JP3333155B2 - プラズマダメージ評価用ｔｅｇパターンおよびそれを用いた評価方法 - Google Patents
プラズマダメージ評価用ｔｅｇパターンおよびそれを用いた評価方法Info
- Publication number
- JP3333155B2 JP3333155B2 JP29173299A JP29173299A JP3333155B2 JP 3333155 B2 JP3333155 B2 JP 3333155B2 JP 29173299 A JP29173299 A JP 29173299A JP 29173299 A JP29173299 A JP 29173299A JP 3333155 B2 JP3333155 B2 JP 3333155B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pad
- fuse
- plasma
- teg
- pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/30—Structural arrangements specially adapted for testing or measuring during manufacture or treatment, or specially adapted for reliability measurements
- H01L22/34—Circuits for electrically characterising or monitoring manufacturing processes, e. g. whole test die, wafers filled with test structures, on-board-devices incorporated on each die, process control monitors or pad structures thereof, devices in scribe line
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
- G01R31/2884—Testing of integrated circuits [IC] using dedicated test connectors, test elements or test circuits on the IC under test
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、プラズマダメー
ジ評価技術に係り、特に半導体装置を製造する装置にお
いてプラズマを利用する加工装置、例えばドライエッチ
ング装置やプラズマＣＶＤ（化学的気相成長薄膜形成）
装置などが製造対象の半導体装置に与えるプラズマダメ
ージの影響を測定するプラズマダメージ評価用ＴＥＧパ
ターンおよびそれを用いた評価方法に関するものであ
る。
ジ評価技術に係り、特に半導体装置を製造する装置にお
いてプラズマを利用する加工装置、例えばドライエッチ
ング装置やプラズマＣＶＤ（化学的気相成長薄膜形成）
装置などが製造対象の半導体装置に与えるプラズマダメ
ージの影響を測定するプラズマダメージ評価用ＴＥＧパ
ターンおよびそれを用いた評価方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】図６は従来のＴＥＧ（Ｔｅｓｔ Ｅｌｅ
ｍｅｎｔ Ｇｒｏｕｐ：特性評価用素子）パターンの一
部である。以下、図を用いヒューズを切断および測定す
るときの方法を説明する。図６において、Ｐ１，Ｐ２は
ヒューズ、Ｐ３，Ｐ４およびＰ５は針を接触させるため
のパッド、Ｐ６はアンテナ、Ｐ７はゲート、Ｐ８はサブ
コンタクト、Ｐ２１，Ｐ２２は形状の異なるヒューズを
示している。
ｍｅｎｔ Ｇｒｏｕｐ：特性評価用素子）パターンの一
部である。以下、図を用いヒューズを切断および測定す
るときの方法を説明する。図６において、Ｐ１，Ｐ２は
ヒューズ、Ｐ３，Ｐ４およびＰ５は針を接触させるため
のパッド、Ｐ６はアンテナ、Ｐ７はゲート、Ｐ８はサブ
コンタクト、Ｐ２１，Ｐ２２は形状の異なるヒューズを
示している。
【０００３】図６を参照すると、従来のＴＥＧパターン
では、ヒューズＰ１，Ｐ２を切断するためには測定装置
であるプローバの針（不図示）をパッドＰ３，Ｐ４およ
びＰ５に接触させた状態で中間のパッドＰ４に接触させ
ている針から電圧を印加するとともに、残りのパッドＰ
３，Ｐ５に接触させている針を接地電位（グランド）に
接続しておき、パッドＰ４に電圧を瞬時に印加してヒュ
ーズＰ１，Ｐ２を同時に切断する。
では、ヒューズＰ１，Ｐ２を切断するためには測定装置
であるプローバの針（不図示）をパッドＰ３，Ｐ４およ
びＰ５に接触させた状態で中間のパッドＰ４に接触させ
ている針から電圧を印加するとともに、残りのパッドＰ
３，Ｐ５に接触させている針を接地電位（グランド）に
接続しておき、パッドＰ４に電圧を瞬時に印加してヒュ
ーズＰ１，Ｐ２を同時に切断する。
【０００４】一方、プラズマダメージの影響を測定する
場合は、上記ヒューズＰ１，Ｐ２を切断したＴＥＧウェ
ハー基板に所定のプラズマ処理を行い、ＴＥＧウェハー
基板のプラズマによるチャージをアンテナＰ６で受けて
ゲートＰ７に流し込み、このときにゲート酸化膜はこの
チャージの影響により変化するので、ゲート酸化膜の変
化の状態を電気的に測定している。
場合は、上記ヒューズＰ１，Ｐ２を切断したＴＥＧウェ
ハー基板に所定のプラズマ処理を行い、ＴＥＧウェハー
基板のプラズマによるチャージをアンテナＰ６で受けて
ゲートＰ７に流し込み、このときにゲート酸化膜はこの
チャージの影響により変化するので、ゲート酸化膜の変
化の状態を電気的に測定している。
【０００５】上記ヒューズＰ１，Ｐ２は、上記従来のＴ
ＥＧパターンを作製するときに使用するプラズマによっ
てダメージを解消するためのものである。すなわち、上
記ＴＥＧパターンは、アンテナＰ６からパッドＰ３、ヒ
ューズＰ１、パッドＰ４、ヒューズＰ２およびパッドＰ
５を経由してサブコンタクトＰ８からＴＥＧウェハー基
板にプラズマによるチャージを流すことでゲートＰ７へ
の影響を回避する構造となっている。
ＥＧパターンを作製するときに使用するプラズマによっ
てダメージを解消するためのものである。すなわち、上
記ＴＥＧパターンは、アンテナＰ６からパッドＰ３、ヒ
ューズＰ１、パッドＰ４、ヒューズＰ２およびパッドＰ
５を経由してサブコンタクトＰ８からＴＥＧウェハー基
板にプラズマによるチャージを流すことでゲートＰ７へ
の影響を回避する構造となっている。
【０００６】このような従来のＴＥＧパターンには、上
記２本のヒューズＰ１，Ｐ２のように同じ構造のヒュー
ズを有するもの以外にも、図６に示すヒューズＰ２１，
Ｐ２２のような異なる構造のヒューズを有するものも用
いられている。
記２本のヒューズＰ１，Ｐ２のように同じ構造のヒュー
ズを有するもの以外にも、図６に示すヒューズＰ２１，
Ｐ２２のような異なる構造のヒューズを有するものも用
いられている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来技
術には以下に掲げる問題点があった。まず第１の問題点
は、ヒューズＰ２１，Ｐ２２のような異なる形状のヒュ
ーズを有するＴＥＧパターンを上記と同じ条件で切断処
理した場合には同時に切断できないケースがあることで
ある。
術には以下に掲げる問題点があった。まず第１の問題点
は、ヒューズＰ２１，Ｐ２２のような異なる形状のヒュ
ーズを有するＴＥＧパターンを上記と同じ条件で切断処
理した場合には同時に切断できないケースがあることで
ある。
【０００８】また、第２の問題点は、従来のＴＥＧパタ
ーンのヒューズ構造には２種類あり、同一のヒューズ構
造を用いた場合はヒューズを均等に切断できるので問題
がないものの、上記従来のＴＥＧパターンで示すような
ゲートＰ７とつながるパッドＰ３が切断し難いことであ
る。換言すれば、パッドＰ３にはゲートＰ７がつながっ
ており、パッドＰ３の切断の不具合に主因してゲートＰ
７の部分に電流が流れてしまう結果、何らかのダメージ
を与えてしまうケースがあるという問題点があった。こ
れは、ヒューズの寸法などのばらつきが関係していると
考えられる。
ーンのヒューズ構造には２種類あり、同一のヒューズ構
造を用いた場合はヒューズを均等に切断できるので問題
がないものの、上記従来のＴＥＧパターンで示すような
