JPH113849A - 可変変形照明フィルタ及び半導体露光装置 - Google Patents
可変変形照明フィルタ及び半導体露光装置Info
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- JPH113849A JPH113849A JP9155544A JP15554497A JPH113849A JP H113849 A JPH113849 A JP H113849A JP 9155544 A JP9155544 A JP 9155544A JP 15554497 A JP15554497 A JP 15554497A JP H113849 A JPH113849 A JP H113849A
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70091—Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane or angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole or quadrupole settings; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]
- G03F7/70116—Off-axis setting using a programmable means, e.g. liquid crystal display [LCD], digital micromirror device [DMD] or pupil facets
Abstract
(57)【要約】
【課題】 任意の区域で、任意の光強度分布からなる光
源分布を形成できる可変変形照明フィルタならびに、こ
の可変変形照明フィルタを用いた半導体露光装置を提供
する。 【解決手段】 可変変形照明フィルタ2は、基板2B上
に二次元方向に配列された複数枚の鏡面2aから成り、
各鏡面2aは夫々独立しており、その傾斜角度は外部か
ら与えられる駆動信号11aにより可変に構成され、各
鏡面2aの傾斜角度により光強度分布を可変とする。
源分布を形成できる可変変形照明フィルタならびに、こ
の可変変形照明フィルタを用いた半導体露光装置を提供
する。 【解決手段】 可変変形照明フィルタ2は、基板2B上
に二次元方向に配列された複数枚の鏡面2aから成り、
各鏡面2aは夫々独立しており、その傾斜角度は外部か
ら与えられる駆動信号11aにより可変に構成され、各
鏡面2aの傾斜角度により光強度分布を可変とする。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造のフォ
トリソグラフィ工程における変形照明法に適用される反
射型の変形照明フィルタ及び半導体露光装置に関し、と
りわけ光強度分布を可変とする反射型の可変変形照明フ
ィルタ及び半導体露光装置に関するものである。
トリソグラフィ工程における変形照明法に適用される反
射型の変形照明フィルタ及び半導体露光装置に関し、と
りわけ光強度分布を可変とする反射型の可変変形照明フ
ィルタ及び半導体露光装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】現在、半導体の微細化に伴い、フォトリ
ソグラフィ工程において、焦点深度の確保が重要な課題
となっている。すなわち、ルールの微細化にともない解
像度を向上させるべく、レンズの高NA化や露光光の短
波長化が進行するものの、レンズ光学系の特性としてN
Aと焦点深度とはトレードオフの関係にあり、よって高
NA化することで焦点深度が浅くなる傾向にある。
ソグラフィ工程において、焦点深度の確保が重要な課題
となっている。すなわち、ルールの微細化にともない解
像度を向上させるべく、レンズの高NA化や露光光の短
波長化が進行するものの、レンズ光学系の特性としてN
Aと焦点深度とはトレードオフの関係にあり、よって高
NA化することで焦点深度が浅くなる傾向にある。
【0003】一方、被露光対象であるウエハーの部分的
な凹凸や、回路形成過程での積層に起因する凹凸の存在
が、ある程度の焦点深度を必要としている。近年、CM
P(化学的機械研磨)等の加工により平坦度に向上がみ
られるものの、コスト上および安定品質維持の上から依
然として焦点深度の確保が不可欠となっている。そして
前記のような焦点深度を確保する超解像技術の一つとし
て、変形照明法が提案されている。
な凹凸や、回路形成過程での積層に起因する凹凸の存在
が、ある程度の焦点深度を必要としている。近年、CM
P(化学的機械研磨)等の加工により平坦度に向上がみ
られるものの、コスト上および安定品質維持の上から依
然として焦点深度の確保が不可欠となっている。そして
前記のような焦点深度を確保する超解像技術の一つとし
て、変形照明法が提案されている。
【0004】変形照明法とは、露光装置の二次光源面に
おける光強度分布(以下、光源分布)を調整することに
より、焦点深度を拡大させる技術である。光源分布を調
整する方法としては、所望の光源分布を得ることができ
る透過型フィルタを二次光源面に挿入する方法や、露光
装置の照明光学系内に光源分布調整光学系を挿入する方
法などがある。
おける光強度分布(以下、光源分布)を調整することに
より、焦点深度を拡大させる技術である。光源分布を調
整する方法としては、所望の光源分布を得ることができ
る透過型フィルタを二次光源面に挿入する方法や、露光
装置の照明光学系内に光源分布調整光学系を挿入する方
法などがある。
【0005】図10は、このような変形照明法による従
来の露光装置の構成を説明する例図である。同図に示さ
れるように、従来の露光装置100は、光源3と、オプ
ティカルインテグレータであるフライアイレンズ8と、
透過フィルタ9と、縮小投影レンズ5と、縮小投影され
た露光パターン光束の焦点上に配置された被露光体6で
あるフォトレジスト6a塗布済みの基板6を保持すると
ともに移動させるXYθステージ7を備えている。
来の露光装置の構成を説明する例図である。同図に示さ
れるように、従来の露光装置100は、光源3と、オプ
ティカルインテグレータであるフライアイレンズ8と、
透過フィルタ9と、縮小投影レンズ5と、縮小投影され
た露光パターン光束の焦点上に配置された被露光体6で
あるフォトレジスト6a塗布済みの基板6を保持すると
ともに移動させるXYθステージ7を備えている。
【0006】さらに透過フィルタ9と縮小投影レンズ5
