JPH07288222A - 偏光放射エネルギーを用いる半導体処理装置および方法 - Google Patents
偏光放射エネルギーを用いる半導体処理装置および方法Info
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- JPH07288222A JPH07288222A JP6307914A JP30791494A JPH07288222A JP H07288222 A JPH07288222 A JP H07288222A JP 6307914 A JP6307914 A JP 6307914A JP 30791494 A JP30791494 A JP 30791494A JP H07288222 A JPH07288222 A JP H07288222A
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
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- G03F7/70566—Polarisation control
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】改良された、偏光放射エネルギーを用いる半導
体処理の装置および方法を開示する。 【構成】半導体ウェハ１４上の放射感受性材料層１２を
露光するための光リソグラフ装置１０が提供される。装
置１０は、偏光放射エネルギー源１８と、マスク２０
と、レンズ２２と、を含む。光源２８からの放射エネル
ギーは、偏光フィルタ３０により所定方向に偏光せしめ
られる。偏光せしめられた放射エネルギーは、マスク２
０を通過せしめられ、層１２を所定パターンに露光す
る。駆動部材３２は、１回の露光中に、偏光せしめられ
た放射エネルギーに対し１つより多くの偏光方向を与え
るために偏光フィルタ３０を回転せしめ得る。
体処理の装置および方法を開示する。 【構成】半導体ウェハ１４上の放射感受性材料層１２を
露光するための光リソグラフ装置１０が提供される。装
置１０は、偏光放射エネルギー源１８と、マスク２０
と、レンズ２２と、を含む。光源２８からの放射エネル
ギーは、偏光フィルタ３０により所定方向に偏光せしめ
られる。偏光せしめられた放射エネルギーは、マスク２
０を通過せしめられ、層１２を所定パターンに露光す
る。駆動部材３２は、１回の露光中に、偏光せしめられ
た放射エネルギーに対し１つより多くの偏光方向を与え
るために偏光フィルタ３０を回転せしめ得る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体処理に関する。
特に偏光放射エネルギーを用いる半導体処理の装置およ
び方法に関する。
特に偏光放射エネルギーを用いる半導体処理の装置およ
び方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体産業は、半導体基板のより小さい
表面積を用いて、より精巧な回路を作る新しい方法を求
め続けている。この成果を得るためには、半導体デバイ
スの個々の回路素子が互いにより接近して作製されれば
よい。個々の半導体素子間の最小間隔は、リソグラフ工
程によって作られるコントラストの度合によって制限さ
れうる。
表面積を用いて、より精巧な回路を作る新しい方法を求
め続けている。この成果を得るためには、半導体デバイ
スの個々の回路素子が互いにより接近して作製されれば
よい。個々の半導体素子間の最小間隔は、リソグラフ工
程によって作られるコントラストの度合によって制限さ
れうる。
【０００３】リソグラフ法は、一般に放射感受性材料
（時には、「ホトレジスト」または「レジスト」と呼ば
れる）を酸化物フィルム上に配置することを含む。通
常、レジストは、光リソグラフ、電子ビームリソグラ
フ、またはｘ線リソグラフのようなリソグラフ技術によ
ってレジスト上に置かれたマスクを通して放射を受け
る。マスクは、所定パターンをなして該マスク上に堆積
されたクロムまたは他の適切な金属を有する１枚のガラ
スでありうる。隣接するクロム領域間のガラス領域は、
「スリット」とよばれる。レジストは、マスクの露光領
域において、化学系の選択に依存して化学的に反応す
る。それにより、半導体基板は、そのようなリソグラフ
技術によって露光された領域においてさらに処理されう
