JPH05259069A - ウエハ周辺露光方法 - Google Patents
ウエハ周辺露光方法Info
- Publication number
- JPH05259069A JPH05259069A JP3072053A JP7205391A JPH05259069A JP H05259069 A JPH05259069 A JP H05259069A JP 3072053 A JP3072053 A JP 3072053A JP 7205391 A JP7205391 A JP 7205391A JP H05259069 A JPH05259069 A JP H05259069A
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- JP
- Japan
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- semiconductor wafer
- mask
- wafer
- cutout
- light
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 半導体ウエハの切欠部において照射光が少な
い疎露光部をなくすることによって切欠部のダレ幅を減
少させ、切欠部の端部レジスト膜をシャープに除去す
る。 【構成】 半導体ウエハ１を載せるウエハ載置台３と、
半導体ウエハを回転させる回転軸４と、露光用光源７
と、光源からの光を照射するためのマスク６と、マスク
の位置を移動させるマスク移動機構１１を備え、半導体
ウエハの周辺部に対応してマスクを位置決めして照射
し、特に切欠部２ではマスクを切欠部に平行になるよう
に位置決めして光を照射するように構成される。
い疎露光部をなくすることによって切欠部のダレ幅を減
少させ、切欠部の端部レジスト膜をシャープに除去す
る。 【構成】 半導体ウエハ１を載せるウエハ載置台３と、
半導体ウエハを回転させる回転軸４と、露光用光源７
と、光源からの光を照射するためのマスク６と、マスク
の位置を移動させるマスク移動機構１１を備え、半導体
ウエハの周辺部に対応してマスクを位置決めして照射
し、特に切欠部２ではマスクを切欠部に平行になるよう
に位置決めして光を照射するように構成される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウエハの周辺を
露光し周辺のレジスト膜を除去する工程中の半導体ウエ
ハ周辺露光方法に関するものである。より詳細に言え
ば、特に半導体ウエハの切欠部（オリフラ部）のレジス
ト膜をシャープに除去し、装置を小型化するためのウエ
ハ周辺露光方法に関するものである。
露光し周辺のレジスト膜を除去する工程中の半導体ウエ
ハ周辺露光方法に関するものである。より詳細に言え
ば、特に半導体ウエハの切欠部（オリフラ部）のレジス
ト膜をシャープに除去し、装置を小型化するためのウエ
ハ周辺露光方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、ウエハ周辺部を露光する装置とし
ては図３、図４に示すようなウエハ周辺露光装置があっ
た。図３、図４において、１は半導体ウエハ、２は切欠
部（オリフラ部）、３はウエハ載置台、４はウエハ載置
台３を回転させる回転軸、５はレジスト膜、６はマス
ク、７は光源、８はウエハ１の端部を覆う端部レジスト
膜である。図３において、ウエハ載置台３はその上に半
導体ウエハ１を載置し固定するとともに回転軸４の駆動
によって半導体ウエハ１を回転させる。そして、マスク
６の位置をウエハ１の周辺部上方に移動可能に構成され
ている。なお、ウエハ載置台３に固定された半導体ウエ
ハ１の上面には、スピン方式の塗布装置（図示せず）に
よって予めレジストが塗布されている。そして、この塗
布装置では一般に、所定量のレジストを半導体ウエハ１
の中心部に滴下する。滴下後半導体ウエハ１を回転する
ことにより半導体ウエハ１の表面全体に所定厚さ塗布さ
れる。この場合半導体ウエハ１の端部にもレジスト膜８
が塗布される。この半導体ウエハの周辺部の端部レジス
ト膜８は、その後半導体ウエハ１を移動するときに剥離
飛散し処理系の雰囲気を汚染したり、また何らかの原因
でこのレジストが剥離しレジスト膜８に再付着したりす
ると歩留まりが悪化する。したがって、半導体ウエハ１
の円弧部および切欠部２の端部レジスト膜８を除去する
ことが必要である。
ては図３、図４に示すようなウエハ周辺露光装置があっ
た。図３、図４において、１は半導体ウエハ、２は切欠