ゲートＰ７とつながるパッドＰ３が切断し難いことであ
る。換言すれば、パッドＰ３にはゲートＰ７がつながっ
ており、パッドＰ３の切断の不具合に主因してゲートＰ
７の部分に電流が流れてしまう結果、何らかのダメージ
を与えてしまうケースがあるという問題点があった。こ
れは、ヒューズの寸法などのばらつきが関係していると
考えられる。
【０００９】そして第３の問題点は、均等なヒューズ構
造（同一のヒューズ構造）を用いた場合であってもヒュ
ーズ切断時にはゲートＰ７がつながるパッドＰ３に電圧
が印加されるため、やはり何らかのダメージを与える可
能性は高く、このため、印加する電圧が制限されてしま
うことである。
造（同一のヒューズ構造）を用いた場合であってもヒュ
ーズ切断時にはゲートＰ７がつながるパッドＰ３に電圧
が印加されるため、やはり何らかのダメージを与える可
能性は高く、このため、印加する電圧が制限されてしま
うことである。
【００１０】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、すべてのヒューズの切断不備を
解消するとともに、測定前のゲートにはほとんどダメー
ジを与えることをなくしてすべて同一の条件下で測定が
できるようになるプラズマダメージ評価用ＴＥＧパター
ンおよびそれを用いた評価方法を得ることを目的とす
る。
ためになされたもので、すべてのヒューズの切断不備を
解消するとともに、測定前のゲートにはほとんどダメー
ジを与えることをなくしてすべて同一の条件下で測定が
できるようになるプラズマダメージ評価用ＴＥＧパター
ンおよびそれを用いた評価方法を得ることを目的とす
る。
【００１１】
【課題を解決するための手段】この発明の請求項１記載
の発明にかかるプラズマダメージ評価用ＴＥＧパターン
は、半導体装置を製造する工程においてプラズマを利用
する加工装置が製造対象の半導体装置に与えるプラズマ
ダメージの影響を測定するプラズマダメージ評価用ＴＥ
Ｇパターンであって、プラズマにより発生するチャージ
を溜めるためのアンテナと、実際にプラズマダメージの
状態を電気的に測定するための針を接触させるパッド
と、前記パッドのうち第１のパッドを介して前記アンテ
ナに電気的に接続されるとともに、前記アンテナに溜ま
ったチャージを流し込んでプラズマダメージの影響を測
定するためのゲートと、前記パッドのうち少なくとも２
つのパッドを介して前記アンテナに電気的に接続される
とともに、前記プラズマパターン評価用ＴＥＧパターン
をＴＥＧウェハー基板上に作製するときに利用するプラ
ズマにより前記アンテナに溜まったチャージを前記ＴＥ
Ｇウェハー基板に逃がすためのサブコンタクトと、前記
プラズマパターン評価用ＴＥＧパターンを作製するとき
には前記サブコンタクトと前記アンテナとの電気的な接
続を維持し、前記ゲートにおいてプラズマダメージの影
響を測定するときには前記サブコンタクトと前記アンテ
ナとの電気的な接続を切断するためのヒューズとを備え
たものである。
の発明にかかるプラズマダメージ評価用ＴＥＧパターン
は、半導体装置を製造する工程においてプラズマを利用
する加工装置が製造対象の半導体装置に与えるプラズマ
ダメージの影響を測定するプラズマダメージ評価用ＴＥ
Ｇパターンであって、プラズマにより発生するチャージ
を溜めるためのアンテナと、実際にプラズマダメージの
状態を電気的に測定するための針を接触させるパッド
と、前記パッドのうち第１のパッドを介して前記アンテ
ナに電気的に接続されるとともに、前記アンテナに溜ま
ったチャージを流し込んでプラズマダメージの影響を測
定するためのゲートと、前記パッドのうち少なくとも２
つのパッドを介して前記アンテナに電気的に接続される
とともに、前記プラズマパターン評価用ＴＥＧパターン
をＴＥＧウェハー基板上に作製するときに利用するプラ
ズマにより前記アンテナに溜まったチャージを前記ＴＥ
Ｇウェハー基板に逃がすためのサブコンタクトと、前記
プラズマパターン評価用ＴＥＧパターンを作製するとき
には前記サブコンタクトと前記アンテナとの電気的な接
続を維持し、前記ゲートにおいてプラズマダメージの影
響を測定するときには前記サブコンタクトと前記アンテ
ナとの電気的な接続を切断するためのヒューズとを備え
たものである。
【００１２】請求項２記載の発明にかかるプラズマダメ
ージ評価用ＴＥＧパターンは、上記請求項１記載の発明
において、前記第１のパッドは、配線を介して前記アン
テナに接続され、前記ヒューズは、第１のヒューズと第
２のヒューズとからなり、前記少なくとも２つのパッド
は、前記第１のヒューズと、前記第１のヒューズを介し
て前記第１のパッドに接続される第２のパッドと、前記
第２のヒューズを介して該第２のパッドに接続されると
ともに前記サブコンタクトに接続される第３のパッドと
からなるものである。
ージ評価用ＴＥＧパターンは、上記請求項１記載の発明
において、前記第１のパッドは、配線を介して前記アン
テナに接続され、前記ヒューズは、第１のヒューズと第
２のヒューズとからなり、前記少なくとも２つのパッド
は、前記第１のヒューズと、前記第１のヒューズを介し
て前記第１のパッドに接続される第２のパッドと、前記
第２のヒューズを介して該第２のパッドに接続されると
ともに前記サブコンタクトに接続される第３のパッドと
からなるものである。
【００１３】請求項３記載の発明にかかるプラズマダメ
ージ評価用ＴＥＧパターンは、上記請求項２記載の発明
において、前記第１のヒューズと前記第２のヒューズと
を、同一の導電膜パターンからなる同一構造体としたも
のである。
ージ評価用ＴＥＧパターンは、上記請求項２記載の発明
において、前記第１のヒューズと前記第２のヒューズと
を、同一の導電膜パターンからなる同一構造体としたも
のである。
【００１４】請求項４記載の発明にかかるプラズマダメ
ージ評価用ＴＥＧパターンは、上記請求項１記載の発明
において、前記第１のパッドは、第１の配線を介して前
記アンテナに接続され、前記少なくとも２つのパッド
は、第２の配線を介して前記アンテナに接続される第２
のパッドと、前記ヒューズを介して前記第２のパッドに
接続されるとともに前記サブコンタクトに接続される第
３のパッドとからなるものである。
ージ評価用ＴＥＧパターンは、上記請求項１記載の発明
において、前記第１のパッドは、第１の配線を介して前
記アンテナに接続され、前記少なくとも２つのパッド
は、第２の配線を介して前記アンテナに接続される第２
のパッドと、前記ヒューズを介して前記第２のパッドに
接続されるとともに前記サブコンタクトに接続される第
３のパッドとからなるものである。
【００１５】請求項５記載の発明にかかるプラズマダメ
ージ評価用ＴＥＧパターンは、上記請求項４に記載の発
明において、前記第１の配線の配線抵抗を、前記第２の
配線の配線抵抗よりも、小さくしたものである。
ージ評価用ＴＥＧパターンは、上記請求項４に記載の発
明において、前記第１の配線の配線抵抗を、前記第２の
配線の配線抵抗よりも、小さくしたものである。
【００１６】請求項６記載の発明にかかるプラズマダメ
ージ評価用ＴＥＧパターンは、上記請求項４に記載の発
明において、前記第１の配線は、前記第２の配線より
も、配線が太く、かつ、配線が短くされたものである。
ージ評価用ＴＥＧパターンは、上記請求項４に記載の発
明において、前記第１の配線は、前記第２の配線より
も、配線が太く、かつ、配線が短くされたものである。
【００１７】請求項７記載の発明にかかるプラズマダメ
ージ評価用ＴＥＧパターンは、上記請求項１〜請求項６
のいずれかに記載の発明において、前記サブコンタクト
は、前記ＴＥＧウェハー基板に電気的に接続されたもの
である。
ージ評価用ＴＥＧパターンは、上記請求項１〜請求項６
のいずれかに記載の発明において、前記サブコンタクト
は、前記ＴＥＧウェハー基板に電気的に接続されたもの
である。
【００１８】請求項８記載の発明にかかるプラズマダメ
ージ評価用ＴＥＧパターンは、請求項１〜請求項７のい
ずれかに記載のプラズマダメージ評価用ＴＥＧパターン
を、前記ＴＥＧウェハー基板上に複数備えたものであ
る。
ージ評価用ＴＥＧパターンは、請求項１〜請求項７のい
ずれかに記載のプラズマダメージ評価用ＴＥＧパターン
を、前記ＴＥＧウェハー基板上に複数備えたものであ
る。
【００１９】請求項９記載の発明にかかるプラズマダメ
ージ評価用ＴＥＧパターンを用いた評価方法は、半導体
装置を製造する工程においてプラズマを利用する加工装
