JPH09186066A - 周辺露光方法および装置 - Google Patents
周辺露光方法および装置Info
- Publication number
- JPH09186066A JPH09186066A JP7354321A JP35432195A JPH09186066A JP H09186066 A JPH09186066 A JP H09186066A JP 7354321 A JP7354321 A JP 7354321A JP 35432195 A JP35432195 A JP 35432195A JP H09186066 A JPH09186066 A JP H09186066A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- exposure
- slit
- wafer
- peripheral
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- Pending
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 露光パワ−を向上させてスル−プットを向上
させ、しかも周辺露光の任意露光形状を高精度に制御し
得る周辺露光方法を提供する。 【解決手段】 リソグラフィ−プロセスにおけるレジス
トコ−ティング時に被処理基板の周辺露光をスリットを
介して行なう際、集光露光によって行なうと共に、上記
集光された光が可変スリットを介して周辺露光に供され
る。
させ、しかも周辺露光の任意露光形状を高精度に制御し
得る周辺露光方法を提供する。 【解決手段】 リソグラフィ−プロセスにおけるレジス
トコ−ティング時に被処理基板の周辺露光をスリットを
介して行なう際、集光露光によって行なうと共に、上記
集光された光が可変スリットを介して周辺露光に供され
る。
Description
【０００１】
【発明の属する分野】この発明は、半導体製造工程にお
ける半導体基板（ウエハー）の周辺露光方法に関し、特
に、リソグラフィ−プロセスにおけるレジストコ−ティ
ング時に被処理基板（ウエハー）の周辺部を露光し不要
なレジストを削除するための周辺露光方法および装置に
関するものである。
ける半導体基板（ウエハー）の周辺露光方法に関し、特
に、リソグラフィ−プロセスにおけるレジストコ−ティ
ング時に被処理基板（ウエハー）の周辺部を露光し不要
なレジストを削除するための周辺露光方法および装置に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造では、半導体基板であ
るウェハ−の不純物拡散領域上に形成された酸化膜等に
コンタクトホール用の窓を開けたり配線層のパターニン
グを行ない回路を形成する。この酸化膜等に窓を開ける
パターニング等のリソグラフィ−プロセスでは、ウェハ
−上にレジストを塗布（レジストコ−ティング）した
後、レジストパタ−ニングのための所定の露光を行な
う。このパターニング露光の前にウェハ−エッジ部の不
要なレジストを除去する周辺レジスト除去プロセスが施
される。この周辺レジスト除去プロセスとして、その周
辺部をシンナ−等に漬けてレジストを溶かすエッジリン
ス方式と、周辺部を露光現像して感光性レジストを除去
する周辺露光方式が用いられている。周辺露光方式の装
置としてはレジスト塗布工程に連続して行なわれる形態
のコ−タ−接続型と、ステッパー直前に連結された形態
のステッパ−一体型が採用されている。
るウェハ−の不純物拡散領域上に形成された酸化膜等に
コンタクトホール用の窓を開けたり配線層のパターニン
グを行ない回路を形成する。この酸化膜等に窓を開ける
パターニング等のリソグラフィ−プロセスでは、ウェハ
−上にレジストを塗布（レジストコ−ティング）した
後、レジストパタ−ニングのための所定の露光を行な
う。このパターニング露光の前にウェハ−エッジ部の不
要なレジストを除去する周辺レジスト除去プロセスが施
される。この周辺レジスト除去プロセスとして、その周
辺部をシンナ−等に漬けてレジストを溶かすエッジリン
ス方式と、周辺部を露光現像して感光性レジストを除去
する周辺露光方式が用いられている。周辺露光方式の装
置としてはレジスト塗布工程に連続して行なわれる形態