間に、露光パターンが形成されたレチクル(マスク)4
が挿入される。光源3から発して、フライアイレンズ8
を介して均一化された光束は透過フィルタ9の透過時に
光源分布調整され、ついでレチクル4を透過時に露光パ
ターン変調を受け、このようにして形成された露光光は
縮小投影レンズ5で収束されて、フォトレジスト6a上
に焦点を結び、フォトレジスト6aを露光パターン照射
する構成となっている。
間に、露光パターンが形成されたレチクル(マスク)4
が挿入される。光源3から発して、フライアイレンズ8
を介して均一化された光束は透過フィルタ9の透過時に
光源分布調整され、ついでレチクル4を透過時に露光パ
ターン変調を受け、このようにして形成された露光光は
縮小投影レンズ5で収束されて、フォトレジスト6a上
に焦点を結び、フォトレジスト6aを露光パターン照射
する構成となっている。
【0007】ところで、前記のように光源分布の調整に
透過型フィルタを用いる場合には、あらかじめ所望の光
源分布に対応させた透過型フィルタ9を作成しておく必
要がある。このような透過型フィルタの作成法として
は、二値のフィルタの場合には所望の形に切り抜いた絞
り板を用いる方法や、また複数の光強度が必要とされる
透過型フィルタの場合には、光を透過させる基材に光が
不透過の材料を張付する方法などが知られている。
透過型フィルタを用いる場合には、あらかじめ所望の光
源分布に対応させた透過型フィルタ9を作成しておく必
要がある。このような透過型フィルタの作成法として
は、二値のフィルタの場合には所望の形に切り抜いた絞
り板を用いる方法や、また複数の光強度が必要とされる
透過型フィルタの場合には、光を透過させる基材に光が
不透過の材料を張付する方法などが知られている。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、実際の
製造工程では各露光機ごとに光学特性が微妙に異なって
おり、さらにレチクルの品質やパターンもロットごとに
変動するのが一般的であり、前記のような従来の構成で
は、標準品として用意されている透過型フィルタが適用
できない場合が多い。したがって適合するフィルタをそ
の都度作成、あるいは調整する必要があるが、とりわけ
多階調の光強度が要求されるフィルタの作成には時間・
費用ともに多くかかるという問題があった。
製造工程では各露光機ごとに光学特性が微妙に異なって
おり、さらにレチクルの品質やパターンもロットごとに
変動するのが一般的であり、前記のような従来の構成で
は、標準品として用意されている透過型フィルタが適用
できない場合が多い。したがって適合するフィルタをそ
の都度作成、あるいは調整する必要があるが、とりわけ
多階調の光強度が要求されるフィルタの作成には時間・
費用ともに多くかかるという問題があった。
【0009】また、上記のように最適な光源分布は、下
地基板や、回路パターンの設計寸法、疎密性などに依存
するため各工程で異なるから、それぞれに応じてフィル
タを製作し、露光時に交換する必要があるが、これによ
り実用上、非常に効率が低下するという問題がある。さ
らに、下地基板や回路パターンに修正・変更を加えた場
合、新たに最適なフィルタを作成して露光をする必要が
あるため、時間・費用ともに増大するという不具合があ
った。
地基板や、回路パターンの設計寸法、疎密性などに依存
するため各工程で異なるから、それぞれに応じてフィル
タを製作し、露光時に交換する必要があるが、これによ
り実用上、非常に効率が低下するという問題がある。さ
らに、下地基板や回路パターンに修正・変更を加えた場
合、新たに最適なフィルタを作成して露光をする必要が
あるため、時間・費用ともに増大するという不具合があ
った。
【0010】さらにまた、従来の変形照明フィルタは透
過型のフィルタとして構成されるが、露光光束が透過可
能な光路途中の位置に挿入されるため、フィルタサイズ
が透過光束の径による制約を受け、また設置位置が制約
されて設計の自由度が低い上、光軸が直線形成されるた
めに、装置の光学系が長寸法になるという問題があっ
た。
過型のフィルタとして構成されるが、露光光束が透過可
能な光路途中の位置に挿入されるため、フィルタサイズ
が透過光束の径による制約を受け、また設置位置が制約
されて設計の自由度が低い上、光軸が直線形成されるた
めに、装置の光学系が長寸法になるという問題があっ
た。
【0011】本発明はこのような、あらかじめ作成した
変形照明フィルタを用いる従来の露光転写技術に係る前
記問題点を解決するため為されたものであり、半導体製
造技術等に基づき二次元配列作成された複数個の微小鏡
面の、個々の反射角度を外部からの駆動信号に応じて調
節することで、任意の区域で、任意の光強度分布からな
る光源分布を形成できる可変変形照明フィルタを提供
し、ならびに該可変変形照明フィルタを用いた半導体露
光装置を提供することを目的とする。
変形照明フィルタを用いる従来の露光転写技術に係る前
記問題点を解決するため為されたものであり、半導体製
造技術等に基づき二次元配列作成された複数個の微小鏡
面の、個々の反射角度を外部からの駆動信号に応じて調
節することで、任意の区域で、任意の光強度分布からな
る光源分布を形成できる可変変形照明フィルタを提供
し、ならびに該可変変形照明フィルタを用いた半導体露
光装置を提供することを目的とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】前記従来技術の課題を解
決するため、本発明の請求項1に係る変形照明フィルタ
は、半導体製造の露光工程で適用される変形照明法に用
いられる変形照明フィルタであって、光反射面を備え、
かつ該光反射面の任意の位置を、ある特定方向に対して
任意の反射強度とする構成としたことを特徴とする。
決するため、本発明の請求項1に係る変形照明フィルタ
は、半導体製造の露光工程で適用される変形照明法に用
いられる変形照明フィルタであって、光反射面を備え、
かつ該光反射面の任意の位置を、ある特定方向に対して
任意の反射強度とする構成としたことを特徴とする。
【0013】前記の構成を有する本発明にかかる変形照
明フィルタによれば、面上の反射強度が分布特性を有す
るゆえに、この光反射面によって光濾波がなされ、よっ
て所望の光強度分布が反射面からの反射光束に実現され
る。
明フィルタによれば、面上の反射強度が分布特性を有す
るゆえに、この光反射面によって光濾波がなされ、よっ
て所望の光強度分布が反射面からの反射光束に実現され
る。
【0014】あるいは、本発明の請求項2に係る変形照
