JPH09148221A - 露光方法及び露光装置及びそれに用いるレチクル - Google Patents
露光方法及び露光装置及びそれに用いるレチクルInfo
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- JPH09148221A JPH09148221A JP30315995A JP30315995A JPH09148221A JP H09148221 A JPH09148221 A JP H09148221A JP 30315995 A JP30315995 A JP 30315995A JP 30315995 A JP30315995 A JP 30315995A JP H09148221 A JPH09148221 A JP H09148221A
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- pattern
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】投影露光時の露光範囲を拡大し、投影レンズの
収差の影響を最小限の抑えてパターン精度を向上できる
露光方法及び露光装置及びそれに用いるレチクルを提供
すること。 【解決手段】レチクルステージ駆動部２１は、ウエハス
テージ駆動部２０と同様にＸ、Ｙ方向にレ−ザ−干渉計
駆動方式で非常に高い位置精度をもってレチクルステー
ジ１３を移動する。レチクル１４を移動すべき指定位置
は、記憶部２３にレチクルステージ１３の座標系で記憶
されている。制御部２２は、記憶部２３からその位置座
標を読み出し、レチクルステージ駆動部２１に指示して
レチクルステージ１３を指定位置まで移動する。このよ
うにしてレチクル１４上のパターンは、露光範囲内の指
定された位置へ移動される。露光対象である被処理基板
は半導体ウエハに限らず液晶表示装置（ＬＣＤ）等の各
種処理基板にも適用できる。
収差の影響を最小限の抑えてパターン精度を向上できる
露光方法及び露光装置及びそれに用いるレチクルを提供
すること。 【解決手段】レチクルステージ駆動部２１は、ウエハス
テージ駆動部２０と同様にＸ、Ｙ方向にレ−ザ−干渉計
駆動方式で非常に高い位置精度をもってレチクルステー
ジ１３を移動する。レチクル１４を移動すべき指定位置
は、記憶部２３にレチクルステージ１３の座標系で記憶
されている。制御部２２は、記憶部２３からその位置座
標を読み出し、レチクルステージ駆動部２１に指示して
レチクルステージ１３を指定位置まで移動する。このよ
うにしてレチクル１４上のパターンは、露光範囲内の指
定された位置へ移動される。露光対象である被処理基板
は半導体ウエハに限らず液晶表示装置（ＬＣＤ）等の各
種処理基板にも適用できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、投影露光時の露光
範囲を拡大し、又、投影レンズの収差の影響を最小限に
抑えパターン精度を向上する露光方法及び露光装置及び
それに用いるレチクルに関する。
範囲を拡大し、又、投影レンズの収差の影響を最小限に
抑えパターン精度を向上する露光方法及び露光装置及び
それに用いるレチクルに関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子の製造工程では、レチクル上
のパターンを半導体ウエハ上に投影露光することが要求
される。このような投影露光を可能にする装置の一例と
しては、ステッパと呼ばれる投影露光装置が一般的であ
る。ステッパはレチクル上のパターンを所定の縮小率で
半導体ウエハ上に投影し、ステップアンドリピート（繰
り返し）露光により半導体ウエハ全面にパターンを配列
して焼き付けていく。
のパターンを半導体ウエハ上に投影露光することが要求
される。このような投影露光を可能にする装置の一例と
しては、ステッパと呼ばれる投影露光装置が一般的であ
る。ステッパはレチクル上のパターンを所定の縮小率で
半導体ウエハ上に投影し、ステップアンドリピート（繰
り返し）露光により半導体ウエハ全面にパターンを配列
して焼き付けていく。
【０００３】ところで、近年露光パターンの微細化に伴
い、半導体素子の寸法（チップサイズ）が著しく大きく
なってきている。当然、ステッパの露光範囲の拡大も進
められているが、技術的課題が多く、チップサイズの拡
大速度にはとても追い付かないのが現状で、将来的にも
大きな問題である。
い、半導体素子の寸法（チップサイズ）が著しく大きく
なってきている。当然、ステッパの露光範囲の拡大も進
められているが、技術的課題が多く、チップサイズの拡
大速度にはとても追い付かないのが現状で、将来的にも
大きな問題である。
【０００４】そこで、限られたステッパの露光範囲を可
能な限り有効に活用して投影露光することが必要であ
る。その一例が特開昭６３−２３３１７の公報に開示さ
れている。この発明は、ステッパの露光照明系の光路内
に遮光装置を設け、レチクル上のパターン領域を必要な
部分だけ開口して投影露光するものである。例えば、レ
チクル上に１チップ分の半導体素子パターン領域（素子
チップ）と、製造された半導体素子の各種特性を評価す
るための評価パターン領域（評価チップ）が配置されて
いたと仮定する。このレチクルを用いてステップアンド
リピート露光を実施すれば、半導体ウエハ上に素子チッ
