく、かつウエ
ハ基板内のチップ取得数を増加させることが可能な技術
を提供する。 【解決手段】 複数品種のマスクパターン４（４ａ乃至
４ｄ）のうち、所望のマスクパターン４ｂを除いて不所
望のマスクパターン４ａ、４ｃ、４ｄを機械的動作精度
の高いマスク遮蔽手段１７によって遮蔽した状態で、所
望のマスクパターン４ｂをウエハ基板６上に転写する。
マスク遮蔽手段１７を構成しているブラインド基板２０
とマスク基板３との間の距離を従来よりも小さくするこ
とができるため、投影露光時の半影ボケを減少すること
ができるようになる。これによって、ウエハ基板６上に
設けるスクライブラインの幅を狭くできるので、ウエハ
基板６内のチップ取得数が増加する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、パターン形成方法
および形成装置に関し、特に、半導体基板などからなる
ウエハ基板上に半導体素子や液晶素子などの回路素子を
少量多品種製造する場合に、マスク基板上に描かれてい
る複数品種のマスクパターンの所望のものをウエハ基板
上に転写するパターン形成方法および形成装置に適用し
て有効な技術に関する。
および形成装置に関し、特に、半導体基板などからなる
ウエハ基板上に半導体素子や液晶素子などの回路素子を
少量多品種製造する場合に、マスク基板上に描かれてい
る複数品種のマスクパターンの所望のものをウエハ基板
上に転写するパターン形成方法および形成装置に適用し
て有効な技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば半導体素子の一例として半導体集
積回路を製造するには、フォトリソグラフィ技術と称さ
れる、マスク基板（レチクル）上に描かれた（搭載され
た）所望のマスクパターンを半導体基板からなるウエハ
基板上に投影露光して転写するパターン形成方法が欠か
せなくなっている。このパターン形成方法では、一般
に、マスク基板上に描かれているマスクパターンを投影
レンズを介して縮小してウエハ基板上に転写する縮小投
影露光装置（ステッパ）が用いられる。
積回路を製造するには、フォトリソグラフィ技術と称さ
れる、マスク基板（レチクル）上に描かれた（搭載され
た）所望のマスクパターンを半導体基板からなるウエハ
基板上に投影露光して転写するパターン形成方法が欠か
せなくなっている。このパターン形成方法では、一般
に、マスク基板上に描かれているマスクパターンを投影
レンズを介して縮小してウエハ基板上に転写する縮小投
影露光装置（ステッパ）が用いられる。
【０００３】このように縮小投影露光装置を用いて、マ
スク基板上のマスクパターンを縮小してウエハ基板上に
転写して半導体集積回路を製造するとき、１枚のウエハ
基板上に多くの異なった品種を製造する少量多品種製造
を目的とする場合がある。この場合には、マスクセット
数を減らすために、必要な複数品種のマスクパターンを
描いたマスク基板を用いて、これら複数品種のマスクパ
ターンを一括してウエハ基板上に転写することが行われ
る。これにより、スループットの向上が図れるという利
点がある。
スク基板上のマスクパターンを縮小してウエハ基板上に
転写して半導体集積回路を製造するとき、１枚のウエハ
基板上に多くの異なった品種を製造する少量多品種製造
を目的とする場合がある。この場合には、マスクセット
数を減らすために、必要な複数品種のマスクパターンを
描いたマスク基板を用いて、これら複数品種のマスクパ
ターンを一括してウエハ基板上に転写することが行われ
る。これにより、スループットの向上が図れるという利
点がある。
【０００４】ところでこのようなパターン形成方法で
は、マスク基板上に描かれている複数品種のマスクパタ
ーンの構成比が固定されているので、一部のマスクパタ
ーンに対応した単品種のみが必要な場合でも、不要な他
のマスクパターンに対応した他の品種も同時にウエハ基
板上に転写されてしまうという不都合が生ずる。このた
め、顧客からのフレキシブルな要求に対処することがで
きなくなり、不要な品種を製造してしまうことになる。
は、マスク基板上に描かれている複数品種のマスクパタ
ーンの構成比が固定されているので、一部のマスクパタ
ーンに対応した単品種のみが必要な場合でも、不要な他
のマスクパターンに対応した他の品種も同時にウエハ基
板上に転写されてしまうという不都合が生ずる。このた
め、顧客からのフレキシブルな要求に対処することがで
きなくなり、不要な品種を製造してしまうことになる。
【０００５】また、チップサイズの異なる複数品種を一
括してウエハ基板上に製造したい要望があり、この要望
を満たすには各々異なるサイズで複数品種のマスクパタ
ーンを描いたマスク基板を用意した上で、各マスクパタ
ーンを一括してウエハ基板上に転写することになる。し
かし、このようなパターン形成方法では、転写時に一部
のマスクパターンはウエハ基板からはみ出してしまうと
いう不都合が生じ、これは特に径の小さいウエハ基板を
用いる場合に不利になる。さらに、この方法ではＴＥＧ
（Ｔｅｓｔ Ｅｌｅｍｅｎｔ Ｇｒｏｕｐ）を設定する
必要があるので、ウエハ基板上で無駄な領域を占有して
しまうことになる。従って、前記したいずれのパターン
形成方法においても、ウエハの利用率が低下するのが避
けられなくなる。
括してウエハ基板上に製造したい要望があり、この要望
を満たすには各々異なるサイズで複数品種のマスクパタ
ーンを描いたマスク基板を用意した上で、各マスクパタ
ーンを一括してウエハ基板上に転写することになる。し
かし、このようなパターン形成方法では、転写時に一部
のマスクパターンはウエハ基板からはみ出してしまうと
いう不都合が生じ、これは特に径の小さいウエハ基板を
用いる場合に不利になる。さらに、この方法ではＴＥＧ
（Ｔｅｓｔ Ｅｌｅｍｅｎｔ Ｇｒｏｕｐ）を設定する
必要があるので、ウエハ基板上で無駄な領域を占有して
しまうことになる。従って、前記したいずれのパターン
形成方法においても、ウエハの利用率が低下するのが避
けられなくなる。
【０００６】このような観点から、マスク基板上に描か
れている複数品種のマスクパターンをウエハ基板上に転
写する場合、ウエハの利用率を向上すべく所望のマスク
パターンのみを転写するように、縮小投影露光装置にマ
