KR20140029543A - 조명 광학 장치 - Google Patents

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Abstract

광량 손실을 양호하게 억제하면서 둘레 방향 편광 상태의 고리 형상의 조명 동공(照明 瞳孔) 분포를 형성할 수 있는 조명 광학 장치. 본 발명의 조명 광학 장치는 입사 광속에 근거해, 소정면에 고리 형상의 광강도 분포를 형성하기 위한 광속 변환 소자(50)를 구비하고 있다. 광속 변환 소자는 선광성(旋光性)을 갖는 광학 재료에 의해 형성되고, 입사 광속에 근거해, 고리 형상의 광강도 분포 중 제 1 원호 형상 영역 분포를 형성하기 위한 제 1 기본 소자(50A)와, 제 2 원호 형상 영역 분포를 형성하기 위한 제 2 기본 소자(50B)와, 제 3 원호 형상 영역 분포를 형성하기 위한 제 3 기본 소자(50C)와, 제 4 원호 형상 영역 분포를 형성하기 위한 제 4 기본 소자(50D)에 의해 구성되어 있다. 각 기본 소자는 광의 투과 방향에 따라 두께가 서로 다르다.

Description

조명 광학 장치{ILLUMINATING OPTICAL APPARATUS}
본 발명은 광속 변환 소자, 조명 광학 장치, 노광 장치 및 노광 방법에 관한 것이고, 특히 반도체 소자, 촬상 소자, 액정 표시 소자 및 박막 자기 헤드 등의 마이크로 디바이스를 리소그래피(lithography) 공정으로 제조할 때에 사용되는 노광 장치에 적합한 조명 광학 장치에 관한 것이다.
이러한 종류의 전형적인 노광 장치에서는 광원으로부터 사출된 광속이 광학 인테그레이터(optical integrator)로서의 플라이 아이 렌즈(fly-eye lens)를 통해 다수의 광원으로 이루어지는 실질적인 면 광원으로서의 2차 광원을 형성한다. 2차 광원(일반적으로는 조명 광학 장치의 조명 동공(照明瞳) 또는 그 근방에 형성되는 조명 동공 분포)으로부터의 광속은 플라이 아이 렌즈의 뒤쪽 초점면의 근방에 배치된 개구 조리개를 통해 제한된 뒤, 콘덴서 렌즈에 입사된다.
콘덴서 렌즈에 의해 집광된 광속은 소정 패턴이 형성된 마스크를 중첩적으로 조명한다. 마스크의 패턴을 투과한 빛은 투영 광학계를 통해 웨이퍼(wafer) 상에 결상된다. 이렇게 해서, 웨이퍼 상에는 마스크 패턴이 투영 노광(전사)된다. 또, 마스크에 형성된 패턴은 고집적화되어있고, 이 미세 패턴을 웨이퍼 상에 정확히 전사하기 위해서는 웨이퍼 상에서 균일한 조도 분포를 얻는 것이 불가결하다.
예를 들어, 본 출원인의 출원에 관계되는 특허 공보 제3246615호에는 임의 방향의 미세 패턴을 충실히 전사하는데 적합한 조명 조건을 실현하기 위해, 플라이 아이 렌즈의 뒤쪽 초점면에 고리 형상의 2차 광원을 형성하고, 이 고리 형상의 2차 광원을 통과하는 광속이 그 둘레 방향을 편광 방향으로 하는 직선 편광 상태(이하, 생략하여 「둘레 방향 편광 상태」라 함)가 되도록 설정하는 기술이 개시되어 있다.
(특허 문헌 1) 특허 공보 제3246615호
그러나, 상술한 공보에 개시된 종래 기술에서는 플라이 아이 렌즈를 통해 형성된 원 형상의 광속을 고리 형상의 개구부를 갖는 개구 조리개를 통해 제한함으로써, 고리 형상의 2차 광원을 형성하고 있다. 그 결과, 종래 기술에서는 개구 조리개에서 큰 광량 손실이 발생하고, 나아가서는 노광 장치의 스루풋(throughput)이 저하한다고 하는 문제가 있었다.
본 발명은 광량 손실을 양호하게 억제하면서 둘레 방향 편광 상태의 고리 형상의 조명 동공 분포를 형성하는 것을 목적으로 한다. 또한, 본 발명은 광량 손실을 양호하게 억제하면서 둘레 방향 편광 상태의 고리 형상의 조명 동공 분포를 형성함으로써, 적절한 조명 조건하에 임의 방향의 미세 패턴을 충실히, 또한 높은 처리량으로 전사하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 제 1 형태에서는, 입사 광속에 근거해 소정면에 소정 광강도 분포를 형성하기 위한 광속 변환 소자에서, 선광성(旋光性)을 갖는 광학 재료에 의해 형성되어 상기 입사 광속에 근거해 상기 소정 광강도 분포 중 제 1 영역 분포를 형성하기 위한 제 1 기본 소자와, 선광성을 갖는 광학 재료에 의해 형성되어 상기 입사 광속에 근거해 상기 소정 광강도 분포 중 제 2 영역 분포를 형성하기 위한 제 2 기본 소자를 구비하고, 상기 제 1 기본 소자와 상기 제 2 기본 소자는 빛의 투과 방향에 따른 두께가 서로 다른 것을 특징으로 하는 광속 변환 소자를 제공한다.
본 발명의 제 2 형태에서는, 입사 광속에 근거해, 해당 입사 광속의 단면 형상과는 다른 형상의 소정 광강도 분포를 소정면 상에 형성하기 위한 광속 변환 소자에서, 상기 소정면 상에 상기 소정 광강도 분포를 형성하기 위한 회절면 또는 굴절면을 구비하고, 상기 소정 광강도 분포는 상기 소정면에서의 소정 점을 중심으로 하는 소정 고리 형상 영역인 소정 고리 형상 영역의 적어도 일부에 분포하며, 상기 소정 고리 형상 영역을 통과하는 상기 광속 변환 소자로부터의 광속은 상기 소정 고리 형상 영역의 원주 방향을 편광 방향으로 하는 직선 편광을 주성분으로 하는 편광 상태를 갖는 것을 특징으로 하는 광속 변환 소자를 제공한다.
본 발명의 제 3 형태에서는, 광원으로부터의 광속에 근거해 피조사면을 조명하는 조명 광학 장치에서, 상기 조명 광학 장치의 조명 동공 또는 그 근방에 조명 동공 분포를 형성하기 위해 상기 광원으로부터의 광속을 변환하기 위한 제 1 형태 또는 제 2 형태의 광속 변환 소자를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 조명 광학 장치를 제공한다.
본 발명의 제 4 형태에서는, 마스크를 조명하기 위한 제 3 형태의 조명 광학 장치를 구비하고, 상기 마스크의 패턴을 감광성 기판 상에 노광하는 것을 특징으로 하는 노광 장치를 제공한다.
본 발명의 제 5 형태에서는, 제 3 형태의 조명 광학 장치를 이용하여 마스크를 조명하는 조명 공정과, 상기 마스크의 패턴을 감광성 기판 상에 노광하는 노광 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 노광 방법을 제공한다.
본 발명의 조명 광학 장치에서, 개구 조리개에서 큰 광량 손실이 발생하는 종래 기술과는 달리, 광속 변환 소자로서의 회절 광학 소자의 회절 작용과 선광 작용에 의해, 광량 손실을 실질적으로 발생시키지 않고, 둘레 방향 편광 상태의 고리 형상의 조명 동공 분포를 형성할 수 있다. 즉, 본 발명의 조명 광학 장치에서, 광량 손실을 양호하게 억제하면서 둘레 방향 편광 상태의 고리 형상의 조명 동공 분포를 형성할 수 있다.
또, 본 발명의 조명 광학 장치를 이용하는 노광 장치 및 노광 방법에서, 광량 손실을 양호하게 억제하면서 둘레 방향 편광 상태의 고리 형상의 조명 동공 분포를 형성할 수 있는 조명 광학 장치를 이용하고 있으므로, 적절한 조명 조건하에서 임의 방향의 미세 패턴을 충실히, 또한 높은 스루풋으로 전사할 수 있어, 나아가서는 높은 스루풋으로 양호한 디바이스를 제조할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 조명 광학 장치를 구비한 노광 장치의 구성을 개략적으로 나타내는 도면,
도 2는 고리 형상 조명에서 형성되는 고리 형상의 2차 광원을 나타내는 도면,
도 3은 도 1에서 아포칼 렌즈(afocal lens)의 앞쪽 렌즈군과 뒤쪽 렌즈군사이의 광로 중에 배치된 원추 액시콘(axicon)계의 구성을 개략적으로 나타내는 도면,
도 4는 고리 형상의 2차 광원에 대한 원추 액시콘계의 작용을 설명하는 도면,
도 5는 고리 형상의 2차 광원에 대한 줌 렌즈의 작용을 설명하는 도면,
도 6은 도 1에서 아포칼 렌즈의 앞쪽 렌즈군과 뒤쪽 렌즈군사이의 광로 중에 배치된 제 1 실린드리컬(cylinderical) 렌즈쌍 및 제 2 실린드리컬 렌즈쌍의 구성을 개략적으로 나타내는 도면,
도 7은 고리 형상의 2차 광원에 대한 제 1 실린드리컬 렌즈쌍 및 제 2 실린드리컬 렌즈쌍의 작용을 설명하는 제 1 도면,
도 8은 고리 형상의 2차 광원에 대한 제 1 실린드리컬 렌즈쌍 및 제 2 실린드리컬 렌즈쌍의 작용을 설명하는 제 2 도면,
도 9는 고리 형상의 2차 광원에 대한 제 1 실린드리컬 렌즈쌍 및 제 2 실린드리컬 렌즈쌍의 작용을 설명하는 제 3 도면,
도 10은 도 1의 편광 모니터의 내부 구성을 개략적으로 나타내는 사시도,
도 11은 본 실시예에 관계되는 둘레 방향 편광 고리 형상 조명용 회절 광학 소자의 구성을 개략적으로 나타내는 도면,
도 12는 둘레 방향 편광 상태로 설정된 고리 형상의 2차 광원을 개략적으로 나타내는 도면,
도 13은 제 1 기본 소자의 작용을 설명하는 도면,
도 14는 제 2 기본 소자의 작용을 설명하는 도면,
도 15는 제 3 기본 소자의 작용을 설명하는 도면,
도 16은 제 4 기본 소자의 작용을 설명하는 도면,
도 17은 수정의 선광성에 대하여 설명하는 도면,
도 18은 둘레 방향에 따라서 서로 간격을 띈 8개의 원호상 영역으로 이루어지는 둘레 방향 편광 상태의 8극상의 2차 광원 및 둘레 방향에 따라서 서로 이격한 4개의 원호상 영역에 관계되는 둘레 방향 편광 상태의 4극상의 2차 광원을 나타내는 도면,
도 19는 둘레 방향에 따라서 서로 중복하는 8개의 원호상 영역으로 이루어지는 둘레 방향 편광 상태의 고리 형상의 2차 광원을 나타내는 도면,
도 20은 둘레 방향에 따라서 서로 이격한 6개의 원호상 영역으로 이루어지는 둘레 방향 편광 상태의 6극상의 2차 광원 및 둘레 방향에 따라서 서로 간격을 띈 복수 영역과 광축상의 영역을 가지는 둘레 방향 편광 상태의 2차 광원을 나타내는 도면,
도 21은 둘레 방향 편광 고리 형상 조명용 회절 광학 소자의 입사측의 면을 평면상으로 나타낸 도면,
도 22는 마이크로 디바이스로서의 반도체 디바이스를 얻을 때의 수법의 흐름도,
도 23은 마이크로 디바이스로서의 액정 표시 장치를 얻을 때의 수법의 흐름도이다.
본 발명의 실시예를 첨부 도면에 근거해 설명한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 조명 광학 장치를 구비한 노광 장치의 구성을 개략적으로 나타내는 도면이다. 도 1에서, 감광성 기판인 웨이퍼(W)의 법선 방향을 따라서 Z축을, 웨이퍼(W)의 면 내에서 도 1의 지면에 평행인 방향으로 Y축을, 웨이퍼(W)의 면 내에서 도 1의 지면에 수직인 방향으로 X축을 각각 설정하고 있다. 본 실시예의 노광 장치는 노광광(조명광)을 공급하기 위한 광원(1)을 구비하고 있다.
광원(1)으로서, 예컨대, 248nm의 파장의 빛을 공급하는 KrF 엑시머 레이저 광원이나 193nm의 파장의 빛을 공급하는 ArF 엑시머 레이저 광원 등을 이용할 수 있다. 광원(1)으로부터 Z 방향을 따라 사출된 거의 평행한 광속은 X 방향을 따라 가늘고 길게 연장된 직사각형 형상의 단면을 갖고, 한 쌍의 렌즈(2a, 2b)로 이루어지는 빔 익스팬더(beam expander)(2)에 입사된다. 각 렌즈(2a, 2b)는 도 1의 지면 내(YZ 평면 내)에서 부(負)의 굴절력 및 정(正)의 굴절력을 각각 갖는다. 따라서, 빔 익스팬더(2)에 입사된 광속은 도 1의 지면 내에서 확대되어 소정 직사각형 형상의 단면을 갖는 광속으로 정형된다.
정형 광학계로서의 빔 익스팬더(2)를 통과한 거의 평행한 광속은 절곡(折曲) 미러(3)에서 Y 방향으로 편향된 뒤, 1/4 파장판(4a), 1/2 파장판(4b), 디폴라라이저(비편광화 소자)(4c) 및 고리 형상 조명용 회절 광학 소자(5)를 통해 아포칼 렌즈(6)에 입사된다. 여기서, 1/4 파장판(4a), 1/2 파장판(4b) 및 디폴라라이저(4c)는 후술하는 바와 같이, 편광 상태 전환 수단(4)을 구성하고 있다. 아포칼 렌즈(6)는 그 앞쪽 초점 위치와 회절 광학 소자(5)의 위치가 거의 일치하고, 또한 그 뒤쪽 초점 위치와 도면 중 파선으로 나타내는 소정면(7)의 위치가 거의 일치하도록 설정된 아포칼계(무초점 광학계)이다.
일반적으로, 회절 광학 소자는 기판에 노광광(조명광)의 파장 정도의 피치를 갖는 단차를 형성함으로써, 구성되어, 입사빔을 소망 각도로 회절하는 작용을 갖는다. 구체적으로는 고리 형상 조명용 회절 광학 소자(5)는 직사각형 형상의 단면을 갖는 평행 광속이 입사했을 경우, 그 파 필드(far-field)(또는 프라운호퍼(Fraunhofer) 회절 영역)에 고리 형상의 광강도 분포를 형성하는 기능을 갖는다. 따라서, 광속 변환 소자로서의 회절 광학 소자(5)에 입사된 대부분의 평행 광속은 아포칼 렌즈(6)의 동공면에 고리 형상의 광강도 분포를 형성한 뒤, 거의 평행 광속이 되어 아포칼 렌즈(6)로부터 사출된다.
또, 아포칼 렌즈(6)의 앞쪽 렌즈군(6a)과 뒤쪽 렌즈군(6b)사이의 광로 중에서, 그 동면 또는 그 근방에는 광원쪽으로부터 순서대로 원추 액시콘계(8), 제 1 실린드리컬 렌즈쌍(9) 및 제 2 실린드리컬 렌즈쌍(10)이 배치되어 있지만, 그 상세한 구성 및 작용에 대해서는 후술한다. 이하, 설명을 간단하게 하기 위해 원추 액시콘계(8), 제 1 실린드리컬 렌즈계(9) 및 제 2 실린드리컬 렌즈계(10)의 작용을 무시하고 기본적인 구성 및 작용을 설명하는다.
아포칼 렌즈(6)를 통한 광속은 σ값 가변용 줌 렌즈(11)를 통해 광학 인테그레이터로서의 마이크로 플라이 아이 렌즈(또는 플라이 아이 렌즈)(12)에 입사된다. 마이크로 플라이 아이 렌즈(12)는 종횡으로, 또한 조밀하게 배열된 다수의 정 굴절력을 갖는 미소 렌즈로 이루어지는 광학 소자이다. 일반적으로, 마이크로 플라이 아이 렌즈는, 예컨대, 평행 평면판에 에칭 처리를 실시하여 미소 렌즈군을 형성함으로써, 구성된다.
여기서, 마이크로 플라이 아이 렌즈를 구성하는 각 미소 렌즈는 플라이 아이 렌즈를 구성하는 렌즈 요소보다 미소하다. 또, 마이크로 플라이 아이 렌즈는 서로 격절(隔絶)된 렌즈 요소로 이루어지는 플라이 아이 렌즈와는 달리, 다수의 미소 렌즈(미소 굴절면)가 서로 격절되지 않고 일체적으로 형성되어 있다. 그러나, 정 굴절력을 갖는 렌즈 요소가 종횡으로 배치되어 있는 점에서 마이크로 플라이 아이 렌즈는 플라이 아이 렌즈와 같은 파면 분할형 광학 인테그레이터이다.
소정면(7)의 위치는 줌 렌즈(11)의 앞쪽 초점 위치의 근방에 배치되고, 마이크로 플라이 아이 렌즈(12)의 입사면은 줌 렌즈(11)의 뒤쪽 초점 위치의 근방에 배치되어 있다. 환언하면, 줌 렌즈(11)는 소정면(7)과 마이크로 플라이 아이 렌즈(12)의 입사면을 실질적으로 푸리에(Fourier) 변환의 관계로 배치하고, 나아가서는 아포칼 렌즈(6)의 동면과 마이크로 플라이 아이 렌즈(12)의 입사면을 광학적으로 거의 공역으로 배치하고 있다.
따라서, 마이크로 플라이 아이 렌즈(12)의 입사면 상에는 아포칼 렌즈(6)의 동면과 마찬가지로, 예컨대, 광축(AX)을 중심으로 한 고리 형상의 조야(照野)가 형성된다. 이 고리 형상의 조야의 전체 형상은 줌 렌즈(11)의 초점거리에 의존하여 서로 유사하게 변화한다. 마이크로 플라이 아이 렌즈(12)를 구성하는 각 미소 렌즈는 마스크(M) 상에 있어 형성해야 할 조야의 형상(나아가서는 웨이퍼(W) 상에 있어 형성해야 할 노광 영역의 형상)과 서로 유사한 직사각형 형상의 단면을 갖는다.
마이크로 플라이 아이 렌즈(12)에 입사된 광속은 다수의 미소 렌즈에 의해 2차원적으로 분할되고, 그 뒤쪽 초점면(나아가서는 조명 동공)에는 도 2에 나타내는 바와 같이, 입사 광속에 의해 형성되는 조야와 거의 같은 광강도 분포를 갖는 2차 광원, 즉, 광축(AX)을 중심으로 한 고리 형상의 실질적인 면 광원으로 이루어지는 2차 광원이 형성된다. 마이크로 플라이 아이 렌즈(12)의 뒤쪽 초점면에 형성된 2차 광원(일반적으로는, 조명 광학 장치의 동면 또는 그 근방에 형성된 조명 동공 분포)으로부터의 광속은 빔 스플리터(beam splitter)(13a) 및 콘덴서 광학계(14)를 통과한 뒤, 마스크 블라인드(15)를 중첩적으로 조명한다.
이렇게 해서, 조명 시야 조리개로서의 마스크 블라인드(15)에는 마이크로 플라이 아이 렌즈(12)를 구성하는 각 미소 렌즈의 형상과 초점거리에 따른 직사각형 형상의 조야가 형성된다. 또, 빔 스플리터(13a)를 내장하는 편광 모니터(13)의 내부 구성 및 작용에 대해서는 후술한다. 마스크 블라인드(15)의 직사각형 형상의 개구부(광투과부)를 통과한 광속은 결상 광학계(16)의 집광 작용을 받은 뒤, 소정 패턴이 형성된 마스크(M)를 중첩적으로 조명한다.
즉, 결상 광학계(16)는 마스크 블라인드(15)의 직사각형 형상 개구부의 이미지를 마스크(M) 상에 형성하게 된다. 마스크(M)의 패턴을 투과한 광속은 투영 광학계(PL)를 통하여 감광성 기판인 웨이퍼(W) 상에 마스크 패턴의 이미지를 형성한다. 이렇게 해서, 투영 광학계(PL)의 광축(AX)과 직교하는 평면(XY 평면) 내에서 웨이퍼(W)를 2차원적으로 구동 제어하면서 일괄 노광 또는 스캔 노광을 하는 것에 의해, 웨이퍼(W)의 각 노광 영역에는 마스크(M)의 패턴이 순서대로 노광된다.
또, 편광 상태 전환 수단(4)에서 1/4 파장판(4a)은 광축(AX)을 중심으로 결정 광학축이 회전이 자유롭게 구성되어, 입사되는 타원 편광의 빛을 직선 편광의 빛으로 변환한다. 또한, 1/2 파장판(4b)은 광축(AX)을 중심으로 결정 광학축이 회전이 자유롭게 구성되어, 입사되는 직선 편광의 편광면을 변화시킨다. 또한, 디폴라라이저(4c)는 상보적인 형상을 갖는 쐐기 형상의 수정 프리즘(도시하지 않음)과 쐐기 형상의 석영 프리즘(도시하지 않음)에 의해 구성되어 있다. 수정 프리즘과 석영 프리즘은 일체적인 프리즘 조립체로서 조명 광로에 대하여 착탈이 자유롭게 구성되어 있다.
광원(1)으로서 KrF 엑시머 레이저 광원이나 ArF 엑시머 레이저 광원을 이용하는 경우, 이들 광원으로부터 사출되는 빛은 전형적으로는 95% 이상의 편광도를 갖고, 1/4 파장판(4a)에는 거의 직선 편광의 빛이 입사된다. 그러나, 광원(1)과 편광 상태 전환 수단(4) 사이의 광로 중에 이면 반사경으로서의 직각 프리즘이 개재되는 경우, 입사되는 직선 편광의 편광면이 P 편광면 또는 S 편광면에 일치하지 않으면 직각 프리즘에서의 전반사에 의해 직선 편광이 타원 편광으로 변한다.
편광 상태 전환 수단(4)에서는, 예컨대, 직각 프리즘에서의 전반사에 기인하여 타원 편광의 빛이 입사해도, 1/4 파장판(4a)의 작용에 의해 변환된 직선 편광의 빛이 1/2 파장판(4b)에 입사된다. 1/2 파장판(4b)의 결정 광학축이 입사되는 직선 편광의 편광면에 0도 또는 90도의 각도를 이루도록 설정된 경우, 1/2 파장판(4b)에 입사된 직선 편광의 빛은 편광면이 변화하지 않고 그대로 통과한다.
또, 1/2 파장판(4b)의 결정 광학축이 입사되는 직선 편광의 편광면에 대하여 45도의 각도를 이루도록 설정된 경우, 1/2 파장판(4b)에 입사된 직선 편광의 빛은 편광면이 90도만큼 변화된 직선 편광의 빛으로 변환된다. 또한, 디폴라라이저(4c)의 수정 프리즘의 결정 광학축이 입사되는 직선 편광의 편광면에 대하여 45도의 각도를 이루도록 설정된 경우, 수정 프리즘에 입사된 직선 편광의 빛은 비편광 상태의 빛으로 변환(비편광화)된다.
편광 상태 전환 수단(4)에서는 디폴라라이저(4c)가 조명 광로 중에 위치 결정 되었을 때, 수정 프리즘의 결정 광학축이 입사되는 직선 편광의 편광면에 대하여 45도의 각도를 이루도록 구성되어 있다. 덧붙여서 말하면, 수정 프리즘의 결정 광학축이 입사되는 직선 편광의 편광면에 대하여 0도 또는 90도의 각도를 이루도록 설정된 경우, 수정 프리즘에 입사된 입사 편광의 빛은 편광면이 변화하지 않고 그대로 통과한다. 또, 1/2 파장판(4b)의 결정 광학축이 입사되는 직선 편광의 편광면에 대하여 22.5도의 각도를 이루도록 설정된 경우, 1/2 파장판(4b)에 입사된 직선 편광의 빛은 편광면이 변화하지 않고 그대로 통과하는 직선 편광 성분과 편광면이 90도만큼 변화한 직선 편광 성분을 포함하는 비편광 상태의 빛으로 변환된다.
편광 상태 전환 수단(4)에서는, 상술한 바와 같이, 직선 편광의 빛이 1/2 파장판(4b)에 입사되지만, 이하의 설명을 간단히 하기 위해, 도 1에서 Z 방향으로 편광 방향(전기장의 방향)을 갖는 직선 편광(이하, 「Z 방향 편광」이라 칭함)의 빛이 1/2 파장판(4b)에 입사되는 것으로 한다. 디폴라라이저(4c)를 조명 광로 중에 위치 결정한 경우, 1/2 파장판(4b)의 결정 광학축을 입사되는 Z 방향 편광의 편광면(편광 방향)에 대하여 0도 또는 90도의 각도를 이루도록 설정하면, 1/2 파장판(4b)에 입사된 Z 방향 편광의 빛은 편광면이 변화하지 않고 Z 방향 편광 그대로 통과하여 디폴라라이저(4c)의 수정 프리즘에 입사된다. 수정 프리즘의 결정 광학축은 입사되는 Z 방향 편광의 편광면에 대하여 45도의 각도를 이루도록 설정되어 있으므로 수정 프리즘에 입사된 Z 방향 편광의 빛은 비편광 상태의 빛으로 변환된다.
수정 프리즘을 통해 비편광화된 빛은 빛의 진행 방향을 보상하기 위한 보상기로서의 석영 프리즘을 통해 비편광 상태로 회절 광학 소자(5)에 입사된다. 한편, 1/2 파장판(4b)의 결정 광학축을 입사되는 Z 방향 편광의 편광면에 대하여 45도의 각도를 이루도록 설정하면, 1/2 파장판(4b)에 입사된 Z 방향 편광의 빛은 편광면이 90도만큼 변화하고, 도 1에서 X 방향으로 편광 방향(전기장의 방향)을 갖는 직선 편광(이하, 「X 방향 편광」이라 칭함)의 빛으로 되어 디폴라라이저(4c)의 수정 프리즘에 입사된다. 수정 프리즘의 결정 광학축은 입사되는 X 방향 편광의 편광면에 대하여 45도의 각도를 이루도록 설정되어 있으므로 수정 프리즘에 입사된 X 방향 편광의 빛은 비편광 상태의 빛으로 변환되고, 석영 프리즘을 통해, 비편광 상태로 회절 광학 소자(5)에 입사된다.
이에 대하여, 디폴라라이저(4c)를 조명 광로로부터 후퇴시킨 경우, 1/2 파장판(4b)의 결정 광학축을 입사되는 Z 방향 편광의 편광면에 대하여 0도 또는 90도의 각도를 이루도록 설정하면, 1/2 파장판(4b)에 입사된 Z 방향 편광의 빛은 편광면이 변화하지 않고 Z 방향 편광 그대로 통과하고, Z 방향 편광 상태로 회절 광학 소자(5)에 입사된다. 한편, 1/2 파장판(4b)의 결정 광학축을 입사되는 Z 방향 편광의 편광면에 대하여 45도의 각도를 이루도록 설정하면, 1/2 파장판(4b)에 입사된 Z 방향 편광의 빛은 편광면이 90도만큼 변화되어 X 방향 편광의 빛으로 되고, X 방향 편광 상태로 회절 광학 소자(5)에 입사된다.
이상과 같이, 편광 상태 전환 수단(4)에서는 디폴라라이저(4c)를 조명 광로 중에 삽입하여 위치 결정함으로써, 비편광 상태의 빛을 회절 광학 소자(5)에 입사시킬 수 있다. 또한, 디폴라라이저(4c)를 조명 광로로부터 후퇴시키고, 또한 1/2 파장판(4b)의 결정 광학축을 입사되는 Z 방향 편광의 편광면에 대하여 0도 또는 90도의 각도를 이루도록 설정함으로써, Z 방향 편광 상태의 빛을 회절 광학 소자(5)에 입사시킬 수 있다. 또한, 디폴라라이저(4c)를 조명 광로로부터 후퇴시키고, 또한 1/2 파장판(4b)의 결정 광학축을 입사되는 Z 방향 편광의 편광면에 대하여 45도를 이루도록 설정함으로써, X 방향 편광 상태의 빛을 회절 광학 소자(5)에 입사시킬 수 있다.