る。
（時には、「ホトレジスト」または「レジスト」と呼ば
れる）を酸化物フィルム上に配置することを含む。通
常、レジストは、光リソグラフ、電子ビームリソグラ
フ、またはｘ線リソグラフのようなリソグラフ技術によ
ってレジスト上に置かれたマスクを通して放射を受け
る。マスクは、所定パターンをなして該マスク上に堆積
されたクロムまたは他の適切な金属を有する１枚のガラ
スでありうる。隣接するクロム領域間のガラス領域は、
「スリット」とよばれる。レジストは、マスクの露光領
域において、化学系の選択に依存して化学的に反応す
る。それにより、半導体基板は、そのようなリソグラフ
技術によって露光された領域においてさらに処理されう
る。
【０００４】マスクのスリットの幅は、より小さい個々
の回路素子の製造を可能ならしめるために減少せしめら
れる。さらに、マスクのスリットの幅は、個々の回路素
子を互いにより接近させるためにも減少せしめられる。
より狭いスリットは、マスクを通してレジストへ向け送
られる紫外光を少なくする。スリットの幅が入射紫外光
の波長に近づくと、紫外光はスリットを通して送られな
くなる。狭いスリットによってレジストを適切に露光す
るためには、レジストを長い時間露光する必要がある。
従来の装置における１つの特別な問題は、マスクの狭い
スリットがレジスト層上に低いコントラストを生じるこ
とである。
の回路素子の製造を可能ならしめるために減少せしめら
れる。さらに、マスクのスリットの幅は、個々の回路素
子を互いにより接近させるためにも減少せしめられる。
より狭いスリットは、マスクを通してレジストへ向け送
られる紫外光を少なくする。スリットの幅が入射紫外光
の波長に近づくと、紫外光はスリットを通して送られな
くなる。狭いスリットによってレジストを適切に露光す
るためには、レジストを長い時間露光する必要がある。
従来の装置における１つの特別な問題は、マスクの狭い
スリットがレジスト層上に低いコントラストを生じるこ
とである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、従来
の装置および方法に関連する欠点および問題を実質的に
解消する、偏光放射エネルギーを用いる半導体処理の装
置および方法を提供することである。
の装置および方法に関連する欠点および問題を実質的に
解消する、偏光放射エネルギーを用いる半導体処理の装
置および方法を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】詳述すると、本発明の１
実施例は、半導体ウェハ上の放射感受性材料層を露光す
る光リソグラフ装置を提供する。この装置は、偏光放射
エネルギー源と、マスクと、レンズと、を含む。放射エ
ネルギーは、所定方向に偏光せしめられる。放射エネル
ギー源とウェハとの間には、偏光放射エネルギーがさら
にマスクを通過するように、マスクが配置される。さら
に、偏光放射エネルギーは、該偏光放射エネルギーをウ
ェハ上に集束させて放射感受性材料層を所定パターンに
露光するレンズを通る。
実施例は、半導体ウェハ上の放射感受性材料層を露光す
る光リソグラフ装置を提供する。この装置は、偏光放射
エネルギー源と、マスクと、レンズと、を含む。放射エ
ネルギーは、所定方向に偏光せしめられる。放射エネル
ギー源とウェハとの間には、偏光放射エネルギーがさら
にマスクを通過するように、マスクが配置される。さら
に、偏光放射エネルギーは、該偏光放射エネルギーをウ
ェハ上に集束させて放射感受性材料層を所定パターンに
露光するレンズを通る。
【０００７】本発明の技術的利点は、マスク内の狭いス
リットを通して放射エネルギーを小さい強度損失で送る
ために、所定方向に偏光せしめられた放射エネルギーを
用いている事実にある。本発明の装置は、たとえもしス
リットの幅が入射放射エネルギーの波長の程度であって
も、放射エネルギーがスリットを通して送られることを
可能ならしめる。本装置は、放射エネルギーのマスクに
おける散乱および吸収を最小化する。従って、放射感受
性材料層は、より大きいコントラストで露光され、個々
のデバイスは互いにより接近して作製されうる。
リットを通して放射エネルギーを小さい強度損失で送る
ために、所定方向に偏光せしめられた放射エネルギーを
用いている事実にある。本発明の装置は、たとえもしス
