JPS63107023A - 縮小投影露光装置 - Google Patents
縮小投影露光装置Info
- Publication number
- JPS63107023A JPS63107023A JP61251637A JP25163786A JPS63107023A JP S63107023 A JPS63107023 A JP S63107023A JP 61251637 A JP61251637 A JP 61251637A JP 25163786 A JP25163786 A JP 25163786A JP S63107023 A JPS63107023 A JP S63107023A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- reticle
- reticule
- area
- reduction projection
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体素子等の製造工程で使用される縮小投
影露光装置に係り、特に、微細パターンを有する大面積
素子パターンの転写に好適な装置に関する。
影露光装置に係り、特に、微細パターンを有する大面積
素子パターンの転写に好適な装置に関する。
ホトマスク上に描かれている素子パターンを縮小レンズ
を通してウェーハ上に転写する縮小投影露光において、
従来の装置は転写すべき素子パターンの面積は縮小レン
ズの投影可能な面積以下であることを前提としている。
を通してウェーハ上に転写する縮小投影露光において、
従来の装置は転写すべき素子パターンの面積は縮小レン
ズの投影可能な面積以下であることを前提としている。
大面積のパターンを転写する際には、素子パターンを複
数個の領域に分割し、各々のパターンが描かれている複
数のホトマクスを用いて各パターンをつなぎ合せていく
方法をとらざるを得ない。
数個の領域に分割し、各々のパターンが描かれている複
数のホトマクスを用いて各パターンをつなぎ合せていく
方法をとらざるを得ない。
近年の素子パターンの高集積化が伴い、転写パターン微
細化および素子の大面積化が進んでいる。
細化および素子の大面積化が進んでいる。
現在、縮小投影露光装置を用いたパターン転写が主流と
なっているが、その露光光学系の中心である縮小投影レ
ンズに、高い解像力と大きな投影面積の両方を同時に満
足させることは困難である。
なっているが、その露光光学系の中心である縮小投影レ
ンズに、高い解像力と大きな投影面積の両方を同時に満
足させることは困難である。
すなわち、開口数（ＮＡ）が大きく解像力の高いレンズ
では大きな素子パターンを転写できるだけの投影面積を
得にくく、逆に投影面積を大きくすると所望の解像力を
得にくいのが現状である。したがって大面積の素子パタ
ーン転写においては、素子の一部分のパターンが描かれ
たホトマスクを複数枚準備し、ウェーハ上に各々のパタ
ーンをつなぎ合せて転写せざるを得ない、このため、複
数のホトマスクの製作と検査およびパターン転写時のホ
トマスクの交換等、そのプロセスは極めて煩雑である。
では大きな素子パターンを転写できるだけの投影面積を
得にくく、逆に投影面積を大きくすると所望の解像力を
得にくいのが現状である。したがって大面積の素子パタ
ーン転写においては、素子の一部分のパターンが描かれ
たホトマスクを複数枚準備し、ウェーハ上に各々のパタ
ーンをつなぎ合せて転写せざるを得ない、このため、複
数のホトマスクの製作と検査およびパターン転写時のホ
トマスクの交換等、そのプロセスは極めて煩雑である。
本発明の目的は、高い解像力を有する縮小投影レンズを
搭載し、かつ一枚のホトマスクを用いて大面積の素子パ
ターンの転写が可能な縮小投影露光装置を提供すること
にある。
搭載し、かつ一枚のホトマスクを用いて大面積の素子パ
ターンの転写が可能な縮小投影露光装置を提供すること
にある。
上記目的を達成するために、本発明の縮小投影露光装置
では、微細パターンの転写が可能な高ＮＡの縮小レンズ
を搭載した。同時に大面積の素子パターンが描かれたホ
トマスク（以下レティクルと称す）を装着でき、かつそ
のレティクルを予め指定した所定の位置に位置決めでき
るレティクルステージを搭載し、１枚のレティクル上に
描かれている素子パターンを複数個の領域に分割して露
光できるようにした。
では、微細パターンの転写が可能な高ＮＡの縮小レンズ
を搭載した。同時に大面積の素子パターンが描かれたホ
トマスク（以下レティクルと称す）を装着でき、かつそ
のレティクルを予め指定した所定の位置に位置決めでき
るレティクルステージを搭載し、１枚のレティクル上に
描かれている素子パターンを複数個の領域に分割して露
光できるようにした。
縮小投影露光装置に高ＮＡの縮小レンズを搭載すること
により、ウェーハ上への微細パターンの転写が可能であ
る。また任意の位置に位置決めできるレティクルステー
ジを設けることにより、−回の露光により転写可能な面
積より大きな面積を有する回転パターンの所定の領域が
転写できる。
により、ウェーハ上への微細パターンの転写が可能であ
る。また任意の位置に位置決めできるレティクルステー
ジを設けることにより、−回の露光により転写可能な面
積より大きな面積を有する回転パターンの所定の領域が
転写できる。
したがって、素子パターンを複数の領域に分割して露光
することができ、これをつなぎ合せることにより、１枚
のレティクル上に描かれている大面積の素子パターンを
ウェーハ上に形成することができる。
することができ、これをつなぎ合せることにより、１枚
のレティクル上に描かれている大面積の素子パターンを