환언하면, 편광 상태 전환 수단(4)에서는 1/4 파장판(4a)과 1/2 파장판(4b)과 디폴라라이저(4c)로 이루어지는 편광 상태 전환 수단의 작용에 의해, 회절 광학 소자(5)에의 입사광의 편광 상태(후술하는 본 발명에 따른 둘레 방향 편광 고리 형상 조명용 회절 광학 소자 이외의 통상의 회절 광학 소자를 이용하는 경우에는 마스크(M) 및 웨이퍼(W)를 조명하는 빛의 편광 상태)를 직선 편광 상태와 비편광 상태 사이에서 전환할 수 있고, 직선 편광 상태의 경우에는 서로 직교하는 편광 상태 사이(Z 방향 편광과 X 방향 편광 사이)에서 전환할 수 있다.
도 3은 도 1에서 아포칼 렌즈의 앞쪽 렌즈군과 뒤쪽 렌즈군 사이의 광로 중에 배치된 원추 액시콘계의 구성을 개략적으로 나타내는 도면이다. 원추 액시콘계(8)는 광원쪽으로부터 순서대로, 광원쪽에 평면을 향하고, 또한 마스크쪽에 오목 원추형 굴절면을 향한 제 1 프리즘 부재(8a)와, 마스크쪽의 평면을 향하고, 또한 광원쪽의 볼록 원추형 굴절면을 향한 제 2 프리즘 부재(8b)로 구성되어 있다.
그리고, 제 1 프리즘 부재(8a)의 오목 원추형 굴절면과 제 2 프리즘 부재(8b)의 볼록 원추형 굴절면은 서로 접촉 가능하도록 상보적(相補的)으로 형성되어 있다. 또한, 제 1 프리즘 부재(8a) 및 제 2 프리즘 부재(8b) 중 적어도 한쪽의 부재가 광축(AX)을 따라 이동 가능하게 구성되고, 제 1 프리즘 부재(8a)의 오목 원추형 굴절면과 제 2 프리즘 부재(8b)의 볼록 원추형 굴절면의 간격이 가변적으로 구성되어 있다.
여기서, 제 1 프리즘 부재(8a)의 오목 원추형 굴절면 및 제 2 프리즘 부재(8b)의 볼록 원추형 굴절면이 서로 접촉하고 있는 상태에서는, 원추 액시콘계(8)는 평행 평면판으로서 기능하고, 형성되는 고리 형상의 2차 광원에 미치는 영향은 없다. 그러나, 제 1 프리즘 부재(8a)의 오목 원추형 굴절면과 제 2 프리즘 부재(8b)의 볼록 원추형 굴절면을 이격시키면, 원추 액시콘계(8)는 이른바 빔 익스팬더로서 기능한다. 따라서, 원추 액시콘계(8)의 간격 변화에 따라 소정면(7)으로의 입사 광속의 각도는 변화된다.
도 4는 고리 형상의 2차 광원에 대한 원추 액시콘계의 작용을 설명하는 도면이다. 도 4를 참조하면, 원추 액시콘계(8)의 간격이 0이고, 또한 줌 렌즈(11)의 초점거리가 최소값으로 설정된 상태(이하, 「표준 상태」라 함)로 형성된 가장 작은 고리 형상의 2차 광원(30a)이 원추 액시콘계(8)의 간격을 0으로부터 소정 값까지 확대시킴으로써, 그 폭(외경과 내경의 차의 1/2 : 도면 중 화살표로 나타냄)이 변화하지 않고 그 외경 및 내경이 함께 확대된 고리 형상의 2차 광원(30b)으로 변화한다. 환원하면, 원추 액시콘계(8)의 작용에 의해 고리 형상의 2차 광원의 폭이 변화하지 않고 그 고리 형상 비(내경/외경) 및 크기(외경)가 함께 변화한다.
도 5는 고리 형상의 2차 광원에 대한 줌 렌즈의 작용을 설명하는 도면이다. 도 5를 참조하면, 표준 상태로 형성된 고리 형상의 2차 광원(30a)이 줌 렌즈(11)의 초점거리를 최소값으로부터 소정 값으로 확대시킴으로써, 그 전체 형상이 서로 유사하게 확대된 고리 형상의 2차 광원(30c)으로 변화한다. 환언하면, 줌 렌즈(11)의 작용에 의해 고리 형상의 2차 광원의 고리 형상 비(比)가 변화하지 않고 그 폭 및 크기(외경)가 함께 변화한다.
도 6은 도 1에서 아포칼 렌즈의 앞쪽 렌즈군과 뒤쪽 렌즈군 사이의 광로 중에 배치된 제 1 실린드리컬 렌즈쌍 및 제 2 실린드리컬 렌즈쌍의 구성을 개략적으로 나타내는 도면이다. 도 6에서 광원쪽으로부터 순서대로, 제 1 실린드리컬 렌즈쌍(9) 및 제 2 실린드리컬 렌즈쌍(10)이 배치되어 있다. 제 1 실린드리컬 렌즈쌍(9)은 광원쪽으로부터 순서대로, 예컨대, YZ 평면 내에 부 굴절력을 갖고 XY 평면 내에 무(無) 굴절력의 제 1 실린드리컬 부렌즈(9a)와, 마찬가지로 YZ 평면 내에 정 굴절력을 갖고 XY 평면 내에 무 굴절력의 제 1 실린드리컬 정렌즈(9b)에 의해 구성되어 있다.
한편, 제 2 실린드리컬 렌즈쌍(10)은 광원쪽으로부터 순서대로, 예컨대, XY 평면 내에 부 굴절력을 갖고 YZ 평면 내에 무 굴절력의 제 2 실린드리컬 부렌즈(10a)와, 마찬가지로 XY 평면 내에 정 굴절력을 갖고 YZ 평면 내에 무 굴절력의 제 2 실린드리컬 정렌즈(10b)에 의해 구성되어 있다. 제 1 실린드리컬 부렌즈(9a)와 제 1 실린드리컬 정렌즈(9b)는 광축(AX)을 중심으로 일체적으로 회전하도록 구성되어 있다. 마찬가지로, 제 2 실린드리컬 부렌즈(10a)와 제 2 실린드리컬 정렌즈(10b)는 광축(AX)을 중심으로 일체적으로 회전하도록 구성되어 있다.
이렇게 해서, 도 6에 나타내는 상태에서, 제 1 실린드리컬 렌즈쌍(9)은 Z 방향으로 파워를 갖는 빔 익스팬더로서 기능하고, 제 2 실린드리컬 렌즈쌍(10)은 X 방향으로 파워를 갖는 빔 익스팬더로서 기능한다. 또, 제 1 실린드리컬 렌즈쌍(9)의 파워와 제 2 실린드리컬 렌즈쌍(10)의 파워는 서로 같게 설정되어 있다.
도 7 내지 도 9는 고리 형상의 2차 광원에 대한 제 1 실린드리컬 렌즈쌍 및 제 2 실린드리컬 렌즈쌍의 작용을 설명하는 도면이다. 도 7에서는 제 1 실린드리컬 렌즈쌍(9)의 파워 방향이 Z 축에 대하여 광축(AX) 방향으로 +45도의 각도를 이루고, 제 2 실린드리컬 렌즈쌍(10)의 파워 방향이 Z 축에 대하여 광축(AX) 방향으로 -45도의 각도를 이루도록 설정되어 있다.
따라서, 제 1 실린드리컬 렌즈쌍(9)의 파워 방향과 제 2 실린드리컬 렌즈쌍(10)의 파워 방향이 서로 직교하고, 제 1 실린드리컬 렌즈쌍(9)과 제 2 실린드리컬 렌즈쌍(10)의 합성계에서 Z 방향의 파워와 X 방향의 파워가 서로 같게 된다. 그 결과, 도 7에 나타내는 진원(眞圓) 상태에서는 제 1 실린드리컬 렌즈쌍(9)과 제 2 실린드리컬 렌즈쌍(10)의 합성계를 통과하는 광속은 Z 방향 및 X 방향으로 같은 파워로 확대 작용을 받게 되고, 조명 동공에는 진원 고리 형상의 2차 광원이 형성되게 된다.
이에 대하여, 도 8에서는 제 1 실린드리컬 렌즈쌍(9)의 파워 방향이 Z축에 대하여 광축(AX) 방향으로, 예컨대, +80도의 각도를 이루고, 제 2 실린드리컬 렌즈쌍(10)의 파워 방향이 Z축에 대하여 광축(AX) 방향으로, 예컨대, -80도의 각도를 이루도록 설정되어 있다. 따라서, 제 1 실린드리컬 렌즈쌍(9)과 제 2 실린드리컬 렌즈쌍(10)의 합성계에서 Z 방향의 파워보다 X 방향의 파워가 커진다. 그 결과, 도 8에 나타내는 횡타원(橫楕圓) 상태에서는 제 1 실린드리컬 렌즈쌍(9)과 제 2 실린드리컬 렌즈쌍(10)의 합성계를 통과하는 광속은 Z 방향보다 X 방향이 큰 파워로 확대 작용을 받게 되고, 조명 동공에는 X 방향으로 가늘고 긴, 가로 방향으로 긴 고리 형상의 2차 광원이 형성되게 된다.
한편 도 9에서는 제 1 실린드리컬 렌즈쌍(9)의 파워 방향이 Z축에 대하여 광축(AX) 방향으로, 예컨대, +10도의 각도를 이루고, 제 2 실린드리컬 렌즈쌍(10)의 파워 방향이 Z 축에 대하여 광축(AX) 방향으로, 예컨대, -10도의 이루도록 설정되어 있다. 따라서, 제 1 실린드리컬 렌즈쌍(9)과 제 2 실린드리컬 렌즈쌍(10)의 합성계에서 X 방향의 파워보다 Z 방향의 파워가 커진다. 그 결과, 도 9에 나타내는 종타원(縱楕圓) 상태에서는 제 1 실린드리컬 렌즈쌍(9)과 제 2 실린드리컬 렌즈쌍(10)의 합성계를 통과하는 광속은 X 방향보다 Z 방향이 큰 파워로 확대 작용을 받게 되고, 조명 동공에는 Z 방향으로 가늘고 긴, 세로 방향으로 긴 고리 형상의 2차 광원이 형성되게 된다.
또한, 제 1 실린드리컬 렌즈쌍(9) 및 제 2 실린드리컬 렌즈쌍(10)을 도 7에 나타내는 진원 상태와 도 8에 나타내는 횡타원 상태 사이의 임의 상태로 설정함으로써, 여러 가지 종횡비에 따른 가로 방향으로 긴 고리 형상의 2차 광원을 형성할 수 있다. 또한, 제 1 실린드리컬 렌즈쌍(9) 및 제 2 실린드리컬 렌즈쌍(10)을 도 7에 나타내는 진원 상태와 도 9에 나타내는 종타원 상태 사이의 임의 상태로 설정함으로써, 여러 가지 종횡비에 따른 세로 방향으로 긴 고리 형상의 2차 광원을 형성할 수 있다.
도 10은 도 1의 편광 모니터의 내부 구성을 개략적으로 나타내는 사시도이다. 도 10을 참조하면, 편광 모니터(13)는 마이크로 플라이 아이 렌즈(12)와 콘덴서 광학계(14) 사이 광로 중에 배치된 제 1 빔 스플리터(13a)를 구비하고 있다. 제 1 빔 스플리터(13a)는, 예컨대, 석영 유리에 의해 형성된 논코트(non-coat)의 평행 평면판(즉, 소유리)의 형태를 갖고, 입사광의 편광 상태와는 다른 편광 상태의 반사광을 광로로부터 출력하는 기능을 갖는다.
제 1 빔 스플리터(13a)에 의해 광로로부터 취출된 빛은 제 2 빔 스플리터(13b)에 입사된다. 제 2 빔 스플리터(13b)는 제 1 빔 스플리터(13a)와 마찬가지로, 예컨대, 석영 유리에 의해 형성된 논코트의 평행 평면판의 형태를 갖고, 입사광의 편광 상태와는 다른 편광 상태의 반사광을 발생시키는 기능을 갖는다. 그리고, 제 1 빔 스플리터(13a)에 대한 P 편광이 제 2 빔 스플리터(13b)에 대한 S 편광으로 되고, 제 1 빔 스플리터(13a)에 대한 S 편광이 제 2 빔 스플리터(13b)에 대한 P 편광으로 되도록 설정되어 있다.
또, 제 2 빔 스플리터(13b)를 투과한 빛은 제 1 광강도 검출기(13c)에 의해 검출되고, 제 2 빔 스플리터(13b)에서 반사된 빛은 제 2 광강도 검출기(13d)에 의해 검출된다. 제 1 광강도 검출기(13c) 및 제 2 광강도 검출기(13d)의 출력은 각각 제어부(도시하지 않음)에 공급된다. 제어부는 편광 상태 전환 수단(4)을 구성하는 1/4 파장판(4a), 1/2 파장판(4b) 및 디폴라라이저(4c)를 필요에 따라 구동한다.
상술한 바와 같이, 제 1 빔 스플리터(13a) 및 제 2 빔 스플리터(13b)에서 P 편광에 대한 반사율과 S 편광에 대한 반사율이 실질적으로 다르다. 따라서, 편광 모니터(13)에서는, 제 1 빔 스플리터(13a)로부터의 반사광이, 예컨대, 제 1 빔 스플리터(13a)에의 입사광의 10% 정도의 S 편광 성분(제 1 빔 스플리터(13a)에 대한 S 편광 성분으로서, 제 2 빔 스플리터(13b)에 대한 P 편광 성분)과, 예컨대, 제 1 빔 스플리터(13a)에의 입사광의 1% 정도의 P 편광 성분(제 1 빔 스플리터(13a)에 대한 P 편광 성분으로서, 제 2 빔 스플리터(13b)에 대한 S 편광 성분)을 포함하게 된다.
또한, 제 2 빔 스플리터(13b)로부터의 반사광은, 예컨대, 제 1 빔 스플리터(13a)에의 입사광의 10%×1%=0.1% 정도의 P 편광 성분(제 1 빔 스플리터(13a)에 대한 P 편광 성분으로서, 제 2 빔 스플리터(13b)에 대한 S 편광 성분)과, 예컨대, 제 1 빔 스플리터(13a)에의 입사광의 1%×10%=0.1% 정도의 S 편광 성분(제 1 빔 스플리터(13a)에 대한 S 편광 성분으로서, 제 2 빔 스플리터(13b)에 대한 P 편광 성분)을 포함하게 된다.
이렇게 해서, 편광 모니터(13)에서는, 제 1 빔 스플리터(13a)가 그 반사 특성에 따라, 입사광의 편광 상태와는 다른 편광 상태의 반사광을 광로로부터 출력하는 기능을 갖는다. 그 결과, 제 2 빔 스플리터(13b)의 편광 특성에 의한 편광 변동의 영향을 약간 받지만, 제 1 광강도 검출기(13c)의 출력(제 2 빔 스플리터(13b)의 투과광의 강도에 관한 정보, 즉, 제 1 빔 스플리터(13a)로부터의 반사광과 거의 같은 편광 상태의 빛의 강도에 관한 정보)에 근거해, 제 1 빔 스플리터 (13a)에의 입사광의 편광 상태(편광도)를, 나아가서는 마스크(M)에의 조명광의 편광 상태를 검지할 수 있다.
또한, 편광 모니터(13)에서는, 제 1 빔 스플리터(13a)에 대한 P 편광이 제 2 빔 스플리터(13b)에 대한 S 편광으로 되고, 또한, 제 1 빔 스플리터(13a)에 대한 S 편광이 제 2 빔 스플리터(13b)에 대한 P 편광으로 되도록 설정되어 있다. 그 결과, 제 2 광강도 검출기(13d)의 출력(제 1 빔 스플리터(13a) 및 제 2 빔 스플리터(13b)에서 순차적으로 반사된 빛의 강도에 관한 정보)에 근거해, 제 1 빔 스플리터(13a)에의 입사광의 편광 상태의 변화의 영향을 실질적으로 받지 않고, 제 1 빔 스플리터(13a)에의 입사광의 광량(강도)을, 나아가서는 마스크(M)에의 조명광의 광량을 검지할 수 있다.
이렇게 해서, 편광 모니터(13)를 이용하여 제 1 빔 스플리터(13a)에의 입사광의 편광 상태를 검지하고, 나아가서는 마스크(M)에의 조명광이 소망 비편광 상태 또는 직선 편광 상태가 되어 있는지 여부를 판정할 수 있다. 그리고, 제어부가 편광 모니터(13)의 검지 결과에 근거해, 마스크(M)(나아가서는 웨이퍼(W))에의 조명광이 소망 비편광 상태 또는 직선 편광 상태로 되지 않은 것을 확인한 경우, 편광 상태 전환 수단(4)을 구성하는 1/4 파장판(4a), 1/2 파장판(4b) 및 디폴라라이저(4c)를 구동 조정하여, 마스크(M)에의 조명광의 상태를 소망 비편광 상태 또는 직선 편광 상태로 조정할 수 있다.
또, 고리 형상 조명용 회절 광학 소자(5) 대신, 4극 조명용 회절 광학 소자(도시하지 않음)를 조명 광로 중에 설정함으로써, 4극 조명을 할 수 있다. 4극 조명용 회절 광학 소자는 직사각형 형상의 단면을 갖는 평행 광속이 입사된 경우에, 그 파 필드에 4극 형상의 광강도 분포를 형성하는 기능을 갖는다. 따라서, 4극 조명용 회절 광학 소자를 통과한 광속은 마이크로 플라이 아이 렌즈(12)의 입사면에, 예컨대, 광축(AX)을 중심으로 한 4개의 원 형상의 조야로 이루어지는 4극 형상의 조야를 형성한다. 그 결과, 마이크로 플라이 아이 렌즈(12)의 뒤쪽 초점면에도 그 입사면에 형성된 조야와 같은 4극 형상의 2차 광원이 형성된다.
또한, 고리 형상 조명용 회절 광학 소자(5) 대신, 원형 조명용 회절 광학 소자(도시하지 않음)를 조명 광로 중에 설정함으로써, 통상의 원형 조명을 행할 수 있다. 원형 조명용 회절 광학 소자는 직사각형 형상의 단면을 갖는 평행 광속이 입사된 경우에, 파 필드에 원 형상의 광강도 분포를 형성하는 기능을 갖는다. 따라서, 원형 조명용 회절 광학 소자를 통과한 광속은 마이크로 플라이 아이 렌즈(12)의 입사면에, 예컨대, 광축(AX)을 중심으로 한 원 형상의 조야로 이루어지는 4극 형상의 조야를 형성한다. 그 결과, 마이크로 플라이 아이 렌즈(12)의 뒤쪽 초점면에도 그 입사면에 형성된 조야와 같은 원 형상의 2차 광원이 형성된다.
또한, 고리 형상 조명용 회절 광학 소자(5) 대신, 다른 복수극 조명용 회절 광학 소자(도시하지 않음)를 조명 광로 중에 설정함으로써, 여러 가지 복수극 조명(2극 조명, 8극 조명 등)을 행할 수 있다. 마찬가지로, 고리 형상 조명용 회절 광학 소자(5) 대신, 적당한 특성을 갖는 회절 광학 소자(도시하지 않음)를 조명 광로 중에 설정함으로써, 여러 가지 형태의 변형 조명을 행할 수 있다.
본 실시예에서, 고리 형상의 회절 광학 소자(5) 대신, 이른바, 둘레 방향 편광 고리 형상 조명용 회절 광학 소자(50)를 조명 광로 중에 설정함으로써, 고리 형상의 2차 광원을 통과하는 광속이 둘레 방향 편광 상태로 설정된 변형 조명, 즉, 둘레 방향 편광 고리 형상 조명을 행할 수 있다. 도 11은 본 실시예에 따른 둘레 방향 편광 고리 형상 조명용 회절 광학 소자의 구성을 개략적으로 나타내는 도면이다. 또한, 도 12는 둘레 방향 편광 상태로 설정된 고리 형상의 2차 광원을 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 11 및 도 12를 참조하면, 본 실시예에 따른 둘레 방향 편광 고리 형상 조명용 회절 광학 소자(50)는 서로 같은 직사각형 형상의 단면을 갖고, 또한, 빛의 투과 방향(Y 방향)에 따른 두께(광축 방향의 길이)가 서로 다른 4종류의 기본 소자(50A ~ 50D)를 종횡으로, 또한 조밀하게 배치함으로써 구성되어 있다. 여기서, 제 1 기본 소자(50A)의 두께가 가장 크고, 제 4 기본 소자(50D)의 두께가 가장 작으며, 제 2 기본 소자(50B)의 두께는 제 3 기본 소자(50C)의 두께보다 크게 설정되어 있다.
또한, 회절 광학 소자(50)는 제 1 기본 소자(50A)와, 제 2 기본 소자(50B)와, 제 3 기본 소자(50C)와, 제 4 기본 소자(50D)를 거의 동수(同數) 포함하고, 4종류의 기본 소자(50A ~ 50D)는 거의 랜덤 배치되어 있다. 또한, 각 기본 소자(50A ~ 50D)의 마스크쪽에는 회절면(도면 중 사선부로 나타냄)이 형성되고, 각 기본 소자(50A ~ 50D)의 회절면이 광축(AX)(도 11에는 도시하지 않음)과 직교하는 하나의 평면에 따르도록 정렬되어 있다. 그 결과, 회절 광학 소자(50)의 마스크쪽의 면은 평면 형상이지만, 회절 광학 소자(50)의 광원쪽의 면은 각 기본 소자(50A ~ 50D)의 두께의 차이에 의해 요철 형상으로 되어있다.
그리고, 제 1 기본 소자(50A)의 회절면은 도 12에 나타내는 고리 형상의 2차 광원(31) 중, 광축(AX)을 지나는 Z 방향의 축선에 대해 대칭적인 한 쌍의 원호 형상 영역(31A)을 형성하도록 구성되어 있다. 즉, 도 13에 나타내는 바와 같이, 제 1 기본 소자(50A)는 회절 광학 소자(50)의 파 필드(나아가서는 각 기본 소자(50A ~ 50D)의 파 필드)(50E)에 광축(AX)을 지나는 Z 방향의 축선에 대해 대칭적인 한 쌍의 원호 형상의 광강도 분포(32A)(한 쌍의 원호 형상 영역(31A)에 대응)를 형성하는 기능을 갖는다.
제 2 기본 소자(50B)의 회절면은 광축(AX)을 지나는 Z 방향의 축선을 Y축 기준으로 -45도 회전시킨(도 12 중 반시계 방향으로 45도 회전시킨) 축선에 대해 대칭적인 한 쌍의 원호 형상 영역(31B)을 형성하도록 구성되어 있다. 즉, 도 14에 나타내는 바와 같이, 제 2 기본 소자(50B)는 파 필드(50E)에 광축(AX)을 지나는 Z 방향의 축선을 Y축 기준으로 -45도 회전시킨 축선에 대해 대칭적인 한 쌍의 원호 형상의 광강도 분포(32B)(한 쌍의 원호 형상 영역(31B)에 대응)를 형성하는 기능을 갖는다.
제 3 기본 소자(50C)의 회절면은 광축(AX)을 지나는 X 방향의 축선에 대해 대칭적인 한 쌍의 원호 형상 영역(31C)을 형성하도록 구성되어 있다. 즉, 도 15에 나타내는 바와 같이, 제 3 기본 소자(50C)는 파 필드(50E)에 광축(AX)을 지나는 X 방향의 축선에 대해 대칭적인 한 쌍의 원호 형상의 광강도 분포(32C)(한 쌍의 원호 형상 영역(31C))에 대응)를 형성하는 기능을 갖는다.
제 4 기본 소자(50D)의 회절면은 광축(AX)을 지나는 Z 방향의 축선을 Y축 기준으로 +45도 회전시킨(도 12 중 시계 방향으로 45도 회전시킨) 축선에 대해 대칭적인 한 쌍의 원호 형상 영역(31D)을 형성하도록 구성되어 있다. 즉, 도 16에 나타내는 바와 같이, 제 4 기본 소자(50D)는 파 필드(50E)에 광축(AX)을 지나는 Z 방향의 축선을 Y축 기준으로 +45도 회전시킨 축선에 대해 대칭적인 한 쌍의 원호 형상의 광강도 분포(32D)(한 쌍의 원호 형상 영역(31D)에 대응)를 형성하는 기능을 갖는다. 또, 각 원호 형상 영역(31A ~ 31D)의 크기는 서로 거의 같고, 8개의 원호 형상 영역(31A ~ 31D)이 서로 중복되거나 서로 이격되지 않게 광축(AX)을 중심으로 한 고리 형상의 2차 광원(31)을 구성하고 있다.
또한, 본 실시예에서는, 각 기본 소자(50A ~ 50D)가 선광성을 갖는 광학 재료인 수정에 의해 구성되고, 각 기본 소자(50A ~ 50D)의 결정 광학축이 광축(AX)과 거의 일치하도록 설정되어 있다. 이하, 도 17을 참조하여 수정의 선광성에 대하여 간단히 설명하는다. 도 17을 참조하면 두께 d의 수정으로 이루어지는 평행 평면판 형상의 광학 부재(35)가 그 결정 광학축과 광축(AX)이 일치하도록 배치되어 있다. 이 경우, 광학 부재(35)의 선광성에 의해 입사된 직선 편광의 편광 방향이 광축(AX) 기준으로 θ만큼 회전한 상태로 사출된다.
이 때, 광학 부재(35)의 선광성에 의한 편광 방향의 회전각 θ는 광학 부재(35)의 두께 d와 수정의 선광능(旋光能) ρ에 의해 다음 식 (1)로 나타내어진다.
θ=d·ρ (1)
일반적으로, 수정의 선광능 ρ는 사용광의 파장이 짧아지면 커지는 경향이 있지만, 「응용 광학 Ⅱ」의 제 167 페이지의 기술에 의하면 250.3nm의 파장을 갖는 빛에 대한 수정의 선광능 ρ는 153.9도/mm이다.
본 실시예에서, 제 1 기본 소자(50A)는 도 13에 나타내는 바와 같이, Z 방향으로 편광 방향을 갖는 직선 편광의 빛이 입사된 경우, Z 방향을 Y축 기준으로 +180도 회전시킨 방향, 즉, Z 방향으로 편광 방향을 갖는 직선 편광의 빛을 사출하도록 두께 dA가 설정되어 있다. 그 결과, 파 필드(50E)에 형성되는 한 쌍의 원호 형상의 광강도 분포(32A)를 통과하는 광속의 편광 방향도 Z 방향으로 되고, 도 12에 나타내는 한 쌍의 원호 형상 영역(31A)을 통과하는 광속의 편광 방향도 Z 방향으로 된다.
제 2 기본 소자(50B)는, 도 14에 나타내는 바와 같이, Z 방향으로 편광 방향을 갖는 직선 편광의 빛이 입사된 경우, Z 방향을 Y축 기준으로 +135도 회전시킨 방향, 즉, Z 방향을 Y축 기준으로 -45도 회전시킨 방향으로 편광 방향을 갖는 직선 편광의 빛을 사출하도록 두께 dB가 설정되어 있다. 그 결과, 파 필드(50E)에 형성되는 한 쌍의 원호 형상의 광강도 분포(32B)를 통과하는 광속의 편광 방향도 Z 방향을 Y축 기준으로 -45도 회전시킨 방향으로 되고, 도 12에 나타내는 한 쌍의 원호 형상 영역(31A)을 통과하는 광속의 편광 방향도 Z 방향을 Y축 기준으로 -45도 회전시킨 방향으로 된다.
제 3 기본 소자(50C)는, 도 15에 나타내는 바와 같이, Z 방향으로 편광 방향을 갖는 직선 편광의 빛이 입사된 경우, Z 방향을 Y축 기준으로 +90도 회전시킨 방향, 즉, X 방향으로 편광 방향을 갖는 직선 편광의 빛을 사출하도록 두께 dC가 설정되어 있다. 그 결과, 파 필드(50E)에 형성되는 한 쌍의 원호 형상의 광강도 분포(32C)를 통과하는 광속의 편광 방향도 X 방향으로 되고, 도 12에 나타내는 한 쌍의 원호 형상 영역(31C)을 통과하는 광속의 편광 방향도 X 방향으로 된다.