部（オリフラ部）、３はウエハ載置台、４はウエハ載置
台３を回転させる回転軸、５はレジスト膜、６はマス
ク、７は光源、８はウエハ１の端部を覆う端部レジスト
膜である。図３において、ウエハ載置台３はその上に半
導体ウエハ１を載置し固定するとともに回転軸４の駆動
によって半導体ウエハ１を回転させる。そして、マスク
６の位置をウエハ１の周辺部上方に移動可能に構成され
ている。なお、ウエハ載置台３に固定された半導体ウエ
ハ１の上面には、スピン方式の塗布装置（図示せず）に
よって予めレジストが塗布されている。そして、この塗
布装置では一般に、所定量のレジストを半導体ウエハ１
の中心部に滴下する。滴下後半導体ウエハ１を回転する
ことにより半導体ウエハ１の表面全体に所定厚さ塗布さ
れる。この場合半導体ウエハ１の端部にもレジスト膜８
が塗布される。この半導体ウエハの周辺部の端部レジス
ト膜８は、その後半導体ウエハ１を移動するときに剥離
飛散し処理系の雰囲気を汚染したり、また何らかの原因
でこのレジストが剥離しレジスト膜８に再付着したりす
ると歩留まりが悪化する。したがって、半導体ウエハ１
の円弧部および切欠部２の端部レジスト膜８を除去する
ことが必要である。
【０００３】従来このような周辺露光装置では、半導体
ウエハ１の端部レジスト膜８を露光するために、図５に
示すようなウエハ周辺露光方法が行われてきた。具体的
に説明すると、図５において方形状のマスク６は、この
マスク６を通る中心線が半導体ウエハ１の中心を向いて
おり、所定の露光位置にある。半導体ウエハ１が回転す
ると、光源７からの光はマスク６を通り半導体ウエハ１
の周辺部を照射する。マスク６は半導体ウエハ１の中心
に向かって取り付けられているために、マスク６の中央
の空間部を通過した光は、断面が方形状の光ビームとな
って半導体ウエハ１の端部同心円上に照射され、図５
（ａ）のように半導体ウエハ１の円弧部の点線より外側
の同心円上を均一に露光する。その後、マスク６の一辺
が半導体ウエハ１の切欠部２と平行となったとき、回転
軸４の回転を止め、図５（ｂ）に示すように半導体ウエ
ハ１を横Ｘ方向に移動させ、マスク６を通して光源７か
らの光を切欠部２の端部に照射していた。なお、前記半
導体ウエハ１およびマスク６の移動機構は、前記露光が
行えれば良いのであり、横Ｘ方向、前後Ｙ方向、回転θ
など、一般的な機構を使用可能でその詳細は省略する。
ウエハ１の端部レジスト膜８を露光するために、図５に
示すようなウエハ周辺露光方法が行われてきた。具体的
に説明すると、図５において方形状のマスク６は、この
マスク６を通る中心線が半導体ウエハ１の中心を向いて
おり、所定の露光位置にある。半導体ウエハ１が回転す
ると、光源７からの光はマスク６を通り半導体ウエハ１
の周辺部を照射する。マスク６は半導体ウエハ１の中心
に向かって取り付けられているために、マスク６の中央
の空間部を通過した光は、断面が方形状の光ビームとな
って半導体ウエハ１の端部同心円上に照射され、図５
（ａ）のように半導体ウエハ１の円弧部の点線より外側
の同心円上を均一に露光する。その後、マスク６の一辺
が半導体ウエハ１の切欠部２と平行となったとき、回転
軸４の回転を止め、図５（ｂ）に示すように半導体ウエ
ハ１を横Ｘ方向に移動させ、マスク６を通して光源７か
らの光を切欠部２の端部に照射していた。なお、前記半
導体ウエハ１およびマスク６の移動機構は、前記露光が
行えれば良いのであり、横Ｘ方向、前後Ｙ方向、回転θ
など、一般的な機構を使用可能でその詳細は省略する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、切欠部
２を露光する際、マスク６を切欠部２に平行移動する方
法では、半導体ウエハ１あるいはマスク６を平行移動さ
せるための機構が必要であり、露光は問題なく行えるも
のの、機構が複雑となり、また大型化してしまう。一
方、マスク６を回転させずに、半導体ウエハ１中心方向
に移動させて露光する方法では、切欠部２の中央部以外
においてはマスクは斜めに位置することになるために、
図５（ｃ）に示すように、切欠部２では照射量が少ない
疎露光部１０（ハッチング部）が生じる。この疎露光部
１０は照射量が少ないため、後に半導体ウエハを現像し
た時にレジスト部がなだらかに除去され、端部レジスト
膜をシャープに除去することができなかった。本発明
は、構成が簡単となり、また半導体ウエハの切欠部にお
いて照射光が少ない疎露光部をなくすることによって切
欠部のダレ幅を減少させ、切欠部の端部レジスト膜をシ
ャープに除去することを可能とするウエハ周辺露光方法