リットの幅が入射放射エネルギーの波長の程度であって
も、放射エネルギーがスリットを通して送られることを
可能ならしめる。本装置は、放射エネルギーのマスクに
おける散乱および吸収を最小化する。従って、放射感受
性材料層は、より大きいコントラストで露光され、個々
のデバイスは互いにより接近して作製されうる。
【０００８】本発明のもう１つの技術的利点は、回転可
能な偏光フィルタを有する装置を提供していることであ
る。このフィルタは、放射感受性材料層の１回の露光中
に、偏光放射エネルギーの偏光方向を変えるために回転
せしめられうる。これは、１つより多くの方向におい
て、より大きいコントラストを可能ならしめる。
能な偏光フィルタを有する装置を提供していることであ
る。このフィルタは、放射感受性材料層の１回の露光中
に、偏光放射エネルギーの偏光方向を変えるために回転
せしめられうる。これは、１つより多くの方向におい
て、より大きいコントラストを可能ならしめる。
【０００９】
【実施例】本発明およびその利点のさらに完全な理解の
ためには、添付図面と共に以下の説明を参照すべきであ
る。図１は、半導体ウェハ１６上の、表面１４を有する
放射感受性材料層１２を露光するための、１０により全
体が指示されている光リソグラフ装置を示す。層１２
は、例えばホトレジスト材料層から構成されうる。装置
１０は、散乱および吸収による損失エネルギーを最小化
することにより層１２の露光において高度のコントラス
トを得るために、所定方向に偏光せしめられた放射エネ
ルギーを利用する。層１２は、層１２を露光するのに用
いられる放射エネルギーの波長程度の距離だけ隔たった
構造特徴のための鮮鋭なコントラストをもって、装置１
０により露光されうる。
ためには、添付図面と共に以下の説明を参照すべきであ
る。図１は、半導体ウェハ１６上の、表面１４を有する
放射感受性材料層１２を露光するための、１０により全
体が指示されている光リソグラフ装置を示す。層１２
は、例えばホトレジスト材料層から構成されうる。装置
１０は、散乱および吸収による損失エネルギーを最小化
することにより層１２の露光において高度のコントラス
トを得るために、所定方向に偏光せしめられた放射エネ
ルギーを利用する。層１２は、層１２を露光するのに用
いられる放射エネルギーの波長程度の距離だけ隔たった
構造特徴のための鮮鋭なコントラストをもって、装置１
０により露光されうる。
【００１０】装置１０は、偏光放射エネルギー源１８
と、マスク２０と、レンズ２２と、を含む。マスク２０
は、マスク２０の表面２６上に形成されたクロム材料の
パターン２４を有するガラスシートから構成される。装
置１０は、クロムパターン２４の個々の素子が、放射エ
ネルギー源１８から発生する放射エネルギーの波長程度
の距離だけ隔たっている時に、層１２内に高度のコント
ラストを実現するように設計されている。レンズ２２
は、放射エネルギー源１８からの偏光放射エネルギー
を、層１２の表面１４上に集束させるための適切なレン
ズから構成される。
と、マスク２０と、レンズ２２と、を含む。マスク２０
は、マスク２０の表面２６上に形成されたクロム材料の
パターン２４を有するガラスシートから構成される。装
置１０は、クロムパターン２４の個々の素子が、放射エ
ネルギー源１８から発生する放射エネルギーの波長程度
の距離だけ隔たっている時に、層１２内に高度のコント
ラストを実現するように設計されている。レンズ２２
は、放射エネルギー源１８からの偏光放射エネルギー
を、層１２の表面１４上に集束させるための適切なレン
ズから構成される。
【００１１】放射エネルギー源１８は、例えば、光源２
８と、偏光フィルタ３０と、駆動部材３２と、を含む。
光源２８は、例えば、層１２を露光するための紫外光源
または他の適切な放射エネルギー源から構成されうる。
偏光フィルタ３０は、光源２８とマスク２９との間に配
置される。偏光フィルタ３０は、層１２の表面１４の平
面に平行な平面内に配置される。偏光フィルタ３０は、
駆動部材３２により、表面１４に平行な平面内において
回転せしめられうる。放射エネルギー源１８は、１回の
露光中に、可変的に偏光せしめられる放射エネルギーを
層１２へ供給しうる。これにより、１つより多くの方向
において互いに接近している個々の回路素子のための鮮
鋭なコントラストが可能になる。例えば、ある回路素子
は、図１に示されているｘ軸に沿った方向のスリットに
