JPH09148221A - 露光方法及び露光装置及びそれに用いるレチクル - Google Patents
露光方法及び露光装置及びそれに用いるレチクルInfo
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- JPH09148221A JPH09148221A JP30315995A JP30315995A JPH09148221A JP H09148221 A JPH09148221 A JP H09148221A JP 30315995 A JP30315995 A JP 30315995A JP 30315995 A JP30315995 A JP 30315995A JP H09148221 A JPH09148221 A JP H09148221A
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- exposure
- pattern
- stage
- projection lens
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】投影露光時の露光範囲を拡大し、投影レンズの
収差の影響を最小限の抑えてパターン精度を向上できる
露光方法及び露光装置及びそれに用いるレチクルを提供
すること。 【解決手段】レチクルステージ駆動部21は、ウエハス
テージ駆動部20と同様にX、Y方向にレ−ザ−干渉計
駆動方式で非常に高い位置精度をもってレチクルステー
ジ13を移動する。レチクル14を移動すべき指定位置
は、記憶部23にレチクルステージ13の座標系で記憶
されている。制御部22は、記憶部23からその位置座
標を読み出し、レチクルステージ駆動部21に指示して
レチクルステージ13を指定位置まで移動する。このよ
うにしてレチクル14上のパターンは、露光範囲内の指
定された位置へ移動される。露光対象である被処理基板
は半導体ウエハに限らず液晶表示装置(LCD)等の各
種処理基板にも適用できる。
収差の影響を最小限の抑えてパターン精度を向上できる
露光方法及び露光装置及びそれに用いるレチクルを提供
すること。 【解決手段】レチクルステージ駆動部21は、ウエハス
テージ駆動部20と同様にX、Y方向にレ−ザ−干渉計
駆動方式で非常に高い位置精度をもってレチクルステー
ジ13を移動する。レチクル14を移動すべき指定位置
は、記憶部23にレチクルステージ13の座標系で記憶
されている。制御部22は、記憶部23からその位置座
標を読み出し、レチクルステージ駆動部21に指示して
レチクルステージ13を指定位置まで移動する。このよ
うにしてレチクル14上のパターンは、露光範囲内の指
定された位置へ移動される。露光対象である被処理基板
は半導体ウエハに限らず液晶表示装置(LCD)等の各
種処理基板にも適用できる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、投影露光時の露光
範囲を拡大し、又、投影レンズの収差の影響を最小限に
抑えパターン精度を向上する露光方法及び露光装置及び
それに用いるレチクルに関する。
範囲を拡大し、又、投影レンズの収差の影響を最小限に
抑えパターン精度を向上する露光方法及び露光装置及び
それに用いるレチクルに関する。
【0002】
【従来の技術】半導体素子の製造工程では、レチクル上
のパターンを半導体ウエハ上に投影露光することが要求
される。このような投影露光を可能にする装置の一例と
しては、ステッパと呼ばれる投影露光装置が一般的であ
る。ステッパはレチクル上のパターンを所定の縮小率で
半導体ウエハ上に投影し、ステップアンドリピート(繰
り返し)露光により半導体ウエハ全面にパターンを配列
して焼き付けていく。
のパターンを半導体ウエハ上に投影露光することが要求
される。このような投影露光を可能にする装置の一例と
しては、ステッパと呼ばれる投影露光装置が一般的であ
る。ステッパはレチクル上のパターンを所定の縮小率で
半導体ウエハ上に投影し、ステップアンドリピート(繰
り返し)露光により半導体ウエハ全面にパターンを配列
して焼き付けていく。
【0003】ところで、近年露光パターンの微細化に伴
い、半導体素子の寸法(チップサイズ)が著しく大きく
なってきている。当然、ステッパの露光範囲の拡大も進
められているが、技術的課題が多く、チップサイズの拡
大速度にはとても追い付かないのが現状で、将来的にも
大きな問題である。
い、半導体素子の寸法(チップサイズ)が著しく大きく
なってきている。当然、ステッパの露光範囲の拡大も進
められているが、技術的課題が多く、チップサイズの拡
大速度にはとても追い付かないのが現状で、将来的にも
大きな問題である。
【0004】そこで、限られたステッパの露光範囲を可
能な限り有効に活用して投影露光することが必要であ
る。その一例が特開昭63−23317の公報に開示さ
れている。この発明は、ステッパの露光照明系の光路内
に遮光装置を設け、レチクル上のパターン領域を必要な
部分だけ開口して投影露光するものである。例えば、レ
チクル上に1チップ分の半導体素子パターン領域(素子
チップ)と、製造された半導体素子の各種特性を評価す
るための評価パターン領域(評価チップ)が配置されて
いたと仮定する。このレチクルを用いてステップアンド
リピート露光を実施すれば、半導体ウエハ上に素子チッ
