JPH05243364A - 半導体ウェハの除電方法およびそれを用いた半導体集積回路製造装置 - Google Patents
半導体ウェハの除電方法およびそれを用いた半導体集積回路製造装置Info
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- JPH05243364A JPH05243364A JP4418892A JP4418892A JPH05243364A JP H05243364 A JPH05243364 A JP H05243364A JP 4418892 A JP4418892 A JP 4418892A JP 4418892 A JP4418892 A JP 4418892A JP H05243364 A JPH05243364 A JP H05243364A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 帯電した半導体ウェハの除電を可能とし、ウ
ェハの搬送トラブル、ウェハへの塵埃付着およびウェハ
上の素子破壊を防止できる半導体ウェハの除電方法およ
びそれを用いた半導体集積回路製造装置を提供する。 【構成】 レジスト塗布前のベーク処理を行うベークユ
ニットなどから構成され、このベークユニットは、上下
動して半導体ウェハ１を所定の温度で加熱するヒータス
テージ２と、このヒータステージ２を貫通して半導体ウ
ェハ１を３点支持するウェハ支持ピン３と、ウェハ支持
ピン３を垂設に保持する支持ピン台４などから構成され
ている。そして、ウェハ支持ピン３が所定値、たとえば
１０4 〜１０8 Ωの抵抗５を介して接地されている。
ェハの搬送トラブル、ウェハへの塵埃付着およびウェハ
上の素子破壊を防止できる半導体ウェハの除電方法およ
びそれを用いた半導体集積回路製造装置を提供する。 【構成】 レジスト塗布前のベーク処理を行うベークユ
ニットなどから構成され、このベークユニットは、上下
動して半導体ウェハ１を所定の温度で加熱するヒータス
テージ２と、このヒータステージ２を貫通して半導体ウ
ェハ１を３点支持するウェハ支持ピン３と、ウェハ支持
ピン３を垂設に保持する支持ピン台４などから構成され
ている。そして、ウェハ支持ピン３が所定値、たとえば
１０4 〜１０8 Ωの抵抗５を介して接地されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウェハの除電技
術に関し、特に半導体ウェハを搬送および処理する半導
体集積回路製造装置において、ウェハの帯電に起因する
搬送トラブル、ウェハへの塵埃付着、および放電による
素子破壊の防止が可能とされる半導体ウェハの除電方法
およびそれを用いた半導体集積回路製造装置に適用して
有効な技術に関する。
術に関し、特に半導体ウェハを搬送および処理する半導
体集積回路製造装置において、ウェハの帯電に起因する
搬送トラブル、ウェハへの塵埃付着、および放電による
素子破壊の防止が可能とされる半導体ウェハの除電方法
およびそれを用いた半導体集積回路製造装置に適用して
有効な技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体集積回路製造装置におい
て、たとえばウェハの搬送および処理のためのウェハ処
理ユニットおよびウェハ搬送部には、ウェハとの接触部
に金属材料が用いられることが多く、この場合に帯電し
たウェハの電荷はこの金属材料を通じて除電されてい
た。
て、たとえばウェハの搬送および処理のためのウェハ処
理ユニットおよびウェハ搬送部には、ウェハとの接触部
に金属材料が用いられることが多く、この場合に帯電し
たウェハの電荷はこの金属材料を通じて除電されてい
た。
【０００３】しかし、近年、ウェハの金属汚染を防止す
るために、ウェハとの接触部に非金属材料が用いられ、
いわゆる絶縁物によるウェハとの非接触状態におけるメ
タルフリー化が施されている。
るために、ウェハとの接触部に非金属材料が用いられ、
いわゆる絶縁物によるウェハとの非接触状態におけるメ
タルフリー化が施されている。
【０００４】なお、これに類似する技術としては、たと
えば株式会社工業調査会昭和６３年１２月１０日発行、
「電子材料別冊 １９８９年版 超ＬＳＩ製造・試験装
置ハンドガイドブック」Ｐ７８〜８３の文献に記載され
