JPH0839441A - 部品把持具 - Google Patents
部品把持具Info
- Publication number
- JPH0839441A JPH0839441A JP19375394A JP19375394A JPH0839441A JP H0839441 A JPH0839441 A JP H0839441A JP 19375394 A JP19375394 A JP 19375394A JP 19375394 A JP19375394 A JP 19375394A JP H0839441 A JPH0839441 A JP H0839441A
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- JP
- Japan
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- tweezers
- semiconductor device
- holding
- component
- semiconductive material
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体装置等の部品を把持した際の静電気放
電等を確実に防止することを可能にしたピンセット等の
部品把持具を提供する。 【構成】 金属等の導電性部材で形成されたピンセット
１の少なくとも半導体装置等の部品を把持する把持部３
を、５×１０7 〜１×１０9 Ω・ｃｍの体積固有抵抗を
有する半導電性の材料で構成する。この半導電性材料の
体積固有抵抗により、部品を把持した際の静電気放電が
防止され、除電速度が高速化され、絶縁性が確保されて
静電気放電による部品の静電破壊が有効に防止される。
電等を確実に防止することを可能にしたピンセット等の
部品把持具を提供する。 【構成】 金属等の導電性部材で形成されたピンセット
１の少なくとも半導体装置等の部品を把持する把持部３
を、５×１０7 〜１×１０9 Ω・ｃｍの体積固有抵抗を
有する半導電性の材料で構成する。この半導電性材料の
体積固有抵抗により、部品を把持した際の静電気放電が
防止され、除電速度が高速化され、絶縁性が確保されて
静電気放電による部品の静電破壊が有効に防止される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は微細な部品を把持するピ
ンセット等の部品把持具に関し、特に半導体装置等の部
品の取扱作業時に生じ易い静電気破壊を防止した部品把
持具に関する。
ンセット等の部品把持具に関し、特に半導体装置等の部
品の取扱作業時に生じ易い静電気破壊を防止した部品把
持具に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、微細な部品を把持するためのピン
セットは、バネ性を得るために金属材や合成樹脂材で形
成されている。しかしながら、金属材のものは、導電性
が大きいために通電中の部品を取扱うと短絡事故や感電
事故を引起したり、半導体装置または人体の帯電により
ピンセット先端での静電気放電が起こり、半導体装置を
破壊してしまうという問題がある。また、合成樹脂材の
ものは、ピンセットの絶縁性が高いため、ピンセット自
体が帯電してしまい、二次的に半導体装置を破壊した
り、半導体装置自体の帯電電荷の除去ができないという
問題がある。
セットは、バネ性を得るために金属材や合成樹脂材で形
成されている。しかしながら、金属材のものは、導電性
が大きいために通電中の部品を取扱うと短絡事故や感電
事故を引起したり、半導体装置または人体の帯電により
ピンセット先端での静電気放電が起こり、半導体装置を
破壊してしまうという問題がある。また、合成樹脂材の
ものは、ピンセットの絶縁性が高いため、ピンセット自
体が帯電してしまい、二次的に半導体装置を破壊した
り、半導体装置自体の帯電電荷の除去ができないという
問題がある。
【０００３】このため、例えば実開昭６４−２０２５９
号公報に開示されているように、体積固有抵抗が１０2
〜１０6 Ω・ｃｍの比較的導電性の大きいセラミックで
ピンセットの挟持部材や硬質膜を構成したものが提案さ
れており、短絡事故や感電事故を防止する一方で、半導
体装置における静電破壊を防止するようにしたものが提
案されている。
号公報に開示されているように、体積固有抵抗が１０2
〜１０6 Ω・ｃｍの比較的導電性の大きいセラミックで
ピンセットの挟持部材や硬質膜を構成したものが提案さ
れており、短絡事故や感電事故を防止する一方で、半導
体装置における静電破壊を防止するようにしたものが提
案されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、本発明
者が前記公報に開示されているピンセットについて検討
を加えたところ、高電圧において短絡事故や感電事故が
しばしば発生するとともに、半導体装置の静電破壊に対
しても本発明者が期待するレベルでの効果が得られない
という結果であった。特に、静電破壊については、近年
における半導体装置の高集積化、微細化に伴って半導体
装置の絶縁膜の薄膜化が進行されているため、低レベル
の静電気でも絶縁破壊が生じ易くなっており、前記した
公報のものでは特に人体の帯電によるピンセット先端で
の静電気放電による静電破壊が生じる結果となってい
る。
者が前記公報に開示されているピンセットについて検討
を加えたところ、高電圧において短絡事故や感電事故が
しばしば発生するとともに、半導体装置の静電破壊に対
しても本発明者が期待するレベルでの効果が得られない
という結果であった。特に、静電破壊については、近年
における半導体装置の高集積化、微細化に伴って半導体