のコ−タ−接続型と、ステッパー直前に連結された形態
のステッパ−一体型が採用されている。
【０００３】図３に従来のステッパ−一体型の周辺露光
方法を説明するための概略斜視図を示す。従来のステッ
パ−一体型の周辺露光方法では、図３に示すように、ス
テッパ−内にロ−ディングされた被処理基板としてのウ
ェハ−１が露光ステ−ジ（図示せず）に送られる前に、
先ずオリフラ（オリエンテ−ション・フラット）合わせ
部２に送られる。ウエハー１はこのオリフラ合わせ部２
上に真空チャックにより吸着固定され、オリフラ合わせ
部２の回転によりオリフラの位置を露光ステージに対し
予めラフにプリアライメントされる。
方法を説明するための概略斜視図を示す。従来のステッ
パ−一体型の周辺露光方法では、図３に示すように、ス
テッパ−内にロ−ディングされた被処理基板としてのウ
ェハ−１が露光ステ−ジ（図示せず）に送られる前に、
先ずオリフラ（オリエンテ−ション・フラット）合わせ
部２に送られる。ウエハー１はこのオリフラ合わせ部２
上に真空チャックにより吸着固定され、オリフラ合わせ
部２の回転によりオリフラの位置を露光ステージに対し
予めラフにプリアライメントされる。
【０００４】ウエハーの周辺露光はこのような回転機能
を備えたオリフラの位置決め機構を利用して行われる。
を備えたオリフラの位置決め機構を利用して行われる。
【０００５】即ち、オリフラ合わせ部２の上方に配置さ
れた導光用グラスファイバ−３を介して光源（図示しな
い）から送られた光４により、オリフラ位置合わせ部２
を回転させながら、ウエハ−１の周辺部を照射すること
によってこのウエハー１の周辺部のレジストを感光させ
る。なお、このグラスファイバー３からの光は露光ステ
ージにおける素子形成部を露光するための光源とは別の
光源からの光である。図で破線より外側のウエハ−部が
周辺露光部１ａである。このグラスファイバ−３により
送られた光４は、例えば縦２．５ｍｍ×横７ｍｍの開口
５ａを有するスリット５を介してその大きさのスポット
となりレジスト１の周辺露光部１ａを露光する。
れた導光用グラスファイバ−３を介して光源（図示しな
い）から送られた光４により、オリフラ位置合わせ部２
を回転させながら、ウエハ−１の周辺部を照射すること
によってこのウエハー１の周辺部のレジストを感光させ
る。なお、このグラスファイバー３からの光は露光ステ
ージにおける素子形成部を露光するための光源とは別の
光源からの光である。図で破線より外側のウエハ−部が
周辺露光部１ａである。このグラスファイバ−３により
送られた光４は、例えば縦２．５ｍｍ×横７ｍｍの開口
５ａを有するスリット５を介してその大きさのスポット
となりレジスト１の周辺露光部１ａを露光する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来のステッパ−一体
型の周辺露光方法は、上述したようにグラスファイバ−
３により送られた光４をスリット５を介してウェハ−１
上に照射する。しかしながら、グラスファイバ−を通し
てその端面から発光した光は平行光又は発散光であり、
スリット５を介した後も、平行光又は発散光のままであ
る。従って、ウェハ−１の所定の周辺部に到達した光の
露光パワ−が弱い。そのため周辺露光に要する時間も長
くなり、スル−プットが低下することになる。
型の周辺露光方法は、上述したようにグラスファイバ−
３により送られた光４をスリット５を介してウェハ−１
上に照射する。しかしながら、グラスファイバ−を通し
てその端面から発光した光は平行光又は発散光であり、
スリット５を介した後も、平行光又は発散光のままであ
る。従って、ウェハ−１の所定の周辺部に到達した光の
露光パワ−が弱い。そのため周辺露光に要する時間も長
くなり、スル−プットが低下することになる。
【０００７】また従来のステッパ−一体型の周辺露光方
法は、露光スポット形状が一定形状の固定式スリットで
あるため、ウェハ−１の周辺部の露光領域の幅を変えた
い場合や露光の形状を変えたい場合等に露光範囲の変更
ができず、この調整のためにスリットとオリフラ合わせ
部との位置合わせを行わなければならず、この位置合わ
せ作業が非常に面倒なものであった。
法は、露光スポット形状が一定形状の固定式スリットで
あるため、ウェハ−１の周辺部の露光領域の幅を変えた