よって隔てられ、他の回路素子は、図１に示されている
ｙ軸に沿った方向のスリットによって隔てられうる。
８と、偏光フィルタ３０と、駆動部材３２と、を含む。
光源２８は、例えば、層１２を露光するための紫外光源
または他の適切な放射エネルギー源から構成されうる。
偏光フィルタ３０は、光源２８とマスク２９との間に配
置される。偏光フィルタ３０は、層１２の表面１４の平
面に平行な平面内に配置される。偏光フィルタ３０は、
駆動部材３２により、表面１４に平行な平面内において
回転せしめられうる。放射エネルギー源１８は、１回の
露光中に、可変的に偏光せしめられる放射エネルギーを
層１２へ供給しうる。これにより、１つより多くの方向
において互いに接近している個々の回路素子のための鮮
鋭なコントラストが可能になる。例えば、ある回路素子
は、図１に示されているｘ軸に沿った方向のスリットに
よって隔てられ、他の回路素子は、図１に示されている
ｙ軸に沿った方向のスリットによって隔てられうる。
【００１２】偏光フィルタ３０は、例えば直線偏光フィ
ルタから構成されうる。例えば、偏光フィルタ３０は、
ダイクロイックフィルタ、半波長板フィルタ、または複
屈折性フィルタから構成されうる。あるいは、偏光フィ
ルタ３０は、円偏光フィルタまたは楕円偏光フィルタか
ら構成されうる。偏光フィルタ３０は、例えば、放射エ
ネルギーを、層１２に垂直な平面内に偏光せしめる。
ルタから構成されうる。例えば、偏光フィルタ３０は、
ダイクロイックフィルタ、半波長板フィルタ、または複
屈折性フィルタから構成されうる。あるいは、偏光フィ
ルタ３０は、円偏光フィルタまたは楕円偏光フィルタか
ら構成されうる。偏光フィルタ３０は、例えば、放射エ
ネルギーを、層１２に垂直な平面内に偏光せしめる。
【００１３】動作に際しては、半導体ウェハ１６が装置
１０内に配置される。適切なマスク２０が、放射エネル
ギー源１８とレンズ２２との間に配置される。偏光フィ
ルタ３０が、駆動部材３２により、放射エネルギー源１
８がマスク２０に対して適切な方向に偏光せしめられた
紫外光を供給するように、調節される。層１２は、偏光
フィルタ３０、マスク２０、およびレンズ２２を通っ
た、光源２８からの紫外光により露光される。さらに、
偏光フィルタ３０は、層１２の露光中に、第２偏光状態
を与えるように調節されうる。例えば、偏光フィルタ３
０は、露光時間の最初の半分において、Ｘ方向に偏光し
た紫外光を与える向きに配置されうる。さらに偏光フィ
ルタ３０は、露光の残部において、Ｙ方向に偏光した紫
外光を与える向きに配置されうる。偏光の方向と、それ
ぞれの偏光状態のための時間の長さと、に関する選択
は、カリフォルニア州ロスアルトス（Ｌｏｓ Ａｌｔｏ
ｓ）のウェィドリンガ・アソシエーション（Ｗｅｉｄｌ
ｉｎｇｅｒ Ａｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ）によって製造さ
れ、発売されている、エムフレックス（ＥＭＦＬＥＸ）
というタイトルのプログラムを用い、特定のマスクに対
して決定されうる。
１０内に配置される。適切なマスク２０が、放射エネル
ギー源１８とレンズ２２との間に配置される。偏光フィ
ルタ３０が、駆動部材３２により、放射エネルギー源１
８がマスク２０に対して適切な方向に偏光せしめられた
紫外光を供給するように、調節される。層１２は、偏光
フィルタ３０、マスク２０、およびレンズ２２を通っ
た、光源２８からの紫外光により露光される。さらに、
偏光フィルタ３０は、層１２の露光中に、第２偏光状態
を与えるように調節されうる。例えば、偏光フィルタ３
０は、露光時間の最初の半分において、Ｘ方向に偏光し
た紫外光を与える向きに配置されうる。さらに偏光フィ
ルタ３０は、露光の残部において、Ｙ方向に偏光した紫
外光を与える向きに配置されうる。偏光の方向と、それ
ぞれの偏光状態のための時間の長さと、に関する選択
は、カリフォルニア州ロスアルトス（Ｌｏｓ Ａｌｔｏ
ｓ）のウェィドリンガ・アソシエーション（Ｗｅｉｄｌ
ｉｎｇｅｒ Ａｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ）によって製造さ
れ、発売されている、エムフレックス（ＥＭＦＬＥＸ）
というタイトルのプログラムを用い、特定のマスクに対
して決定されうる。
【００１４】図２は、全体的に３４で指示された別の偏