装置の絶縁膜の薄膜化が進行されているため、低レベル
の静電気でも絶縁破壊が生じ易くなっており、前記した
公報のものでは特に人体の帯電によるピンセット先端で
の静電気放電による静電破壊が生じる結果となってい
る。
【０００５】
【発明の目的】本発明の目的は、従来のピンセットを更
に改善して静電気放電による半導体装置の静電破壊を防
止することを可能にした部品把持具を提供することにあ
る。
に改善して静電気放電による半導体装置の静電破壊を防
止することを可能にした部品把持具を提供することにあ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の部品把持具は、
少なくとも半導体装置等の部品を把持する部分が、５×
１０7 〜１×１０9 Ω・ｃｍの体積固有抵抗を有する半
導電性の材料で構成されることを特徴とする。
少なくとも半導体装置等の部品を把持する部分が、５×
１０7 〜１×１０9 Ω・ｃｍの体積固有抵抗を有する半
導電性の材料で構成されることを特徴とする。
【０００７】この場合、金属等の導電性部材で形成され
たピンセットの先端部に半導電性材料を一体的に設け、
或いは金属等の導電性部材で形成されたピンセットの表
面に半導電性材料をコーティングした構成とされる。
たピンセットの先端部に半導電性材料を一体的に設け、
或いは金属等の導電性部材で形成されたピンセットの表
面に半導電性材料をコーティングした構成とされる。
【０００８】
【作用】半導体装置等の部品に直接接してこれを把持す
る部分が半導電性の材料で形成されており、その体積固
有抵抗が５×１０7 〜１×１０9 Ω・ｃｍの範囲である
ことから、静電気放電が防止され、除電速度が高速化さ
れ、絶縁性が確保されて静電気放電による静電破壊が有
効に防止される。
る部分が半導電性の材料で形成されており、その体積固
有抵抗が５×１０7 〜１×１０9 Ω・ｃｍの範囲である
ことから、静電気放電が防止され、除電速度が高速化さ
れ、絶縁性が確保されて静電気放電による静電破壊が有
効に防止される。
【０００９】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。図１は本発明をピンセットに適用した実施例の斜視
図である。ピンセット１は導電材であるステンレスで二
股形状の柄部２を構成するとともに、この柄部２の二股
先端部に体積固有抵抗が５×１０7 〜１×１０9 Ω・ｃ
ｍの半導電性材料で形成された把持部３を一体に接着し
たものである。この接着に際しては導電性の接着剤が用
いられ、柄部２と把持部３とを相互に電気的に導通させ
た状態で接着している。
る。図１は本発明をピンセットに適用した実施例の斜視
図である。ピンセット１は導電材であるステンレスで二
股形状の柄部２を構成するとともに、この柄部２の二股
先端部に体積固有抵抗が５×１０7 〜１×１０9 Ω・ｃ
ｍの半導電性材料で形成された把持部３を一体に接着し
たものである。この接着に際しては導電性の接着剤が用
いられ、柄部２と把持部３とを相互に電気的に導通させ
た状態で接着している。
【００１０】前記した把持部３の半導電性材料として
は、体積固有抵抗が前記した範囲にあるものであれば良
く、例えば、半導体材料であるシリコンを利用すること
ができる。即ち、シリコンに適宜の不純物を導入してそ
の導電性をコントロールすることによりその体積固有抵
抗を前記した範囲のものに形成できる。そして、このシ
リコン片を研磨加工等により鋭角形状にしてピンセット
１の先端部の形状とし、これを柄部２の二股先端部に導
電性接接着剤により接着している。
は、体積固有抵抗が前記した範囲にあるものであれば良
く、例えば、半導体材料であるシリコンを利用すること
ができる。即ち、シリコンに適宜の不純物を導入してそ
の導電性をコントロールすることによりその体積固有抵
抗を前記した範囲のものに形成できる。そして、このシ
リコン片を研磨加工等により鋭角形状にしてピンセット
１の先端部の形状とし、これを柄部２の二股先端部に導
電性接接着剤により接着している。
【００１１】このような構成のピンセットを従来のステ
ンレス製のピンセットと、前記した公報に記載されてい
るような先端部がジルコニアセラミックで形成されたピ
ンセットとで比較しながら使用試験を行った。即ち、こ
れらのピンセットについて、半導体装置を強制帯電させ
た状態で半導体装置が破壊にいたる静電気放電の有無、
強制帯電させた金属体の除電速度、及び絶縁性について
試験及び測定を行った。
ンレス製のピンセットと、前記した公報に記載されてい
るような先端部がジルコニアセラミックで形成されたピ
ンセットとで比較しながら使用試験を行った。即ち、こ
れらのピンセットについて、半導体装置を強制帯電させ
た状態で半導体装置が破壊にいたる静電気放電の有無、
強制帯電させた金属体の除電速度、及び絶縁性について
試験及び測定を行った。
【００１２】その結果を図２に示す。ピンセットの先端
部の体積固有抵抗が５×１０7 Ω・ｃｍ以上のものは、
半導体装置が破壊にいたる静電気放電はなく、また１×
１０9 Ω・ｃｍ以下のものは１ｍｓｅｃで９０％の除電
速度を有する。また、１０3Ω・ｃｍ以上のものは、絶
縁性の面で特に問題は生じていない。
部の体積固有抵抗が５×１０7 Ω・ｃｍ以上のものは、
半導体装置が破壊にいたる静電気放電はなく、また１×
１０9 Ω・ｃｍ以下のものは１ｍｓｅｃで９０％の除電
速度を有する。また、１０3Ω・ｃｍ以上のものは、絶
縁性の面で特に問題は生じていない。
【００１３】この試験の結果から、本発明のピンセット
のように、少なくとも半導体装置を直接に把持する把持
部３の体積固有抵抗が５×１０7 〜１×１０9 Ω・ｃｍ