제 4 기본 소자(50D)는 도 16에 나타내는 바와 같이, Z 방향으로 편광 방향을 갖는 직선 편광의 빛이 입사된 경우, Z 방향을 Y축 기준으로 +45도 회전시킨 방향으로 편광 방향을 갖는 직선 편광의 빛을 사출하도록 두께 dD가 설정되어 있다. 그 결과, 파 필드(50E)에 형성되는 한 쌍의 원호 형상의 광강도 분포(32D)를 통과하는 광속의 편광 방향도 Z 방향을 Y축 기준으로 +45도 회전시킨 방향이 되고, 도 12에 나타내는 한 쌍의 원호 형상 영역(31D)을 통과하는 광속의 편광 방향도 Z 방향을 Y축 기준으로 +45도 회전시킨 방향으로 된다.
본 실시예에서는, 둘레 방향 편광 고리 형상 조명시에, 둘레 방향 편광 고리 형상 조명 회절 광학 소자(5)를 조명 광로 중에 설정하고, Z 방향으로 편광 방향을 갖는 직선 편광의 빛을 회절 광학 소자(5)에 입사시킨다. 그 결과, 마이크로 플라이 아이 렌즈(12)의 뒤쪽 초점면(즉, 조명 동공 또는 그 근방)에는, 도 12에 나타내는 바와 같이, 고리 형상의 2차 광원(고리 형상의 조명 동공 분포)(31)이 형성되고, 이 고리 형상의 2차 광원(31)을 통과하는 광속이 둘레 방향 편광 상태로 설정된다.
둘레 방향 편광 상태에서는, 고리 형상의 2차 광원(31)을 구성하는 원호 형상 영역(31A ~ 31D)을 각각 통과하는 광속은 각 원호 형상 영역(31A ~ 31D)의 원주 방향에 따른 중심 위치에서의 광축(AX)을 중심으로 하는 원의 접선과 거의 일치한 편광 방향을 갖는 직선 편광 상태로 된다.
이와 같이 본 실시예에서, 입사 광속에 근거해, 소정면에 소정 광강도 분포를 형성하기 위한 광속 변환 소자(50)가 선광성을 갖는 광학 재료에 의해 형성되어, 상기 입사 광속에 근거해, 상기 소정 광속도 분포 중 제 1 영역 분포(32A)를 형성하기 위한 제 1 기본 소자(50A)와, 선광성을 갖는 광학 재료에 의해 형성되어 상기 입사 광속에 근거해, 상기 소정 광강도 분포 중 제 2 영역 분포(32B)를 형성하기 위한 제 2 기본 소자(50B)를 구비하고, 제 1 기본 소자(50A)와 제 2 기본 소자(50B)의 빛의 투과 방향에 따른 두께가 서로 다르다.
이러한 구성에 의해, 본 실시예에서, 개구 조리개에 대하여 큰 광량 손실이 발생하는 종래 기술과는 달리, 광속 변환 소자로서의 회절 광학 소자(50)의 회절 작용과 선광 작용에 의해 광량 손실을 실질적으로 발생시키지 않고, 둘레 방향 편광 상태의 고리 형상의 2차 광원(31)을 형성할 수 있다.
여기서, 본 실시예의 바람직한 형태에 의하면, 제 1 기본 소자(50A)의 두께 및 제 2 기본 소자(50B)의 두께는 직선 편광이 입사되었을 때에 제 1 영역 분포(32A)를 형성하는 직선 편광의 편광 방향과 제 2 영역 분포(32B)를 형성하는 직선 편광의 편광 방향이 다르도록 설정되어 있다. 또한 제 1 영역 분포(32A) 및 제 2 영역 분포(32B)는 소정면에서의 소정점을 중심으로 하는 소정 고리 형상 영역인 소정 고리 형상 영역의 적어도 일부에 위치 결정되고, 제 1 영역 분포(32A) 및 제 2 영역 분포(32B)를 통과하는 광속은 소정 고리 형상 영역의 원주 방향을 편광 방향으로 하는 직선 편광을 주성분으로 하는 편광 상태를 갖는 것이 바람직하다.
이 경우, 소정 광강도 분포는 소정 고리 형상 영역과 거의 동일 형상의 외형을 갖고, 제 1 영역 분포(32A)를 통과하는 광속의 편광 상태는 제 1 영역 분포(32A)의 원주 방향에 따른 중심 위치에서의 소정점을 중심으로 하는 원의 접선 방향과 거의 일치한 직선 편광 성분을 갖고, 제 2 영역 분포(32B)를 통과하는 광속의 편광 상태는 제 2 영역 분포(32B)의 원주 방향에 따른 중심 위치에서의 소정점을 중심으로 하는 원의 접선 방향과 거의 일치한 직선 편광 성분을 갖는 것이 바람직하다. 또는, 소정 광강도 분포는 소정 고리 형상 영역 내에 분포하는 다극 형상이며, 제 1 영역 분포를 통과하는 광속의 편광 상태는 제 1 영역 분포의 원주 방향에 따른 중심 위치에서의 소정점을 중심으로 하는 원의 접선 방향과 거의 일치한 직선 편광 성분을 갖고, 제 2 영역 분포를 통과하는 광속의 편광 상태는 제 2 영역 분포의 원주 방향에 따른 중심 위치에서의 소정점을 중심으로 하는 원의 접선 방향과 거의 일치한 직선 편광 성분을 갖는 것이 바람직하다.
또한, 본 실시예의 바람직한 형태에 의하면, 제 1 기본 소자 및 제 2 기본 소자는 사용 파장의 빛에 대하여 100도/mm 이상의 선광능을 갖는 광학 재료에 의해 형성되어 있다. 또한, 제 1 기본 소자 및 제 2 기본 소자는 수정에 의해 형성되어 있는 것이 바람직하다. 또한, 광속 변환 소자는 제 1 기본 소자와 제 2 기본 소자를 거의 동수 포함하는 것이 바람직하다. 또한, 제 1 기본 소자 및 제 2 기본 소자는 회절 작용 또는 굴절 작용을 갖는 것이 바람직하다.
또한, 본 실시예의 바람직한 형태에 의하면, 제 1 기본 소자는 입사 광속에 근거해, 적어도 2개의 제 1 영역 분포를 소정면 상에 형성하고, 제 2 기본 소자는 입사 광속에 근거해, 적어도 2개의 제 2 영역 분포를 소정면 상에 형성하는 것이 바람직하다. 또한, 선광성을 갖는 광학 재료에 의해 형성되어, 입사 광속에 근거해, 소정 광강도 분포 중 제 3 영역 분포(32C)를 형성하기 위한 제 3 기본 소자(50C)와, 선광성을 갖는 광학 재료에 의해 형성되어 입사 광속에 근거해 소정 광강도 분포 중 제 4 영역 분포(32D)를 형성하기 위한 제 4 기본 소자(50D)를 구비하는 것이 바람직하다.
또한, 본 실시예에서, 입사 광속에 근거해, 해당 입사 광속의 단면 형상과는 다른 형상의 소정 광강도 분포를 소정면 상에 형성하기 위한 광속 변환 소자(50)가 소정면 상에 소정 광강도 분포를 형성하기 위한 회절면 또는 굴절면을 구비하고, 소정 광강도 분포는 소정면에서의 소정점을 중심으로 하는 소정 고리 형상 영역인 소정 고리 형상 영역의 적어도 일부에 분포하고 소정 고리 형상 영역을 통과하는 광속 변환 소자로부터의 광속은 소정 고리 형상 영역의 원주 방향을 편광 방향으로 하는 직선 편광을 주성분으로 하는 편광 상태를 갖고 있다.
이러한 구성에 의해, 본 실시예에서, 개구 조리개에서 큰 광량 손실이 발생하는 종래 기술과는 달리, 광속 변환 소자로서의 회절 광학 소자(50)의 회절 작용과 선광 작용에 의해 광량 손실을 실질적으로 발생시키지 않고, 둘레 방향 편광 상태의 고리 형상의 2차 광원(31)을 형성할 수 있다.
본 실시예의 바람직한 형태에 의하면, 소정 광강도 분포는 다극 형상 또는 고리 형상의 외형을 갖는다. 또한 광속 변환 소자는 선광성을 갖는 광학 재료에 의해 형성되는 것이 바람직하다.
또한, 본 실시예의 조명 광학 장치는 광원으로부터의 광속에 근거해, 피조사면을 조명하는 조명 광학 장치로서, 조명 광학 장치의 조명 동공 또는 그 근방에 조명 동공 분포를 형성하여 광원으로부터의 광속을 변환하기 위해 상술한 광속 변환 소자를 구비하고 있다. 이러한 구성에 의해, 본 실시예의 조명 광학 장치에서는, 광량 손실을 양호하게 억제하면서, 둘레 방향 편광 상태의 고리 형상의 조명 동공 분포를 형성할 수 있다.
여기서, 광속 변환 소자는 특성이 상이한 다른 광속 변환 소자와 교환 가능하게 구성되어 있는 것이 바람직하다. 또한, 광속 변환 소자와 피조사면 사이 광로 중에 배치된 파면 분할형(波面分割型)의 광학 인테그레이터를 더 구비하고, 광속 변환 소자는 입사 광속에 근거해, 광학 인테그레이터의 입사면에 소정 광강도 분포를 형성하는 것이 바람직하다.
또한, 본 실시예의 조명 광학 장치의 바람직한 형태에 의하면, 소정면 상의 광강도 분포와, 소정 고리 형상 영역을 통과하는 광속 변환 소자로부터의 광속의 편광 상태 중 적어도 어느 한쪽은 광원과 피조사면 사이 광로 중에 배치되는 광학 부재에 의한 영향을 고려하여 설정된다. 또한, 광속 변환 소자로부터의 광속의 편광 상태를, 피조사면에 조사되는 빛이 S 편광을 주성분으로 하는 편광 상태가 되도록, 설정하는 것이 바람직하다.
또한, 본 실시예의 노광 장치는 마스크를 조명하기 위한 상술한 조명 광학 장치를 구비하고, 마스크의 패턴을 감광성 기판 상에 노광한다. 여기서, 소정면 상의 광강도 분포와 소정 고리 형상 영역을 통과하는 광속 변환 소자로부터의 광속의 편광 상태 중 적어도 어느 한쪽은 광원과 감광성 기판 사이 광로 중에 배치되는 광학 부재에 의한 영향을 고려하여 설정되는 것이 바람직하다. 또한, 광속 변환 소자로부터의 광속의 편광 상태를, 감광성 기판에 조사되는 빛이 S 편광을 주성분으로 하는 편광 상태가 되도록, 설정하는 것이 바람직하다.
또한, 본 실시예의 노광 방법에서는, 상술한 조명 광학 장치를 이용하여 마스크를 조명하는 조명 공정과, 마스크 패턴을 감광성 기판 상에 노광하는 노광 공정을 포함하고 있다. 여기서, 소정면 상의 광강도 분포와 소정 고리 형상 영역을 통과하는 광속 변환 소자로부터의 광속의 편광 상태 중 적어도 어느 한쪽은 광원과 감광성 기판 사이의 광로 중에 배치되는 광학 부재에 의한 영향을 고려하여 설정되는 것이 바람직하다. 또한, 광속 변환 소자로부터의 광속의 편광 상태를, 감광성 기판에 조사되는 빛이 S 편광을 주성분으로 하는 편광 상태가 되도록, 설정하는 것이 바람직하다.
환언하면, 본 실시예의 조명 광학 장치에서는, 광량 손실을 양호하게 억제하면서, 둘레 방향 편광 상태의 고리 형상의 조명 동공 분포를 형성할 수 있다. 그 결과, 본 실시예의 노광 장치에서는, 광량 손실을 양호하게 억제하면서 둘레 방향 편광 상태의 고리 형상의 조명 동공 분포를 형성할 수 있는 조명 광학 장치를 이용하기 때문에, 적절한 조명 조건하에 임의 방향의 미세 패턴을 충실히, 또한 높은 스루풋으로 전사할 수 있다.
또, 둘레 방향 편광 상태의 고리 형상의 조명 동공 분포에 근거하는 둘레 방향 편광 고리 형상 조명에서는, 피조사면으로서의 웨이퍼(W)에 조사되는 빛이 S 편광을 주성분으로 하는 편광 상태로 된다. 여기서, S 편광이란 입사면에 대하여 수직인 방향으로 편광 방향을 갖는 직선 편광(입사면에 수직인 방향으로 전기 벡터가 진동하고 있는 편광)이다. 다만, 입사면이란, 빛이 매질의 경계면(피조사면 : 웨이퍼(W)의 표면)에 도달했을 때에 그 점에서의 경계면의 법선과 빛의 입사 방향을 포함하는 면으로서 정의된다.
또, 상술한 실시예에서는, 서로 같은 직사각형 형상의 단면을 갖는 4종류의 기본 소자(50A ~ 50D)를 거의 동수만큼 종횡으로, 또한 조밀하게 랜덤 배치함으로써, 둘레 방향 편광 고리 형상 조명용 회절 광학 소자(50)를 구성하고 있다. 그러나, 이것에 한정되는 것이 아니라, 각 기본 소자의 수, 단면 형상, 종류 수, 배치 등에 대하여 여러 가지 변형예가 가능하다.
또한, 상술한 실시예에서, 4종류의 기본 소자(50A ~ 50D)로 이루어지는 회절 광학 소자(50)를 이용하여 서로 중복하거나 서로 이격하지 않게 배열된 8개의 원호 형상 영역(31A ~ 31D)에 의해, 광축(AX)을 중심으로 한 고리 형상의 2차 광원(31)을 구성하고 있다. 그러나 이것에 한정되는 것은 아니고, 고리 형상의 2차 광원을 구성하는 영역의 수, 형상, 배치 등에 대하여 여러 가지 변형예가 가능하다.
구체적으로는, 도 18(a)에 나타내는 바와 같이, 예컨대, 4종류의 기본 소자로 이루어지는 회절 광학 소자를 이용하여, 둘레 방향에 따라 서로 이격된 8개의 원호 형상 영역으로 이루어지는 둘레 방향 편광 상태의 8극 형상의 2차 광원(33a)을 형성할 수도 있다. 또한, 도 18(b)에 나타내는 바와 같이, 예컨대, 4종류의 기본 소자로 이루어지는 회절 광학 소자를 이용하여, 둘레 방향에 따라 서로 이격시킨 4개의 원호 형상 영역으로 이루어지는 둘레 방향 편광 상태의 4극 형상의 2차 광원(33b)을 형성할 수도 있다. 또, 이들 8극 형상의 2차 광원 또는 4극 형상의 2차 광원에서, 각 영역의 형상은 원호 형상에 한정되는 것이 아니라, 예컨대, 원 형상이나 타원 형상이나 부채꼴 형상이더라도 좋다. 또한, 도 19에 나타내는 바와 같이, 예컨대, 4종류의 기본 소자로 이루어지는 회절 광학 소자를 이용하여, 둘레 방향을 따라 서로 중복한 8개의 원호 형상 영역으로 이루어지는 둘레 방향 편광 상태의 고리 형상의 2차 광원(33c)을 형성할 수도 있다.
또한, 둘레 방향을 따라 서로 이격한 4개 또는 8개의 영역으로 이루어지는 둘레 방향 편광 상태의 4극 형상 또는 8극 형상의 2차 광원 외에, 도 20(a)에 나타내는 바와 같이, 둘레 방향을 따라 서로 이격한 6개의 영역으로 이루어지는 둘레 방향 편광 상태의 6극 형상의 2차 광원을 형성하여도 좋다. 또한, 도 20(b)에 나타내는 바와 같이, 둘레 방향에 따라 서로 이격한 복수의 영역으로 이루어지는 둘레 방향 편광 상태의 다극 형상의 2차 광원과, 광축 상의 영역으로 이루어지는 비편광 상태 또는 직선 편광 상태의 중심극 상에 2차 광원을 갖는 2차 광원을 형성하더라도 좋다. 또한, 둘레 방향을 따라 서로 이격된 2개의 영역으로 이루어지는 둘레 방향 편광 상태의 2극 형상의 2차 광원을 형성하더라도 좋다.
또한, 상술한 실시예에서, 도 11에 나타내는 바와 같이, 4종류의 기본 소자(50A ~ 50D)를 개별적으로 형성하고, 이들 소자를 조합시키는 것에 의해, 회절 광학 소자(50)를 구성하고 있다. 그러나, 이것에 한정되는 것이 아니라, 하나의 수정 기판에 대하여, 예컨대, 에칭 가공을 함으로써, 각 기본 소자(50A ~ 50D)의 사출쪽의 회절면 및 입사쪽의 요철면을 형성하여, 회절 광학 소자(50)를 일체적으로 구성할 수도 있다.
또한, 상술한 실시예에서, 수정을 이용하여 각 기본 소자(50A ~ 50D)(나아가서는 회절 광학 소자(50))를 형성하고 있다. 그러나 이것에 한정되는 것이 아니라, 선광성을 갖는 다른 적당한 광학 재료를 이용하여, 각 기본 소자를 형성할 수도 있다. 이 경우, 사용 파장의 빛에 대하여 100도/mm 이상의 선광능을 갖는 광학 재료를 이용하는 것이 바람직하다. 즉, 선광능이 작은 광학 재료를 이용하면, 편광 방향의 소요 회전각을 얻기 위해 필요한 두께가 너무 커져서, 광량 손실의 원인이 되으므로 바람직하지 않다.
또한, 상술한 실시예에서, 고리 형상의 조명 동공 분포(2차 광원)를 형성하고 있지만, 이것에 한정되는 것이 라니라, 조명 동공 또는 그 근방에 원 형상의 조명 동공 분포를 형성할 수도 있다. 또한, 고리 형상의 조명 동공 분포나 다극 형상의 조명 동공 분포에 더하여, 예컨대, 광축을 포함하는 중심 영역 분포를 형성함으로써, 이른바, 중심극을 수반하는 고리 형상 조명이나 중심극을 수반하는 복수극 조명을 실시할 수도 있다.
또한, 상술한 실시예에서, 조명 동공 또는 그 근방에서 둘레 방향 편광 상태의 조명 동공 분포를 형성하고 있다. 그러나, 광속 변환 소자로서의 회절 광학 소자보다 웨이퍼쪽의 광학계(조명 광학계나 투영 광학계)의 편광 수차(리타데이션)에 기인하여 편광 방향이 변하는 경우가 있다. 이 경우에는, 이들 광학계의 편광 수차의 영향을 고려한 후에, 조명 동공 또는 그 근방에 형성되는 조명 동공 분포를 통과하는 광속의 편광 상태를 적절히 설정할 필요가 있다.
또한, 상기한 편광 수차에 관련하고, 광속 변환 소자보다 웨이퍼쪽의 광학계(조명 광학계나 투영 광학계) 중에 배치된 반사 부재의 편광 특성에 기인하여 반사광이 편광 방향마다 위상차를 갖는 경우가 있다. 이 경우에도, 반사 부재의 편광 특성에 기인하는 위상차의 영향을 고려한 후에, 조명 동공 또는 그 근방에 형성되는 조명 동공 분포를 통과하는 광속의 편광 상태를 적절히 설정할 필요가 있다.
또한, 광속 변환 소자보다 웨이퍼쪽의 광학계(조명 광학계나 투영 광학계) 중에 배치된 반사 부재의 편광 특성에 기인하여, 반사 부재의 반사율이 편광 방향에 의해 변화하는 경우가 있다. 이 경우, 편광 방향마다의 반사율을 고려하여, 조명 동공 또는 그 근방에 형성되는 광강도 분포에 오프셋을 맞추는 것, 즉, 각 기본 소자의 수로 분포를 마련하는 것이 바람직하다. 또한, 광속 변환 소자보다 웨이퍼쪽의 광학계의 투과율이 편광 방향에 의해 변화되는 경우에도 상기 수법을 마찬가지로 적용할 수 있다.
또한, 상술한 실시예에서는, 회절 광학 소자(50)의 광원쪽의 면은 각 기본 소자(50A ~ 50D)의 두께의 차이에 의해 단차를 갖는 요철 형상으로 되어있다. 그래서, 도 21에 나타내는 바와 같이, 두께가 가장 큰 제 1 기본 소자(50A) 이외의 기본 소자, 즉, 제 2 기본 소자(50B), 제 3 기본 소자(50C) 및 제 4 기본 소자(50D)의 입사쪽에 보정 부재(36)를 부설하여, 회절 광학 소자(50)의 광원쪽(입사쪽)의 면도 평면 형상으로 구성할 수 있다. 이 경우, 선광성을 갖지 않는 광학 재료를 이용해 보정 부재(36)를 형성하게 된다.
또한, 상술한 실시예에서는, 조명 동공 또는 그 근방에 형성되는 조명 동공 분포를 통과하는 광속이 원주 방향에 따른 직선 편광 성분만을 갖는 예를 나타내고 있다. 그러나 이것에 한정되는 것이 아니라, 조명 동공 분포를 통과하는 광속의 편광 상태가 원주 방향을 편광 방향으로 하는 직선 편광을 주성분으로 하는 상태이면, 본 발명의 소요(所要)의 효과를 얻을 수 있다.
또한, 상술한 실시예에서는, 입사 광속에 근거해, 그 단면 형상과는 다른 형상의 광강도 분포를 소정면 상에 형성하기 위한 광속 변환 소자로서, 회절 작용을 갖는 복수 종류의 기본 소자로 이루어지는 회절 광학 소자를 이용하고 있다. 그러나, 이것에 한정되는 것이 아니라, 예컨대, 각 기본 소자의 회절면과 광학적으로 거의 등가인 굴절면을 갖는 복수 종류의 기본 소자, 즉, 굴절 작용을 갖는 복수 종류의 기본 소자로 이루어지는 굴절 광학 소자를 광속 변환 소자로서 이용할 수도 있다.
상술한 실시예에 따른 노광 장치에서는 조명 광학 장치에 의해 마스크(레티클)를 조명하고(조명 공정), 투영 광학계를 이용하여 마스크에 형성된 전사용 패턴을 감광성 기판에 노광하는(노광 공정) 것에 의해, 마이크로 디바이스(반도체 소자, 촬상 소자, 액정 표시 소자, 박막 자기 헤드 등)를 제조할 수 있다. 이하, 상술한 실시예의 노광 장치를 이용하여 감광성 기판으로서의 웨이퍼 등에 소정 회로 패턴을 형성함으로써, 마이크로 디바이스로서의 반도체 디바이스를 얻을 때의 수법의 일례에 대하여 도 22의 흐름도를 참조하여 설명하는다.
우선, 도 22의 단계 301에서, 1로트의 웨이퍼 상에 금속막이 증착된다. 다음 단계 302에서, 그 1로트의 웨이퍼 상의 금속막 상에 포토 레지스트가 도포된다. 그 후, 단계 303에서, 상술한 실시예의 노광 장치를 이용하여, 마스크 상의 패턴 이미지가 그 투영 광학계를 통과하여 그 1로트의 웨이퍼 상의 각 쇼트 영역에 순차적으로 노광 전사된다. 그 후, 단계 304에서, 그 1로트의 웨이퍼 상의 포토 레지스트의 현상이 행해진 후, 단계 305에서, 그 1로트의 웨이퍼 상에서 레지스트 패턴을 마스크로서 에칭하는 것에 의해, 마스크 상의 패턴에 대응하는 회로 패턴이 각 웨이퍼 상의 각 쇼트 영역에 형성된다. 그 후, 상부 레이어의 회로 패턴의 형성 등을 실시하는 것에 따라, 반도체 소자 등의 디바이스가 제조된다. 상술한 반도체 디바이스 제조 방법에 의하면, 지극히 미세한 회로 패턴을 갖는 반도체 디바이스를 스루풋 좋게 얻을 수 있다.
또한, 상술한 실시예의 노광 장치에서는, 플레이트(유리 기판) 상에 소정 패턴(회로 패턴, 전극 패턴 등)을 형성함으로써, 마이크로 디바이스로서의 액정 표시 소자를 얻을 수도 있다. 이하, 도 23의 흐름도를 참조하여 이 때의 수법의 일례에 대해 설명한다. 도 23에서, 패턴 형성 공정(401)에서는 상술한 실시예의 노광 장치를 이용하여, 마스크의 패턴을 감광성 기판(레지스트가 도포된 유리 기판 등)에 전사 노광하는 소위 광 리소그래피 공정이 실행된다. 이 광 리소그래피 공정에 의해, 감광성 기판 상에는 다수의 전극 등을 포함하는 소정 패턴이 형성된다. 그 후, 노광된 기판은 현상 공정, 에칭 공정, 레지스트 박리 공정 등의 각 공정을 경유함에 따라, 기판 상에 소정 패턴이 형성되어, 다음의 컬러 필터 형성 공정(402)으로 이행한다.
다음에, 컬러 필터 형성 공정(402)에서는, R(Red), G(Green), B(Blue)에 대응한 3개의 도트의 조가 매트릭스 형상으로 다수 배열되거나, 또는, R, G, B의 3개의 스트라이프 필터의 조를 복수 수평 주사선 방향으로 배열한 컬러 필터를 형성한다. 그리고, 컬러 필터 형성 공정(402) 후에 셀 조립 공정(403)이 실행된다. 셀 조립 공정(403)에서는 패턴 형성 공정(401)에서 얻어진 소정 패턴을 갖는 기판 및 컬러 필터 형성 공정(402)에서 얻어진 컬러 필터 등을 이용하여 액정 패널(액정 셀)을 조립한다.
셀 조립 공정(403)에서는, 예컨대, 패턴 형성 공정(401)에서 얻어진 소정 패턴을 갖는 기판과 컬러 필터 형성 공정(402)에서 얻어진 컬러 필터 사이에 액정을 주입하여, 액정 패널(액정 셀)을 제조한다. 그 후, 모듈 조립 공정(404)에서 조립된 액정 패널(액정 셀)의 표시 동작을 실시하는 전기 회로, 백 라이트 등의 각 부품을 부착하여 액정 표시 소자로서 완성시킨다. 상술한 액정 표시 소자의 제조 방법에 의하면, 지극히 미세한 회로 패턴을 갖는 액정 표시 소자를 스루풋 좋게 얻을 수 있다.
*또, 상술한 실시예에서는, 노광광으로서 KrF 엑시머 레이저광(파장 : 248nm)이나 ArF 엑시머 레이저광(파장 : 193nm)을 이용하고 있지만, 이것에 한정되는 것이 아니라, 다른 적당한 레이저 광원, 예컨대, 파장 157nm의 레이저 광을 공급하는 F2 레이저 광원 등에 대하여 본 발명을 적용할 수도 있다. 또한, 상술한 실시예에서는, 조명 광학 장치를 구비한 노광 장치를 예로 들어 본 발명을 설명했지만, 마스크나 웨이퍼 이외의 피조사면을 조명하기 위한 일반적인 조명 광학 장치에 본 발명을 적용할 수 있는 것은 명백하다.
또한, 상술한 실시예에 있어서, 투영 광학계와 감광성 기판 사이 광로 중을 1.1보다 큰 굴절률을 갖는 매체(전형적으로는 액체)로 채우는 수법, 소위, 액침법(液浸法)을 적용하더라도 좋다. 이 경우, 투영 광학계와 감광성 기판 사이의 광로 중에 액체를 채우는 수법으로는 국제 공개 특허 공보 WO99/49504에 개시되어 있는 것과 같은 국소적으로 액체를 채우는 수법이나, 일본 공개 특허 공보 평 6-124873호에 개시되어 있는 것과 같은 노광 대상 기판을 유지한 스테이지를 액조 내에서 이동시키는 수법이나, 일본 공개 특허 공보 평 10-303114호에 개시되어 있는 것과 같은 스테이지 상에 소정 깊이의 액조를 형성하고, 그 속에 기판을 유지하는 수법 등을 채용할 수 있다. 여기에서는, 국제 공개 특허 공보 WO99/49504, 일본 공개 특허 공보 평 6-124873호 및 일본 공개 특허 공보 평 10-303114호를 참조로 하여 원용한다.
