JP2002365322A

JP2002365322A - 帯電量計測装置と帯電量の計測方法、静電気放電検出装置とその検出方法

Info

Publication number: JP2002365322A
Application number: JP2001171752A
Authority: JP
Inventors: Noriyuki Kodama; 紀行児玉
Original assignee: NEC Corp
Current assignee: NEC Corp
Priority date: 2001-06-06
Filing date: 2001-06-06
Publication date: 2002-12-18
Also published as: US20020186016A1

Abstract

(57)【要約】【課題】イオナイザ雰囲気での帯電量の精度良い計測
を可能にした帯電量計測装置を提供する。【解決手段】被測定物１１に接触させるためのプロー
ブ１と、このプローブ１に一方の端子が接続された抵抗
器Ｒ１と、この抵抗器Ｒ１の他端とグランドＧ間に設け
られたコンデンサＣ１とからなる帯電量計測装置であっ
て、イオナイザ雰囲気におかれた被測定物１１の帯電量
を計測するために、イオナイザにより生成されるコンデ
ンサＣ１のオフセット電流をキャンセルするためのオフ
セット電流キャンセル手段２０を設けたことを特徴とす
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、帯電量計測装置と
その計測方法、静電気放電検出装置とその検出方法に係
わり、特に、半導体装置、ハードディスクドライブ装置
又はこれらの装置の製造装置や治工具用の帯電量計測装
置とその計測方法、静電気放電検出装置とその検出方法
に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体デバイスが完成するまでには、様
々な処理工程を経る。ウエハ拡散工程では、プラズマエ
ッチング工程や、フォトレジスト除去のためのプラズマ
アッシング工程等でウエハがプラズマにさらされること
による帯電現象の他に、ＵＶ光を照射して半導体ウエハ
に付着した有機物を洗浄するＵＶ洗浄工程、イオン注入
工程においても、絶縁膜表面に電荷が帯電することがあ
る。このように、絶縁膜表面に帯電した電荷は、雰囲気
中のパーティクルを吸着しやすくなるだけではなく、静
電気放電により、半導体デバイスの特性劣化を引き起こ
すため、帯電した電荷量をモニタしたいという要望があ
る。

【０００３】また、検査工程では、ハンドラ (handler)
と称される搬送装置を用いている。ＩＣ試験装置で
は、トレイに収納した多数の被試験デバイスをハンドラ
内に搬送し、各被試験デバイスを、をテストヘッドに電
気的に接触させ、ＩＣ試験装置本体に試験を行わせる。
そして、試験が終了すると、各被試験デバイスをテスト
ヘッドから払い出し、試験結果に応じたトレイに載せ替
えることで、良品や不良品といった各カテゴリへの仕分
けが行われる。

【０００４】このＩＣハンドラでのＥＳＤ (Electro-st
atic Discharge) 障害に関しては、近年、注目されてお
り、例えば、１９９３年のEOS/ESD Symposium P57
の”MINIMIZING ESD HAZARD IN IC TEST HANDLERS AND
AUTOMATIC TRIM/FORM MACHINE”にも詳細に報告されて
いる。

【０００５】ハンドラ内での帯電に関する問題点の一つ
は、接触帯電である。これは、物質同士が接触すると、
その表面間で電荷の交換が起こり、２物体が離れると、
物質が金属の場合は、生じた電荷が速やかに、接触面か
ら離れるが、絶縁物質では、電荷が移動しにくいので、
電荷がその場所にとどまり、電位が非常に高くなること
に起因する。具体的には、デバイスを保持して搬送する
際に、デバイスの絶縁性のパッケージと搬送用の導電性
吸着ヘッドとが接触して帯電することである。

【０００６】ハンドラ内での帯電に関するもう一つの問
題点では、デバイス近傍の帯電体からの誘導帯電であ
る。具体的には、帯電したパッケージ表面に近い導体面
には、帯電電荷とは逆極性の電荷があらわれ、反対側の
導体面には帯電電荷と同極性の電荷が現れる（これを誘
導現象とよぶ）。この状態で、導体を接地すると、帯電
電荷と同極性の電荷（過剰導電荷と呼ぶ）は、できるだ
け帯電電荷のある領域から離れようとして、ピンを伝わ
って、大地に逃げてゆく。これを、誘導型デバイス帯電
モデルによる放電と呼ぶ。この、デバイス帯電モデルの
放電では、放電電流の継続時間は１ナノ秒程度であり、
シリコン中の熱拡散の拡散定数に比較して、きわめて短
時間であり、ピーク電流量は数Ａにいたることもある。
したがって、発熱個所から、熱が拡散して温度が低くな
るまえに、その部分が熱的に破壊される場合ある。ま
た、ゲート酸化膜に非常に高い電圧が印加されてゲート
絶縁膜が破壊される場合もある。

【０００７】また、製品としての半導体デバイスの性能
を検査するために、電気的な性能を検査するために、テ
ストボードと半導体デバイスとを接続するソケットは、
多量の半導体装置を繰り返し脱着操作するために、接触
帯電により、大きな電荷が蓄積される。この電荷によ
り、半導体デバイスをソケットに挿入時に、デバイスの
内部導体が誘導帯電して、ソケットの金属部分とデバイ
スのピンとが接触した際に、デバイス帯電モデルでの静
電気放電が生じて、デバイスが破壊する。

【０００８】以上説明したように、デバイス等を搬送す
る際や扱う際には、必ず、吸着ノズルなどがパッケージ
に接触しているので、接触帯電を避けることは困難であ
る。また、水分などが物質表面に吸着すると、表面の抵
抗が低下すること、大気中へも電荷が放出されやすくな
ることから、帯電しにくくなるのであるが、ＬＳＩのパ
ッケージは非常に良好な絶縁体であるし、それを扱うＩ
Ｃハンドラは、高温、低湿度中でパッケージを扱う場合
もあり、非常にパッケージ表面は帯電しやすい、つま
り、静電気放電での破壊が起こりやすい状況にある。

【０００９】そこで、ＩＣハンドラ内では、イオナイザ
と呼ばれる装置で電荷を中和している。このイオナイザ
は、空気を放電で正、負にイオン化して、同時に、ある
いは、短い周期で帯電物質に吹き付ける。物質が正に帯
電していると、負イオンが取り込まれ、負に帯電してい
ると、正イオンが取り込まれ、電位を低くすることがで
きる。理想的には正負のイオン量が等しいことが望まし
いのであるが、実際はイオンのバランス（イオンバラン
スとう）が崩れている場合も有り、除電が十分効果的に
おこなわれていない場合もある。

【００１０】また、イオナイザが帯電体を除電するの
に、数秒必要であるが、ハンドラ内では、デバイスの搬
送速度は１秒以内となっており、確実に除電できている
か定かではない。したがって、パッケージ表面の帯電
量、あるいは、パッケージ表面の電荷により誘導された
電荷量を、計測、望ましくは、搬送中にモニタしたいと
いう要望がある。

【００１１】また、半導体デバイスの電気的な測定を行
うにあたって、半導体デバイス測定用ソケットに向けて
その周辺からイオン風を送風した場合、プッシャ（吸着
ノズルを駆動している本体で、移動機構には、エアシリ
ンダが使われている）が挿入面を塞いでしまうので、半
導体装置の電極近傍に送風させるはずのイオン風がソケ
ットの挿入面に当たらない時間が多く占め、効率よく静
電気を除去することができない。したがって、ソケット
の帯電量を計測、モニタしたいという要望がある。