プと評価チップとが同時に配列される。通常、評価チッ
プは1半導体ウエハ当り数個あれば良く、上記の場合だ
と、1半導体ウエハ当りの素子チップの数が少なく量産
効率が著しく低下する。前述の発明においては、ステッ
プアンドリピート露光時に評価チップが必要な露光位置
にきたら、露光照明系の光路内に設けられた遮光装置に
より評価チップ部分のみ開口して露光し、その他の露光
位置では素子チップ部分のみ開口して露光する。これに
より、評価チップの必要数は確保され、しかも素子チッ
プを多数配列することができ、ステッパの露光範囲を有
効に活用できる。
能な限り有効に活用して投影露光することが必要であ
る。その一例が特開昭63−23317の公報に開示さ
れている。この発明は、ステッパの露光照明系の光路内
に遮光装置を設け、レチクル上のパターン領域を必要な
部分だけ開口して投影露光するものである。例えば、レ
チクル上に1チップ分の半導体素子パターン領域(素子
チップ)と、製造された半導体素子の各種特性を評価す
るための評価パターン領域(評価チップ)が配置されて
いたと仮定する。このレチクルを用いてステップアンド
リピート露光を実施すれば、半導体ウエハ上に素子チッ
プと評価チップとが同時に配列される。通常、評価チッ
プは1半導体ウエハ当り数個あれば良く、上記の場合だ
と、1半導体ウエハ当りの素子チップの数が少なく量産
効率が著しく低下する。前述の発明においては、ステッ
プアンドリピート露光時に評価チップが必要な露光位置
にきたら、露光照明系の光路内に設けられた遮光装置に
より評価チップ部分のみ開口して露光し、その他の露光
位置では素子チップ部分のみ開口して露光する。これに
より、評価チップの必要数は確保され、しかも素子チッ
プを多数配列することができ、ステッパの露光範囲を有
効に活用できる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前述の発明で
はステッパの露光範囲を有効に活用できても、露光範囲
を本質的に拡大する効果はない。例えば、あるステッパ
の露光範囲ではレチクル上に素子チップパターンを2チ
ップ分配置できるが、評価チップパターンは露光範囲外
に外れてしまうと仮定する。この場合、素子チップを1
チップ分減らして評価チップを配置せざるを得なく、ス
ループットが低下してしまう。もし、1枚のレチクル上
に素子チップ2チップと評価チップを同時に配置できた
ら、一度に素子チップ2チップ分の露光ができるため、
スループットが格段に向上し、また、投影露光時の自由
度が広がることは言うまでもない。
はステッパの露光範囲を有効に活用できても、露光範囲
を本質的に拡大する効果はない。例えば、あるステッパ
の露光範囲ではレチクル上に素子チップパターンを2チ
ップ分配置できるが、評価チップパターンは露光範囲外
に外れてしまうと仮定する。この場合、素子チップを1
チップ分減らして評価チップを配置せざるを得なく、ス
ループットが低下してしまう。もし、1枚のレチクル上
に素子チップ2チップと評価チップを同時に配置できた
ら、一度に素子チップ2チップ分の露光ができるため、
スループットが格段に向上し、また、投影露光時の自由
度が広がることは言うまでもない。
【0006】また、前述の発明では、素子チップや評価
チップが大きくなると、レチクル上のパターンが露光範
囲と露光範囲外との境界付近まで占有することは避けら
れない。投影レンズの収差は、レンズの中心から半径方
向へ外側にいくほど大きくなり、上記境界付近は、まさ
にこうした位置に相当するため、投影露光時のパターン
精度がレンズ収差の影響で劣化してしまう。
チップが大きくなると、レチクル上のパターンが露光範
囲と露光範囲外との境界付近まで占有することは避けら
れない。投影レンズの収差は、レンズの中心から半径方
向へ外側にいくほど大きくなり、上記境界付近は、まさ
にこうした位置に相当するため、投影露光時のパターン
精度がレンズ収差の影響で劣化してしまう。
【0007】そこで、本発明の目的とするところは、投
影露光時の露光範囲を拡大して、それを有効活用すると
共に、露光工程のスループット及び自由度を向上するこ
とのできる露光方法及び露光装置及びそれに用いるレチ
クルを提供することにある。
影露光時の露光範囲を拡大して、それを有効活用すると
共に、露光工程のスループット及び自由度を向上するこ
とのできる露光方法及び露光装置及びそれに用いるレチ
クルを提供することにある。
【0008】本発明の他の目的は、投影レンズの収差の
影響を最低限に抑えて、投影露光時のパターン精度を向
上することのできる露光方法及び露光装置及びそれに用
いるレチクルを提供することにある。
影響を最低限に抑えて、投影露光時のパターン精度を向
上することのできる露光方法及び露光装置及びそれに用
いるレチクルを提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】請求項1の発明は、移動
可能な被処理体ステージ上に支持された被処理体上に、
露光照明系により照明されたレチクル上のパターンを投
影レンズを介して投影して、前記被処理体を露光する露
光方法において、前記レチクルを支持した移動可能なレ
チクルステージを移動して、露光範囲内の指定位置に前
記レチクル上のパターンを移動する工程を有することを
特徴とする。
可能な被処理体ステージ上に支持された被処理体上に、