スク基板上に位置するように備えられているブラインド
と呼ばれている一種の絞りを利用した分割露光方法が考
えられている。
れている複数品種のマスクパターンをウエハ基板上に転
写する場合、ウエハの利用率を向上すべく所望のマスク
パターンのみを転写するように、縮小投影露光装置にマ
スク基板上に位置するように備えられているブラインド
と呼ばれている一種の絞りを利用した分割露光方法が考
えられている。
【０００７】例えば、１９８９年（株）ニコン発行、
「縮小投影露光装置」ＮＳＲ−１５０５ｉ６Ａの操作説
明書、「３．７ 可変フィールド露光」、の項には前記
ブラインドに相当した構成が記載されている。
「縮小投影露光装置」ＮＳＲ−１５０５ｉ６Ａの操作説
明書、「３．７ 可変フィールド露光」、の項には前記
ブラインドに相当した構成が記載されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】前記のようなブライン
ドを利用して所望のマスクパターンのみを転写するよう
に分割露光方法を実施する場合、従来の縮小投影露光装
置に備えられているブラインドは、一般に利用頻度が少
ないので機械的動作精度が悪くなっている。また、ブラ
インドとマスク基板との間の距離も比較的大きく（一例
として１ｃｍ程度）、投影露光時にウエハ基板上に半影
ボケが生ずるようになる。
ドを利用して所望のマスクパターンのみを転写するよう
に分割露光方法を実施する場合、従来の縮小投影露光装
置に備えられているブラインドは、一般に利用頻度が少
ないので機械的動作精度が悪くなっている。また、ブラ
インドとマスク基板との間の距離も比較的大きく（一例
として１ｃｍ程度）、投影露光時にウエハ基板上に半影
ボケが生ずるようになる。
【０００９】この結果、半影ボケを考慮してウエハ基板
上に設けるスクライブラインの幅を広くする必要がある
ので、スクライブラインの占める面積が増加するため、
ウエハ基板内のチップ取得数が減少するという問題があ
る。
上に設けるスクライブラインの幅を広くする必要がある
ので、スクライブラインの占める面積が増加するため、
ウエハ基板内のチップ取得数が減少するという問題があ
る。
【００１０】本発明の目的は、マスク基板上に描かれて
いる複数品種のマスクパターンのうち所望のものをウエ
ハ基板上に転写する場合、ウエハの利用率を低下させる
ことなく、かつウエハ基板内のチップ取得数を増加させ
ることが可能な技術を提供することにある。
いる複数品種のマスクパターンのうち所望のものをウエ
ハ基板上に転写する場合、ウエハの利用率を低下させる
ことなく、かつウエハ基板内のチップ取得数を増加させ
ることが可能な技術を提供することにある。
【００１１】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面から明らかにな
るであろう。
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面から明らかにな
るであろう。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば下
記の通りである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば下
記の通りである。
【００１３】（１）本発明のパターン形成方法は、マス
ク基板上に描かれている複数品種のマスクパターンを投
影光学系を介してウエハ基板上に転写するパターン形成
方法であって、前記複数品種のマスクパターンが各々異
なるサイズで描かれているマスク基板を用い、前記複数
品種のマスクパターンのうち、所望以外のマスクパター
ンを前記マスク基板に近接するように配置したマスク遮
蔽手段により遮蔽した状態で、所望のマスクパターンの
みをウエハ基板上に転写する。
ク基板上に描かれている複数品種のマスクパターンを投
影光学系を介してウエハ基板上に転写するパターン形成
方法であって、前記複数品種のマスクパターンが各々異
なるサイズで描かれているマスク基板を用い、前記複数
品種のマスクパターンのうち、所望以外のマスクパター
ンを前記マスク基板に近接するように配置したマスク遮
蔽手段により遮蔽した状態で、所望のマスクパターンの
みをウエハ基板上に転写する。
【００１４】（２）本発明のパターン形成装置は、マス
ク基板上に描かれている複数品種のマスクパターンを投
影光学系を介してウエハ基板上に転写するパターン形成
装置であって、前記複数品種のマスクパターンが各々異
なるサイズで描かれているマスク基板と、このマスク基
板に近接して配置され、マスク基板表面に沿って移動可
能で表面に前記マスクパターンのうち所望のものを遮蔽
する不透明パターンが形成された透明基板から構成され
たブラインド基板を有するマスク遮蔽手段とを備えてい
る。
ク基板上に描かれている複数品種のマスクパターンを投
影光学系を介してウエハ基板上に転写するパターン形成
装置であって、前記複数品種のマスクパターンが各々異
なるサイズで描かれているマスク基板と、このマスク基
板に近接して配置され、マスク基板表面に沿って移動可
能で表面に前記マスクパターンのうち所望のものを遮蔽
する不透明パターンが形成された透明基板から構成され
たブラインド基板を有するマスク遮蔽手段とを備えてい
る。
【００１５】上述した（１）の手段によれば、本発明の
パターン形成方法は、複数品種のマスクパターンが各々
異なるサイズで描かれているマスク基板を用いて、複数
品種のマスクパターンのうち所望以外のマスクパターン
をマスク基板に近接するように配置したマスク遮蔽手段
により遮蔽した状態で、所望のマスクパターンのみをウ
エハ基板上に転写するので、マスク基板上に描かれてい
る複数品種のマスクパターンのうち所望のものをウエハ
基板上に転写する場合、ウエハの利用率を低下させるこ
となく、かつウエハ基板内のチップ取得数を増加させる
ことが可能となる。
パターン形成方法は、複数品種のマスクパターンが各々
異なるサイズで描かれているマスク基板を用いて、複数
品種のマスクパターンのうち所望以外のマスクパターン
をマスク基板に近接するように配置したマスク遮蔽手段
により遮蔽した状態で、所望のマスクパターンのみをウ
エハ基板上に転写するので、マスク基板上に描かれてい