光フィルタ装置を示す。偏光フィルタ装置３４は、例え
ば、縁３６を有する偏光フィルタ３０ａと、軌道３８
と、モータ４０と、を有する。偏光フィルタ３０ａの縁
３６は、軌道３８に連結されている。モータ４０は、軌
道３８に連結されている。モータ４０は、偏光フィルタ
３０ａをして軌道３８内において回転せしめる。偏光フ
ィルタ装置３４は、装置１０内の偏光フィルタ３０およ
び駆動部材３２を置換しうる。
光フィルタ装置を示す。偏光フィルタ装置３４は、例え
ば、縁３６を有する偏光フィルタ３０ａと、軌道３８
と、モータ４０と、を有する。偏光フィルタ３０ａの縁
３６は、軌道３８に連結されている。モータ４０は、軌
道３８に連結されている。モータ４０は、偏光フィルタ
３０ａをして軌道３８内において回転せしめる。偏光フ
ィルタ装置３４は、装置１０内の偏光フィルタ３０およ
び駆動部材３２を置換しうる。
【００１５】動作に際し、偏光フィルタ装置３４は、層
１２の１回の露光中に偏光フィルタ３０ａの多重位置を
与えうる。層１２の露光中において所定時間の後に、モ
ータ４０は偏光フィルタ３０ａを回転させ、それによっ
て層１２を露光するための第２偏光状態を与えることが
できる。
１２の１回の露光中に偏光フィルタ３０ａの多重位置を
与えうる。層１２の露光中において所定時間の後に、モ
ータ４０は偏光フィルタ３０ａを回転させ、それによっ
て層１２を露光するための第２偏光状態を与えることが
できる。
【００１６】以上においては、本発明を詳細に説明して
きたが、添付の特許請求の範囲により定められる本発明
の精神および範囲から逸脱することなく、これに対して
さまざまな変形、置換、および変更が行われうることを
理解すべきである。例えば、駆動部材３２は、偏光フィ
ルタ３０を回転させる動作を行いうる他の電気機械的装
置によって置換されうる。
きたが、添付の特許請求の範囲により定められる本発明
の精神および範囲から逸脱することなく、これに対して
さまざまな変形、置換、および変更が行われうることを
理解すべきである。例えば、駆動部材３２は、偏光フィ
ルタ３０を回転させる動作を行いうる他の電気機械的装
置によって置換されうる。
【００１７】以上の説明に関して更に以下の項を開示す
る。 （１）半導体ウェハ上の放射感受性材料層を露光するた
めの光リソグラフ装置であって、該装置が、偏光放射エ
ネルギー源であって、該放射エネルギーが所定方向に偏
光している該偏光放射エネルギー源と、該放射エネルギ
ー源と前記ウェハとの間に配置されうるマスクと、該マ
スクを通して送られた前記偏光放射エネルギーを前記ウ
ェハ上に集束させて前記放射感受性材料を所定パターン
に露光するレンズと、を含む光リソグラフ装置。
る。 （１）半導体ウェハ上の放射感受性材料層を露光するた
めの光リソグラフ装置であって、該装置が、偏光放射エ
ネルギー源であって、該放射エネルギーが所定方向に偏
光している該偏光放射エネルギー源と、該放射エネルギ
ー源と前記ウェハとの間に配置されうるマスクと、該マ
スクを通して送られた前記偏光放射エネルギーを前記ウ
ェハ上に集束させて前記放射感受性材料を所定パターン
に露光するレンズと、を含む光リソグラフ装置。
【００１８】（２）前記偏光放射エネルギー源が、一様
な偏光していない紫外光の光源と、該光源と前記マスク
との間に、該偏光していない光を所定方向に偏光せしめ
るように配置されうる偏光フィルタと、を含む第１項記
載の装置。
な偏光していない紫外光の光源と、該光源と前記マスク
との間に、該偏光していない光を所定方向に偏光せしめ
るように配置されうる偏光フィルタと、を含む第１項記
載の装置。
【００１９】（３）前記偏光放射エネルギー源が、一様
な偏光していない紫外光の光源と、該光源と前記マスク
との間に、該偏光していない光を偏光せしめるために配
置されうる偏光フィルタと、該偏光せしめられた光の偏
光状態を変えるために前記フィルタを回転させるべく該
フィルタに連結された駆動部材と、を含む第１項記載の
装置。
な偏光していない紫外光の光源と、該光源と前記マスク
との間に、該偏光していない光を偏光せしめるために配
置されうる偏光フィルタと、該偏光せしめられた光の偏
光状態を変えるために前記フィルタを回転させるべく該
フィルタに連結された駆動部材と、を含む第１項記載の
装置。
【００２０】（４）前記偏光放射エネルギー源が、一様