プと評価チップとが同時に配列される。通常、評価チッ
プは１半導体ウエハ当り数個あれば良く、上記の場合だ
と、１半導体ウエハ当りの素子チップの数が少なく量産
効率が著しく低下する。前述の発明においては、ステッ
プアンドリピート露光時に評価チップが必要な露光位置
にきたら、露光照明系の光路内に設けられた遮光装置に
より評価チップ部分のみ開口して露光し、その他の露光
位置では素子チップ部分のみ開口して露光する。これに
より、評価チップの必要数は確保され、しかも素子チッ
プを多数配列することができ、ステッパの露光範囲を有
効に活用できる。
能な限り有効に活用して投影露光することが必要であ
る。その一例が特開昭６３−２３３１７の公報に開示さ
れている。この発明は、ステッパの露光照明系の光路内
に遮光装置を設け、レチクル上のパターン領域を必要な
部分だけ開口して投影露光するものである。例えば、レ
チクル上に１チップ分の半導体素子パターン領域（素子
チップ）と、製造された半導体素子の各種特性を評価す
るための評価パターン領域（評価チップ）が配置されて
いたと仮定する。このレチクルを用いてステップアンド
リピート露光を実施すれば、半導体ウエハ上に素子チッ
プと評価チップとが同時に配列される。通常、評価チッ
プは１半導体ウエハ当り数個あれば良く、上記の場合だ
と、１半導体ウエハ当りの素子チップの数が少なく量産
効率が著しく低下する。前述の発明においては、ステッ
プアンドリピート露光時に評価チップが必要な露光位置
にきたら、露光照明系の光路内に設けられた遮光装置に
より評価チップ部分のみ開口して露光し、その他の露光
位置では素子チップ部分のみ開口して露光する。これに
より、評価チップの必要数は確保され、しかも素子チッ
プを多数配列することができ、ステッパの露光範囲を有
効に活用できる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前述の発明で
はステッパの露光範囲を有効に活用できても、露光範囲
を本質的に拡大する効果はない。例えば、あるステッパ
の露光範囲ではレチクル上に素子チップパターンを２チ
ップ分配置できるが、評価チップパターンは露光範囲外
に外れてしまうと仮定する。この場合、素子チップを１
チップ分減らして評価チップを配置せざるを得なく、ス
ループットが低下してしまう。もし、１枚のレチクル上
に素子チップ２チップと評価チップを同時に配置できた
ら、一度に素子チップ２チップ分の露光ができるため、
スループットが格段に向上し、また、投影露光時の自由
度が広がることは言うまでもない。
はステッパの露光範囲を有効に活用できても、露光範囲
を本質的に拡大する効果はない。例えば、あるステッパ
の露光範囲ではレチクル上に素子チップパターンを２チ
ップ分配置できるが、評価チップパターンは露光範囲外
に外れてしまうと仮定する。この場合、素子チップを１
チップ分減らして評価チップを配置せざるを得なく、ス
ループットが低下してしまう。もし、１枚のレチクル上
に素子チップ２チップと評価チップを同時に配置できた
ら、一度に素子チップ２チップ分の露光ができるため、
スループットが格段に向上し、また、投影露光時の自由
度が広がることは言うまでもない。
【０００６】また、前述の発明では、素子チップや評価
チップが大きくなると、レチクル上のパターンが露光範
囲と露光範囲外との境界付近まで占有することは避けら
れない。投影レンズの収差は、レンズの中心から半径方
向へ外側にいくほど大きくなり、上記境界付近は、まさ
にこうした位置に相当するため、投影露光時のパターン
精度がレンズ収差の影響で劣化してしまう。
チップが大きくなると、レチクル上のパターンが露光範
囲と露光範囲外との境界付近まで占有することは避けら
れない。投影レンズの収差は、レンズの中心から半径方
向へ外側にいくほど大きくなり、上記境界付近は、まさ
にこうした位置に相当するため、投影露光時のパターン
精度がレンズ収差の影響で劣化してしまう。
【０００７】そこで、本発明の目的とするところは、投
影露光時の露光範囲を拡大して、それを有効活用すると
共に、露光工程のスループット及び自由度を向上するこ
とのできる露光方法及び露光装置及びそれに用いるレチ
クルを提供することにある。
影露光時の露光範囲を拡大して、それを有効活用すると
共に、露光工程のスループット及び自由度を向上するこ
とのできる露光方法及び露光装置及びそれに用いるレチ
クルを提供することにある。
【０００８】本発明の他の目的は、投影レンズの収差の
影響を最低限に抑えて、投影露光時のパターン精度を向
上することのできる露光方法及び露光装置及びそれに用
いるレチクルを提供することにある。
影響を最低限に抑えて、投影露光時のパターン精度を向
上することのできる露光方法及び露光装置及びそれに用
いるレチクルを提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、移動
可能な被処理体ステージ上に支持された被処理体上に、
露光照明系により照明されたレチクル上のパターンを投
影レンズを介して投影して、前記被処理体を露光する露
光方法において、前記レチクルを支持した移動可能なレ
チクルステージを移動して、露光範囲内の指定位置に前
記レチクル上のパターンを移動する工程を有することを
特徴とする。
可能な被処理体ステージ上に支持された被処理体上に、
露光照明系により照明されたレチクル上のパターンを投