또, 액체로는, 노광광에 대한 투과성이 있어 될 수 있는 한 굴절율이 높고, 투영 광학계나 기판 표면에 도포되어 있는 포토 레지스트에 대하여 안정적인 것을 이용하는 것이 바람직하고, 예컨대, KrF 엑시머 레이저광이나 ArF 엑시머 레이저광을 노광광으로 이용하는 경우에는, 액체로서 순수한 물, 탈이온수를 이용할 수 있다. 또한, 노광광으로서 F2 레이저광을 이용하는 경우는, 액체로서 F2 레이저광을 투과 가능한, 예컨대, 불소계 오일이나 과불화 폴리에테르(PFPE) 등의 불소계의 액체를 이용하면 좋다.
1 : 광원 4 : 편광 상태 전환 수단
4a : 1/4 파장판 4b : 1/2 파장판
4c : 디폴라라이저(depolarizer)
5, 50 : 회절 광학 소자(광속 변환 소자)
6 : 아포칼 렌즈 8 : 원추 액시콘계
9, 10 : 실린드리컬 렌즈쌍 11 : 줌 렌즈
12 : 마이크로 플라이 아이 렌즈(micro fly-eye lens)
13 : 편광 모니터 13a : 빔 스플리터(beam splitter)
14 : 콘덴서 광학계 15 : 마스크 블라인드
16 : 결상 광학계 M : 마스크
PL : 투영 광학계 W: 웨이퍼

Claims (3)

  1. 패턴을 갖는 물체를 조명광에 의해 조명하는 조명 광학 장치로서,
    선광성을 가진 광학 재료를 포함하고, 상기 조명광의 광로에 배치되어, 상기 선광성에 의해 상기 조명광의 편광 상태를 변환하는 선광 부재와,
    상기 선광 부재로부터의 상기 조명광의 광로에 배치된 광학 인테그레이터를 구비하되,
    상기 광학 인테그레이터로부터의 상기 조명광은, 상기 조명 광학 장치의 동공면을 통해 상기 물체에 조사되는 것을 특징으로 하는 조명 광학 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 선광 부재는, 상기 광학 재료의 광학 축의 방향이 상기 조명 광학 장치의 광축의 방향과 일치하도록 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 조명 광학 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 선광 부재는, 상기 선광 부재에 실질적으로 단일의 직선 편광을 주성분으로 하는 편광 상태로 입사한 상기 조명광의 편광 상태를 변환하는 것을 특징으로 하는 조명 광학 장치.
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Families Citing this family (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150036786A (ko) 2003-04-09 2015-04-07 가부시키가이샤 니콘 노광 방법 및 장치, 그리고 디바이스 제조 방법
TWI474132B (zh) 2003-10-28 2015-02-21 尼康股份有限公司 照明光學裝置、投影曝光裝置、曝光方法以及元件製造方法
TWI612338B (zh) 2003-11-20 2018-01-21 尼康股份有限公司 光學照明裝置、曝光裝置、曝光方法、以及元件製造方法
US20070019179A1 (en) * 2004-01-16 2007-01-25 Damian Fiolka Polarization-modulating optical element
KR101233879B1 (ko) * 2004-01-16 2013-02-15 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 편광변조 광학소자
US8270077B2 (en) * 2004-01-16 2012-09-18 Carl Zeiss Smt Gmbh Polarization-modulating optical element
TWI395068B (zh) 2004-01-27 2013-05-01 尼康股份有限公司 光學系統、曝光裝置以及曝光方法
TWI505329B (zh) 2004-02-06 2015-10-21 尼康股份有限公司 光學照明裝置、曝光裝置、曝光方法以及元件製造方法
US7324280B2 (en) * 2004-05-25 2008-01-29 Asml Holding N.V. Apparatus for providing a pattern of polarization
US20080273185A1 (en) * 2004-06-16 2008-11-06 Nikon Corporation Optical System, Exposing Apparatus and Exposing Method
JPWO2006016469A1 (ja) * 2004-08-10 2008-05-01 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置、および露光方法
KR100614651B1 (ko) * 2004-10-11 2006-08-22 삼성전자주식회사 회로 패턴의 노광을 위한 장치 및 방법, 사용되는포토마스크 및 그 설계 방법, 그리고 조명계 및 그 구현방법
WO2006131517A2 (de) * 2005-06-07 2006-12-14 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungseinrichtung einer mikrolithographischen projektionsbelichtungsanlage
DE102006031807A1 (de) * 2005-07-12 2007-01-18 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungseinrichtung einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage, sowie Depolarisator
KR20080066041A (ko) * 2005-11-10 2008-07-15 가부시키가이샤 니콘 조명 광학 장치, 노광 장치 및 노광 방법
US7884921B2 (en) * 2006-04-12 2011-02-08 Nikon Corporation Illumination optical apparatus, projection exposure apparatus, projection optical system, and device manufacturing method
EP2009678A4 (en) * 2006-04-17 2011-04-06 Nikon Corp OPTICAL LIGHTING DEVICE, EXPOSURE DEVICE AND COMPONENT MANUFACTURING METHOD
WO2007145139A1 (ja) 2006-06-16 2007-12-21 Nikon Corporation 可変スリット装置、照明装置、露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
DE102006032878A1 (de) * 2006-07-15 2008-01-17 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungssystem einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
EP1892544A1 (en) * 2006-08-25 2008-02-27 JDS Uniphase Corporation Passive depolariser
DE102007007907A1 (de) * 2007-02-14 2008-08-21 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Herstellung eines diffraktiven optischen Elements, nach einem derartigen Verfahren hergestelltes diffraktives optisches Element, Beleuchtungsoptik mit einem derartigen diffratkiven optischen Element, Mikrolithografie-Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen Beleuchtungsoptik, Verfahren zum Herstellen eines mikroelektronischen Bauelements unter Verwendung einer derartigen Projektionsbelichtungsanlage sowie mit einem solchen Verfahren hergestelltes Bauelement
DE102007019831B4 (de) 2007-04-25 2012-03-01 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungseinrichtung einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
KR100896875B1 (ko) * 2007-07-23 2009-05-12 주식회사 동부하이텍 노광장치 및 노광방법
DE102007043958B4 (de) 2007-09-14 2011-08-25 Carl Zeiss SMT GmbH, 73447 Beleuchtungseinrichtung einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
US7996762B2 (en) * 2007-09-21 2011-08-09 Microsoft Corporation Correlative multi-label image annotation
EP2179330A1 (en) * 2007-10-16 2010-04-28 Nikon Corporation Illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
SG10201602750RA (en) * 2007-10-16 2016-05-30 Nikon Corp Illumination Optical System, Exposure Apparatus, And Device Manufacturing Method
JP5224027B2 (ja) * 2007-10-22 2013-07-03 大日本印刷株式会社 回折格子作製用位相マスクを用いた回折格子作製方法
JP2009198903A (ja) * 2008-02-22 2009-09-03 Olympus Corp 光学機器
DE102008041179B4 (de) 2008-08-12 2010-11-04 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungsoptik für eine Mikrolithografie-Projektionsbelichtungsanlage
DE102009006685A1 (de) * 2009-01-29 2010-08-05 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungssystem für die Mikro-Lithographie
JP5360399B2 (ja) * 2009-08-06 2013-12-04 大日本印刷株式会社 回折格子作製用位相マスク
US20110037962A1 (en) * 2009-08-17 2011-02-17 Nikon Corporation Polarization converting unit, illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
US20110205519A1 (en) * 2010-02-25 2011-08-25 Nikon Corporation Polarization converting unit, illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
DE102010046133B4 (de) * 2010-09-13 2014-01-09 Klaus Becker Lichtbandgenerator
WO2013061858A1 (ja) * 2011-10-24 2013-05-02 株式会社ニコン 照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法
DE102011085334A1 (de) 2011-10-27 2013-05-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches System in einer Beleuchtungseinrichtung einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
JPWO2013089258A1 (ja) * 2011-12-15 2015-04-27 株式会社ニコン 顕微鏡及び刺激装置
DE102012200371A1 (de) 2012-01-12 2013-07-18 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches System für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage sowie mikrolithographisches Belichtungsverfahren
DE102012200370A1 (de) 2012-01-12 2013-08-01 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Herstellen eines polarisationsbeeinflussenden optischen Elements, sowie polarisationsbeeinflussendes optisches Element
CN103792767B (zh) * 2012-10-31 2015-10-07 深圳市绎立锐光科技开发有限公司 波长转换器件、其制造方法以及相关波长转换装置
JP7227775B2 (ja) * 2019-01-31 2023-02-22 キヤノン株式会社 照明光学系、露光装置および物品製造方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0653120A (ja) * 1992-07-27 1994-02-25 Nikon Corp 照明光学装置
JPH06188169A (ja) * 1992-08-24 1994-07-08 Canon Inc 結像方法及び該方法を用いる露光装置及び該方法を用いるデバイス製造方法
JPH07283119A (ja) * 1994-04-14 1995-10-27 Hitachi Ltd 露光装置および露光方法

Family Cites Families (1005)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3293882B2 (ja) 1992-03-27 2002-06-17 株式会社東芝 投影露光装置
GB856621A (en) 1956-07-20 1960-12-21 Nat Res Dev Improvements in or relating to polarising microscopes
US3146294A (en) 1959-02-13 1964-08-25 American Optical Corp Interference microscope optical systems
US3180216A (en) 1962-08-13 1965-04-27 American Optical Corp System and apparatus for variable phase microscopy
JPS444993Y1 (ko) 1964-05-28 1969-02-24
US3758201A (en) 1971-07-15 1973-09-11 American Optical Corp Optical system for improved eye refraction
JPS557673B2 (ko) 1972-11-25 1980-02-27
US3892470A (en) * 1974-02-01 1975-07-01 Hughes Aircraft Co Optical device for transforming monochromatic linearly polarized light to ring polarized light
US3892469A (en) 1974-02-01 1975-07-01 Hughes Aircraft Co Electro-optical variable focal length lens using optical ring polarizer
FR2385241A1 (fr) * 1976-12-23 1978-10-20 Marie G R P Convertisseurs de mode de polarisation pour faisceaux laser et generateurs de plasma les utilisant
US4103260A (en) 1977-01-03 1978-07-25 Hughes Aircraft Company Spatial polarization coding electro-optical transmitter
US4198123A (en) 1977-03-23 1980-04-15 Baxter Travenol Laboratories, Inc. Optical scrambler for depolarizing light
FR2413678A1 (fr) 1977-12-28 1979-07-27 Marie G R P Convertisseurs de mode d'une onde non confinante en une onde confinante dans l'infrarouge lointain
US4286843A (en) 1979-05-14 1981-09-01 Reytblatt Zinovy V Polariscope and filter therefor
JPS5857066B2 (ja) 1979-06-29 1983-12-17 古河電気工業株式会社 リニアモ−タ
EP0023231B1 (de) 1979-07-27 1982-08-11 Tabarelli, Werner, Dr. Optisches Lithographieverfahren und Einrichtung zum Kopieren eines Musters auf eine Halbleiterscheibe
FR2465241A1 (fr) 1979-09-10 1981-03-20 Thomson Csf Dispositif illuminateur destine a fournir un faisceau d'eclairement a distribution d'intensite ajustable et systeme de transfert de motifs comprenant un tel dispositif
FR2474708B1 (fr) 1980-01-24 1987-02-20 Dme Procede de microphotolithographie a haute resolution de traits
US4346164A (en) 1980-10-06 1982-08-24 Werner Tabarelli Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits
JPS57117238A (en) 1981-01-14 1982-07-21 Nippon Kogaku Kk <Nikon> Exposing and baking device for manufacturing integrated circuit with illuminometer
JPS57152129A (en) 1981-03-13 1982-09-20 Sanyo Electric Co Ltd Developing method of resist
JPS57153433A (en) 1981-03-18 1982-09-22 Hitachi Ltd Manufacturing device for semiconductor
JPS5849932A (ja) 1981-09-21 1983-03-24 Ushio Inc 照度分布パタ−ンの調整器
JPS5845502U (ja) 1981-09-21 1983-03-26 株式会社津山金属製作所 広角反射器
JPS58115945A (ja) 1981-12-29 1983-07-09 Toyoda Gosei Co Ltd ハンドル部への電力伝送と信号送受方法
JPS58202448A (ja) 1982-05-21 1983-11-25 Hitachi Ltd 露光装置
DD206607A1 (de) 1982-06-16 1984-02-01 Mikroelektronik Zt Forsch Tech Verfahren und vorrichtung zur beseitigung von interferenzeffekten
JPS5919912A (ja) 1982-07-26 1984-02-01 Hitachi Ltd 液浸距離保持装置
DD242880A1 (de) 1983-01-31 1987-02-11 Kuch Karl Heinz Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung
JPS59226317A (ja) 1983-06-06 1984-12-19 Nippon Kogaku Kk <Nikon> 照明装置
DD221563A1 (de) 1983-09-14 1985-04-24 Mikroelektronik Zt Forsch Tech Immersionsobjektiv fuer die schrittweise projektionsabbildung einer maskenstruktur
JPS59155843A (ja) 1984-01-27 1984-09-05 Hitachi Ltd 露光装置
DD224448A1 (de) 1984-03-01 1985-07-03 Zeiss Jena Veb Carl Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung
JPS6144429A (ja) 1984-08-09 1986-03-04 Nippon Kogaku Kk <Nikon> 位置合わせ方法、及び位置合せ装置
JPS6145923A (ja) 1984-08-10 1986-03-06 Aronshiya:Kk 反射式ロ−タリ−エンコ−ダ−用回転デイスクの製作方法
JPH0682598B2 (ja) 1984-10-11 1994-10-19 日本電信電話株式会社 投影露光装置
JPS61217434A (ja) 1985-03-20 1986-09-27 Mitsubishi Chem Ind Ltd 搬送用装置
JPS6194342U (ko) 1984-11-27 1986-06-18
JPS61156736A (ja) 1984-12-27 1986-07-16 Canon Inc 露光装置
JPS61196532A (ja) 1985-02-26 1986-08-30 Canon Inc 露光装置
JPS61251025A (ja) 1985-04-30 1986-11-08 Canon Inc 投影露光装置
JPS61270049A (ja) 1985-05-24 1986-11-29 Toshiba Corp テ−ブル装置
JPS622540A (ja) 1985-06-28 1987-01-08 Canon Inc ライトインテグレ−タとそれを含むケ−ラ−照明系
JPS622539A (ja) 1985-06-28 1987-01-08 Canon Inc 照明光学系
DE3523641C1 (de) * 1985-07-02 1986-12-18 Max-Planck-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V., 3400 Göttingen Einrichtung zum Selektieren von rotationssymmetrischen Polarisationskomponenten einesLichtbuendels und Verwendung einer solchen Einrichtung
US4683420A (en) 1985-07-10 1987-07-28 Westinghouse Electric Corp. Acousto-optic system for testing high speed circuits
JPS6217705A (ja) 1985-07-16 1987-01-26 Nippon Kogaku Kk <Nikon> テレセントリツク光学系用照明装置
JPS6265326A (ja) 1985-09-18 1987-03-24 Hitachi Ltd 露光装置
JPS62100161A (ja) 1985-10-23 1987-05-09 Shin Etsu Chem Co Ltd 平面モ−タ
JPS62120026A (ja) 1985-11-20 1987-06-01 Fujitsu Ltd X線露光装置
JPS62121417A (ja) 1985-11-22 1987-06-02 Hitachi Ltd 液浸対物レンズ装置
JPH07105323B2 (ja) 1985-11-22 1995-11-13 株式会社日立製作所 露光方法
JPS62153710A (ja) 1985-12-27 1987-07-08 Furukawa Alum Co Ltd ロ−タリエンコ−ダ用反射基板の製造方法
US4744615A (en) * 1986-01-29 1988-05-17 International Business Machines Corporation Laser beam homogenizer
JPH0782981B2 (ja) 1986-02-07 1995-09-06 株式会社ニコン 投影露光方法及び装置
JPS62188316A (ja) 1986-02-14 1987-08-17 Canon Inc 投影露光装置
JPS62203526A (ja) 1986-02-28 1987-09-08 トヨタ自動車株式会社 無線電力伝送装置
JPH0666246B2 (ja) 1986-05-14 1994-08-24 キヤノン株式会社 照明光学系
JP2506616B2 (ja) 1986-07-02 1996-06-12 キヤノン株式会社 露光装置及びそれを用いた回路の製造方法
JPS6336526A (ja) 1986-07-30 1988-02-17 Oki Electric Ind Co Ltd ウエハ露光装置
JPS6344726A (ja) * 1986-08-12 1988-02-25 Norihisa Ito エキシマレ−ザを用いたステツパの照明光学装置
JPH0695511B2 (ja) 1986-09-17 1994-11-24 大日本スクリ−ン製造株式会社 洗浄乾燥処理方法
JPS63128713A (ja) 1986-11-19 1988-06-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd 走査型露光装置のデイスト−シヨン補正方法
JPS63131008A (ja) 1986-11-20 1988-06-03 Fujitsu Ltd 光学的アライメント方法
JPS63141313A (ja) 1986-12-03 1988-06-13 Hitachi Ltd 薄板変形装置
JPS63157419A (ja) 1986-12-22 1988-06-30 Toshiba Corp 微細パタ−ン転写装置
JPS63160192A (ja) 1986-12-23 1988-07-02 株式会社明電舎 高周波加熱装置の接続導体
JPS63231217A (ja) 1987-03-19 1988-09-27 Omron Tateisi Electronics Co 移動量測定装置
JPH0718699B2 (ja) 1987-05-08 1995-03-06 株式会社ニコン 表面変位検出装置
JPS6426704A (en) 1987-05-11 1989-01-30 Jiei Shirinian Jiyon Pocket structure of garment
JPS63292005A (ja) 1987-05-25 1988-11-29 Nikon Corp 走り誤差補正をなした移動量検出装置
JPH07117371B2 (ja) 1987-07-14 1995-12-18 株式会社ニコン 測定装置
JPS6468926A (en) 1987-09-09 1989-03-15 Nikon Corp Measurement of image distortion in projection optical system
US4981342A (en) 1987-09-24 1991-01-01 Allergan Inc. Multifocal birefringent lens system
JPH0191419A (ja) 1987-10-01 1989-04-11 Canon Inc 露光装置
JPH01115033A (ja) 1987-10-28 1989-05-08 Hitachi Ltd ガス放電表示装置
JPH01147516A (ja) 1987-12-04 1989-06-09 Canon Inc ビーム位置制御装置
JP2728133B2 (ja) 1987-12-09 1998-03-18 株式会社リコー デジタル画像形成装置
JPH01202833A (ja) 1988-02-09 1989-08-15 Toshiba Corp 高精度xyステージ装置
JPH0831513B2 (ja) 1988-02-22 1996-03-27 株式会社ニコン 基板の吸着装置
JPH0545102Y2 (ko) 1988-02-24 1993-11-17
JPH01255404A (ja) 1988-04-05 1989-10-12 Toshiba Corp 浮上用電磁石装置
US4952815A (en) 1988-04-14 1990-08-28 Nikon Corporation Focusing device for projection exposure apparatus
JPH01276043A (ja) 1988-04-28 1989-11-06 Mitsubishi Cable Ind Ltd 導波路型液体検知器
JPH01278240A (ja) 1988-04-28 1989-11-08 Tokyo Electron Ltd 半導体製造装置用無停電電源
JPH01286478A (ja) 1988-05-13 1989-11-17 Hitachi Ltd ビーム均一化光学系おゆび製造法
JPH01292343A (ja) 1988-05-19 1989-11-24 Fujitsu Ltd ペリクル
JPH01314247A (ja) 1988-06-13 1989-12-19 Fuji Plant Kogyo Kk プリント基板の自動露光装置
JPH0831514B2 (ja) 1988-06-21 1996-03-27 株式会社ニコン 基板の吸着装置
JPH0242382A (ja) 1988-08-02 1990-02-13 Canon Inc 移動ステージ構造
WO1990002125A1 (en) 1988-08-22 1990-03-08 Idemitsu Kosan Co. Ltd. Oxirane derivatives and herbicides containing same as active ingredients
JPH0265149A (ja) 1988-08-30 1990-03-05 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JP2729058B2 (ja) 1988-08-31 1998-03-18 山形日本電気株式会社 半導体装置の露光装置
JPH0297239A (ja) 1988-09-30 1990-04-09 Canon Inc 露光装置用電源装置
JP2682067B2 (ja) 1988-10-17 1997-11-26 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法
JP2697014B2 (ja) 1988-10-26 1998-01-14 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法
JPH02139146A (ja) 1988-11-15 1990-05-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd 一段6自由度位置決めテーブル
JP2940553B2 (ja) 1988-12-21 1999-08-25 株式会社ニコン 露光方法
US5253110A (en) 1988-12-22 1993-10-12 Nikon Corporation Illumination optical arrangement
JPH07104442B2 (ja) 1989-04-06 1995-11-13 旭硝子株式会社 フッ化マグネシウム膜及び低反射膜の製造方法
DE3907136A1 (de) 1989-03-06 1990-09-13 Jagenberg Ag Vorrichtung zum verbinden von materialbahnen
JPH02261073A (ja) 1989-03-29 1990-10-23 Sony Corp 超音波モータ
JPH02287308A (ja) 1989-04-03 1990-11-27 Mikhailovich Khodosovich Vladimir 光学ユニットのマウント内のレンズの中心合わせの方法
JPH02285320A (ja) 1989-04-27 1990-11-22 Olympus Optical Co Ltd 内視鏡の絞装置
JP2527807B2 (ja) 1989-05-09 1996-08-28 住友大阪セメント株式会社 光学的連想識別装置
JPH02298431A (ja) 1989-05-12 1990-12-10 Mitsubishi Electric Corp 放電加工装置
JPH02311237A (ja) 1989-05-25 1990-12-26 Fuji Electric Co Ltd 搬送装置
JPH0341399A (ja) 1989-07-10 1991-02-21 Nikon Corp 多層膜反射鏡の製造方法
JPH0364811A (ja) 1989-07-31 1991-03-20 Okazaki Seisakusho:Kk 中空心線miケーブルと中空心線miケーブルの製造方法
JPH0372298A (ja) 1989-08-14 1991-03-27 Nikon Corp 多層膜反射鏡の製造方法
JPH0394445A (ja) 1989-09-06 1991-04-19 Mitsubishi Electric Corp 半導体ウエハ搬送システム
JPH03132663A (ja) 1989-10-18 1991-06-06 Fujitsu Ltd ペリクル
JPH03134341A (ja) 1989-10-20 1991-06-07 Fuji Photo Film Co Ltd ダンパ機構、防振機構およびこのダンパ機構等を組み込む光ビーム走査装置
JP2784225B2 (ja) 1989-11-28 1998-08-06 双葉電子工業株式会社 相対移動量測定装置
JP3067142B2 (ja) 1989-11-28 2000-07-17 富士通株式会社 ホトマスクの検査装置及びホトマスクの検査方法
JPH03211812A (ja) 1990-01-17 1991-09-17 Canon Inc 露光装置
JPH03263810A (ja) 1990-03-14 1991-11-25 Sumitomo Heavy Ind Ltd 半導体露光装置の振動制御方法
JP2624560B2 (ja) 1990-04-20 1997-06-25 日鐵溶接工業株式会社 ガスシールドアーク溶接用フラックス入りワイヤ
JPH0710897B2 (ja) 1990-04-27 1995-02-08 日本油脂株式会社 プラスチックレンズ
JPH0432154A (ja) 1990-05-25 1992-02-04 Iwasaki Electric Co Ltd メタルハライドランプ装置
JP2897355B2 (ja) 1990-07-05 1999-05-31 株式会社ニコン アライメント方法,露光装置,並びに位置検出方法及び装置
JP3077176B2 (ja) 1990-08-13 2000-08-14 株式会社ニコン 露光方法、装置、及び素子製造方法
JP3049774B2 (ja) 1990-12-27 2000-06-05 株式会社ニコン 投影露光装置及び方法、並びに素子製造方法
JP2995820B2 (ja) * 1990-08-21 1999-12-27 株式会社ニコン 露光方法及び方法,並びにデバイス製造方法
US7656504B1 (en) * 1990-08-21 2010-02-02 Nikon Corporation Projection exposure apparatus with luminous flux distribution
JPH04130710A (ja) 1990-09-21 1992-05-01 Hitachi Ltd 露光装置
JP2548834B2 (ja) 1990-09-25 1996-10-30 三菱電機株式会社 電子ビーム寸法測定装置
JPH04133414A (ja) 1990-09-26 1992-05-07 Nec Yamaguchi Ltd 縮小投影露光装置
JPH04152512A (ja) 1990-10-16 1992-05-26 Fujitsu Ltd ウエハチャック
DE4033556A1 (de) 1990-10-22 1992-04-23 Suess Kg Karl Messanordnung fuer x,y,(phi)-koordinatentische
US5072126A (en) 1990-10-31 1991-12-10 International Business Machines Corporation Promixity alignment using polarized illumination and double conjugate projection lens
JPH04179115A (ja) 1990-11-08 1992-06-25 Nec Kyushu Ltd 縮小投影露光装置
US6710855B2 (en) * 1990-11-15 2004-03-23 Nikon Corporation Projection exposure apparatus and method
US6252647B1 (en) * 1990-11-15 2001-06-26 Nikon Corporation Projection exposure apparatus
JP3094439B2 (ja) 1990-11-21 2000-10-03 株式会社ニコン 露光方法
JPH0480052U (ko) 1990-11-27 1992-07-13
JPH04235558A (ja) 1991-01-11 1992-08-24 Toshiba Corp 露光装置
JP3084761B2 (ja) 1991-02-28 2000-09-04 株式会社ニコン 露光方法及びマスク
JP3255168B2 (ja) 1991-02-28 2002-02-12 株式会社ニコン 露光方法及びその露光方法を用いたデバイス製造方法、及び露光装置
JP3084760B2 (ja) 1991-02-28 2000-09-04 株式会社ニコン 露光方法及び露光装置
JP2860174B2 (ja) 1991-03-05 1999-02-24 三菱電機株式会社 化学気相成長装置
JP3200894B2 (ja) 1991-03-05 2001-08-20 株式会社日立製作所 露光方法及びその装置
JPH04280619A (ja) 1991-03-08 1992-10-06 Canon Inc ウエハ保持方法およびその保持装置
JPH04282539A (ja) 1991-03-11 1992-10-07 Hitachi Ltd 反射・帯電防止膜の形成方法
JPH05259069A (ja) 1991-03-13 1993-10-08 Tokyo Electron Ltd ウエハ周辺露光方法
JPH04211110A (ja) 1991-03-20 1992-08-03 Hitachi Ltd 投影式露光方法
JPH04296092A (ja) 1991-03-26 1992-10-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd リフロー装置
JP2602345Y2 (ja) 1991-03-29 2000-01-11 京セラ株式会社 静圧軸受装置
US5251222A (en) 1991-04-01 1993-10-05 Teledyne Industries, Inc. Active multi-stage cavity sensor
JPH04305917A (ja) 1991-04-02 1992-10-28 Nikon Corp 密着型露光装置
JPH04305915A (ja) 1991-04-02 1992-10-28 Nikon Corp 密着型露光装置
JP3200874B2 (ja) 1991-07-10 2001-08-20 株式会社ニコン 投影露光装置
JPH04330961A (ja) 1991-05-01 1992-11-18 Matsushita Electron Corp 現像処理装置
FR2676288B1 (fr) 1991-05-07 1994-06-17 Thomson Csf Collecteur d'eclairage pour projecteur.