明フィルタは、基板上に二次元方向に配列された複数枚
の鏡面から成り、前記各鏡面は夫々独立してその傾斜角
度が外部から与えられる駆動信号により可変に構成さ
れ、前記各鏡面の傾斜角度により光強度分布を可変とす
ることを特徴とする。
明フィルタは、基板上に二次元方向に配列された複数枚
の鏡面から成り、前記各鏡面は夫々独立してその傾斜角
度が外部から与えられる駆動信号により可変に構成さ
れ、前記各鏡面の傾斜角度により光強度分布を可変とす
ることを特徴とする。
【0015】前記の構成によれば、外部から与える信号
により変形照明フィルタの反射光に任意の光強度分布が
形成される。しかもこの光強度分布特性は、外部から与
える信号の変更のみで、容易かつ即時に変更される。こ
れにより、パターンやプロセスの変更に即時に対応可能
な変形照明フィルタが実現される。
により変形照明フィルタの反射光に任意の光強度分布が
形成される。しかもこの光強度分布特性は、外部から与
える信号の変更のみで、容易かつ即時に変更される。こ
れにより、パターンやプロセスの変更に即時に対応可能
な変形照明フィルタが実現される。
【0016】あるいは、本発明の請求項3に係る変形照
明フィルタは、請求項2記載の構成において、前記各鏡
面の前記傾斜角度の保持時間が外部から与えられる駆動
信号により可変に構成されたことを特徴とする。
明フィルタは、請求項2記載の構成において、前記各鏡
面の前記傾斜角度の保持時間が外部から与えられる駆動
信号により可変に構成されたことを特徴とする。
【0017】前記の構成によれば、外部から与える信号
により変形照明フィルタの反射光に任意の、しかも多階
調基準の光強度分布が形成される。しかもこの光強度分
布特性は、外部から与える信号の変更のみで、容易かつ
即時に変更される。これにより、パターンやプロセスの
変更に即時に対応可能な変形照明フィルタが実現され
る。
により変形照明フィルタの反射光に任意の、しかも多階
調基準の光強度分布が形成される。しかもこの光強度分
布特性は、外部から与える信号の変更のみで、容易かつ
即時に変更される。これにより、パターンやプロセスの
変更に即時に対応可能な変形照明フィルタが実現され
る。
【0018】あるいは、本発明の請求項4に係る変形照
明フィルタは、請求項2または3記載の構成において、
基板上に二次元方向に配列された前記各鏡面の最大寸法
が500μm以下であることを特徴とする。
明フィルタは、請求項2または3記載の構成において、
基板上に二次元方向に配列された前記各鏡面の最大寸法
が500μm以下であることを特徴とする。
【0019】前記の構成によれば、マイクロマシン製造
技術の応用が可能とされ、製造コスト的な有利さが実現
される。とりわけ数ミクロン以下の寸法で構成される場
合は、半導体製造技術による製造が可能になる。
技術の応用が可能とされ、製造コスト的な有利さが実現
される。とりわけ数ミクロン以下の寸法で構成される場
合は、半導体製造技術による製造が可能になる。
【0020】本発明の請求項5に係る変形照明フィルタ
は、請求項2乃至4記載の構成において、前記各鏡面が
配列される前記基板は平坦面を形成していることを特徴
とする。
は、請求項2乃至4記載の構成において、前記各鏡面が
配列される前記基板は平坦面を形成していることを特徴
とする。
【0021】前記の構成によれば、半導体製造技術を利
用して製造する際の、基板前加工工程が簡素化されるこ
とで、低コスト製造が可能になる。
用して製造する際の、基板前加工工程が簡素化されるこ
とで、低コスト製造が可能になる。
【0022】本発明の請求項6に係る変形照明フィルタ
は、請求項2乃至4記載の構成において、前記各鏡面が
配列される前記基板は全体が一面の凹面を形成している
ことを特徴とする。
は、請求項2乃至4記載の構成において、前記各鏡面が
配列される前記基板は全体が一面の凹面を形成している
ことを特徴とする。
【0023】前記の構成によれば、凹面によって反射光
が収束方向を向くので、とりわけ縮小投影系に組み込ま
れる際に収束性が改善され、また装置構成が簡素化され
る。
が収束方向を向くので、とりわけ縮小投影系に組み込ま
れる際に収束性が改善され、また装置構成が簡素化され
る。
【0024】本発明の請求項7に係る半導体露光装置
は、請求項1乃至6記載の変形照明フィルタを備えるこ
とを特徴とする。
は、請求項1乃至6記載の変形照明フィルタを備えるこ
とを特徴とする。
【0025】前記の構成によれば、光反射フィルタを用
いることにより、ウエハー上の感光性基剤層への光照射
において露光領域内の光強度を所望の分布にでき、焦点
深度特性およびコヒーレンシー特性が改善された露光加
工がなされる。
いることにより、ウエハー上の感光性基剤層への光照射
において露光領域内の光強度を所望の分布にでき、焦点
深度特性およびコヒーレンシー特性が改善された露光加
工がなされる。
【0026】本発明の請求項8に係る半導体露光装置
は、請求項7記載の構成において、露光光源にg線、i
線、KrF、ArFエキシマ光または前記鏡面によって
反射可能な任意の種類の光源を用いることを特徴とす
る。
は、請求項7記載の構成において、露光光源にg線、i
線、KrF、ArFエキシマ光または前記鏡面によって
反射可能な任意の種類の光源を用いることを特徴とす
る。
【0027】前記の構成によれば、高解像度が可能な所
望の波長を用いた露光がなされる。
望の波長を用いた露光がなされる。
【0028】
【発明の実施の形態】以下、この発明の好適な実施形態
を添付図を参照して詳細に説明する。なお、以下に述べ
る実施形態は、この発明の好適な具現例の一部であり、
技術構成上好ましい種々の限定が付されているが、この
発明の範囲は、以下の説明において特にこの発明を限定
する旨の記載がない限り、これらの形態に限られるもの
ではない。
を添付図を参照して詳細に説明する。なお、以下に述べ
る実施形態は、この発明の好適な具現例の一部であり、
技術構成上好ましい種々の限定が付されているが、この
発明の範囲は、以下の説明において特にこの発明を限定
する旨の記載がない限り、これらの形態に限られるもの
ではない。
【0029】本発明の可変変形照明フィルタは、半導体
製造技術等を用いて作成された微小鏡面の、個々の反射
角度を外部からの駆動信号に応じて調節することで、任
意の光源分布を形成させ、あるいは個々の微小鏡面の反
射角度の維持時間を調節することで、任意の区域に対し
て任意の多階調基準の光強度分布を設定可能にし、かつ
光強度分布を可変とする光反射フィルタである。