を提供するものである。
２を露光する際、マスク６を切欠部２に平行移動する方
法では、半導体ウエハ１あるいはマスク６を平行移動さ
せるための機構が必要であり、露光は問題なく行えるも
のの、機構が複雑となり、また大型化してしまう。一
方、マスク６を回転させずに、半導体ウエハ１中心方向
に移動させて露光する方法では、切欠部２の中央部以外
においてはマスクは斜めに位置することになるために、
図５（ｃ）に示すように、切欠部２では照射量が少ない
疎露光部１０（ハッチング部）が生じる。この疎露光部
１０は照射量が少ないため、後に半導体ウエハを現像し
た時にレジスト部がなだらかに除去され、端部レジスト
膜をシャープに除去することができなかった。本発明
は、構成が簡単となり、また半導体ウエハの切欠部にお
いて照射光が少ない疎露光部をなくすることによって切
欠部のダレ幅を減少させ、切欠部の端部レジスト膜をシ
ャープに除去することを可能とするウエハ周辺露光方法
を提供するものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明のウエハ周辺露光
装置は、周辺部に切欠部が形成された半導体ウエハを回
転させながら、この半導体ウエハの周辺部を、断面が方
形状に形成された光ビームで照射し露光するウエハ周辺
露光方法において、前記半導体ウエハの切欠部を露光す
るに際し、前記光ビームの一辺が前記切欠部に平行にな
るように前記光ビームの位置を制御するように構成され
る。
装置は、周辺部に切欠部が形成された半導体ウエハを回
転させながら、この半導体ウエハの周辺部を、断面が方
形状に形成された光ビームで照射し露光するウエハ周辺
露光方法において、前記半導体ウエハの切欠部を露光す
るに際し、前記光ビームの一辺が前記切欠部に平行にな
るように前記光ビームの位置を制御するように構成され
る。
【０００６】
【作用】本発明においては、半導体ウエハの切欠部を露
光するときにマスクの向きを回転させて、光ビームの一
辺が半導体ウエハの切欠部に常に平行になるように位置
決め制御しつつマスクを通した光を切欠部の端部レジス
ト膜に照射する。したがって、半導体ウエハの切欠部を
均一に露光できる。
光するときにマスクの向きを回転させて、光ビームの一
辺が半導体ウエハの切欠部に常に平行になるように位置
決め制御しつつマスクを通した光を切欠部の端部レジス
ト膜に照射する。したがって、半導体ウエハの切欠部を
均一に露光できる。
【０００７】
【実施例】図１は本発明ウエハ周辺露光方法の一実施例
を説明するためのウエハ周辺露光装置を示す図である。
図３と同じ番号は同一の装置また手段を示す。図１にお
いて１１は、マスク６を半導体ウエハ１の中心方向に向
かって移動させ、また、マスク６の向きを半導体ウエハ
１に対して位置決めするマスク回転機構である。前記移
動および回転機構としては、例えば、それぞれボールス
クリュー（図示せず）およびベルト６ａを使用した駆動
機構が利用できる。なお、前記光源７とマスク６とは、
例えば光ファイバー（図示せず）で接続されており、光
源７からの光をマスク６に導く。このマスク６は、光源
７からの光を断面が方形状、例えば長方形の光ビームに
形成し、また、前記マスク回転機構１１によって半導体
ウエハ１の周辺部分を所望する露光パターンで露光可能
に構成されている。図２は図１のウエハ周辺露光装置を
上から見た図である。図５と同じ番号は同一の装置また
手段を示す。次に、図１、図２を用いて半導体ウエハ１
の周辺部を露光する手順について説明する。図１におい
てマスク６は当初半導体ウエハ１の中心を向いた位置に
設けられる。即ち、前記断面が長方形の光ビームの一
辺、例えば短辺部分を半導体ウエハ１の中心寄りに位置
するようにし、この短辺の中央と半導体ウエハ１の中心
とを通る直線と、この短辺とが直交する如く、マスク回
転機構１１によりマスク６を位置決めする。そして、回
転軸４に連結されたモータ等（図示せず）を駆動してウ
エハ載置台３を回転させることにより半導体ウエハ１が
回転すると、図５（ａ）と同様に、光源７からの光がマ
スク６を通して半導体ウエハ１の端面の端部レジスト膜
８を同心円状に照射する。これによりマスク６を通過し
た光は半導体ウエハ１の円弧部の端部を同心円状に照射
し、図２（ｃ）に示すように半導体ウエハ１の点線より
外側の同心円上を均一に露光する。
を説明するためのウエハ周辺露光装置を示す図である。
図３と同じ番号は同一の装置また手段を示す。図１にお
いて１１は、マスク６を半導体ウエハ１の中心方向に向