影レンズを介して投影して、前記被処理体を露光する露
光方法において、前記レチクルを支持した移動可能なレ
チクルステージを移動して、露光範囲内の指定位置に前
記レチクル上のパターンを移動する工程を有することを
特徴とする。
【００１０】通常、レチクル中心は投影レンズの光軸に
一致するように位置合わせされるため、投影レンズの有
効露光範囲がレチクル上の露光範囲を規定しており、パ
ターンはこの範囲内に配置する必要がある。
一致するように位置合わせされるため、投影レンズの有
効露光範囲がレチクル上の露光範囲を規定しており、パ
ターンはこの範囲内に配置する必要がある。
【００１１】請求項１の発明では、レチクルを支持した
移動可能なレチクルステージを移動して、レチクル上の
パターンを露光範囲内の指定された位置に移動する。こ
の指定位置はレチクルステージが移動可能であるため、
任意な位置に設定できる。従って、レチクル上のあるパ
ターン領域が露光範囲外に配置されていたとしても、レ
チクルステージを移動することによってその領域を露光
範囲内に移動でき、レチクル上の露光範囲を実質的に拡
大できる。尚、レチクルステージの移動は、被処理体ス
テージと同様にレ−ザ−干渉計駆動方式により高精度に
実施される。
移動可能なレチクルステージを移動して、レチクル上の
パターンを露光範囲内の指定された位置に移動する。こ
の指定位置はレチクルステージが移動可能であるため、
任意な位置に設定できる。従って、レチクル上のあるパ
ターン領域が露光範囲外に配置されていたとしても、レ
チクルステージを移動することによってその領域を露光
範囲内に移動でき、レチクル上の露光範囲を実質的に拡
大できる。尚、レチクルステージの移動は、被処理体ス
テージと同様にレ−ザ−干渉計駆動方式により高精度に
実施される。
【００１２】この請求項１に定義された露光方法は、請
求項６に記載の露光装置及び請求項８に記載のレチクル
を用いて好適に実施できる。
求項６に記載の露光装置及び請求項８に記載のレチクル
を用いて好適に実施できる。
【００１３】また、請求項２に示すように、レチクルス
テージの移動量とレチクル上のパターン情報に基づい
て、前記レチクル上のパターンを分割して露光すること
によって、レチクル上のパターンを露光範囲内に限らず
露光範囲外にも渡って有効活用できる。例えば、レチク
ル上の露光範囲外まで渡って素子チップ及び評価チップ
が配置されていると仮定する。請求項２の発明によれ
ば、素子チップと評価チップを分割して露光することに
よって、被処理体（半導体ウエハ）上に素子チップの数
を減らすことなく、必要な位置に評価チップを配列でき
る。このようにレチクル上のパターンを分割して露光す
るには、レチクル上のパターンを露光範囲内の指定位置
へ移動した後に、半導体ウエハ上の各露光位置で、露光
照明計の光路中に設けられた遮光装置によって、必要部
分のみを開口して露光することで実現される。
テージの移動量とレチクル上のパターン情報に基づい
て、前記レチクル上のパターンを分割して露光すること
によって、レチクル上のパターンを露光範囲内に限らず
露光範囲外にも渡って有効活用できる。例えば、レチク
ル上の露光範囲外まで渡って素子チップ及び評価チップ
が配置されていると仮定する。請求項２の発明によれ
ば、素子チップと評価チップを分割して露光することに
よって、被処理体（半導体ウエハ）上に素子チップの数
を減らすことなく、必要な位置に評価チップを配列でき
る。このようにレチクル上のパターンを分割して露光す
るには、レチクル上のパターンを露光範囲内の指定位置
へ移動した後に、半導体ウエハ上の各露光位置で、露光
照明計の光路中に設けられた遮光装置によって、必要部
分のみを開口して露光することで実現される。
【００１４】この請求項２に定義された露光方法は、請
求項７に記載の露光装置及び請求項８に記載のレチクル
を用いて好適に実施できる。
求項７に記載の露光装置及び請求項８に記載のレチクル
を用いて好適に実施できる。
【００１５】次に、請求項３の発明に示すように、露光
範囲内の指定位置は、露光光軸もしくはその近傍であ
る。従って、投影レンズの中心付近、すなわちレンズ収
差が小さい領域を使って露光できパターン精度が向上す
る。
範囲内の指定位置は、露光光軸もしくはその近傍であ
る。従って、投影レンズの中心付近、すなわちレンズ収
差が小さい領域を使って露光できパターン精度が向上す
る。
【００１６】更に、請求項４の発明に示すように、レチ
クル上のパターンは複数の領域に分割され、指定された
領域の中心又は中心付近は露光範囲内の指定位置、すな
わち投影レンズの光軸付近に移動される。従って、複数
に分割されたパターン領域を各々投影レンズの中心付近
において露光でき、分割露光する際にもパターン精度が
向上する。
クル上のパターンは複数の領域に分割され、指定された
領域の中心又は中心付近は露光範囲内の指定位置、すな
わち投影レンズの光軸付近に移動される。従って、複数
に分割されたパターン領域を各々投影レンズの中心付近
において露光でき、分割露光する際にもパターン精度が
向上する。
【００１７】最後に、請求項５の発明に示すように、請
求項１又は２又は３又は４に定義された工程を１露光シ
ョット毎、又は、複数露光ショット毎に実施することに
よって、レチクル上のパターンを投影露光して半導体ウ
エハ上にパターンを配列する際の自由度が向上する。