JPH04343307A (ja) 1991-05-20 1992-11-30 Ricoh Co Ltd レーザー調整装置
JP2884830B2 (ja) 1991-05-28 1999-04-19 キヤノン株式会社 自動焦点合せ装置
JPH0590128A (ja) 1991-06-13 1993-04-09 Nikon Corp 露光装置
US5541026A (en) * 1991-06-13 1996-07-30 Nikon Corporation Exposure apparatus and photo mask
JPH0545886A (ja) 1991-08-12 1993-02-26 Nikon Corp 角形基板の露光装置
US5272501A (en) 1991-08-28 1993-12-21 Nikon Corporation Projection exposure apparatus
JPH0562877A (ja) 1991-09-02 1993-03-12 Yasuko Shinohara 光によるlsi製造縮小投影露光装置の光学系
US5348837A (en) 1991-09-24 1994-09-20 Hitachi, Ltd. Projection exposure apparatus and pattern forming method for use therewith
JPH05109601A (ja) 1991-10-15 1993-04-30 Nikon Corp 露光装置及び露光方法
KR950004968B1 (ko) * 1991-10-15 1995-05-16 가부시키가이샤 도시바 투영노광 장치
JPH05129184A (ja) 1991-10-30 1993-05-25 Canon Inc 投影露光装置
JPH05127086A (ja) 1991-11-01 1993-05-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光強度の均一化方法およびそれを用いた露光装置
JP3203719B2 (ja) 1991-12-26 2001-08-27 株式会社ニコン 露光装置、その露光装置により製造されるデバイス、露光方法、およびその露光方法を用いたデバイス製造方法
JPH05199680A (ja) 1992-01-17 1993-08-06 Honda Motor Co Ltd 電源装置
JPH0794969B2 (ja) 1992-01-29 1995-10-11 株式会社ソルテック 位置合せ方法及びその装置
JP3194155B2 (ja) 1992-01-31 2001-07-30 キヤノン株式会社 半導体デバイスの製造方法及びそれを用いた投影露光装置
JPH05217837A (ja) 1992-02-04 1993-08-27 Toshiba Corp Xy移動テーブル
JP2796005B2 (ja) 1992-02-10 1998-09-10 三菱電機株式会社 投影露光装置及び偏光子
JPH05241324A (ja) 1992-02-26 1993-09-21 Nikon Corp フォトマスク及び露光方法
JP3153372B2 (ja) 1992-02-26 2001-04-09 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JPH05243364A (ja) 1992-03-02 1993-09-21 Hitachi Ltd 半導体ウェハの除電方法およびそれを用いた半導体集積回路製造装置
JP3278896B2 (ja) 1992-03-31 2002-04-30 キヤノン株式会社 照明装置及びそれを用いた投影露光装置
US5312513A (en) * 1992-04-03 1994-05-17 Texas Instruments Incorporated Methods of forming multiple phase light modulators
JPH05304072A (ja) 1992-04-08 1993-11-16 Nec Corp 半導体装置の製造方法
JP3242693B2 (ja) 1992-05-15 2001-12-25 富士通株式会社 ペリクル貼り付け装置
JP2673130B2 (ja) 1992-05-20 1997-11-05 株式会社キトー 走行用レールの吊下支持装置
JP2929839B2 (ja) * 1992-06-17 1999-08-03 住友電装株式会社 ワイヤーハーネスの生産管理方法
JP2946950B2 (ja) 1992-06-25 1999-09-13 キヤノン株式会社 照明装置及びそれを用いた露光装置
JPH0629204A (ja) 1992-07-08 1994-02-04 Fujitsu Ltd レジスト現像方法及び装置
JPH0636054A (ja) 1992-07-20 1994-02-10 Mitsubishi Electric Corp ワンチップマイクロコンピュータ
JPH07318847A (ja) 1994-05-26 1995-12-08 Nikon Corp 照明光学装置
JPH06104167A (ja) 1992-09-18 1994-04-15 Hitachi Ltd 露光装置及び半導体装置の製造方法
US6404482B1 (en) * 1992-10-01 2002-06-11 Nikon Corporation Projection exposure method and apparatus
JP2884947B2 (ja) 1992-10-01 1999-04-19 株式会社ニコン 投影露光装置、露光方法および半導体集積回路の製造方法
JPH06118623A (ja) 1992-10-07 1994-04-28 Fujitsu Ltd レチクル及びこれを用いた半導体露光装置
JPH06124873A (ja) 1992-10-09 1994-05-06 Canon Inc 液浸式投影露光装置
JP2724787B2 (ja) 1992-10-09 1998-03-09 キヤノン株式会社 位置決め装置
JPH06124872A (ja) * 1992-10-14 1994-05-06 Canon Inc 像形成方法及び該方法を用いて半導体装置を製造する方法
US5459000A (en) 1992-10-14 1995-10-17 Canon Kabushiki Kaisha Image projection method and device manufacturing method using the image projection method
JP3322274B2 (ja) 1992-10-29 2002-09-09 株式会社ニコン 投影露光方法及び投影露光装置
JPH06148399A (ja) 1992-11-05 1994-05-27 Nikon Corp X線用多層膜ミラーおよびx線顕微鏡
JPH06163350A (ja) 1992-11-19 1994-06-10 Matsushita Electron Corp 投影露光方法および装置
JP2753930B2 (ja) 1992-11-27 1998-05-20 キヤノン株式会社 液浸式投影露光装置
JPH06177007A (ja) 1992-12-01 1994-06-24 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 投影露光装置
JP3180133B2 (ja) 1992-12-01 2001-06-25 日本電信電話株式会社 投影露光装置
JP2866267B2 (ja) 1992-12-11 1999-03-08 三菱電機株式会社 光描画装置およびウェハ基板の光描画方法
JP2698521B2 (ja) * 1992-12-14 1998-01-19 キヤノン株式会社 反射屈折型光学系及び該光学系を備える投影露光装置
JPH06181157A (ja) 1992-12-15 1994-06-28 Nikon Corp 低発塵性の装置
JPH06186025A (ja) 1992-12-16 1994-07-08 Yunisun:Kk 三次元測定装置
JP2520833B2 (ja) 1992-12-21 1996-07-31 東京エレクトロン株式会社 浸漬式の液処理装置
JP3201027B2 (ja) 1992-12-22 2001-08-20 株式会社ニコン 投影露光装置及び方法
JP3316833B2 (ja) 1993-03-26 2002-08-19 株式会社ニコン 走査露光方法、面位置設定装置、走査型露光装置、及び前記方法を使用するデバイス製造方法
JPH06204121A (ja) 1992-12-28 1994-07-22 Canon Inc 照明装置及びそれを用いた投影露光装置
JP2765422B2 (ja) 1992-12-28 1998-06-18 キヤノン株式会社 露光装置及びそれを用いた半導体素子の製造方法
JP2786070B2 (ja) 1993-01-29 1998-08-13 セントラル硝子株式会社 透明板状体の検査方法およびその装置
JPH07245258A (ja) 1994-03-08 1995-09-19 Nikon Corp 露光方法及び露光装置
US5739898A (en) * 1993-02-03 1998-04-14 Nikon Corporation Exposure method and apparatus
JPH06241720A (ja) 1993-02-18 1994-09-02 Sony Corp 変位量の測定方法及び変位計
JPH06244082A (ja) 1993-02-19 1994-09-02 Nikon Corp 投影露光装置
JP3412704B2 (ja) 1993-02-26 2003-06-03 株式会社ニコン 投影露光方法及び装置、並びに露光装置
JP3747958B2 (ja) 1995-04-07 2006-02-22 株式会社ニコン 反射屈折光学系
JP3291818B2 (ja) 1993-03-16 2002-06-17 株式会社ニコン 投影露光装置、及び該装置を用いる半導体集積回路製造方法
JP3537843B2 (ja) 1993-03-19 2004-06-14 株式会社テクノ菱和 クリーンルーム用イオナイザー
JPH0777191B2 (ja) 1993-04-06 1995-08-16 日本電気株式会社 露光光投射装置
JP3309871B2 (ja) 1993-04-27 2002-07-29 株式会社ニコン 投影露光方法及び装置、並びに素子製造方法
JPH06326174A (ja) 1993-05-12 1994-11-25 Hitachi Ltd ウェハ真空吸着装置
DE69431169T2 (de) * 1993-05-25 2002-12-12 Nordson Corp Pulverbeschichtungssystem
JP3265503B2 (ja) 1993-06-11 2002-03-11 株式会社ニコン 露光方法及び装置
US6304317B1 (en) 1993-07-15 2001-10-16 Nikon Corporation Projection apparatus and method
US5677757A (en) 1994-03-29 1997-10-14 Nikon Corporation Projection exposure apparatus
JP3463335B2 (ja) 1994-02-17 2003-11-05 株式会社ニコン 投影露光装置
JP3291849B2 (ja) 1993-07-15 2002-06-17 株式会社ニコン 露光方法、デバイス形成方法、及び露光装置
JPH0757992A (ja) * 1993-08-13 1995-03-03 Nikon Corp 投影露光装置
JPH0757993A (ja) * 1993-08-13 1995-03-03 Nikon Corp 投影露光装置
JP3844787B2 (ja) 1993-09-02 2006-11-15 日産化学工業株式会社 フッ化マグネシウム水和物ゾルとその製造法
JP3359123B2 (ja) 1993-09-20 2002-12-24 キヤノン株式会社 収差補正光学系
JP3099933B2 (ja) 1993-12-28 2000-10-16 株式会社東芝 露光方法及び露光装置
KR0153796B1 (ko) 1993-09-24 1998-11-16 사토 후미오 노광장치 및 노광방법
JPH07122469A (ja) 1993-10-20 1995-05-12 Nikon Corp 投影露光装置
KR0166612B1 (ko) * 1993-10-29 1999-02-01 가나이 쓰토무 패턴노광방법 및 그 장치와 그것에 이용되는 마스크와 그것을 이용하여 만들어진 반도체 집적회로
JP3505810B2 (ja) 1993-10-29 2004-03-15 株式会社日立製作所 パターン露光方法及びその装置
JP3376045B2 (ja) 1993-11-09 2003-02-10 キヤノン株式会社 走査型露光装置及び該走査型露光装置を用いるデバイス製造方法
JPH07134955A (ja) 1993-11-11 1995-05-23 Hitachi Ltd 表示装置およびその反射率調整方法
JP3339144B2 (ja) 1993-11-11 2002-10-28 株式会社ニコン 走査型露光装置及び露光方法
JP3278303B2 (ja) 1993-11-12 2002-04-30 キヤノン株式会社 走査型露光装置及び該走査型露光装置を用いるデバイス製造方法
JPH07147223A (ja) 1993-11-26 1995-06-06 Hitachi Ltd パターン形成方法
EP0656555B1 (en) 1993-12-01 2003-03-19 Sharp Kabushiki Kaisha Display for 3D images
JPH07161622A (ja) * 1993-12-10 1995-06-23 Nikon Corp 投影露光装置
JPH07167998A (ja) 1993-12-15 1995-07-04 Nikon Corp レーザープラズマx線源用標的
JP3487517B2 (ja) 1993-12-16 2004-01-19 株式会社リコー 往復移動装置
JPH07183201A (ja) * 1993-12-21 1995-07-21 Nec Corp 露光装置および露光方法
JP3508190B2 (ja) 1993-12-21 2004-03-22 セイコーエプソン株式会社 照明装置及び投写型表示装置
JPH07190741A (ja) 1993-12-27 1995-07-28 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 測定誤差補正法
JPH07220989A (ja) 1994-01-27 1995-08-18 Canon Inc 露光装置及びこれを用いたデバイス製造方法
JPH07220990A (ja) 1994-01-28 1995-08-18 Hitachi Ltd パターン形成方法及びその露光装置
JP2715895B2 (ja) 1994-01-31 1998-02-18 日本電気株式会社 光強度分布シミュレーション方法
JP3372633B2 (ja) 1994-02-04 2003-02-04 キヤノン株式会社 位置合わせ方法及びそれを用いた位置合わせ装置
US5559583A (en) 1994-02-24 1996-09-24 Nec Corporation Exposure system and illuminating apparatus used therein and method for exposing a resist film on a wafer
JP2836483B2 (ja) 1994-05-13 1998-12-14 日本電気株式会社 照明光学装置
JPH07239212A (ja) 1994-02-28 1995-09-12 Nikon Corp 位置検出装置
JPH07243814A (ja) 1994-03-03 1995-09-19 Fujitsu Ltd 線幅測定方法
JPH07263315A (ja) * 1994-03-25 1995-10-13 Toshiba Corp 投影露光装置
US20020080338A1 (en) 1994-03-29 2002-06-27 Nikon Corporation Projection exposure apparatus
US6333776B1 (en) 1994-03-29 2001-12-25 Nikon Corporation Projection exposure apparatus
US5874820A (en) 1995-04-04 1999-02-23 Nikon Corporation Window frame-guided stage mechanism
US5528118A (en) 1994-04-01 1996-06-18 Nikon Precision, Inc. Guideless stage with isolated reaction stage
JPH088177A (ja) * 1994-04-22 1996-01-12 Canon Inc 投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法
JP3193567B2 (ja) 1994-04-27 2001-07-30 キヤノン株式会社 基板収容容器
JP3555230B2 (ja) 1994-05-18 2004-08-18 株式会社ニコン 投影露光装置
JPH07335748A (ja) 1994-06-07 1995-12-22 Miyazaki Oki Electric Co Ltd 半導体素子の製造方法
EP0687956B2 (de) 1994-06-17 2005-11-23 Carl Zeiss SMT AG Beleuchtungseinrichtung
US5473465A (en) 1994-06-24 1995-12-05 Ye; Chun Optical rotator and rotation-angle-variable half-waveplate rotator
JP3800616B2 (ja) 1994-06-27 2006-07-26 株式会社ニコン 目標物移動装置、位置決め装置及び可動ステージ装置
JP3205663B2 (ja) 1994-06-29 2001-09-04 日本電子株式会社 荷電粒子ビーム装置
JP3090577B2 (ja) 1994-06-29 2000-09-25 浜松ホトニクス株式会社 導電体層除去方法およびシステム
JPH0822948A (ja) 1994-07-08 1996-01-23 Nikon Corp 走査型露光装置
JP3205468B2 (ja) 1994-07-25 2001-09-04 株式会社日立製作所 ウエハチャックを備えた処理装置および露光装置
JPH0846751A (ja) 1994-07-29 1996-02-16 Sanyo Electric Co Ltd 照明光学系
JP3613288B2 (ja) 1994-10-18 2005-01-26 株式会社ニコン 露光装置用のクリーニング装置
WO1996013752A1 (fr) 1994-10-26 1996-05-09 Seiko Epson Corporation Dispositif a cristaux liquides et appareil electronique
JPH08136475A (ja) 1994-11-14 1996-05-31 Kawasaki Steel Corp 板状材の表面観察装置
JPH08151220A (ja) 1994-11-28 1996-06-11 Nippon Sekiei Glass Kk 石英ガラスの成形方法
JPH08162397A (ja) 1994-11-30 1996-06-21 Canon Inc 投影露光装置及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法
JPH08171054A (ja) 1994-12-16 1996-07-02 Nikon Corp 反射屈折光学系
JPH08195375A (ja) 1995-01-17 1996-07-30 Sony Corp 回転乾燥方法および回転乾燥装置
JPH08203803A (ja) 1995-01-24 1996-08-09 Nikon Corp 露光装置
JP3521544B2 (ja) 1995-05-24 2004-04-19 株式会社ニコン 露光装置
JP3312164B2 (ja) 1995-04-07 2002-08-05 日本電信電話株式会社 真空吸着装置
JPH08297699A (ja) 1995-04-26 1996-11-12 Hitachi Ltd 製造不良解析支援システム、製造システム、および製造不良解析支援方法
JPH08316125A (ja) 1995-05-19 1996-11-29 Hitachi Ltd 投影露光方法及び露光装置
US5663785A (en) 1995-05-24 1997-09-02 International Business Machines Corporation Diffraction pupil filler modified illuminator for annular pupil fills
US5631721A (en) * 1995-05-24 1997-05-20 Svg Lithography Systems, Inc. Hybrid illumination system for use in photolithography
US5680588A (en) 1995-06-06 1997-10-21 International Business Machines Corporation Method and system for optimizing illumination in an optical photolithography projection imaging system
KR0155830B1 (ko) 1995-06-19 1998-11-16 김광호 변형노광장치 및 노광방법
JP3531297B2 (ja) 1995-06-19 2004-05-24 株式会社ニコン 投影露光装置及び投影露光方法
KR100474578B1 (ko) 1995-06-23 2005-06-21 가부시키가이샤 니콘 노광장치와그제조방법,조명광학장치와그제조방법,노광방법,조명광학계의제조방법및반도체소자의제조방법
JP3561556B2 (ja) 1995-06-29 2004-09-02 株式会社ルネサステクノロジ マスクの製造方法
JP3637639B2 (ja) 1995-07-10 2005-04-13 株式会社ニコン 露光装置
JPH09108551A (ja) 1995-08-11 1997-04-28 Mitsubishi Rayon Co Ltd 浄水器
JPH0961686A (ja) 1995-08-23 1997-03-07 Nikon Corp プラスチックレンズ
JPH0982626A (ja) 1995-09-12 1997-03-28 Nikon Corp 投影露光装置
JP3487527B2 (ja) 1995-09-14 2004-01-19 株式会社東芝 光屈折装置
US5815247A (en) 1995-09-21 1998-09-29 Siemens Aktiengesellschaft Avoidance of pattern shortening by using off axis illumination with dipole and polarizing apertures
JPH0992593A (ja) 1995-09-21 1997-04-04 Nikon Corp 投影露光装置
DE19535392A1 (de) * 1995-09-23 1997-03-27 Zeiss Carl Fa Radial polarisationsdrehende optische Anordnung und Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage damit
JP3433403B2 (ja) 1995-10-16 2003-08-04 三星電子株式会社 ステッパのインタフェース装置
JPH09134870A (ja) 1995-11-10 1997-05-20 Hitachi Ltd パターン形成方法および形成装置
JPH09148406A (ja) 1995-11-24 1997-06-06 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板搬送装置
JPH09151658A (ja) 1995-11-30 1997-06-10 Nichibei Co Ltd 移動間仕切壁のランナ連結装置
JPH09160004A (ja) 1995-12-01 1997-06-20 Denso Corp 液晶セル及びその空セル
JP3406957B2 (ja) * 1995-12-06 2003-05-19 キヤノン株式会社 光学素子及びそれを用いた露光装置
JPH09162106A (ja) 1995-12-11 1997-06-20 Nikon Corp 走査型露光装置
JPH09178415A (ja) 1995-12-25 1997-07-11 Nikon Corp 光波干渉測定装置
JPH09184787A (ja) 1995-12-28 1997-07-15 Olympus Optical Co Ltd 光学レンズ用解析評価装置
JP3232473B2 (ja) 1996-01-10 2001-11-26 キヤノン株式会社 投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法
JP3189661B2 (ja) 1996-02-05 2001-07-16 ウシオ電機株式会社 光源装置
JP3576685B2 (ja) 1996-02-07 2004-10-13 キヤノン株式会社 露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法
JPH09227294A (ja) 1996-02-26 1997-09-02 Toyo Commun Equip Co Ltd 人工水晶の製造方法
JPH09232213A (ja) 1996-02-26 1997-09-05 Nikon Corp 投影露光装置
JPH09243892A (ja) 1996-03-06 1997-09-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光学素子
JP3782151B2 (ja) 1996-03-06 2006-06-07 キヤノン株式会社 エキシマレーザー発振装置のガス供給装置
JP3601174B2 (ja) 1996-03-14 2004-12-15 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法
JPH09281077A (ja) 1996-04-16 1997-10-31 Hitachi Ltd キャピラリ−電気泳動装置
RU2084941C1 (ru) 1996-05-06 1997-07-20 Йелстаун Корпорейшн Н.В. Адаптивный оптический модуль
JP2691341B2 (ja) 1996-05-27 1997-12-17 株式会社ニコン 投影露光装置
JPH09326338A (ja) 1996-06-04 1997-12-16 Nikon Corp 製造管理装置
JPH09325255A (ja) 1996-06-06 1997-12-16 Olympus Optical Co Ltd 電子カメラ
JPH103039A (ja) 1996-06-14 1998-01-06 Nikon Corp 反射屈折光学系
JPH102865A (ja) 1996-06-18 1998-01-06 Nikon Corp レチクルの検査装置およびその検査方法
JPH1020195A (ja) 1996-06-28 1998-01-23 Nikon Corp 反射屈折光学系
JPH1032160A (ja) 1996-07-17 1998-02-03 Toshiba Corp パターン露光方法及び露光装置
JP3646415B2 (ja) 1996-07-18 2005-05-11 ソニー株式会社 マスク欠陥の検出方法
JPH1038517A (ja) 1996-07-23 1998-02-13 Canon Inc 光学式変位測定装置
JPH1079337A (ja) 1996-09-04 1998-03-24 Nikon Corp 投影露光装置
JP3646757B2 (ja) 1996-08-22 2005-05-11 株式会社ニコン 投影露光方法及び装置
JPH1055713A (ja) 1996-08-08 1998-02-24 Ushio Inc 紫外線照射装置
JPH1062305A (ja) 1996-08-19 1998-03-06 Advantest Corp Ccdカメラの感度補正方法およびccdカメラ感度補正機能付lcdパネル表示試験システム
JPH1082611A (ja) 1996-09-10 1998-03-31 Nikon Corp 面位置検出装置
JPH1092735A (ja) 1996-09-13 1998-04-10 Nikon Corp 露光装置
JP2914315B2 (ja) 1996-09-20 1999-06-28 日本電気株式会社 走査型縮小投影露光装置及びディストーション測定方法
JPH10104427A (ja) 1996-10-03 1998-04-24 Sankyo Seiki Mfg Co Ltd 波長板およびそれを備えた光ピックアップ装置
US5825043A (en) * 1996-10-07 1998-10-20 Nikon Precision Inc. Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus
JPH10116760A (ja) 1996-10-08 1998-05-06 Nikon Corp 露光装置及び基板保持装置
DE19781041B4 (de) 1996-10-08 2010-02-18 Citizen Holdings Co., Ltd., Nishitokyo Optische Vorrichtung
JPH10116778A (ja) 1996-10-09 1998-05-06 Canon Inc スキャン露光装置
JPH10116779A (ja) 1996-10-11 1998-05-06 Nikon Corp ステージ装置
JP3955985B2 (ja) 1996-10-16 2007-08-08 株式会社ニコン マーク位置検出装置及び方法
KR100191329B1 (ko) 1996-10-23 1999-06-15 윤종용 인터넷상에서의 원격교육방법 및 그 장치.