る複数品種のマスクパターンのうち所望のものをウエハ
基板上に転写する場合、ウエハの利用率を低下させるこ
となく、かつウエハ基板内のチップ取得数を増加させる
ことが可能となる。
【００１６】上述した（２）の手段によれば、本発明の
パターン形成装置は、複数品種のマスクパターンが各々
異なるサイズで描かれているマスク基板と、このマスク
基板に近接して配置され、マスク基板表面に沿って移動
可能で表面にマスクパターンのうち所望のものを遮蔽す
る不透明パターンが形成された透明基板から構成された
ブラインド基板を有するマスク遮蔽手段とを備えている
ので、マスク基板上に描かれている複数品種のマスクパ
ターンのうち所望のものをウエハ基板上に転写する場
合、ウエハの利用率を低下させることなく、かつウエハ
基板内のチップ取得数を増加させることが可能となる。
パターン形成装置は、複数品種のマスクパターンが各々
異なるサイズで描かれているマスク基板と、このマスク
基板に近接して配置され、マスク基板表面に沿って移動
可能で表面にマスクパターンのうち所望のものを遮蔽す
る不透明パターンが形成された透明基板から構成された
ブラインド基板を有するマスク遮蔽手段とを備えている
ので、マスク基板上に描かれている複数品種のマスクパ
ターンのうち所望のものをウエハ基板上に転写する場
合、ウエハの利用率を低下させることなく、かつウエハ
基板内のチップ取得数を増加させることが可能となる。
【００１７】以下、本発明について、図面を参照して実
施例とともに詳細に説明する。
施例とともに詳細に説明する。
【００１８】なお、実施例を説明するための全図におい
て、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り
返しの説明は省略する。
て、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り
返しの説明は省略する。
【００１９】
（実施形態１）図１は本発明の実施形態１によるパター
ン形成方法を実施するために用いる縮小投影露光装置の
概要を示す構成図である。紫外線ランプなどの光源１か
ら発生する露光に用いる光はコンデンサレンズ２でほぼ
平行光束に変換され、マスク基板（レチクル）３を照明
する。本実施形態では、マスク基板３としては、図２に
示すように、複数品種Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄに対応したマスク
パターン４（４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄ）が各々異なるサ
イズで描かれたものを用いている。
ン形成方法を実施するために用いる縮小投影露光装置の
概要を示す構成図である。紫外線ランプなどの光源１か
ら発生する露光に用いる光はコンデンサレンズ２でほぼ
平行光束に変換され、マスク基板（レチクル）３を照明
する。本実施形態では、マスク基板３としては、図２に
示すように、複数品種Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄに対応したマスク
パターン４（４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄ）が各々異なるサ
イズで描かれたものを用いている。
【００２０】マスク基板３上に描かれた複数品種のマス
クパターン４（４ａ乃至４ｄ）は、一例として倍率１／
５の投影レンズ５を介してウエハ基板６上に投影露光さ
れる。このウエハ基板６上には予めフォトレジストが塗
布されていて、投影露光によりこのフォトレジストには
潜像が記録されるので、この後現像処理を行うことによ
りウエハ基板６上にはマスクパターン４が転写されるこ
とになる。なお、マスク基板３はマスク位置制御手段７
で制御されたステージ８上に載置されて、その中心レン
ズと投影レンズ５の光軸とが正確に位置合わせされてい
る。
クパターン４（４ａ乃至４ｄ）は、一例として倍率１／
５の投影レンズ５を介してウエハ基板６上に投影露光さ
れる。このウエハ基板６上には予めフォトレジストが塗
布されていて、投影露光によりこのフォトレジストには
潜像が記録されるので、この後現像処理を行うことによ
りウエハ基板６上にはマスクパターン４が転写されるこ
とになる。なお、マスク基板３はマスク位置制御手段７
で制御されたステージ８上に載置されて、その中心レン
ズと投影レンズ５の光軸とが正確に位置合わせされてい
る。
【００２１】ウエハ基板６は、投影レンズ５の光軸方向
すなわちＺ方向に移動可能なＺステージ９上に載置され
るとともに、ＸＹ方向に移動可能なＸＹステージ１０上
に搭載されている。Ｚステージ９及びＸＹステージ１０
は、システム主制御系１１からの制御命令に応じてそれ
ぞれのＺステージ駆動手段１２、ＸＹステージ駆動手段
１３によって駆動されるので、縮小投影露光装置のベー
ス１４に対して所望の露光位置に移動可能である。その
位置はＺステージ９に固定されたミラー１５の位置とし
て、レーザ測長器１６で正確にモニターされている。ま
た、ウエハ基板６の表面位置は、縮小投影露光装置の通
常の焦点位置計測手段により計測される。計測結果に応
じてＺステージ駆動手段１２によってＺステージ９を駆
動させることにより、ウエハ基板６の表面は常に投影レ
ンズ５の結像面と一致させることができる。
すなわちＺ方向に移動可能なＺステージ９上に載置され
るとともに、ＸＹ方向に移動可能なＸＹステージ１０上
に搭載されている。Ｚステージ９及びＸＹステージ１０
は、システム主制御系１１からの制御命令に応じてそれ
ぞれのＺステージ駆動手段１２、ＸＹステージ駆動手段
１３によって駆動されるので、縮小投影露光装置のベー
ス１４に対して所望の露光位置に移動可能である。その
位置はＺステージ９に固定されたミラー１５の位置とし
て、レーザ測長器１６で正確にモニターされている。ま
た、ウエハ基板６の表面位置は、縮小投影露光装置の通
常の焦点位置計測手段により計測される。計測結果に応
じてＺステージ駆動手段１２によってＺステージ９を駆
動させることにより、ウエハ基板６の表面は常に投影レ
ンズ５の結像面と一致させることができる。
【００２２】本実施形態では、マスク基板３の上方に近