い場合や露光の形状を変えたい場合等に露光範囲の変更
ができず、この調整のためにスリットとオリフラ合わせ
部との位置合わせを行わなければならず、この位置合わ
せ作業が非常に面倒なものであった。
【０００８】本発明は上記課題を考慮して露光パワ−を
向上させ、スル−プットを向上させた周辺露光方法を提
供することを目的とする。
向上させ、スル−プットを向上させた周辺露光方法を提
供することを目的とする。
【０００９】また本発明は周辺露光において任意露光形
状を高精度に制御し得る周辺露光方法を提供することを
目的とする。
状を高精度に制御し得る周辺露光方法を提供することを
目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明においては、半導体リソグラフィ−プロセス
におけるレジストコ−ティング時に被処理基板の周辺露
光をスリットを介して行なう際、集光する光によって露
光を行なうことを特徴とする周辺露光方法を提供する。
に、本発明においては、半導体リソグラフィ−プロセス
におけるレジストコ−ティング時に被処理基板の周辺露
光をスリットを介して行なう際、集光する光によって露
光を行なうことを特徴とする周辺露光方法を提供する。
【００１１】好ましい実施例においては、上記集光する
露光用の光を、凹面鏡またはレンズまたは回折格子を用
いて形成することを特徴としている。
露光用の光を、凹面鏡またはレンズまたは回折格子を用
いて形成することを特徴としている。
【００１２】別の好ましい実施例においては、光学フィ
ルタを介して集光露光することを特徴としている。
ルタを介して集光露光することを特徴としている。
【００１３】別の好ましい実施例においては、前記スリ
ットは開口部の形状を連続的に変更可能な可変スリット
からなることを特徴としている。
ットは開口部の形状を連続的に変更可能な可変スリット
からなることを特徴としている。
【００１４】さらに、本発明においては、被処理基板を
固定保持する回転可能な基板支持部と、光源からの光を
前記基板支持部の上方から基板に対し照射するための導
光手段と、この導光手段からの光を集光させるための集
光手段と、前記導光手段と基板支持部との間に設けた露
光領域を定める開口部形状を連続的に変更可能な可変ス
リットとを備えたことを特徴とする周辺露光装置を提供
する。
固定保持する回転可能な基板支持部と、光源からの光を
前記基板支持部の上方から基板に対し照射するための導
光手段と、この導光手段からの光を集光させるための集
光手段と、前記導光手段と基板支持部との間に設けた露
光領域を定める開口部形状を連続的に変更可能な可変ス
リットとを備えたことを特徴とする周辺露光装置を提供
する。
【００１５】好ましい実施例においては、前記導光手段
と基板支持部との間に、特定波長の光を通過させるため
の光学的フィルタを設けたことを特徴としている。
と基板支持部との間に、特定波長の光を通過させるため
の光学的フィルタを設けたことを特徴としている。
【００１６】
【実施例】図１は本発明の実施例を説明するための概略
斜視図である。本実施例はステッパ−一体型の周辺露光
方式に適用したものである。図１に示すように本実施例
の周辺露光方法では、光源（図示しない）からグラスフ
ァイバー３を介して導光した光をグラスファイバー３の
端面から発光させる。この発光部であるグラスファイバ
−３の端面近傍に集光手段としての凹面鏡７を配し、従
来のスリット５の代わりに可動式スリット８を配して周
辺露光を行なう。凹面鏡の位置は、グラスファイバ−３
の端面から発光した光が凹面鏡７に反射してウェハ−１
の周辺部に集光するように配置される。本実施例では凹
面鏡７の略中央にグラスファイバ−３の先端を僅かに突
出させる。
斜視図である。本実施例はステッパ−一体型の周辺露光
方式に適用したものである。図１に示すように本実施例
の周辺露光方法では、光源（図示しない）からグラスフ
ァイバー３を介して導光した光をグラスファイバー３の
端面から発光させる。この発光部であるグラスファイバ
−３の端面近傍に集光手段としての凹面鏡７を配し、従
来のスリット５の代わりに可動式スリット８を配して周
辺露光を行なう。凹面鏡の位置は、グラスファイバ−３
の端面から発光した光が凹面鏡７に反射してウェハ−１