求項１又は２又は３又は４に定義された工程を１露光シ
ョット毎、又は、複数露光ショット毎に実施することに
よって、レチクル上のパターンを投影露光して半導体ウ
エハ上にパターンを配列する際の自由度が向上する。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、本発明を適用した一実施例
について、図面を参照して説明する。
について、図面を参照して説明する。
【００１９】図１に、本発明方法が適用される露光装置
の一例が示されている。同図において、被処理基板例え
ば半導体ウエハ１１は、Ｘ、Ｙの二次元方向の移動と、
このＸ、Ｙ軸に直交するＺ軸の回りに回転可能なウエハ
ステージ１０に支持されている。このウエハステージ１
０の上方には、露光照明系１５が配置され、その光路中
に遮光装置１６が設けられている。照明系１５と、半導
体ウエハ１１との間には、レチクル１４及び投影レンズ
１２が配置されている。このレチクル１４はウエハステ
ージ１０と同様に、Ｘ、Ｙの二次元方向の移動と、Ｚ軸
の回りに回転可能なレチクルステージ１３に支持されて
いる。レチクル１４上に形成されたパターンは、露光照
明系１５によって照明され、投影レンズ１２を介するこ
とで、例えば１／５に縮小されて半導体ウエハ１１上に
結像する。ウエハステージ駆動部２０はレ−ザ−干渉計
駆動方式でウエハステージ１０を移動する。記憶部２３
には、ウエハステージ１０の座標系で半導体ウエハ１１
上の露光ショット配列座標が記憶されており、制御部２
２は、記憶部２３からその配列座標を読み出し、ウエハ
ステージ駆動部２０に指示してウエハステージ１０をス
テップ駆動することで、半導体ウエハ１１上にレチクル
１４上のパターンを配列することが可能となる。ここ
で、レ−ザ−干渉計駆動方式については、ステッパーに
おいては極めて一般的な方式で公知な技術であるため説
明を省略する。
の一例が示されている。同図において、被処理基板例え
ば半導体ウエハ１１は、Ｘ、Ｙの二次元方向の移動と、
このＸ、Ｙ軸に直交するＺ軸の回りに回転可能なウエハ
ステージ１０に支持されている。このウエハステージ１
０の上方には、露光照明系１５が配置され、その光路中
に遮光装置１６が設けられている。照明系１５と、半導
体ウエハ１１との間には、レチクル１４及び投影レンズ
１２が配置されている。このレチクル１４はウエハステ
ージ１０と同様に、Ｘ、Ｙの二次元方向の移動と、Ｚ軸
の回りに回転可能なレチクルステージ１３に支持されて
いる。レチクル１４上に形成されたパターンは、露光照
明系１５によって照明され、投影レンズ１２を介するこ
とで、例えば１／５に縮小されて半導体ウエハ１１上に
結像する。ウエハステージ駆動部２０はレ−ザ−干渉計
駆動方式でウエハステージ１０を移動する。記憶部２３
には、ウエハステージ１０の座標系で半導体ウエハ１１
上の露光ショット配列座標が記憶されており、制御部２
２は、記憶部２３からその配列座標を読み出し、ウエハ
ステージ駆動部２０に指示してウエハステージ１０をス
テップ駆動することで、半導体ウエハ１１上にレチクル
１４上のパターンを配列することが可能となる。ここ
で、レ−ザ−干渉計駆動方式については、ステッパーに
おいては極めて一般的な方式で公知な技術であるため説
明を省略する。
【００２０】レチクルステージ駆動部２１は、ウエハス
テージ駆動部２０と同様にＸ、Ｙ方向にレ−ザ−干渉計
駆動方式で非常に高い位置精度をもってレチクルステー
ジ１３を移動する。レチクル１４を移動すべき指定位置
は、記憶部２３にレチクルステージ１３の座標系で記憶
されている。制御部２２は、記憶部２３からその位置座
標を読み出し、レチクルステージ駆動部２１に指示して
レチクルステージ１３を指定位置まで移動する。このよ
うにしてレチクル１４上のパターンは、露光範囲内の指
定された位置へ移動される。
テージ駆動部２０と同様にＸ、Ｙ方向にレ−ザ−干渉計
駆動方式で非常に高い位置精度をもってレチクルステー
ジ１３を移動する。レチクル１４を移動すべき指定位置
は、記憶部２３にレチクルステージ１３の座標系で記憶
されている。制御部２２は、記憶部２３からその位置座
標を読み出し、レチクルステージ駆動部２１に指示して
レチクルステージ１３を指定位置まで移動する。このよ
うにしてレチクル１４上のパターンは、露光範囲内の指
定された位置へ移動される。
【００２１】図２に、本発明方法に用いられるレチクル
の一例が示されている。同図において、レチクル１４上
には半導体素子パターン領域（素子チップ３１）が２チ
ップ、製造された半導体素子の各種特性を評価するため
の評価パターン領域（評価チップ３２）が１チップ、露
光範囲３０の外にまで渡って配置されている。ここで、
露光範囲３０は図に示される円の内側である。
の一例が示されている。同図において、レチクル１４上
には半導体素子パターン領域（素子チップ３１）が２チ
ップ、製造された半導体素子の各種特性を評価するため
の評価パターン領域（評価チップ３２）が１チップ、露
光範囲３０の外にまで渡って配置されている。ここで、
露光範囲３０は図に示される円の内側である。
【００２２】上記のように、レチクルステージ１３を移
動してレチクル１４上のパターンを露光範囲内へ移動す
る方法によって、図２に示される本発明の露光範囲外に
までも渡ってパターンが配置されたレチクル１４におい