露光照明系により照明されたレチクル上のパターンを投
影レンズを介して投影して、前記被処理体を露光する露
光方法において、前記レチクルを支持した移動可能なレ
チクルステージを移動して、露光範囲内の指定位置に前
記レチクル上のパターンを移動する工程を有することを
特徴とする。
【0010】通常、レチクル中心は投影レンズの光軸に
一致するように位置合わせされるため、投影レンズの有
効露光範囲がレチクル上の露光範囲を規定しており、パ
ターンはこの範囲内に配置する必要がある。
一致するように位置合わせされるため、投影レンズの有
効露光範囲がレチクル上の露光範囲を規定しており、パ
ターンはこの範囲内に配置する必要がある。
【0011】請求項1の発明では、レチクルを支持した
移動可能なレチクルステージを移動して、レチクル上の
パターンを露光範囲内の指定された位置に移動する。こ
の指定位置はレチクルステージが移動可能であるため、
任意な位置に設定できる。従って、レチクル上のあるパ
ターン領域が露光範囲外に配置されていたとしても、レ
チクルステージを移動することによってその領域を露光
範囲内に移動でき、レチクル上の露光範囲を実質的に拡
大できる。尚、レチクルステージの移動は、被処理体ス
テージと同様にレ−ザ−干渉計駆動方式により高精度に
実施される。
移動可能なレチクルステージを移動して、レチクル上の
パターンを露光範囲内の指定された位置に移動する。こ
の指定位置はレチクルステージが移動可能であるため、
任意な位置に設定できる。従って、レチクル上のあるパ
ターン領域が露光範囲外に配置されていたとしても、レ
チクルステージを移動することによってその領域を露光
範囲内に移動でき、レチクル上の露光範囲を実質的に拡
大できる。尚、レチクルステージの移動は、被処理体ス
テージと同様にレ−ザ−干渉計駆動方式により高精度に
実施される。
【0012】この請求項1に定義された露光方法は、請
求項6に記載の露光装置及び請求項8に記載のレチクル
を用いて好適に実施できる。
求項6に記載の露光装置及び請求項8に記載のレチクル
を用いて好適に実施できる。
【0013】また、請求項2に示すように、レチクルス
テージの移動量とレチクル上のパターン情報に基づい
て、前記レチクル上のパターンを分割して露光すること
によって、レチクル上のパターンを露光範囲内に限らず
露光範囲外にも渡って有効活用できる。例えば、レチク
ル上の露光範囲外まで渡って素子チップ及び評価チップ
が配置されていると仮定する。請求項2の発明によれ
ば、素子チップと評価チップを分割して露光することに
よって、被処理体(半導体ウエハ)上に素子チップの数
を減らすことなく、必要な位置に評価チップを配列でき
る。このようにレチクル上のパターンを分割して露光す
るには、レチクル上のパターンを露光範囲内の指定位置
へ移動した後に、半導体ウエハ上の各露光位置で、露光
照明計の光路中に設けられた遮光装置によって、必要部
分のみを開口して露光することで実現される。
テージの移動量とレチクル上のパターン情報に基づい
て、前記レチクル上のパターンを分割して露光すること
によって、レチクル上のパターンを露光範囲内に限らず
露光範囲外にも渡って有効活用できる。例えば、レチク
ル上の露光範囲外まで渡って素子チップ及び評価チップ
が配置されていると仮定する。請求項2の発明によれ
ば、素子チップと評価チップを分割して露光することに
よって、被処理体(半導体ウエハ)上に素子チップの数
を減らすことなく、必要な位置に評価チップを配列でき
る。このようにレチクル上のパターンを分割して露光す
るには、レチクル上のパターンを露光範囲内の指定位置
へ移動した後に、半導体ウエハ上の各露光位置で、露光
照明計の光路中に設けられた遮光装置によって、必要部
分のみを開口して露光することで実現される。
【0014】この請求項2に定義された露光方法は、請
求項7に記載の露光装置及び請求項8に記載のレチクル
を用いて好適に実施できる。
求項7に記載の露光装置及び請求項8に記載のレチクル
を用いて好適に実施できる。
【0015】次に、請求項3の発明に示すように、露光
範囲内の指定位置は、露光光軸もしくはその近傍であ
る。従って、投影レンズの中心付近、すなわちレンズ収
差が小さい領域を使って露光できパターン精度が向上す
る。
範囲内の指定位置は、露光光軸もしくはその近傍であ
る。従って、投影レンズの中心付近、すなわちレンズ収
差が小さい領域を使って露光できパターン精度が向上す
る。
【0016】更に、請求項4の発明に示すように、レチ
クル上のパターンは複数の領域に分割され、指定された
領域の中心又は中心付近は露光範囲内の指定位置、すな
わち投影レンズの光軸付近に移動される。従って、複数
に分割されたパターン領域を各々投影レンズの中心付近
において露光でき、分割露光する際にもパターン精度が
向上する。
クル上のパターンは複数の領域に分割され、指定された
領域の中心又は中心付近は露光範囲内の指定位置、すな
わち投影レンズの光軸付近に移動される。従って、複数
に分割されたパターン領域を各々投影レンズの中心付近
において露光でき、分割露光する際にもパターン精度が
向上する。
【0017】最後に、請求項5の発明に示すように、請
求項1又は2又は3又は4に定義された工程を1露光シ
ョット毎、又は、複数露光ショット毎に実施することに
よって、レチクル上のパターンを投影露光して半導体ウ