置が製造対象の半導体装置に与えるプラズマダメージの
影響を測定するプラズマダメージ評価用ＴＥＧパターン
を用いた評価方法であって、前記プラズマダメージ評価
用ＴＥＧパターンは、プラズマにより発生するチャージ
を溜めるためのアンテナと、プラズマダメージの影響を
測定するためのゲートと、前記ゲートが接続されるとと
もに配線を介して前記アンテナに電気的に接続された第
１のパッドと、第１のヒューズを介して該第１のパッド
に接続される第２のパッドと、前記プラズマパターン評
価用ＴＥＧパターンをＴＥＧウェハー基板上に作製する
ときに利用するプラズマにより前記アンテナに溜まるチ
ャージを前記ＴＥＧウェハー基板に逃がすためのサブコ
ンタクトと、第２のヒューズを介して前記第２のパッド
に接続されるとともに前記サブコンタクトに接続される
第３のパッドとを有し、前記第１のパッドおよび前記第
３のパッドにグランドに接続された針を接触させるとと
もに、前記第２のパッドに接触する針から電圧を印加す
ることで、前記第１のヒューズおよび前記第２のヒュー
ズを切断するヒューズ切断工程と、前記ヒューズ切断工
程の後に、前記ＴＥＧウェハー基板をプラズマ処理する
処理工程と、前記処理工程により前記アンテナからチャ
ージが流れ込んだ前記ゲートの耐圧を測定する測定工程
とを備えたものである。
ージ評価用ＴＥＧパターンを用いた評価方法は、半導体
装置を製造する工程においてプラズマを利用する加工装
置が製造対象の半導体装置に与えるプラズマダメージの
影響を測定するプラズマダメージ評価用ＴＥＧパターン
を用いた評価方法であって、前記プラズマダメージ評価
用ＴＥＧパターンは、プラズマにより発生するチャージ
を溜めるためのアンテナと、プラズマダメージの影響を
測定するためのゲートと、前記ゲートが接続されるとと
もに配線を介して前記アンテナに電気的に接続された第
１のパッドと、第１のヒューズを介して該第１のパッド
に接続される第２のパッドと、前記プラズマパターン評
価用ＴＥＧパターンをＴＥＧウェハー基板上に作製する
ときに利用するプラズマにより前記アンテナに溜まるチ
ャージを前記ＴＥＧウェハー基板に逃がすためのサブコ
ンタクトと、第２のヒューズを介して前記第２のパッド
に接続されるとともに前記サブコンタクトに接続される
第３のパッドとを有し、前記第１のパッドおよび前記第
３のパッドにグランドに接続された針を接触させるとと
もに、前記第２のパッドに接触する針から電圧を印加す
ることで、前記第１のヒューズおよび前記第２のヒュー
ズを切断するヒューズ切断工程と、前記ヒューズ切断工
程の後に、前記ＴＥＧウェハー基板をプラズマ処理する
処理工程と、前記処理工程により前記アンテナからチャ
ージが流れ込んだ前記ゲートの耐圧を測定する測定工程
とを備えたものである。
【００２０】請求項１０記載の発明にかかるプラズマダ
メージ評価用ＴＥＧパターンを用いた評価方法は、半導
体装置を製造する工程においてプラズマを利用する加工
装置が製造対象の半導体装置に与えるプラズマダメージ
の影響を測定するプラズマダメージ評価用ＴＥＧパター
ンを用いた評価方法であって、前記プラズマダメージ評
価用ＴＥＧパターンは、プラズマにより発生するチャー
ジを溜めるためのアンテナと、プラズマダメージの影響
を測定するためのゲートと、前記ゲートが接続されると
ともに第１の配線を介して前記アンテナに電気的に接続
された第１のパッドと、第２の配線を介して前記アンテ
ナに接続される第２のパッドと、前記プラズマパターン
評価用ＴＥＧパターンをＴＥＧウェハー基板上に作製す
るときに利用するプラズマにより前記アンテナに溜まる
チャージを前記ＴＥＧウェハー基板に逃がすためのサブ
コンタクトと、ヒューズを介して前記第２のパッドに接
続されるとともに前記サブコンタクトに接続される第３
のパッドとを有し、前記第２のパッドにグランドに接続
された針を接触させるとともに、前記第３のパッドに接
触する針から電圧を印加することで、前記ヒューズを切
断するヒューズ切断工程と、前記ヒューズ切断工程の後
に、前記ＴＥＧウェハー基板をプラズマ処理する処理工
程と、前記処理工程により前記アンテナからチャージが
流れ込んだ前記ゲートの耐圧を測定する測定工程とを備
えたものである。
メージ評価用ＴＥＧパターンを用いた評価方法は、半導
体装置を製造する工程においてプラズマを利用する加工
装置が製造対象の半導体装置に与えるプラズマダメージ
の影響を測定するプラズマダメージ評価用ＴＥＧパター
ンを用いた評価方法であって、前記プラズマダメージ評
価用ＴＥＧパターンは、プラズマにより発生するチャー
ジを溜めるためのアンテナと、プラズマダメージの影響
を測定するためのゲートと、前記ゲートが接続されると
ともに第１の配線を介して前記アンテナに電気的に接続
された第１のパッドと、第２の配線を介して前記アンテ
ナに接続される第２のパッドと、前記プラズマパターン
評価用ＴＥＧパターンをＴＥＧウェハー基板上に作製す
るときに利用するプラズマにより前記アンテナに溜まる
チャージを前記ＴＥＧウェハー基板に逃がすためのサブ
コンタクトと、ヒューズを介して前記第２のパッドに接
続されるとともに前記サブコンタクトに接続される第３
のパッドとを有し、前記第２のパッドにグランドに接続
された針を接触させるとともに、前記第３のパッドに接
触する針から電圧を印加することで、前記ヒューズを切
断するヒューズ切断工程と、前記ヒューズ切断工程の後
に、前記ＴＥＧウェハー基板をプラズマ処理する処理工
程と、前記処理工程により前記アンテナからチャージが
流れ込んだ前記ゲートの耐圧を測定する測定工程とを備
えたものである。
【００２１】請求項１１記載の発明にかかるプラズマダ
メージ評価用ＴＥＧパターンを用いた評価方法は、上記
請求項１０記載の発明において、前記測定工程を、前記
第１のパッドおよび前記第３のパッドと前記プラズマダ
メージ評価用ＴＥＧパターンの外部とを電気的に接続
し、前記第１のパッドに電圧を徐々に印加しながら前記
ゲートに形成されたゲート酸化膜の状態を電気的に測定
する工程としたものである。
メージ評価用ＴＥＧパターンを用いた評価方法は、上記
請求項１０記載の発明において、前記測定工程を、前記
第１のパッドおよび前記第３のパッドと前記プラズマダ
メージ評価用ＴＥＧパターンの外部とを電気的に接続
し、前記第１のパッドに電圧を徐々に印加しながら前記
ゲートに形成されたゲート酸化膜の状態を電気的に測定
する工程としたものである。
【００２２】
【００２３】
【発明の実施の形態】現在、半導体装置製造においては
ドライエッチングやＣＶＤなどプラズマを用いた加工成
膜の工程が多用されている。特に、パターンの微細化あ
るいは使用するＴＥＧウェハー基板の大口径化に応じ
て、使用するプラズマ出力も大きくなる傾向にある。こ
れに伴い、プラズマを用いた加工成膜の工程で発生する
プラズマ（以下、プラズマダメージ）に起因するダメー
ジの影響も大きくなる傾向にあり、このようなプラズマ
ダメージの影響が半導体装置の歩留まりに大きく関与す
るようになってきている。そこで、このようなプラズマ
ダメージの影響を数値的に表し、プラズマダメージにつ
いての対策および改善などに有効に利用するために作製
された手段がプラズマダメージ測定用ＴＥＧパターンで
ある。このプラズマダメージ測定用ＴＥＧパターンはゲ
ート構造と、ゲート構造に対して大面積を有するアンテ
ナパターンを備えている。プラズマ処理時にアンテナに
溜まるチャージをゲートに集めた状態で、ゲート構造を
構成するゲート酸化膜の耐圧を測定することでプラズマ
ダメージの状態を観察できる。
ドライエッチングやＣＶＤなどプラズマを用いた加工成
膜の工程が多用されている。特に、パターンの微細化あ
るいは使用するＴＥＧウェハー基板の大口径化に応じ
て、使用するプラズマ出力も大きくなる傾向にある。こ
れに伴い、プラズマを用いた加工成膜の工程で発生する
プラズマ（以下、プラズマダメージ）に起因するダメー
ジの影響も大きくなる傾向にあり、このようなプラズマ
ダメージの影響が半導体装置の歩留まりに大きく関与す
るようになってきている。そこで、このようなプラズマ
ダメージの影響を数値的に表し、プラズマダメージにつ
いての対策および改善などに有効に利用するために作製
された手段がプラズマダメージ測定用ＴＥＧパターンで
ある。このプラズマダメージ測定用ＴＥＧパターンはゲ
ート構造と、ゲート構造に対して大面積を有するアンテ
ナパターンを備えている。プラズマ処理時にアンテナに
溜まるチャージをゲートに集めた状態で、ゲート構造を