【００１２】急激な放電が問題なのであるから、トレー
やシャトルなどの、ＬＳＩのピンが触れる可能性の有る
部分は、高抵抗の膜がコーティングあるいは、めっきさ
れている場合が有る。

【００１３】このような帯電、放電対策がなされていて
も、その対策も完全ではなく、膜が劣化し、はがれるな
どの経時変化が起こる可能性が非常に高いので、初期の
搬送調整時だけでなく、常時、高抵抗膜の膜はがれがな
いか、モニタしておくことが望まれている。

【００１４】これらの静電気放電位置を発見する機器と
して、Lin, D。L。らが、Electrical Overstress/Elect
rostatic Discharge Symposium,1997。 Proceedings
の、Page(s): 88-98Aで、Robust ESD Event Locator Sy
stem With Event Characterizationで発表しているよう
な、放電時間差を用いた方式が知られている。しかし、
この方式では、電磁波の時間差計測に高価なオシロスコ
ープを用いなければならないといった費用面での難点の
ほかに、作業装置の電磁バルブや、その外の電磁波発生
源がノイズなって、発見の確実性を損ねている点や、搬
送装置自身がアンテナと、放電個所との影になる場合、
放電源位置の決定が困難になるなど、さまざまな技術的
課題を抱えている。

【００１５】従来、半導体デバイスの帯電状況や、その
管理基準としては、電位が用いられていた。しかし、電
圧を、帯電現象をあらわす表現とするには、その容量値
（デバイス容量：対地容量）を明確にして置かなければ
ならない。この点に関しては、例えば、1996年EOS/ESD
SIMPOSIUM P54 “CDM ESD Test Considered Phenomena
of Division and Reduction of High Voltage in the E
nvironment”に記述があるように、半導体デバイスに充
電される電荷量Ｑ、印加される電圧Ｖ、容量Ｃの間に
は、Ｑ＝ＣＶの関係、即ち、Ｖ＝Ｑ／Ｃの関係が成立す
るから、デバイス搬送状態、置かれた状態が変わると、
容量が変化するので、電位もそれに応じて変化すること
に注意しなければならない。つまり、帯電の管理基準と
しては、破壊電圧を用いる場合では、デバイス容量との
関係が示されない限り、正確な基準値を表示していると
は言えない。この点に関しては、特開平９−２１８２４
１号公報には、電荷量を算出して、破壊耐量として決定
する試験方法が示され、又、特開２０００−８１４６８
号公報には、それをプリント基板の組立工程で使用して
いる例が示されている。

【００１６】また、第１０回ＲＣＪシンポジウム予稿集
中の“先端デバイスのための静電気放電計測技術と防止
対策”には、この点がさらに明確に指摘されている。即
ち、ＣＤＭ (Charged Device Model) 試験で、デバイス
容量と破壊電荷量の関係を求めること、破壊危険状態で
のデバイス容量を計測して、そのときの破壊電荷をライ
ン管理基準値とすること、デバイス容量が計測できない
場合や、変化する場合には、最小の破壊電荷量を基準と
してライン管理する方法が提案されている。

【００１７】一般には、電位計測をおこなうには、非接
触型表面電位計を使用していた。しかし、表面電位計で
は、デバイスのピンが非常に微細なので、ピンの電位、
つまり内部導体の電位を計測できないという問題点があ
った。また、半導体デバイスのパッケージの表面の電位
を測定する場合には、単にパッケージ表面の電位が何Ｖ
であるかということしか分からず、また、被測定物がア
ースから離れていると電位が生ずるが、被測定物がアー
スに近いと電位が現れないという問題点がある。

【００１８】したがって、電荷量を計測する方法が有効
であることが、特開平１１−６８５０号公報や特許第２
９０８２４０号に示されている。具体的には、図１２に
示すように、デバイス容量（通常は１０ｐＦ程度）より
も大きなコンデンサ（その容量Ｃは、例えば１０００ｐ
Ｆ）をデバイスに接続して、デバイス内部の過剰導電荷
をコンデンサに移して、コンデンサの電位（Ｖ）を計測
することで、Ｑ＝ＣＶの関係から電荷量を算出する計測
装置である。

【００１９】この方式では、イオナイザを使用している
状態で、計測する場合に、正、負の両極のイオンが存在
するが、完全には正、負のイオンのバランスが取れてい
ないので、その装置構成上、イオン風に起因する電流
で、装置内臓のコンデンサが、すぐに帯電してしまい、
従来の電荷量計測装置を用いることはできなかった。

【００２０】以上まとめると、下記のような問題点があ
った（１）従来の電荷量計測装置では、イオナイザ雰囲気で
の計測ができないという問題点があった。（２）シリコンウエハやパッケージを搬送する搬送装置
で、被搬送物の帯電量を、計測する装置は、表面電位計
しかなく、使用できる条件が非常に限られているという
問題点があった。（３）特に、搬送装置を通常の搬送する状態で、静電気
放電が生じている場所を特定する計測装置や、帯電量や
帯電防止対策の良し悪しを計測する計測装置がなかっ
た。

【００２１】なお、図１３は、半導体装置のパッケージ
表面の静電荷による誘導帯電を示す図、図１４は、デバ
イス帯電モデルとその試験装置及び試験結果を示す図、
図１５は、過剰動電荷の計測原理を示す説明図である。

【００２２】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
した従来技術の欠点を改良し、特に、（１）イオナイザ
雰囲気での帯電量の精度良い計測を可能にした帯電量計
測装置とその計測方法を提供する、（２）シリコンウエ
ハやパッケージを搬送する搬送装置上で、被搬送物の帯
電量を計測する帯電量計測装置とその計測方法を提供す
る、（３）搬送装置を通常の搬送する状態で、帯電量や
帯電防止対策の良し悪しを計測する帯電量計測装置とそ
の計測方法を提供する、（４）静電気放電が生じている
場所を特定する計測装置その計測方法を提供するもので
ある。