な偏光していない紫外光の光源と、該光源と前記マスク
との間に、該偏光していない光を偏光せしめるために配
置されうる、縁を有する偏光フィルタと、該偏光フィル
タの該縁に連結された軌道と、前記偏光フィルタを回転
させて前記偏光せしめられた光の偏光状態を変化させる
ための、前記軌道に連結されたモータと、を含む第１項
記載の装置。
な偏光していない紫外光の光源と、該光源と前記マスク
との間に、該偏光していない光を偏光せしめるために配
置されうる、縁を有する偏光フィルタと、該偏光フィル
タの該縁に連結された軌道と、前記偏光フィルタを回転
させて前記偏光せしめられた光の偏光状態を変化させる
ための、前記軌道に連結されたモータと、を含む第１項
記載の装置。
【００２１】（５）前記偏光放射エネルギー源が、一様
な偏光していない紫外光の光源と、該光源と前記マスク
との間に、該偏光していない光を偏光せしめるために配
置されうる、ダイクロイック偏光フィルタと、を含む第
１項記載の装置。
な偏光していない紫外光の光源と、該光源と前記マスク
との間に、該偏光していない光を偏光せしめるために配
置されうる、ダイクロイック偏光フィルタと、を含む第
１項記載の装置。
【００２２】（６）前記偏光放射エネルギー源が、一様
な偏光していない紫外光の光源と、該光源と前記マスク
との間に、該偏光していない光を偏光せしめるために配
置されうる、半波長板偏光フィルタと、を含む第１項記
載の装置。
な偏光していない紫外光の光源と、該光源と前記マスク
との間に、該偏光していない光を偏光せしめるために配
置されうる、半波長板偏光フィルタと、を含む第１項記
載の装置。
【００２３】（７）前記偏光放射エネルギー源が、一様
な偏光していない紫外光の光源と、該光源と前記マスク
との間に、該偏光していない光を偏光せしめるために配
置されうる、複屈折性材料を有する偏光フィルタと、を
含む第１項記載の装置。
な偏光していない紫外光の光源と、該光源と前記マスク
との間に、該偏光していない光を偏光せしめるために配
置されうる、複屈折性材料を有する偏光フィルタと、を
含む第１項記載の装置。
【００２４】（８）前記偏光放射エネルギー源が、一様
な偏光していない紫外光の光源と、該光源と前記マスク
との間に、該偏光していない光を偏光せしめるために配
置されうる、円偏光フィルタと、を含む第１項記載の装
置。
な偏光していない紫外光の光源と、該光源と前記マスク
との間に、該偏光していない光を偏光せしめるために配
置されうる、円偏光フィルタと、を含む第１項記載の装
置。
【００２５】（９）前記偏光放射エネルギー源が、一様
な偏光していない紫外光の光源と、該光源と前記マスク
との間に、該偏光していない光を偏光せしめるために配
置されうる、楕円偏光フィルタと、を含む第１項記載の
装置。
な偏光していない紫外光の光源と、該光源と前記マスク
との間に、該偏光していない光を偏光せしめるために配
置されうる、楕円偏光フィルタと、を含む第１項記載の
装置。
【００２６】（１０）半導体ウェハ上の放射感受性材料
層を露光するための光リソグラフ装置であって、一様な
偏光していない紫外光の光源と、該光源と前記ウェハと
の間に配置されうるマスクと、該光源と前記マスクとの
間に、該偏光していない光を所定方向に偏光せしめるよ
うに配置されうる偏光フィルタと、該マスクを通して送
られた該偏光せしめられた光を前記ウェハ上に集束させ
て前記放射感受性材料層の所定部分を露光するレンズ
と、を含む光リソグラフ装置。
層を露光するための光リソグラフ装置であって、一様な
偏光していない紫外光の光源と、該光源と前記ウェハと
の間に配置されうるマスクと、該光源と前記マスクとの
間に、該偏光していない光を所定方向に偏光せしめるよ
うに配置されうる偏光フィルタと、該マスクを通して送
られた該偏光せしめられた光を前記ウェハ上に集束させ
て前記放射感受性材料層の所定部分を露光するレンズ
と、を含む光リソグラフ装置。
【００２７】（１１）前記偏光フィルタがさらに、前記
偏光せしめられた光の偏光状態を変えるために該フィル
タを回転させるべく該フィルタに連結された駆動部材を
含む第１０項記載の装置。
偏光せしめられた光の偏光状態を変えるために該フィル
タを回転させるべく該フィルタに連結された駆動部材を
含む第１０項記載の装置。
【００２８】（１２）前記偏光フィルタがさらに縁を有
