JPH01134919A - 光学投影露光装置 - Google Patents
光学投影露光装置Info
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- JPH01134919A JPH01134919A JP62292695A JP29269587A JPH01134919A JP H01134919 A JPH01134919 A JP H01134919A JP 62292695 A JP62292695 A JP 62292695A JP 29269587 A JP29269587 A JP 29269587A JP H01134919 A JPH01134919 A JP H01134919A
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- optical system
- semiconductor substrate
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- optical
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 46
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 27
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 23
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 abstract description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
-
- G—PHYSICS
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70275—Multiple projection paths, e.g. array of projection systems, microlens projection systems or tandem projection systems
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
- G03F7/70458—Mix-and-match, i.e. multiple exposures of the same area using a similar type of exposure apparatus, e.g. multiple exposures using a UV apparatus
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕 ゛
本発明は光学露光装置に関し、特に光学投影型の露光装
置の構造に関するものである。
置の構造に関するものである。
半導体装置を中心としてリソグラフィ技術は微細化及び
高精度な位置合せ技術が要求されている。
高精度な位置合せ技術が要求されている。
こうした要求を満たすための装置として近年第３図に示
すような投影型露光装置が実用化されている。第３図に
示した装置は投影露光装置の一例であるが、特にレンズ
系を用いた縮小投影露光装置の概略図を示しである。こ
の種の露光装置では光源１から発せられた光が所望の半
導体装置のパターンを形成しであるマスク２を透過して
縮小投影レンズ系３を通してＸ−Ｙステージ４にマスク
２のパターンを縮小して結像される。このＸ−Ｙステー
ジ４上に半導体基板６を設置しておくことにより、この
半導体栽板６の表面に塗布された感光性ホトレジストを
感光させる。例えば縮小率が１／１０とし、マスク２に
５１０のパターンが形成されていると、半導体基板６の
表面では５ｍｍ０に縮小されて露光される。このため、
大きな面積を持つ半導体基板６ではＸ−Ｙステージ４を
移動させて第４図に示したように繰返し露光を行うこと
により、半導体基板の全面にマスク２の繰返しパターン
８を形成することができる。この種の露光装置ではこう
した繰返し露光及び別なマスクを使用してのパターンの
重ね合せを行うため、Ｘ−Ｙステージ４に非常に高精度
の位置再現性が行える構造になっている。
すような投影型露光装置が実用化されている。第３図に
示した装置は投影露光装置の一例であるが、特にレンズ
系を用いた縮小投影露光装置の概略図を示しである。こ
の種の露光装置では光源１から発せられた光が所望の半
導体装置のパターンを形成しであるマスク２を透過して
縮小投影レンズ系３を通してＸ−Ｙステージ４にマスク
２のパターンを縮小して結像される。このＸ−Ｙステー
ジ４上に半導体基板６を設置しておくことにより、この
半導体栽板６の表面に塗布された感光性ホトレジストを
感光させる。例えば縮小率が１／１０とし、マスク２に
５１０のパターンが形成されていると、半導体基板６の
表面では５ｍｍ０に縮小されて露光される。このため、
大きな面積を持つ半導体基板６ではＸ−Ｙステージ４を
移動させて第４図に示したように繰返し露光を行うこと
により、半導体基板の全面にマスク２の繰返しパターン
８を形成することができる。この種の露光装置ではこう
した繰返し露光及び別なマスクを使用してのパターンの
重ね合せを行うため、Ｘ−Ｙステージ４に非常に高精度
の位置再現性が行える構造になっている。
しかしながら、上述した従来の投影露光装置では第４図
のマスク２に設定されたパターン８と同一パターンを繰
返し露光する場合には問題は起こらないが、例えば第５
図に示したように、少なくとも一つ以上のマスク２とは
異なる２つのパターン８，９を同一半導体基板６上に連
続して形成することはできない。