ても、素子チップ３１領域および評価チップ３２領域を
それぞれ露光範囲内に移動でき、露光範囲が実質的に拡
大され、また、露光時のスループットが向上する。
動してレチクル１４上のパターンを露光範囲内へ移動す
る方法によって、図２に示される本発明の露光範囲外に
までも渡ってパターンが配置されたレチクル１４におい
ても、素子チップ３１領域および評価チップ３２領域を
それぞれ露光範囲内に移動でき、露光範囲が実質的に拡
大され、また、露光時のスループットが向上する。
【００２３】図３は、図２に示される本発明方法に用い
られるレチクル１４において、レチクル１４上のパター
ンを複数の領域に分割して露光する方法を示している。
同図において、レチクル１４上には素子チップ３１が２
チップと評価チップ３２が１チップ配置されており、素
子チップ領域と評価チップ領域の２領域に分割して露光
が実施される。
られるレチクル１４において、レチクル１４上のパター
ンを複数の領域に分割して露光する方法を示している。
同図において、レチクル１４上には素子チップ３１が２
チップと評価チップ３２が１チップ配置されており、素
子チップ領域と評価チップ領域の２領域に分割して露光
が実施される。
【００２４】図３（ａ）は、素子チップ領域のみを選択
して露光するために、図１に示す露光照明系１５の光路
中に設けられた遮光装置１６によって、その遮光板をレ
チクル１４上に投影された状態を示しており、素子チッ
プ領域のみが遮光板の投影像３５によって開口されてい
る。同様にして図３（ｂ）は、評価チップ領域のみを選
択して露光するために、図１に示す露光照明系１５の光
路中に設けられた遮光装置１６によって、その遮光板を
レチクル１４上に投影された状態を示しており、評価チ
ップ領域のみが遮光板の投影像３５によって開口されて
いる。
して露光するために、図１に示す露光照明系１５の光路
中に設けられた遮光装置１６によって、その遮光板をレ
チクル１４上に投影された状態を示しており、素子チッ
プ領域のみが遮光板の投影像３５によって開口されてい
る。同様にして図３（ｂ）は、評価チップ領域のみを選
択して露光するために、図１に示す露光照明系１５の光
路中に設けられた遮光装置１６によって、その遮光板を
レチクル１４上に投影された状態を示しており、評価チ
ップ領域のみが遮光板の投影像３５によって開口されて
いる。
【００２５】図１において、記憶部２３には素子チップ
領域及び評価チップ領域の位置がレチクルステージ１３
の座標系で記憶され、また、半導体ウエハ１１上の各露
光ショット位置に対応する露光すべきパターン領域の種
類も記憶されている。上記のように、露光前にレチクル
１４を露光範囲内の指定位置へ移動する必要があるた
め、制御部２２は、記憶部２３からレチクル１４が移動
される指定位置座標及び指定されたパターン領域の種類
及び位置座標を読み出し、それらを演算部２４へ送って
レチクル１４が移動される移動量分のパターン領域の位
置座標の補正計算を実施する。そして、その結果を再び
記憶部２３へ格納する。レチクル１４の移動終了後、制
御部２２は、記憶部２３から指定されたパターン領域の
種類とその位置座標を読み出し、遮光板駆動部２５に指
示して遮光装置１６の遮光板を適切な位置に動かして必
要部分のみを開口する。露光照明系１５は遮光装置１６
の遮光板がレチクル１４上に投影され結像される構成に
なっているため、それをマスクに分割露光が実施され
る。このようにして、レチクル１４上のパターンを露光
範囲内に限らず露光範囲外にも渡って有効活用できる。
領域及び評価チップ領域の位置がレチクルステージ１３
の座標系で記憶され、また、半導体ウエハ１１上の各露
光ショット位置に対応する露光すべきパターン領域の種
類も記憶されている。上記のように、露光前にレチクル
１４を露光範囲内の指定位置へ移動する必要があるた
め、制御部２２は、記憶部２３からレチクル１４が移動
される指定位置座標及び指定されたパターン領域の種類
及び位置座標を読み出し、それらを演算部２４へ送って
レチクル１４が移動される移動量分のパターン領域の位
置座標の補正計算を実施する。そして、その結果を再び
記憶部２３へ格納する。レチクル１４の移動終了後、制
御部２２は、記憶部２３から指定されたパターン領域の
種類とその位置座標を読み出し、遮光板駆動部２５に指
示して遮光装置１６の遮光板を適切な位置に動かして必
要部分のみを開口する。露光照明系１５は遮光装置１６
の遮光板がレチクル１４上に投影され結像される構成に
なっているため、それをマスクに分割露光が実施され
る。このようにして、レチクル１４上のパターンを露光
範囲内に限らず露光範囲外にも渡って有効活用できる。
【００２６】図４は、図２に示される本発明方法に用い
られるレチクル１４において、レチクル１４上の複数に
分割されたパターン領域を露光範囲内の指定位置、すな
わち投影レンズ１２の中心（光軸１７）へ移動する方法
を示している。同図において、レチクル１４上には素子
チップ３１が２チップと評価チップ３２が１チップ配置
されており、素子チップ領域と評価チップ領域の２領域
に分割して移動が実施される。
られるレチクル１４において、レチクル１４上の複数に
分割されたパターン領域を露光範囲内の指定位置、すな
わち投影レンズ１２の中心（光軸１７）へ移動する方法
を示している。同図において、レチクル１４上には素子
チップ３１が２チップと評価チップ３２が１チップ配置