エハ上にパターンを配列する際の自由度が向上する。
求項1又は2又は3又は4に定義された工程を1露光シ
ョット毎、又は、複数露光ショット毎に実施することに
よって、レチクル上のパターンを投影露光して半導体ウ
エハ上にパターンを配列する際の自由度が向上する。
【0018】
【発明の実施の形態】以下、本発明を適用した一実施例
について、図面を参照して説明する。
について、図面を参照して説明する。
【0019】図1に、本発明方法が適用される露光装置
の一例が示されている。同図において、被処理基板例え
ば半導体ウエハ11は、X、Yの二次元方向の移動と、
このX、Y軸に直交するZ軸の回りに回転可能なウエハ
ステージ10に支持されている。このウエハステージ1
0の上方には、露光照明系15が配置され、その光路中
に遮光装置16が設けられている。照明系15と、半導
体ウエハ11との間には、レチクル14及び投影レンズ
12が配置されている。このレチクル14はウエハステ
ージ10と同様に、X、Yの二次元方向の移動と、Z軸
の回りに回転可能なレチクルステージ13に支持されて
いる。レチクル14上に形成されたパターンは、露光照
明系15によって照明され、投影レンズ12を介するこ
とで、例えば1/5に縮小されて半導体ウエハ11上に
結像する。ウエハステージ駆動部20はレ−ザ−干渉計
駆動方式でウエハステージ10を移動する。記憶部23
には、ウエハステージ10の座標系で半導体ウエハ11
上の露光ショット配列座標が記憶されており、制御部2
2は、記憶部23からその配列座標を読み出し、ウエハ
ステージ駆動部20に指示してウエハステージ10をス
テップ駆動することで、半導体ウエハ11上にレチクル
14上のパターンを配列することが可能となる。ここ
で、レ−ザ−干渉計駆動方式については、ステッパーに
おいては極めて一般的な方式で公知な技術であるため説
明を省略する。
の一例が示されている。同図において、被処理基板例え
ば半導体ウエハ11は、X、Yの二次元方向の移動と、
このX、Y軸に直交するZ軸の回りに回転可能なウエハ
ステージ10に支持されている。このウエハステージ1
0の上方には、露光照明系15が配置され、その光路中
に遮光装置16が設けられている。照明系15と、半導
体ウエハ11との間には、レチクル14及び投影レンズ
12が配置されている。このレチクル14はウエハステ
ージ10と同様に、X、Yの二次元方向の移動と、Z軸
の回りに回転可能なレチクルステージ13に支持されて
いる。レチクル14上に形成されたパターンは、露光照
明系15によって照明され、投影レンズ12を介するこ
とで、例えば1/5に縮小されて半導体ウエハ11上に
結像する。ウエハステージ駆動部20はレ−ザ−干渉計
駆動方式でウエハステージ10を移動する。記憶部23
には、ウエハステージ10の座標系で半導体ウエハ11
上の露光ショット配列座標が記憶されており、制御部2
2は、記憶部23からその配列座標を読み出し、ウエハ
ステージ駆動部20に指示してウエハステージ10をス
テップ駆動することで、半導体ウエハ11上にレチクル
14上のパターンを配列することが可能となる。ここ
で、レ−ザ−干渉計駆動方式については、ステッパーに
おいては極めて一般的な方式で公知な技術であるため説
明を省略する。
【0020】レチクルステージ駆動部21は、ウエハス
テージ駆動部20と同様にX、Y方向にレ−ザ−干渉計
駆動方式で非常に高い位置精度をもってレチクルステー
ジ13を移動する。レチクル14を移動すべき指定位置
は、記憶部23にレチクルステージ13の座標系で記憶
されている。制御部22は、記憶部23からその位置座
標を読み出し、レチクルステージ駆動部21に指示して
レチクルステージ13を指定位置まで移動する。このよ
うにしてレチクル14上のパターンは、露光範囲内の指
定された位置へ移動される。
テージ駆動部20と同様にX、Y方向にレ−ザ−干渉計
駆動方式で非常に高い位置精度をもってレチクルステー
ジ13を移動する。レチクル14を移動すべき指定位置
は、記憶部23にレチクルステージ13の座標系で記憶
されている。制御部22は、記憶部23からその位置座
標を読み出し、レチクルステージ駆動部21に指示して
レチクルステージ13を指定位置まで移動する。このよ
うにしてレチクル14上のパターンは、露光範囲内の指
定された位置へ移動される。
【0021】図2に、本発明方法に用いられるレチクル
の一例が示されている。同図において、レチクル14上
には半導体素子パターン領域(素子チップ31)が2チ
ップ、製造された半導体素子の各種特性を評価するため
の評価パターン領域(評価チップ32)が1チップ、露
光範囲30の外にまで渡って配置されている。ここで、
露光範囲30は図に示される円の内側である。
の一例が示されている。同図において、レチクル14上
には半導体素子パターン領域(素子チップ31)が2チ
ップ、製造された半導体素子の各種特性を評価するため
の評価パターン領域(評価チップ32)が1チップ、露
光範囲30の外にまで渡って配置されている。ここで、
露光範囲30は図に示される円の内側である。
【0022】上記のように、レチクルステージ13を移
動してレチクル14上のパターンを露光範囲内へ移動す
る方法によって、図2に示される本発明の露光範囲外に
までも渡ってパターンが配置されたレチクル14におい
ても、素子チップ31領域および評価チップ32領域を