の周辺部に集光するように配置される。本実施例では凹
面鏡７の略中央にグラスファイバ−３の先端を僅かに突
出させる。
【００１７】可動式スリット８は、図２に示すように２
枚のＬ字型スリット板８ａ，８ｂと駆動モ−タ−１０で
構成される。Ｌ字型スリット板８ａ，８ｂはスリット８
の開口９を点対称に組み合わせ、それぞれ駆動モ−タ−
１０等でそれぞれスライド制御される。すなわち、駆動
モ−タ−１０等の制御により２枚のＬ字型スリット片８
ａ，８ｂをそれぞれ前後（図で上下）、左右に移動制御
させることによってスリット開口９のサイズを縦横各方
向に連続的に変更させることができ、任意の大きさのス
リット形状が設定可能となる。なお駆動モ−タ−１０等
の駆動系はコンピュ−タ−制御により精密制御が可能で
ある。
枚のＬ字型スリット板８ａ，８ｂと駆動モ−タ−１０で
構成される。Ｌ字型スリット板８ａ，８ｂはスリット８
の開口９を点対称に組み合わせ、それぞれ駆動モ−タ−
１０等でそれぞれスライド制御される。すなわち、駆動
モ−タ−１０等の制御により２枚のＬ字型スリット片８
ａ，８ｂをそれぞれ前後（図で上下）、左右に移動制御
させることによってスリット開口９のサイズを縦横各方
向に連続的に変更させることができ、任意の大きさのス
リット形状が設定可能となる。なお駆動モ−タ−１０等
の駆動系はコンピュ−タ−制御により精密制御が可能で
ある。
【００１８】上述した凹面鏡７および可動式スリット８
以外の本実施例の周辺露光システムの構成は従来の周辺
露光システムの構成と同様であるため省略する。
以外の本実施例の周辺露光システムの構成は従来の周辺
露光システムの構成と同様であるため省略する。
【００１９】以下本発明に係る周辺露光方法の動作を説
明する。ステッパ−内にロ−ディングされたウェハ−１
を露光ステ−ジ（図示せず）に配置する前に、先ずオリ
フラ合わせ部２に配置し真空チャックにより吸着固定し
て保持する。可動式スリット８のＬ字型スリット板８
ａ，８ｂを駆動モ−タ−１０等により所定のサイズのス
リット開口９に制御してウェハ−１の周辺上方に配す
る。更に可動式スリット８の上方に凹面鏡７を具備した
グラスファイバ−３を配する。次に、グラスファイバ−
３の端面から発光させ、その光を凹面鏡７を介してウエ
ハー１に向けて集光させる。集光した光は可動式スリッ
ト８のスリット開口９を介してウェハ−１の所定の周辺
を露光する。このとき、ウェハ−を真空チャックで吸着
固定したオリフラ合わせ部２を回転させることによって
ウェハ−の外周形状に沿って、集光する光で周辺露光を
行なう。オリフラの直線部の露光はオリフラ合わせ部２
をＸＹ方向に直線移動することにより行う。図１におい
て従来例と同様に周辺露光部を１ａで示す。
明する。ステッパ−内にロ−ディングされたウェハ−１
を露光ステ−ジ（図示せず）に配置する前に、先ずオリ
フラ合わせ部２に配置し真空チャックにより吸着固定し
て保持する。可動式スリット８のＬ字型スリット板８
ａ，８ｂを駆動モ−タ−１０等により所定のサイズのス
リット開口９に制御してウェハ−１の周辺上方に配す
る。更に可動式スリット８の上方に凹面鏡７を具備した
グラスファイバ−３を配する。次に、グラスファイバ−
３の端面から発光させ、その光を凹面鏡７を介してウエ
ハー１に向けて集光させる。集光した光は可動式スリッ
ト８のスリット開口９を介してウェハ−１の所定の周辺
を露光する。このとき、ウェハ−を真空チャックで吸着
固定したオリフラ合わせ部２を回転させることによって
ウェハ−の外周形状に沿って、集光する光で周辺露光を
行なう。オリフラの直線部の露光はオリフラ合わせ部２
をＸＹ方向に直線移動することにより行う。図１におい
て従来例と同様に周辺露光部を１ａで示す。
【００２０】本例のように集光された光を用いた露光パ
ワ−は、従来の平行光又は発散光に比較して数倍の露光
パワ−となった。なおグラスファイバ−から出た光はそ
れぞれ波長の異なる数種類の光（ｇ，ｈ，ｉ線）である
ため、フィルタ−等を設けることによってレジストに合
った例えばｇ線やｉ線等を有効に選択でき波長の異なる
光同士の干渉による露光効率の低下を防止し、更に効率
の良い露光光が得られ、これによって露光時間の短縮が
可能となる。
ワ−は、従来の平行光又は発散光に比較して数倍の露光
