JPS6214428A - 縮小投影型露光方法 - Google Patents
縮小投影型露光方法Info
- Publication number
- JPS6214428A JPS6214428A JP60153793A JP15379385A JPS6214428A JP S6214428 A JPS6214428 A JP S6214428A JP 60153793 A JP60153793 A JP 60153793A JP 15379385 A JP15379385 A JP 15379385A JP S6214428 A JPS6214428 A JP S6214428A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- exposure
- mask
- pattern
- wafer
- mask pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、露光方法に関し、特に縮小投影型露光装置に
よる露光方法に関する。
よる露光方法に関する。
縮小投影型露光装置は、第３図に示すように光源１１か
ら発する光をブラインド１２によって露光領域を制限し
、露光用フォトマスク１６上に描かれたマスクパターン
１４をレンズ１６を使って縮小し、この縮小像をウェハ
ー上に転写する。ウェハー１７を乗せたステージ１Ｂは
１回の露光ごとにＸ方向あるいはｙ方向に１チツプずつ
移動して、ウェハー全面に露光を行う。
ら発する光をブラインド１２によって露光領域を制限し
、露光用フォトマスク１６上に描かれたマスクパターン
１４をレンズ１６を使って縮小し、この縮小像をウェハ
ー上に転写する。ウェハー１７を乗せたステージ１Ｂは
１回の露光ごとにＸ方向あるいはｙ方向に１チツプずつ
移動して、ウェハー全面に露光を行う。
従来、一般に多方面付された露光用フォトマスク、例え
ば第４図１ζ示すようなマスクパターン人２１、マスク
パターンＢｘｚの２面付の露光用フォトマスク２０を露
光する場合、ブラインド１２の開口領域を回路パターン
人、Ｂを含む領域にして露光を行う為ｌζ、第５図に示
すようにすべてマスクパターン人、Ｂで露光される。
ば第４図１ζ示すようなマスクパターン人２１、マスク
パターンＢｘｚの２面付の露光用フォトマスク２０を露
光する場合、ブラインド１２の開口領域を回路パターン
人、Ｂを含む領域にして露光を行う為ｌζ、第５図に示
すようにすべてマスクパターン人、Ｂで露光される。
しかしながら、マスクパターンＢｚｚ がウェハー上
に数チップあればよいパターン、例えば、機能上必要の
ないプロセス、又は１回路チェック％に使用するパター
ンであれば上述した露光方法は、必要でないパターンと
、必要なパターンとが同じ数だけ露光され、露光パター
ンの選択の余地は全くなく便用効率が非常に悪い。
に数チップあればよいパターン、例えば、機能上必要の
ないプロセス、又は１回路チェック％に使用するパター
ンであれば上述した露光方法は、必要でないパターンと
、必要なパターンとが同じ数だけ露光され、露光パター
ンの選択の余地は全くなく便用効率が非常に悪い。
本発明の縮小投影型露光装置は、少なくとも２つ以上の
異なる種類のマスクパターンを有し、かつ各々のマスク
パターン領域が等しい露光用フォトマスクを用い、マス
クの露光領域を前記露光用フォトマスクの１つのマスク
パターン領域に設定して、１枚のウェハーを露光中に前
記露光用フォトマスクパターンの種類をかえて露光する
ことを％漱とする。
異なる種類のマスクパターンを有し、かつ各々のマスク
パターン領域が等しい露光用フォトマスクを用い、マス
クの露光領域を前記露光用フォトマスクの１つのマスク
パターン領域に設定して、１枚のウェハーを露光中に前
記露光用フォトマスクパターンの種類をかえて露光する
ことを％漱とする。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１因に示すように、露光用フォトマスク６は、２ｆｊ
１ＭのマスクパターンＡ４、マスクパターンＢ５をもち
、各々のマスクパターン領域は等しい。
１ＭのマスクパターンＡ４、マスクパターンＢ５をもち
、各々のマスクパターン領域は等しい。
ブラインド２の開口領域３は、露光用フォトマスク６の
１つのマスクパターンの領域に設定する。
１つのマスクパターンの領域に設定する。
露光用フォトマスク６を設置する構造は、マスクパター
ンＡ４でもマスクパターンＢ５でもブラインド２の開口
領域３の下にくるような水平移動式第２図に示すような
パターン配置で２種類のマスクパターンを露光する場合
はじめはマスクパターン人４で露光を行っていき、マス
クパターンＢ５が必要な位置にきた時、ウェハーステー
ジ９の移動と共に露光用フォトマスク６のマスクパター
ンＢ５をブラインド２の開口領域３゛の下へ移動させて
露光を行い、次の位置で、また露光用フォトマスク６を
マスクパターンＡ４に換えて露光を行う。この操作をく
り返して露光を行っていく。
ンＡ４でもマスクパターンＢ５でもブラインド２の開口
領域３の下にくるような水平移動式第２図に示すような
パターン配置で２種類のマスクパターンを露光する場合
はじめはマスクパターン人４で露光を行っていき、マス
クパターンＢ５が必要な位置にきた時、ウェハーステー
ジ９の移動と共に露光用フォトマスク６のマスクパター
ンＢ５をブラインド２の開口領域３゛の下へ移動させて