それぞれ露光範囲内に移動でき、露光範囲が実質的に拡
大され、また、露光時のスループットが向上する。
動してレチクル14上のパターンを露光範囲内へ移動す
る方法によって、図2に示される本発明の露光範囲外に
までも渡ってパターンが配置されたレチクル14におい
ても、素子チップ31領域および評価チップ32領域を
それぞれ露光範囲内に移動でき、露光範囲が実質的に拡
大され、また、露光時のスループットが向上する。
【0023】図3は、図2に示される本発明方法に用い
られるレチクル14において、レチクル14上のパター
ンを複数の領域に分割して露光する方法を示している。
同図において、レチクル14上には素子チップ31が2
チップと評価チップ32が1チップ配置されており、素
子チップ領域と評価チップ領域の2領域に分割して露光
が実施される。
られるレチクル14において、レチクル14上のパター
ンを複数の領域に分割して露光する方法を示している。
同図において、レチクル14上には素子チップ31が2
チップと評価チップ32が1チップ配置されており、素
子チップ領域と評価チップ領域の2領域に分割して露光
が実施される。
【0024】図3(a)は、素子チップ領域のみを選択
して露光するために、図1に示す露光照明系15の光路
中に設けられた遮光装置16によって、その遮光板をレ
チクル14上に投影された状態を示しており、素子チッ
プ領域のみが遮光板の投影像35によって開口されてい
る。同様にして図3(b)は、評価チップ領域のみを選
択して露光するために、図1に示す露光照明系15の光
路中に設けられた遮光装置16によって、その遮光板を
レチクル14上に投影された状態を示しており、評価チ
ップ領域のみが遮光板の投影像35によって開口されて
いる。
して露光するために、図1に示す露光照明系15の光路
中に設けられた遮光装置16によって、その遮光板をレ
チクル14上に投影された状態を示しており、素子チッ
プ領域のみが遮光板の投影像35によって開口されてい
る。同様にして図3(b)は、評価チップ領域のみを選
択して露光するために、図1に示す露光照明系15の光
路中に設けられた遮光装置16によって、その遮光板を
レチクル14上に投影された状態を示しており、評価チ
ップ領域のみが遮光板の投影像35によって開口されて
いる。
【0025】図1において、記憶部23には素子チップ
領域及び評価チップ領域の位置がレチクルステージ13
の座標系で記憶され、また、半導体ウエハ11上の各露
光ショット位置に対応する露光すべきパターン領域の種
類も記憶されている。上記のように、露光前にレチクル
14を露光範囲内の指定位置へ移動する必要があるた
め、制御部22は、記憶部23からレチクル14が移動
される指定位置座標及び指定されたパターン領域の種類
及び位置座標を読み出し、それらを演算部24へ送って
レチクル14が移動される移動量分のパターン領域の位
置座標の補正計算を実施する。そして、その結果を再び
記憶部23へ格納する。レチクル14の移動終了後、制
御部22は、記憶部23から指定されたパターン領域の
種類とその位置座標を読み出し、遮光板駆動部25に指
示して遮光装置16の遮光板を適切な位置に動かして必
要部分のみを開口する。露光照明系15は遮光装置16
の遮光板がレチクル14上に投影され結像される構成に
なっているため、それをマスクに分割露光が実施され
る。このようにして、レチクル14上のパターンを露光
範囲内に限らず露光範囲外にも渡って有効活用できる。
領域及び評価チップ領域の位置がレチクルステージ13
の座標系で記憶され、また、半導体ウエハ11上の各露
光ショット位置に対応する露光すべきパターン領域の種
類も記憶されている。上記のように、露光前にレチクル
14を露光範囲内の指定位置へ移動する必要があるた
め、制御部22は、記憶部23からレチクル14が移動
される指定位置座標及び指定されたパターン領域の種類
及び位置座標を読み出し、それらを演算部24へ送って
レチクル14が移動される移動量分のパターン領域の位
置座標の補正計算を実施する。そして、その結果を再び
記憶部23へ格納する。レチクル14の移動終了後、制
御部22は、記憶部23から指定されたパターン領域の
種類とその位置座標を読み出し、遮光板駆動部25に指
示して遮光装置16の遮光板を適切な位置に動かして必
要部分のみを開口する。露光照明系15は遮光装置16
の遮光板がレチクル14上に投影され結像される構成に
なっているため、それをマスクに分割露光が実施され
る。このようにして、レチクル14上のパターンを露光
範囲内に限らず露光範囲外にも渡って有効活用できる。
【0026】図4は、図2に示される本発明方法に用い
られるレチクル14において、レチクル14上の複数に
分割されたパターン領域を露光範囲内の指定位置、すな
わち投影レンズ12の中心(光軸17)へ移動する方法
を示している。同図において、レチクル14上には素子
チップ31が2チップと評価チップ32が1チップ配置
されており、素子チップ領域と評価チップ領域の2領域
に分割して移動が実施される。
られるレチクル14において、レチクル14上の複数に
分割されたパターン領域を露光範囲内の指定位置、すな
わち投影レンズ12の中心(光軸17)へ移動する方法
を示している。同図において、レチクル14上には素子
チップ31が2チップと評価チップ32が1チップ配置