製造技術等を用いて作成された微小鏡面の、個々の反射
角度を外部からの駆動信号に応じて調節することで、任
意の光源分布を形成させ、あるいは個々の微小鏡面の反
射角度の維持時間を調節することで、任意の区域に対し
て任意の多階調基準の光強度分布を設定可能にし、かつ
光強度分布を可変とする光反射フィルタである。
【0030】図1は、本発明に係る可変変形照明フィル
タの一実施形態の斜視図である。同図に示されるよう
に、可変変形照明フィルタ2は、矩形チップ形状の光反
射型デバイスであり、基板2B上の平坦面に半導体製造
技術を用いて作成された微小ミラー2aを多数有して、
各微小ミラー2aの張る個々の反射角度を、外部からの
駆動信号に応じて調節することで、反射光が光濾波され
た光束を形成する。
タの一実施形態の斜視図である。同図に示されるよう
に、可変変形照明フィルタ2は、矩形チップ形状の光反
射型デバイスであり、基板2B上の平坦面に半導体製造
技術を用いて作成された微小ミラー2aを多数有して、
各微小ミラー2aの張る個々の反射角度を、外部からの
駆動信号に応じて調節することで、反射光が光濾波され
た光束を形成する。
【0031】各微小ミラー2aは、微小鏡面がマトリク
ス状に二次元配置されたものであり、外部からの駆動信
号により、個々の鏡面の反射角が調節される。この微小
鏡面による反射光が縮小投影光学系に入射するような反
射角の場合オン、そうでない場合がオフとなる。
ス状に二次元配置されたものであり、外部からの駆動信
号により、個々の鏡面の反射角が調節される。この微小
鏡面による反射光が縮小投影光学系に入射するような反
射角の場合オン、そうでない場合がオフとなる。
【0032】各微小ミラー2aは、基板2B上に対角線
方向dgの両端が軸支されており、駆動回路11(図2
参照)から入力される駆動信号11aに応じて、個々に
反射角度を変え、これによって任意の光強度分布を有す
る反射光が出力される。各微小ミラー2aの寸法は、適
用する用途により任意であるが、例えば最大寸法である
対角線長さが500μm以下程度が実用的であり、さら
に数ミクロン以下が最も実用的である。図中、対角線方
向に点線が付された微小ミラーが軸回転して反射角度を
張っていることを示し、よって反射光は正面方向(基板
2Bに垂直方向)に向かない。この結果、この微小ミラ
ーからの正面方向(基板2Bに垂直方向)への反射光強
度は極端に弱くなる。
方向dgの両端が軸支されており、駆動回路11(図2
参照)から入力される駆動信号11aに応じて、個々に
反射角度を変え、これによって任意の光強度分布を有す
る反射光が出力される。各微小ミラー2aの寸法は、適
用する用途により任意であるが、例えば最大寸法である
対角線長さが500μm以下程度が実用的であり、さら
に数ミクロン以下が最も実用的である。図中、対角線方
向に点線が付された微小ミラーが軸回転して反射角度を
張っていることを示し、よって反射光は正面方向(基板
2Bに垂直方向)に向かない。この結果、この微小ミラ
ーからの正面方向(基板2Bに垂直方向)への反射光強
度は極端に弱くなる。
【0033】一方、図中、対角線方向に点線が付されな
い微小ミラーは軸回転しておらず、よって正面方向(基
板2Bに垂直方向)から光を入射させた場合、反射光は
正面方向に向く。この結果、この微小ミラーからの正面
方向(基板2Bに垂直方向)への反射光強度は強くな
る。
い微小ミラーは軸回転しておらず、よって正面方向(基
板2Bに垂直方向)から光を入射させた場合、反射光は
正面方向に向く。この結果、この微小ミラーからの正面
方向(基板2Bに垂直方向)への反射光強度は強くな
る。
【0034】図2は、図1に示される可変変形照明フィ
ルタ2の微小鏡面2aの傾斜による反射光強度の分布を
示す上面図である。図中、領域ArBは反射光強度が弱
い遮光部であり、領域ArWは反射光強度が強い反射部
である。このように、任意の光源分布を形成できる。
ルタ2の微小鏡面2aの傾斜による反射光強度の分布を
示す上面図である。図中、領域ArBは反射光強度が弱
い遮光部であり、領域ArWは反射光強度が強い反射部
である。このように、任意の光源分布を形成できる。
【0035】図3は、本発明に係る可変変形照明フィル
タの一実施形態の模式断面図である。また図4は、図3
に示される微小鏡面部分の拡大上面図である。両図に基
づき、変形照明フィルタの構成を説明すると、本発明に
係る変形照明フィルタ2は、基板2B上に半導体製造技
術を用いて作成された矩形状の微小鏡面2aを複数個備
え、微小鏡面2aは光源が発する光を反射可能となって
いる。個々の微小鏡面2aは、外部から印加される駆動
信号Vdにより反射角度が可変であり、駆動信号Vdは
フィルタを形成するオンオフ情報を搭載している。
タの一実施形態の模式断面図である。また図4は、図3
に示される微小鏡面部分の拡大上面図である。両図に基
づき、変形照明フィルタの構成を説明すると、本発明に
係る変形照明フィルタ2は、基板2B上に半導体製造技
術を用いて作成された矩形状の微小鏡面2aを複数個備
え、微小鏡面2aは光源が発する光を反射可能となって
いる。個々の微小鏡面2aは、外部から印加される駆動
信号Vdにより反射角度が可変であり、駆動信号Vdは
フィルタを形成するオンオフ情報を搭載している。
【0036】基板2B上の矩形状の各微小ミラー2a
は、反射によるフィルタを構成するものであり、対角線
寸法が例えば20μm前後、あるいは小型のものでは1
ミクロン程度に構成され、基板2Bから浮いた状態で対
角線両端位置に設けられたカンチレバー2rを介して2
本の支柱2pに支えられている。ミラー2aの下方には
ミラー2aを駆動させるための2個の電極2eがあり、
これら電極2eから電荷が流入蓄積されることにより生
じる静電気力で、ミラー2aが矩形対角線を軸に最大角
度20度で揺動回転する。したがって画素毎に入射光の
反射角を最大20度振らせることができる。
は、反射によるフィルタを構成するものであり、対角線
寸法が例えば20μm前後、あるいは小型のものでは1
ミクロン程度に構成され、基板2Bから浮いた状態で対
角線両端位置に設けられたカンチレバー2rを介して2
本の支柱2pに支えられている。ミラー2aの下方には
ミラー2aを駆動させるための2個の電極2eがあり、
これら電極2eから電荷が流入蓄積されることにより生
じる静電気力で、ミラー2aが矩形対角線を軸に最大角
度20度で揺動回転する。したがって画素毎に入射光の
反射角を最大20度振らせることができる。
【0037】各微小ミラー2aのオン/オフ切り替え速