かって移動させ、また、マスク６の向きを半導体ウエハ
１に対して位置決めするマスク回転機構である。前記移
動および回転機構としては、例えば、それぞれボールス
クリュー（図示せず）およびベルト６ａを使用した駆動
機構が利用できる。なお、前記光源７とマスク６とは、
例えば光ファイバー（図示せず）で接続されており、光
源７からの光をマスク６に導く。このマスク６は、光源
７からの光を断面が方形状、例えば長方形の光ビームに
形成し、また、前記マスク回転機構１１によって半導体
ウエハ１の周辺部分を所望する露光パターンで露光可能
に構成されている。図２は図１のウエハ周辺露光装置を
上から見た図である。図５と同じ番号は同一の装置また
手段を示す。次に、図１、図２を用いて半導体ウエハ１
の周辺部を露光する手順について説明する。図１におい
てマスク６は当初半導体ウエハ１の中心を向いた位置に
設けられる。即ち、前記断面が長方形の光ビームの一
辺、例えば短辺部分を半導体ウエハ１の中心寄りに位置
するようにし、この短辺の中央と半導体ウエハ１の中心
とを通る直線と、この短辺とが直交する如く、マスク回
転機構１１によりマスク６を位置決めする。そして、回
転軸４に連結されたモータ等（図示せず）を駆動してウ
エハ載置台３を回転させることにより半導体ウエハ１が
回転すると、図５（ａ）と同様に、光源７からの光がマ
スク６を通して半導体ウエハ１の端面の端部レジスト膜
８を同心円状に照射する。これによりマスク６を通過し
た光は半導体ウエハ１の円弧部の端部を同心円状に照射
し、図２（ｃ）に示すように半導体ウエハ１の点線より
外側の同心円上を均一に露光する。
【０００８】その後、半導体ウエハ１が更に回転して半
導体ウエハ１の円弧部と切欠部２との交点付近にマスク
６が来たときに、マスク６の向きを半導体ウエハ１の切
欠部２に平行になるように回転する。即ち、半導体ウエ
ハ１を回転しながら円弧部分の端部レジスト８を露光
し、露光位置が切欠部２の一端部に来ると、マスク回転
機構１１を制御してマスク６を回転させて光ビームの半
導体ウエハ１中心寄りの一辺が、切欠部２と平行になる
ように位置決めする。なお、所定の露光幅となるように
するのは言うまでもない。そして、半導体ウエハ１の回
転角度に対応して前記マスク６の位置を逐次制御し、常
に前記光ビームと切欠部２とが平行状態となるようにし
て、マスク６を通して光源７からの光を切欠部２の端部
レジスト膜に照射する。このようにすることにより、マ
スク６を通過した光は切欠部２の端部全域に亘りに均等
に照射されることになり、図５（ｃ）に示すような疎露
光部１０がなくなる。また、半導体ウエハ１を横Ｘ方向
に移動させる機構が不用となる。したがって、その後半
導体ウエハ１を現像することによって半導体ウエハ１の
端部レジスト膜、特に切欠部２の端部レジスト膜をシャ
ープに除去することができる。なお、前記実施例では、
方形状の光ビームとして断面が長方形のものについて説
明したが、露光すべき領域で光ビームの幅が平行になっ
ておれば良いのであり、例えば菱形のような斜方形でも
よい。
導体ウエハ１の円弧部と切欠部２との交点付近にマスク
６が来たときに、マスク６の向きを半導体ウエハ１の切
欠部２に平行になるように回転する。即ち、半導体ウエ
ハ１を回転しながら円弧部分の端部レジスト８を露光
し、露光位置が切欠部２の一端部に来ると、マスク回転
機構１１を制御してマスク６を回転させて光ビームの半
導体ウエハ１中心寄りの一辺が、切欠部２と平行になる
ように位置決めする。なお、所定の露光幅となるように
するのは言うまでもない。そして、半導体ウエハ１の回
転角度に対応して前記マスク６の位置を逐次制御し、常
に前記光ビームと切欠部２とが平行状態となるようにし
て、マスク６を通して光源７からの光を切欠部２の端部
レジスト膜に照射する。このようにすることにより、マ
スク６を通過した光は切欠部２の端部全域に亘りに均等
に照射されることになり、図５（ｃ）に示すような疎露
光部１０がなくなる。また、半導体ウエハ１を横Ｘ方向
に移動させる機構が不用となる。したがって、その後半
導体ウエハ１を現像することによって半導体ウエハ１の
端部レジスト膜、特に切欠部２の端部レジスト膜をシャ
ープに除去することができる。なお、前記実施例では、
方形状の光ビームとして断面が長方形のものについて説
明したが、露光すべき領域で光ビームの幅が平行になっ
ておれば良いのであり、例えば菱形のような斜方形でも
よい。
【０００９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