されており、素子チップ領域と評価チップ領域の2領域
に分割して移動が実施される。
【0027】図4(a)は、素子チップ31領域の中心
を指定位置である投影レンズ12の光軸17と一致する
ように移動された状態を示している。同様にして図4
(b)は、評価チップ32領域の中心を指定位置である
投影レンズ12の光軸17と一致するように移動された
状態を示している。
を指定位置である投影レンズ12の光軸17と一致する
ように移動された状態を示している。同様にして図4
(b)は、評価チップ32領域の中心を指定位置である
投影レンズ12の光軸17と一致するように移動された
状態を示している。
【0028】図1において、記憶部23には指定位置、
すなわち投影レンズ12の光軸17の座標及び分割され
た各パターン領域の種類とその中心座標がレチクルステ
ージ13の座標系で記憶されている。半導体ウエハ11
上のある露光ショット位置において、制御部22は、記
憶部23から前述の指定位置座標及び移動すべきパター
ン領域の種類と中心座標を読み出し、レチクルステージ
駆動部21へ指示して、投影レンズ12の光軸17と指
定されたパターン領域の中心とが一致するようにレチク
ルステージ13を移動する。ここで、移動すべき指定位
置は投影レンズ12の光軸17に限らずその近傍でも良
く、また、指定れたパターン領域の中心に限らずその近
傍を上記の指定位置へ一致させるように移動しても、投
影レンズ12の中心付近を使って投影露光することにか
わりはなく、投影レンズ12の収差の影響を小さく抑
え、高いパターン精度が得られる。
すなわち投影レンズ12の光軸17の座標及び分割され
た各パターン領域の種類とその中心座標がレチクルステ
ージ13の座標系で記憶されている。半導体ウエハ11
上のある露光ショット位置において、制御部22は、記
憶部23から前述の指定位置座標及び移動すべきパター
ン領域の種類と中心座標を読み出し、レチクルステージ
駆動部21へ指示して、投影レンズ12の光軸17と指
定されたパターン領域の中心とが一致するようにレチク
ルステージ13を移動する。ここで、移動すべき指定位
置は投影レンズ12の光軸17に限らずその近傍でも良
く、また、指定れたパターン領域の中心に限らずその近
傍を上記の指定位置へ一致させるように移動しても、投
影レンズ12の中心付近を使って投影露光することにか
わりはなく、投影レンズ12の収差の影響を小さく抑
え、高いパターン精度が得られる。
【0029】次に本実施例では、以上述べた各工程を1
露光ショット毎に実施する構成にした。それを図5のフ
ローチャートを参照して説明する。ここで、半導体ウエ
ハ11はウエハステージ10に、レチクル14はレチク
ルステージ13にそれぞれ支持され、露光光軸を一致さ
せるためのレチクル14と半導体ウエハ11との位置合
わせ(アライメント)はすでに終了し、まさにこれから
ステップアンドリピート露光に移行しようとする段階に
あると仮定する。また、レチクル14は図2に示される
本発明のレチクル14を用いることとし、素子チップ3
1領域と評価チップ32領域の2領域に分割して移動及
び露光を行なうものとする。
露光ショット毎に実施する構成にした。それを図5のフ
ローチャートを参照して説明する。ここで、半導体ウエ
ハ11はウエハステージ10に、レチクル14はレチク
ルステージ13にそれぞれ支持され、露光光軸を一致さ
せるためのレチクル14と半導体ウエハ11との位置合
わせ(アライメント)はすでに終了し、まさにこれから
ステップアンドリピート露光に移行しようとする段階に
あると仮定する。また、レチクル14は図2に示される
本発明のレチクル14を用いることとし、素子チップ3
1領域と評価チップ32領域の2領域に分割して移動及
び露光を行なうものとする。
【0030】ステップ1で、まず半導体ウエハ11上の
第1番目の露光ショット位置へウエハステージ10が移
動される。ステップ2では、制御部22において素子チ
ップ31領域又は評価チップ32領域の選択が実施され
る。
第1番目の露光ショット位置へウエハステージ10が移
動される。ステップ2では、制御部22において素子チ
ップ31領域又は評価チップ32領域の選択が実施され
る。
【0031】素子チップ31領域が選択された場合は、
ステップ3において、素子チップ31領域の中心が露光
範囲内の指定位置である投影レンズ12の光軸17に一
致するようにレチクルステージ13が移動され、同時に
その移動分が位置補正される。次にステップ4で、露光
照明系15の光路中に設けられた遮光装置16によって
素子チップ31領域のみが開口され、ステップ7で露光
が実施される。
ステップ3において、素子チップ31領域の中心が露光
範囲内の指定位置である投影レンズ12の光軸17に一
致するようにレチクルステージ13が移動され、同時に
その移動分が位置補正される。次にステップ4で、露光
照明系15の光路中に設けられた遮光装置16によって
素子チップ31領域のみが開口され、ステップ7で露光
が実施される。
【0032】ここで、ステップ2において評価チップ3
2領域が選択された場合は、上記のステップ3及び4と
同様にしてステップ5及び6が評価チップ32領域に対
して実施され、ステップ7の露光へと工程が進む。
2領域が選択された場合は、上記のステップ3及び4と
同様にしてステップ5及び6が評価チップ32領域に対
して実施され、ステップ7の露光へと工程が進む。