【００２３】

【課題を解決するための手段】本発明は上記した目的を
達成するため、基本的には、以下に記載されたような技
術構成を採用するものである。

【００２４】即ち、本発明に係わる帯電量計測装置の第
１態様は、被測定物に接触させるためのプローブと、こ
のプローブに一方の端子が接続された抵抗器と、この抵
抗器の他端とグランド間に設けられたコンデンサとから
なる帯電量計測装置であって、イオナイザ雰囲気におか
れた前記被測定物の帯電量を計測するために、イオナイ
ザにより生成される前記コンデンサのオフセット電流を
キャンセルするためのオフセット電流キャンセル手段を
設けたことを特徴とするものであり、叉、第２態様は、
前記オフセット電流キャンセル手段は、前記コンデンサ
のオフセット電流をキャンセルさせるために設けた電圧
源と、前記電圧源の出力電圧を前記抵抗器とコンデンサ
との接続ノードに加えるための前記抵抗器より十分抵抗
値の高い抵抗器と、前記コンデンサの端子電圧に基づき
前記電圧源の出力電圧を制御する制御手段とで構成した
ことを特徴とするものであり、叉、第３態様は、前記オ
フセット電流キャンセル手段は、前記コンデンサのオフ
セット電流をキャンセルさせるために設けた電流源と、
前記コンデンサの端子電圧に基づき前記電流源の出力電
流を制御する制御手段とで構成したことを特徴とするも
のであり、叉、第４態様は、前記コンデンサの充電電荷
を放電せしめるため、前記コンデンサの端子間に接続さ
れる放電用の抵抗器と、前記抵抗器を流れる放電電流カ
ーブ、或いは前記コンデンサの放電電圧カーブを取得す
るための記録手段とで構成したことを特徴とするもので
あり、叉、第５態様は、前記コンデンサの充電電荷を放
電せしめるため、前記コンデンサの端子間に接続される
放電用の抵抗器と、前記抵抗器を流れる放電電流カーブ
のピーク値、或いは前記コンデンサの放電電圧カーブの
ピーク値を計測するための計測手段とで構成したことを
特徴とするものであり、叉、第６態様は、前記コンデン
サの充電電荷を放電せしめるための、前記コンデンサの
端子間に接続される放電用の抵抗器と、前記抵抗器を流
れる放電電流を積分する積分回路とで構成したことを特
徴とするものであり、叉、第７態様は、被測定物に接触
させるためのプローブと、このプローブに一方の端子が
接続された抵抗器と、この抵抗器の他端とグランド間に
設けられたコンデンサとからなる帯電量計測装置であっ
て、前記コンデンサの充電電荷を放電せしめるため、前
記コンデンサの端子間に接続される放電用の抵抗器と、
前記抵抗器を流れる放電電流カーブを取得するための記
録手段とで構成したことを特徴とするものであり、叉、
第８態様は、被測定物に接触させるためのプローブと、
このプローブに一方の端子が接続された抵抗器と、この
抵抗器の他端とグランド間に設けられたコンデンサとか
らなる帯電量計測装置であって、前記コンデンサの充電
電荷を放電せしめるため、前記コンデンサの端子間に接
続される放電用の抵抗器と、前記抵抗器を流れる放電電
流カーブのピーク値を計測するための計測手段とで構成
したことを特徴とするものであり、叉、第９態様は、被
測定物に接触させるためのプローブと、このプローブに
一方の端子が接続された抵抗器と、この抵抗器の他端と
グランド間に設けられたコンデンサとからなる帯電量計
測装置であって、前記コンデンサの充電電荷を放電せし
めるための、前記抵抗器を流れる放電電流を積分する積
分回路を設けたことを特徴とするものであり、叉、第１
０態様は、被測定物とグランド間に設けた抵抗器と、こ
の抵抗器を流れる電流波形を記録するための記録手段と
で構成したことを特徴とするものであり、叉、第１１態
様は、被測定物とグランド間に設けた抵抗器と、この抵
抗器を流れる放電電流のピーク値を計測するための計測
手段とで構成したことを特徴とするものであり、叉、第
１２態様は、被測定物に一方の端子が接続された抵抗器
と、この抵抗器の他端とグランド間に設けられたコンデ
ンサとからなる帯電量計測装置であって、前記コンデン
サの充電電荷を放電せしめるため、前記コンデンサの端
子間に接続される放電用の抵抗器と、前記抵抗器を流れ
る放電電流カーブを取得するための記録手段とで構成し
たことを特徴とするものであり、叉、第１３態様は、被
測定物に一方の端子が接続された抵抗器と、この抵抗器
の他端とグランド間に設けられたコンデンサとからなる
帯電量計測装置であって、前記コンデンサの充電電荷を
放電せしめるため、前記コンデンサの端子間に接続され
る放電用の抵抗器と、前記抵抗器を流れる放電電流のピ
ーク値を計測する計測手段とで構成したことを特徴とす
るものであり、叉、第１４態様は、被測定物に一方の端
子が接続された抵抗器と、この抵抗器の他端とグランド
間に設けられたコンデンサとからなる帯電量計測装置で
あって、前記コンデンサの充電電荷を放電せしめるた
め、前記コンデンサの端子間に接続される放電用の抵抗
器と、前記抵抗器を流れる放電電流を積分する積分回路
とで構成したことを特徴とするものであり、叉、第１５
態様は、前記被測定物は、ステージ、シャトル、ウエハ
搬送アーム、ハンドラの吸着アーム等の半導体製造装置
であることを特徴とするものである。

【００２５】又、本発明に係わる帯電量の測定方法の第
１態様は、被測定物に接触させるためのプローブと、こ
のプローブに一方の端子が接続された抵抗器と、この抵
抗器の他端とグランド間に設けられたコンデンサとから
なる帯電量計測回路を用いた帯電量の測定方法であっ
て、前記コンデンサに充電させた電荷を前記抵抗器を用
いて放電せしめ、この抵抗器に流れる放電電流の波形を
求め、この放電電流の波形を積分することで、前記被測
定物に帯電した帯電量を測定することを特徴とするもの
であり、叉、第２態様は、被測定物に接触させるための
プローブと、このプローブに一方の端子が接続された抵
抗器と、この抵抗器の他端とグランド間に設けられたコ
ンデンサとからなる帯電量計測回路を用いた帯電量の測
定方法であって、前記コンデンサに充電させた電荷を前
記抵抗器を用いて放電せしめ、この抵抗器のピーク電圧
をもとに、前記被測定物の帯電電荷量を測定することを
特徴とするものであり、叉、第３態様は、被測定物に接
触させるためのプローブと、このプローブに一方の端子
が接続された抵抗器と、この抵抗器の他端とグランド間
に設けられたコンデンサとからなる帯電量計測回路を用
いた帯電量の測定方法であって、前記コンデンサに充電
させた電荷を抵抗器を用いて放電せしめ、この抵抗器に
流れる放電電流を積分回路を用いて積分することで、前
記被測定物に帯電した帯電量を測定することを特徴とす
るものであり、叉、第４態様は、被測定物とグランド間
に抵抗器を設け、この抵抗器を流れる電流波形を記録す
ることで、前記被測定物の帯電量を計測することを特徴
とするものであり、叉、第５態様は、被測定物に一方の
端子が接続された抵抗器と、この抵抗器の他端とグラン
ド間に設けられたコンデンサとからなる帯電量計測回路
を用いた帯電量の測定方法であって、前記コンデンサに
充電させた電荷を抵抗器を用いて放電せしめ、この抵抗
器に流れる放電電流の波形を求め、この放電電流の波形
を積分することで、前記被測定物に帯電した帯電量を測
定することを特徴とするものであり、叉、第６態様は、
被測定物に一方の端子が接続された抵抗器と、この抵抗
器の他端とグランド間に設けられたコンデンサとからな
る帯電量計測回路を用いた帯電量の測定方法であって、
前記コンデンサに充電させた電荷を抵抗器を用いて放電
せしめ、この抵抗器に流れる放電電流を積分回路を用い
て積分することで、前記被測定物に帯電した帯電量を測
定することを特徴とするものである。

【００２６】叉、本発明に係わる静電気放電検出装置の
第１態様は、部品搬送用のトレイ、シャトルと、このト
レイ、シャトルとフレームグランド間に設けた抵抗器
と、この抵抗器に流れる放電電流波形を記録するための
記録手段とで構成したことを特徴とするものであり、
又、第２態様は、部品搬送用のトレイ、シャトルと、こ
のトレイ、シャトルとフレームグランド間に設けた抵抗
器と、この抵抗器に流れる放電電流波形のピーク値とピ
ークになるまでの時間とを計測する計測手段とで構成し
たことを特徴とするものであり、又、第３態様は、部品
と接する金属体に流れる放電電流波形の、静電気放電対
策が施されている場合の、除電電流の周波数帯域と、静
電気放電が発生した場合の電流の周波数帯域とを選別す
る電気回路とで構成したことを特徴とするものである。