構成するゲート酸化膜の耐圧を測定することでプラズマ
ダメージの状態を観察できる。
【００２４】ところが、このようなプラズマダメージ測
定用ＴＥＧパターンを形成するためには通常の半導体装
置製造工程、具体的にはドライエッチング工程などを用
いるため、作製中にＴＥＧ自身がプラズマダメージを受
けてしまう恐れがある。そのため、通常、プラズマダメ
ージ測定用ＴＥＧパターン内にヒューズを設け、プラズ
マダメージを引き起こすチャージをＴＥＧウェハー基板
に逃がすことでＴＥＧ作製時のプラズマダメージを解消
している。実際、このプラズマダメージ測定用ＴＥＧパ
ターンを用いて評価するときには、まず、上記ヒューズ
を切断した状態のプラズマダメージ測定用ＴＥＧパター
ンを所定のプラズマに曝した後にプラズマダメージの測
定を行っている。
定用ＴＥＧパターンを形成するためには通常の半導体装
置製造工程、具体的にはドライエッチング工程などを用
いるため、作製中にＴＥＧ自身がプラズマダメージを受
けてしまう恐れがある。そのため、通常、プラズマダメ
ージ測定用ＴＥＧパターン内にヒューズを設け、プラズ
マダメージを引き起こすチャージをＴＥＧウェハー基板
に逃がすことでＴＥＧ作製時のプラズマダメージを解消
している。実際、このプラズマダメージ測定用ＴＥＧパ
ターンを用いて評価するときには、まず、上記ヒューズ
を切断した状態のプラズマダメージ測定用ＴＥＧパター
ンを所定のプラズマに曝した後にプラズマダメージの測
定を行っている。
【００２５】以下に示す実施の形態の特徴は、ヒューズ
を均等な構造とするとともに、当該ヒューズを切断する
ときに使用するパッドとゲートの耐圧を測定するときに
使用するパッドを個別に設け、当該ヒューズを切断する
ときにゲートとつながるパッドに電圧が印加されないよ
うな構造を実現することにより、すべてのヒューズの切
断不備を解消するとともに、測定前のゲートにはほとん
どダメージを与えることをなくし、その結果、すべて同
一の条件下で測定ができるようになることにある。以
下、図面に基づき本発明の実施の形態を説明する。
を均等な構造とするとともに、当該ヒューズを切断する
ときに使用するパッドとゲートの耐圧を測定するときに
使用するパッドを個別に設け、当該ヒューズを切断する
ときにゲートとつながるパッドに電圧が印加されないよ
うな構造を実現することにより、すべてのヒューズの切
断不備を解消するとともに、測定前のゲートにはほとん
どダメージを与えることをなくし、その結果、すべて同
一の条件下で測定ができるようになることにある。以
下、図面に基づき本発明の実施の形態を説明する。
【００２６】実施の形態１．以下、この発明の実施の形
態１を図面に基づいて詳細に説明する。図１は本発明の
実施の形態１に係るプラズマダメージ測定用のＴＥＧパ
ターン（プラズマダメージ測定用ＴＥＧパターン）の要
部を示す概略図である。図１において、１，２は第１の
ヒューズおよび第２のヒューズ、３，４および５は針を
接触させるためのパッド、６はアンテナ、７はゲート、
８はサブコンタクトである。
態１を図面に基づいて詳細に説明する。図１は本発明の
実施の形態１に係るプラズマダメージ測定用のＴＥＧパ
ターン（プラズマダメージ測定用ＴＥＧパターン）の要
部を示す概略図である。図１において、１，２は第１の
ヒューズおよび第２のヒューズ、３，４および５は針を
接触させるためのパッド、６はアンテナ、７はゲート、
８はサブコンタクトである。
【００２７】図１を参照すると、本実施の形態のプラズ
マダメージ測定用ＴＥＧパターンは、針を接触させるた
めのパッド３（第１のパッド）、パッド４（第２のパッ
ド）およびパッド５（第３のパッド）、所定形状（例え
ば、鼓型）を備えパッド３（第１のパッド）とパッド４
（第２のパッド）間をつなぐヒューズ１（第１のヒュー
ズ）、所定形状（例えば、鼓型）を備えパッド４（第２
のパッド）とパッド５（第３のパッド）間をつなぐヒュ
ーズ２（第２のヒューズ）、プラズマの測定に用いる２
つのアンテナ６（ただし、その一方は、パッド３（第１
のパッド）に接続されている）、パッド３（第１のパッ
ド）に接続されたゲート７、パッド５（第３のパッド）
に接続されたサブコンタクト８を備えている。
マダメージ測定用ＴＥＧパターンは、針を接触させるた
めのパッド３（第１のパッド）、パッド４（第２のパッ
ド）およびパッド５（第３のパッド）、所定形状（例え
ば、鼓型）を備えパッド３（第１のパッド）とパッド４
（第２のパッド）間をつなぐヒューズ１（第１のヒュー
ズ）、所定形状（例えば、鼓型）を備えパッド４（第２
のパッド）とパッド５（第３のパッド）間をつなぐヒュ
ーズ２（第２のヒューズ）、プラズマの測定に用いる２
つのアンテナ６（ただし、その一方は、パッド３（第１
のパッド）に接続されている）、パッド３（第１のパッ
ド）に接続されたゲート７、パッド５（第３のパッド）
に接続されたサブコンタクト８を備えている。
【００２８】次に、図１乃至３を参照してヒューズを切
断するときの方法およびプラズマダメージ評価方法につ
いて説明する。本実施の形態では、ヒューズ１，２（第
１のヒューズ、第２のヒューズ）を切断するときはパッ
ド３（第１のパッド）、パッド４（第２のパッド）およ
びパッド５（第３のパッド）に測定装置であるプローバ
の針（不図示）を接触させた状態でパッド４（第２のパ
ッド）に接触する針から電圧を印加し、残りのパッド３
（第１のパッド）、パッド５（第３のパッド）にはグラ
ンドに接続された針を接触させる。続いて、電圧を瞬時
に印加してヒューズ１，２（第１のヒューズ、第２のヒ
ューズ）を同時に切断する。続いて、上記ヒューズ１，
２（第１のヒューズ、第２のヒューズ）を切断したＴＥ
Ｇウェハー基板に所定のプラズマ処理を行い、プラズマ
ダメージの測定（プラズマダメージ評価）を行うが、こ
の際にＴＥＧウェハー基板ではプラズマによるチャージ
はアンテナ６で受信された後にゲート７に流れ込む。ゲ
ート酸化膜はゲート７に流れ込むこのチャージの影響に
より変化する。この状態を電気的に測定することで、プ
ラズマダメージの影響が評価できることになる。
断するときの方法およびプラズマダメージ評価方法につ
いて説明する。本実施の形態では、ヒューズ１，２（第
１のヒューズ、第２のヒューズ）を切断するときはパッ
ド３（第１のパッド）、パッド４（第２のパッド）およ
びパッド５（第３のパッド）に測定装置であるプローバ
の針（不図示）を接触させた状態でパッド４（第２のパ
ッド）に接触する針から電圧を印加し、残りのパッド３
（第１のパッド）、パッド５（第３のパッド）にはグラ
ンドに接続された針を接触させる。続いて、電圧を瞬時
に印加してヒューズ１，２（第１のヒューズ、第２のヒ
ューズ）を同時に切断する。続いて、上記ヒューズ１，
２（第１のヒューズ、第２のヒューズ）を切断したＴＥ
Ｇウェハー基板に所定のプラズマ処理を行い、プラズマ
ダメージの測定（プラズマダメージ評価）を行うが、こ
の際にＴＥＧウェハー基板ではプラズマによるチャージ
はアンテナ６で受信された後にゲート７に流れ込む。ゲ
ート酸化膜はゲート７に流れ込むこのチャージの影響に
より変化する。この状態を電気的に測定することで、プ
ラズマダメージの影響が評価できることになる。
【００２９】ヒューズ１，２（第１のヒューズ、第２の
ヒューズ）は、このプラズマダメージ測定用ＴＥＧパタ
ーンを作製する際にプラズマによるダメージを解消する
ものである。また、ヒューズ構造を有した同様な構造の
パターンを複数持つことで、評価のために曝したプラズ
マの影響も作製時と同様に解消できる。つまり、プラズ
マダメージ測定に応じ順次ヒューズを切断すれば１枚の
ＴＥＧウェハー基板で複数回の測定が可能となる。この
プラズマダメージ測定用ＴＥＧパターンは、プラズマに
より受けたチャージを、アンテナ６からパッド３（第１
のパッド）、ヒューズ１（第１のヒューズ）、パッド４
（第２のパッド）、ヒューズ２（第２のヒューズ）およ
びパッド５（第３のパッド）を経由してサブコンタクト
８からＴＥＧウェハー基板に落とし、ゲート７には影響
を与えない構造になっている。従来のＴＥＧパターンに
は上記説明に用いた構造以外に形の異なるヒューズを有
していたが、本実施の形態では図１に示すようにすべて
同じ形状にすることで上記課題はなくなる。
ヒューズ）は、このプラズマダメージ測定用ＴＥＧパタ
ーンを作製する際にプラズマによるダメージを解消する
ものである。また、ヒューズ構造を有した同様な構造の