度は、例えば10マイクロ秒程度にすることができる。
また、支柱2pとミラー2eを結ぶカンチレバー2r
は、ねじれ動作を反復することにより起きる金属疲労の
特性に勝れる構造および材質が適用される。
度は、例えば10マイクロ秒程度にすることができる。
また、支柱2pとミラー2eを結ぶカンチレバー2r
は、ねじれ動作を反復することにより起きる金属疲労の
特性に勝れる構造および材質が適用される。
【0038】このようにして、特定の方向に反射された
光だけを投影光学系に入射させることにより、明(オ
ン)と暗(オフ)が空間的に分布した状態を形成するこ
とによって光濾波効果を構成する。なお、前記の実施形
態の場合、微小ミラー2aが配列される基板2B上は平
坦面であるので、半導体製造技術の適用が容易となる。
光だけを投影光学系に入射させることにより、明(オ
ン)と暗(オフ)が空間的に分布した状態を形成するこ
とによって光濾波効果を構成する。なお、前記の実施形
態の場合、微小ミラー2aが配列される基板2B上は平
坦面であるので、半導体製造技術の適用が容易となる。
【0039】図5は、本発明に係る可変変形照明フィル
タの別の実施形態の模式断面図である。本発明に係る可
変変形照明フィルタ40は、凹面部40sを備える基板
40Bと、この凹面部40s上に配列された複数個の微
小ミラー40aから構成される。
タの別の実施形態の模式断面図である。本発明に係る可
変変形照明フィルタ40は、凹面部40sを備える基板
40Bと、この凹面部40s上に配列された複数個の微
小ミラー40aから構成される。
【0040】このような凹面構成により、反射光が収束
方向を向くので、とりわけ縮小投影系に組み込む際に収
束性を改善でき、また装置構成を簡素化できる。
方向を向くので、とりわけ縮小投影系に組み込む際に収
束性を改善でき、また装置構成を簡素化できる。
【0041】つぎに、本発明に係る可変変形照明フィル
タの別の実施形態を図6に基づき説明する。可変変形照
明フィルタ52は、同図に示すように、ガラス質の基板
53上に形成されたシリコン膜54のエッチングで微小
鏡面55がマトリクス状に配置されたものであり、ガラ
ス基板53側に配設された2個の電極56、57にそれ
ぞれ極性の異なる駆動信号を与えることにより、個々の
鏡面55がポイント58を軸にシーソー状に揺動し、ト
ーションバー59が捩れて、反射角が調節される。この
微小鏡面55による反射光が縮小投影光学系に入射する
ような反射角の場合がオン、そうでない場合がオフとな
る。
タの別の実施形態を図6に基づき説明する。可変変形照
明フィルタ52は、同図に示すように、ガラス質の基板
53上に形成されたシリコン膜54のエッチングで微小
鏡面55がマトリクス状に配置されたものであり、ガラ
ス基板53側に配設された2個の電極56、57にそれ
ぞれ極性の異なる駆動信号を与えることにより、個々の
鏡面55がポイント58を軸にシーソー状に揺動し、ト
ーションバー59が捩れて、反射角が調節される。この
微小鏡面55による反射光が縮小投影光学系に入射する
ような反射角の場合がオン、そうでない場合がオフとな
る。
【0042】つぎに、本発明の他の実施形態に係る変形
照明フィルタとして、個々の微小鏡面の反射角がオン状
態となっている時間、すなわちオン維持期間を、外部か
ら与える信号により調節可能な構成とすることで、個々
の微小鏡面からの反射光量を任意に設定することができ
る。 この構成によって、多階調光強度分布が可能にな
る。
照明フィルタとして、個々の微小鏡面の反射角がオン状
態となっている時間、すなわちオン維持期間を、外部か
ら与える信号により調節可能な構成とすることで、個々
の微小鏡面からの反射光量を任意に設定することができ
る。 この構成によって、多階調光強度分布が可能にな
る。
【0043】すなわち、本実施形態の変形照明フィルタ
は、各微小ミラーのオンあるいはオフの維持時間を調節
し、明(オン)と暗(オフ)が時間的に分布した状態を
形成する。この構成によって、各微小ミラー毎に反射光
量を変え、多階調反射光強度分布を実現する。このよう
に、微小ミラーの傾斜から傾斜への遷移時間が短いとい
う高速応答性を利用して、各微小ミラーのオンオフ時間
のパルス幅変調により、多階調モードによる反射光強度
分布を実現するものである。
は、各微小ミラーのオンあるいはオフの維持時間を調節
し、明(オン)と暗(オフ)が時間的に分布した状態を
形成する。この構成によって、各微小ミラー毎に反射光
量を変え、多階調反射光強度分布を実現する。このよう
に、微小ミラーの傾斜から傾斜への遷移時間が短いとい
う高速応答性を利用して、各微小ミラーのオンオフ時間
のパルス幅変調により、多階調モードによる反射光強度
分布を実現するものである。
【0044】多階調反射光強度分布モードを、微小ミラ
ーの傾斜応答時間、つまりオンオフサイクルにつき説明
すると、例えば既に開示されている画像ディスプレイ装
置用の微小ミラー構成のDMDにおいては、例えば25
6階調あるいはそれ以上の階調が可能になっている。こ
れと同様に、半導体装置製造用あるいはフラットパネル
ディスプレイ装置製造用の露光装置に適用される本発明
のフィルタも、256階調あるいはそれ以上の階調が可
能である。
ーの傾斜応答時間、つまりオンオフサイクルにつき説明
すると、例えば既に開示されている画像ディスプレイ装
置用の微小ミラー構成のDMDにおいては、例えば25
6階調あるいはそれ以上の階調が可能になっている。こ
れと同様に、半導体装置製造用あるいはフラットパネル
ディスプレイ装置製造用の露光装置に適用される本発明
のフィルタも、256階調あるいはそれ以上の階調が可
能である。
【0045】図7は、本発明によって形成された多階調
反射光強度分布の例を示す上面図である。また図8は、
本発明に係る可変変形照明フィルタの駆動信号のタイミ
ングチャートである。図7に示されるように、反射光の
相対的な強度が微小ミラーの傾斜時間によって光量で1
0〜91まで多諧調で分布している。
反射光強度分布の例を示す上面図である。また図8は、
本発明に係る可変変形照明フィルタの駆動信号のタイミ
ングチャートである。図7に示されるように、反射光の
相対的な強度が微小ミラーの傾斜時間によって光量で1
0〜91まで多諧調で分布している。
【0046】この一部分を抽出したのが図8中のエレメ
ントe1〜e5に示される。ここでワンサイクルの照射
時間をT1〜T2とすると、微小ミラーの反射光が強い
(したがって微小ミラーが傾斜していない)状態を図中
のパルス立ち上がっている期間とすると、エレメントe