【0033】ステップ7の露光工程後のステップ8で
は、制御部22によって全ショット露光が終了したか否
かが判定される。全ショット露光が終了した場合は、全
工程が終了したとみなされ、その他の場合は、次の順番
の露光ショットに対して以上の工程が繰り返し実施され
る。
は、制御部22によって全ショット露光が終了したか否
かが判定される。全ショット露光が終了した場合は、全
工程が終了したとみなされ、その他の場合は、次の順番
の露光ショットに対して以上の工程が繰り返し実施され
る。
【0034】図5のフローチャートでは、1露光ショッ
ト毎に各工程が実施されたが、これを複数露光ショット
毎に実施しても良い。いずれの場合においても、半導体
ウエハ11上に高い自由度をもって複数のパターン領域
を効率良く分割して配列できる。
ト毎に各工程が実施されたが、これを複数露光ショット
毎に実施しても良い。いずれの場合においても、半導体
ウエハ11上に高い自由度をもって複数のパターン領域
を効率良く分割して配列できる。
【0035】尚、本発明は上記実施例に限定されるもの
ではなく、本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施が可
能である。例えば、露光対象である被処理基板は必ずし
も半導体ウエハに限らず、液晶表示装置(LCD)等の
他の半導体基板でも良く、あるいは半導体基板以外の各
種処理基板に本発明を適用することもできる。
ではなく、本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施が可
能である。例えば、露光対象である被処理基板は必ずし
も半導体ウエハに限らず、液晶表示装置(LCD)等の
他の半導体基板でも良く、あるいは半導体基板以外の各
種処理基板に本発明を適用することもできる。
【0036】
【発明の効果】請求項1、6、8の各発明によれば、レ
チクルステージを移動してレチクル上の露光範囲外まで
にも渡って配置されたパターンを露光範囲内の指定位置
へ移動することで、投影露光時の露光範囲を実質的に拡
大してスループットを向上することができる。
チクルステージを移動してレチクル上の露光範囲外まで
にも渡って配置されたパターンを露光範囲内の指定位置
へ移動することで、投影露光時の露光範囲を実質的に拡
大してスループットを向上することができる。
【0037】請求項2、7、8の各発明によれば、レチ
クル上の露光範囲外にまで渡って配置されたパターンを
複数の領域に分割して露光することで、レチクル上のパ
ターンを露光範囲に限らず、露光範囲外にも渡って有効
活用できる。
クル上の露光範囲外にまで渡って配置されたパターンを
複数の領域に分割して露光することで、レチクル上のパ
ターンを露光範囲に限らず、露光範囲外にも渡って有効
活用できる。
【0038】請求項3の発明によれば、レチクル上のパ
ターンを移動する時の指定位置を投影レンズの光軸近傍
にすることで、投影レンズの収差の影響の小さい領域を
用いて露光できパターン精度が向上する。
ターンを移動する時の指定位置を投影レンズの光軸近傍
にすることで、投影レンズの収差の影響の小さい領域を
用いて露光できパターン精度が向上する。
【0039】請求項4の発明によれば、レチクル上の露
光範囲外にまでも渡って配置されたパターンを複数の領
域に分割し、各領域の中心付近を上記の指定位置、すな
わち投影レンズの光軸近傍に一致させるように移動する
ことで、分割露光の際にも上記と同様にパターン精度を
向上できる。
光範囲外にまでも渡って配置されたパターンを複数の領
域に分割し、各領域の中心付近を上記の指定位置、すな
わち投影レンズの光軸近傍に一致させるように移動する
ことで、分割露光の際にも上記と同様にパターン精度を
向上できる。
【0040】請求項5の発明によれば、上記の本発明の
各工程を1露光ショット毎、又は、複数ショット毎に実
施することで、被処理体、例えば半導体ウエハ上に高い
自由度をもってパターンを配列できる。
各工程を1露光ショット毎、又は、複数ショット毎に実
施することで、被処理体、例えば半導体ウエハ上に高い
自由度をもってパターンを配列できる。
【図1】本発明に係わる露光装置の一実施例を示す概略
説明図である。
説明図である。
【図2】本発明方法に用いられるレチクルの平面図であ
る。
る。
【図3】(a)及び(b)は、図2のレチクル上のパタ
ーンを素子チップ領域、評価チップ領域にそれぞれ分割
して露光する方法を説明するための概略説明図である。
ーンを素子チップ領域、評価チップ領域にそれぞれ分割
して露光する方法を説明するための概略説明図である。
【図4】(a)及び(b)は、図2のレチクル上のパタ
ーンを素子チップ領域、評価チップ領域にそれぞれ分割
して投影レンズの光軸位置へ移動する方法を説明するた
めの概略説明図である。
ーンを素子チップ領域、評価チップ領域にそれぞれ分割
して投影レンズの光軸位置へ移動する方法を説明するた
めの概略説明図である。
【図5】図1の露光装置及び図2のレチクルを用いて、
本発明の各工程を1露光ショット毎に実施する手順を示
すフローチャートである。
本発明の各工程を1露光ショット毎に実施する手順を示
すフローチャートである。