パワ−となった。なおグラスファイバ−から出た光はそ
れぞれ波長の異なる数種類の光（ｇ，ｈ，ｉ線）である
ため、フィルタ−等を設けることによってレジストに合
った例えばｇ線やｉ線等を有効に選択でき波長の異なる
光同士の干渉による露光効率の低下を防止し、更に効率
の良い露光光が得られ、これによって露光時間の短縮が
可能となる。
【００２１】上記実施例ではグラスファイバ−３から発
光した光を集光する手段として凹面鏡を用いたが、グラ
スファイバ−３の先端と可動スリット８との間に例えば
凸レンズやフレネルレンズあるいはその他の光学的集光
素子（例えばホログラム等の集光回折格子）等を配する
ことによって光を集光させることもできる。
光した光を集光する手段として凹面鏡を用いたが、グラ
スファイバ−３の先端と可動スリット８との間に例えば
凸レンズやフレネルレンズあるいはその他の光学的集光
素子（例えばホログラム等の集光回折格子）等を配する
ことによって光を集光させることもできる。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれば
リソグラフィ−プロセスにおけるレジストコ−ティング
時に被処理基板の周辺露光をスリットを介して行なう
際、集光露光によって行なうように構成している。その
ため、露光パワ−を増大させることが可能となり、露光
処理時間を短縮することができ、その結果スル−プット
を向上させることができる。また露光パワ−が向上する
ため、従来のレジストのエッジリンス時の裾引き、即
ち、ウエハーをシンナー溶液から引き上げるときウエハ
ー表面に沿って溶液が流れ落ちることがなく、露光精度
も向上する。
リソグラフィ−プロセスにおけるレジストコ−ティング
時に被処理基板の周辺露光をスリットを介して行なう
際、集光露光によって行なうように構成している。その
ため、露光パワ−を増大させることが可能となり、露光
処理時間を短縮することができ、その結果スル−プット
を向上させることができる。また露光パワ−が向上する
ため、従来のレジストのエッジリンス時の裾引き、即
ち、ウエハーをシンナー溶液から引き上げるときウエハ
ー表面に沿って溶液が流れ落ちることがなく、露光精度
も向上する。
【００２３】また、リソグラフィ−プロセスにおけるレ
ジストコ−ティング時に被処理基板（ウェハ−）の周辺
露光をスリットを介して行なう際、集光露光によっ行な
うと共に、上記集光された光が可変スリットを介して周
辺露光に供されるように構成している。そのため、上述
したように露光パワ−の増大によりスル−プットが向上
すると共に、ウェハ−の周辺を特に素子形成領域に対応
して部分的に内側方向にも露光する場合、露光位置の制
御が容易にしかも精度良く行なうことができる。この効
果は特に、他のプロセス（例えばＣＶＤによる成膜プロ
セスや蒸着あるいはスパッタ等のＰＶＤプロセス等）に
おいて、ウエハーの機械的チャック手段により形成され
たウェハ−上の爪跡を部分的に露光する場合に有効であ
る。
ジストコ−ティング時に被処理基板（ウェハ−）の周辺
露光をスリットを介して行なう際、集光露光によっ行な
うと共に、上記集光された光が可変スリットを介して周
辺露光に供されるように構成している。そのため、上述
したように露光パワ−の増大によりスル−プットが向上
すると共に、ウェハ−の周辺を特に素子形成領域に対応
して部分的に内側方向にも露光する場合、露光位置の制
御が容易にしかも精度良く行なうことができる。この効
果は特に、他のプロセス（例えばＣＶＤによる成膜プロ
セスや蒸着あるいはスパッタ等のＰＶＤプロセス等）に
おいて、ウエハーの機械的チャック手段により形成され
たウェハ−上の爪跡を部分的に露光する場合に有効であ
る。
【図１】 本発明の周辺露光方法の一実施例を説明する
ための概略斜視図である。
ための概略斜視図である。
【図２】 本発明に係る可動式スリットを示す平面図で
ある。
ある。
【図３】 従来の周辺露光方法を説明するための概略斜
視図である。
視図である。
１ ウェハ− ２ オリフラ合わせ部 ３ グラスファイバ− ４ 光 ５ スリット ５ａ 開口 ７ 凹面鏡 ８ 可動式スリット ８ａ，８ｂ Ｌ字型スリット板 ９ 開口 １０ 駆動モ−タ−
Claims (6)
- 【請求項１】 半導体リソグラフィ−プロセスにおける