1ではこの照射時間T1〜T2内にパルスが10個発生
すればよい。したがって、パルス間隔it1は比較的長
いものとすればよく、具体的にはパルス立ち上がってい
る期間だけ微小ミラー(エレメントe1)の傾斜角をゼ
ロとし、それ以外の期間中は微小ミラーを所定傾斜角だ
け振らせるように外部信号を与える。
ントe1〜e5に示される。ここでワンサイクルの照射
時間をT1〜T2とすると、微小ミラーの反射光が強い
(したがって微小ミラーが傾斜していない)状態を図中
のパルス立ち上がっている期間とすると、エレメントe
1ではこの照射時間T1〜T2内にパルスが10個発生
すればよい。したがって、パルス間隔it1は比較的長
いものとすればよく、具体的にはパルス立ち上がってい
る期間だけ微小ミラー(エレメントe1)の傾斜角をゼ
ロとし、それ以外の期間中は微小ミラーを所定傾斜角だ
け振らせるように外部信号を与える。
【0047】一方エレメントe2では、照射時間T1〜
T2内にパルスが22個発生することになるから、パル
ス間隔it2は最も短いものとなる。
T2内にパルスが22個発生することになるから、パル
ス間隔it2は最も短いものとなる。
【0048】また、エレメントe3とe4では、パルス
発生がない。したがって、すべての期間中、微小ミラー
を所定傾斜角だけ振らせるように外部信号を与える。さ
らにエレメントe5では、照射時間T1〜T2内にパル
スが17個発生することになるから、パルス間隔はit
2となる。いずれも、前記パルスに対応させた外部信号
を与えればよい。
発生がない。したがって、すべての期間中、微小ミラー
を所定傾斜角だけ振らせるように外部信号を与える。さ
らにエレメントe5では、照射時間T1〜T2内にパル
スが17個発生することになるから、パルス間隔はit
2となる。いずれも、前記パルスに対応させた外部信号
を与えればよい。
【0049】前記のように、本発明にかかる変形照明フ
ィルタは、半導体製造技術等を用いて作成された微小鏡
面の、個々の反射角度を外部からの駆動信号に応じて調
節することで、任意の光強度分布の形成が可能になり、
あるいは、個々の微小鏡面の反射角度の維持時間を外部
からの駆動信号に応じて調節することで、任意の区域に
対して任意の光強度分布を設定できる。すなわち、本発
明にかかる変形照明フィルタは、出力光すなわち反射光
の光強度の空間分布あるいは時間分布の少なくともいず
れか一方を可変にすることを、反射式フィルタによって
可能にしたものである。
ィルタは、半導体製造技術等を用いて作成された微小鏡
面の、個々の反射角度を外部からの駆動信号に応じて調
節することで、任意の光強度分布の形成が可能になり、
あるいは、個々の微小鏡面の反射角度の維持時間を外部
からの駆動信号に応じて調節することで、任意の区域に
対して任意の光強度分布を設定できる。すなわち、本発
明にかかる変形照明フィルタは、出力光すなわち反射光
の光強度の空間分布あるいは時間分布の少なくともいず
れか一方を可変にすることを、反射式フィルタによって
可能にしたものである。
【0050】図9は、本発明の反射型の変形照明フィル
タを用いた半導体露光装置の模式構成図である。同図に
示されるように、本発明に係る半導体露光装置1は、光
源3と、オプティカルインテグレータであるフライアイ
レンズ8と、複数個の微小ミラー2aを備える可変変形
照明フィルタ2と、縮小投影レンズ5と、縮小投影され
た露光パターン光束の焦点上に配置された被露光体6で
あるフォトレジスト6a塗布済みの基板6を保持すると
ともに移動させるステージ7を備えている。さらに、可
変変形照明フィルタ2に制御信号11aを与える制御回
路11を備えている。
タを用いた半導体露光装置の模式構成図である。同図に
示されるように、本発明に係る半導体露光装置1は、光
源3と、オプティカルインテグレータであるフライアイ
レンズ8と、複数個の微小ミラー2aを備える可変変形
照明フィルタ2と、縮小投影レンズ5と、縮小投影され
た露光パターン光束の焦点上に配置された被露光体6で
あるフォトレジスト6a塗布済みの基板6を保持すると
ともに移動させるステージ7を備えている。さらに、可
変変形照明フィルタ2に制御信号11aを与える制御回
路11を備えている。
【0051】前記可変変形照明フィルタ2と縮小投影レ
ンズ5間に、露光パターンが形成されたレチクル(マス
ク)4が挿入される。可変変形照明フィルタ2は本発明
に係るものであり、前記実施形態のような構成と動作特
性を備えるものである。可変変形照明フィルタ2に与え
られる制御信号11aも、前記実施形態におけると同様
である。
ンズ5間に、露光パターンが形成されたレチクル(マス
ク)4が挿入される。可変変形照明フィルタ2は本発明
に係るものであり、前記実施形態のような構成と動作特
性を備えるものである。可変変形照明フィルタ2に与え
られる制御信号11aも、前記実施形態におけると同様
である。
【0052】また、光源には、g線、i線、KrF、A
rFエキシマ光などを用いることができ、半導体加工ル
ール等に基づいた最適の励起光を選択・適用することが
できる。
rFエキシマ光などを用いることができ、半導体加工ル
ール等に基づいた最適の励起光を選択・適用することが
できる。
【0053】本露光装置1の動作を説明すると、光源3
から発して、フライアイレンズ8を介して均一化され照
射均一性を高められた光束は、可変変形照明フィルタ2
に入射され、反射による光源分布調整がなされる。
から発して、フライアイレンズ8を介して均一化され照
射均一性を高められた光束は、可変変形照明フィルタ2
に入射され、反射による光源分布調整がなされる。
【0054】ここで微小ミラー2aにより反射された光
束は、光濾波によって所定の光強度分布が付与されてお
り、この光束はレチクル4を透過して、露光パターンで
変調され、このようにして形成された露光光は縮小投影
レンズ5で収束されて、フォトレジスト6a上に焦点を
結び、フォトレジスト6aを露光パターン照射する。
束は、光濾波によって所定の光強度分布が付与されてお
り、この光束はレチクル4を透過して、露光パターンで
変調され、このようにして形成された露光光は縮小投影
レンズ5で収束されて、フォトレジスト6a上に焦点を
結び、フォトレジスト6aを露光パターン照射する。
【0055】このように、微小鏡面による変形照明フィ
ルタを用いることで、任意の区域で任意の光強度の設定
が可能となるため、フライアイレンズを透過した二次光
源面での照度ムラの補正や、多階調の光強度分布が極め
て容易に、しかも瞬時に可能となり、よってウエハー上