接して配置されたマスク遮蔽手段１７を備えている。こ
のマスク遮蔽手段１７は、図３にも示すように、例えば
ニトロセルロースなどからなる厚さ約０．１ｍｍ以下の
透明基板１８の表面の所望部分に、例えばクロムなどか
らなる不透明パターン１９を形成することにより構成し
たブラインド基板２０を有しており、ブラインド基板２
０の周囲は枠体２１によって支持されている。このブラ
インド基板２０は、マスク基板３の表面あるいは裏面に
沿って水平面において各々前後左右の４方向に移動可能
な４枚が配置されるようになっている。
接して配置されたマスク遮蔽手段１７を備えている。こ
のマスク遮蔽手段１７は、図３にも示すように、例えば
ニトロセルロースなどからなる厚さ約０．１ｍｍ以下の
透明基板１８の表面の所望部分に、例えばクロムなどか
らなる不透明パターン１９を形成することにより構成し
たブラインド基板２０を有しており、ブラインド基板２
０の周囲は枠体２１によって支持されている。このブラ
インド基板２０は、マスク基板３の表面あるいは裏面に
沿って水平面において各々前後左右の４方向に移動可能
な４枚が配置されるようになっている。
【００２３】各ブラインド基板２０は、システム主制御
系１１の制御に基づいて高精度ステッピングモータなど
からなる駆動手段２２によって移動されることにより、
マスク基板３上に描かれている複数品種のマスクパター
ン４（４ａ乃至４ｄ）のうち所望のマスクパターンを遮
蔽可能に構成されている。
系１１の制御に基づいて高精度ステッピングモータなど
からなる駆動手段２２によって移動されることにより、
マスク基板３上に描かれている複数品種のマスクパター
ン４（４ａ乃至４ｄ）のうち所望のマスクパターンを遮
蔽可能に構成されている。
【００２４】次に、本実施形態によるパターン形成方法
について説明する。いま、一例として、図２のマスク基
板３に描かれている複数品種Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄに対応した
マスクパターン４（４ａ乃至４ｄ）のうち、品種Ｂに対
応したマスクパターン４ｂのみをウエハ基板６上に転写
する例で説明する。
について説明する。いま、一例として、図２のマスク基
板３に描かれている複数品種Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄに対応した
マスクパターン４（４ａ乃至４ｄ）のうち、品種Ｂに対
応したマスクパターン４ｂのみをウエハ基板６上に転写
する例で説明する。
【００２５】まず、図１の縮小投影露光装置のステージ
８上に載置されたマスク基板３は、システム主制御系１
１の制御に基づいて駆動手段２２によって４枚のブライ
ンド基板２０が駆動されることにより、マスク基板３上
に描かれている複数品種のマスクパターン４（４ａ乃至
４ｄ）のうち、マスクパターン４ｂを除いて不所望のマ
スクパターン４ａ、４ｃ、４ｄが、図４に示すように各
ブラインド基板２０の各不透明パターン１９によって遮
蔽される。
８上に載置されたマスク基板３は、システム主制御系１
１の制御に基づいて駆動手段２２によって４枚のブライ
ンド基板２０が駆動されることにより、マスク基板３上
に描かれている複数品種のマスクパターン４（４ａ乃至
４ｄ）のうち、マスクパターン４ｂを除いて不所望のマ
スクパターン４ａ、４ｃ、４ｄが、図４に示すように各
ブラインド基板２０の各不透明パターン１９によって遮
蔽される。
【００２６】次に、マスク基板３上の遮蔽されていない
マスクパターン４ｂを投影レンズ５を介して、ウエハ基
板６上に縮小して投影露光する。続いて、システム主制
御系１１の制御に基づいて、ＸＹステージ駆動手段１３
によってＸＹステージ１０をＸあるいはＹ方向に移動さ
せることにより、ウエハ基板３の露光位置をＸあるいは
Ｙ方向に１ステップ分移動させる。続いて、この露光位
置で、前記と同じ方法でマスクパターン４ｂをウエハ基
板６上に縮小して投影露光する。以後、同様にウエハ基
板６の移動およびマスクパターン４ｂの投影露光を繰り
返すことにより、いわゆるステップ・アンド・リピート
操作を行うことにより、図５に示すようにウエハ基板６
上に所望の品種Ｂに対応したマスクパターン４ｂを多数
隣接して投影露光する。
マスクパターン４ｂを投影レンズ５を介して、ウエハ基
板６上に縮小して投影露光する。続いて、システム主制
御系１１の制御に基づいて、ＸＹステージ駆動手段１３
によってＸＹステージ１０をＸあるいはＹ方向に移動さ
せることにより、ウエハ基板３の露光位置をＸあるいは
Ｙ方向に１ステップ分移動させる。続いて、この露光位
置で、前記と同じ方法でマスクパターン４ｂをウエハ基
板６上に縮小して投影露光する。以後、同様にウエハ基
板６の移動およびマスクパターン４ｂの投影露光を繰り
返すことにより、いわゆるステップ・アンド・リピート
操作を行うことにより、図５に示すようにウエハ基板６
上に所望の品種Ｂに対応したマスクパターン４ｂを多数
隣接して投影露光する。
【００２７】ウエハ基板６上には予めフォトレジストが
塗布されているので、前記のようなステップ・アンド・
リピート操作によってマスクパターン４ｂがフォトレジ
ストに潜像として記録されるため、この後現像処理を行
うことによりウエハ基板６上にはマスクパターン４が多
数転写されることになる。
塗布されているので、前記のようなステップ・アンド・
リピート操作によってマスクパターン４ｂがフォトレジ
ストに潜像として記録されるため、この後現像処理を行
うことによりウエハ基板６上にはマスクパターン４が多
数転写されることになる。
【００２８】このように、マスク基板３上に描かれてい
る複数品種Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄに対応したマスクパターン４
（４ａ乃至４ｄ）のうち所望のマスクパターン４ｂをウ
エハ基板６上に転写する場合、不所望のマスクパターン
４ａ、４ｃ、４ｄはマスク遮蔽手段１７によって遮蔽さ
れるが、この場合、本実施形態に用いられる縮小投影露
光装置に備わっているマスク遮蔽手段１７は、薄い透明
基板１８の表面の所望部分に不透明パターン１９を形成
したブラインド基板２０を有しているので、機械的動作
精度を高めることが可能となる。これによって、ブライ