のマスク２に設定されたパターン８と同一パターンを繰
返し露光する場合には問題は起こらないが、例えば第５
図に示したように、少なくとも一つ以上のマスク２とは
異なる２つのパターン８，９を同一半導体基板６上に連
続して形成することはできない。
これを無理に行う場合には異なるパターンを形成する部
分を予め露光せずに、マスク２を別の所望のマスクに変
更してから、再び露光しなければならない、このため、
作業が非常に繁雑になり実用上使用困難である。
分を予め露光せずに、マスク２を別の所望のマスクに変
更してから、再び露光しなければならない、このため、
作業が非常に繁雑になり実用上使用困難である。
本発明の目的は前記問題点を解消した光学投影露光装置
を提供することにある。
を提供することにある。
上述した露光装置に対して１本発明は同一基板上の任意
の位置に異なったパターンを連続して少なくとも一つ以
上簡単に露光できるという相違点を有する。
の位置に異なったパターンを連続して少なくとも一つ以
上簡単に露光できるという相違点を有する。
本発明は光源を用いてマスクのパターンを半導体基板の
表面に露光転写する光学系を有する光学投影露光装置に
おいて、２以上の光学系を並列に配設し、さらに各光学
系の露光領域に半導体基板を移送するステージを装備し
たことを特徴とする光学投影露光装置である。
表面に露光転写する光学系を有する光学投影露光装置に
おいて、２以上の光学系を並列に配設し、さらに各光学
系の露光領域に半導体基板を移送するステージを装備し
たことを特徴とする光学投影露光装置である。
以下、本発明の実施例を図により説明する。
（実施例１）
第１図は本発明の第１の実施例を示す構成図である。第
１図において、本発明は、光源１、マスク２、投影レン
ズ系３からなる２つの光学系Ａ、Ｂを並列に配列し、さ
らに、各光学系Ａ、Ｂの露光領域に半導体基板６を移送
するＸ−Ｙステージ４を定盤７上に設置したものである
。尚、光学系Ａ、Ｂは縮小パターンの露光を行う縮小光
学系を用いている。
１図において、本発明は、光源１、マスク２、投影レン
ズ系３からなる２つの光学系Ａ、Ｂを並列に配列し、さ
らに、各光学系Ａ、Ｂの露光領域に半導体基板６を移送
するＸ−Ｙステージ４を定盤７上に設置したものである
。尚、光学系Ａ、Ｂは縮小パターンの露光を行う縮小光
学系を用いている。
実施例において、第４図に示すような繰返しパターンは
主に光学系Ａで連続露光し、予め制御装置に指定された
位置にＸ−Ｙステージ４が来たときだけステージ４によ
り半導体基板６の特定箇所を他方の光学系Ｂの露光領域
に移送して光学系Ｂに設置したマスク２による別のパタ
ーンを形成する。光学系Ｂの露光が終了した後、再び光
学系Ａにステージ４が移動し、最初の繰返しパターンを
露光する。
主に光学系Ａで連続露光し、予め制御装置に指定された
位置にＸ−Ｙステージ４が来たときだけステージ４によ
り半導体基板６の特定箇所を他方の光学系Ｂの露光領域
に移送して光学系Ｂに設置したマスク２による別のパタ
ーンを形成する。光学系Ｂの露光が終了した後、再び光
学系Ａにステージ４が移動し、最初の繰返しパターンを
露光する。
本実施例では光源１を２つ設けであるが、１つの光源か
ら光を分割して２つの光学系に照射してもよい。
ら光を分割して２つの光学系に照射してもよい。
（実施例２）
第２図は本発明の第２の実施例を示す構成図である。本
実施例は実施例１と同様２組の光学系ＣとＡを有してい
るが、光学系Ｃは等倍の露光を行う光学系であり、他の
光学系Ａは縮小の露光を行う光学系である。
実施例は実施例１と同様２組の光学系ＣとＡを有してい
るが、光学系Ｃは等倍の露光を行う光学系であり、他の
光学系Ａは縮小の露光を行う光学系である。
すなわち１本実施例では、等倍の光学系Ｃを用いて半導
体基板６の全面に第１のパターンを露光した後、縮小光
学系Ａを用いて第２のパターンを予め露光した一部の領
域にのみ露光する。
体基板６の全面に第１のパターンを露光した後、縮小光
学系Ａを用いて第２のパターンを予め露光した一部の領
域にのみ露光する。
尚、第３の光学系を追加すれば縮小率を変えて第３のパ
ターンを所望の領域に露光することができる。
ターンを所望の領域に露光することができる。
ステージは光学系を移動する粗調ステージ５と、繰返し
パターンを露光するＸ−Ｙステージ４と分けてもよい。
パターンを露光するＸ−Ｙステージ４と分けてもよい。
以上説明したように本発明によれば、半導体基板の一部
に第１の繰返しパターンとは異なる第２のパターンを連
続して露光することができ、これにより、半導体基板の
製造プロセスをチエツクするためのパターンを第２のパ
ターンとして半導体基板内に例えば数ケ所のみ入れるこ
とが可能となり、製品製造の効率を向上できる。
に第１の繰返しパターンとは異なる第２のパターンを連
続して露光することができ、これにより、半導体基板の
製造プロセスをチエツクするためのパターンを第２のパ
ターンとして半導体基板内に例えば数ケ所のみ入れるこ
とが可能となり、製品製造の効率を向上できる。
また光学系を２組以上設けることにより、任意のマスク
パターンを一つの基板状に混在して形成することができ
、これにより、マスクの組合せを変えることにより自由
に半導体基板のレイアウトが行え、少量、多品種の製品
を製造する場合にコストの低減ができる。
パターンを一つの基板状に混在して形成することができ
、これにより、マスクの組合せを変えることにより自由
に半導体基板のレイアウトが行え、少量、多品種の製品
を製造する場合にコストの低減ができる。
また、等倍あるいは縮小率を変えた光学系を混在させる
ことにより、一つの製品内の一部のパターンを変更する
ことが可能であり、このため、基本パターンを一つ形成
しておいて必要な場所に違う回路を組み込むことができ