JPH10135099A (ja) 1996-10-25 1998-05-22 Sony Corp 露光装置及び露光方法
JP3991166B2 (ja) 1996-10-25 2007-10-17 株式会社ニコン 照明光学装置および該照明光学装置を備えた露光装置
JP4029183B2 (ja) 1996-11-28 2008-01-09 株式会社ニコン 投影露光装置及び投影露光方法
CN1244020C (zh) * 1996-11-28 2006-03-01 株式会社尼康 曝光装置
JP4029182B2 (ja) 1996-11-28 2008-01-09 株式会社ニコン 露光方法
JP3624065B2 (ja) 1996-11-29 2005-02-23 キヤノン株式会社 基板搬送装置、半導体製造装置および露光装置
JPH10169249A (ja) 1996-12-12 1998-06-23 Ohbayashi Corp 免震構造
JPH10189700A (ja) 1996-12-20 1998-07-21 Sony Corp ウェーハ保持機構
KR100512450B1 (ko) 1996-12-24 2006-01-27 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 두개의물체홀더를가진이차원적으로안정화된위치설정장치와이런위치설정장치를구비한리소그래픽장치
US5841500A (en) 1997-01-09 1998-11-24 Tellium, Inc. Wedge-shaped liquid crystal cell
JP2910716B2 (ja) 1997-01-16 1999-06-23 日本電気株式会社 光強度計算のパラメトリック解析方法
JPH10206714A (ja) 1997-01-20 1998-08-07 Canon Inc レンズ移動装置
JP2926325B2 (ja) 1997-01-23 1999-07-28 株式会社ニコン 走査露光方法
JPH10209018A (ja) 1997-01-24 1998-08-07 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> X線マスクフレームおよびx線マスクの保持方法
JP3612920B2 (ja) 1997-02-14 2005-01-26 ソニー株式会社 光学記録媒体の原盤作製用露光装置
JPH10255319A (ja) 1997-03-12 1998-09-25 Hitachi Maxell Ltd 原盤露光装置及び方法
JPH10294268A (ja) 1997-04-16 1998-11-04 Nikon Corp 投影露光装置及び位置合わせ方法
JP3747566B2 (ja) 1997-04-23 2006-02-22 株式会社ニコン 液浸型露光装置
JPH118194A (ja) 1997-04-25 1999-01-12 Nikon Corp 露光条件測定方法、投影光学系の評価方法及びリソグラフィシステム
KR100261888B1 (ko) 1997-04-30 2000-07-15 전주범 디지탈 비디오 디스크 레코더의 사용자 정보 처리방법
JP3817836B2 (ja) 1997-06-10 2006-09-06 株式会社ニコン 露光装置及びその製造方法並びに露光方法及びデバイス製造方法
JPH113856A (ja) 1997-06-11 1999-01-06 Canon Inc 投影露光方法及び投影露光装置
JP3233341B2 (ja) 1997-06-12 2001-11-26 船井電機株式会社 製パン機およびこれに用いられる記録媒体
JPH113849A (ja) 1997-06-12 1999-01-06 Sony Corp 可変変形照明フィルタ及び半導体露光装置
JPH1114876A (ja) 1997-06-19 1999-01-22 Nikon Corp 光学構造体、その光学構造体を組み込んだ投影露光用光学系及び投影露光装置
JPH1116816A (ja) 1997-06-25 1999-01-22 Nikon Corp 投影露光装置、該装置を用いた露光方法、及び該装置を用いた回路デバイスの製造方法
JPH1140657A (ja) 1997-07-23 1999-02-12 Nikon Corp 試料保持装置および走査型露光装置
US6829041B2 (en) 1997-07-29 2004-12-07 Canon Kabushiki Kaisha Projection optical system and projection exposure apparatus having the same
JP3264224B2 (ja) * 1997-08-04 2002-03-11 キヤノン株式会社 照明装置及びそれを用いた投影露光装置
JP3413074B2 (ja) 1997-08-29 2003-06-03 キヤノン株式会社 露光装置およびデバイス製造方法
JPH1187237A (ja) 1997-09-10 1999-03-30 Nikon Corp アライメント装置
JP4164905B2 (ja) 1997-09-25 2008-10-15 株式会社ニコン 電磁力モータ、ステージ装置および露光装置
JP2000106340A (ja) 1997-09-26 2000-04-11 Nikon Corp 露光装置及び走査露光方法、並びにステージ装置
JPH11111819A (ja) 1997-09-30 1999-04-23 Asahi Kasei Micro Syst Co Ltd ウェハーの固定方法及び露光装置
JPH11111818A (ja) 1997-10-03 1999-04-23 Oki Electric Ind Co Ltd ウェハ保持装置及びウェハ保持具
JPH11111601A (ja) 1997-10-06 1999-04-23 Nikon Corp 露光方法及び装置
JPH11195602A (ja) 1997-10-07 1999-07-21 Nikon Corp 投影露光方法及び装置
JP3097620B2 (ja) 1997-10-09 2000-10-10 日本電気株式会社 走査型縮小投影露光装置
JP4210871B2 (ja) 1997-10-31 2009-01-21 株式会社ニコン 露光装置
JPH11142556A (ja) 1997-11-13 1999-05-28 Nikon Corp ステージ制御方法、ステージ装置、及び該装置を備えた露光装置
JPH11150062A (ja) 1997-11-14 1999-06-02 Nikon Corp 除振装置及び露光装置並びに除振台の除振方法
JPH11283903A (ja) 1998-03-30 1999-10-15 Nikon Corp 投影光学系検査装置及び同装置を備えた投影露光装置
AU1175799A (en) 1997-11-21 1999-06-15 Nikon Corporation Projection aligner and projection exposure method
JPH11162831A (ja) 1997-11-21 1999-06-18 Nikon Corp 投影露光装置及び投影露光方法
JPH11163103A (ja) 1997-11-25 1999-06-18 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法および製造装置
JPH11159571A (ja) 1997-11-28 1999-06-15 Nikon Corp 機械装置、露光装置及び露光装置の運転方法
JPH11166990A (ja) 1997-12-04 1999-06-22 Nikon Corp ステージ装置及び露光装置並びに走査型露光装置
JPH11176727A (ja) 1997-12-11 1999-07-02 Nikon Corp 投影露光装置
JP3673633B2 (ja) 1997-12-16 2005-07-20 キヤノン株式会社 投影光学系の組立調整方法
AU1504799A (en) 1997-12-16 1999-07-05 Nikon Corporation Aligner, exposure method and method of manufacturing device
US6208407B1 (en) * 1997-12-22 2001-03-27 Asm Lithography B.V. Method and apparatus for repetitively projecting a mask pattern on a substrate, using a time-saving height measurement
TW449672B (en) 1997-12-25 2001-08-11 Nippon Kogaku Kk Process and apparatus for manufacturing photomask and method of manufacturing the same
AU1689899A (en) 1997-12-26 1999-07-19 Nikon Corporation Exposure method and exposure apparatus
JPH11204390A (ja) 1998-01-14 1999-07-30 Canon Inc 半導体製造装置およびデバイス製造方法
JPH11219882A (ja) 1998-02-02 1999-08-10 Nikon Corp ステージ及び露光装置
JP3820728B2 (ja) 1998-02-04 2006-09-13 東レ株式会社 基板の測定装置
JPH11288879A (ja) 1998-02-04 1999-10-19 Hitachi Ltd 露光条件決定方法とその装置ならびに半導体装置の製造方法
JPH11233434A (ja) 1998-02-17 1999-08-27 Nikon Corp 露光条件決定方法、露光方法、露光装置、及びデバイスの製造方法
JP4207240B2 (ja) 1998-02-20 2009-01-14 株式会社ニコン 露光装置用照度計、リソグラフィ・システム、照度計の較正方法およびマイクロデバイスの製造方法
DE19807120A1 (de) 1998-02-20 1999-08-26 Zeiss Carl Fa Optisches System mit Polarisationskompensator
JPH11239758A (ja) 1998-02-26 1999-09-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JPH11260791A (ja) 1998-03-10 1999-09-24 Toshiba Mach Co Ltd 半導体ウエハの乾燥方法および乾燥装置
JPH11260686A (ja) 1998-03-11 1999-09-24 Toshiba Corp 露光方法
JPH11264756A (ja) 1998-03-18 1999-09-28 Tokyo Electron Ltd 液面検出器および液面検出方法、ならびに基板処理装置
AU2747899A (en) 1998-03-20 1999-10-18 Nikon Corporation Photomask and projection exposure system
EP1069600A4 (en) * 1998-03-24 2002-11-20 Nikon Corp ILLUMINATOR, EXPOSURE METHOD AND APPARATUS, METHOD FOR MANUFACTURING SAID DEVICE
AU2958299A (en) 1998-03-26 1999-10-18 Nikon Corporation Exposure method and system, photomask, method of manufacturing photomask, micro-device and method of manufacturing micro-device
WO1999049504A1 (fr) 1998-03-26 1999-09-30 Nikon Corporation Procede et systeme d'exposition par projection
DE69931690T2 (de) 1998-04-08 2007-06-14 Asml Netherlands B.V. Lithographischer Apparat
JPH11307610A (ja) 1998-04-22 1999-11-05 Nikon Corp 基板搬送装置及び露光装置
US6238063B1 (en) 1998-04-27 2001-05-29 Nikon Corporation Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus
JPH11312631A (ja) 1998-04-27 1999-11-09 Nikon Corp 照明光学装置および露光装置
JP4090115B2 (ja) 1998-06-09 2008-05-28 信越ポリマー株式会社 基板収納容器
JP3985346B2 (ja) 1998-06-12 2007-10-03 株式会社ニコン 投影露光装置、投影露光装置の調整方法、及び投影露光方法
WO1999066370A1 (fr) 1998-06-17 1999-12-23 Nikon Corporation Procede relatif a l'elaboration d'un masque
JP2000012453A (ja) 1998-06-18 2000-01-14 Nikon Corp 露光装置及びその使用方法、露光方法、並びにマスクの製造方法
JP2000021742A (ja) 1998-06-30 2000-01-21 Canon Inc 露光方法および露光装置
JP2000021748A (ja) 1998-06-30 2000-01-21 Canon Inc 露光方法および露光装置
DE19829612A1 (de) 1998-07-02 2000-01-05 Zeiss Carl Fa Beleuchtungssystem der Mikrolithographie mit Depolarisator
JP2000032403A (ja) 1998-07-14 2000-01-28 Sony Corp データ伝送方法、データ送信装置及び受信装置
JP2000029202A (ja) 1998-07-15 2000-01-28 Nikon Corp マスクの製造方法
JP2000036449A (ja) 1998-07-17 2000-02-02 Nikon Corp 露光装置
JP2000058436A (ja) 1998-08-11 2000-02-25 Nikon Corp 投影露光装置及び露光方法
AU4930099A (en) 1998-08-18 2000-03-14 Nikon Corporation Illuminator and projection exposure apparatus
JP2000081320A (ja) 1998-09-03 2000-03-21 Canon Inc 面位置検出装置及びそれを用いたデバイスの製造方法
JP2000092815A (ja) 1998-09-10 2000-03-31 Canon Inc ステージ装置および該ステージ装置を用いた露光装置
JP4132397B2 (ja) 1998-09-16 2008-08-13 積水化学工業株式会社 光硬化性樹脂組成物、液晶注入口封止剤及び液晶表示セル
JP2000097616A (ja) 1998-09-22 2000-04-07 Nikon Corp 干渉計
US6031658A (en) * 1998-09-25 2000-02-29 University Of Central Florida Digital control polarization based optical scanner
JP4065923B2 (ja) 1998-09-29 2008-03-26 株式会社ニコン 照明装置及び該照明装置を備えた投影露光装置、該照明装置による投影露光方法、及び該投影露光装置の調整方法
JP2000121491A (ja) 1998-10-20 2000-04-28 Nikon Corp 光学系の評価方法
JP2001176766A (ja) 1998-10-29 2001-06-29 Nikon Corp 照明装置及び投影露光装置
JP2000147346A (ja) 1998-11-09 2000-05-26 Toshiba Corp モールドレンズの取付機構
JP2000180371A (ja) 1998-12-11 2000-06-30 Sharp Corp 異物検査装置および半導体工程装置
US6563567B1 (en) 1998-12-17 2003-05-13 Nikon Corporation Method and apparatus for illuminating a surface using a projection imaging apparatus
KR20000048227A (ko) 1998-12-17 2000-07-25 오노 시게오 이미지 투사 장치를 이용한 표면 조명 방법 및 조명 광학시스템
US6406148B1 (en) 1998-12-31 2002-06-18 Texas Instruments Incorporated Electronic color switching in field sequential video displays
CN1293822A (zh) 1999-01-06 2001-05-02 株式会社尼康 投影光学系统、投影光学系统的制造方法和使用该光学系统的投影曝光装置
JP4146952B2 (ja) 1999-01-11 2008-09-10 キヤノン株式会社 露光装置およびデバイス製造方法
JP2000208407A (ja) 1999-01-19 2000-07-28 Nikon Corp 露光装置
JP2000243684A (ja) 1999-02-18 2000-09-08 Canon Inc 露光装置およびデバイス製造方法
JP2000240717A (ja) 1999-02-19 2000-09-05 Canon Inc 能動的除振装置
JP2000252201A (ja) 1999-03-02 2000-09-14 Nikon Corp 面位置検出方法および装置、これらを用いた投影露光方法および装置、半導体デバイス製造方法
JP2000283889A (ja) 1999-03-31 2000-10-13 Nikon Corp 投影光学系の検査装置及び検査方法、露光装置、並びに、マイクロデバイスの製造方法
JP2000286176A (ja) 1999-03-31 2000-10-13 Hitachi Ltd 半導体基板処理装置における処理状況の表示方法及び半導体基板処理装置
JP2001174615A (ja) 1999-04-15 2001-06-29 Nikon Corp 回折光学素子、該素子の製造方法、該素子を備える照明装置、投影露光装置、露光方法、及び光ホモジナイザー、該光ホモジナイザーの製造方法
WO2000067303A1 (fr) * 1999-04-28 2000-11-09 Nikon Corporation Procede et appareil d'exposition
DE19921795A1 (de) 1999-05-11 2000-11-23 Zeiss Carl Fa Projektions-Belichtungsanlage und Belichtungsverfahren der Mikrolithographie
AU3193800A (en) * 1999-05-18 2000-12-05 Nikon Corporation Exposure method, illuminating device, and exposure system
US6498869B1 (en) 1999-06-14 2002-12-24 Xiaotian Steve Yao Devices for depolarizing polarized light
JP2000003874A (ja) 1999-06-15 2000-01-07 Nikon Corp 露光方法及び露光装置
JP2001007015A (ja) 1999-06-25 2001-01-12 Canon Inc ステージ装置
WO2001003170A1 (fr) 1999-06-30 2001-01-11 Nikon Corporation Procede et dispositif d'exposition
EP1129998B1 (en) 1999-07-05 2012-03-21 Nikon Corporation Method for producing quartz glass member
JP2001020951A (ja) 1999-07-07 2001-01-23 Toto Ltd 静圧気体軸受
JP2001023996A (ja) 1999-07-08 2001-01-26 Sony Corp 半導体製造方法
DE10029938A1 (de) 1999-07-09 2001-07-05 Zeiss Carl Optisches System für das Vakuum-Ultraviolett
JP2001037201A (ja) 1999-07-21 2001-02-09 Nikon Corp モータ装置、ステージ装置及び露光装置
JP2001100311A (ja) 1999-07-23 2001-04-13 Seiko Epson Corp プロジェクタ
JP2001044097A (ja) 1999-07-26 2001-02-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd 露光装置
US6280034B1 (en) 1999-07-30 2001-08-28 Philips Electronics North America Corporation Efficient two-panel projection system employing complementary illumination
JP3110023B1 (ja) 1999-09-02 2000-11-20 岩堀 雅行 燃料放出装置
JP2001083472A (ja) 1999-09-10 2001-03-30 Nikon Corp 光変調装置、光源装置、及び露光装置
EP1139521A4 (en) 1999-09-10 2006-03-22 Nikon Corp LIGHT SOURCE AND WAVELENGTH STABILIZATION CONTROL METHOD, EXPOSURE APPARATUS AND METHOD, METHOD FOR PRODUCING EXPOSURE APPARATUS, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD, AND DEVICE THEREOF
JP4362857B2 (ja) 1999-09-10 2009-11-11 株式会社ニコン 光源装置及び露光装置
DE69930398T2 (de) 1999-09-20 2006-10-19 Nikon Corp. Belichtungssystem mit einem parallelen Verbindungsmechanismus und Belichtungsverfahren
WO2001023935A1 (fr) 1999-09-29 2001-04-05 Nikon Corporation Procede et dispositif d'exposition par projection, et systeme optique de projection
WO2001023933A1 (fr) 1999-09-29 2001-04-05 Nikon Corporation Systeme optique de projection
JP2001097734A (ja) 1999-09-30 2001-04-10 Toshiba Ceramics Co Ltd 石英ガラス製容器およびその製造方法
KR100625625B1 (ko) 1999-10-07 2006-09-20 가부시키가이샤 니콘 기판, 스테이지 장치, 스테이지 구동 방법, 노광 장치 및노광 방법
JP2001110707A (ja) 1999-10-08 2001-04-20 Orc Mfg Co Ltd 周辺露光装置の光学系
JP2001118773A (ja) 1999-10-18 2001-04-27 Nikon Corp ステージ装置及び露光装置
JP2001135560A (ja) 1999-11-04 2001-05-18 Nikon Corp 照明光学装置、該照明光学装置を備えた露光装置、および該露光装置を用いたマイクロデバイス製造方法
WO2001035451A1 (fr) * 1999-11-09 2001-05-17 Nikon Corporation Illuminateur, aligneur, et procede de fabrication d'un tel dispositif
JP2001144004A (ja) 1999-11-16 2001-05-25 Nikon Corp 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法
US6361909B1 (en) * 1999-12-06 2002-03-26 Industrial Technology Research Institute Illumination aperture filter design using superposition
JP2001167996A (ja) 1999-12-10 2001-06-22 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置
TW546550B (en) 1999-12-13 2003-08-11 Asml Netherlands Bv An illuminator for a lithography apparatus, a lithography apparatus comprising such an illuminator, and a manufacturing method employing such a lithography apparatus
EP1109067B1 (en) 1999-12-13 2006-05-24 ASML Netherlands B.V. Illuminator
JP2002118058A (ja) 2000-01-13 2002-04-19 Nikon Corp 投影露光装置及び方法
JP2001203140A (ja) 2000-01-20 2001-07-27 Nikon Corp ステージ装置、露光装置及びデバイス製造方法
JP3413485B2 (ja) 2000-01-31 2003-06-03 住友重機械工業株式会社 リニアモータにおける推力リップル測定方法
JP2005233979A (ja) 2000-02-09 2005-09-02 Nikon Corp 反射屈折光学系
JP4018309B2 (ja) 2000-02-14 2007-12-05 松下電器産業株式会社 回路パラメータ抽出方法、半導体集積回路の設計方法および装置
JP2001228404A (ja) 2000-02-14 2001-08-24 Nikon Engineering Co Ltd 落射型顕微鏡、プローブカードの検査装置、および、プローブカードの製造方法
JP3302965B2 (ja) 2000-02-15 2002-07-15 株式会社東芝 露光装置の検査方法
JP2001228401A (ja) 2000-02-16 2001-08-24 Canon Inc 投影光学系、および該投影光学系による投影露光装置、デバイス製造方法
SG107560A1 (en) 2000-02-25 2004-12-29 Nikon Corp Exposure apparatus and exposure method capable of controlling illumination distribution
JP2001313250A (ja) 2000-02-25 2001-11-09 Nikon Corp 露光装置、その調整方法、及び前記露光装置を用いるデバイス製造方法
JP2002100561A (ja) 2000-07-19 2002-04-05 Nikon Corp 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法
JP2001242269A (ja) 2000-03-01 2001-09-07 Nikon Corp ステージ装置及びステージ駆動方法並びに露光装置及び露光方法
DE10010131A1 (de) * 2000-03-03 2001-09-06 Zeiss Carl Mikrolithographie - Projektionsbelichtung mit tangentialer Polarisartion
US7301605B2 (en) 2000-03-03 2007-11-27 Nikon Corporation Projection exposure apparatus and method, catadioptric optical system and manufacturing method of devices
JP2001264696A (ja) * 2000-03-16 2001-09-26 Canon Inc 照明光学系及びそれを備えた露光装置
JP2001267227A (ja) 2000-03-21 2001-09-28 Canon Inc 除振システム、露光装置およびデバイス製造方法
JP2001265581A (ja) 2000-03-21 2001-09-28 Canon Inc ソフトウエアの不正使用防止システムおよび不正使用防止方法
JP2001272764A (ja) * 2000-03-24 2001-10-05 Canon Inc 投影露光用フォトマスク、およびそれを用いた投影露光方法
JP2001338868A (ja) 2000-03-24 2001-12-07 Nikon Corp 照度計測装置及び露光装置
JP4689064B2 (ja) 2000-03-30 2011-05-25 キヤノン株式会社 露光装置およびデバイス製造方法
JP2001282526A (ja) 2000-03-31 2001-10-12 Canon Inc ソフトウェア管理装置、方法、及びコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
JP3927753B2 (ja) 2000-03-31 2007-06-13 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
JP2001296105A (ja) 2000-04-12 2001-10-26 Nikon Corp 面位置検出装置、並びに該検出装置を用いた露光装置および露光方法
JP2001297976A (ja) 2000-04-17 2001-10-26 Canon Inc 露光方法及び露光装置
JP2001307983A (ja) 2000-04-20 2001-11-02 Nikon Corp ステージ装置及び露光装置
JP3514439B2 (ja) 2000-04-20 2004-03-31 キヤノン株式会社 光学要素の支持構造、および該支持構造を用いて構成された露光装置と、該装置によるデバイス等の製造方法
JP2001304332A (ja) 2000-04-24 2001-10-31 Canon Inc 能動制振装置
JP2002014005A (ja) 2000-04-25 2002-01-18 Nikon Corp 空間像計測方法、結像特性計測方法、空間像計測装置及び露光装置
JP2003532281A (ja) 2000-04-25 2003-10-28 エーエスエムエル ユーエス,インコーポレイテッド 照明偏光の制御を備えた光学縮小システム
AU2001257191A1 (en) 2000-04-25 2001-11-07 Silicon Valley Group Inc Optical reduction system with elimination of reticle diffraction induced bias
JP2002057097A (ja) 2000-05-31 2002-02-22 Nikon Corp 露光装置、及びマイクロデバイス並びにその製造方法
JP2002016124A (ja) 2000-06-28 2002-01-18 Sony Corp ウェーハ搬送アーム機構
JP2002015978A (ja) 2000-06-29 2002-01-18 Canon Inc 露光装置
JP2002043213A (ja) 2000-07-25 2002-02-08 Nikon Corp ステージ装置および露光装置
DE60126103T2 (de) 2000-08-18 2007-11-15 Nikon Corp. Haltevorrichtung für optisches Element
JP3645801B2 (ja) * 2000-08-24 2005-05-11 ペンタックス株式会社 ビーム列検出方法および検出用位相フィルター
JP2002071513A (ja) 2000-08-28 2002-03-08 Nikon Corp 液浸系顕微鏡対物レンズ用干渉計および液浸系顕微鏡対物レンズの評価方法
JP4504537B2 (ja) 2000-08-29 2010-07-14 芝浦メカトロニクス株式会社 スピン処理装置
JP2002075835A (ja) * 2000-08-30 2002-03-15 Nikon Corp 照明光学装置および該照明光学装置を備えた露光装置
US6373614B1 (en) 2000-08-31 2002-04-16 Cambridge Research Instrumentation Inc. High performance polarization controller and polarization sensor
JP2002093690A (ja) 2000-09-19 2002-03-29 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法
JP2002093686A (ja) 2000-09-19 2002-03-29 Nikon Corp ステージ装置及び露光装置
JP2002091922A (ja) 2000-09-20 2002-03-29 Fujitsu General Ltd アプリケーションソフトとコンテンツの配信管理方法と配信管理システム
KR100857931B1 (ko) * 2000-10-10 2008-09-09 가부시키가이샤 니콘 결상성능의 평가방법
JP4245286B2 (ja) 2000-10-23 2009-03-25 株式会社ニコン 反射屈折光学系および該光学系を備えた露光装置
JP2002141270A (ja) 2000-11-01 2002-05-17 Nikon Corp 露光装置
US20020075467A1 (en) 2000-12-20 2002-06-20 Nikon Corporation Exposure apparatus and method
JP2002158157A (ja) 2000-11-17 2002-05-31 Nikon Corp 照明光学装置および露光装置並びにマイクロデバイスの製造方法
JP2002162655A (ja) * 2000-11-27 2002-06-07 Sony Corp 光学装置
JP2002170495A (ja) 2000-11-28 2002-06-14 Akira Sekino 隔壁一体型合成樹脂背面基板
JP2002231619A (ja) 2000-11-29 2002-08-16 Nikon Corp 照明光学装置および該照明光学装置を備えた露光装置
JP2002190438A (ja) 2000-12-21 2002-07-05 Nikon Corp 露光装置
JP2002198284A (ja) 2000-12-25 2002-07-12 Nikon Corp ステージ装置および露光装置
JP2002195912A (ja) 2000-12-27 2002-07-10 Nikon Corp 光学特性計測方法及び装置、露光装置、並びにデバイス製造方法
JP2002203763A (ja) 2000-12-27 2002-07-19 Nikon Corp 光学特性計測方法及び装置、信号感度設定方法、露光装置、並びにデバイス製造方法
JP2002202221A (ja) 2000-12-28 2002-07-19 Nikon Corp 位置検出方法、位置検出装置、光学特性測定方法、光学特性測定装置、露光装置、及びデバイス製造方法
JP3495992B2 (ja) 2001-01-26 2004-02-09 キヤノン株式会社 補正装置、露光装置、デバイス製造方法及びデバイス
US6563566B2 (en) 2001-01-29 2003-05-13 International Business Machines Corporation System and method for printing semiconductor patterns using an optimized illumination and reticle
JP2002229215A (ja) * 2001-01-30 2002-08-14 Nikon Corp 露光方法及び露光装置
JP2002227924A (ja) 2001-01-31 2002-08-14 Canon Inc 制震ダンパ及び制震ダンパを備えた露光装置
SE0100336L (sv) 2001-02-05 2002-08-06 Micronic Laser Systems Ab Adresseringsmetod och apparat som använder densamma tekniskt område
KR20040007444A (ko) 2001-02-06 2004-01-24 가부시키가이샤 니콘 노광장치 및 노광방법, 그리고 디바이스 제조방법
DE10113612A1 (de) 2001-02-23 2002-09-05 Zeiss Carl Teilobjektiv in einem Beleuchtungssystem
TWI285295B (en) 2001-02-23 2007-08-11 Asml Netherlands Bv Illumination optimization in lithography
KR100815222B1 (ko) 2001-02-27 2008-03-19 에이에스엠엘 유에스, 인크. 리소그래피 장치 및 적어도 하나의 레티클 상에 형성된 적어도 두 개의 패턴으로부터의 이미지로 기판 스테이지 상의 필드를 노출시키는 방법
JP2002258487A (ja) 2001-02-28 2002-09-11 Nikon Corp 露光方法及び露光装置
JP4501292B2 (ja) 2001-03-05 2010-07-14 コニカミノルタホールディングス株式会社 被塗布基材及び塗布材の塗布方法並びに素子の製造方法
WO2002080185A1 (fr) 2001-03-28 2002-10-10 Nikon Corporation Dispositif a etages, dispositif d'exposition et procede de fabrication du dispositif
JP2002289505A (ja) 2001-03-28 2002-10-04 Nikon Corp 露光装置,露光装置の調整方法,マイクロデバイスの製造方法
JP2002365783A (ja) 2001-04-05 2002-12-18 Sony Corp マスクパターンの作成装置、高解像度マスクの作製装置及び作製方法、並びにレジストパターン形成方法
JP2002305140A (ja) 2001-04-06 2002-10-18 Nikon Corp 露光装置及び基板処理システム
WO2002084850A1 (fr) 2001-04-09 2002-10-24 Kabushiki Kaisha Yaskawa Denki Induit de moteur lineaire protege et moteur lineaire protege
JP2002324743A (ja) 2001-04-24 2002-11-08 Canon Inc 露光方法及び装置
TW544547B (en) 2001-04-24 2003-08-01 Canon Kk Exposure method and apparatus
JP3937903B2 (ja) 2001-04-24 2007-06-27 キヤノン株式会社 露光方法及び装置
JP2002329651A (ja) 2001-04-27 2002-11-15 Nikon Corp 露光装置、露光装置の製造方法、及びマイクロデバイスの製造方法
DE10123725A1 (de) 2001-05-15 2002-11-21 Zeiss Carl Projektionsbelichtungsanlage der Mikrolithographie, Optisches System und Herstellverfahren
KR20040015251A (ko) 2001-05-15 2004-02-18 칼 짜이스 에스엠티 아게 불화물 결정 렌즈들을 포함하는 렌즈 시스템
DE10124566A1 (de) 2001-05-15 2002-11-21 Zeiss Carl Optisches Abbildungssystem mit Polarisationsmitteln und Quarzkristallplatte hierfür
DE10124474A1 (de) 2001-05-19 2002-11-21 Zeiss Carl Mikrolithographisches Belichtungsverfahren sowie Projektionsobjektiv zur Durchführung des Verfahrens
US7053988B2 (en) 2001-05-22 2006-05-30 Carl Zeiss Smt Ag. Optically polarizing retardation arrangement, and microlithography projection exposure machine
DE10124803A1 (de) * 2001-05-22 2002-11-28 Zeiss Carl Polarisator und Mikrolithographie-Projektionsanlage mit Polarisator
TW544758B (en) * 2001-05-23 2003-08-01 Nikon Corp Lighting optical device, exposure system, and production method of micro device
JP2002353105A (ja) 2001-05-24 2002-12-06 Nikon Corp 照明光学装置,該照明光学装置を備えた露光装置,およびマイクロデバイスの製造方法
JP4622160B2 (ja) 2001-05-31 2011-02-02 旭硝子株式会社 回折格子一体型旋光子および光ヘッド装置
JP2002359174A (ja) 2001-05-31 2002-12-13 Mitsubishi Electric Corp 露光工程管理システム、露光工程管理方法、および露光工程を管理するためのプログラム
JP2002359176A (ja) 2001-05-31 2002-12-13 Canon Inc 照明装置、照明制御方法、露光装置、デバイス製造方法及びデバイス
US6737662B2 (en) * 2001-06-01 2004-05-18 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method, device manufactured thereby, control system, computer program, and computer program product
JP4689081B2 (ja) 2001-06-06 2011-05-25 キヤノン株式会社 露光装置、調整方法、およびデバイス製造方法
JP3734432B2 (ja) 2001-06-07 2006-01-11 三星電子株式会社 マスク搬送装置、マスク搬送システム及びマスク搬送方法
JPWO2002101804A1 (ja) 2001-06-11 2004-09-30 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法、並びに温度安定化流路装置
JP2002367523A (ja) 2001-06-12 2002-12-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラズマディスプレイパネルとプラズマディスプレイパネルの製造方法
JPWO2002103766A1 (ja) 2001-06-13 2004-10-07 株式会社ニコン 走査露光方法及び走査型露光装置、並びにデバイス製造方法
JP2002373849A (ja) 2001-06-15 2002-12-26 Canon Inc 露光装置
US6788385B2 (en) 2001-06-21 2004-09-07 Nikon Corporation Stage device, exposure apparatus and method
JP4829429B2 (ja) * 2001-06-27 2011-12-07 キヤノン株式会社 透過率測定装置