ンド基板２０とマスク基板３との間の距離を従来よりも
小さく（一例として１ｃｍ以下）することができるの
で、投影露光時の半影ボケを現象させることができるよ
うになる。この結果、半影ボケを考慮してウエハ基板上
に設けるスクライブラインの幅を広くする必要がないの
で、スクライブラインの占める面積が低減され、ウエハ
基板内のチップ取得数が増加する。
る複数品種Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄに対応したマスクパターン４
（４ａ乃至４ｄ）のうち所望のマスクパターン４ｂをウ
エハ基板６上に転写する場合、不所望のマスクパターン
４ａ、４ｃ、４ｄはマスク遮蔽手段１７によって遮蔽さ
れるが、この場合、本実施形態に用いられる縮小投影露
光装置に備わっているマスク遮蔽手段１７は、薄い透明
基板１８の表面の所望部分に不透明パターン１９を形成
したブラインド基板２０を有しているので、機械的動作
精度を高めることが可能となる。これによって、ブライ
ンド基板２０とマスク基板３との間の距離を従来よりも
小さく（一例として１ｃｍ以下）することができるの
で、投影露光時の半影ボケを現象させることができるよ
うになる。この結果、半影ボケを考慮してウエハ基板上
に設けるスクライブラインの幅を広くする必要がないの
で、スクライブラインの占める面積が低減され、ウエハ
基板内のチップ取得数が増加する。
【００２９】以上のような実施形態１によれば次のよう
な効果が得られる。
な効果が得られる。
【００３０】（１）マスク基板上に描かれている複数品
種に対応したマスクパターンのうち所望のマスクパター
ンをウエハ基板上に転写する場合、不所望のマスクパタ
ーンは機械的動作精度の高いマスク遮蔽手段によって遮
蔽された状態で、所望のマスクパターンをウエハ基板上
に転写するので、マスク基板上に描かれている複数品種
のマスクパターンのうち所望のものをウエハ基板上に転
写する場合、ウエハの利用率を低下させることなく、か
つウエハ基板内のチップ取得数を増加させることが可能
となる。
種に対応したマスクパターンのうち所望のマスクパター
ンをウエハ基板上に転写する場合、不所望のマスクパタ
ーンは機械的動作精度の高いマスク遮蔽手段によって遮
蔽された状態で、所望のマスクパターンをウエハ基板上
に転写するので、マスク基板上に描かれている複数品種
のマスクパターンのうち所望のものをウエハ基板上に転
写する場合、ウエハの利用率を低下させることなく、か
つウエハ基板内のチップ取得数を増加させることが可能
となる。
【００３１】（２）マスクセット数を増やすことなく、
複数品種のマスクパターンを描いたマスク基板を用いて
パターン形成が可能となる。
複数品種のマスクパターンを描いたマスク基板を用いて
パターン形成が可能となる。
【００３２】（３）複数品種のマスクパターンのうち所
望の単品種のみを製造することができるので、不要な品
種を製造することがなくなる。
望の単品種のみを製造することができるので、不要な品
種を製造することがなくなる。
【００３３】（実施形態２）図６は本発明の実施形態２
によるパターン形成方法に用いるマスク基板を示す平面
図で、本実施形態においては複数品種Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄに
対応したマスクパターン４（４ａ乃至４ｄ）が各々異な
るサイズで描かれたマスク基板３として、各マスクパタ
ーン４ａ乃至４ｄが複数個からブロックに構成されたも
のを用いた例を示すものである。
によるパターン形成方法に用いるマスク基板を示す平面
図で、本実施形態においては複数品種Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄに
対応したマスクパターン４（４ａ乃至４ｄ）が各々異な
るサイズで描かれたマスク基板３として、各マスクパタ
ーン４ａ乃至４ｄが複数個からブロックに構成されたも
のを用いた例を示すものである。
【００３４】本実施形態においても、転写時は各品種ご
とに不所望のマスクパターンをブロック単位でマスク遮
蔽手段１７によって遮蔽するようにすれば、複数個から
ブロックに構成された所望のマスクパターンのみを転写
することができるようになる。例えば、品種Ｂに対応し
たマスクパターン４ｂのみをウエハ基板６上に転写する
場合は、図７に示すように複数個のマスクパターン４ｂ
を除いて不所望のマスクパターン４ａ、４ｃ、４ｄを各
ブラインド基板２０の各不透明パターン１９によって遮
蔽すれば良い。
とに不所望のマスクパターンをブロック単位でマスク遮
蔽手段１７によって遮蔽するようにすれば、複数個から
ブロックに構成された所望のマスクパターンのみを転写
することができるようになる。例えば、品種Ｂに対応し
たマスクパターン４ｂのみをウエハ基板６上に転写する
場合は、図７に示すように複数個のマスクパターン４ｂ
を除いて不所望のマスクパターン４ａ、４ｃ、４ｄを各
ブラインド基板２０の各不透明パターン１９によって遮
蔽すれば良い。
【００３５】このような実施形態２によっても、実施形
態１と同様に、所望のマスクパターン４ｂを除いて不所
望のマスクパターン４ａ、４ｃ、４ｄを機械的動作精度
の高いマスク遮蔽手段１７によって遮蔽した状態で、所
望のマスクパターン４ｂをウエハ基板６上に転写するの
で、実施形態１と同様な効果を得ることができることに
加えて、マスクパターン４ｂが複数個からブロックに構
成されているので、スループットを向上できるという効
果を得ることができる。
態１と同様に、所望のマスクパターン４ｂを除いて不所
望のマスクパターン４ａ、４ｃ、４ｄを機械的動作精度
の高いマスク遮蔽手段１７によって遮蔽した状態で、所
望のマスクパターン４ｂをウエハ基板６上に転写するの
で、実施形態１と同様な効果を得ることができることに
加えて、マスクパターン４ｂが複数個からブロックに構
成されているので、スループットを向上できるという効
果を得ることができる。
【００３６】（実施形態３）図７は本発明の実施形態３
によるパターン形成方法に用いるマスク遮蔽手段１７を
示す断面図で、本実施形態においてはマスク遮蔽手段１
７を構成しているブラインド基板２０をマスク基板３の
下方に近接して配置した例を示している。