【００２７】叉、本発明に係わる静電気放電の検出方法
の態様は、部品を搬送する搬送装置内の搬送用のトレ
イ、シャトルとフレームグラウンド間に抵抗器を設け、
この抵抗器に流れる放電電流波形を監視することで、静
電気放電の発生を検知することを特徴とするものであ
る。

【００２８】

【発明の実施の形態】本発明は、半導体デバイスや、ハ
ードディスクドライブ装置及びこれらの装置の製造工程
で用いる治具・工具に帯電した電荷量を計測するもので
あり、本発明の実施の形態は、以下の（Ａ）〜（Ｇ）の
実施の形態を含む。（Ａ）イオナイザ雰囲気でのオフセット電流のキャンセ
ル機構を附加した帯電量計測装置とその計測方法、
（Ｂ）イオナイザ雰囲気でのオフセット電流をリークさ
せる程度の抵抗値をもつ、高抵抗を付加した、電荷量計
測装置とその計測方法、（Ｃ）被計測物からの放電電流
を、遅延をかけて周波数帯域を落として計測して、積分
することで電荷量を計算する帯電量計測装置とその計測
方法、（Ｄ）ハンドラ内のステージ、搬送用シャトルに
上記（Ａ）〜（Ｃ）の方式を適用する帯電量計測装置と
その計測方法、（Ｅ）ハンドラ内の吸着ノズルに上記
（Ｃ）の方式を適用する帯電量計測装置とその計測方
法、（Ｆ）ハンドラ内のテストボードのソケットの帯電
量や、ソケットの帯電に起因したＬＳＩの電荷量を、上
記（Ｄ）、（Ｅ）の方式を適用する帯電量計測装置とそ
の計測方法、（Ｆ）ウエハをハンドリングするアーム
や、キャリアボックス（ＦＯＵＰ）に、上記（Ａ）、
（Ｂ）の方式を適用する帯電量計測装置とその計測方
法。（Ｇ）半導体ウエハ等の製造（組みたて）部品をハ
ンドリングするアームや、半導体ウエハを保管するキャ
リアボックス（ＦＯＵＰ）に、上記（Ａ）〜（Ｃ）の方
式を適用する帯電量計測装置とその計測方法。

【００２９】

【実施例】以下に、本発明に係わる帯電量計測装置とそ
の計測方法の実施例を図面を参照しながら詳細に説明す
る。

【００３０】（第１の実施例）図１、図２は、本発明に
係わる帯電量計測装置とその計測方法の第１の実施例を
示す図であって、これらの図には、被測定物１１に接触
させるためのプローブ１と、このプローブ１に一方の端
子が接続された抵抗器Ｒ１と、この抵抗器Ｒ１の他端と
グランドＧ間に設けられたコンデンサＣ１とからなる帯
電量計測装置であって、イオナイザ雰囲気におかれた前
記被測定物１１の帯電量を計測するために、イオナイザ
により生成される前記コンデンサＣ１のオフセット電流
をキャンセルするためのオフセット電流キャンセル手段
２０を設けたことを特徴とする帯電量計測装置が示さ
れ、又、前記オフセット電流キャンセル手段２０は、前
記コンデンサＣ１のオフセット電流をキャンセルさせる
ために設けた電圧源２１と、前記電圧源２１の出力電圧
を前記抵抗器Ｒ１とコンデンサＣ１との接続ノードＮに
加えるための前記抵抗器Ｒ１より十分抵抗値の高い抵抗
器Ｒ２と、前記コンデンサＣ１の端子電圧に基づき前記
電圧源２１の出力電圧を制御する制御手段２２とで構成
したことを特徴とする帯電量計測装置が示されている。

【００３１】以下に、第１の実施例を更に詳細に説明す
る。

【００３２】図１に示すように、プローブピン１を抵抗
Ｒ１（１０ＫΩ）を介して、容量（１００ｐＦ）のコン
デンサＣ１に接続し、コンデンサＣ１の一端を接地す
る。他端子を電圧測定用のＯＰアンプ（図示せず）に接
続して、コンデンサＣ１の電圧を計測するようにする。

【００３３】コンデンサＣ１の端子に１０ＧΩ程度の高
抵抗値の抵抗Ｒ２を介して、電圧源２１の出力電圧を印
加して、コンデンサＣ１に電流を与えられるようにする
（充電の時定数は１秒）。イオナイザ雰囲気中では、プ
ローブピン１にイオン風が吹き付けられているので、プ
ローブピン１、抵抗Ｒ１を介して電流が絶えず流入して
いる。これを打ち消すように、ＣＰＵ２２は、電圧源２
１の電位を変化させるように制御する。

【００３４】イオン風は比較的安定しているが、そのプ
ローブ先端の位置や、イオン風の乱れなどにより、変動
がある。この変動は、時間的には１秒程度の帯域であ
り、高周波成分は含まれていない。

【００３５】測定時には、プローブ１を比測定物１１に
接触させるが、その際の、コンデンサへＣ１の充電の時
定数は、比測定物１１の抵抗などにもよるが、おおよ
そ、１μ秒程度になる。したがって、ＣＰＵ２２は、
０．１μ秒程度の周期で、ＯＰアンプの出力値を絶えず
読み取り、数百ｍ秒程度の周期で、電圧源２１の電位を
変化させる。

【００３６】ＣＰＵ２２は、１μ秒程度の立ち上がりの
電位変化があった場合には、フィードバック制御を停止
させて、充電波形を取得して、保存しておく。

【００３７】コンデンサＣ１に蓄積された電荷は、従来
の方式のように、トライアックなどのスイッチで放電さ
せても良いし、このフィードバック用の電圧から、電流
を供給して、電位を０にしても良い。

【００３８】次に、計測方法について説明する。

【００３９】容量（デバイスキャパシタンスという）
が、０．５ｐＦ程度の半導体デバイス（被測定物）１１
をイオナイザ雰囲気下におく。

【００４０】測定開始前には、イオナイザのイオンバラ
ンス（正負イオンの量の差）が、２０Ｖ程度となってい
る。この状態で、先ず、測定用プローブ１を被測定物１
１に接近させる。接触直前で、イオン風などの影響での
電流をキャンセルするスイッチＳＷ１を押す。そして、
プローブ１を被測定物１１に接触させて、放電波形を保
存する。

【００４１】放電波形は、被測定物１１に接触して、コ
ンデンサＣ１に充電されるまでの波形と、充電後の電流
や、コンデンサＣ１や計測ＯＰアンプに起因するリーク
電流などの影響が重なっている。したがって、これらの
影響がない時間範囲内では、計測電圧値は一定になって
いるので、それをもとに電荷量を計算する。

【００４２】また、フィードバックがかかって、電圧が
徐々に変化している場合や、コンデンサその他のリーク
電流で電位が徐々に変化している場合には、図２のよう
に、電位を外挿して、その差分より、コンデンサの電位
を求める。