露光を行い、次の位置で、また露光用フォトマスク６を
マスクパターンＡ４に換えて露光を行う。この操作をく
り返して露光を行っていく。
以上説明したように本発明は、少なくとも２つ以上の異
なる種類のマスクパターンを有し、各々のマスクパター
ン領域が等しい露光用フォトマスクを用い、ブラインド
の開口領域を前記露光用フォトマスクの１つのマスクパ
ターン領域に設定して縮小投影型露光を行う露光方法に
おいて、１枚のウェハーを露光中に前記露光用フォトマ
スクのマスクパターンの種類をかえて露光することによ
り、１枚のウェハーに、多種類のマスクパターンを、希
望する位置に希望する数だけ露光できる効果がある。
なる種類のマスクパターンを有し、各々のマスクパター
ン領域が等しい露光用フォトマスクを用い、ブラインド
の開口領域を前記露光用フォトマスクの１つのマスクパ
ターン領域に設定して縮小投影型露光を行う露光方法に
おいて、１枚のウェハーを露光中に前記露光用フォトマ
スクのマスクパターンの種類をかえて露光することによ
り、１枚のウェハーに、多種類のマスクパターンを、希
望する位置に希望する数だけ露光できる効果がある。
第１図は本発明の実施例を示す縮小投影型露光装置の原
理図、第２図は本発明の実施例を示す露光パターン配置
図、第３図は従来の実施例を示す縮小投影製露光装置の
原理図、第４図は２面付けの露光用フォトマスク、Ｗｃ
Ｓ図は従来の実施例を示す露光パターン配置図である。 １．１１・・・・・・光源、２，１２・・・・・・ブラ
インド、３．１３・・・・・・開口領域、４．５．１４
，２１゜２２・・・・・・マスクパターン、６，１５．
２０・・・・・・露光用フォトマスク、７．１６・・・
・・・レンズ、８゜１フ・・・・・・ウェハー、９，１
８・・・・・・ウェハーステージ。 代理人 弁理士 内 原 音 １茅 ｌ 図 茅 ４ 図
理図、第２図は本発明の実施例を示す露光パターン配置
図、第３図は従来の実施例を示す縮小投影製露光装置の
原理図、第４図は２面付けの露光用フォトマスク、Ｗｃ
Ｓ図は従来の実施例を示す露光パターン配置図である。 １．１１・・・・・・光源、２，１２・・・・・・ブラ
インド、３．１３・・・・・・開口領域、４．５．１４
，２１゜２２・・・・・・マスクパターン、６，１５．
２０・・・・・・露光用フォトマスク、７．１６・・・
・・・レンズ、８゜１フ・・・・・・ウェハー、９，１
８・・・・・・ウェハーステージ。 代理人 弁理士 内 原 音 １茅 ｌ 図 茅 ４ 図
Claims (1)
- 少なくとも２つ以上の異なる種類のマスクパターンを有
し、かつ各々のマスクパターン領域が等しい露光用フォ
トマスクを用いる縮小投影型露光を行う方法において、
マスクの露光領域を前記露光用フォトマスクの１つのマ
スクパターン領域に設定し、１枚のウェハーを露光する
ことを特徴とする縮小投影露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60153793A JPS6214428A (ja) | 1985-07-12 | 1985-07-12 | 縮小投影型露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60153793A JPS6214428A (ja) | 1985-07-12 | 1985-07-12 | 縮小投影型露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6214428A true JPS6214428A (ja) | 1987-01-23 |
Family
ID=15570253
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60153793A Pending JPS6214428A (ja) | 1985-07-12 | 1985-07-12 | 縮小投影型露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6214428A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS645433U (ja) * | 1987-06-29 | 1989-01-12 | ||
| US5696013A (en) * | 1991-03-18 | 1997-12-09 | Fujitsu Limited | Method of manufacturing semiconductor device having unit circuit-blocks |
-
1985
- 1985-07-12 JP JP60153793A patent/JPS6214428A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS645433U (ja) * | 1987-06-29 | 1989-01-12 | ||
| US5696013A (en) * | 1991-03-18 | 1997-12-09 | Fujitsu Limited | Method of manufacturing semiconductor device having unit circuit-blocks |
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