JP2000100924A - ウェハカセット及びハンドラー - Google Patents
ウェハカセット及びハンドラーInfo
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- JP2000100924A JP2000100924A JP26540998A JP26540998A JP2000100924A JP 2000100924 A JP2000100924 A JP 2000100924A JP 26540998 A JP26540998 A JP 26540998A JP 26540998 A JP26540998 A JP 26540998A JP 2000100924 A JP2000100924 A JP 2000100924A
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- Japan
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- wafer
- wafer cassette
- conductive
- cassette
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Abstract
(57)【要約】
【課題】ウェハが非導電性のウェハカセットから半導体
製造装置へ移送されるとき静電気が生じる。 【解決手段】静電気はウェハ内に蓄積されることを防止
するために、ウェハカセットの一部もしくは全部をステ
ンレス３１６とする。
製造装置へ移送されるとき静電気が生じる。 【解決手段】静電気はウェハ内に蓄積されることを防止
するために、ウェハカセットの一部もしくは全部をステ
ンレス３１６とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェーハを
扱う全ての半導体製造装置に関するものである。
扱う全ての半導体製造装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体集積回路の微細化が進むに
つれてサブミクロン単位のパーティクルの付着を減少さ
せることが重要な課題になっている。ウェーハカセット
は半導体製造工程でウェーハ単位の加工処理を行う間、
搬送の手段として必要となる製造装置である。ウェーハ
カセットは、おもに軽量性、形状の安定性からポリエチ
レン系の絶縁物質が用いられている。
つれてサブミクロン単位のパーティクルの付着を減少さ
せることが重要な課題になっている。ウェーハカセット
は半導体製造工程でウェーハ単位の加工処理を行う間、
搬送の手段として必要となる製造装置である。ウェーハ
カセットは、おもに軽量性、形状の安定性からポリエチ
レン系の絶縁物質が用いられている。
【０００３】図１はウェーハカセットの外観図で、図の
ような形状でウェーハを保持し、搬送を行っている。ウ
ェーハは加工処理装置へ一枚ずつこのウェーハカセット
から加工装置内へ搬送される。搬送が行われることでウ
ェーハが静電気を蓄積することになる。
ような形状でウェーハを保持し、搬送を行っている。ウ
ェーハは加工処理装置へ一枚ずつこのウェーハカセット
から加工装置内へ搬送される。搬送が行われることでウ
ェーハが静電気を蓄積することになる。
【０００４】図２のウェーハカセットを自動搬送するロ
ボットのハンドラーは、ウェーハカセットとの接触部分
を軽量性、形状の安定性からポリエチレン系の絶縁物質
を用いている。
ボットのハンドラーは、ウェーハカセットとの接触部分
を軽量性、形状の安定性からポリエチレン系の絶縁物質
を用いている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ウェーハはウェーハカ
セットから加工装置へ移動することで周囲の雰囲気との
摩擦により静電気が生じ、生じた静電気はウェーハカセ
ットが非導電性でかつ、ウェーハは他物質と非接触であ
ることでウェーハ内へ蓄積される。この静電気は、周囲
の雰囲気中のパーティクルをウェーハへ付着しやすく
し、半導体物質を静電破壊するおそれがある。
セットから加工装置へ移動することで周囲の雰囲気との
摩擦により静電気が生じ、生じた静電気はウェーハカセ
ットが非導電性でかつ、ウェーハは他物質と非接触であ
ることでウェーハ内へ蓄積される。この静電気は、周囲
の雰囲気中のパーティクルをウェーハへ付着しやすく
し、半導体物質を静電破壊するおそれがある。
【０００６】本発明は、静電気がウエーハ間に蓄積する
ことによるパーテイクルの付着、およびウエーハ間に蓄
積された静電気による半導体素子の静電破壊の発生を解
決するためのものである。
ことによるパーテイクルの付着、およびウエーハ間に蓄
積された静電気による半導体素子の静電破壊の発生を解
決するためのものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、静電気がウェ
ーハ内に蓄積されるのを防ぐために、ウェーハカセット
がウェーハと接触する部分を導電性かつ耐腐食性にすぐ
れたステンレス３１６にするものである。
ーハ内に蓄積されるのを防ぐために、ウェーハカセット
がウェーハと接触する部分を導電性かつ耐腐食性にすぐ
れたステンレス３１６にするものである。
【０００８】また、加工装置と接触する底部および側面
にこの導電材質にすることで、ウェーハカセットから加
工装置へ電気的に接地された状態にする。また、ウェー
ハカセットを加工装置間で搬送を行う搬送装置のハンド
ラーを導電性にすることで、搬送装置にある間の静電気
の蓄積の防止を行うものである。
にこの導電材質にすることで、ウェーハカセットから加
工装置へ電気的に接地された状態にする。また、ウェー
ハカセットを加工装置間で搬送を行う搬送装置のハンド
ラーを導電性にすることで、搬送装置にある間の静電気
の蓄積の防止を行うものである。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例について記
述する。
述する。
【００１０】図３は、ウェーハカセットのウェーハの収
納部分の拡大図である。ポリエチレン樹脂のウェーハカ
セット本体内側のウェーハとの接触部分に導電性で耐腐
食性の高いステンレスを表面装着することで、ウェーハ
内の静電気を逃すことが実現できる。搬送の際の軽量化
のため、ウェーハとの接触面のみを導電物質にしてい
る。
納部分の拡大図である。ポリエチレン樹脂のウェーハカ
セット本体内側のウェーハとの接触部分に導電性で耐腐
食性の高いステンレスを表面装着することで、ウェーハ
内の静電気を逃すことが実現できる。搬送の際の軽量化
のため、ウェーハとの接触面のみを導電物質にしてい
る。
【００１１】図４は、ウェーハカセットの底部にステン
レスを装着し、図３のようなウェーハとの接触面のステ
ンレスと接続することで、ウェーハカセットを金属製の
作業台などに置く際に、ウェーハカセット底部から作業
台へ電気的に接地させ、蓄積した静電気を逃すことを実
現している。
レスを装着し、図３のようなウェーハとの接触面のステ
ンレスと接続することで、ウェーハカセットを金属製の
作業台などに置く際に、ウェーハカセット底部から作業
台へ電気的に接地させ、蓄積した静電気を逃すことを実
現している。
【００１２】図５は、ウェーハカセットを半導体加工装
置に置くときのために、装置との接触面となるウェーハ
カセットの側面にステンレスを装着し、加工装置と電気
的な接地を行うものである。図３と同様にウェーハカセ
ット内部のウェーハ接触面と側面のステンレスは接続さ
れている。
置に置くときのために、装置との接触面となるウェーハ
カセットの側面にステンレスを装着し、加工装置と電気
的な接地を行うものである。図３と同様にウェーハカセ
ット内部のウェーハ接触面と側面のステンレスは接続さ
れている。
【００１３】図６ウェーハカセット全体を導電性のステ
ンレス３１６にしたものである。これで、ウェーハカセ
ットに接触する導電性のいかなるものとも、電気的な接
地が行える。
ンレス３１６にしたものである。これで、ウェーハカセ
ットに接触する導電性のいかなるものとも、電気的な接
地が行える。
【００１４】図７は、ウェーハカセットを搬送する、ハ
ンドラーのウェーハカセットとの接触箇所をステンレス
にしたもので、搬送時に電気的な接地を行うものであ
る。ハンドラー先端のステンレス部分は搬送装置の接地
線で接続している。
ンドラーのウェーハカセットとの接触箇所をステンレス
にしたもので、搬送時に電気的な接地を行うものであ
る。ハンドラー先端のステンレス部分は搬送装置の接地
線で接続している。
【００１５】
【発明の効果】以上のように、本発明で半導体製造装置
はウェーハに静電気を蓄積させることないため、静電気
によるパーティクルのウェーハへの付着や静電破壊を生
じることなく、半導体ウェーハでの半導体加工処理が行
える。
はウェーハに静電気を蓄積させることないため、静電気
によるパーティクルのウェーハへの付着や静電破壊を生
じることなく、半導体ウェーハでの半導体加工処理が行
える。
【図１】従来のウェーハカセットの外観図である。
【図２】従来のウェーハカセット搬送装置のハンドラー
の外観図である。
の外観図である。
【図３】本発明によるウェーハカセットホルダーのウェ
ーハとの接触部分の断面図である。
ーハとの接触部分の断面図である。
【図４】本発明によるウェーハカセットホルダーの底部
にステンレスを装着させた断面図である。
にステンレスを装着させた断面図である。
【図５】本発明によるウェーハカセットホルダーの側面
にステンレスを装着させた断面図である。
にステンレスを装着させた断面図である。