【００４３】被測定物１１の電荷は、コンデンサＣ１内
にほとんど充電されるので、Ｑ＝ＣＶの関係より、電荷
量を求めることができる。

【００４４】交流放電式のイオナイザの場合には、商用
電源の周波数で、交互にイオンを吹き付けているので、
この周波数成分の変動がある場合がある。この場合は、
（１）その周期内でフィードバックがかかるような回路
定数を設定するように構成してもよいし、（２）コンデ
ンサＣ１への充電波形にこの影響が出ているので、これ
を一定電流のオフセットとして扱い、データ処理しても
良い。

【００４５】（第２の実施例）図３及び図４は、本発明
の第２の実施例を示す図であり、図４（ａ）は、充電時
のコンデンサの端子電圧を示すグラフ、図４（ｂ）は、
放電時のコンデンサの端子電圧を示すグラフである。

【００４６】そして、図３（ａ）には、被測定物１１に
接触させるためのプローブ１と、このプローブ１に一方
の端子が接続された抵抗器Ｒ１と、この抵抗器Ｒ１の他
端とグランド間に設けられたコンデンサＣ１とからなる
帯電量計測装置であって、前記コンデンサＣ１の充電電
荷を放電せしめるため、前記コンデンサＣ１の端子間に
接続される放電用の抵抗器Ｒ３と、前記抵抗器Ｒ３（コ
ンデンサＣ１）の電位を取得するための記録手段２とで
構成したことを特徴とする帯電量計測装置が示され、
又、図３（ｂ）には、前記コンデンサＣ１の充電電荷を
放電せしめるため、前記コンデンサＣ１の端子間に接続
される放電用の抵抗器Ｒ３と、前記抵抗器Ｒ３を流れる
放電電流を積分する積分回路３とで構成したことを特徴
とする帯電量計測装置が示されている。

【００４７】以下に、第２の実施例を更に詳細に説明す
る。

【００４８】図３（ａ）に示すように、コンデンサＣ１
に充電された電荷を放電するための抵抗器Ｒ３が設けら
れており、プローブが被測定物に接触することで、電荷
が、コンデンサＣ１に充電され、抵抗器Ｒ３に流れ出
す。それぞれの抵抗値は、充電の時定数が１μ秒程度、
放電の時定数は、１００ｍ秒程度として、イオナイザ起
因のオフセット電流がコンデンサに蓄積されないような
値に設定する。容量Ｃ１（抵抗値Ｒ３）の電圧波形を取
得し（図４）、この波形のピーク値をもとに、電荷量を
Ｑ＝ＣＶの関係から計算する。つまり、放電が開始した
時間から、放電の時定数よりも遥かに早い時間でのコン
デンサの電位を求めることで、電荷量計測ができること
になる。

【００４９】コンデンサの電位計測は、電圧波形のピー
クを保持するピーク保持回路を用いてもよい。抵抗器Ｒ
１は、被計測物がＬＳＩの場合に、急激な電流変化で破
壊されるのを防ぐためにも、設けられている。

【００５０】また、図３（ｂ）のように、積分器を用
い、放電電流を積分して、電荷量を計測しても良い。こ
の場合は、積分器のＤＣ〜低域のゲインを制限する。

【００５１】また、図３（ａ）と同様な回路構成で、電
圧波形を記録する装置ではなく、電流計を抵抗Ｒ３、コ
ンデンサＣ１間に挿入する構成でもよい。その場合は、
コンデンサの容量値、抵抗値は任意であるが、電流計が
応答する程度にまで、十分、電流波形をなまらせるよう
な値とする。電荷量は、放電電流波形を積分して、電荷
量を計算する際、ベースの電流を差し引くようにする
（図４（ｂ））。

【００５２】（第３の実施例）図５は、本発明の第３の
実施例を示す図であって、図５には、表面が高抵抗膜で
被覆された半導体ＩＣ搬送用のトレイ、シャトル４と、
このトレイ、シャトル４とフレームグラウンドＦＧ間に
設けた抵抗器Ｒ４と、この抵抗器Ｒ４に流れる放電電流
波形を記録するための記録手段５とで構成したことを特
徴とするトレイ、シャトルの膜はがれモニタ装置が示さ
れている。

【００５３】以下に、第３の実施例を更に詳細に説明す
る。

【００５４】トレイ、シャトルの表面は、高抵抗膜で被
覆されている。搬送装置には、搬送用のアーム（図示せ
ず）と、ＩＣを上下方向に移動させるエアシリンダと、
ＩＣを真空吸着させる吸着ヘッドとがとりつけられてい
る。直接、ＩＣのパッケージと接触する部分には、吸着
ノズルが取り付けられている。

【００５５】吸着ノズルが、ＩＣを、トレイの上空で離
すと、半導体デバイスが落下して、トレイに収納される
ようになっているが、使用期間が長くなると、高抵抗膜
がはがれてくるなどの経時変化がある。この第３の実施
例は、この膜はがれを常時モニタするものである。

【００５６】装置構成としては、図５（ａ）に示すよう
に、シャトルやトレイ４は、グラウンドと絶縁されてお
り、抵抗器Ｒ４を介してのみ、ハンドラ内のフレームグ
ラウンドＦＧに接続されている。第３の実施例は、抵抗
器Ｒ４を流れる電流をモニタすることで、膜はがれをモ
ニタするものである。この場合、電流計測は、通常の放
電電流の周波数帯域より、低域の周波数を除去するよう
なフィルタを備えていても良い。また、計測器５は、計
測できるような周波数内に入るように設定する。

【００５７】このように構成したトレイ、シャトルの膜
はがれモニタ装置において、通常の場合、デバイスのピ
ンがトレイの金属部分に接触しても、高抵抗膜があるの
で、数十〜数百ミリ秒以上の時定数で、フレームグラウ
ンド（ＦＧ）に流れて、除電される。しかし、高抵抗膜
が薄くなっている場合には、抵抗が低く、波形のピーク
値が早く現れる。ここで重要なのは、放電波形の積分値
ではなく、ピーク値であり、このピーク値が早く現れる
ほど、膜はがれがひどいことになるので、ピークとなる
時間をモニタしておくことで、膜はがれをモニタできる
（図５）。

【００５８】なお、電流波形ではなく、実施例２のよう
な方式で、電位波形を計測する方式をもちいてもよい。

【００５９】（第４の実施例）図６、図７は、本発明の
第４の実施例を示す図であって、図６には、被測定物１
１ＡとグランドＧ間に設けた抵抗器Ｒ５と、この抵抗器
Ｒ５を流れる電流波形を記録するための記録手段６とで
構成したことを特徴とする帯電量計測装置が示されてい
る。

【００６０】以下に、第４の実施例を更に詳細に説明す
る。

【００６１】第４の実施例は、ハンドラ内で、テストす
るためにＬＳＩパッケージ（以下、パッケージという）
を搬送する際に、パッケージをつかむ吸着ノズル１１Ａ
とパッケージ１２の剥離帯電などをモニタする計測装置
である。