の感光性基剤層への光照射において露光領域内の光強度
を所望の分布にでき、焦点深度特性およびコヒーレンシ
ー特性が改善された露光加工が可能になる。
ルタを用いることで、任意の区域で任意の光強度の設定
が可能となるため、フライアイレンズを透過した二次光
源面での照度ムラの補正や、多階調の光強度分布が極め
て容易に、しかも瞬時に可能となり、よってウエハー上
の感光性基剤層への光照射において露光領域内の光強度
を所望の分布にでき、焦点深度特性およびコヒーレンシ
ー特性が改善された露光加工が可能になる。
【0056】さらに、このような構成によれば、実際の
製造工程で各露光機ごとに光学特性が微妙に異なって
も、さらにレチクルの品質やパターンもロットごとに変
動することがあっても、それぞれに適合するフィルタを
直ちに、しかも低コストかつ煩雑な手間なく簡素に作成
することができ、加えてフィルタ交換作業が一切必要な
いゆえ、実用上、効率が非常に向上して、時間・費用・
手間いずれもが劇的に改善される。
製造工程で各露光機ごとに光学特性が微妙に異なって
も、さらにレチクルの品質やパターンもロットごとに変
動することがあっても、それぞれに適合するフィルタを
直ちに、しかも低コストかつ煩雑な手間なく簡素に作成
することができ、加えてフィルタ交換作業が一切必要な
いゆえ、実用上、効率が非常に向上して、時間・費用・
手間いずれもが劇的に改善される。
【0057】さらに、透過型ではなく反射型とするの
で、フィルタサイズが光束の径による制約を受けること
がなく、また設置位置の自由度が高く、光軸を直線形成
させる必要がないので、装置の光学系の占める寸法を短
くすることができる。
で、フィルタサイズが光束の径による制約を受けること
がなく、また設置位置の自由度が高く、光軸を直線形成
させる必要がないので、装置の光学系の占める寸法を短
くすることができる。
【0058】なお、本発明は上述した各実施形態に限定
されるものではない。実施形態では、半導体製造技術を
用いて作成された、微小鏡面の個々の反射角度を外部か
らの駆動信号に応じて調節する可変変形照明フィルタを
用いたが、光の反射を面内にて制御できる任意の機構の
適用が可能である。その他、本発明の要旨を逸脱しない
範囲で、種々変形して実施することができる。
されるものではない。実施形態では、半導体製造技術を
用いて作成された、微小鏡面の個々の反射角度を外部か
らの駆動信号に応じて調節する可変変形照明フィルタを
用いたが、光の反射を面内にて制御できる任意の機構の
適用が可能である。その他、本発明の要旨を逸脱しない
範囲で、種々変形して実施することができる。
【0059】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明の請求項1
に係る変形照明フィルタは、光反射面を備え、この光反
射面の任意の位置を任意の反射率とする構成とするもの
であるから、面上の反射率が分布特性を有するゆえに、
この光反射面によって光濾波がなされ、よって反射光束
に所望の光強度分布を付与することが可能となる。
に係る変形照明フィルタは、光反射面を備え、この光反
射面の任意の位置を任意の反射率とする構成とするもの
であるから、面上の反射率が分布特性を有するゆえに、
この光反射面によって光濾波がなされ、よって反射光束
に所望の光強度分布を付与することが可能となる。
【0060】本発明の請求項2に係る変形照明フィルタ
は、基板上に二次元方向に配列された複数枚の鏡面から
成り、各鏡面は夫々独立してその傾斜角度が外部から与
えられる駆動信号により可変に構成され、各鏡面の傾斜
角度により光強度分布を可変とする構成であるから、外
部から与える信号により変形照明フィルタの任意の区域
に対してその反射光に任意の光強度分布を容易に設定付
与できる。しかもこの光強度分布特性は、外部から与え
る信号の変更のみで、容易かつ即時に変更でき、これに
より、パターンやプロセスの変更に即時に対応可能な変
形照明フィルタを実現できる。
は、基板上に二次元方向に配列された複数枚の鏡面から
成り、各鏡面は夫々独立してその傾斜角度が外部から与
えられる駆動信号により可変に構成され、各鏡面の傾斜
角度により光強度分布を可変とする構成であるから、外
部から与える信号により変形照明フィルタの任意の区域
に対してその反射光に任意の光強度分布を容易に設定付
与できる。しかもこの光強度分布特性は、外部から与え
る信号の変更のみで、容易かつ即時に変更でき、これに
より、パターンやプロセスの変更に即時に対応可能な変
形照明フィルタを実現できる。
【0061】本発明の請求項3に係る変形照明フィルタ
は、請求項2記載の構成において、各鏡面の傾斜角度の
保持時間が外部から与えられる駆動信号により可変に構
成されるから、外部から与える信号により変形照明フィ
ルタの反射光に任意の、しかも多階調基準の光強度分布
を形成できる。しかもこの光強度分布特性は、外部から
与える信号の変更のみで、容易かつ即時に変更さできる
から、これにより、パターンやプロセスの変更に即時に
対応可能な変形照明フィルタを実現できる。
は、請求項2記載の構成において、各鏡面の傾斜角度の
保持時間が外部から与えられる駆動信号により可変に構
成されるから、外部から与える信号により変形照明フィ
ルタの反射光に任意の、しかも多階調基準の光強度分布
を形成できる。しかもこの光強度分布特性は、外部から
与える信号の変更のみで、容易かつ即時に変更さできる
から、これにより、パターンやプロセスの変更に即時に
対応可能な変形照明フィルタを実現できる。
【0062】本発明の請求項4に係る変形照明フィルタ
は、請求項2または3記載の構成において、基板上に二
次元方向に配列された前記各鏡面の最大寸法が500μ
m以下に構成するものであるから、マイクロマシン製造
技術の応用が可能になり、製造コスト的に有利である。
とりわけ数ミクロン以下の寸法で構成される場合は、半
導体製造技術による製造が可能になる。
は、請求項2または3記載の構成において、基板上に二
次元方向に配列された前記各鏡面の最大寸法が500μ
m以下に構成するものであるから、マイクロマシン製造
技術の応用が可能になり、製造コスト的に有利である。
とりわけ数ミクロン以下の寸法で構成される場合は、半
導体製造技術による製造が可能になる。
【0063】本発明の請求項5に係る変形照明フィルタ
は、請求項2乃至4記載の構成において、各鏡面が配列
される基板は平坦面を形成しているから、半導体製造技
術を利用して製造する際の、基板前加工工程を簡素化で
き、低コスト製造が可能になる。
は、請求項2乃至4記載の構成において、各鏡面が配列
される基板は平坦面を形成しているから、半導体製造技
術を利用して製造する際の、基板前加工工程を簡素化で
き、低コスト製造が可能になる。
【0064】本発明の請求項6に係る変形照明フィルタ
は、請求項2乃至4記載の構成において、各鏡面が配列
される基板は全体が一面の凹面を形成して成るから、凹
面によって反射光が収束方向を向くので、とりわけ縮小
投影系に組み込まれる際に収束性を改善でき、また装置
構成を簡素化できるという効果がある。
は、請求項2乃至4記載の構成において、各鏡面が配列
される基板は全体が一面の凹面を形成して成るから、凹
面によって反射光が収束方向を向くので、とりわけ縮小
投影系に組み込まれる際に収束性を改善でき、また装置
構成を簡素化できるという効果がある。
【0065】本発明の請求項7に係る半導体露光装置
は、請求項1乃至6記載の変形照明フィルタを備えて構
成するものであるから、光反射フィルタを用いることに
より、ウエハー上の感光性基剤層への光照射において露
光領域内の光強度を任意の所望の分布にでき、焦点深度
特性およびコヒーレンシー特性が改善された露光加工が
できる。しかも光源分布を容易に変更することが可能で
あり、極めて効果的である。
は、請求項1乃至6記載の変形照明フィルタを備えて構
成するものであるから、光反射フィルタを用いることに
より、ウエハー上の感光性基剤層への光照射において露
光領域内の光強度を任意の所望の分布にでき、焦点深度
特性およびコヒーレンシー特性が改善された露光加工が
できる。しかも光源分布を容易に変更することが可能で
あり、極めて効果的である。
【0066】また、挿入によって配置される透過型フィ
ルタを用いることなく、変形照明による焦点深度を増加
させうるので、フィルタ作成およびフィルタ移動・交換
にかかわる時間・費用の大幅な削減が可能になる。
ルタを用いることなく、変形照明による焦点深度を増加
させうるので、フィルタ作成およびフィルタ移動・交換
にかかわる時間・費用の大幅な削減が可能になる。
【0067】本発明の請求項8に係る半導体露光装置
は、請求項7記載の構成において、露光光源にg線、i
線、KrF、ArFエキシマ光または前記鏡面によって
反射可能な任意の種類の光源を用いるものであるから、
高解像度が可能な所望の波長を用いた露光を為すことが
できるという効果を奏する。
は、請求項7記載の構成において、露光光源にg線、i
線、KrF、ArFエキシマ光または前記鏡面によって
反射可能な任意の種類の光源を用いるものであるから、
高解像度が可能な所望の波長を用いた露光を為すことが
できるという効果を奏する。
【図1】本発明に係る可変変形照明フィルタの一実施形
態の斜視図である。
態の斜視図である。
【図2】図1に示される可変変形照明フィルタの微小鏡
面の傾斜状態を示す上面図である。
面の傾斜状態を示す上面図である。
【図3】本発明に係る可変変形照明フィルタの一実施形
態の模式断面図である。
態の模式断面図である。
【図4】図3に示される微小鏡面部分の拡大上面図であ
る。
る。
【図5】本発明に係る可変変形照明フィルタの別の実施
形態の模式断面図である。
形態の模式断面図である。
【図6】本発明に係る可変変形照明フィルタの別の実施
形態の斜視図である。
形態の斜視図である。
【図7】本発明によって形成された多階調反射光強度分
布の例を示す上面図である。
布の例を示す上面図である。
【図8】本発明に係る可変変形照明フィルタの駆動信号
のタイミングチャートである。
のタイミングチャートである。
【図9】本発明に係る半導体露光装置の模式構成図であ
る。
る。
【図10】従来の半導体露光装置の構成図である。
1……半導体露光装置、2……可変変形照明フィルタ、
2a……微小ミラー、2B……基板、3……光源、4…
…レチクル、5……縮小投影レンズ、6……基板、6a
……レジスト、7……ステージ、8……フライアイレン
ズ、11……制御回路、11a……駆動信号、dg……
対角線方向
2a……微小ミラー、2B……基板、3……光源、4…
…レチクル、5……縮小投影レンズ、6……基板、6a
……レジスト、7……ステージ、8……フライアイレン
ズ、11……制御回路、11a……駆動信号、dg……
対角線方向
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI // G03F 7/20 521 G02B 7/18 701
Claims (8)
- 【請求項1】 半導体製造の露光工程で適用される変形
照明法に用いられる変形照明フィルタであって、 光反射面を備え、かつ該光反射面の任意の位置が、ある
特定方向に対して任意の反射強度を備える構成としたこ
とを特徴とする変形照明フィルタ。 - 【請求項2】 基板上に二次元方向に配列された複数枚
の鏡面から成り、 前記各鏡面は夫々独立してその傾斜角度が外部から与え
られる駆動信号により可変に構成され、前記各鏡面の傾
斜角度により光強度分布を可変とすることを特徴とする
変形照明フィルタ。 - 【請求項3】 前記各鏡面の前記傾斜角度の保持時間が
外部から与えられる駆動信号により可変に構成されたこ
とを特徴とする請求項2記載の変形照明フィルタ。 - 【請求項4】 基板上に二次元方向に配列された前記各
鏡面の最大寸法が500μm以下であることを特徴とす
る請求項2または3記載の変形照明フィルタ。 - 【請求項5】 前記各鏡面が配列される前記基板は平坦
面を形成していることを特徴とする請求項2乃至4記載
の変形照明フィルタ。 - 【請求項6】 前記各鏡面が配列される前記基板は全体
が一面の凹面を形成していることを特徴とする請求項2
乃至4記載の変形照明フィルタ。 - 【請求項7】 前記請求項1乃至6記載の変形照明フィ
ルタを備えることを特徴とする半導体露光装置。 - 【請求項8】 露光光源にg線、i線、KrF、ArF
エキシマ光または前記鏡面によって反射可能な任意の種
類の光源を用いることを特徴とする請求項7記載の半導
体露光装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9155544A JPH113849A (ja) | 1997-06-12 | 1997-06-12 | 可変変形照明フィルタ及び半導体露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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