10 ウエハステージ 11 半導体ウエハ 12 投影レンズ 13 レチクルステージ 14 レチクル 15 露光照明系 16 遮光装置 17 投影レンズの光軸 20 ウエハステージ駆動部 21 レチクルステージ駆動部 22 制御部 23 記憶部 24 演算部 25 遮光板駆動部 30 露光範囲 31 素子チップ 32 評価チップ 35 遮光板の投影像
Claims (8)
- 【請求項1】 移動可能な被処理体ステージ上に支持さ
れた被処理体上に、露光照明系により照明されたレチク
ル上のパターンを投影レンズを介して投影して、前記被
処理体を露光する露光方法において、 前記レチクルを支持した移動可能なレチクルステージを
移動して、露光範囲内の指定位置に前記レチクル上のパ
ターンを移動する工程を有することを特徴とする露光方
法。 - 【請求項2】 請求項1記載の、前記レチクルステージ
の移動量と前記レチクル上のパターン情報に基づいて、
前記レチクル上のパターンを分割して露光する工程を有
することを特徴とする露光方法。 - 【請求項3】 請求項1又は2に記載の、前記露光範囲
内の指定位置が、露光光軸もしくはその近傍であること
を特徴とする露光方法。 - 【請求項4】 請求項3記載の、前記レチクル上のパタ
ーンを複数の領域に分割して、指定された前記領域の中
心又は中心付近を前記露光範囲内の指定位置に移動する
ことを特徴とする露光方法。 - 【請求項5】 請求項1又は2又は3又は4に記載の、
前記各工程を1露光ショット毎、又は、複数露光ショッ
ト毎に実施することを特徴とする露光方法。 - 【請求項6】 移動可能な被処理体ステージ上に支持さ
れた被処理体上に、露光照明系により照明されたレチク
ル上のパターンを投影レンズを介して投影して、前記被
処理体を露光する露光装置において、 前記レチクルを支持した移動可能なレチクルステージを
移動して、露光範囲内の指定位置に前記レチクル上のパ
ターンを移動する手段を有することを特徴とする露光装
置。 - 【請求項7】 請求項6記載の、前記レチクルステージ
の移動量と前記レチクル上のパターン情報に基づいて、
前記レチクル上のパターンを分割して露光する手段を有
することを特徴とする露光装置。 - 【請求項8】 被処理体ステージ上に支持された被処理
体を、投影レンズを介して露光するために用いるレチク
ルにおいて、 前記レチクル上の半導体素子パターン又は半導体素子評
価パターン等を、前記投影レンズの有効露光範囲外にま
で渡って配置したことを特徴とするレチクル。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30315995A JPH09148221A (ja) | 1995-11-21 | 1995-11-21 | 露光方法及び露光装置及びそれに用いるレチクル |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30315995A JPH09148221A (ja) | 1995-11-21 | 1995-11-21 | 露光方法及び露光装置及びそれに用いるレチクル |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09148221A true JPH09148221A (ja) | 1997-06-06 |
Family
ID=17917597
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP30315995A Withdrawn JPH09148221A (ja) | 1995-11-21 | 1995-11-21 | 露光方法及び露光装置及びそれに用いるレチクル |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH09148221A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009033190A (ja) * | 1998-03-02 | 2009-02-12 | Micronic Laser Syst Ab | ステッチング誤差防止用改良型パターン・ジェネレータ |
WO2022028123A1 (zh) * | 2020-08-05 | 2022-02-10 | 长鑫存储技术有限公司 | 掩膜版的存储系统、查询系统、存储方法及计算机设备 |
-
1995
- 1995-11-21 JP JP30315995A patent/JPH09148221A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009033190A (ja) * | 1998-03-02 | 2009-02-12 | Micronic Laser Syst Ab | ステッチング誤差防止用改良型パターン・ジェネレータ |
WO2022028123A1 (zh) * | 2020-08-05 | 2022-02-10 | 长鑫存储技术有限公司 | 掩膜版的存储系统、查询系统、存储方法及计算机设备 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040712 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040907 |
|
A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20041005 |