る。
ことにより、一つの製品内の一部のパターンを変更する
ことが可能であり、このため、基本パターンを一つ形成
しておいて必要な場所に違う回路を組み込むことができ
る。
さらに光学系を２組持つことにより、第１の光学系は例
えば１μ以上、第２の光学系は１μ以下の精度に設定し
、精度を変更して露光することができ、一つのパターン
の露光に際して微細露光の精度を変えて露光することが
できる。 ・さらに、一つの繰返しパターンに対しそ
れぞれ別のパターンを用いて２重露光することも可能で
あり、またマスクの変更、光学系の変更を行うことによ
り種々の露光を行うことができる効果を有するものであ
る。
えば１μ以上、第２の光学系は１μ以下の精度に設定し
、精度を変更して露光することができ、一つのパターン
の露光に際して微細露光の精度を変えて露光することが
できる。 ・さらに、一つの繰返しパターンに対しそ
れぞれ別のパターンを用いて２重露光することも可能で
あり、またマスクの変更、光学系の変更を行うことによ
り種々の露光を行うことができる効果を有するものであ
る。
第１図は本発明の実施例１を示す構成図、第２図は本発
明の実施例２を示す構成図、第３図は従来の投影露光装
置を示す構成図、第４図は半導体基板上の繰返しパター
ンの例を示す図、第５図は半導体基板上の繰返しパター
ンの一部に別のパターンを露光した例を示す図である。
明の実施例２を示す構成図、第３図は従来の投影露光装
置を示す構成図、第４図は半導体基板上の繰返しパター
ンの例を示す図、第５図は半導体基板上の繰返しパター
ンの一部に別のパターンを露光した例を示す図である。
Claims (1)
- （１）光源を用いてマスクのパターンを半導体基板の表
面に露光転写する光学系を有する光学投影露光装置にお
いて、２以上の光学系を並列に配設し、さらに各光学系
の露光領域に半導体基板を移送するステージを装備した
ことを特徴とする光学投影露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62292695A JPH01134919A (ja) | 1987-11-19 | 1987-11-19 | 光学投影露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62292695A JPH01134919A (ja) | 1987-11-19 | 1987-11-19 | 光学投影露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01134919A true JPH01134919A (ja) | 1989-05-26 |
Family
ID=17785103
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62292695A Pending JPH01134919A (ja) | 1987-11-19 | 1987-11-19 | 光学投影露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01134919A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06291017A (ja) * | 1992-04-17 | 1994-10-18 | Canon Inc | 半導体製造装置 |
| JPH11143085A (ja) * | 1997-11-06 | 1999-05-28 | Canon Inc | 露光方法及び露光装置 |
| JP2001007020A (ja) * | 2000-01-01 | 2001-01-12 | Canon Inc | 露光方法及び露光装置 |
| JP2001142224A (ja) * | 1999-08-31 | 2001-05-25 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
| JP2008203857A (ja) * | 2007-02-22 | 2008-09-04 | Nikon Corp | 露光方法、フラットパネルディスプレイ用の基板の製造方法、及び露光装置 |
-
1987
- 1987-11-19 JP JP62292695A patent/JPH01134919A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06291017A (ja) * | 1992-04-17 | 1994-10-18 | Canon Inc | 半導体製造装置 |
| JPH11143085A (ja) * | 1997-11-06 | 1999-05-28 | Canon Inc | 露光方法及び露光装置 |
| JP2001142224A (ja) * | 1999-08-31 | 2001-05-25 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
| JP4628531B2 (ja) * | 1999-08-31 | 2011-02-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| JP2001007020A (ja) * | 2000-01-01 | 2001-01-12 | Canon Inc | 露光方法及び露光装置 |
| JP2008203857A (ja) * | 2007-02-22 | 2008-09-04 | Nikon Corp | 露光方法、フラットパネルディスプレイ用の基板の製造方法、及び露光装置 |
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