によるパターン形成方法に用いるマスク遮蔽手段１７を
示す断面図で、本実施形態においてはマスク遮蔽手段１
７を構成しているブラインド基板２０をマスク基板３の
下方に近接して配置した例を示している。
【００３７】このような実施形態３によっても、実施形
態１に比較してマスク基板３に対するマスク遮蔽手段１
７の配置位置が異なるだけなので、実施形態１と同様
に、所望のマスクパターン４ｂを除いて不所望のマスク
パターン４ａ、４ｃ、４ｄを機械的動作精度の高いマス
ク遮蔽手段１７によって遮蔽した状態で、所望のマスク
パターン４ｂをウエハ基板５上に転写するので、実施形
態１と同様な効果を得ることができる。
態１に比較してマスク基板３に対するマスク遮蔽手段１
７の配置位置が異なるだけなので、実施形態１と同様
に、所望のマスクパターン４ｂを除いて不所望のマスク
パターン４ａ、４ｃ、４ｄを機械的動作精度の高いマス
ク遮蔽手段１７によって遮蔽した状態で、所望のマスク
パターン４ｂをウエハ基板５上に転写するので、実施形
態１と同様な効果を得ることができる。
【００３８】以上、本発明者によってなされた発明を、
前記実施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は、
前記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸
脱しない範囲において種々変更可能であることは勿論で
ある。
前記実施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は、
前記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸
脱しない範囲において種々変更可能であることは勿論で
ある。
【００３９】例えば、前記実施形態では、マスク基板に
描いたマスクパターンの数および配置例は一例を示した
ものであり、目的、用途に応じて任意の変更が可能であ
る。
描いたマスクパターンの数および配置例は一例を示した
ものであり、目的、用途に応じて任意の変更が可能であ
る。
【００４０】また、前記実施形態では、半導体素子の一
例として半導体集積回路を製造する場合を例にあげて説
明したが、これに限らず液晶素子などのこれに類似した
微細加工を必要とする他の回路素子に適用することも可
能である。
例として半導体集積回路を製造する場合を例にあげて説
明したが、これに限らず液晶素子などのこれに類似した
微細加工を必要とする他の回路素子に適用することも可
能である。
【００４１】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野である半導体
集積回路に適用した場合について説明したが、それに限
定されるものではない。本発明は、少なくとも回路素子
の製造において微細加工を可能にするためにパターン形
成を行うことを条件とするものには適用できる。
なされた発明をその背景となった利用分野である半導体
集積回路に適用した場合について説明したが、それに限
定されるものではない。本発明は、少なくとも回路素子
の製造において微細加工を可能にするためにパターン形
成を行うことを条件とするものには適用できる。
【００４２】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記の通りである。
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記の通りである。
【００４３】マスク基板上に描かれている複数品種に対
応したマスクパターンのうち所望のマスクパターンをウ
エハ基板上に転写する場合、不所望のマスクパターンは
機械的動作精度の高いマスク遮蔽手段によって遮蔽され
た状態で、所望のマスクパターンをウエハ基板上に転写
するので、マスク基板上に描かれている複数品種のマス
クパターンのうち所望のものをウエハ基板上に転写する
場合、ウエハの利用率を低下させることなく、かつウエ
ハ基板内のチップ取得数を増加させることが可能とな
る。
応したマスクパターンのうち所望のマスクパターンをウ
エハ基板上に転写する場合、不所望のマスクパターンは
機械的動作精度の高いマスク遮蔽手段によって遮蔽され
た状態で、所望のマスクパターンをウエハ基板上に転写
するので、マスク基板上に描かれている複数品種のマス
クパターンのうち所望のものをウエハ基板上に転写する
場合、ウエハの利用率を低下させることなく、かつウエ
ハ基板内のチップ取得数を増加させることが可能とな
る。
【図１】本発明の実施形態１によるパターン形成方法を
実施するために用いる縮小投影露光装置の概要を示す構
成図である。
実施するために用いる縮小投影露光装置の概要を示す構
成図である。
【図２】本発明の実施形態１によるパターン形成方法に
用いるマスク基板を示す平面図である。
用いるマスク基板を示す平面図である。
【図３】本発明の実施形態１によるパターン形成方法に
用いるマスク遮蔽手段を示す断面図である。
用いるマスク遮蔽手段を示す断面図である。
【図４】本発明の実施形態１によるパターン形成方法を
説明する平面図である。
説明する平面図である。
【図５】本発明の実施形態１によるパターン形成方法に
よって得られたウエハ基板を示す平面図である。
よって得られたウエハ基板を示す平面図である。
【図６】本発明の実施形態２によるパターン形成方法に
用いるマスク基板を示す平面図である。
用いるマスク基板を示す平面図である。
【図７】本発明の実施形態２によるパターン形成方法を
説明する平面図である。
説明する平面図である。
【図８】本発明の実施形態３によるパターン形成方法に
用いるマスク遮蔽手段を示す断面図である。
用いるマスク遮蔽手段を示す断面図である。
１…光源、２…コンデンサレンズ、３…マスク基板（レ
チクル）、４、４ａ乃至４ｄ…マスクパターン、５…投
影レンズ、６…ウエハ基板、７…マスク位置制御手
段、、８…ステージ、９…Ｚステージ、１０…ＸＹステ
ージ、１１…システム制御系、１２…Ｚステージ駆動手
段、１３…ＸＹステージ駆動手段、１４…ベース、１５
…ミラー、１６…レーザ測長器、１７…マスク遮蔽手
段、１８…透明基板、１９…不透明パターン、２０…ブ
ラインド基板、２１…枠体、２２…駆動手段。