パターンを複数持つことで、評価のために曝したプラズ
マの影響も作製時と同様に解消できる。つまり、プラズ
マダメージ測定に応じ順次ヒューズを切断すれば１枚の
ＴＥＧウェハー基板で複数回の測定が可能となる。この
プラズマダメージ測定用ＴＥＧパターンは、プラズマに
より受けたチャージを、アンテナ６からパッド３（第１
のパッド）、ヒューズ１（第１のヒューズ）、パッド４
（第２のパッド）、ヒューズ２（第２のヒューズ）およ
びパッド５（第３のパッド）を経由してサブコンタクト
８からＴＥＧウェハー基板に落とし、ゲート７には影響
を与えない構造になっている。従来のＴＥＧパターンに
は上記説明に用いた構造以外に形の異なるヒューズを有
していたが、本実施の形態では図１に示すようにすべて
同じ形状にすることで上記課題はなくなる。
【００３０】図２は図１のプラズマダメージ測定用ＴＥ
Ｇパターンにおける、すべて同じ構造のヒューズ（ヒュ
ーズ１，２（第１のヒューズ、第２のヒューズ））を切
断した後の電流−電圧曲線であって、電圧を徐々に高く
していき、約９０個についてその時の電流値を測定した
結果を示している。横軸は電圧値（単位は［Ｖ］）、縦
軸は電流値（単位は［Ａ］）である。図２に示すよう
に、各曲線がバラツキなく揃っており、かなり改善され
ていることが分かる。
Ｇパターンにおける、すべて同じ構造のヒューズ（ヒュ
ーズ１，２（第１のヒューズ、第２のヒューズ））を切
断した後の電流−電圧曲線であって、電圧を徐々に高く
していき、約９０個についてその時の電流値を測定した
結果を示している。横軸は電圧値（単位は［Ｖ］）、縦
軸は電流値（単位は［Ａ］）である。図２に示すよう
に、各曲線がバラツキなく揃っており、かなり改善され
ていることが分かる。
【００３１】図３はヒューズの形状が異なる場合（従来
のプラズマダメージ測定用ＴＥＧパターン）の電流−電
圧曲線である。横軸は電圧値（単位は［Ｖ］）、縦軸は
電流値（単位は［Ａ］）である。図３に示す電流−電圧
曲線を図２に示す電流−電圧曲線と比較すると、電流値
の高いものが数か所存在する。これは、ヒューズが完全
に切断できず、ヒューズ切断のために印加した電流の一
部がゲートに影響をおよぼし弱くなったためと考えられ
る。
のプラズマダメージ測定用ＴＥＧパターン）の電流−電
圧曲線である。横軸は電圧値（単位は［Ｖ］）、縦軸は
電流値（単位は［Ａ］）である。図３に示す電流−電圧
曲線を図２に示す電流−電圧曲線と比較すると、電流値
の高いものが数か所存在する。これは、ヒューズが完全
に切断できず、ヒューズ切断のために印加した電流の一
部がゲートに影響をおよぼし弱くなったためと考えられ
る。
【００３２】以上説明したように実施の形態１によれ
ば、２本のヒューズ１，２（第１のヒューズ、第２のヒ
ューズ）を均等な構造とするとともに、２本のヒューズ
１，２（第１のヒューズ、第２のヒューズ）を介在して
パッド３（第１のパッド）とパッド４（第２のパッド）
とパッド５（第３のパッド）とを直列に設け、２本のヒ
ューズ１，２（第１のヒューズ、第２のヒューズ）を切
断するときにゲート７とつながるパッド３（第１のパッ
ド）に電圧が印加されないような構造を実現することに
より、すべてのヒューズ１，２（第１のヒューズ、第２
のヒューズ）の切断不備を解消するとともに、測定前の
ゲート７にはほとんどダメージを与えることをなくし、
その結果、すべて同一の条件下で測定ができるようにな
るといった効果を奏する。すなわち、ヒューズ１，２
（第１のヒューズ、第２のヒューズ）の切断時の切断不
備やゲート７へのダメージを回避できるようになり、ゲ
ート７でのプラズマダメージを安定して数値化できるよ
うになる結果、より微小な電流の評価にも対応できるよ
うになるとともに、装置もしくはプロセスの対策、また
は改善などの有力なツールとなりうる。
ば、２本のヒューズ１，２（第１のヒューズ、第２のヒ
ューズ）を均等な構造とするとともに、２本のヒューズ
１，２（第１のヒューズ、第２のヒューズ）を介在して
パッド３（第１のパッド）とパッド４（第２のパッド）
とパッド５（第３のパッド）とを直列に設け、２本のヒ
ューズ１，２（第１のヒューズ、第２のヒューズ）を切
断するときにゲート７とつながるパッド３（第１のパッ
ド）に電圧が印加されないような構造を実現することに
より、すべてのヒューズ１，２（第１のヒューズ、第２
のヒューズ）の切断不備を解消するとともに、測定前の
ゲート７にはほとんどダメージを与えることをなくし、
その結果、すべて同一の条件下で測定ができるようにな
るといった効果を奏する。すなわち、ヒューズ１，２
（第１のヒューズ、第２のヒューズ）の切断時の切断不
備やゲート７へのダメージを回避できるようになり、ゲ
ート７でのプラズマダメージを安定して数値化できるよ
うになる結果、より微小な電流の評価にも対応できるよ
うになるとともに、装置もしくはプロセスの対策、また
は改善などの有力なツールとなりうる。
【００３３】実施の形態２． 以下、この発明の実施の形態２を図面に基づいて詳細に
説明する。図４は本発明の実施の形態２に係るプラズマ
ダメージ測定用のＴＥＧパターンの要部を示す概略図で
ある。図４において、１１はヒューズ、１２，１３はヒ
ューズ１１を切断する時に針を接触させるためのパッド
（第２のパッド、第３のパッド）、１４はサブコンタク
ト、１５はアンテナ、１６はアンテナ１５とパッド１２
（第２のパッド）をつなぐ配線（第２の配線）、１７は
測定時に針を接触させるためのパッド（第１のパッ
ド）、１８はゲート、１９はアンテナ１５とパッド１７
（第１のパッド）をつなぐ配線（第１の配線）である。
説明する。図４は本発明の実施の形態２に係るプラズマ
ダメージ測定用のＴＥＧパターンの要部を示す概略図で
ある。図４において、１１はヒューズ、１２，１３はヒ
ューズ１１を切断する時に針を接触させるためのパッド
（第２のパッド、第３のパッド）、１４はサブコンタク
ト、１５はアンテナ、１６はアンテナ１５とパッド１２
（第２のパッド）をつなぐ配線（第２の配線）、１７は
測定時に針を接触させるためのパッド（第１のパッ
ド）、１８はゲート、１９はアンテナ１５とパッド１７
（第１のパッド）をつなぐ配線（第１の配線）である。
【００３４】図４を参照すると、本実施の形態のプラズ
マダメージ測定用ＴＥＧパターンは、所定形状（例え
ば、鼓型）を備えパッド１２（第２のパッド）とパッド
１３（第３のパッド）間をつなぐヒューズ１１、ヒュー
ズ１１を切断する時に針を接触させるためのパッド１
２，１３（第２のパッド、第３のパッド）、パッド１３
（第３のパッド）に接続されているサブコンタクト１
４、配線１６を介してパッド１２（第２のパッド）に接
続されたアンテナ１５、アンテナ１５とパッド１２（第
２のパッド）をつなぐ配線１６、配線１９を介してアン
テナ１５に接続されたパッド１７（第１のパッド）、パ
ッド１７（第１のパッド）に接続されたゲート１８、ア
ンテナ１５とパッド１７（第１のパッド）をつなぐ配線
１９を備えている。
マダメージ測定用ＴＥＧパターンは、所定形状（例え
ば、鼓型）を備えパッド１２（第２のパッド）とパッド
１３（第３のパッド）間をつなぐヒューズ１１、ヒュー
ズ１１を切断する時に針を接触させるためのパッド１
２，１３（第２のパッド、第３のパッド）、パッド１３
（第３のパッド）に接続されているサブコンタクト１
４、配線１６を介してパッド１２（第２のパッド）に接
続されたアンテナ１５、アンテナ１５とパッド１２（第
２のパッド）をつなぐ配線１６、配線１９を介してアン
テナ１５に接続されたパッド１７（第１のパッド）、パ
ッド１７（第１のパッド）に接続されたゲート１８、ア
ンテナ１５とパッド１７（第１のパッド）をつなぐ配線
１９を備えている。
【００３５】次に、図４を参照してヒューズ１１を切断
するときの方法およびプラズマダメージ評価方法につい
て説明する。図４を参照すると、本実施の形態では、サ
ブコンタクト１４はパッド１３（第３のパッド）に、ゲ
ート１８はパッド１７（第１のパッド）につながってお
り、ヒューズ１１を切断する際にはパッド１２，１３
（第２のパッド、第３のパッド）に測定装置であるプロ
ーバの針（不図示）を接触させた状態でパッド１３（第
３のパッド）に接触する針から電圧を印加し、残りのパ
ッド１２（第２のパッド）にはグランドに接続された針
を接触させる。続いて、電圧を瞬時に印加してヒューズ
１１を切断する。プラズマダメージ評価は上記と同様
に、所定のプラズマ処理を行い、プラズマによるチャー
ジをアンテナ１５で受けてゲート１８に流すことで影響