レジストコ−ティング時に被処理基板の周辺露光をスリ
ットを介して行なう際、集光する光によって露光を行な
うことを特徴とする周辺露光方法。 - 【請求項２】 上記集光する露光用の光を、凹面鏡また
はレンズまたは回折格子を用いて形成することを特徴と
する請求項１に記載の周辺露光方法。 - 【請求項３】 光学フィルタを介して集光露光すること
を特徴とする請求項１に記載の周辺露光方法。 - 【請求項４】 前記スリットは開口部の形状を連続的に
変更可能な可変スリットからなることを特徴とする請求
項１に記載の周辺露光方法。 - 【請求項５】 被処理基板を固定保持する回転可能な基
板支持部と、 光源からの光を前記基板支持部の上方から基板に対し照
射するための導光手段と、 この導光手段からの光を集光させるための集光手段と、 前記導光手段と基板支持部との間に設けた露光領域を定
める開口部形状を連続的に変更可能な可変スリットとを
備えたことを特徴とする周辺露光装置。 - 【請求項６】 前記導光手段と基板支持部との間に、特
定波長の光を通過させるための光学的フィルタを設けた
ことを特徴とする請求項５に記載の周辺露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7354321A JPH09186066A (ja) | 1995-12-27 | 1995-12-27 | 周辺露光方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7354321A JPH09186066A (ja) | 1995-12-27 | 1995-12-27 | 周辺露光方法および装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09186066A true JPH09186066A (ja) | 1997-07-15 |
Family
ID=18436772
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7354321A Pending JPH09186066A (ja) | 1995-12-27 | 1995-12-27 | 周辺露光方法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09186066A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100387419B1 (ko) * | 2001-05-30 | 2003-06-18 | 한국디엔에스 주식회사 | 웨이퍼 가장자리 노광 시스템 |
| KR100497274B1 (ko) * | 2001-05-28 | 2005-07-01 | 세메스 주식회사 | 웨이퍼 가장자리 노광 시스템 |
| KR100724478B1 (ko) * | 2003-06-30 | 2007-06-04 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시소자 제조방법 |
| JP2008210877A (ja) * | 2007-02-23 | 2008-09-11 | Toshiba Corp | 露光装置、露光方法およびリソグラフィシステム |
| JP2016009784A (ja) * | 2014-06-25 | 2016-01-18 | 昭和電工株式会社 | 半導体デバイスの製造方法 |
| JP2016134444A (ja) * | 2015-01-16 | 2016-07-25 | キヤノン株式会社 | 露光装置、露光システム、および物品の製造方法 |
| CN108535963A (zh) * | 2017-03-03 | 2018-09-14 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 边缘曝光装置、晶圆结构及其形成方法 |
-
1995
- 1995-12-27 JP JP7354321A patent/JPH09186066A/ja active Pending
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