チクル）、４、４ａ乃至４ｄ…マスクパターン、５…投
影レンズ、６…ウエハ基板、７…マスク位置制御手
段、、８…ステージ、９…Ｚステージ、１０…ＸＹステ
ージ、１１…システム制御系、１２…Ｚステージ駆動手
段、１３…ＸＹステージ駆動手段、１４…ベース、１５
…ミラー、１６…レーザ測長器、１７…マスク遮蔽手
段、１８…透明基板、１９…不透明パターン、２０…ブ
ラインド基板、２１…枠体、２２…駆動手段。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５１５Ｆ
Claims (6)
- 【請求項１】 マスク基板上に描かれている複数品種の
マスクパターンを投影光学系を介してウエハ基板上に転
写するパターン形成方法であって、前記複数品種のマス
クパターンが各々異なるサイズで描かれているマスク基
板を用い、前記複数品種のマスクパターンのうち、所望
以外のマスクパターンを前記マスク基板に近接するよう
に配置したマスク遮蔽手段により遮蔽した状態で、所望
のマスクパターンのみをウエハ基板上に転写することを
特徴とするパターン形成方法。 - 【請求項２】 前記複数品種のマスクパターンのうち、
１つの所望のマスクパターンのみをウエハ基板上に転写
することを特徴とする請求項１に記載のパターン形成方
法。 - 【請求項３】 マスク基板上に描かれている複数品種の
マスクパターンを投影光学系を介してウエハ基板上に転
写するパターン形成装置であって、前記複数品種のマス
クパターンが各々異なるサイズで描かれているマスク基
板と、このマスク基板に近接して配置され、マスク基板
面に沿って移動可能で表面に前記マスクパターンのうち
所望のものを遮蔽する不透明パターンが形成された透明
基板から構成されたブラインド基板を有するマスク遮蔽
手段とを備えることを特徴とするパターン形成装置。 - 【請求項４】 前記マスク遮蔽手段は、前記マスク基板
面に沿って各々異なる方向に移動可能な複数のブライン
ド基板を有していることを特徴とする請求項３に記載の
パターン形成装置。 - 【請求項５】 前記マスク遮蔽手段は、前記マスク基板
面に沿って水平面において前後左右の４方向に移動可能
な４枚のブラインド基板を有していることを特徴とする
請求項４に記載のパターン形成装置。 - 【請求項６】 前記複数品種のマスクパターンは、各々
複数個からブロックに構成されていることを特徴とする
請求項３乃至５のいずれか１項に記載のパターン形成装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29288995A JPH09134870A (ja) | 1995-11-10 | 1995-11-10 | パターン形成方法および形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29288995A JPH09134870A (ja) | 1995-11-10 | 1995-11-10 | パターン形成方法および形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09134870A true JPH09134870A (ja) | 1997-05-20 |
Family
ID=17787699
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29288995A Pending JPH09134870A (ja) | 1995-11-10 | 1995-11-10 | パターン形成方法および形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09134870A (ja) |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004157327A (ja) * | 2002-11-06 | 2004-06-03 | Kawasaki Microelectronics Kk | 半導体デバイス用マスク、および露光方法 |
| US7150948B2 (en) | 2002-10-18 | 2006-12-19 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Photomask and method for exposing chip pattern |
| WO2007108420A1 (ja) * | 2006-03-20 | 2007-09-27 | Nikon Corporation | 走査型露光装置、マイクロデバイスの製造方法、マスク、投影光学装置、及びマスクの製造方法 |
| JP2008224754A (ja) * | 2007-03-08 | 2008-09-25 | Nsk Ltd | 分割逐次近接露光方法及び分割逐次近接露光装置 |
| JP2009088549A (ja) * | 2008-12-01 | 2009-04-23 | Kawasaki Microelectronics Kk | 露光方法 |
| US20130271945A1 (en) | 2004-02-06 | 2013-10-17 | Nikon Corporation | Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method |
| US8654307B2 (en) | 2006-03-20 | 2014-02-18 | Nikon Corporation | Scanning type exposure apparatus, method of manufacturing micro-apparatus, mask, projection optical apparatus, and method of manufacturing mask |
| US9341954B2 (en) | 2007-10-24 | 2016-05-17 | Nikon Corporation | Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| US9423698B2 (en) | 2003-10-28 | 2016-08-23 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus |
| US9678332B2 (en) | 2007-11-06 | 2017-06-13 | Nikon Corporation | Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| US9678437B2 (en) | 2003-04-09 | 2017-06-13 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus having distribution changing member to change light amount and polarization member to set polarization in circumference direction |
| US9885872B2 (en) | 2003-11-20 | 2018-02-06 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method with optical integrator and polarization member that changes polarization state of light |
| US9891539B2 (en) | 2005-05-12 | 2018-02-13 | Nikon Corporation | Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method |
| US10101666B2 (en) | 2007-10-12 | 2018-10-16 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
-
1995
- 1995-11-10 JP JP29288995A patent/JPH09134870A/ja active Pending
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| US7303843B2 (en) | 2002-10-18 | 2007-12-04 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Photomask and method for exposing chip pattern |
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| US9885959B2 (en) | 2003-04-09 | 2018-02-06 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus having deflecting member, lens, polarization member to set polarization in circumference direction, and optical integrator |
| US9678437B2 (en) | 2003-04-09 | 2017-06-13 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus having distribution changing member to change light amount and polarization member to set polarization in circumference direction |
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| US9760014B2 (en) | 2003-10-28 | 2017-09-12 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus |
| US9885872B2 (en) | 2003-11-20 | 2018-02-06 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method with optical integrator and polarization member that changes polarization state of light |
| US10281632B2 (en) | 2003-11-20 | 2019-05-07 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method with optical member with optical rotatory power to rotate linear polarization direction |
| US10007194B2 (en) | 2004-02-06 | 2018-06-26 | Nikon Corporation | Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method |
| US10241417B2 (en) | 2004-02-06 | 2019-03-26 | Nikon Corporation | Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method |
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| TWI408507B (zh) * | 2006-03-20 | 2013-09-11 | 尼康股份有限公司 | 掃描型曝光裝置、微元件的製造方法、光罩、投影光學裝置以及光罩的製造方法 |
| JP2007286580A (ja) * | 2006-03-20 | 2007-11-01 | Nikon Corp | 走査型露光装置、マイクロデバイスの製造方法、マスク、投影光学装置、及びマスクの製造方法 |
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