ウェーハ上に形成することができる。
以下１本発明を実施例を用いて説明する。第１図は、本
発明の縮７１％投影露光装置を示す図である。
発明の縮７１％投影露光装置を示す図である。
光ＷＸ１から出る照明光はコンデンサレンズ２を通して
レティクル３を照明する、レティクル３上には、縮小投
影露光装置の投影可能な面積より大きい面積の素子パタ
ーンが複数個に分割されて描かれている。第２図は、ひ
とつの素子パターンを４個に分割したパターン４−１．
４−２．４−３゜４−４が描かれているレティクル３の
例を示す。
レティクル３を照明する、レティクル３上には、縮小投
影露光装置の投影可能な面積より大きい面積の素子パタ
ーンが複数個に分割されて描かれている。第２図は、ひ
とつの素子パターンを４個に分割したパターン４−１．
４−２．４−３゜４−４が描かれているレティクル３の
例を示す。
また１分割されたそれぞれのパターンに対応して。
レティクルの位置決めを行なうためのレティクルアライ
メントマーク４−５も設けられている。
メントマーク４−５も設けられている。
レティクル３は、レティクルアライメントマーク４−５
の位置に応じて所定の位置に移動し位置決めできるレテ
ィクルステージ５上に装着されている。第１図は、レテ
ィクル３上のパターンのうちパターン４−１がウェーハ
７上に転写できるようにレティクルステージ５を位置決
めした例を示している９通常、縮小投影露光装置には、
光源１とレティクル３との間に露光領域を制限できるア
パーチャ（図示していない）が設けられているので、所
望のパターン以外のパターンがウェーハ上に転写される
ことはない０以上の手段でパターン４−１．４−２．４
−３．４−４をそれぞれに対応するレティクルアライメ
ントマーク４−５を用いて露光領域内に位置合せして順
次転写していくことにより、大面積の素子パターンの転
写が行なえる。ウェーハ７をのせたＸＹステージ８の位
置は常にレーザ測長器９によりモニタされているのでそ
の位置決めは正確である。またレティクル３もレティク
ルアライメントマーク４−５を用いて回転装着誤差がな
くなるようにアライメントされている。したがって、分
割して露光されたパターンのウェーハ７上でのつなぎ合
せ誤差は無視できるほど小さい。
の位置に応じて所定の位置に移動し位置決めできるレテ
ィクルステージ５上に装着されている。第１図は、レテ
ィクル３上のパターンのうちパターン４−１がウェーハ
７上に転写できるようにレティクルステージ５を位置決
めした例を示している９通常、縮小投影露光装置には、
光源１とレティクル３との間に露光領域を制限できるア
パーチャ（図示していない）が設けられているので、所
望のパターン以外のパターンがウェーハ上に転写される
ことはない０以上の手段でパターン４−１．４−２．４
−３．４−４をそれぞれに対応するレティクルアライメ
ントマーク４−５を用いて露光領域内に位置合せして順
次転写していくことにより、大面積の素子パターンの転
写が行なえる。ウェーハ７をのせたＸＹステージ８の位
置は常にレーザ測長器９によりモニタされているのでそ
の位置決めは正確である。またレティクル３もレティク
ルアライメントマーク４−５を用いて回転装着誤差がな
くなるようにアライメントされている。したがって、分
割して露光されたパターンのウェーハ７上でのつなぎ合
せ誤差は無視できるほど小さい。
ウェーハ７上の全面に素子パターンを転写する場合、ま
ず、レティクル３上にある分割されたひとつのパターン
をウェーハ７上の所定のすべての位置に露光し、次に他
のパターンについても同様に露光していくことが望まし
い。
ず、レティクル３上にある分割されたひとつのパターン
をウェーハ７上の所定のすべての位置に露光し、次に他
のパターンについても同様に露光していくことが望まし
い。
第２図に示すレティクルにおいて、各パターン４−１〜
４−４のウェーハ７上でのつなぎ合せ誤差がある程度許
容できる場合は、レティクルアライメントマーク４−５
を分割されたパターンのそれぞれに対応して設けること
なく、レティクル３に１組だけ設けてもよい、この場合
、レティクル３は最初にアライメントされた後、レティ
クルステージ５を所定量移動することによりレテイクル
３上の所望のパターンが転写できるようになる。
４−４のウェーハ７上でのつなぎ合せ誤差がある程度許
容できる場合は、レティクルアライメントマーク４−５
を分割されたパターンのそれぞれに対応して設けること
なく、レティクル３に１組だけ設けてもよい、この場合
、レティクル３は最初にアライメントされた後、レティ
クルステージ５を所定量移動することによりレテイクル
３上の所望のパターンが転写できるようになる。
露光領域を制限するアパーチャのエツジ部のぼけはレテ
ィクル３上で約５０μｍ程度なので、分割されたパター
ン相互の間隔は５０μｍ程度でよい。
ィクル３上で約５０μｍ程度なので、分割されたパター
ン相互の間隔は５０μｍ程度でよい。
以上に述べた例は、レティクル３上に素子パターンを分
割して描いである場合である。これに対して、素子パタ
ーンのレイアウトを調整して微細パターンが存在しない
領域を設けておくと、本来の大きさの素子パターンを分
割することなく描いであるレティクルにおいても本発明
が適用できる。
割して描いである場合である。これに対して、素子パタ
ーンのレイアウトを調整して微細パターンが存在しない
領域を設けておくと、本来の大きさの素子パターンを分
割することなく描いであるレティクルにおいても本発明
が適用できる。
この場合、微細パターンが存在しない領域は、第２図に
示すレティクルパターン４−１〜４−４の間の境界領域
の役割を果たす、つまり、第３図の例に示すように、転