マスクの向きを半導体ウエハの周辺部に対応して位置決
めすることにより、半導体ウエハの円弧部および切欠部
の端部レジスト膜の照射も均等に行える。したがって、
後に半導体ウエハを現像した時に半導体ウエハの端部レ
ジスト膜、特に切欠部の端部レジスト膜をシャープに除
去することができる。
マスクの向きを半導体ウエハの周辺部に対応して位置決
めすることにより、半導体ウエハの円弧部および切欠部
の端部レジスト膜の照射も均等に行える。したがって、
後に半導体ウエハを現像した時に半導体ウエハの端部レ
ジスト膜、特に切欠部の端部レジスト膜をシャープに除
去することができる。
【図１】本発明の一実施例を説明するためのウエハ周辺
露光装置を示す図である。
露光装置を示す図である。
【図２】図１のウエハ周辺露光装置の動作を説明する図
である。
である。
【図３】従来技術における露光方法を説明するためのウ
エハ周辺露光装置を示す図である。
エハ周辺露光装置を示す図である。
【図４】従来技術におけるウエハ周辺露光装置（図３）
を横から見た図である。
を横から見た図である。
【図５】従来技術におけるウエハ周辺露光装置の動作を
説明する図である。
説明する図である。
１ 半導体ウエハ ２ 切欠部（オリフラ部） ３ ウエハ載置台 ４ 回転軸 ５ レジスト膜 ６ マスク ７ 光源 ８ 端部レジスト膜 １０ 疎露光部 １１ マスク移動機構
Claims (1)
- 【請求項１】周辺部に切欠部が形成された半導体ウエハ
を回転させながら、この半導体ウエハの周辺部を、断面
が方形状に形成された光ビームで照射し露光するウエハ
周辺露光方法において、前記半導体ウエハの切欠部を露
光するに際し、前記光ビームの一辺が前記切欠部に平行
になるように前記光ビームの位置を制御することを特徴
とするウエハ周辺露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3072053A JPH05259069A (ja) | 1991-03-13 | 1991-03-13 | ウエハ周辺露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3072053A JPH05259069A (ja) | 1991-03-13 | 1991-03-13 | ウエハ周辺露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05259069A true JPH05259069A (ja) | 1993-10-08 |
Family
ID=13478257
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3072053A Pending JPH05259069A (ja) | 1991-03-13 | 1991-03-13 | ウエハ周辺露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05259069A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US9341954B2 (en) | 2007-10-24 | 2016-05-17 | Nikon Corporation | Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| US9423698B2 (en) | 2003-10-28 | 2016-08-23 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus |
| JP2016207981A (ja) * | 2015-04-28 | 2016-12-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
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| CN112097656A (zh) * | 2020-11-09 | 2020-12-18 | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 | 晶圆背封薄膜边缘去除宽度的检测系统及检测方法 |
-
1991
- 1991-03-13 JP JP3072053A patent/JPH05259069A/ja active Pending
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