るレジスト処理技術が挙げられる。
えば株式会社工業調査会昭和６３年１２月１０日発行、
「電子材料別冊 １９８９年版 超ＬＳＩ製造・試験装
置ハンドガイドブック」Ｐ７８〜８３の文献に記載され
るレジスト処理技術が挙げられる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、前記のよう
な従来技術においては、ウェハの金属汚染対策としては
充分であるものの、搬送機構などとの摩擦により処理課
程で蓄積した多量の電荷がウェハに残ったまま処理され
るという不具合がある。
な従来技術においては、ウェハの金属汚染対策としては
充分であるものの、搬送機構などとの摩擦により処理課
程で蓄積した多量の電荷がウェハに残ったまま処理され
るという不具合がある。
【０００６】たとえば、帯電した状態においてウェハの
処理が続行されると、以下に示すような問題点が生じ
る。
処理が続行されると、以下に示すような問題点が生じ
る。
【０００７】(1).帯電したウェハに塵埃が電気的に引き
寄せられて付着する。
寄せられて付着する。
【０００８】(2).ウェハ搬送時、ウェハが搬送機構に引
き付けられて搬送不良となる。
き付けられて搬送不良となる。
【０００９】(3).ウェハが多量に帯電した場合、搬送お
よび処理機構の導体材料との間で放電を起こし、ウェハ
上の素子破壊につながる危険性がある。
よび処理機構の導体材料との間で放電を起こし、ウェハ
上の素子破壊につながる危険性がある。
【００１０】従って、従来の技術においては、ウェハの
金属汚染対策とウェハの帯電によるトラブルの防止とが
両立できず、特に大口径化・微細化が要求される近年に
おいては、ウェハの帯電防止が重要な課題となってい
る。
金属汚染対策とウェハの帯電によるトラブルの防止とが
両立できず、特に大口径化・微細化が要求される近年に
おいては、ウェハの帯電防止が重要な課題となってい
る。
【００１１】そこで、本発明の目的は、帯電したウェハ
の除電を可能とし、ウェハの搬送トラブル、ウェハへの
塵埃付着およびウェハ上の素子破壊を防止することがで
きる半導体ウェハの除電方法およびそれを用いた半導体
集積回路製造装置を提供することにある。
の除電を可能とし、ウェハの搬送トラブル、ウェハへの
塵埃付着およびウェハ上の素子破壊を防止することがで
きる半導体ウェハの除電方法およびそれを用いた半導体
集積回路製造装置を提供することにある。
【００１２】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
【００１４】すなわち、本発明の半導体ウェハの除電方
法は、半導体ウェハを所定値の抵抗または所定の抵抗値
を有した材料を介して接地するものである。
法は、半導体ウェハを所定値の抵抗または所定の抵抗値
を有した材料を介して接地するものである。
【００１５】また、本発明の半導体集積回路製造装置
は、半導体ウェハを搬送および処理する半導体集積回路
製造装置であって、半導体ウェハに接触する搬送機構お
よび処理機構を所定値の抵抗または所定の抵抗値を有し
た材料を介して接地するものである。
は、半導体ウェハを搬送および処理する半導体集積回路
製造装置であって、半導体ウェハに接触する搬送機構お
よび処理機構を所定値の抵抗または所定の抵抗値を有し
た材料を介して接地するものである。
【００１６】
【作用】前記した半導体ウェハの除電方法によれば、半
導体ウェハが所定値の抵抗または所定の抵抗値を有した
材料を介して接地されることにより、半導体ウェハに蓄
積されている電荷を除電することができる。
導体ウェハが所定値の抵抗または所定の抵抗値を有した
材料を介して接地されることにより、半導体ウェハに蓄
積されている電荷を除電することができる。
【００１７】特に、半導体集積回路製造装置に用いるこ
とにより、帯電した半導体ウェハを、半導体ウェハに接
触する搬送機構および処理機構、抵抗または抵抗値を有
する材料を通じて除電することができる。
とにより、帯電した半導体ウェハを、半導体ウェハに接
触する搬送機構および処理機構、抵抗または抵抗値を有
する材料を通じて除電することができる。
【００１８】これにより、半導体ウェハの帯電量はほぼ
零となり、半導体ウェハの帯電によるトラブルを防止す
ることが可能となる。