を受けたゲート酸化膜の状態を電気的に測定して、プラ
ズマダメージの状態を観察することで実行される。測定
時には針をパッド１３，１７（第１のパッド、第３のパ
ッド）に接触させ、パッド１７（第１のパッド）に電圧
を徐々に印加して測定する。
するときの方法およびプラズマダメージ評価方法につい
て説明する。図４を参照すると、本実施の形態では、サ
ブコンタクト１４はパッド１３（第３のパッド）に、ゲ
ート１８はパッド１７（第１のパッド）につながってお
り、ヒューズ１１を切断する際にはパッド１２，１３
（第２のパッド、第３のパッド）に測定装置であるプロ
ーバの針（不図示）を接触させた状態でパッド１３（第
３のパッド）に接触する針から電圧を印加し、残りのパ
ッド１２（第２のパッド）にはグランドに接続された針
を接触させる。続いて、電圧を瞬時に印加してヒューズ
１１を切断する。プラズマダメージ評価は上記と同様
に、所定のプラズマ処理を行い、プラズマによるチャー
ジをアンテナ１５で受けてゲート１８に流すことで影響
を受けたゲート酸化膜の状態を電気的に測定して、プラ
ズマダメージの状態を観察することで実行される。測定
時には針をパッド１３，１７（第１のパッド、第３のパ
ッド）に接触させ、パッド１７（第１のパッド）に電圧
を徐々に印加して測定する。
【００３６】この構造の場合、ヒューズ１１を切断する
時にゲート１８が接続されたパッド１７（第１のパッ
ド）には電圧が印加されにくいので、ゲート１８にはほ
とんど影響をおよぼすことがない。また、図４に示すよ
うに、パッド１２（第２のパッド）とアンテナ１５をつ
なぐ配線１６をパッド１７（第１のパッド）とアンテナ
１５をつなぐ配線１９よりも太く、かつ短くすること
で、配線抵抗を下げ、ゲート１８へのチャージの影響を
小さくしている。
時にゲート１８が接続されたパッド１７（第１のパッ
ド）には電圧が印加されにくいので、ゲート１８にはほ
とんど影響をおよぼすことがない。また、図４に示すよ
うに、パッド１２（第２のパッド）とアンテナ１５をつ
なぐ配線１６をパッド１７（第１のパッド）とアンテナ
１５をつなぐ配線１９よりも太く、かつ短くすること
で、配線抵抗を下げ、ゲート１８へのチャージの影響を
小さくしている。
【００３７】図５は図４のプラズマダメージ測定用ＴＥ
Ｇパターンにおける、ヒューズ１１を切断した後の電流
−電圧の測定結果を示す曲線である。横軸は電圧値（単
位は［Ｖ］）、縦軸は電流値（単位は［Ａ］）である。
本実施の形態のプラズマダメージ評価方法は、実施の形
態１のプラズマダメージ評価方法の場合（図２参照）と
同様であるが、実施の形態１のプラズマダメージ評価方
法の図２と比較すると曲線のバラツキは小さく、電流値
も低いことが分かる。つまり、ヒューズ１１切断時の影
響が更に少なくなり、より微小な電流の評価にも応用で
きることが期待される。
Ｇパターンにおける、ヒューズ１１を切断した後の電流
−電圧の測定結果を示す曲線である。横軸は電圧値（単
位は［Ｖ］）、縦軸は電流値（単位は［Ａ］）である。
本実施の形態のプラズマダメージ評価方法は、実施の形
態１のプラズマダメージ評価方法の場合（図２参照）と
同様であるが、実施の形態１のプラズマダメージ評価方
法の図２と比較すると曲線のバラツキは小さく、電流値
も低いことが分かる。つまり、ヒューズ１１切断時の影
響が更に少なくなり、より微小な電流の評価にも応用で
きることが期待される。
【００３８】以上説明したように実施の形態２によれ
ば、ヒューズ１１を切断するときに使用するパッド１
２，１３（第２のパッド、第３のパッド）と、ゲート１
８の耐圧を測定するときに使用するパッド１７とを並列
に設け、ヒューズ１１を切断するときにゲート１８とつ
ながるパッド１７（第１のパッド）に電圧が印加されな
いような構造を実現することにより、ヒューズ１１の切
断不備を解消するとともに、測定前のゲート１８にはほ
とんどダメージを与えることをなくし、その結果、すべ
て同一の条件下で測定ができるようになるといった効果
を奏する。すなわち、ヒューズ１１の切断時の切断不備
やゲート１８へのダメージを回避できるようになり、ゲ
ート１８でのプラズマダメージを安定して数値化できる
ようになる結果、より微小な電流の評価にも対応できる
ようになるとともに、装置もしくはプロセスの対策、ま
たは改善などの有力なツールとなりうる。
ば、ヒューズ１１を切断するときに使用するパッド１
２，１３（第２のパッド、第３のパッド）と、ゲート１
８の耐圧を測定するときに使用するパッド１７とを並列
に設け、ヒューズ１１を切断するときにゲート１８とつ
ながるパッド１７（第１のパッド）に電圧が印加されな
いような構造を実現することにより、ヒューズ１１の切
断不備を解消するとともに、測定前のゲート１８にはほ
とんどダメージを与えることをなくし、その結果、すべ
て同一の条件下で測定ができるようになるといった効果
を奏する。すなわち、ヒューズ１１の切断時の切断不備
やゲート１８へのダメージを回避できるようになり、ゲ
ート１８でのプラズマダメージを安定して数値化できる
ようになる結果、より微小な電流の評価にも対応できる
ようになるとともに、装置もしくはプロセスの対策、ま
たは改善などの有力なツールとなりうる。
【００３９】なお、本発明が上記各実施の形態に限定さ
れず、本発明の技術思想の範囲内において、上記各実施
の形態は適宜変更され得ることは明らかである。また上
記構成部材の数、位置、形状等は上記実施の形態に限定
されず、本発明を実施する上で好適な数、位置、形状等
にすることができる。また、各図において、同一構成要
素には同一符号を付している。
れず、本発明の技術思想の範囲内において、上記各実施
の形態は適宜変更され得ることは明らかである。また上
記構成部材の数、位置、形状等は上記実施の形態に限定
されず、本発明を実施する上で好適な数、位置、形状等
にすることができる。また、各図において、同一構成要
素には同一符号を付している。
【００４０】
【発明の効果】この発明は、ヒューズを均等な構造とす
るとともに、ヒューズを切断するときに使用するパッド
とゲートの耐圧を測定するときに使用するパッドを個別
に設け、ヒューズを切断するときにゲートとつながるパ
ッドに電圧が印加されないような構造を実現することに
より、すべてのヒューズの切断不備を解消するととも
に、測定前のゲートにはほとんどダメージを与えること
をなくし、その結果、すべて同一の条件下で測定を実現
できるという効果がある。すなわち、ヒューズの切断時
の切断不備やゲートへのダメージを回避できるようにな
り、ゲートでのプラズマダメージを安定して数値化でき
るようになる結果、より微小な電流の評価にも対応でき
るようになるとともに、装置もしくはプロセスの対策、
または改善などの有力なツールとなりうるといった効果
を奏する。
るとともに、ヒューズを切断するときに使用するパッド
とゲートの耐圧を測定するときに使用するパッドを個別
に設け、ヒューズを切断するときにゲートとつながるパ
ッドに電圧が印加されないような構造を実現することに
より、すべてのヒューズの切断不備を解消するととも
に、測定前のゲートにはほとんどダメージを与えること
をなくし、その結果、すべて同一の条件下で測定を実現
できるという効果がある。すなわち、ヒューズの切断時
の切断不備やゲートへのダメージを回避できるようにな
り、ゲートでのプラズマダメージを安定して数値化でき
るようになる結果、より微小な電流の評価にも対応でき
るようになるとともに、装置もしくはプロセスの対策、
または改善などの有力なツールとなりうるといった効果
を奏する。
【図１】 本発明の実施の形態１に係るプラズマダメー
ジ測定用のＴＥＧパターンの要部を示す概略図である。
ジ測定用のＴＥＧパターンの要部を示す概略図である。
【図２】 図１のプラズマダメージ測定用ＴＥＧパター
ンにおける、すべて同じ構造のヒューズを切断した後の
電流−電圧の測定結果を示す曲線である。
ンにおける、すべて同じ構造のヒューズを切断した後の
電流−電圧の測定結果を示す曲線である。
【図３】 ヒューズの形状が異なる場合の電流−電圧曲
線である。
線である。
【図４】 本発明の実施の形態２に係るプラズマダメー
ジ測定用のＴＥＧパターンの要部を示す概略図である。
ジ測定用のＴＥＧパターンの要部を示す概略図である。
【図５】 図４のプラズマダメージ測定用ＴＥＧパター
ンにおける、ヒューズを切断した後の電流−電圧の測定
結果を示す曲線である。