【００６２】パッケージ１２をハンドラ内でつかむ時
に、導電性の吸着ノズル１１Ａを用いている。しかし、
両者が剥離する際に、電荷が分離して、絶縁性のパッケ
ージ１１Ａ表面には電荷が残り帯電する。この電荷が、
パッケージ１２内のＬＳＩ１３に電荷を誘導する。ＬＳ
Ｉ１３のピンが導電性のステージなどに接触する際に、
誘導された電荷と同符号の電荷を放電し、このために、
ＬＳＩが破壊する。これをＦ−ＣＤＭ破壊モデルとい
う。この帯電量を、搬送時にモニタして、ＬＳＩの破壊
予測を行い、帯電量が大きくなるとアラームを出すよう
にする。

【００６３】この実施例の構成は、図６に示すように、
導電性吸着ノズルをとりつけた吸着ヘッド１１Ａに吸収
された電流を測定できるように、吸着ヘッドは、それが
とりつけられているエアシリンダから、絶縁されている
（図示せず）。

【００６４】また、上記の構成の他に、図１（ａ）に示
したように、電荷をコンデンサに充電する構成としても
良い。また、図３に示したように、十分遅延させて、電
流計測するように構成しても良い。

【００６５】このように構成した帯電量計測装置におい
て、パッケージ１２が正に帯電している場合には、図７
に示すように、吸着ノズルに負の電荷が流入する。その
流入の時定数は、ノズルの抵抗にもよるが、１Ｅ６オー
ム／ｍｍ^２で１０ｍｓｅｃ程度である。実際は、吸着面
が同時にパッケージと離れるわけではないので、吸収電
流はもう少し、広い分布を取る。帯電電荷量は、その積
分値となる。正確には、パッケージに電荷が存在する
と、その電荷からの誘導電流の成分も含むことになる。

【００６６】（第５の実施例）図８は、本発明の第５の
実施例を示す図である。

【００６７】ハンドラ内でパッケージ１２を搬送するシ
ャトル１５に、吸収される電流をもとに、図３（ａ）、
（ｂ）の構成を用いて、電荷量を計測する。金属ステー
ジの場合には、十分、電流を遅延させて計測するが（図
５（ａ））、高抵抗膜がコーティングされているシャト
ルの場合、そのまま、吸収電流を計測する方式でも良い
（図５（ｂ））。

【００６８】（第６の実施例）図９〜図１１は、本発明
の第６の実施例を示し、図９、図１０は、テストボード
のソケットの帯電による、ＬＳＩの誘導帯電をモニタす
る方法を示す図である。

【００６９】ソケット１６の絶縁部分が、正に帯電して
いる時、ＬＳＩが接近すると、パッケージ１２内のアイ
ランド部分が誘導帯電で負に帯電し、同時に、その反対
のアイランド部分が正に帯電する。そして、（パッケー
ジ１２と対向する）吸着ノズル１１Ａの表面には、負の
電荷が誘導される。これらの電荷は、それぞれの容量分
割により、その量が決定される。

【００７０】ＬＳＩが接近するにしたがって、ノズル１
１Ａ表面に誘導される負電荷の量が増えて、正の電荷が
ノズルからグラウンド側に流れる（図９（ａ））。ＬＳ
Ｉのピンがソケット１６の導電性ピンに接触した瞬間
に、内部導体に誘導された正電荷が流出して、その電荷
に引き寄せられていたノズルの表面の負電荷が解き放さ
れて、電流が生じる（図９（ｂ））。ＬＳＩ内部が、負
電荷が過剰になっている状態で、ＬＳＩがソケットから
はなれて行くと、容量はソケット表面と、ＬＳＩ内部の
容量が支配的になって、負電荷に誘導されて、ソケット
表面に正の電荷が集まるようになり、電流が生じる（図
１０（ａ））。ＬＳＩを電荷計測用の冶工具に接触させ
る。そこで、放電電流を計測して、ＬＳＩ内の過剰動電
荷量を計測する（図１０（ｂ））。

【００７１】予め、ＣＤＭ試験で、デバイスキャパシタ
ンスと破壊電圧、破壊電荷量の関係が分かっているの
で、その電荷量をもとに、ＬＳＩの破壊の危険性を判断
できる。または、ノズルの吸収電流をもとに、ノズルに
流れた電荷量を基にして、ＬＳＩの破壊の危険性を判断
できる。更に、これまで破壊が生じた際のノズルの吸収
電流量、吸収電流の変化の様子や、電荷量（積分値）を
もとに、ＬＳＩの破壊の危険性を判断することができ
る。

【００７２】図１１（ａ）は、吸着ノズルに流れ込む電
流の計測例のグラフ、図１１（ｂ）は、ステージに流れ
込む電流の計測例のグラフである。

【００７３】（第７の実施例）図１２は、本発明の第７
の実施例を示し、図１２は、ウエハのハンドリングアー
ムへ適用した例を示す図である。

【００７４】なお、本発明は、電子部品等、静電気放電
に対して敏感で破壊が生じやすい部品全般において、そ
れを扱う搬送装置、プロセス装置内の、その部品に直接
接触するような部位に適用することができるのは言うま
でもなく、例えば、半導体ウエハのキャリア等、ハード
ディスクドライブ内のＧＭＲヘッドなどを取り扱うジグ
・工具などにも適用できる。