零となり、半導体ウェハの帯電によるトラブルを防止す
ることが可能となる。
【００１９】
【実施例】図１は本発明の半導体ウェハの除電方法およ
びそれを用いた半導体集積回路製造装置の一実施例であ
るレジスト塗布装置の要部を示す概略構成図である。
びそれを用いた半導体集積回路製造装置の一実施例であ
るレジスト塗布装置の要部を示す概略構成図である。
【００２０】まず、図１により本実施例のレジスト塗布
装置の要部構成を説明する。
装置の要部構成を説明する。
【００２１】本実施例のレジスト塗布装置は、たとえば
レジスト塗布前のベーク処理を行うベークユニットなど
から構成され、このベークユニットは、上下動して半導
体ウェハ１を所定の温度で加熱するヒータステージ２
と、このヒータステージ２を貫通して半導体ウェハ１を
３点支持するウェハ支持ピン３と、ウェハ支持ピン３を
垂設に保持する支持ピン台４などから構成されている。
レジスト塗布前のベーク処理を行うベークユニットなど
から構成され、このベークユニットは、上下動して半導
体ウェハ１を所定の温度で加熱するヒータステージ２
と、このヒータステージ２を貫通して半導体ウェハ１を
３点支持するウェハ支持ピン３と、ウェハ支持ピン３を
垂設に保持する支持ピン台４などから構成されている。
【００２２】そして、ウェハ支持ピン３が所定値、たと
えば１０4 〜１０8 Ωの抵抗５を介して接地され、たと
えば半導体ウェハ１が前の処理工程において多量の電荷
が蓄積されて帯電した場合に、帯電している半導体ウェ
ハ１からウェハ支持ピン３および抵抗５を介して除電さ
れるようになっている。
えば１０4 〜１０8 Ωの抵抗５を介して接地され、たと
えば半導体ウェハ１が前の処理工程において多量の電荷
が蓄積されて帯電した場合に、帯電している半導体ウェ
ハ１からウェハ支持ピン３および抵抗５を介して除電さ
れるようになっている。
【００２３】次に、本実施例の作用について説明する。
【００２４】以上のように構成されるベークユニット
は、レジスト塗布前のベーク処理に用いられ、たとえば
始めにおよそ６０度程度での乾燥処理が行われた後、お
よそ１５０度程度によるベーク処理が行われる。
は、レジスト塗布前のベーク処理に用いられ、たとえば
始めにおよそ６０度程度での乾燥処理が行われた後、お
よそ１５０度程度によるベーク処理が行われる。
【００２５】さらに、ベーク処理が終了した後にレジス
ト塗布が行われ、最後に再びおよそ１００度程度による
プリベーク処理が行われ、レジスト塗布工程が終了す
る。
ト塗布が行われ、最後に再びおよそ１００度程度による
プリベーク処理が行われ、レジスト塗布工程が終了す
る。
【００２６】この場合に、従来はベーク処理後に、ヒー
タステージ２上の半導体ウェハ１をウェハ支持ピン３で
持ち上げるとき、半導体ウェハ１が蓄積された電荷の影
響で傾いてウェハ支持ピン３からヒータステージ２上に
落下するというトラブルが頻発した。
タステージ２上の半導体ウェハ１をウェハ支持ピン３で
持ち上げるとき、半導体ウェハ１が蓄積された電荷の影
響で傾いてウェハ支持ピン３からヒータステージ２上に
落下するというトラブルが頻発した。
【００２７】ところが、本実施例においては、ウェハ支
持ピン３が抵抗５を介して接地されているので、半導体
ウェハ１に蓄積された電荷がウェハ支持ピン３、抵抗５
を通じて除電され、これによって半導体ウェハ１の支持
を安定させることができる。
持ピン３が抵抗５を介して接地されているので、半導体
ウェハ１に蓄積された電荷がウェハ支持ピン３、抵抗５
を通じて除電され、これによって半導体ウェハ１の支持
を安定させることができる。
【００２８】従って、本実施例のレジスト塗布装置によ
れば、半導体ウェハ１が抵抗５を介して接地されること
により、半導体ウェハ１に蓄積されている電荷を除電
し、従来のような帯電による半導体ウェハの搬送トラブ
ル、さらに半導体ウェハ１への塵埃付着など、半導体ウ
ェハ１の帯電に起因するトラブルを防止することができ
る。
れば、半導体ウェハ１が抵抗５を介して接地されること
により、半導体ウェハ１に蓄積されている電荷を除電
し、従来のような帯電による半導体ウェハの搬送トラブ
ル、さらに半導体ウェハ１への塵埃付着など、半導体ウ
ェハ１の帯電に起因するトラブルを防止することができ
る。