されており、素子チップ領域と評価チップ領域の２領域
に分割して移動が実施される。
【００２７】図４（ａ）は、素子チップ３１領域の中心
を指定位置である投影レンズ１２の光軸１７と一致する
ように移動された状態を示している。同様にして図４
（ｂ）は、評価チップ３２領域の中心を指定位置である
投影レンズ１２の光軸１７と一致するように移動された
状態を示している。
を指定位置である投影レンズ１２の光軸１７と一致する
ように移動された状態を示している。同様にして図４
（ｂ）は、評価チップ３２領域の中心を指定位置である
投影レンズ１２の光軸１７と一致するように移動された
状態を示している。
【００２８】図１において、記憶部２３には指定位置、
すなわち投影レンズ１２の光軸１７の座標及び分割され
た各パターン領域の種類とその中心座標がレチクルステ
ージ１３の座標系で記憶されている。半導体ウエハ１１
上のある露光ショット位置において、制御部２２は、記
憶部２３から前述の指定位置座標及び移動すべきパター
ン領域の種類と中心座標を読み出し、レチクルステージ
駆動部２１へ指示して、投影レンズ１２の光軸１７と指
定されたパターン領域の中心とが一致するようにレチク
ルステージ１３を移動する。ここで、移動すべき指定位
置は投影レンズ１２の光軸１７に限らずその近傍でも良
く、また、指定れたパターン領域の中心に限らずその近
傍を上記の指定位置へ一致させるように移動しても、投
影レンズ１２の中心付近を使って投影露光することにか
わりはなく、投影レンズ１２の収差の影響を小さく抑
え、高いパターン精度が得られる。
すなわち投影レンズ１２の光軸１７の座標及び分割され
た各パターン領域の種類とその中心座標がレチクルステ
ージ１３の座標系で記憶されている。半導体ウエハ１１
上のある露光ショット位置において、制御部２２は、記
憶部２３から前述の指定位置座標及び移動すべきパター
ン領域の種類と中心座標を読み出し、レチクルステージ
駆動部２１へ指示して、投影レンズ１２の光軸１７と指
定されたパターン領域の中心とが一致するようにレチク
ルステージ１３を移動する。ここで、移動すべき指定位
置は投影レンズ１２の光軸１７に限らずその近傍でも良
く、また、指定れたパターン領域の中心に限らずその近
傍を上記の指定位置へ一致させるように移動しても、投
影レンズ１２の中心付近を使って投影露光することにか
わりはなく、投影レンズ１２の収差の影響を小さく抑
え、高いパターン精度が得られる。
【００２９】次に本実施例では、以上述べた各工程を１
露光ショット毎に実施する構成にした。それを図５のフ
ローチャートを参照して説明する。ここで、半導体ウエ
ハ１１はウエハステージ１０に、レチクル１４はレチク
ルステージ１３にそれぞれ支持され、露光光軸を一致さ
せるためのレチクル１４と半導体ウエハ１１との位置合
わせ（アライメント）はすでに終了し、まさにこれから
ステップアンドリピート露光に移行しようとする段階に
あると仮定する。また、レチクル１４は図２に示される
本発明のレチクル１４を用いることとし、素子チップ３
１領域と評価チップ３２領域の２領域に分割して移動及
び露光を行なうものとする。
露光ショット毎に実施する構成にした。それを図５のフ
ローチャートを参照して説明する。ここで、半導体ウエ
ハ１１はウエハステージ１０に、レチクル１４はレチク
ルステージ１３にそれぞれ支持され、露光光軸を一致さ
せるためのレチクル１４と半導体ウエハ１１との位置合
わせ（アライメント）はすでに終了し、まさにこれから
ステップアンドリピート露光に移行しようとする段階に
あると仮定する。また、レチクル１４は図２に示される
本発明のレチクル１４を用いることとし、素子チップ３
１領域と評価チップ３２領域の２領域に分割して移動及
び露光を行なうものとする。
【００３０】ステップ１で、まず半導体ウエハ１１上の
第１番目の露光ショット位置へウエハステージ１０が移
動される。ステップ２では、制御部２２において素子チ
ップ３１領域又は評価チップ３２領域の選択が実施され
る。
第１番目の露光ショット位置へウエハステージ１０が移
動される。ステップ２では、制御部２２において素子チ
ップ３１領域又は評価チップ３２領域の選択が実施され
る。
【００３１】素子チップ３１領域が選択された場合は、
ステップ３において、素子チップ３１領域の中心が露光
範囲内の指定位置である投影レンズ１２の光軸１７に一
致するようにレチクルステージ１３が移動され、同時に
その移動分が位置補正される。次にステップ４で、露光
照明系１５の光路中に設けられた遮光装置１６によって
素子チップ３１領域のみが開口され、ステップ７で露光
が実施される。
ステップ３において、素子チップ３１領域の中心が露光
範囲内の指定位置である投影レンズ１２の光軸１７に一
致するようにレチクルステージ１３が移動され、同時に
その移動分が位置補正される。次にステップ４で、露光
照明系１５の光路中に設けられた遮光装置１６によって
素子チップ３１領域のみが開口され、ステップ７で露光
が実施される。
【００３２】ここで、ステップ２において評価チップ３
２領域が選択された場合は、上記のステップ３及び４と
同様にしてステップ５及び６が評価チップ３２領域に対
して実施され、ステップ７の露光へと工程が進む。
２領域が選択された場合は、上記のステップ３及び４と
同様にしてステップ５及び６が評価チップ３２領域に対