の範囲であれば、静電気放電、除電速度、絶縁性の各項
目において金属製ピンセットやセラミック製ピンセット
よりも有利となり、半導体装置における静電破壊を有効
に防止できることが確認された。
のように、少なくとも半導体装置を直接に把持する把持
部３の体積固有抵抗が５×１０7 〜１×１０9 Ω・ｃｍ
の範囲であれば、静電気放電、除電速度、絶縁性の各項
目において金属製ピンセットやセラミック製ピンセット
よりも有利となり、半導体装置における静電破壊を有効
に防止できることが確認された。
【００１４】図３（ａ）は本発明の他の実施例の斜視図
であり、図３（ｂ）はそのＡ−Ａ線拡大断面図である。
前記実施例と同様に本発明をピンセットに適用した例で
ある。この実施例では、ピンセット１１は導電材である
ステンレスで本体１２を構成するとともに、この本体の
表面に体積固有抵抗が５×１０7 〜１×１０9 Ω・ｃｍ
の半導電性材料をコーティングして表面層１３を形成し
たものである。図３（ｂ）はそのＡ−Ａ線拡大断面図で
ある。
であり、図３（ｂ）はそのＡ−Ａ線拡大断面図である。
前記実施例と同様に本発明をピンセットに適用した例で
ある。この実施例では、ピンセット１１は導電材である
ステンレスで本体１２を構成するとともに、この本体の
表面に体積固有抵抗が５×１０7 〜１×１０9 Ω・ｃｍ
の半導電性材料をコーティングして表面層１３を形成し
たものである。図３（ｂ）はそのＡ−Ａ線拡大断面図で
ある。
【００１５】この表面層１３の半導電性材料としては、
図１の実施例と同様に、例えば不純物を適宜導入してそ
の体積固有抵抗を前記した値の範囲に調整したシリコン
が利用できる。例えば、前記したピンセット本体１２の
表面に多結晶シリコンを堆積させ、かつその際に不純物
を多結晶シリコンに導入することで表面層１３を形成し
て前記したピンセットを製造することができる。
図１の実施例と同様に、例えば不純物を適宜導入してそ
の体積固有抵抗を前記した値の範囲に調整したシリコン
が利用できる。例えば、前記したピンセット本体１２の
表面に多結晶シリコンを堆積させ、かつその際に不純物
を多結晶シリコンに導入することで表面層１３を形成し
て前記したピンセットを製造することができる。
【００１６】したがって、このピンセットにおいても、
その静電気放電、除電速度、絶縁性については図１に示
したピンセット１の場合と同様に、図２に比較したよう
な特性を得ることができ、半導体装置を把持した際の半
導体装置の静電破壊を有効に防止することが可能とな
る。
その静電気放電、除電速度、絶縁性については図１に示
したピンセット１の場合と同様に、図２に比較したよう
な特性を得ることができ、半導体装置を把持した際の半
導体装置の静電破壊を有効に防止することが可能とな
る。
【００１７】ここで、本発明は堆積固有抵抗が前記した
５×１０7 〜１×１０9 Ω・ｃｍの範囲であれば、前記
したシリコンに限られるものではなく、他の材料を利用
することも可能である。また、本発明はピンセットに限
られるものではなく、半導体素子ペレットを把持する治
具であれば同様に適用することができる。
５×１０7 〜１×１０9 Ω・ｃｍの範囲であれば、前記
したシリコンに限られるものではなく、他の材料を利用
することも可能である。また、本発明はピンセットに限
られるものではなく、半導体素子ペレットを把持する治
具であれば同様に適用することができる。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、少なくと
も半導体装置等の部品を把持する部分が、５×１０7 〜
１×１０9 Ω・ｃｍの体積固有抵抗を有する半導電性の
材料で構成することにより、静電気放電が防止され、除
電速度が高速化され、絶縁性が確保されて静電気放電に
よる部品の静電破壊を有効に防止することが可能とな
る。
も半導体装置等の部品を把持する部分が、５×１０7 〜
１×１０9 Ω・ｃｍの体積固有抵抗を有する半導電性の
材料で構成することにより、静電気放電が防止され、除
電速度が高速化され、絶縁性が確保されて静電気放電に
よる部品の静電破壊を有効に防止することが可能とな
る。
【図１】本発明の部品把持具の一実施例の斜視図であ
る。
る。
【図２】本発明の部品把持具における静電気放電、除電
速度、絶縁性の各特性を従来の把持具と比較して示す図
である。
速度、絶縁性の各特性を従来の把持具と比較して示す図
である。
【図３】本発明の部品把持具の他の実施例の斜視図とそ
のＡ−Ａ線拡大断面図である。
のＡ−Ａ線拡大断面図である。
１ ピンセット ２ 柄部 ３ 把持部 １１ ピンセット １２ 本体 １３ 表面層
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体装置等の部品を把持するための把
持具において、少なくとも前記部品を把持する部分が、
５×１０7 〜１×１０9 Ω・ｃｍの体積固有抵抗を有す
る半導電性の材料で構成されたことを特徴とする部品把
持具。 - 【請求項２】 金属等の導電性部材で形成されたピンセ
ットの先端部に半導電性材料を一体的に設けてなる請求
項１の部品把持具。 - 【請求項３】 金属等の導電性部材で形成されたピンセ
ットの表面に半導電性材料をコーティングしてなる請求
項１の部品把持具。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19375394A JPH0839441A (ja) | 1994-07-26 | 1994-07-26 | 部品把持具 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19375394A JPH0839441A (ja) | 1994-07-26 | 1994-07-26 | 部品把持具 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0839441A true JPH0839441A (ja) | 1996-02-13 |