ンにおける、ヒューズを切断した後の電流−電圧の測定
結果を示す曲線である。
【図６】 従来のＴＥＧパターンの一部である。
１，２ ヒューズ、 ３，４，５ 針を接触させるため
のパッド、 ６ アンテナ、 ７ ゲート、 ８ サブ
コンタクト、 １１ ヒューズ、 １２，１３ヒューズ
を切断する時に針を接触させるためのパッド、 １４
サブコンタクト、 １５ アンテナ、 １６ アンテナ
とパッド１２をつなぐ配線、 １７測定時に針を接触さ
せるためのパッド、 １８ ゲート、 １９ アンテナ
とパッド１７をつなぐ配線。
のパッド、 ６ アンテナ、 ７ ゲート、 ８ サブ
コンタクト、 １１ ヒューズ、 １２，１３ヒューズ
を切断する時に針を接触させるためのパッド、 １４
サブコンタクト、 １５ アンテナ、 １６ アンテナ
とパッド１２をつなぐ配線、 １７測定時に針を接触さ
せるためのパッド、 １８ ゲート、 １９ アンテナ
とパッド１７をつなぐ配線。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/66 H01L 21/822 H01L 27/04
Claims (11)
- 【請求項１】 半導体装置を製造する工程においてプラ
ズマを利用する加工装置が製造対象の半導体装置に与え
るプラズマダメージの影響を測定するプラズマダメージ
評価用ＴＥＧパターンであって、 プラズマにより発生するチャージを溜めるためのアンテ
ナと、実際にプラズマダメージの状態を電気的に測定するため
の針を接触させるパッドと、 前記パッド のうち第１のパッドを介して前記アンテナに
電気的に接続されるとともに、前記アンテナに溜まった
チャージを流し込んでプラズマダメージの影響を測定す
るためのゲートと、前記パッド のうち少なくとも２つのパッドを介して前記
アンテナに電気的に接続されるとともに、前記プラズマ
パターン評価用ＴＥＧパターンをＴＥＧウェハー基板上
に作製するときに利用するプラズマにより前記アンテナ
に溜まったチャージを前記ＴＥＧウェハー基板に逃がす
ためのサブコンタクトと、 前記プラズマパターン評価用ＴＥＧパターンを作製する
ときには前記サブコンタクトと前記アンテナとの電気的
な接続を維持し、前記ゲートにおいてプラズマダメージ
の影響を測定するときには前記サブコンタクトと前記ア
ンテナとの電気的な接続を切断するためのヒューズとを
備えたことを特徴とするプラズマダメージ評価用ＴＥＧ
パターン。 - 【請求項２】 前記第１のパッドは、配線を介して前記
アンテナに接続され、 前記ヒューズは、第１のヒューズと第２のヒューズとか
らなり、 前記少なくとも２つのパッドは、前記第１のヒューズ
と、前記第１のヒューズを介して前記第１のパッドに接
続される第２のパッドと、前記第２のヒューズを介して
該第２のパッドに接続されるとともに前記サブコンタク
トに接続される第３のパッドとからなることを特徴とす
る請求項１に記載のプラズマダメージ評価用ＴＥＧパタ
ーン。 - 【請求項３】 前記第１のヒューズと前記第２のヒュー
ズとは、同一の導電膜パターンからなる同一構造体であ
ることを特徴とする請求項２に記載のプラズマダメージ
評価用ＴＥＧパターン。 - 【請求項４】 前記第１のパッドは、第１の配線を介し
て前記アンテナに接続され、 前記少なくとも２つのパッドは、第２の配線を介して前
記アンテナに接続される第２のパッドと、前記ヒューズ
を介して前記第２のパッドに接続されるとともに前記サ
ブコンタクトに接続される第３のパッドとからなること
を特徴とする請求項１に記載のプラズマダメージ評価用
ＴＥＧパターン。 - 【請求項５】 前記第１の配線の配線抵抗は、前記第２
の配線の配線抵抗よりも、小さいことを特徴とする請求
項４に記載のプラズマダメージ評価用ＴＥＧパターン。 - 【請求項６】 前記第１の配線は、前記第２の配線より
も、配線が太く、かつ、配線が短いことを特徴とする請
求項４に記載のプラズマダメージ評価用ＴＥＧパター
ン。 - 【請求項７】 前記サブコンタクトは、前記ＴＥＧウェ
ハー基板に電気的に接続されたことを特徴とする請求項
１〜請求項６のいずれかに記載のプラズマダメージ評価
用ＴＥＧパターン。 - 【請求項８】 請求項１〜請求項７のいずれかに記載の
プラズマダメージ評価用ＴＥＧパターンを、前記ＴＥＧ
ウェハー基板上に複数備えたことを特徴とするプラズマ
ダメージ評価用ＴＥＧパターン。 - 【請求項９】 半導体装置を製造する工程においてプラ
ズマを利用する加工装置が製造対象の半導体装置に与え
るプラズマダメージの影響を測定するプラズマダメージ
評価用ＴＥＧパターンを用いた評価方法であって、 前記プラズマダメージ評価用ＴＥＧパターンは、プラズ
マにより発生するチャージを溜めるためのアンテナと、
プラズマダメージの影響を測定するためのゲートと、前
記ゲートが接続されるとともに配線を介して前記アンテ
ナに電気的に接続された第１のパッドと、第１のヒュー
ズを介して該第１のパッドに接続される第２のパッド
と、前記プラズマパターン評価用ＴＥＧパターンをＴＥ
Ｇウェハー基板上に作製するときに利用するプラズマに
より前記アンテナに溜まるチャージを前記ＴＥＧウェハ
ー基板に逃がすためのサブコンタクトと、第２のヒュー
ズを介して前記第２のパッドに接続されるとともに前記
サブコンタクトに接続される第３のパッドとを有し、 前記第１のパッドおよび前記第３のパッドにグランドに
接続された針を接触させるとともに、前記第２のパッド
に接触する針から電圧を印加することで、前記第１のヒ
ューズおよび前記第２のヒューズを切断するヒューズ切
断工程と、 前記ヒューズ切断工程の後に、前記ＴＥＧウェハー基板
をプラズマ処理する処理工程と、 前記処理工程により前記アンテナからチャージが流れ込
んだ前記ゲートの耐圧を測定する測定工程とを備えたこ
とを特徴とするプラズマダメージ評価用ＴＥＧパターン
を用いた評価方法。 - 【請求項１０】 半導体装置を製造する工程においてプ
ラズマを利用する加工装置が製造対象の半導体装置に与
えるプラズマダメージの影響を測定するプラズマダメー
ジ評価用ＴＥＧパターンを用いた評価方法であって、 前記プラズマダメージ評価用ＴＥＧパターンは、プラズ
マにより発生するチャージを溜めるためのアンテナと、
プラズマダメージの影響を測定するためのゲートと、前
記ゲートが接続されるとともに第１の配線を介して前記
アンテナに電気的に接続された第１のパッドと、第２の
配線を介して前記アンテナに接続される第２のパッド
と、前記プラズマパターン評価用ＴＥＧパターンをＴＥ
Ｇウェハー基板上に作製するときに利用するプラズマに
より前記アンテナに溜まるチャージを前記ＴＥＧウェハ
ー基板に逃がすためのサブコンタクトと、ヒューズを介
して前記第２のパッドに接続されるとともに前記サブコ
ンタクトに接続される第３のパッドとを有し、 前記第２のパッドにグランドに接続された針を接触させ
るとともに、前記第３のパッドに接触する針から電圧を
印加することで、前記ヒューズを切断するヒューズ切断
工程と、 前記ヒューズ切断工程の後に、前記ＴＥＧウェハー基板
をプラズマ処理する処理工程と、 前記処理工程により前記アンテナからチャージが流れ込
んだ前記ゲートの耐圧を測定する測定工程とを備えたこ
とを特徴とするプラズマダメージ評価用ＴＥＧパターン
を用いた評価方法。 - 【請求項１１】 前記測定工程は、前記第１のパッドお
よび前記第３のパッドと前記プラズマダメージ評価用Ｔ
ＥＧパターンの外部とを電気的に接続し、前記第１のパ
ッドに電圧を徐々に印加しながら前記ゲートに形成され
たゲート酸化膜の状態を電気的に測定する工程であるこ
とを特徴とする請求項１０に記載のプラズマダメージ評
価用ＴＥＧパターンを用いた評価方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29173299A JP3333155B2 (ja) | 1999-10-14 | 1999-10-14 | プラズマダメージ評価用ｔｅｇパターンおよびそれを用いた評価方法 |
| KR1020000054767A KR20010039899A (ko) | 1999-10-14 | 2000-09-19 | 플라즈마 손상 평가용 ｔｅｇ 패턴 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29173299A JP3333155B2 (ja) | 1999-10-14 | 1999-10-14 | プラズマダメージ評価用ｔｅｇパターンおよびそれを用いた評価方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001110866A JP2001110866A (ja) | 2001-04-20 |