US6831731B2 (en) 2001-06-28 2004-12-14 Nikon Corporation Projection optical system and an exposure apparatus with the projection optical system
WO2003003429A1 (fr) 2001-06-28 2003-01-09 Nikon Corporation Systeme de projection optique, systeme d'exposition et procede
JP2003015314A (ja) 2001-07-02 2003-01-17 Nikon Corp 照明光学装置および該照明光学装置を備えた露光装置
JP2003017003A (ja) 2001-07-04 2003-01-17 Canon Inc ランプおよび光源装置
JP2003015040A (ja) 2001-07-04 2003-01-15 Nikon Corp 投影光学系および該投影光学系を備えた露光装置
US6727992B2 (en) * 2001-07-06 2004-04-27 Zygo Corporation Method and apparatus to reduce effects of sheared wavefronts on interferometric phase measurements
JP3507459B2 (ja) 2001-07-09 2004-03-15 キヤノン株式会社 照明装置、露光装置及びデバイス製造方法
US6788389B2 (en) * 2001-07-10 2004-09-07 Nikon Corporation Production method of projection optical system
JP2003028673A (ja) 2001-07-10 2003-01-29 Canon Inc 光学式エンコーダ、半導体製造装置、デバイス製造方法、半導体製造工場および半導体製造装置の保守方法
EP1280007B1 (en) 2001-07-24 2008-06-18 ASML Netherlands B.V. Imaging apparatus
JP2003045712A (ja) 2001-07-26 2003-02-14 Japan Aviation Electronics Industry Ltd 防水コイル及びその製造方法
JP4522024B2 (ja) 2001-07-27 2010-08-11 キヤノン株式会社 水銀ランプ、照明装置及び露光装置
JP2003043223A (ja) 2001-07-30 2003-02-13 Nikon Corp 結晶材料で形成されたビームスプリッターおよび波長板、並びにこれらの結晶光学部品を備えた光学装置、露光装置並びに検査装置
JP2003059799A (ja) 2001-08-10 2003-02-28 Nikon Corp 照明光学系、露光装置、及びマイクロデバイスの製造方法
JP2003059803A (ja) 2001-08-14 2003-02-28 Canon Inc 露光装置
JP2003068600A (ja) 2001-08-22 2003-03-07 Canon Inc 露光装置、および基板チャックの冷却方法
JP2003068607A (ja) 2001-08-23 2003-03-07 Nikon Corp 露光装置および露光方法
TW554411B (en) 2001-08-23 2003-09-21 Nikon Corp Exposure apparatus
JP2003068604A (ja) 2001-08-23 2003-03-07 Nikon Corp 照明光学装置および該照明光学装置を備えた露光装置
JP2003075703A (ja) 2001-08-31 2003-03-12 Konica Corp 光学ユニット及び光学装置
KR100452928B1 (ko) 2001-08-31 2004-10-14 안희석 감자라면 및 그 제조방법
JP4343685B2 (ja) 2001-08-31 2009-10-14 キヤノン株式会社 レチクル及び光学特性計測方法
JP4183166B2 (ja) 2001-08-31 2008-11-19 京セラ株式会社 位置決め装置用部材
JP2003081654A (ja) 2001-09-06 2003-03-19 Toshiba Ceramics Co Ltd 合成石英ガラスおよびその製造方法
WO2003023832A1 (fr) 2001-09-07 2003-03-20 Nikon Corporation Procede et systeme d'exposition, et procede de construction de dispositif associe
JP2003084445A (ja) 2001-09-13 2003-03-19 Canon Inc 走査型露光装置および露光方法
JP2003090978A (ja) * 2001-09-17 2003-03-28 Canon Inc 照明装置、露光装置及びデバイス製造方法
JP4160286B2 (ja) 2001-09-21 2008-10-01 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社 Lsiパターンの寸法測定箇所選定方法
JP3910032B2 (ja) 2001-09-25 2007-04-25 大日本スクリーン製造株式会社 基板現像装置
JP2003114387A (ja) 2001-10-04 2003-04-18 Nikon Corp 反射屈折光学系および該光学系を備える投影露光装置
JP4412450B2 (ja) 2001-10-05 2010-02-10 信越化学工業株式会社 反射防止フィルター
JP2003124095A (ja) 2001-10-11 2003-04-25 Nikon Corp 投影露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法
JP2003130132A (ja) 2001-10-22 2003-05-08 Nec Ameniplantex Ltd 除振機構
US6970232B2 (en) 2001-10-30 2005-11-29 Asml Netherlands B.V. Structures and methods for reducing aberration in integrated circuit fabrication systems
JP2003202523A (ja) 2001-11-02 2003-07-18 Nec Viewtechnology Ltd 偏光ユニット、該偏光ユニットを用いた偏光照明装置及び該偏光照明装置を用いた投写型表示装置
US6577379B1 (en) 2001-11-05 2003-06-10 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for shaping and/or orienting radiation irradiating a microlithographic substrate
JP4362999B2 (ja) 2001-11-12 2009-11-11 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
US6900915B2 (en) * 2001-11-14 2005-05-31 Ricoh Company, Ltd. Light deflecting method and apparatus efficiently using a floating mirror
JP4307813B2 (ja) 2001-11-14 2009-08-05 株式会社リコー 光偏向方法並びに光偏向装置及びその光偏向装置の製造方法並びにその光偏向装置を具備する光情報処理装置及び画像形成装置及び画像投影表示装置及び光伝送装置
JP3809095B2 (ja) 2001-11-29 2006-08-16 ペンタックス株式会社 露光装置用光源システムおよび露光装置
JP2003166856A (ja) 2001-11-29 2003-06-13 Fuji Electric Co Ltd 光学式エンコーダ
JP2003161882A (ja) 2001-11-29 2003-06-06 Nikon Corp 投影光学系、露光装置および露光方法
JP3945569B2 (ja) 2001-12-06 2007-07-18 東京応化工業株式会社 現像装置
JP2003188087A (ja) 2001-12-21 2003-07-04 Sony Corp 露光方法および露光装置並びに半導体装置の製造方法
JP2003249443A (ja) 2001-12-21 2003-09-05 Nikon Corp ステージ装置、ステージ位置管理方法、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
TW200301848A (en) * 2002-01-09 2003-07-16 Nikon Corp Exposure apparatus and exposure method
TW200302507A (en) 2002-01-21 2003-08-01 Nikon Corp Stage device and exposure device
JP3809381B2 (ja) 2002-01-28 2006-08-16 キヤノン株式会社 リニアモータ、ステージ装置、露光装置及びデバイス製造方法
JP2003229347A (ja) 2002-01-31 2003-08-15 Canon Inc 半導体製造装置
JP2003233001A (ja) 2002-02-07 2003-08-22 Canon Inc 反射型投影光学系、露光装置及びデバイス製造方法
US20050134825A1 (en) 2002-02-08 2005-06-23 Carl Zeiss Smt Ag Polarization-optimized illumination system
DE10206061A1 (de) 2002-02-08 2003-09-04 Carl Zeiss Semiconductor Mfg S Polarisationsoptimiertes Beleuchtungssystem
JP2003240906A (ja) 2002-02-20 2003-08-27 Dainippon Printing Co Ltd 反射防止体およびその製造方法
JP2003257812A (ja) 2002-02-27 2003-09-12 Nikon Corp 結像光学系の評価方法、結像光学系の調整方法、露光装置および露光方法
JP2003258071A (ja) 2002-02-28 2003-09-12 Nikon Corp 基板保持装置及び露光装置
JP4352458B2 (ja) 2002-03-01 2009-10-28 株式会社ニコン 投影光学系の調整方法、予測方法、評価方法、調整方法、露光方法及び露光装置、露光装置の製造方法、プログラム並びにデバイス製造方法
JP3984841B2 (ja) 2002-03-07 2007-10-03 キヤノン株式会社 歪み計測装置、歪み抑制装置、及び露光装置、並びにデバイス製造方法
JP2003263119A (ja) 2002-03-07 2003-09-19 Fuji Xerox Co Ltd リブ付き電極およびその製造方法
DE10210899A1 (de) 2002-03-08 2003-09-18 Zeiss Carl Smt Ag Refraktives Projektionsobjektiv für Immersions-Lithographie
JP3975787B2 (ja) 2002-03-12 2007-09-12 ソニー株式会社 固体撮像素子
JP4100011B2 (ja) 2002-03-13 2008-06-11 セイコーエプソン株式会社 表面処理装置、有機el装置の製造装置及び製造方法
US7085052B2 (en) 2002-03-14 2006-08-01 Optellios, Inc. Over-parameterized polarization controller
US20050094268A1 (en) * 2002-03-14 2005-05-05 Carl Zeiss Smt Ag Optical system with birefringent optical elements
JP4335495B2 (ja) 2002-03-27 2009-09-30 株式会社日立ハイテクノロジーズ 定圧チャンバ、それを用いた照射装置及び回路パターンの検査装置
JP2003297727A (ja) 2002-04-03 2003-10-17 Nikon Corp 照明光学装置、露光装置および露光方法
KR101013347B1 (ko) 2002-04-09 2011-02-10 가부시키가이샤 니콘 노광방법, 노광장치, 및 디바이스 제조방법
KR20050003356A (ko) 2002-04-10 2005-01-10 후지 샤신 필름 가부시기가이샤 노광헤드 및 노광장치와 그 응용
DE10310690A1 (de) 2002-04-12 2003-10-30 Heidelberger Druckmasch Ag Bogenführungseinrichtung in einer bogenverarbeitenden Maschine
JP3950732B2 (ja) * 2002-04-23 2007-08-01 キヤノン株式会社 照明光学系、照明方法及び露光装置
JP4333078B2 (ja) * 2002-04-26 2009-09-16 株式会社ニコン 投影光学系、該投影光学系を備えた露光装置および該投影光学系を用いた露光方法並びにデバイス製造方法
US20050095749A1 (en) * 2002-04-29 2005-05-05 Mathias Krellmann Device for protecting a chip and method for operating a chip
WO2003093167A1 (en) 2002-04-29 2003-11-13 Fraunhofer-Gesellschaft Zur Förderung Der Angewandten Forschung Device for protecting a chip and method for operating a chip
JP4324957B2 (ja) * 2002-05-27 2009-09-02 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置および露光方法
JP4198528B2 (ja) * 2002-05-31 2008-12-17 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. 光学エレメントを組み立てる部品のキット、光学エレメントを組み立てる方法、光学エレメント、リソグラフィ装置、およびデバイス製造法
JP4037179B2 (ja) 2002-06-04 2008-01-23 東京エレクトロン株式会社 洗浄方法、洗浄装置
JP2004015187A (ja) 2002-06-04 2004-01-15 Fuji Photo Film Co Ltd 撮影補助システム、デジタルカメラ、及びサーバ
JP2004014876A (ja) 2002-06-07 2004-01-15 Nikon Corp 調整方法、空間像計測方法及び像面計測方法、並びに露光装置
JP2004022708A (ja) 2002-06-14 2004-01-22 Nikon Corp 結像光学系、照明光学系、露光装置及び露光方法
JP3448812B2 (ja) 2002-06-14 2003-09-22 株式会社ニコン マーク検知装置、及びそれを有する露光装置、及びその露光装置を用いた半導体素子又は液晶表示素子の製造方法
JP2004179172A (ja) 2002-06-26 2004-06-24 Nikon Corp 露光装置及び露光方法並びにデバイス製造方法
JP4012771B2 (ja) 2002-06-28 2007-11-21 富士通エフ・アイ・ピー株式会社 ライセンス管理方法、ライセンス管理システム、ライセンス管理プログラム
JP2004039952A (ja) 2002-07-05 2004-02-05 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置の監視方法およびプラズマ処理装置
JP2004040039A (ja) 2002-07-08 2004-02-05 Sony Corp 露光方法の選択方法
JP2004045063A (ja) 2002-07-09 2004-02-12 Topcon Corp 光学式ロータリーエンコーダ板の製造方法および光学式ロータリーエンコーダ板
JP2004051717A (ja) 2002-07-17 2004-02-19 Mitsubishi Heavy Ind Ltd バイオマスのガス化装置
AU2003252135A1 (en) 2002-07-26 2004-02-16 Massachusetts Institute Of Technology Optical imaging using a pupil filter and coordinated illumination polarisation
JP2004063847A (ja) 2002-07-30 2004-02-26 Nikon Corp 露光装置、露光方法、及びステージ装置
JP2004063988A (ja) 2002-07-31 2004-02-26 Canon Inc 照明光学系、当該照明光学系を有する露光装置及びデバイス製造方法
JP2004071851A (ja) 2002-08-07 2004-03-04 Canon Inc 半導体露光方法及び露光装置
JP2004085612A (ja) 2002-08-22 2004-03-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd ハーフトーン位相シフトマスク、その製造方法およびそれを用いたパターン形成方法
JP4095376B2 (ja) 2002-08-28 2008-06-04 キヤノン株式会社 露光装置及び方法、並びに、デバイス製造方法
JP2004095653A (ja) 2002-08-29 2004-03-25 Nikon Corp 露光装置
JP2004145269A (ja) 2002-08-30 2004-05-20 Nikon Corp 投影光学系、反射屈折型投影光学系、走査型露光装置及び露光方法
US7293847B2 (en) * 2002-08-31 2007-11-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Cabinet for recessed refrigerators
JP2004103674A (ja) 2002-09-06 2004-04-02 Renesas Technology Corp 半導体集積回路装置の製造方法
JP2004101362A (ja) 2002-09-10 2004-04-02 Canon Inc ステージ位置計測および位置決め装置
JP2004098012A (ja) 2002-09-12 2004-04-02 Seiko Epson Corp 薄膜形成方法、薄膜形成装置、光学素子、有機エレクトロルミネッセンス素子、半導体素子および電子機器
JP2004104654A (ja) 2002-09-12 2004-04-02 Ricoh Co Ltd 画像読取装置
JP2004111579A (ja) 2002-09-17 2004-04-08 Canon Inc 露光方法及び装置
JP4269610B2 (ja) 2002-09-17 2009-05-27 株式会社ニコン 露光装置及び露光装置の製造方法
KR100480620B1 (ko) 2002-09-19 2005-03-31 삼성전자주식회사 마이크로 미러 어레이를 구비한 노광 장치 및 이를 이용한노광 방법
JP3958163B2 (ja) * 2002-09-19 2007-08-15 キヤノン株式会社 露光方法
JP2004119497A (ja) 2002-09-24 2004-04-15 Huabang Electronic Co Ltd 半導体製造設備と方法
JP4333866B2 (ja) 2002-09-26 2009-09-16 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理方法および基板処理装置
JP2004128307A (ja) 2002-10-04 2004-04-22 Nikon Corp 露光装置及びその調整方法
US6665119B1 (en) 2002-10-15 2003-12-16 Eastman Kodak Company Wire grid polarizer
JP2004134682A (ja) 2002-10-15 2004-04-30 Nikon Corp 気体シリンダ、ステージ装置及び露光装置
JP2004140145A (ja) 2002-10-17 2004-05-13 Nikon Corp 露光装置
JP2004146702A (ja) 2002-10-25 2004-05-20 Nikon Corp 光学特性計測方法、露光方法及びデバイス製造方法
JP2004153096A (ja) 2002-10-31 2004-05-27 Nikon Corp 露光装置
JP2004153064A (ja) 2002-10-31 2004-05-27 Nikon Corp 露光装置
JP2004152705A (ja) 2002-11-01 2004-05-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JP2004165249A (ja) 2002-11-11 2004-06-10 Sony Corp 露光装置及び露光方法
KR100588124B1 (ko) 2002-11-12 2006-06-09 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피장치 및 디바이스제조방법
JP2004163555A (ja) 2002-11-12 2004-06-10 Olympus Corp 落射顕微鏡及び落射顕微鏡用対物レンズ
JP2004165416A (ja) 2002-11-13 2004-06-10 Nikon Corp 露光装置及び建屋
JP2004172471A (ja) 2002-11-21 2004-06-17 Nikon Corp 露光方法及び露光装置
JP4378938B2 (ja) 2002-11-25 2009-12-09 株式会社ニコン 露光装置、及びデバイス製造方法
US6844927B2 (en) 2002-11-27 2005-01-18 Kla-Tencor Technologies Corporation Apparatus and methods for removing optical abberations during an optical inspection
US6958806B2 (en) 2002-12-02 2005-10-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4314555B2 (ja) 2002-12-03 2009-08-19 株式会社ニコン リニアモータ装置、ステージ装置、及び露光装置
TW200412617A (en) * 2002-12-03 2004-07-16 Nikon Corp Optical illumination device, method for adjusting optical illumination device, exposure device and exposure method
US6992750B2 (en) * 2002-12-10 2006-01-31 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus and method
JP4232449B2 (ja) 2002-12-10 2009-03-04 株式会社ニコン 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法
US20040108973A1 (en) 2002-12-10 2004-06-10 Kiser David K. Apparatus for generating a number of color light components
JP2004301825A (ja) 2002-12-10 2004-10-28 Nikon Corp 面位置検出装置、露光方法、及びデバイス製造方法
WO2004053957A1 (ja) 2002-12-10 2004-06-24 Nikon Corporation 面位置検出装置、露光方法、及びデバイス製造方法
SG152063A1 (en) 2002-12-10 2009-05-29 Nikon Corp Exposure apparatus and method for producing device
KR101101737B1 (ko) 2002-12-10 2012-01-05 가부시키가이샤 니콘 노광장치 및 노광방법, 디바이스 제조방법
AU2003302831A1 (en) 2002-12-10 2004-06-30 Nikon Corporation Exposure method, exposure apparatus and method for manufacturing device
WO2004053952A1 (ja) 2002-12-10 2004-06-24 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
TW200421444A (en) 2002-12-10 2004-10-16 Nippon Kogaku Kk Optical device and projecting exposure apparatus using such optical device
KR20120127755A (ko) 2002-12-10 2012-11-23 가부시키가이샤 니콘 노광장치 및 디바이스 제조방법
KR20130010039A (ko) 2002-12-10 2013-01-24 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
JP4352874B2 (ja) 2002-12-10 2009-10-28 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
JP4595320B2 (ja) 2002-12-10 2010-12-08 株式会社ニコン 露光装置、及びデバイス製造方法
DE10257766A1 (de) 2002-12-10 2004-07-15 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Einstellung einer gewünschten optischen Eigenschaft eines Projektionsobjektivs sowie mikrolithografische Projektionsbelichtungsanlage
AU2003289237A1 (en) 2002-12-10 2004-06-30 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for manufacturing device
JP2004193425A (ja) 2002-12-12 2004-07-08 Nikon Corp 移動制御方法及び装置、露光装置、並びにデバイス製造方法
JP2004198748A (ja) 2002-12-19 2004-07-15 Nikon Corp オプティカルインテグレータ、照明光学装置、露光装置および露光方法
JP2004205698A (ja) 2002-12-24 2004-07-22 Nikon Corp 投影光学系、露光装置および露光方法
US6891655B2 (en) * 2003-01-02 2005-05-10 Micronic Laser Systems Ab High energy, low energy density, radiation-resistant optics used with micro-electromechanical devices
JP2004221253A (ja) 2003-01-14 2004-08-05 Nikon Corp 露光装置
WO2004063695A1 (en) 2003-01-15 2004-07-29 Micronic Laser Systems Ab A method to detect a defective pixel
JP2004228497A (ja) 2003-01-27 2004-08-12 Nikon Corp 露光装置及び電子デバイスの製造方法
JP2004224421A (ja) 2003-01-27 2004-08-12 Tokyo Autom Mach Works Ltd 製品供給装置
JP2004241666A (ja) 2003-02-07 2004-08-26 Nikon Corp 計測方法及び露光方法
JP2004007417A (ja) 2003-02-10 2004-01-08 Fujitsu Ltd 情報提供システム
JP4366948B2 (ja) 2003-02-14 2009-11-18 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置および露光方法
JP2004259828A (ja) 2003-02-25 2004-09-16 Nikon Corp 半導体露光装置
JP2004259985A (ja) 2003-02-26 2004-09-16 Sony Corp レジストパターン形成装置およびその形成方法、および、当該方法を用いた半導体装置の製造方法
JP4604452B2 (ja) 2003-02-26 2011-01-05 株式会社ニコン 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
SG2012087615A (en) 2003-02-26 2015-08-28 Nippon Kogaku Kk Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US7206059B2 (en) 2003-02-27 2007-04-17 Asml Netherlands B.V. Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems
US6943941B2 (en) 2003-02-27 2005-09-13 Asml Netherlands B.V. Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems
JP2004260115A (ja) 2003-02-27 2004-09-16 Nikon Corp ステージ装置、露光装置、及びデバイス製造方法
JP4305003B2 (ja) 2003-02-27 2009-07-29 株式会社ニコン Euv光学系及びeuv露光装置
JP2004260081A (ja) 2003-02-27 2004-09-16 Nikon Corp 紫外域用反射ミラー装置及びそれを用いた投影露光装置
JP4353179B2 (ja) 2003-03-25 2009-10-28 株式会社ニコン 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
JP2004294202A (ja) 2003-03-26 2004-10-21 Seiko Epson Corp 画面の欠陥検出方法及び装置
JP4265257B2 (ja) 2003-03-28 2009-05-20 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、フィルム構造体
JP4496711B2 (ja) 2003-03-31 2010-07-07 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法
JP2004304135A (ja) 2003-04-01 2004-10-28 Nikon Corp 露光装置、露光方法及びマイクロデバイスの製造方法
ATE426914T1 (de) 2003-04-07 2009-04-15 Nikon Corp Belichtungsgerat und verfahren zur herstellung einer vorrichtung
JP4374964B2 (ja) 2003-09-26 2009-12-02 株式会社ニコン 石英ガラスの成形方法及び成形装置
JP4465974B2 (ja) 2003-04-07 2010-05-26 株式会社ニコン 石英ガラスの成形装置
WO2004091079A1 (ja) 2003-04-07 2004-10-21 Kabushiki Kaisha Yaskawa Denki キャンド・リニアモータ電機子およびキャンド・リニアモータ
JP4341277B2 (ja) 2003-04-07 2009-10-07 株式会社ニコン 石英ガラスの成形方法
JP4281397B2 (ja) 2003-04-07 2009-06-17 株式会社ニコン 石英ガラスの成形装置
JP4288413B2 (ja) 2003-04-07 2009-07-01 株式会社ニコン 石英ガラスの成形方法及び成形装置
KR20150036786A (ko) * 2003-04-09 2015-04-07 가부시키가이샤 니콘 노광 방법 및 장치, 그리고 디바이스 제조 방법
JP4428115B2 (ja) 2003-04-11 2010-03-10 株式会社ニコン 液浸リソグラフィシステム
US6842223B2 (en) * 2003-04-11 2005-01-11 Nikon Precision Inc. Enhanced illuminator for use in photolithographic systems
JP2004319724A (ja) 2003-04-16 2004-11-11 Ses Co Ltd 半導体洗浄装置に於ける洗浄槽の構造
WO2004094940A1 (ja) 2003-04-23 2004-11-04 Nikon Corporation 干渉計システム、干渉計システムにおける信号処理方法、該信号処理方法を用いるステージ
WO2004094301A1 (en) 2003-04-24 2004-11-04 Metconnex Canada Inc. A micro-electro-mechanical-system two dimensional mirror with articulated suspension structures for high fill factor arrays
US7095546B2 (en) 2003-04-24 2006-08-22 Metconnex Canada Inc. Micro-electro-mechanical-system two dimensional mirror with articulated suspension structures for high fill factor arrays
JP2004327660A (ja) 2003-04-24 2004-11-18 Nikon Corp 走査型投影露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
JP2004335808A (ja) 2003-05-08 2004-11-25 Sony Corp パターン転写装置、パターン転写方法およびプログラム
JP4487168B2 (ja) 2003-05-09 2010-06-23 株式会社ニコン ステージ装置及びその駆動方法、並びに露光装置
JP2004335864A (ja) 2003-05-09 2004-11-25 Nikon Corp 露光装置及び露光方法
US7511886B2 (en) * 2003-05-13 2009-03-31 Carl Zeiss Smt Ag Optical beam transformation system and illumination system comprising an optical beam transformation system
JP2004342987A (ja) 2003-05-19 2004-12-02 Canon Inc ステージ装置
TW200507055A (en) 2003-05-21 2005-02-16 Nikon Corp Polarized cancellation element, illumination device, exposure device, and exposure method
JP2005012190A (ja) 2003-05-23 2005-01-13 Nikon Corp 結像光学系の評価方法、結像光学系の調整方法、露光装置および露光方法
TWI518742B (zh) 2003-05-23 2016-01-21 尼康股份有限公司 A method of manufacturing an exposure apparatus and an element
TW201515064A (zh) 2003-05-23 2015-04-16 尼康股份有限公司 曝光方法及曝光裝置以及元件製造方法
JP2004349645A (ja) 2003-05-26 2004-12-09 Sony Corp 液浸差動排液静圧浮上パッド、原盤露光装置および液侵差動排液による露光方法
KR101548832B1 (ko) 2003-05-28 2015-09-01 가부시키가이샤 니콘 노광 방법, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법
JP2004356410A (ja) 2003-05-29 2004-12-16 Nikon Corp 露光装置及び露光方法
DE10324477A1 (de) 2003-05-30 2004-12-30 Carl Zeiss Smt Ag Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage
KR101087516B1 (ko) 2003-06-04 2011-11-28 가부시키가이샤 니콘 스테이지 장치, 고정 방법, 노광 장치, 노광 방법, 및디바이스의 제조 방법
JP2005005295A (ja) 2003-06-09 2005-01-06 Nikon Corp ステージ装置及び露光装置
JP2005005395A (ja) 2003-06-10 2005-01-06 Nikon Corp ガス給排気方法及び装置、鏡筒、露光装置及び方法
JP2005005521A (ja) 2003-06-12 2005-01-06 Nikon Corp 露光装置、露光方法、および偏光状態測定装置
US6867844B2 (en) 2003-06-19 2005-03-15 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles
JP2005011990A (ja) 2003-06-19 2005-01-13 Nikon Corp 走査型投影露光装置、走査型投影露光装置の照度キャリブレーション方法及び露光方法
TWI515769B (zh) 2003-06-19 2016-01-01 尼康股份有限公司 An exposure apparatus, an exposure method, and an element manufacturing method
JP2005019628A (ja) 2003-06-25 2005-01-20 Nikon Corp 光学装置、露光装置、並びにデバイス製造方法
JP3862678B2 (ja) 2003-06-27 2006-12-27 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
DE10328938A1 (de) 2003-06-27 2005-01-20 Carl Zeiss Smt Ag Korrektureinrichtung zur Kompensation von Störungen der Polarisationsverteilung sowie Projektionsobjektiv für die Mikrolithografie
JP2005024890A (ja) 2003-07-02 2005-01-27 Renesas Technology Corp 偏光子、投影レンズ系、露光装置及び露光方法
JP2005026634A (ja) 2003-07-04 2005-01-27 Sony Corp 露光装置および半導体装置の製造方法
WO2005006418A1 (ja) 2003-07-09 2005-01-20 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
EP1646075B1 (en) 2003-07-09 2011-06-15 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
JPWO2005008754A1 (ja) 2003-07-18 2007-09-20 株式会社ニコン フレア計測方法、露光方法、及びフレア計測用のマスク
EP1662553A1 (en) 2003-07-24 2006-05-31 Nikon Corporation Illuminating optical system, exposure system and exposure method
JP4492600B2 (ja) 2003-07-28 2010-06-30 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
JP4492239B2 (ja) 2003-07-28 2010-06-30 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法、並びに露光装置の制御方法
JP2005050718A (ja) 2003-07-30 2005-02-24 Furukawa Electric Co Ltd:The フラットケーブル用端子接続治具
JP2005051147A (ja) 2003-07-31 2005-02-24 Nikon Corp 露光方法及び露光装置
JP2005055811A (ja) 2003-08-07 2005-03-03 Olympus Corp 光学部材、この光学部材を組み込む光学機器、及びその光学機器の組み立て方法
JP2005064210A (ja) 2003-08-12 2005-03-10 Nikon Corp 露光方法、該露光方法を利用した電子デバイスの製造方法及び露光装置
JP4262031B2 (ja) 2003-08-19 2009-05-13 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイスの製造方法
TWI245163B (en) 2003-08-29 2005-12-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
TWI622083B (zh) 2003-08-29 2018-04-21 Nikon Corp Exposure apparatus, liquid removal method, and component manufacturing method
JP4305095B2 (ja) 2003-08-29 2009-07-29 株式会社ニコン 光学部品の洗浄機構を搭載した液浸投影露光装置及び液浸光学部品洗浄方法
TWI263859B (en) 2003-08-29 2006-10-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4218475B2 (ja) 2003-09-11 2009-02-04 株式会社ニコン 極端紫外線光学系及び露光装置
JP4323903B2 (ja) 2003-09-12 2009-09-02 キヤノン株式会社 照明光学系及びそれを用いた露光装置
US7714983B2 (en) 2003-09-12 2010-05-11 Carl Zeiss Smt Ag Illumination system for a microlithography projection exposure installation
JP2005091023A (ja) 2003-09-12 2005-04-07 Minolta Co Ltd 光学式エンコーダおよびそれを備えた撮像装置
DE10343333A1 (de) 2003-09-12 2005-04-14 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungssystem für eine Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage
JP2005093324A (ja) 2003-09-19 2005-04-07 Toshiba Corp 画像表示装置に用いるガラス基板、ガラス基板の製造方法、およびガラス基板の製造装置
JP2005093948A (ja) 2003-09-19 2005-04-07 Nikon Corp 露光装置及びその調整方法、露光方法、並びにデバイス製造方法
JP4444920B2 (ja) 2003-09-19 2010-03-31 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