し、前記装置がさらに、該偏光フィルタの該縁に連結さ
れた軌道と、前記偏光フィルタを回転させて前記偏光せ
しめられた光の偏光状態を変化させるための、前記軌道
に連結されたモータと、を含む第１０項記載の装置。
し、前記装置がさらに、該偏光フィルタの該縁に連結さ
れた軌道と、前記偏光フィルタを回転させて前記偏光せ
しめられた光の偏光状態を変化させるための、前記軌道
に連結されたモータと、を含む第１０項記載の装置。
【００２９】（１３）前記偏光フィルタが、ダイクロイ
ック偏光フィルタから構成される第１０項記載の装置。 （１４）前記偏光フィルタが、半波長板偏光フィルタか
ら構成される第１０項記載の装置。
ック偏光フィルタから構成される第１０項記載の装置。 （１４）前記偏光フィルタが、半波長板偏光フィルタか
ら構成される第１０項記載の装置。
【００３０】（１５）前記偏光フィルタが、複屈折性材
料を有する偏光フィルタから構成される第１０項記載の
装置。 （１６）前記偏光フィルタが、円偏光フィルタから構成
される、第１０項記載の装置。 （１７）前記偏光フィルタが、楕円偏光フィルタから構
成される、第１０項記載の装置。
料を有する偏光フィルタから構成される第１０項記載の
装置。 （１６）前記偏光フィルタが、円偏光フィルタから構成
される、第１０項記載の装置。 （１７）前記偏光フィルタが、楕円偏光フィルタから構
成される、第１０項記載の装置。
【００３１】（１８）半導体ウェハ上の放射感受性材料
層を露光する方法であって、マスクを放射エネルギー源
と前記ウェハとの間に配置するステップと、前記放射エ
ネルギー源と前記マスクとの間に偏光フィルタを配置す
ることにより、該フィルタを通過する偏光していない放
射エネルギーを所定方向に偏光せしめるステップと、レ
ンズを用い、前記マスクを通して送られた偏光放射エネ
ルギーを前記ウェハ上に集束させることにより、前記放
射感受性材料層の所定部分を露光するステップと、を含
む半導体ウェハ上の放射感受性材料層を露光する方法。
層を露光する方法であって、マスクを放射エネルギー源
と前記ウェハとの間に配置するステップと、前記放射エ
ネルギー源と前記マスクとの間に偏光フィルタを配置す
ることにより、該フィルタを通過する偏光していない放
射エネルギーを所定方向に偏光せしめるステップと、レ
ンズを用い、前記マスクを通して送られた偏光放射エネ
ルギーを前記ウェハ上に集束させることにより、前記放
射感受性材料層の所定部分を露光するステップと、を含
む半導体ウェハ上の放射感受性材料層を露光する方法。
【００３２】（１９）前記放射感受性材料層の露光中に
前記偏光フィルタを回転させるステップをさらに含む、
第１８項記載の方法。 （２０）偏光フィルタを配置する前記ステップが、前記
放射エネルギー源と前記マスクとの間に直線偏光フィル
タを配置するステップから構成される第１８項記載の方
法。
前記偏光フィルタを回転させるステップをさらに含む、
第１８項記載の方法。 （２０）偏光フィルタを配置する前記ステップが、前記
放射エネルギー源と前記マスクとの間に直線偏光フィル
タを配置するステップから構成される第１８項記載の方
法。
【００３３】（２１）半導体ウェハ１４上の放射感受性
材料層１２を露光するための光リソグラフ装置１０が提
供される。装置１０は、偏光放射エネルギー源１８と、
マスク２０と、レンズ２２と、を含む。光源２８からの
放射エネルギーは、偏光フィルタ３０により所定方向に
偏光せしめられる。偏光せしめられた放射エネルギー
は、マスク２０を通過せしめられ、層１２を所定パター
ンに露光する。駆動部材３２は、１回の露光中に、偏光
せしめられた放射エネルギーに対し１つより多くの偏光
方向を与えるために偏光フィルタ３０を回転せしめ得
る。
材料層１２を露光するための光リソグラフ装置１０が提
供される。装置１０は、偏光放射エネルギー源１８と、
マスク２０と、レンズ２２と、を含む。光源２８からの
放射エネルギーは、偏光フィルタ３０により所定方向に
偏光せしめられる。偏光せしめられた放射エネルギー
は、マスク２０を通過せしめられ、層１２を所定パター
ンに露光する。駆動部材３２は、１回の露光中に、偏光
せしめられた放射エネルギーに対し１つより多くの偏光
方向を与えるために偏光フィルタ３０を回転せしめ得
る。
【図１】本発明の教示に従って構成された、半導体ウェ
ハ上の放射感受性材料材料層を露光するための光リソグ