【００７５】このように、本発明に係わる帯電量計測装
置は、被測定物に接触させるためのプローブと、このプ
ローブに一方の端子が接続された抵抗器と、この抵抗器
の他端とグランド間に設けられたコンデンサとからなる
帯電量計測装置であって、イオナイザ雰囲気におかれた
前記被測定物の帯電量を計測するために、イオナイザに
より生成される前記コンデンサのオフセット電流をキャ
ンセルするためのオフセット電流キャンセル手段を設け
たことを特徴とするものであり、叉、前記オフセット電
流キャンセル手段は、前記コンデンサのオフセット電流
をキャンセルさせるために設けた電圧源と、前記電圧源
の出力電圧を前記抵抗器とコンデンサとの接続ノードに
加えるための前記抵抗器より十分抵抗値の高い抵抗器
と、前記コンデンサの端子電圧に基づき前記電圧源の出
力電圧を制御する制御手段とで構成したことを特徴とす
るものであり、叉、前記オフセット電流キャンセル手段
は、前記コンデンサのオフセット電流をキャンセルさせ
るために設けた電流源と、前記コンデンサの端子電圧に
基づき前記電流源の出力電流を制御する制御手段とで構
成したことを特徴とするものであり、叉、前記コンデン
サの充電電荷を放電せしめるため、前記コンデンサの端
子間に接続される放電用の抵抗器と、前記抵抗器を流れ
る放電電流カーブ、或いは前記コンデンサの放電電圧カ
ーブを取得するための記録手段とで構成したことを特徴
とするものであり、叉、前記コンデンサの充電電荷を放
電せしめるため、前記コンデンサの端子間に接続される
放電用の抵抗器と、前記抵抗器を流れる放電電流カーブ
のピーク値、或いは前記コンデンサの放電電圧カーブの
ピーク値を計測するための計測手段とで構成したことを
特徴とするものであり、叉、前記コンデンサの充電電荷
を放電せしめるための、前記コンデンサの端子間に接続
される放電用の抵抗器と、前記抵抗器を流れる放電電流
を積分する積分回路とで構成したことを特徴とするもの
であり、叉、被測定物に接触させるためのプローブと、
このプローブに一方の端子が接続された抵抗器と、この
抵抗器の他端とグランド間に設けられたコンデンサとか
らなる帯電量計測装置であって、前記コンデンサの充電
電荷を放電せしめるため、前記コンデンサの端子間に接
続される放電用の抵抗器と、前記抵抗器を流れる放電電
流カーブを取得するための記録手段とで構成したことを
特徴とするものであり、叉、被測定物に接触させるため
のプローブと、このプローブに一方の端子が接続された
抵抗器と、この抵抗器の他端とグランド間に設けられた
コンデンサとからなる帯電量計測装置であって、前記コ
ンデンサの充電電荷を放電せしめるため、前記コンデン
サの端子間に接続される放電用の抵抗器と、前記抵抗器
を流れる放電電流カーブのピーク値を計測するための計
測手段とで構成したことを特徴とするものであり、叉、
被測定物に接触させるためのプローブと、このプローブ
に一方の端子が接続された抵抗器と、この抵抗器の他端
とグランド間に設けられたコンデンサとからなる帯電量
計測装置であって、前記コンデンサの充電電荷を放電せ
しめるための、前記抵抗器を流れる放電電流を積分する
積分回路を設けたことを特徴とするものであり、叉、被
測定物とグランド間に設けた抵抗器と、この抵抗器を流
れる電流波形を記録するための記録手段とで構成したこ
とを特徴とするものであり、叉、被測定物とグランド間
に設けた抵抗器と、この抵抗器を流れる放電電流のピー
ク値を計測するための計測手段とで構成したことを特徴
とするものであり、叉、被測定物に一方の端子が接続さ
れた抵抗器と、この抵抗器の他端とグランド間に設けら
れたコンデンサとからなる帯電量計測装置であって、前
記コンデンサの充電電荷を放電せしめるため、前記コン
デンサの端子間に接続される放電用の抵抗器と、前記抵
抗器を流れる放電電流カーブを取得するための記録手段
とで構成したことを特徴とするものであり、叉、被測定
物に一方の端子が接続された抵抗器と、この抵抗器の他
端とグランド間に設けられたコンデンサとからなる帯電
量計測装置であって、前記コンデンサの充電電荷を放電
せしめるため、前記コンデンサの端子間に接続される放
電用の抵抗器と、前記抵抗器を流れる放電電流のピーク
値を計測する計測手段とで構成したことを特徴とするも
のであり、叉、被測定物に一方の端子が接続された抵抗
器と、この抵抗器の他端とグランド間に設けられたコン
デンサとからなる帯電量計測装置であって、前記コンデ
ンサの充電電荷を放電せしめるため、前記コンデンサの
端子間に接続される放電用の抵抗器と、前記抵抗器を流
れる放電電流を積分する積分回路とで構成したことを特
徴とするものであり、叉、前記被測定物は、ステージ、
シャトル、ウエハ搬送アーム、ハンドラの吸着アーム等
の半導体製造装置であることを特徴とするものである。

【００７６】叉、本発明に係わる静電気放電検出装置
は、部品搬送用のトレイ、シャトルと、このトレイ、シ
ャトルとフレームグランド間に設けた抵抗器と、この抵
抗器に流れる放電電流波形を記録するための記録手段と
で構成したことを特徴とするものであり、又、部品搬送
用のトレイ、シャトルと、このトレイ、シャトルとフレ
ームグランド間に設けた抵抗器と、この抵抗器に流れる
放電電流波形のピーク値とピークになるまでの時間とを
計測する計測手段とで構成したことを特徴とするもので
あり、又、部品と接する金属体に流れる放電電流波形
の、静電気放電対策が施されている場合の、除電電流の
周波数帯域と、静電気放電が発生した場合の電流の周波
数帯域とを選別する電気回路とで構成したことを特徴と
するものである。

【００７７】

【発明の効果】本発明は、上述のように構成したので、
以下のような効果を奏する。（１）イオナイズ雰囲気においても、帯電電荷量を精度
良く計測できる。（２）インライン状態でも、装置の帯電電荷量を精度良
く計測できる。（３）半導体装置やハードディスク装置の帯電量の測定
に好適である。（４）静電気放電の検出ができ、各部品に取り付けるこ
とで、その位置特定が簡単におこなえる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例の帯電量計測装置の構成
を示す図である。