して実施され、ステップ７の露光へと工程が進む。
【００３３】ステップ７の露光工程後のステップ８で
は、制御部２２によって全ショット露光が終了したか否
かが判定される。全ショット露光が終了した場合は、全
工程が終了したとみなされ、その他の場合は、次の順番
の露光ショットに対して以上の工程が繰り返し実施され
る。
は、制御部２２によって全ショット露光が終了したか否
かが判定される。全ショット露光が終了した場合は、全
工程が終了したとみなされ、その他の場合は、次の順番
の露光ショットに対して以上の工程が繰り返し実施され
る。
【００３４】図５のフローチャートでは、１露光ショッ
ト毎に各工程が実施されたが、これを複数露光ショット
毎に実施しても良い。いずれの場合においても、半導体
ウエハ１１上に高い自由度をもって複数のパターン領域
を効率良く分割して配列できる。
ト毎に各工程が実施されたが、これを複数露光ショット
毎に実施しても良い。いずれの場合においても、半導体
ウエハ１１上に高い自由度をもって複数のパターン領域
を効率良く分割して配列できる。
【００３５】尚、本発明は上記実施例に限定されるもの
ではなく、本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施が可
能である。例えば、露光対象である被処理基板は必ずし
も半導体ウエハに限らず、液晶表示装置（ＬＣＤ）等の
他の半導体基板でも良く、あるいは半導体基板以外の各
種処理基板に本発明を適用することもできる。
ではなく、本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施が可
能である。例えば、露光対象である被処理基板は必ずし
も半導体ウエハに限らず、液晶表示装置（ＬＣＤ）等の
他の半導体基板でも良く、あるいは半導体基板以外の各
種処理基板に本発明を適用することもできる。
【００３６】
【発明の効果】請求項１、６、８の各発明によれば、レ
チクルステージを移動してレチクル上の露光範囲外まで
にも渡って配置されたパターンを露光範囲内の指定位置
へ移動することで、投影露光時の露光範囲を実質的に拡
大してスループットを向上することができる。
チクルステージを移動してレチクル上の露光範囲外まで
にも渡って配置されたパターンを露光範囲内の指定位置
へ移動することで、投影露光時の露光範囲を実質的に拡
大してスループットを向上することができる。
【００３７】請求項２、７、８の各発明によれば、レチ
クル上の露光範囲外にまで渡って配置されたパターンを
複数の領域に分割して露光することで、レチクル上のパ
ターンを露光範囲に限らず、露光範囲外にも渡って有効
活用できる。
クル上の露光範囲外にまで渡って配置されたパターンを
複数の領域に分割して露光することで、レチクル上のパ
ターンを露光範囲に限らず、露光範囲外にも渡って有効
活用できる。
【００３８】請求項３の発明によれば、レチクル上のパ
ターンを移動する時の指定位置を投影レンズの光軸近傍
にすることで、投影レンズの収差の影響の小さい領域を
用いて露光できパターン精度が向上する。
ターンを移動する時の指定位置を投影レンズの光軸近傍
にすることで、投影レンズの収差の影響の小さい領域を
用いて露光できパターン精度が向上する。
【００３９】請求項４の発明によれば、レチクル上の露
光範囲外にまでも渡って配置されたパターンを複数の領
域に分割し、各領域の中心付近を上記の指定位置、すな
わち投影レンズの光軸近傍に一致させるように移動する
ことで、分割露光の際にも上記と同様にパターン精度を
向上できる。
光範囲外にまでも渡って配置されたパターンを複数の領
域に分割し、各領域の中心付近を上記の指定位置、すな
わち投影レンズの光軸近傍に一致させるように移動する
ことで、分割露光の際にも上記と同様にパターン精度を
向上できる。
【００４０】請求項５の発明によれば、上記の本発明の
各工程を１露光ショット毎、又は、複数ショット毎に実
施することで、被処理体、例えば半導体ウエハ上に高い
自由度をもってパターンを配列できる。
各工程を１露光ショット毎、又は、複数ショット毎に実
施することで、被処理体、例えば半導体ウエハ上に高い
自由度をもってパターンを配列できる。
【図１】本発明に係わる露光装置の一実施例を示す概略
説明図である。
説明図である。
【図２】本発明方法に用いられるレチクルの平面図であ
る。
る。
【図３】（ａ）及び（ｂ）は、図２のレチクル上のパタ
ーンを素子チップ領域、評価チップ領域にそれぞれ分割
して露光する方法を説明するための概略説明図である。
ーンを素子チップ領域、評価チップ領域にそれぞれ分割
して露光する方法を説明するための概略説明図である。
【図４】（ａ）及び（ｂ）は、図２のレチクル上のパタ
ーンを素子チップ領域、評価チップ領域にそれぞれ分割
して投影レンズの光軸位置へ移動する方法を説明するた
めの概略説明図である。
ーンを素子チップ領域、評価チップ領域にそれぞれ分割
して投影レンズの光軸位置へ移動する方法を説明するた
めの概略説明図である。
【図５】図１の露光装置及び図２のレチクルを用いて、
本発明の各工程を１露光ショット毎に実施する手順を示
すフローチャートである。
本発明の各工程を１露光ショット毎に実施する手順を示
すフローチャートである。