ラフ装置を示す分解斜視図。
ハ上の放射感受性材料材料層を露光するための光リソグ
ラフ装置を示す分解斜視図。
【図２】図１の光リソグラフ装置に用いられる偏光フィ
ルタの別の実施例を示す斜視図。
ルタの別の実施例を示す斜視図。
１０ 光リソグラフ装置 １２ 放射感受性材料層 １６ 半導体ウェハ １８ 偏光放射エネルギー源 ２０ マスク ２２ レンズ ２８ 光源 ３０ 偏光フィルタ ３０ａ 偏光フィルタ
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体ウェハ上の放射感受性材料層を露
光するための光リソグラフ装置であって、該装置が、 偏光放射エネルギー源であって、該放射エネルギーが所
定方向に偏光している該偏光放射エネルギー源と、 該放射エネルギー源と前記ウェハとの間に配置されうる
マスクと、 該マスクを通して送られた前記偏光放射エネルギーを前
記ウェハ上に集束させて前記放射感受性材料を所定パタ
ーンに露光するレンズと、を含む光リソグラフ装置。 - 【請求項２】 半導体ウェハ上の放射感受性材料層を露
光する方法であって、 放射エネルギー源と前記ウェハ
との間にマスクを配置するステップと、 前記放射エネルギー源と前記マスクとの間に偏光フィル
タを配置することにより、該フィルタを通過する偏光し
ていない放射エネルギーを所定方向に偏光せしめるステ
ップと、 レンズを用い、前記マスクを通して送られた偏光放射エ
ネルギーを前記ウェハ上に集束させることにより、前記
放射感受性材料層の所定部分を露光するステップと、を
含む半導体ウェハ上の放射感受性材料層を露光する方
法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US165284 | 1993-12-10 | ||
| US08/165,284 US5442184A (en) | 1993-12-10 | 1993-12-10 | System and method for semiconductor processing using polarized radiant energy |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07288222A true JPH07288222A (ja) | 1995-10-31 |
Family
ID=22598260
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6307914A Pending JPH07288222A (ja) | 1993-12-10 | 1994-12-12 | 偏光放射エネルギーを用いる半導体処理装置および方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5442184A (ja) |
| JP (1) | JPH07288222A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008033329A (ja) * | 2006-07-27 | 2008-02-14 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィシステムにおける最小寸法の不均一性を補償するシステムおよび方法 |
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-
1993
- 1993-12-10 US US08/165,284 patent/US5442184A/en not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-12-12 JP JP6307914A patent/JPH07288222A/ja active Pending
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Also Published As
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|---|---|
| US5442184A (en) | 1995-08-15 |
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