JP2005123586A (ja) 2003-09-25 2005-05-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd 投影装置および投影方法
US7408616B2 (en) * 2003-09-26 2008-08-05 Carl Zeiss Smt Ag Microlithographic exposure method as well as a projection exposure system for carrying out the method
DE60321241D1 (de) * 2003-09-26 2008-07-03 Zeiss Carl Smt Ag Belichtungsverfahren sowie Projektions-Belichtungssystem zur Ausführung des Verfahrens
JP4385702B2 (ja) 2003-09-29 2009-12-16 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法
JP2005108925A (ja) 2003-09-29 2005-04-21 Nikon Corp 照明光学装置、露光装置および露光方法
JP4513299B2 (ja) 2003-10-02 2010-07-28 株式会社ニコン 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
JP4470433B2 (ja) 2003-10-02 2010-06-02 株式会社ニコン 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
JP2005114882A (ja) 2003-10-06 2005-04-28 Hitachi High-Tech Electronics Engineering Co Ltd 処理ステージの基板載置方法、基板露光ステージおよび基板露光装置
JP2005116831A (ja) 2003-10-08 2005-04-28 Nikon Corp 投影露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
WO2005036623A1 (ja) 2003-10-08 2005-04-21 Zao Nikon Co., Ltd. 基板搬送装置及び基板搬送方法、露光装置及び露光方法、デバイス製造方法
JP2005136364A (ja) 2003-10-08 2005-05-26 Zao Nikon Co Ltd 基板搬送装置、露光装置、並びにデバイス製造方法
WO2005036619A1 (ja) 2003-10-09 2005-04-21 Nikon Corporation 照明光学装置、露光装置および露光方法
WO2005036620A1 (ja) 2003-10-10 2005-04-21 Nikon Corporation 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
EP1524558A1 (en) 2003-10-15 2005-04-20 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2005127460A (ja) 2003-10-27 2005-05-19 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 免震除振床システム
EP1679738A4 (en) 2003-10-28 2008-08-06 Nikon Corp EXPOSURE DEVICE, EXPOSURE METHOD AND COMPONENT MANUFACTURING METHOD
TWI474132B (zh) 2003-10-28 2015-02-21 尼康股份有限公司 照明光學裝置、投影曝光裝置、曝光方法以及元件製造方法
JP2005140999A (ja) 2003-11-06 2005-06-02 Nikon Corp 光学系、光学系の調整方法、露光装置、および露光方法
JP4631707B2 (ja) 2003-11-13 2011-02-16 株式会社ニコン 照明装置、露光装置、露光方法及びデバイスの製造方法
KR20060109430A (ko) 2003-11-17 2006-10-20 가부시키가이샤 니콘 스테이지 구동 방법, 스테이지 장치, 및 노광장치
JP4470095B2 (ja) 2003-11-20 2010-06-02 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置および露光方法
TWI612338B (zh) * 2003-11-20 2018-01-21 尼康股份有限公司 光學照明裝置、曝光裝置、曝光方法、以及元件製造方法
JP4976094B2 (ja) 2003-11-20 2012-07-18 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置、露光方法、およびマイクロデバイスの製造方法
JP4552428B2 (ja) 2003-12-02 2010-09-29 株式会社ニコン 照明光学装置、投影露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
US6970233B2 (en) 2003-12-03 2005-11-29 Texas Instruments Incorporated System and method for custom-polarized photolithography illumination
JP2005175176A (ja) 2003-12-11 2005-06-30 Nikon Corp 露光方法及びデバイス製造方法
JP2005175177A (ja) 2003-12-11 2005-06-30 Nikon Corp 光学装置及び露光装置
JP4720506B2 (ja) 2003-12-15 2011-07-13 株式会社ニコン ステージ装置、露光装置、及び露光方法
JP3102327U (ja) 2003-12-17 2004-07-02 国統国際股▲ふん▼有限公司 可撓管の漏れ止め機構
JP4954444B2 (ja) 2003-12-26 2012-06-13 株式会社ニコン 流路形成部材、露光装置及びデバイス製造方法
KR101440743B1 (ko) 2004-01-05 2014-09-17 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
JP4586367B2 (ja) 2004-01-14 2010-11-24 株式会社ニコン ステージ装置及び露光装置
US8270077B2 (en) 2004-01-16 2012-09-18 Carl Zeiss Smt Gmbh Polarization-modulating optical element
KR101233879B1 (ko) 2004-01-16 2013-02-15 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 편광변조 광학소자
US20070019179A1 (en) 2004-01-16 2007-01-25 Damian Fiolka Polarization-modulating optical element
KR20070015369A (ko) 2004-01-16 2007-02-02 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 광학 시스템
JP4474927B2 (ja) 2004-01-20 2010-06-09 株式会社ニコン 露光方法及び露光装置、デバイス製造方法
JP2005209705A (ja) 2004-01-20 2005-08-04 Nikon Corp 露光装置及びデバイス製造方法
WO2005071717A1 (ja) 2004-01-26 2005-08-04 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
TWI395068B (zh) * 2004-01-27 2013-05-01 尼康股份有限公司 光學系統、曝光裝置以及曝光方法
US7580559B2 (en) 2004-01-29 2009-08-25 Asml Holding N.V. System and method for calibrating a spatial light modulator
KR101276392B1 (ko) 2004-02-03 2013-06-19 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
TWI505329B (zh) * 2004-02-06 2015-10-21 尼康股份有限公司 光學照明裝置、曝光裝置、曝光方法以及元件製造方法
EP1724815B1 (en) 2004-02-10 2012-06-13 Nikon Corporation Aligner, device manufacturing method, maintenance method and aligning method
JP4370992B2 (ja) 2004-02-18 2009-11-25 株式会社ニコン 光学素子及び露光装置
WO2005081291A1 (ja) 2004-02-19 2005-09-01 Nikon Corporation 露光装置及びデバイスの製造方法
JP4693088B2 (ja) 2004-02-20 2011-06-01 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置、および露光方法
EP1727188A4 (en) 2004-02-20 2008-11-26 Nikon Corp EXPOSURE DEVICE, FEEDING METHOD AND RECOVERY METHOD, EXPOSURE METHOD AND DEVICE MANUFACTURING METHOD
JP2005234359A (ja) 2004-02-20 2005-09-02 Ricoh Co Ltd 走査光学系光学特性測定装置、走査光学系光学特性測定装置校正方法、走査光学系及び画像形成装置
JP4333404B2 (ja) 2004-02-25 2009-09-16 株式会社ニコン 搬送装置、搬送方法、露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
DE102004010569A1 (de) 2004-02-26 2005-09-15 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungssystem für eine Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage
JP2005243904A (ja) 2004-02-26 2005-09-08 Nikon Corp 照明光学装置、露光装置及び露光方法
US6977718B1 (en) 2004-03-02 2005-12-20 Advanced Micro Devices, Inc. Lithography method and system with adjustable reflector
JP2005251549A (ja) 2004-03-04 2005-09-15 Nikon Corp マイクロスイッチ及びマイクロスイッチの駆動方法
JP2005257740A (ja) 2004-03-09 2005-09-22 Nikon Corp 投影光学系、露光装置、および露光方法
JP2005259789A (ja) 2004-03-09 2005-09-22 Nikon Corp 検知システム及び露光装置、デバイス製造方法
JP4778685B2 (ja) 2004-03-10 2011-09-21 株式会社日立ハイテクノロジーズ 半導体デバイスのパターン形状評価方法及びその装置
JP4497968B2 (ja) 2004-03-18 2010-07-07 キヤノン株式会社 照明装置、露光装置及びデバイス製造方法
JP2005268700A (ja) 2004-03-22 2005-09-29 Nikon Corp ステージ装置及び露光装置
JP2005276932A (ja) 2004-03-23 2005-10-06 Nikon Corp 露光装置及びデバイス製造方法
JP2005302826A (ja) 2004-04-07 2005-10-27 Nikon Corp 照明光学装置、露光装置及び露光方法
JP4474979B2 (ja) 2004-04-15 2010-06-09 株式会社ニコン ステージ装置及び露光装置
KR101258033B1 (ko) 2004-04-19 2013-04-24 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
JP2005311020A (ja) 2004-04-21 2005-11-04 Nikon Corp 露光方法及びデバイス製造方法
JP4776891B2 (ja) * 2004-04-23 2011-09-21 キヤノン株式会社 照明光学系、露光装置、及びデバイス製造方法
JP4569157B2 (ja) 2004-04-27 2010-10-27 株式会社ニコン 反射型投影光学系および該反射型投影光学系を備えた露光装置
US7324280B2 (en) 2004-05-25 2008-01-29 Asml Holding N.V. Apparatus for providing a pattern of polarization
JP2005340605A (ja) 2004-05-28 2005-12-08 Nikon Corp 露光装置およびその調整方法
JP5159027B2 (ja) 2004-06-04 2013-03-06 キヤノン株式会社 照明光学系及び露光装置
JP2006005197A (ja) 2004-06-18 2006-01-05 Canon Inc 露光装置
JP4419701B2 (ja) 2004-06-21 2010-02-24 株式会社ニコン 石英ガラスの成形装置
JP2006017895A (ja) 2004-06-30 2006-01-19 Integrated Solutions:Kk 露光装置
JP4444743B2 (ja) 2004-07-07 2010-03-31 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
JP2006024819A (ja) 2004-07-09 2006-01-26 Renesas Technology Corp 液浸露光装置、及び電子デバイスの製造方法
US7283209B2 (en) 2004-07-09 2007-10-16 Carl Zeiss Smt Ag Illumination system for microlithography
JPWO2006006730A1 (ja) 2004-07-15 2008-05-01 株式会社ニコン 平面モータ装置、ステージ装置、露光装置及びデバイスの製造方法
JP2006032750A (ja) 2004-07-20 2006-02-02 Canon Inc 液浸型投影露光装置、及びデバイス製造方法
EP1621930A3 (en) * 2004-07-29 2011-07-06 Carl Zeiss SMT GmbH Illumination system for a microlithographic projection exposure apparatus
JP4411158B2 (ja) 2004-07-29 2010-02-10 キヤノン株式会社 露光装置
JP2006049758A (ja) 2004-08-09 2006-02-16 Nikon Corp 露光装置の制御方法、並びに、これを用いた露光方法及び装置
JP2006054364A (ja) 2004-08-13 2006-02-23 Nikon Corp 基板吸着装置、露光装置
JP4599936B2 (ja) * 2004-08-17 2010-12-15 株式会社ニコン 照明光学装置、照明光学装置の調整方法、露光装置、および露光方法
KR20070048164A (ko) 2004-08-18 2007-05-08 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
JP2006073584A (ja) 2004-08-31 2006-03-16 Nikon Corp 露光装置及び方法並びにデバイス製造方法
WO2006025341A1 (ja) 2004-09-01 2006-03-09 Nikon Corporation 基板ホルダ及びステージ装置並びに露光装置
US7433046B2 (en) 2004-09-03 2008-10-07 Carl Ziess Meditec, Inc. Patterned spinning disk based optical phase shifter for spectral domain optical coherence tomography
JP4772306B2 (ja) 2004-09-06 2011-09-14 株式会社東芝 液浸光学装置及び洗浄方法
JP2006080281A (ja) 2004-09-09 2006-03-23 Nikon Corp ステージ装置、ガスベアリング装置、露光装置、並びにデバイス製造方法
KR20070048722A (ko) 2004-09-10 2007-05-09 가부시키가이샤 니콘 스테이지 장치 및 노광 장치
WO2006030727A1 (ja) 2004-09-14 2006-03-23 Nikon Corporation 補正方法及び露光装置
JP2006086141A (ja) 2004-09-14 2006-03-30 Nikon Corp 投影光学系、露光装置、および露光方法
JP2006086442A (ja) 2004-09-17 2006-03-30 Nikon Corp ステージ装置及び露光装置
CN101015039B (zh) 2004-09-17 2010-09-01 尼康股份有限公司 曝光用基板、曝光方法及元件制造方法
WO2006035775A1 (ja) 2004-09-27 2006-04-06 Hamamatsu Photonics K.K. 空間光変調装置、光学処理装置、カップリングプリズム、及び、カップリングプリズムの使用方法
JP2006100363A (ja) 2004-09-28 2006-04-13 Canon Inc 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法。
JP4747545B2 (ja) 2004-09-30 2011-08-17 株式会社ニコン ステージ装置及び露光装置並びにデバイス製造方法
US7245353B2 (en) * 2004-10-12 2007-07-17 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method
JP4335114B2 (ja) 2004-10-18 2009-09-30 日本碍子株式会社 マイクロミラーデバイス
GB2419208A (en) 2004-10-18 2006-04-19 Qinetiq Ltd Optical correlation employing an optical bit delay
JP2006120985A (ja) 2004-10-25 2006-05-11 Nikon Corp 照明光学装置、露光装置、および露光方法
JP2006128192A (ja) 2004-10-26 2006-05-18 Nikon Corp 保持装置、鏡筒、及び露光装置、並びにデバイス製造方法
CN100533662C (zh) 2004-11-01 2009-08-26 株式会社尼康 曝光装置及器件制造方法
US7271874B2 (en) * 2004-11-02 2007-09-18 Asml Holding N.V. Method and apparatus for variable polarization control in a lithography system
JP4517354B2 (ja) 2004-11-08 2010-08-04 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
EP1816671A4 (en) 2004-11-11 2010-01-13 Nikon Corp EXPOSURE METHOD, DEVICE MANUFACTURING METHOD, AND SUBSTRATE
JP2006140366A (ja) 2004-11-15 2006-06-01 Nikon Corp 投影光学系及び露光装置
JP2005150759A (ja) 2004-12-15 2005-06-09 Nikon Corp 走査型露光装置
WO2006064851A1 (ja) 2004-12-15 2006-06-22 Nikon Corporation 基板保持装置、露光装置、及びデバイス製造方法
JP2006170811A (ja) 2004-12-16 2006-06-29 Nikon Corp 多層膜反射鏡、euv露光装置、及び軟x線光学機器
JP2006170899A (ja) 2004-12-17 2006-06-29 Sendai Nikon:Kk 光電式エンコーダ
JP2006179516A (ja) * 2004-12-20 2006-07-06 Toshiba Corp 露光装置、露光方法及び半導体装置の製造方法
JP2006177865A (ja) 2004-12-24 2006-07-06 Ntn Corp 磁気エンコーダおよびそれを備えた車輪用軸受装置
JPWO2006068233A1 (ja) 2004-12-24 2008-06-12 株式会社ニコン 磁気案内装置、ステージ装置、露光装置、及びデバイスの製造方法
US20060138349A1 (en) 2004-12-27 2006-06-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4402582B2 (ja) 2004-12-27 2010-01-20 大日本印刷株式会社 大型フォトマスク用ケース及びケース交換装置
US7312852B2 (en) * 2004-12-28 2007-12-25 Asml Netherlands B.V. Polarized radiation in lithographic apparatus and device manufacturing method
US7345740B2 (en) * 2004-12-28 2008-03-18 Asml Netherlands B.V. Polarized radiation in lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4632793B2 (ja) 2005-01-12 2011-02-16 京セラ株式会社 ナビゲーション機能付き携帯型端末機
TWI453796B (zh) * 2005-01-21 2014-09-21 尼康股份有限公司 偏光變更單元以及元件製造方法
EP1850464A4 (en) 2005-01-21 2017-03-15 Nikon Corporation Linear motor, stage apparatus, and exposure apparatus
US20060164711A1 (en) * 2005-01-24 2006-07-27 Asml Holding N.V. System and method utilizing an electrooptic modulator
EP1843204A1 (en) 2005-01-25 2007-10-10 Nikon Corporation Exposure device, exposure method, and micro device manufacturing method
WO2006085524A1 (ja) 2005-02-14 2006-08-17 Nikon Corporation 露光装置
JP4650619B2 (ja) 2005-03-09 2011-03-16 株式会社ニコン 駆動ユニット、光学ユニット、光学装置、並びに露光装置
JP2006253572A (ja) 2005-03-14 2006-09-21 Nikon Corp ステージ装置、露光装置、及びデバイス製造方法
JP2006269462A (ja) * 2005-03-22 2006-10-05 Sony Corp 露光装置および照明装置
WO2006100889A1 (ja) 2005-03-23 2006-09-28 Konica Minolta Holdings, Inc. 有機el層の形成方法
JP4561425B2 (ja) 2005-03-24 2010-10-13 ソニー株式会社 ホログラム記録再生装置およびホログラム記録再生方法
JP4858744B2 (ja) 2005-03-24 2012-01-18 株式会社ニコン 露光装置
JP2006278820A (ja) 2005-03-30 2006-10-12 Nikon Corp 露光方法及び装置
JP4546315B2 (ja) 2005-04-07 2010-09-15 株式会社神戸製鋼所 微細加工用型の製造方法
US20080246937A1 (en) 2005-04-27 2008-10-09 Nikon Corporation Exposing Method, Exposure Apparatus, Device Fabricating Method, and Film Evaluating Method
JP4676815B2 (ja) 2005-05-26 2011-04-27 ルネサスエレクトロニクス株式会社 露光装置および露光方法
JP2006351586A (ja) 2005-06-13 2006-12-28 Nikon Corp 照明装置、投影露光装置、及びマイクロデバイスの製造方法
JP4710427B2 (ja) 2005-06-15 2011-06-29 株式会社ニコン 光学素子保持装置、鏡筒及び露光装置並びにデバイスの製造方法
DE102005030839A1 (de) 2005-07-01 2007-01-11 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsbelichtungsanlage mit einer Mehrzahl von Projektionsobjektiven
US7317512B2 (en) * 2005-07-11 2008-01-08 Asml Netherlands B.V. Different polarization in cross-section of a radiation beam in a lithographic apparatus and device manufacturing method
CN101138070B (zh) 2005-08-05 2011-03-23 株式会社尼康 载台装置及曝光装置
JP2007048819A (ja) 2005-08-08 2007-02-22 Nikon Corp 面位置検出装置、露光装置及びマイクロデバイスの製造方法
JP2007043980A (ja) 2005-08-11 2007-02-22 Sanei Gen Ffi Inc 焼成和洋菓子用品質改良剤
US20070058151A1 (en) * 2005-09-13 2007-03-15 Asml Netherlands B.V. Optical element for use in lithography apparatus and method of conditioning radiation beam
JP2007087306A (ja) 2005-09-26 2007-04-05 Yokohama National Univ 目標画像指定作成方式
JP2007093546A (ja) 2005-09-30 2007-04-12 Nikon Corp エンコーダシステム、ステージ装置及び露光装置
JP4640090B2 (ja) 2005-10-04 2011-03-02 ウシオ電機株式会社 放電ランプ用ホルダー、および放電ランプ保持機構
JP2007113939A (ja) 2005-10-18 2007-05-10 Nikon Corp 計測装置及び計測方法、ステージ装置、並びに露光装置及び露光方法
JP2007120333A (ja) 2005-10-25 2007-05-17 Mitsubishi Heavy Ind Ltd ロケット用燃焼器の噴射管およびロケット用燃焼器
JP2007120334A (ja) 2005-10-25 2007-05-17 Denso Corp 車両駆動システムの異常診断装置
JP4809037B2 (ja) 2005-10-27 2011-11-02 日本カニゼン株式会社 黒色めっき膜およびその形成方法、めっき膜を有する物品
KR20080066836A (ko) 2005-11-09 2008-07-16 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
KR20080066041A (ko) 2005-11-10 2008-07-15 가부시키가이샤 니콘 조명 광학 장치, 노광 장치 및 노광 방법
JPWO2007055373A1 (ja) 2005-11-14 2009-04-30 株式会社ニコン 液体回収部材、露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
JP2007142313A (ja) 2005-11-22 2007-06-07 Nikon Corp 計測工具及び調整方法
JP2007144864A (ja) 2005-11-29 2007-06-14 Sanyo Electric Co Ltd 積層構造体およびそれを用いた冷凍装置
TW200725195A (en) 2005-12-06 2007-07-01 Nikon Corp Exposure method, exposure apparatus, and unit manufacturing method
TWI538014B (zh) 2005-12-08 2016-06-11 尼康股份有限公司 A substrate holding device, an exposure apparatus, an exposure method, and an element manufacturing method
JP4800901B2 (ja) 2005-12-12 2011-10-26 矢崎総業株式会社 電圧検出装置及び絶縁インタフェース
US20070166134A1 (en) 2005-12-20 2007-07-19 Motoko Suzuki Substrate transfer method, substrate transfer apparatus and exposure apparatus
JP2007170938A (ja) 2005-12-21 2007-07-05 Sendai Nikon:Kk エンコーダ
JP2007207821A (ja) 2006-01-31 2007-08-16 Nikon Corp 可変スリット装置、照明装置、露光装置、露光方法及びデバイスの製造方法
JP2007220767A (ja) 2006-02-15 2007-08-30 Canon Inc 露光装置及びデバイス製造方法
JP2007227637A (ja) 2006-02-23 2007-09-06 Canon Inc 液浸露光装置
KR20080104309A (ko) 2006-02-27 2008-12-02 가부시키가이샤 니콘 다이크로익 필터
JP2007234110A (ja) 2006-02-28 2007-09-13 Toshiba Corp 光情報記録装置および光情報記録装置の制御方法
JP4929762B2 (ja) 2006-03-03 2012-05-09 株式会社ニコン 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
DE102006015213A1 (de) 2006-03-30 2007-10-11 Carl Zeiss Smt Ag Polarisationsbeeinflussende optische Anordnung
JP2007280623A (ja) 2006-04-03 2007-10-25 Seiko Epson Corp 熱処理装置、薄膜形成装置及び熱処理方法
JP2007295702A (ja) 2006-04-24 2007-11-08 Toshiba Mach Co Ltd リニアモータ、および、ステージ駆動装置
JPWO2007132862A1 (ja) 2006-05-16 2009-09-24 株式会社ニコン 投影光学系、露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法
JP4893112B2 (ja) 2006-06-03 2012-03-07 株式会社ニコン 高周波回路コンポーネント
JP4873138B2 (ja) 2006-06-21 2012-02-08 富士ゼロックス株式会社 情報処理装置及びプログラム
JP2008041710A (ja) * 2006-08-01 2008-02-21 Fujitsu Ltd 照明光学装置、露光方法及び設計方法
JP2008058580A (ja) 2006-08-31 2008-03-13 Canon Inc 画像形成装置、監視装置、制御方法、及びプログラム
JP2008064924A (ja) 2006-09-06 2008-03-21 Seiko Epson Corp 定着装置及び画像形成装置
EP2068349A4 (en) 2006-09-29 2011-03-30 Nikon Corp STAGE EQUIPMENT AND EXPOSURE DEVICE
JP2007051300A (ja) 2006-10-10 2007-03-01 Teijin Chem Ltd 難燃性樹脂組成物
JP4924879B2 (ja) 2006-11-14 2012-04-25 株式会社ニコン エンコーダ
WO2008061681A2 (de) 2006-11-21 2008-05-29 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungsoptik für die projektions-mikrolithografie sowie mess- und überwachungsverfahren für eine derartige beleuchtungsoptik
WO2008065977A1 (fr) 2006-11-27 2008-06-05 Nikon Corporation Procédé d'exposition, procédé de formation de motif, dispositif d'exposition, et procédé de fabrication du dispositif
JP2007274881A (ja) 2006-12-01 2007-10-18 Nikon Corp 移動体装置、微動体及び露光装置
JPWO2008075742A1 (ja) 2006-12-20 2010-04-15 株式会社ニコン メンテナンス方法、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
DE102007027985A1 (de) 2006-12-21 2008-06-26 Carl Zeiss Smt Ag Optisches System, insbesondere Beleuchtungseinrichtung oder Projektionsobjektiv einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
JP4910679B2 (ja) 2006-12-21 2012-04-04 株式会社ニコン 可変キャパシタ、可変キャパシタ装置、高周波回路用フィルタ及び高周波回路
WO2008078668A1 (ja) 2006-12-26 2008-07-03 Miura Co., Ltd. ボイラ給水用補給水の供給方法
EP2998983B1 (en) 2006-12-27 2018-03-21 Nikon Corporation Stage apparatus, exposure apparatus and device fabricating method
WO2008077551A1 (en) 2006-12-27 2008-07-03 Sanofi-Aventis Cycloalkylamine substituted isoquinolone derivatives
WO2008090975A1 (ja) 2007-01-26 2008-07-31 Nikon Corporation 支持構造体及び露光装置
KR101545361B1 (ko) 2007-05-09 2015-08-19 가부시키가이샤 니콘 포토마스크용 기판, 포토마스크용 기판의 성형 부재, 포토마스크용 기판의 제조 방법, 포토마스크, 및 포토마스크를 사용한 노광 방법
BRPI0812782B1 (pt) 2007-05-31 2019-01-22 Panasonic Corp aparelho de captura de imagem, aparelho de provisão de informação adicional e método para uso em um aparelho de provisão de informação adicional
JP5194650B2 (ja) 2007-08-31 2013-05-08 株式会社ニコン 電子カメラ
US8451427B2 (en) * 2007-09-14 2013-05-28 Nikon Corporation Illumination optical system, exposure apparatus, optical element and manufacturing method thereof, and device manufacturing method
US20090091730A1 (en) * 2007-10-03 2009-04-09 Nikon Corporation Spatial light modulation unit, illumination apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
JP5267029B2 (ja) * 2007-10-12 2013-08-21 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置及びデバイスの製造方法
EP2179330A1 (en) * 2007-10-16 2010-04-28 Nikon Corporation Illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
JP4499774B2 (ja) 2007-10-24 2010-07-07 株式会社半導体エネルギー研究所 絶縁ゲイト型半導体装置
US8379187B2 (en) * 2007-10-24 2013-02-19 Nikon Corporation Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
JP2010004008A (ja) * 2007-10-31 2010-01-07 Nikon Corp 光学ユニット、照明光学装置、露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法
US9116346B2 (en) * 2007-11-06 2015-08-25 Nikon Corporation Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method
JPWO2009153925A1 (ja) 2008-06-17 2011-11-24 株式会社ニコン ナノインプリント方法及び装置
JP5467531B2 (ja) 2008-06-26 2014-04-09 株式会社ニコン 表示素子の製造方法及び製造装置
WO2010001537A1 (ja) 2008-06-30 2010-01-07 株式会社ニコン 表示素子の製造方法及び製造装置、薄膜トランジスタの製造方法及び製造装置、及び回路形成装置
US20110037962A1 (en) 2009-08-17 2011-02-17 Nikon Corporation Polarization converting unit, illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
US20110205519A1 (en) 2010-02-25 2011-08-25 Nikon Corporation Polarization converting unit, illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0653120A (ja) * 1992-07-27 1994-02-25 Nikon Corp 照明光学装置
JPH06188169A (ja) * 1992-08-24 1994-07-08 Canon Inc 結像方法及び該方法を用いる露光装置及び該方法を用いるデバイス製造方法
JPH07283119A (ja) * 1994-04-14 1995-10-27 Hitachi Ltd 露光装置および露光方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP5967132B2 (ja) 2016-08-10
CN101685266A (zh) 2010-03-31
TW200519410A (en) 2005-06-16
EP3118890A3 (en) 2017-02-15
CN100555566C (zh) 2009-10-28
US20110299055A1 (en) 2011-12-08
HK1094093A1 (zh) 2007-03-16
US20150338663A1 (en) 2015-11-26
TWI612338B (zh) 2018-01-21
JP2017227906A (ja) 2017-12-28
TWI512335B (zh) 2015-12-11
KR20150015011A (ko) 2015-02-09
TWI519819B (zh) 2016-02-01
JP6160666B2 (ja) 2017-07-12
CN101685267A (zh) 2010-03-31
KR20100029254A (ko) 2010-03-16
US20090323041A1 (en) 2009-12-31
EP2251896B1 (en) 2015-09-23
EP1693885A1 (en) 2006-08-23
EP1693885A4 (en) 2007-06-27
EP3118890A2 (en) 2017-01-18
CN101369054A (zh) 2009-02-18
KR101220667B1 (ko) 2013-01-21
ATE540424T1 (de) 2012-01-15
JP6493325B2 (ja) 2019-04-03
JP2016026306A (ja) 2016-02-12
EP2117034A1 (en) 2009-11-11
EP1926129A1 (en) 2008-05-28
CN101685265A (zh) 2010-03-31
HK1140833A1 (en) 2010-10-22
KR20170120724A (ko) 2017-10-31
JP2014003305A (ja) 2014-01-09
JP5731591B2 (ja) 2015-06-10
WO2005050718A1 (ja) 2005-06-02
KR101578310B1 (ko) 2015-12-16
TWI385414B (zh) 2013-02-11
CN101369054B (zh) 2011-05-18
JP4976015B2 (ja) 2012-07-18
TW201809801A (zh) 2018-03-16
EP2117034B1 (en) 2016-05-04
EP1693885B1 (en) 2016-05-04
US20110273698A1 (en) 2011-11-10
US20110273692A1 (en) 2011-11-10
US9164209B2 (en) 2015-10-20
JP2016212434A (ja) 2016-12-15
KR101220636B1 (ko) 2013-01-18
US20090147234A1 (en) 2009-06-11
US9885872B2 (en) 2018-02-06
JP2015008304A (ja) 2015-01-15
HK1140830A1 (en) 2010-10-22
HK1140831A1 (en) 2010-10-22
KR20150103759A (ko) 2015-09-11
TW201234051A (en) 2012-08-16
KR101578226B1 (ko) 2015-12-16
TW201610473A (zh) 2016-03-16
JP5696746B2 (ja) 2015-04-08
KR20060128892A (ko) 2006-12-14
CN101685264B (zh) 2014-03-12
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