【００２９】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることはいうまでもない。
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることはいうまでもない。
【００３０】たとえば、本実施例のレジスト塗布装置に
ついては、１０4 〜１０8 Ωの抵抗５を介して接地する
場合について説明したが、本発明は前記実施例に限定さ
れるものではなく、１０4 〜１０8 Ωの抵抗５に代え
て、カーボンが含有されたプラスチックなどの樹脂材料
による１０4 〜１０8 Ω程度の静電気拡散性材料など、
所定の抵抗値を有する材料を介して接地する場合などに
ついても広く適用可能である。
ついては、１０4 〜１０8 Ωの抵抗５を介して接地する
場合について説明したが、本発明は前記実施例に限定さ
れるものではなく、１０4 〜１０8 Ωの抵抗５に代え
て、カーボンが含有されたプラスチックなどの樹脂材料
による１０4 〜１０8 Ω程度の静電気拡散性材料など、
所定の抵抗値を有する材料を介して接地する場合などに
ついても広く適用可能である。
【００３１】また、１０9 〜１０14Ωの抵抗、または１
０9 〜１０14Ω程度のいわゆる静電気防止材料を用いる
場合には、前記に比べて帯電防止効果は小さいものの、
半導体ウェハへの帯電量を少なくすることは可能であ
る。
０9 〜１０14Ω程度のいわゆる静電気防止材料を用いる
場合には、前記に比べて帯電防止効果は小さいものの、
半導体ウェハへの帯電量を少なくすることは可能であ
る。
【００３２】以上の説明では、主として本発明者によっ
てなされた発明をその利用分野であるレジスト塗布装置
に適用した場合について説明したが、これに限定される
ものではなく、半導体ウェハの搬送および処理のための
搬送機構および処理機構など、半導体ウェハに接触する
機構を持つ他の半導体集積回路製造装置についても広く
適用可能である。
てなされた発明をその利用分野であるレジスト塗布装置
に適用した場合について説明したが、これに限定される
ものではなく、半導体ウェハの搬送および処理のための
搬送機構および処理機構など、半導体ウェハに接触する
機構を持つ他の半導体集積回路製造装置についても広く
適用可能である。
【００３３】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
【００３４】(1).半導体ウェハを所定値の抵抗または所
定の抵抗値を有した材料を介して接地することにより、
半導体ウェハに蓄積されている電荷を、所定値の抵抗ま
たは所定の抵抗値を有した材料を通じて除電することが
できるので、半導体ウェハの帯電によるトラブルを防止
することが可能となる。
定の抵抗値を有した材料を介して接地することにより、
半導体ウェハに蓄積されている電荷を、所定値の抵抗ま
たは所定の抵抗値を有した材料を通じて除電することが
できるので、半導体ウェハの帯電によるトラブルを防止
することが可能となる。
【００３５】(2).特に、半導体ウェハを搬送および処理
する半導体集積回路製造装置に用い、半導体ウェハに接
触する搬送機構および処理機構を所定値の抵抗または所
定の抵抗値を有した材料を介して接地することにより、
帯電した半導体ウェハを、搬送機構、処理機構、抵抗ま
たは抵抗値を有する材料を通じて除電し、半導体ウェハ
の帯電によるトラブルを防止することができる。
する半導体集積回路製造装置に用い、半導体ウェハに接
触する搬送機構および処理機構を所定値の抵抗または所
定の抵抗値を有した材料を介して接地することにより、
帯電した半導体ウェハを、搬送機構、処理機構、抵抗ま
たは抵抗値を有する材料を通じて除電し、半導体ウェハ
の帯電によるトラブルを防止することができる。
【００３６】(3).前記(1) および(2) により、半導体ウ
ェハの帯電量をほぼ零とすることができるので、帯電に
よる半導体ウェハへの塵埃の付着を防止することができ
る。
ェハの帯電量をほぼ零とすることができるので、帯電に
よる半導体ウェハへの塵埃の付着を防止することができ
る。
【００３７】(4).前記(1) および(2) により、半導体ウ
ェハの帯電量をほぼ零とすることができるので、半導体
ウェハの帯電に起因する搬送トラブルを防止することが
できる。