写すべき素子パターン１０のうち、微細パターンが存在
しない細長い領域１〇−３で区切られたパターン領域１
０−１．１０−２を順次投影可能領域に来るようにレテ
ィクルステージを移動、位置決めし、露光を行なえばよ
い。
示すレティクルパターン４−１〜４−４の間の境界領域
の役割を果たす、つまり、第３図の例に示すように、転
写すべき素子パターン１０のうち、微細パターンが存在
しない細長い領域１〇−３で区切られたパターン領域１
０−１．１０−２を順次投影可能領域に来るようにレテ
ィクルステージを移動、位置決めし、露光を行なえばよ
い。
この場合は、レティクル上の素子パターンの作成に当り
従来と何ら変わらない方法で行なえるという利点がある
。更にこの場合は、ＸＹステージ８の位置とレティクル
ステージ５の位置を一定の比率で同期させながら、スリ
ット走査露光転写することも可能である。
従来と何ら変わらない方法で行なえるという利点がある
。更にこの場合は、ＸＹステージ８の位置とレティクル
ステージ５の位置を一定の比率で同期させながら、スリ
ット走査露光転写することも可能である。
以上、本実施例によれば、高ＮＡの縮小レンズの使用に
よる微細パターンの転写と１枚のレティクル上に描かれ
ている大面積の素子パターンの転写とが両立するという
効果がある。
よる微細パターンの転写と１枚のレティクル上に描かれ
ている大面積の素子パターンの転写とが両立するという
効果がある。
本発明によれば、高ＮＡの縮小レンズを使用しているこ
とから微細パターンの転写が可能であり、同時にレティ
クル上に描かれている素子パターンを分割露光できるの
で１枚のレティクルに描かれている大面積の素子パター
ンの転写が可能である。
とから微細パターンの転写が可能であり、同時にレティ
クル上に描かれている素子パターンを分割露光できるの
で１枚のレティクルに描かれている大面積の素子パター
ンの転写が可能である。
このため、ひとつのパターンに対応するレティクルは１
枚でよく、レティクルの検査および管理が簡素化できる
という効果がある。また、分割露光によるパターン転写
において、複数のレティクルを交換する必要がないので
、露光工程に要する時間を短縮できるという効果もある
。
枚でよく、レティクルの検査および管理が簡素化できる
という効果がある。また、分割露光によるパターン転写
において、複数のレティクルを交換する必要がないので
、露光工程に要する時間を短縮できるという効果もある
。
第１図は本発明の実施例の縮小投影露光装置を示す斜視
図、第２図及び第３図は本発明に使用するレティクルの
例を示す図である。 ３・・・レティクル、４−１〜４−４・・・レティクル
上のパターン、４−５・・・レティクルアライメントマ
ーク、５・・・レティクルステージ、８・・・ＸＹステ
ー羽ｌ記 第２図 第３Σ ５Ｉ／Ｔ４クルスプーン
図、第２図及び第３図は本発明に使用するレティクルの
例を示す図である。 ３・・・レティクル、４−１〜４−４・・・レティクル
上のパターン、４−５・・・レティクルアライメントマ
ーク、５・・・レティクルステージ、８・・・ＸＹステ
ー羽ｌ記 第２図 第３Σ ５Ｉ／Ｔ４クルスプーン
Claims (1)
- １ 縮小投影レンズの転写可能領域より広い領域を有す
るパターン原画（レテイクル）の搭載が可能なレテイク
ルステージと、該レテイクル上に描かれているパターン
の所定の領域を該転写可能領域内に位置決めできるよう
に該レテイクルステージを位置決めする手段とを有する
ことを特徴とする縮小投影露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61251637A JPS63107023A (ja) | 1986-10-24 | 1986-10-24 | 縮小投影露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61251637A JPS63107023A (ja) | 1986-10-24 | 1986-10-24 | 縮小投影露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63107023A true JPS63107023A (ja) | 1988-05-12 |
Family
ID=17225782
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61251637A Pending JPS63107023A (ja) | 1986-10-24 | 1986-10-24 | 縮小投影露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63107023A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7423722B2 (en) | 2004-01-29 | 2008-09-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
-
1986
- 1986-10-24 JP JP61251637A patent/JPS63107023A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7423722B2 (en) | 2004-01-29 | 2008-09-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
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