【図６】本発明によるウェーハカセットをステンレス３
１６にした外観図である。
１６にした外観図である。
【図７】本発明によるウェーハカセット搬送装置のウェ
ーハカセットとの接触面にステンレスを装着したもので
ある。
ーハカセットとの接触面にステンレスを装着したもので
ある。
Claims (5)
- 【請求項１】半導体ウェーハを積載する非導電性のウェ
ーハカセットの、ウェーハとの接触がある表面を導電性
かつ耐腐食性の材質を用いたウェハカセット。 - 【請求項２】半導体ウェーハを積載する非導電性のウェ
ーハカセットの、底部および側面の半導体加工装置との
接触部を導電性かつ耐腐食性の物質を用いたウェハカセ
ット。 - 【請求項３】半導体ウェーハを積載するウェーハカセッ
ト全体を導電性かつ耐腐食性の物質にしたウェハカセッ
ト。 - 【請求項４】ウェーハカセットを搬送するハンドラーを
導電性かつ耐腐食性の物質にしたハンドラー。 - 【請求項５】請求項１乃至請求項３記載のウエハカセッ
トにおいて、前記導電性かつ耐腐食性の物質は、ステン
レス３１６であることを特徴とするウェハカセット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26540998A JP2000100924A (ja) | 1998-09-18 | 1998-09-18 | ウェハカセット及びハンドラー |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26540998A JP2000100924A (ja) | 1998-09-18 | 1998-09-18 | ウェハカセット及びハンドラー |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000100924A true JP2000100924A (ja) | 2000-04-07 |
Family
ID=17416774
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26540998A Withdrawn JP2000100924A (ja) | 1998-09-18 | 1998-09-18 | ウェハカセット及びハンドラー |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000100924A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102009025681A1 (de) | 2009-06-20 | 2010-12-23 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Wafer-Kassettenvorrichtung und Verfahren zum gemeinsamen Bearbeiten einer Mehrzahl von Waferstapeln und Kontaktschieber |
| JP2014067744A (ja) * | 2012-09-24 | 2014-04-17 | Tokyo Electron Ltd | 搬送装置及び処理装置 |
-
1998
- 1998-09-18 JP JP26540998A patent/JP2000100924A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102009025681A1 (de) | 2009-06-20 | 2010-12-23 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Wafer-Kassettenvorrichtung und Verfahren zum gemeinsamen Bearbeiten einer Mehrzahl von Waferstapeln und Kontaktschieber |
| DE102009025681B4 (de) | 2009-06-20 | 2019-01-24 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Wafer-Kassettenvorrichtung und Verfahren zum gemeinsamen Bearbeiten einer Mehrzahl von Waferstapeln und Kontaktschieber |
| JP2014067744A (ja) * | 2012-09-24 | 2014-04-17 | Tokyo Electron Ltd | 搬送装置及び処理装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20060110 |