【図２】第１の実施例の電位の計測法を示した図であ
る。

【図３】第２の実施例の構成を示す図である。

【図４】第２の実施例の測定結果を示し、（ａ）は、充
電時のコンデンサの端子電圧を示すグラフ、（ｂ）は、
放電時のコンデンサの端子電圧を示すグラフである。

【図５】本発明の第３の実施例を説明するための図であ
る。

【図６】本発明の第４の実施例の構成を示す図である。

【図７】第４の実施例の計測例を示すグラフである。

【図８】本発明の第５の実施例の構成を示す図である。

【図９】本発明の第６の実施例を示す図である。

【図１０】本発明の第６の実施例を示す図である。

【図１１】第６の実施例の計測例を示すグラフである。

【図１２】本発明の第７の実施例を示す図である。

【図１３】従来例を示す図である。

【図１４】従来例を示す図である。

【図１５】従来例を示す図である。

【符号の説明】

１プローブ３積分回路４トレイ又はシャトル１１被測定物１１Ａ吸着ノズル１２パッケージ１６ソケット２０オフセット電流キャンセル手段２１電圧源２２ＣＰＵＦＧフレームグランドＮノードＳＷ２スイッチ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】被測定物に接触させるためのプローブ
と、このプローブに一方の端子が接続された抵抗器と、
この抵抗器の他端とグランド間に設けられたコンデンサ
とからなる帯電量計測装置であって、イオナイザ雰囲気におかれた前記被測定物の帯電量を計
測するために、イオナイザにより生成される前記コンデ
ンサのオフセット電流をキャンセルするためのオフセッ
ト電流キャンセル手段を設けたことを特徴とする帯電量
計測装置。
【請求項２】前記オフセット電流キャンセル手段は、
前記コンデンサのオフセット電流をキャンセルさせるた
めに設けた電圧源と、前記電圧源の出力電圧を前記抵抗
器とコンデンサとの接続ノードに加えるための前記抵抗
器より十分抵抗値の高い抵抗器と、前記コンデンサの端
子電圧に基づき前記電圧源の出力電圧を制御する制御手
段とで構成したことを特徴とする請求項１記載の帯電量
計測装置。
【請求項３】前記オフセット電流キャンセル手段は、
前記コンデンサのオフセット電流をキャンセルさせるた
めに設けた電流源と、前記コンデンサの端子電圧に基づ
き前記電流源の出力電流を制御する制御手段とで構成し
たことを特徴とする請求項１記載の帯電量計測装置。
【請求項４】前記コンデンサの充電電荷を放電せしめ
るため、前記コンデンサの端子間に接続される放電用の
抵抗器と、前記抵抗器を流れる放電電流カーブ、或いは
前記コンデンサの放電電圧カーブを取得するための記録
手段とで構成したことを特徴とする請求項１又は２記載
の帯電量計測装置。
【請求項５】前記コンデンサの充電電荷を放電せしめ
るため、前記コンデンサの端子間に接続される放電用の
抵抗器と、前記抵抗器を流れる放電電流カーブのピーク
値、或いは前記コンデンサの放電電圧カーブのピーク値
を計測するための計測手段とで構成したことを特徴とす
る請求項１又は２記載の帯電量計測装置。
【請求項６】前記コンデンサの充電電荷を放電せしめ
るための、前記コンデンサの端子間に接続される放電用
の抵抗器と、前記抵抗器を流れる放電電流を積分する積
分回路とで構成したことを特徴とする請求項１又は２記
載の帯電量計測装置。
【請求項７】被測定物に接触させるためのプローブ
と、このプローブに一方の端子が接続された抵抗器と、
この抵抗器の他端とグランド間に設けられたコンデンサ
とからなる帯電量計測装置であって、前記コンデンサの充電電荷を放電せしめるため、前記コ
ンデンサの端子間に接続される放電用の抵抗器と、前記
抵抗器を流れる放電電流カーブを取得するための記録手
段とで構成したことを特徴とする帯電量計測装置。
【請求項８】被測定物に接触させるためのプローブ
と、このプローブに一方の端子が接続された抵抗器と、
この抵抗器の他端とグランド間に設けられたコンデンサ
とからなる帯電量計測装置であって、前記コンデンサの充電電荷を放電せしめるため、前記コ
ンデンサの端子間に接続される放電用の抵抗器と、前記
抵抗器を流れる放電電流カーブのピーク値を計測するた
めの計測手段とで構成したことを特徴とする帯電量計測
装置。
【請求項９】被測定物に接触させるためのプローブ
と、このプローブに一方の端子が接続された抵抗器と、
この抵抗器の他端とグランド間に設けられたコンデンサ
とからなる帯電量計測装置であって、前記コンデンサの充電電荷を放電せしめるための、前記
抵抗器を流れる放電電流を積分する積分回路を設けたこ
とを特徴とする帯電量計測装置。
【請求項１０】被測定物とグランド間に設けた抵抗器
と、この抵抗器を流れる電流波形を記録するための記録
手段とで構成したことを特徴とする帯電量計測装置。
【請求項１１】被測定物とグランド間に設けた抵抗器
と、この抵抗器を流れる放電電流のピーク値を計測する
ための計測手段とで構成したことを特徴とする帯電量計
測装置。
【請求項１２】被測定物に一方の端子が接続された抵
抗器と、この抵抗器の他端とグランド間に設けられたコ
ンデンサとからなる帯電量計測装置であって、前記コンデンサの充電電荷を放電せしめるため、前記コ
ンデンサの端子間に接続される放電用の抵抗器と、前記
抵抗器を流れる放電電流カーブを取得するための記録手
段とで構成したことを特徴とする帯電量計測装置。
【請求項１３】被測定物に一方の端子が接続された抵
抗器と、この抵抗器の他端とグランド間に設けられたコ
ンデンサとからなる帯電量計測装置であって、前記コンデンサの充電電荷を放電せしめるため、前記コ
ンデンサの端子間に接続される放電用の抵抗器と、前記
抵抗器を流れる放電電流のピーク値を計測する計測手段
とで構成したことを特徴とする帯電量計測装置。
【請求項１４】被測定物に一方の端子が接続された抵
抗器と、この抵抗器の他端とグランド間に設けられたコ
ンデンサとからなる帯電量計測装置であって、前記コンデンサの充電電荷を放電せしめるため、前記コ
ンデンサの端子間に接続される放電用の抵抗器と、前記
抵抗器を流れる放電電流を積分する積分回路とで構成し
たことを特徴とする帯電量計測装置。
【請求項１５】前記被測定物は、ステージ、シャト
ル、ウエハ搬送アーム、ハンドラの吸着アーム等の半導
体製造装置であることを特徴とする請求項１乃至９の何
れかに記載の帯電量計測装置。
【請求項１６】部品搬送用のトレイ、シャトルと、こ
のトレイ、シャトルとフレームグランド間に設けた抵抗
器と、この抵抗器に流れる放電電流波形を記録するため
の記録手段とで構成したことを特徴とする静電気放電検
出装置。
【請求項１７】部品搬送用のトレイ、シャトルと、こ
のトレイ、シャトルとフレームグランド間に設けた抵抗
器と、この抵抗器に流れる放電電流波形のピーク値とピ
ークになるまでの時間とを計測する計測手段とで構成し
たことを特徴とする静電気放電検出装置。
【請求項１８】部品と接する金属体に流れる放電電流
波形の、静電気放電対策が施されている場合の、除電電
流の周波数帯域と、静電気放電が発生した場合の電流の
周波数帯域とを選別する電気回路とで構成したことを特
徴とする静電気放電検出装置。
【請求項１９】被測定物に接触させるためのプローブ
と、このプローブに一方の端子が接続された抵抗器と、
この抵抗器の他端とグランド間に設けられたコンデンサ
とからなる帯電量計測回路を用いた帯電量の測定方法で
あって、前記コンデンサに充電させた電荷を前記抵抗器を用いて
放電せしめ、この抵抗器に流れる放電電流の波形を求
め、この放電電流の波形を積分することで、前記被測定
物に帯電した帯電量を測定することを特徴とする帯電量
の測定方法。
【請求項２０】被測定物に接触させるためのプローブ
と、このプローブに一方の端子が接続された抵抗器と、
この抵抗器の他端とグランド間に設けられたコンデンサ
とからなる帯電量計測回路を用いた帯電量の測定方法で
あって、前記コンデンサに充電させた電荷を前記抵抗器を用いて
放電せしめ、この抵抗器のピーク電圧をもとに、前記被
測定物の帯電電荷量を測定することを特徴とする帯電量
の測定方法。
【請求項２１】被測定物に接触させるためのプローブ
と、このプローブに一方の端子が接続された抵抗器と、
この抵抗器の他端とグランド間に設けられたコンデンサ
とからなる帯電量計測回路を用いた帯電量の測定方法で
あって、前記コンデンサに充電させた電荷を抵抗器を用いて放電
せしめ、この抵抗器に流れる放電電流を積分回路を用い
て積分することで、前記被測定物に帯電した帯電量を測
定することを特徴とする帯電量の測定方法。
【請求項２２】被測定物とグランド間に抵抗器を設
け、この抵抗器を流れる電流波形を記録することで、前
記被測定物の帯電量を計測することを特徴とする帯電量
計測装置の測定方法。
【請求項２３】被測定物に一方の端子が接続された抵
抗器と、この抵抗器の他端とグランド間に設けられたコ
ンデンサとからなる帯電量計測回路を用いた帯電量の測
定方法であって、前記コンデンサに充電させた電荷を抵抗器を用いて放電
せしめ、この抵抗器に流れる放電電流の波形を求め、こ
の放電電流の波形を積分することで、前記被測定物に帯
電した帯電量を測定することを特徴とする帯電量の測定
方法。
【請求項２４】被測定物に一方の端子が接続された抵
抗器と、この抵抗器の他端とグランド間に設けられたコ
ンデンサとからなる帯電量計測回路を用いた帯電量の測
定方法であって、前記コンデンサに充電させた電荷を抵抗器を用いて放電
せしめ、この抵抗器に流れる放電電流を積分回路を用い
て積分することで、前記被測定物に帯電した帯電量を測
定することを特徴とする帯電量の測定方法。
【請求項２５】部品を搬送する搬送装置内の搬送用の
トレイ、シャトルとフレームグラウンド間に抵抗器を設
け、この抵抗器に流れる放電電流波形を監視すること
で、静電気放電の発生を検知することを特徴とする静電
気放電の検出方法。