ェハの帯電量をほぼ零とすることができるので、半導体
ウェハの帯電に起因する搬送トラブルを防止することが
できる。
【００３８】(5).前記(1) および(2) により、半導体ウ
ェハの帯電量をほぼ零とすることができるので、半導体
ウェハと半導体集積回路製造装置間での放電による素子
の破壊を防止することができる。
ェハの帯電量をほぼ零とすることができるので、半導体
ウェハと半導体集積回路製造装置間での放電による素子
の破壊を防止することができる。
【００３９】(6).前記(1) 〜(5) により、メタルフリー
化による半導体ウェハの帯電量の増加を抑制し、大口径
化および微細化の要求に伴う歩留りの向上が可能とされ
る半導体ウェハの除電方法およびそれを用いた半導体集
積回路製造装置を得ることができる。
化による半導体ウェハの帯電量の増加を抑制し、大口径
化および微細化の要求に伴う歩留りの向上が可能とされ
る半導体ウェハの除電方法およびそれを用いた半導体集
積回路製造装置を得ることができる。
【図１】本発明の半導体ウェハの除電方法およびそれを
用いた半導体集積回路製造装置の一実施例であるレジス
ト塗布装置の要部を示す概略構成図である。
用いた半導体集積回路製造装置の一実施例であるレジス
ト塗布装置の要部を示す概略構成図である。
１ 半導体ウェハ ２ ヒータステージ ３ ウェハ支持ピン ４ 支持ピン台 ５ 抵抗
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大原 和樹 東京都青梅市藤橋３丁目３番地２ 日立東 京エレクトロニクス株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体ウェハの除電方法であって、前記
半導体ウェハを所定値の抵抗または所定の抵抗値を有し
た材料を介して接地することを特徴とする半導体ウェハ
の除電方法。 - 【請求項２】 前記半導体ウェハを搬送および処理する
半導体集積回路製造装置であって、前記半導体ウェハに
接触する搬送機構および処理機構を所定値の抵抗または
所定の抵抗値を有した材料を介して接地することを特徴
とする請求項１記載の半導体ウェハの除電方法を用いた
半導体集積回路製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4418892A JPH05243364A (ja) | 1992-03-02 | 1992-03-02 | 半導体ウェハの除電方法およびそれを用いた半導体集積回路製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4418892A JPH05243364A (ja) | 1992-03-02 | 1992-03-02 | 半導体ウェハの除電方法およびそれを用いた半導体集積回路製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05243364A true JPH05243364A (ja) | 1993-09-21 |
Family
ID=12684600
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4418892A Pending JPH05243364A (ja) | 1992-03-02 | 1992-03-02 | 半導体ウェハの除電方法およびそれを用いた半導体集積回路製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05243364A (ja) |
Cited By (14)
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| KR100780366B1 (ko) * | 2005-10-12 | 2007-11-29 | 세메스 주식회사 | 반도체 제조 장치 |
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-
1992
- 1992-03-02 JP JP4418892A patent/JPH05243364A/ja active Pending
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