Family
ID=16313245
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19375394A Pending JPH0839441A (ja) | 1994-07-26 | 1994-07-26 | 部品把持具 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0839441A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998049121A1 (fr) * | 1997-04-25 | 1998-11-05 | Kyocera Corporation | Agglomere de zircone semiconducteur et element eliminateur d'electricite statique comprenant un agglomere de zircone semiconducteur |
| US6669871B2 (en) | 2000-11-21 | 2003-12-30 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | ESD dissipative ceramics |
| KR100533861B1 (ko) * | 1997-04-25 | 2006-03-27 | 교세라 가부시키가이샤 | 반도체성지르코니아소결체및반도체성지르코니아소결체로이루어지는정전기제거부재 |
| CN102296346A (zh) * | 2010-06-23 | 2011-12-28 | 昆山意力电路世界有限公司 | 镀铜防指纹遮避器 |
| CN103273436A (zh) * | 2013-06-13 | 2013-09-04 | 苏州新区华士达工程塑胶有限公司 | 防静电塑料尖嘴镊子 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62113312A (ja) * | 1985-11-11 | 1987-05-25 | 日新電機株式会社 | 耐弧金属付接触子 |
-
1994
- 1994-07-26 JP JP19375394A patent/JPH0839441A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62113312A (ja) * | 1985-11-11 | 1987-05-25 | 日新電機株式会社 | 耐弧金属付接触子 |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| WO1998049121A1 (fr) * | 1997-04-25 | 1998-11-05 | Kyocera Corporation | Agglomere de zircone semiconducteur et element eliminateur d'electricite statique comprenant un agglomere de zircone semiconducteur |
| US6274524B1 (en) | 1997-04-25 | 2001-08-14 | Kyocera Corporation | Semiconductive zirconia sintering body and electrostatic removing member constructed by semiconductive zirconia sintering body |
| KR100533861B1 (ko) * | 1997-04-25 | 2006-03-27 | 교세라 가부시키가이샤 | 반도체성지르코니아소결체및반도체성지르코니아소결체로이루어지는정전기제거부재 |
| US6669871B2 (en) | 2000-11-21 | 2003-12-30 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | ESD dissipative ceramics |
| US7094718B2 (en) | 2000-11-21 | 2006-08-22 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | ESD dissipative ceramics |
| US7579288B2 (en) | 2000-11-21 | 2009-08-25 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Method of manufacturing a microelectronic component utilizing a tool comprising an ESD dissipative ceramic |
| CN102296346A (zh) * | 2010-06-23 | 2011-12-28 | 昆山意力电路世界有限公司 | 镀铜防指纹遮避器 |
| CN103273436A (zh) * | 2013-06-13 | 2013-09-04 | 苏州新区华士达工程塑胶有限公司 | 防静电塑料尖嘴镊子 |
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