１０ ウエハステージ １１ 半導体ウエハ １２ 投影レンズ １３ レチクルステージ １４ レチクル １５ 露光照明系 １６ 遮光装置 １７ 投影レンズの光軸 ２０ ウエハステージ駆動部 ２１ レチクルステージ駆動部 ２２ 制御部 ２３ 記憶部 ２４ 演算部 ２５ 遮光板駆動部 ３０ 露光範囲 ３１ 素子チップ ３２ 評価チップ ３５ 遮光板の投影像
Claims (8)
- 【請求項１】 移動可能な被処理体ステージ上に支持さ
れた被処理体上に、露光照明系により照明されたレチク
ル上のパターンを投影レンズを介して投影して、前記被
処理体を露光する露光方法において、 前記レチクルを支持した移動可能なレチクルステージを
移動して、露光範囲内の指定位置に前記レチクル上のパ
ターンを移動する工程を有することを特徴とする露光方
法。 - 【請求項２】 請求項１記載の、前記レチクルステージ
の移動量と前記レチクル上のパターン情報に基づいて、
前記レチクル上のパターンを分割して露光する工程を有
することを特徴とする露光方法。 - 【請求項３】 請求項１又は２に記載の、前記露光範囲
内の指定位置が、露光光軸もしくはその近傍であること
を特徴とする露光方法。 - 【請求項４】 請求項３記載の、前記レチクル上のパタ
ーンを複数の領域に分割して、指定された前記領域の中
心又は中心付近を前記露光範囲内の指定位置に移動する
ことを特徴とする露光方法。 - 【請求項５】 請求項１又は２又は３又は４に記載の、
前記各工程を１露光ショット毎、又は、複数露光ショッ
ト毎に実施することを特徴とする露光方法。 - 【請求項６】 移動可能な被処理体ステージ上に支持さ
れた被処理体上に、露光照明系により照明されたレチク
ル上のパターンを投影レンズを介して投影して、前記被
処理体を露光する露光装置において、 前記レチクルを支持した移動可能なレチクルステージを
移動して、露光範囲内の指定位置に前記レチクル上のパ
ターンを移動する手段を有することを特徴とする露光装
置。 - 【請求項７】 請求項６記載の、前記レチクルステージ
の移動量と前記レチクル上のパターン情報に基づいて、
前記レチクル上のパターンを分割して露光する手段を有
することを特徴とする露光装置。 - 【請求項８】 被処理体ステージ上に支持された被処理
体を、投影レンズを介して露光するために用いるレチク
ルにおいて、 前記レチクル上の半導体素子パターン又は半導体素子評
価パターン等を、前記投影レンズの有効露光範囲外にま
で渡って配置したことを特徴とするレチクル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30315995A JPH09148221A (ja) | 1995-11-21 | 1995-11-21 | 露光方法及び露光装置及びそれに用いるレチクル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30315995A JPH09148221A (ja) | 1995-11-21 | 1995-11-21 | 露光方法及び露光装置及びそれに用いるレチクル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09148221A true JPH09148221A (ja) | 1997-06-06 |
Family
ID=17917597
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30315995A Withdrawn JPH09148221A (ja) | 1995-11-21 | 1995-11-21 | 露光方法及び露光装置及びそれに用いるレチクル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09148221A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009033190A (ja) * | 1998-03-02 | 2009-02-12 | Micronic Laser Syst Ab | ステッチング誤差防止用改良型パターン・ジェネレータ |
| WO2022028123A1 (zh) * | 2020-08-05 | 2022-02-10 | 长鑫存储技术有限公司 | 掩膜版的存储系统、查询系统、存储方法及计算机设备 |
-
1995
- 1995-11-21 JP JP30315995A patent/JPH09148221A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009033190A (ja) * | 1998-03-02 | 2009-02-12 | Micronic Laser Syst Ab | ステッチング誤差防止用改良型パターン・ジェネレータ |
| WO2022028123A1 (zh) * | 2020-08-05 | 2022-02-10 | 长鑫存储技术有限公司 | 掩膜版的存储系统、查询系统、存储方法及计算机设备 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040712 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040907 |
|
| A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20041005 |