| JP3333155B2 true JP3333155B2 (ja) | 2002-10-07 |
Family
ID=17772692
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29173299A Expired - Fee Related JP3333155B2 (ja) | 1999-10-14 | 1999-10-14 | プラズマダメージ評価用ｔｅｇパターンおよびそれを用いた評価方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3333155B2 (ja) |
| KR (1) | KR20010039899A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100450979B1 (ko) * | 2002-05-02 | 2004-10-02 | 강대환 | 플라즈마 진단용 웨이퍼 제조 방법 |
| KR100664786B1 (ko) * | 2004-12-29 | 2007-01-04 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 플라즈마 유도전하에 의한 게이트 옥사이드의 손상을평가하기 위한 테스트 패턴의 제조방법 |
| KR101330084B1 (ko) | 2007-07-18 | 2013-11-18 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치의 테스트 구조물, 그 형성 방법, 반도체 장치및 이의 제조 방법 |
| CN103779331B (zh) * | 2012-10-25 | 2016-09-07 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 等离子体引入损伤检测结构及制作方法 |
| CN111370343B (zh) * | 2020-02-17 | 2021-11-02 | 长江存储科技有限责任公司 | 失效分析方法及结构 |
-
1999
- 1999-10-14 JP JP29173299A patent/JP3333155B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-09-19 KR KR1020000054767A patent/KR20010039899A/ko not_active Application Discontinuation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20010039899A (ko) | 2001-05-15 |
| JP2001110866A (ja) | 2001-04-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0678909B1 (en) | Monitoring of rf-plasma induced potential on a gate dielectric inside a plasma etcher | |
| US6673636B2 (en) | Method of real-time plasma charging voltage measurement on powered electrode with electrostatic chuck in plasma process chambers | |
| WO2006123281A1 (en) | Test structure for combined electrical testing and voltage-contrast inspection | |
| CN110783214B (zh) | 晶片级测试方法及其测试结构 | |
| US5739052A (en) | Apparatus and method for detecting defects in insulative layers of MOS active devices | |
| TWI323922B (en) | A test structure and method for detecting charge effects during semiconductor processing using a delayed inversion point technique | |
| JP3333155B2 (ja) | プラズマダメージ評価用ｔｅｇパターンおよびそれを用いた評価方法 | |
| JP2007027685A (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
| US7804317B1 (en) | Test device for determining charge damage to a transistor | |
| US20070111340A1 (en) | Method for in-line testing of semiconductor wafers | |
| US5448179A (en) | Screening of conductors and contacts on microelectronic devices | |
| US7344899B2 (en) | Die assembly and method for forming a die on a wafer | |
| US8179153B2 (en) | Probe apparatus, a process of forming a probe head, and a process of forming an electronic device | |
| JP2007150007A (ja) | 半導体装置の評価方法および半導体装置の製造方法 | |
| JPH0974121A (ja) | 半導体装置 | |
| KR100607766B1 (ko) | 반도체 검사용 프로브 카드의 프로브 니들 구조 및 제조방법 | |
| TWI817572B (zh) | 半導體元件的監測方法 | |
| JPH036661B2 (ja) | ||
| JPS62271444A (ja) | 半導体ウエハの電子ビ−ムテスト | |
| US6677608B2 (en) | Semiconductor device for detecting gate defects | |
| JPH09252038A (ja) | プラズマ損傷評価装置及びプラズマ損傷評価方法 | |
| US7646104B2 (en) | Structured semiconductor element for reducing charging effects | |
| US10784172B2 (en) | Testing solid state devices before completing manufacture | |
| US20210109051A1 (en) | Inspection Structure and Inspection Method | |
| JP2000012776A (ja) | 半導体装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070726 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080726 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090726 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090726 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100726 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110726 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |