JP2007220767A - 露光装置及びデバイス製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】スループットを低下させることなく、露光光の偏光状態を高精度に制御し、優れた露光性能（高解像度）を実現する露光装置を提供する。
【解決手段】レチクルを照明する照明光学系１０と、前記レチクルのパターンを被処理体に投影する投影光学系３０とを備える露光装置であって、偏光状態を計測する偏光計測手段５０と、前記レチクルを照明するための有効光源分布内の複数の領域の偏光状態を各々調整可能な偏光調整手段１００と、前記偏光計測手段の計測結果に基づいて、前記偏光調整手段を介して前記複数の領域の各偏光状態を独立して制御する制御部６０とを有することを特徴とする。
【選択図】図１

Description

本発明は、一般には、露光装置に係り、特に、半導体ウェハ用の単結晶基板、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）用のガラス基板などの被処理体を露光する露光装置に関する。

フォトリソグラフィー（焼き付け）技術を用いて半導体素子を製造する際に、レチクル（マスク）に描画された回路パターンを投影光学系によってウェハ等に投影して回路パターンを転写する投影露光装置が従来から使用されている。

近年では、半導体素子の微細化への要求に伴い、露光波長の半分以下の大きさのパターンを露光するような（即ち、高解像を達成する）露光装置も開発されている。このような高解像化は、一般に、露光光の短波長化及び投影光学系の開口数（ＮＡ）を大きくすることでなされる。投影光学系のＮＡを大きくすることは、像面からの垂線と入射光の進行方向との成す角が大きくなることを意味しており、高ＮＡ結像と呼ばれる。

高ＮＡ結像では、露光光の偏光が問題となってくる。例えば、ラインとスペースが繰り返されているような、所謂、ライン・アンド・スペース（Ｌ＆Ｓ）パターンを露光する場合を考える。Ｌ＆Ｓパターンは、平面波２光束干渉によって形成される。２光束の入射方向ベクトルを含む面を入射平面とし、入射平面に垂直な電界ベクトルを有する偏光をＳ偏光、入射平面に平行な電界ベクトルを有する偏光をＰ偏光とする。２光束の入射方向ベクトルの互いに成す角が９０度の場合、Ｓ偏光は干渉するためＬ＆Ｓパターンに応じた光強度分布が像面上に形成される。一方、Ｐ偏光は電界ベクトルが直交するため干渉せず（干渉の効果が打ち消される）、光強度分布が一定となる。従って、Ｌ＆Ｓパターンに応じた光強度分布が像面上に形成されることはない。Ｓ偏光とＰ偏光が混在していると、Ｓ偏光だけのときよりもコントラストが悪い光強度分布が像面上に形成され、Ｐ偏光の割合が大きくなると像面上の光強度分布のコントラストが低下し、最終的には、パターンが形成されなくなる。

このため、露光光の偏光状態を制御する必要がある。例えば、照明光学系の瞳位置において、λ／２板によって露光光の偏光状態を制御し、タンジェンシャル照明を実現する露光装置が提案されている（例えば、特許文献１参照）。また、照明光学系の内部において露光光の偏光状態を計測し、かかる計測結果を光源又は露光装置にフィードバック又はフィードフォワードする露光装置も提案されている（例えば、特許文献２及び３参照）。偏光制御された露光光は、十分なコントラストの光強度分布を像面上に形成することができ、より微細なパターンを露光することができる。
特開２００５−１６６８７１号公報 特開２００５−２６８４８９号公報 特開２００３−３２９５１６号公報

露光装置における偏光照明では、レチクルを照明する光が所望の偏光状態となっていること、又は、被処理体に結像する光が所望の偏光状態となっていることが重要である。一方、照明光学系の瞳位置で露光光の偏光状態を制御したとしても、照明光学系の瞳以降の光学系や投影光学系の影響によって、照明光学系の瞳位置で制御した偏光状態が常に維持されて像面上に到達するとは限らない。例えば、照明光学系や投影光学系の硝材の複屈折、反射ミラーなどの偏光特性等によって、偏光状態が部分的（偏光照明の各領域において）に変化したり、偏光状態が経時的に変化したりする場合がある。

しかしながら、従来技術では、偏光照明の偏光状態を一括して制御しているため、偏光照明の各領域を独立（個々）に制御することができず、偏光照明の各領域における偏光状態の変化に対応することができず、所望の偏光状態に維持することができない。また、特に、特許文献１の露光装置では、偏光状態が経時的に変化した場合には、偏光制御部材を露光装置から取り外し、所望の偏光状態となるように偏光制御部材を調整する必要があり、スループットを低下させる原因となる。

そこで、本発明は、スループットを低下させることなく、露光光の偏光状態を高精度に制御し、優れた露光性能（高解像度）を実現する露光装置を提供することを例示的目的とする。

上記目的を達成するために、本発明の一側面としての露光装置は、レチクルを照明する照明光学系と、前記レチクルのパターンを被処理体に投影する投影光学系とを備える露光装置であって、偏光状態を計測する偏光計測手段と、前記レチクルを照明するための有効光源分布内の複数の領域の偏光状態を各々調整可能な偏光調整手段と、前記偏光計測手段の計測結果に基づいて、前記偏光調整手段を介して前記複数の領域の各偏光状態を独立して制御する制御部とを有することを特徴とする。

本発明の別の側面としてのデバイス製造方法は、上述の露光装置を用いて被処理体を露光するステップと、露光された前記被処理体を現像するステップとを有することを特徴とする。

本発明の更なる目的又はその他の特徴は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施例によって明らかにされるであろう。

本発明によれば、スループットを低下させることなく、露光光の偏光状態を高精度に制御し、優れた露光性能（高解像度）を実現する露光装置を提供することができる。

以下、添付図面を参照して、本発明の一側面としての露光装置について説明する。なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。ここで、図１は、本発明の露光装置１の構成を示す概略断面図である。

露光装置１は、光源部１２から発せられた光束を、複数の光学系を介して被処理体４０に照射し、レチクル２０に形成された回路パターンで被処理体４０を露光する投影露光装置である。露光装置１としては、ステップ・アンド・リピート方式又はステップ・アンド・スキャン方式の露光装置を用いることができる。以下、本実施形態では、ステップ・アンド・スキャン方式の露光装置を例に説明する。

露光装置１は、図１に示すように、照明装置１０と、レチクル２０を載置するレチクルステージ２５と、投影光学系３０と、被処理体４０を載置するウェハステージ４５と、偏光計測手段５０と、制御部６０と、偏光調整手段１００とを有する。

照明装置１０は、転写用の回路パターンが形成されたレチクル２０を照度ムラなく、且つ、有効光源分布を均一に照明する。照明装置１０は、光源部１２と、照明光学系１４とを有する。

光源部１２は、本実施形態では、波長約１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザーや波長約２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザーなどのレーザー光源を使用する。但し、光源部１２の種類は、エキシマレーザーに限定されず、例えば、波長約１５７ｎｍのＦ_２レーザーを使用してもよいし、そのレーザーの個数も限定されない。また、光源部１２は、例えば、一般に５００Ｗ以上の出力を有する超高圧水銀ランプやキセノンランプなどを使用してもよいし、水銀ランプのｇ線（波長約４３６ｎｍ）やｉ線（波長約３６５ｎｍ）を使用してもよい。

照明光学系１４は、レチクル２０を照明する光学系であり、レンズ、ミラー、オプティカルインテグレーター（ハエの目レンズ）、絞り等を含む。照明光学系１４は、本実施形態では、ビーム整形光学系１４ａと、ハエの目レンズ１４ｂとを有する。

ビーム整形光学系１４ａは、光源部１２からの光束を所望のビーム形状に整形する。ビーム整形光学系１４ａは、例えば、複数のシリンドリカルレンズを備えるビームエクスパンダを使用する。ビーム整形光学系１４ａは、光源部１２からの平行光の断面形状の寸法の縦横比率を所望の値に変換する（例えば、断面形状を長方形から正方形にするなど）。ビーム整形光学系１４ａは、後述するハエの目レンズ１４ｂを照明するために必要な大きさ及び発散角を有する光束を形成する。なお、ビーム整形光学系１４ａは、コヒーレントなレーザー光束をインコヒーレント化するインコヒーレント化光学系を使用することが好ましい。インコヒーレント化光学系は、例えば、入射光束を光分割面で少なくとも２つの光束に分割し、一方の光束にレーザー光のコヒーレンス長以上の光路長差を与えて光分割面に導光し、他方の光束と重ね合わせて射出する折り返し系で構成される。

ハエの目レンズ１４ｂは、レチクル２０を均一に照明する機能を有する。ハエの目レンズ１４ｂは、例えば、入射光束の波面を分割し、射出面又はその近傍に複数の光源を形成する波面分割型ライトインテグレーターを使用する。ハエの目レンズ１４ｂは、入射光束の角度分布を位置分布に変換して出射する。ハエの目レンズ１４ｂの入射面と射出面とは、フーリエ変換の関係にある。これにより、ハエの目レンズ１４ｂの射出面の近傍は、２次光源となる。ここで、フーリエ変換の関係とは、光学的に瞳面と物体面（又は像面）、物体面（又は像面）と瞳面となる関係を意味する。

ハエの目レンズ１４ｂは、本実施形態では、ロッドレンズ（即ち、微小レンズ素子）を多数組み合わせて構成される。但し、ハエの目レンズ１４ｂは、波面分割型ライトインテグレーターに限定されず、例えば、各組が直交するように配置された複数組のシリンドリカルレンズアレイ板を使用してもよい。また、ハエの目レンズ１４ｂは、ロッドレンズが３面以上の屈折面を有するハエの目レンズを使用してもよい。

レチクル２０は、例えば、石英製で、その上には転写されるべき回路パターンが形成され、レチクルステージ２５に支持及び駆動される。レチクル２０から発せられた回折光は、投影光学系３０を通り、被処理体４０上に投影される。レチクル２０と被処理体４０とは、光学的に共役の関係にある。露光装置１は、ステップ・アンド・スキャン方式の露光装置であるため、レチクル２０と被処理体４０を縮小倍率比の速度比で走査（スキャン）することによりレチクル２０のパターンを被処理体４０上に転写する。なお、ステップ・アンド・リピート方式の露光装置の場合は、レチクル２０と被処理体４０とを静止させた状態で露光が行われる。

レチクルステージ２５は、図示しないレチクルチャックを介してレチクル２０を支持し、図示しない移動機構に接続されている。レチクルステージ２５及び投影光学系３０は、例えば、床等に載置されたベースフレーム上にダンパ等を介して支持される鏡筒定盤上に設けられる。レチクルステージ２５は、当業界周知のいかなる構成をも適用できる。図示しない移動機構は、リニアモータなどで構成され、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向、Ｚ軸方向及び各軸の回転方向にレチクルステージ２５を駆動することで、レチクル２０を移動することができる。なお、レチクル２０又は被処理体４０の面内で走査方向をＹ軸、それに垂直な方向をＸ軸、レチクル２０又は被処理体４０の面内に垂直な方向をＺ軸とする。

投影光学系３０は、レチクル２０のパターンを経た回折光を被処理体４０上に投影（結像）する。投影光学系３０は、複数のレンズ素子のみからなる屈折光学系、複数のレンズ素子と少なくとも一枚の反射ミラーとを有する反射屈折光学系などを使用することができる。

被処理体４０は、ウェハステージ４５に支持及び駆動される。被処理体４０は、本実施形態ではウェハであるが、ガラス基板、その他の被処理体を広く含む。被処理体４０には、フォトレジストが塗布されている。

ウェハステージ４５は、図示しないウェハチャックを介して被処理体４０を支持し、図示しない移動機構に接続されている。ウェハステージ４５は、当業界周知のいかなる構成をも適用でき、６軸同軸を有することが好ましい。例えば、ウェハステージ４５は、リニアモータを利用してＸ軸方向、Ｙ軸方向、Ｚ軸方向及び各軸の回転方向に被処理体４０を移動する。レチクル２０と被処理体４０は、例えば、同期走査され、レチクルステージ２５の位置とウェハステージ４５の位置は、例えば、レーザー干渉計などにより監視され、両者は一定の速度比率で駆動される。ウェハステージ４５は、例えば、ダンパを介して床等の上に支持されるステージ定盤上に設けられる。

偏光計測手段５０は、光源部１２から射出された光束の偏光状態（偏光分布）を計測する。偏光計測手段５０は、レチクル２０又は被処理体４０と等価な面に配置される。偏光計測手段５０は、本実施形態では、レチクルステージ２５上に配置され、レチクル２０を照明するための有効光源分布における偏光状態を計測する。但し、偏光計測手段５０は、後述するように、ウェハステージ４５上に配置してもよい。

図２は、偏光計測手段５０の具体的な構成を示す概略斜視図である。なお、図２に示す偏光計測手段５０の構成は一例であり、その他の構成であっても露光装置１に適用することができる。

偏光計測手段５０は、コリメータレンズ５０１と、無偏光ビームスプリッター５０２及び５０３と、λ／４波長板５０４と、偏光素子５０５、５０６及び５０７と、２次元光検出器５０８、５０９及び５１０とを有し、被検光束ＴＬの偏光状態を計測する。なお、偏光素子５０５、５０６及び５０７は、ローションプリズムやグラントムソンプリズムなどを使用する。また、２次元光検出器５０８、５０９及び５１０は、ＣＣＤなどを使用する。

被検光束ＴＬは、照明光学系１４を経た光束や投影光学系３０を経た集光光束である。集光点を過ぎて広がり始めた被検光学系ＴＬは、正の屈折率のコリメータレンズ５０１によって、略平行光束に変換される。かかる略平行光束は、無偏光ビームスプリッター５０２を通り、透過する光束ＴＬ_１と、反射する光束ＴＬ_２とに分離される。無偏光ビームスプリッター５０２及び５０３は、偏光の状態が変化しないハーフミラーを使用することが望ましいが、偏光特性が分かっているハーフミラーであれば、補正することができるため、使用することができる。

また、図２では、キューブ型の無偏光ビームスプリッターを用いたが、それ以外の形状の無偏光ビームスプリッターを用いてもよい。反射した光束ＴＬ_２は、更に、無偏光ビームスプリッター５０３を通り、透過する光束ＴＬ_３と、反射した光束ＴＬ_４に分割される。分割された３つの光束ＴＬ_３、光束ＴＬ_４、及び、光束ＴＬ_５は、それぞれ、偏光素子５０７、偏光素子５０６、及び、λ／４波長板５０４及び偏光素子５０５を通り、２次元検出器５１０、２次元検出器５０９、及び２次元検出器５０８に入射する。偏光素子５０７は、基準となるＸ軸方向に振動する電界成分を有する偏光成分を透過するように配置されている。一方、偏光素子５０６は、かかる基準のＸ軸方向に対して４５度の方向に振動する電界成分を有する偏光成分を透過するように配置されている。２次元光検出器５１０及び５０９は、それぞれ、水平直線偏光成分及び４５度直線偏光成分を検出する。

λ／４波長板５０４は、被検光束ＴＬの波長に対するλ／４板であり、進相軸が基準のＸ軸方向から４５度傾いて配置される。偏光素子５０５は、基準のＸ軸方向に対して直交するＹ軸方向に振動する偏光を透過するように配置される。その結果、右回り円偏光成分が光束ＴＬ_５として抽出され、２次元光検出器５０８で検出される。

２次元光検出器５１０、５０９及び５０８で検出された水平偏光成分の強度、４５度偏光成分の強度及び右回り円偏光成分の強度を、光束の対応する点について演算する。これにより、ストークスパラメターやジョーンズ行列が、光束の分布として算出される。

本実施形態では、コリメータレンズ５０１は、正の屈折力を有するレンズであるが、負の屈折力を有するレンズを集光点の手前に配置して、被検光束ＴＬを平行光に変換しても同様の効果を得ることができる。また、コリメータレンズ５０１の複屈折や、その他の素子の複屈折などは予め計測し、かかる計測結果に基づいて補正すればよい。

制御部６０は、図示しないＣＰＵ、メモリを有し、露光装置１の動作を制御する。制御部６０は、照明装置１０、レチクルステージ２５、ウェハステージ４５、偏光計測手段５０、後述する偏光調整手段１００と電気的に接続されている。ＣＰＵは、ＭＰＵなど名前の如何を問わずいかなるプロセッサも含み、各部の動作を制御する。メモリは、ＲＯＭ及びＲＡＭより構成され、露光装置１を動作するファームウェアを格納する。

制御部６０は、本実施形態では、偏光計測手段５０の計測結果に基づいて、後述する偏光調整手段１００を制御する。詳細は後述するが、制御部６０は、偏光調整手段１００を介して、レチクル２０を照明する有効光源分布内の複数の領域の各偏光状態及び／又は投影光学系３０の瞳位置における複数の領域の各編光状態を独立して制御する。

偏光調整手段１００は、本実施形態では、ハエの目レンズ１４ｂの入射側（光源部側）に配置される。但し、偏光調整手段１００は、ハエの目レンズ１４ｂの射出側（被処理体側）に配置してもよい。

図３は、偏光調整手段１００の構成を示す概略平面図である。偏光調整手段１００は、照明光学系１４の瞳位置に配置された９つの分割波長板（位相差板）１０２ａ及び１０２ｂで構成される。保持フレーム１０４は、分割波長板１０２ａ及び１０２ｂを保持する。偏光調整手段１００は、例えば、図３に示す構成を光軸方向に２つ重ねて配置し、一方がλ／２波長板の機能を有し、他方がλ／４波長板の機能を有するように構成する。なお、９つの分割波長板１０２ａ及び１０２ｂは、後述するように、それぞれ、微小角度（±３度乃至±１０度程度）回転できるように構成されている。また、偏光調整手段１００は、保持フレーム１０４（即ち、９つの分割波長板１０２ａ及び１０２ｂの全体）を回転させる機構も有する。

図４は、保持フレーム１０４に保持された１つの分割波長板１０２ａの構成を示す拡大平面図である。図４において、１２０は波長板フレーム、１２２は分割波長板１０２ａの回転の支点となる支点機構である。支点機構１２２は、波長板フレーム１２０に取り付けられたリングを介して、保持フレーム１０４から突出した回転ピンに係合する。

１２４はアクチュエーター、１２６はバネ機構、１２８は保持フレーム１０４の突起である。ＤＤはアクチュエーター１２４の駆動方向、ＲＤは分割波長板１０２ａの回転方向、ＥＡは分割波長板１０２ａの有効領域を示している。なお、図４では、隣接する分割波長板１０２ａの有効領域ＥＡも示している。

波長板フレーム１２０及び分割波長板１０２ａを駆動する駆動機構は、保持フレーム１０４に隠れるように配置され、分割波長板１０２ａの有効領域ＥＡに光を遮る部分がはみ出さないように構成されている。制御部６０からの指令によって、アクチュエーター１２４が駆動方向ＤＤに動くと、分割波長板１０２ａは支点機構１２２を支点として回転方向ＲＤに動く。なお、８つの台形の分割波長板１０２ａ及び偏光調整手段１００の中心に配置されている８角形の分割波長板１０２ｂにも、同様な駆動機構が構成されている。本実施形態の駆動機構は一例であり、例えば、分割波長板１０２ａ及び１０２ｂの保持周辺部に櫛歯加工を施し、歯車つきの回転アクチュエーターで回転させるなど、他の駆動機構であってもよい。

ここで、波長調整手段１００、具体的には、分割波長板１０２ａ及び１０２ｂについて詳細に説明する。図５及び図６は、偏光照明として一般的に用いられるタンジェンシャル偏光及びラジアル偏光の電界ベクトル分布を示す図である。図５及び図６は、照明光学系１４の瞳面内での分布を示し、それぞれの分割波長板１０２ａ及び１０２ｂの内部の偏光の電界ベクトルを示している。

図５に示される偏光ベクトルは、照明光学系１４の瞳面において接線方向に向いているため、タンジェンシャル偏光と呼ばれる（アジムサル（Ａｚｉｍｕｔｈａｌ）偏光と呼ばれることもある）。タンジェンシャル偏光は、特に、周期的なＬ＆Ｓパターンを結像する際に有効である。一方、図６に示される偏光ベクトルは、照明光学系１４の瞳面において放射方向に向いているため、ラジアル偏光と呼ばれる。ラジアル偏光は、コンタクトホールパターンを結像する際に有効である。なお、図５及び図６に示す偏光ベクトルにおいて、中心の領域（分割波長板１０２ｂに相当）を挟んだ任意の２つの領域の偏光ベクトルは同じ方向を向いているが、これは必須ではない。ベクトルは電界の振動方向を示すため、本実施形態では逆向きでもよい。

照明光学系１４において、光源部１２から導入された光束は、そのままの偏光を維持したまま、偏光調整手段１００に入射する。なお、各分割波長板１０２ａ及び１０２ｂに入射する光束は、図７に示すように、略直線偏光を有する。図７では、光源部１２からの光がｘ偏光（横方向に電界ベクトルが振動する偏光）として偏光調整手段１００に入射する場合を示している。ここで、図７は、光源部１２から射出される光束が有する偏光（直線偏光）の一例を示す図である。

図８は、ｘ偏光を有する光束が入射された場合に、図５に示すタンジェンシャル偏光に変換する偏光調整手段１００を示す概略平面図である。図８に示す偏光調整手段１００の分割波長板１０２ａ及び１０２ｂは、露光波長に対してλ／２波長板として機能し、それぞれ、矢印ＡＤ_１乃至ＡＤ_５で示す進相軸角度を有する。分割波長板１０２ａ及び１０２ｂの進相軸は、分割波長板を切り出す際に、適切に結晶軸を調整して切り出すことで、所望の初期進相軸角度を設定することができる。また、分割波長板１０２ａ及び１０２ｂの位相は、結晶材料を研磨加工する際の厚みを制御することによって、λ／４波長板やλ／２波長板にしている。波長１９３ｎｍに対して使用可能な分割波長板用の結晶材料は、一般的に、フッ化マグネシウムであるが、波長１９３ｎｍに対して透過特性及び複屈折特性を有する材料であれば、特に制限はない。

矢印ＡＤ_１乃至ＡＤ_５は、上述したように、それぞれの分割波長板１０２ａ及び１０２ｂの進相軸を示す。λ／２波長板は、入射偏光と進相軸角度との相対角度がθの場合に、入射偏光の角度を２θ回転させた偏光に変換する機能を有する。例えば、矢印ＡＤ_３で示される進相軸を有する分割波長板１０２ａと、中心を挟んで対称位置に配置された分割波長板１０２ａの進相軸を４５度にする。この場合、この２つの分割波長板１０２ａの有効領域から出射する偏光は、ｙ偏光（縦方向に振動する偏光）として射出する。同様に、矢印ＡＤ_２で示される進相軸角度を２２．５度にすることで、射出する偏光は４５度となり、矢印ＡＤ_４で示される進相軸角度を６７．５度にすることで、出射する偏光は１３５度となる。また、矢印ＡＤ_１で示される進相軸を０度にすることで、入射偏光がｘ偏光の場合に、入射偏光は分割波長板１０２ａの影響を受けずに、ｘ偏光として射出する。このように、偏光調整手段１００は、図８に示すように分割波長板１０２ａの進相軸を設定することで、図７に示すｘ偏光を図５に示すタンジェンシャル偏光に変換することができる。

図９は、図８に示す偏光調整手段１００を９０度回転させた状態を示す概略平面図である。上述したように、偏光調整手段１００は、保持フレーム１０４（即ち、９つの分割波長板１０２ａ及び１０２ｂの全体）を回転させる機構を有するため、図８に示す分割波長板１０２ａ及び１０２ｂは、中心を回転軸として９０度回転した位置に移動する。これにより、分割波長板１０２ａ及び１０２ｂの進相軸は、初期状態から４５度回転したような状態となる。図９に示す偏光調整手段１００は、入射する直線偏光を図８に示す初期状態より更に９０度回転させる効果を有する。従って、図９に示す偏光調整手段１００は、図７に示すｘ偏光を図６に示すラジアル偏光に変換することができる。

なお、偏光調整手段１００を９０度回転することなく、図７に示すｘ偏光を図６に示すラジアル偏光に変換することもできる。例えば、図示しない入射偏光回転機構によって、入射偏光を図７に示すｘ偏光から９０度回転させたｙ偏光に変換し、変換したｙ偏光を図８に示す偏光調整手段１００に入射させてもラジアル偏光に変換することができる。この場合、図９に示すように、偏光調整手段１００を４５度回転することで、タンジェンシャル偏光に変換する。

以下、偏光調整手段１００による偏光状態の微調整の一例について説明する。照明光学系１４のレンズやミラーの特性及び製造誤差によって、偏光調整手段１００に入射する偏光が、図７に示すような完全なｘ偏光から傾いた直線偏光として入射する場合がある。

例えば、図７に矢印Ａで示す偏光が、水平から２度傾いている場合を考える。なお、この傾いた角度をαとする。図８に示す偏光調整手段１００によって制御された偏光状態は、図５に示すタンジェンシャル偏光となる。但し、矢印Ａで示す偏光が２度傾いている場合、かかる偏光が透過する分割波長板（λ／２波長板）１０２ａの進相軸角度が４５度であるため、入射偏光と進相軸との成す角θは４３度となる。従って、４５度の進相軸角度を有する分割波長板１０２ａから射出する偏光は、α＋２θ＝８８度となる。即ち、４５度の進相軸角度を有する分割波長板１０２ａから射出する偏光は、所望の直線偏光である垂直偏光から２度傾斜した偏光となる。

図１に示す偏光計測手段５０は、偏光状態を計測する際、この２度傾斜した偏光を計測し、所望の偏光状態であるタンジェンシャル偏光からずれていることを制御部６０に通信する。制御部６０は、偏光調整手段１００の制御指令を生成し、偏光調整調整１００（分割波長板１０２ａ及び１０２ｂ）の駆動を制御する。具体的には、制御部６０は、入射偏光と進相軸との成す角θが４４度となるように、矢印Ａで示す偏光が入射する分割波長板１０２ａの角度を１度駆動（補正）する。これにより、射出する偏光は、α＋２θ＝９０度となり、所望の垂直偏光となる。また、必要に応じて、偏光調整手段１００を制御（調整）した後で偏光計測手段５０によって偏光を再度計測し、所望の偏光となっていることを確認してもよい。なお、制御部６０は、所望の偏光状態からずれた偏光が透過する分割波長板１０２ａのアクチュエーター１２４をバネ機構１２６に対して押したり又は引いたりしたりすることで、分割波長板１０２ａの角度を制御する。

照明光学系１４のミラーやレンズなどの光学素子は、偏光調整手段１００の前段（光源部側）にも、後段（被処理体側）にも存在する。従って、偏光調整手段１００に入射する偏光が正確に制御され、偏光調整手段１００も正確に制御されていても、偏光調整手段１００の後段の光学素子によって偏光が変化する場合がある。ある領域の偏光が所望の偏光から角度αだけずれていた場合、所望の角度からα／２だけ分割波長板１０２ａ及び１０２ｂを駆動することで、偏光状態が所望の偏光状態となるように制御することができる。

偏光調整手段１００による偏光状態の微調整の別の例について説明する。本実施形態では、偏光調整手段１００は、光軸方向に２つ重ねて配置されている。光源部１２からの光が最初に入射する偏光調整手段１００は、λ／４波長板の分割波長板で構成され、以下、第１の偏光調整手段と称する。光源部１２からの光が第１の偏光調整手段の次に入射する偏光調整手段１００は、λ／４波長板の分割波長板で構成され、以下、第２の偏光調整手段と称する。

照明光学系１４のレンズやミラーの特性及び製造誤差によって、偏光調整手段１００に入射する偏光が、図７に示すような完全なｘ偏光から傾いた楕円偏光として入射する場合がある。例えば、図１０（ａ）の矢印Ｂで示すように、長軸がｘ方向にあり、楕円率ε＝ｂ／ａの右回り楕円偏光である場合を考える。この場合、第１の偏光調整手段のλ／４波長板の進相軸をｘ軸に一致させる（図１０（ｂ）参照）と、第１の偏光調整手段から射出する偏光は、図１０（ｃ）に示すように、楕円偏光に内接する長方形の対角方向に電界が振動する直線偏光Ｂ’に変換される。換言すれば、左回り楕円偏光の場合、傾きが負の対角方向の直線偏光に変換される。直線偏光Ｂ’の傾き角は、α＝ａｒｃｔａｎ（ε）であるので、上述したのと同様に、第２の偏光調整手段のλ／２波長板を図８に矢印ＡＤ_１などで示した進相軸方位からα／２＝１／２×ａｒｃｔａｎ（ε）だけ駆動する。これにより、楕円偏光を、図１０（ｃ）に示すように、それぞれの所望の直線偏光の方位に制御（変換）することができる。なお、光源部１２からの光束は、９つの分割波長板に一様な偏光状態で入射するとは限らないため、それぞれの分割領域内で平均的な楕円率εを求め、第１の偏光調整手段及び第２の偏光調整手段を制御することが好ましい。同様に、偏光調整手段１００よりも後段の光学部品によって楕円偏光になる場合も、第１の偏光調整手段及び第２の偏光調整手段を制御することで、所望の偏光状態に制御することができる。

長軸角度がβだけ傾斜した楕円率ε＝ｂ／ａの右回り楕円偏光Ｃを図１１（ａ）に示す。図１１（ａ）に示す偏光状態で偏光調整手段１００に光束が入射する場合、第１の偏光調整手段のλ／４波長板の進相軸をβだけ傾斜させる（図１１（ｂ）参照）。これにより、図１１（ａ）に示す偏光状態を、図１１（ｃ）に示すように、振動方向がα＝β＋ａｒｃｔａｎ（ε）の直線偏光Ｃ’に変換することができる。第２の偏光調整手段の進相軸角度を所望の角度から、α／２の角度まで駆動することで、所望の偏光状態に変換することができる。偏光調整手段１００よりも後段の光学部品の製造誤差や複屈折などに起因して長軸角度が傾斜した楕円偏光になる場合も、同様に、第１の偏光調整手段及び第２の偏光調整手段を制御することで、所望の偏光状態に制御することができる。

光学部品の製造誤差や光源部１２の特性などから、最大の楕円率及び最大の長軸傾斜角が、それぞれ、ε及びβであることが予めわかっている場合を考える。この場合、第１の偏光調整手段の分割波長板（λ／４波長板）の進相軸角度を±βの範囲に制御できるように、分割波長板の駆動範囲を±β以上に設定する。同様に、第２の偏光調整手段の分割波長板（λ／２波長板）の進相軸角度を±（ａｒｃｔａｎ（ε）＋β）の範囲に制御できるように、分割波長板の駆動範囲を±（ａｒｃｔａｎ（ε）＋β）以上に設定する。

なお、偏光調整手段１００は、図８及び図９に示す構成に限定されるものではない。例えば、露光装置１が変形照明を行う場合には、偏光調整手段１００は、図１２に示すような構成を有する。なお、本実施形態では、変形照明としてダイポール（２重極）照明を例に説明する。図１２は、露光装置１が変形照明を行う場合の偏光調整手段１００の構成の一例を示す概略平面図である。図１２において、ＰＰ_１及びＰＰ_２は、ダイポール照明の照明分布の有効部を照明光学系１４の瞳面で示している。

制御部６０は、ユーザーの入力によって、次の照明条件、例えば、図１２にＰＰ_１及びＰＰ_２で示されるダイポール照明で露光するという情報を有している。従って、制御部６０は、偏光計測手段５０で偏光状態を計測した際に、変形照明の有効領域であるＰＰ_１及びＰＰ_２の内部の偏光状態のみを用いて、偏光調整手段１００のＰＰ_１の内部が平均的に所望の偏光に近づくように、左の分割波長板を制御する。同様に、制御部６０は、偏光調整手段１００のＰＰ_２の内部が平均的に所望の偏光に近づくように、右の分割波長板を制御する。

実際の露光の際には、図示しない変形照明制御光学系で、偏光調整手段１００のＰＰ_１及びＰＰ_２の領域のみを照射する。或いは、図示しない変形照明フィルタを照明光学系１４の瞳位置近傍に配置し、偏光調整手段１００のＰＰ_１及びＰＰ_２の領域以外を通過する光を遮光する。勿論、図１３に示すように、変形照明フィルタ１３０と偏光調整手段１００とを一体的に構成してもよい。図１３に示す偏光調整手段１００は、ダイポール用の変形照明フィルタ１３０が予め取り付けられている。上述したように、ＰＰ_１及びＰＰ_２は、ダイポールの有効光源分布を示している。なお、図１３に示す偏光調整手段１００は、ＰＰ_１及びＰＰ_２の部分に対応する分割波長板しか有していない。偏光計測手段５０の計測した偏光状態に基づいて、制御部６０は、ＰＰ_１の内部の偏光状態が所望の偏光に近づくように左の分割波長板を駆動し、同様に、ＰＰ_２の内部の偏光状態が所望の偏光に近づくように、右の分割波長板を駆動する。なお、ダイポール照明以外の変形照明の場合には、かかる変形照明に応じた変形照明フィルタを配置又は偏光調整手段１００に取り付ければよく、更には、可動部を有する変形照明フィルタも一体化が可能である。

本実施形態では、変形照明の例としてダイポール照明を示した。但し、クロスポール照明などの四重極照明や、五重極照明、輪帯照明など、他の変形照明の場合にも、制御部６０は、照明条件の情報を利用し、偏光調整手段１００の照明有効部の偏光状態が優先的に所望の偏光となるように制御する。

偏光調整手段１００は、隣接する分割波長板のメカ機構が物理的な干渉を起こす場合がある。そこで、分割波長板１０２ａが隣接しないように、図１４に示すように、隣接する分割波長板１０２ａを光軸方向に分離してもよい。換言すれば、光軸方向の２つの面に分割波長板１０２ａを配置する。図１４では、上の面に４つの分割波長板１０２ａと中心に位置する分割波長板１０２ｂを配置し、下の面に残りの４つの分割波長板１０２ａを配置している。なお、上の面に配置された４つの分割波長板１０２ａと下の面に配置された４つの分割波長板１０２ａとは、光源部側から見た際に、分割波長板１０２ａに隙間ができないように（即ち、図３に示す偏光調整手段１００のように）配置されることは言うまでもない。ここで、図１４は、偏光調整手段１００の構成を示す概略斜視図である。

これまでは、偏光調整手段１００は、円周部に８つの分割波長板１０２ａを、中心に１つの分割波長板１０２ｂを配置しているため、偏光状態を独立して制御できる複数の領域は８つである。但し、本発明において、偏光調整手段１００は、偏光状態を独立して制御できる複数の領域の場所や数を限定するものではない。

例えば、偏光調整手段１００は、図１５に示すように、円周部に１２個の分割波長板１０２ａを、中心に分割波長板１０２ｂを配置し、偏光状態を独立して制御できる複数の領域を１３にしてもよい。図１５に示す偏光調整手段１００は、円周部の偏光状態を独立して制御できる複数の領域を１２等分しており、輪帯照明など際によりなだらかな偏光状態を形成することができる。また、図１５に示す偏光調整手段１００は、例えば、図３に示すように、全体形状が多角形であった偏光調整手段１００と異なり、全体形状が円形である。このように、偏光調整手段１００は、必要な有効光源分布をカバーしていれば、全体形状に制限はない。また、中心に配置された分割波長板１０２ｂは、必要に応じて、駆動波長板、固定波長板、遮光板、透過硝材などで代用してもよい。更に、偏光調整手段１００は、中心の区分を無くし、円周方向にのみに、偏光状態を独立して制御できる領域を分割することも可能である。

再び、図１に戻って、露光装置１の動作、特に、偏光計測手段５０、制御部６０及び偏光調整手段１００による偏光調整について説明する。露光装置１は、制御部６０からの指令によって、光源部１２、照明光学系１４及び偏光調整手段１００などに指令を送り、所望の偏光照明状態を形成するような初期状態に制御される。光源部１２からの光束は、照明光学系１４を介して、レチクル２０を照射する。この際、偏光計測手段５０が、レチクルステージ２５を介して、レチクル面位置に移動し、照明光学系１４（即ち、レチクル２０を照明する光束）の偏光状態を計測する。偏光計測手段５０は、照明光学系１４の有効強度分布及びその偏光状態を２次元的に計測する。

偏光計測手段５０の計測結果は、制御部６０に送られる。なお、偏光計測手段５０で計測される偏光状態は、所望の偏光からずれている可能性がある。このずれは、偏光調整手段１００の分割波長板の製造誤差、設置誤差、駆動誤差の他に、照明光学系１４のレンズの複屈折などによって発生する。

制御部６０は、図３に示す偏光調整手段１００が有する９つの分割波長板１０２ａ及び１０２ｂ（の有効領域）のそれぞれに対して、所望の偏光状態からのずれが平均的にどれだけずれているかを算出し、楕円補正量及び回転補正量を求める。制御部６０は、求めた楕円補正量及び回転補正量を補正駆動量として、偏光調整手段１００（の分割波長板の駆動）を制御する。楕円補正量に対しては、２つ重ねて配置されている偏光調整手段１００のうちλ／４波長板を駆動して補正（調整）し、回転補正量に対しては、λ／２波長板を駆動して補正（調整）する。偏光状態を補正（調整）した場合、必要に応じて、偏光計測手段５０で偏光状態を再度計測し、かかる計測結果に基づいて、偏光状態の補正（調整）を繰り返してもよい。このように、照明光学系１４に存在する様々な偏光誤差に対して補正を行うことで、レチクル２０を照明する光束の偏光状態を所望の偏光状態にすることができる。偏光制御が終了すると、露光装置１は、レチクルステージ２５を介してレチクル２０を搬送し、被処理体４０を所望の偏光状態で露光する。

露光において、光源部１２から発せられた光束は、照明光学系１４によりレチクル２０を照明する。レチクル２０を通過してレチクルパターンを反映する光は投影光学系３０により被処理体４０に結像される。露光装置１は、偏光計測手段５０、制御部６０及び偏光調整手段１００を有し、所望の偏光状態で被処理体４０を露光することができる。なお、露光装置１は、偏光調整手段１００を装置から取り外すことなく、偏光状態を調整することができ、また、偏光状態の経時変化にも対応することができる。従って、露光装置１は、高いスループットで経済性よく従来よりも高品位なデバイス（半導体素子、ＬＣＤ素子、撮像素子（ＣＣＤなど）、薄膜磁気ヘッドなど）を提供することができる。

なお、偏光状態を計測する偏光計測手段５０は、図１６に示すように、ウェハステージ４５に配置してもよい。

偏光計測手段５０をウェハステージ４５に配置した場合、制御部６０の制御により、ウェハステージ４５に配置された偏光計測手段５０が投影光学系３０の像点下に導入される。必要に応じて、レチクル２０又は被処理体４０の位置にピンホールマスクを配置して偏光状態を計測する画角を特定する。照明光学系１４は全体の偏光状態を計測する場合には瞳を全開にし、或いは、変形照明などの特定の有効光源分布内の偏光状態を計測する場合には所望の瞳形状に設定する。偏光計測手段５０で測定した偏光状態は、投影光学系３０を介しているため、投影光学系３０が有する複屈折の影響を含んでいる。例えば、偏光状態をジョーンズ行列で求めている場合は、予め計測してデータとして有する投影光学系３０の複屈折分布を、かかる複屈折に応じたジョーンズ行列の逆行列をかけることで、投影光学系３０の影響のない偏光として得ている。また、投影光学系３０の複屈折が無視できる程度に小さい場合は、投影光学系３０を介して計測しても、照明光学系１４の影響のみを含む計測結果が得られる。制御部６０は、偏光計測手段５０の計測結果と所望の偏光状態とを比較し、両者にずれがある場合は、所望の偏光状態となるように、偏光調整手段１００を制御する。

なお、図１６に示す露光装置１は、特定の露光パターンに関する偏光状態を制御することもできる。この場合、レチクル２０の上に特定の周期パターンを配置する。かかる周期パターンは、計測用のものでも、実際に露光するパターンでもよい。

レチクル２０の上に配置された周期パターンを照明した際に発生する回折光は、投影光学系３０の瞳の一部を通過し、ウェハステージ４５に配置した偏光計測手段５０で計測される。この際、偏光計測手段５０は、投影光学系３０の瞳面内の偏光状態を計測する。制御部６０は、投影光学系３０の瞳面内の偏光状態と所望の偏光状態とを比較し、所望の偏光状態に近づくように偏光調整手段１００を制御（駆動）する。本実施形態では、回折することによって、照明光学系１４からの光束が分離するため、照明光学系１４に配置された偏光調整手段１００の１点と投影光学系３０の瞳の１点とが一対一に対応していない。従って、ある１箇所の偏光状態を所望の状態にしても、他の部分が異なる結果となることもある。また、投影光学系３０が有する複屈折によって、それぞれの回折光は異なる影響を受けることもある。また、偏光状態の制御には、偏光状態の計測及び制御のループが複数回必要となることもある。

更に、図１７に示すように、偏光調整手段１００及び１００Ａを照明光学系１４及び投影光学系３０に配置すると共に、偏光計測手段５０及び５０Ａをレチクルステージ２５及びウェハステージ４５に配置してもよい。なお、偏光調整手段１００Ａは偏光調整手段１００と同様な構成を有し、偏光計測手段５０Ａは偏光計測手段５０と同様な構成を有するため、ここでの詳しい説明は省略する。ここで、図１７は、本発明の一側面としての露光装置１の構成を示す概略断面図である。

偏光計測手段５０は照明光学系１４を射出した直後の光束を受光し、制御部６０を介して、照明光学系１４に配置した偏光調整手段１００にフィードバックして、偏光状態が所望の偏光状態となるように制御する。具体的な偏光状態の制御は上述した通りである。

一方、偏光計測手段５０Ａは、ウェハステージ４５に偏光計測手段５０を配置した場合と同様な機能を果たす。但し、解析の際に照明光学系１４の偏光状態に残留誤差がある場合、かかる残留誤差は偏光計測手段５０の計測結果に現れる。かかる残留誤差を前提として、偏光計測手段５０Ａの計測結果を処理することで、投影光学系３０の影響によって発生している偏光誤差を分離することができる。従って、投影光学系３０の複屈折の影響に起因する偏光状態は、投影光学系３０の瞳面近傍に配置した偏光調整手段１００Ａによって補正（調整）され、所望の偏光状態に制御することができる。

また、図１７に示す露光装置１は、照明光学系１４に起因する所望の偏光状態からのずれ及び投影光学系３０に起因する所望の偏光状態のずれを含めて、被処理体４０に到達（結像）する光束の偏光状態を制御することができる。即ち、制御部６０が、偏光計測手段５０及び５０Ａの計測結果に基づいて、照明光学系１４に配置された偏光調整手段１００又は投影光学系３０に配置された偏光調整手段１００Ａを制御することで、所望の偏光状態を得ることができる。但し、上述したように、所望のパターンに対する投影光学系３０の瞳面内での偏光状態は、照明光学系１４に配置された偏光調整手段１００と一対一に対応していない。そこで、図１７に示す露光装置１は、投影光学系３０に配置した偏光調整手段１００Ａと偏光調整手段１００の両方を制御することで、露光に適した所望の偏光状態に制御する。

次に、図１８及び図１９を参照して、上述の露光装置１を利用したデバイス製造方法の実施例を説明する。図１８は、デバイス（ＩＣやＬＳＩなどの半導体チップ、ＬＣＤ、ＣＣＤ等）の製造を説明するためのフローチャートである。ここでは、半導体チップの製造を例に説明する。ステップ１（回路設計）では、デバイスの回路設計を行う。ステップ２（レチクル製作）では、設計した回路パターンを形成したレチクルを製作する。ステップ３（ウェハ製造）では、シリコンなどの材料を用いてウェハを製造する。ステップ４（ウェハプロセス）は、前工程と呼ばれ、レチクルとウェハを用いてリソグラフィー技術によってウェハ上に実際の回路を形成する。ステップ５（組み立て）は、後工程と呼ばれ、ステップ４によって作成されたウェハを用いて半導体チップ化する行程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含む。ステップ６（検査）では、ステップ５で作成された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テストなどの検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷（ステップ７）される。

図１９は、ステップ４のウェハプロセスの詳細なフローチャートである。ステップ１１（酸化）では、ウェハの表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）では、ウェハの表面に絶縁膜を形成する。ステップ１３（電極形成）では、ウェハ上に電極を蒸着などによって形成する。ステップ１４（イオン打ち込み）では、ウェハにイオンを打ち込む。ステップ１５（レジスト処理）では、ウェハに感光剤を塗布する。ステップ１６（露光）では、露光装置３００によってレチクルの回路パターンをウェハに露光する。ステップ１７（現像）では、露光したウェハを現像する。ステップ１８（エッチング）では、現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）では、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行うことによってウェハ上に多重に回路パターンが形成される。本実施形態のデバイス製造方法によれば、従来よりも高品位のデバイスを製造することができる。このように、露光装置１を使用するデバイス製造方法、並びに結果物としてのデバイスも本発明の一側面を構成する。

以上、本発明の好ましい実施例について説明したが、本発明はこれらの実施例に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。

本発明の一側面としての露光装置の構成を示す概略断面図である。 図１に示す露光装置の偏光計測手段の具体的な構成の一例を示す概略斜視図である。 図１に示す露光装置の偏光調整手段の構成を示す概略平面図である。 図３に示す偏光調整手段の１つの分割波長板の構成を示す拡大平面図である。 偏光照明として一般的に用いられるタンジェンシャル偏光の電界ベクトル分布を示す図である。 偏光照明として一般的に用いられるラジアル偏光の電界ベクトル分布を示す図である。 図１に示す露光装置の光源部から射出される光束が有する偏光（直線偏光）の一例を示す図である。 ｘ偏光を有する光束が入射された場合に、図５に示すタンジェンシャル偏光に変換する偏光調整手段を示す概略平面図である。 図８に示す偏光調整手段を９０度回転させた状態を示す概略平面図である。 図１に示す露光装置の偏光調整手段による偏光状態の微調整を説明するための図である。 図１に示す露光装置の偏光調整手段による偏光状態の微調整を説明するための図である。 図１に示す露光装置が変形照明を行う場合の偏光調整手段の構成の一例を示す概略平面図である。 図１に示す露光装置が変形照明を行う場合の偏光調整手段の構成の一例を示す概略平面図である。 図１に示す露光装置の偏光調整手段の構成を示す概略斜視図である。 図１に示す露光装置の偏光調整手段の構成を示す概略斜視図である。 本発明の一側面としての露光装置の構成を示す概略断面図である。 本発明の一側面としての露光装置の構成を示す概略断面図である。 デバイス（ＩＣやＬＳＩなどの半導体チップ、ＬＣＤ、ＣＣＤ等）の製造を説明するためのフローチャートである。 図１８に示すステップ４のウェハプロセスの詳細なフローチャートである。

符号の説明

１ 露光装置
１０ 照明装置
１２ 光源部
１４ 照明光学系
２０ レチクル
２５ レチクルステージ
３０ 投影光学系
４０ 被処理体
４５ ウェハステージ
５０ 偏光計測手段
６０ 制御部
１００ 偏光調整手段
１０２ａ及び１０２ｂ 分割波長板
１０４ 保持フレーム
１２０ 波長フレーム
１２２ 支点機構
１２４ アクチュエーター
１２６ バネ機構
１２８ 突起

Claims (10)

1. レチクルを照明する照明光学系と、前記レチクルのパターンを被処理体に投影する投影光学系とを備える露光装置であって、
   偏光状態を計測する偏光計測手段と、
   前記レチクルを照明するための有効光源分布内の複数の領域の偏光状態を各々調整可能な偏光調整手段と、
   前記偏光計測手段の計測結果に基づいて、前記偏光調整手段を介して前記複数の領域の各偏光状態を独立して制御する制御部とを有することを特徴とする露光装置。
2. 前記偏光調整手段は、少なくとも２つの位相差板を有することを特徴とする請求項１記載の露光装置。
3. 前記少なくとも２つの位相差板は、光軸に垂直な面内に配置されることを特徴とする請求項２記載の露光装置。
4. 前記少なくとも２つの位相差板は、光軸方向に重ねて配置されることを特徴とする請求項２記載の露光装置。
5. 前記偏光調整手段は、前記照明光学系の瞳位置に配置されることを特徴とする請求項１記載の露光装置。
6. 前記偏光調整手段は、前記投影光学系の瞳位置に配置されることを特徴とする請求項１記載の露光装置。
7. 前記制御部は、前記偏光計測手段の計測結果に基づいて、前記少なくとも２つの位相板の各々を独立して回転制御することを特徴とする請求項２記載の露光装置。
8. 前記偏光計測手段は、前記照明光学系の少なくとも一部を経た光の偏光状態を計測することを特徴とする請求項１記載の露光装置。
9. 前記偏光計測手段は、前記投影光学系の少なくとも一部を経た光の偏光状態を計測することを特徴とする請求項１記載の露光装置。
10. 請求項１乃至９のうちいずれか一項記載の露光装置を用いて被処理体を露光するステップと、
    露光された前記被処理体を現像するステップとを有することを特徴とするデバイス製造方法。