JPH06265708A

JPH06265708A - ゾーンプレートの製造方法

Info

Publication number: JPH06265708A
Application number: JP5049279A
Authority: JP
Inventors: Sumuto Shimizu; 澄人清水; Takeshi Moriyama; 健森山
Original assignee: Nikon Corp
Current assignee: Nikon Corp
Priority date: 1993-03-10
Filing date: 1993-03-10
Publication date: 1994-09-22

Abstract

(57)【要約】【目的】高分解能かつ大口径のゾーンプレートを製造
する。【構成】光の透過部と非透過部とで所望のゾーンプレ
ートの一部を構成するパターン２１が形成されたマスク
１を用意する。次に、このマスクのパターンを、予め感
光剤５を塗布した基板７上の一部の領域に投影露光し、
さらに、マスクと基板との相対移動により基板全面にマ
スクのパターンを投影露光することで、前記ゾーンプレ
ートのパターン全体を基板上に投影露光する。そして、
露光された基板をフォトエッチング処理することで所望
のゾーンプレートを得る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、高分解能かつ大口径の
ゾーンプレートを高精度で製造する方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、Ｘ線に対応した機器の研究開発が
盛んになっており、それに相まってＸ線を集光するため
の光学素子の開発が進んでいる。そうした中、半導体の
高集積化に伴って急速に進歩してきた超微細加工技術、
超精密加工技術、超薄膜形成技術等を利用することで、
Ｘ線の集光や平行光束化を行なう透過型の光学素子であ
るゾーンプレートを製造する研究が進められている。

【０００３】ゾーンプレートは、図３に示すように、同
心円状に配置された多数の輪帯により形成されている。
各輪帯の半径は、中心から数えた番号ｎの平方根に比例
しており、これら各輪帯をＸ線に対して交互に透明、不
透明となるように設定された光学素子である。そして、
光（Ｘ線）の回折現象により単色光に対して正または負
の焦点距離を有する結像素子として働く。

【０００４】ところで、図３に示すようなゾーンプレー
トにＸ線の平面波が入射する場合、Ｘ線の焦点は前記回
折の際の条件によって決定される。従って、ゾーンプレ
ートを構成する全ての輪帯は、Ｘ線の焦点で振幅を高め
るように該Ｘ線の位相に作用しなければならない。その
ためには、図４に示すようにゾーンプレート５０の中心
をＯ、ｎ番目（内側から１、２、・・・）の輪帯の半径
ｒ_n上の点をＰ_n、焦点をＦとすると、点Ｐ_nから焦点
Ｆまでの光路長 l_nは次式を満たす必要がある。

【０００５】

【数１】

【０００６】ここで、ｆは焦点距離（＝ＯＦ間の距
離）、λはＸ線の波長を表す。また、半径ｒ_nは次式で
表せる。

【０００７】

【数２】

【０００８】ゾーンプレートの製造方法としては、従
来、フォトリソグラフィー法、電子線描画法、ホログラ
フィー法などで樹脂上に所望のパターン形成し、その
後、ドライプロセス等を用いて加工する方法が一般的で
ある。中でも、縮小投影露光法を用いた製造方法は、高
分解能でさらに比較的大口径のゾーンプレートが製造可
能であり、さらに制御性や再現性などの点においても優
れていることから、ゾーンプレートの大量生産に適した
方法として用いられる。

【０００９】ここで、図５により縮小投影露光法を用い
た従来のゾーンプレートの製造方法を説明する。まず、
シリコンからなる支持基板５１を用意し、この表面５１
ａ全体にＸ線を透過させる物質からなるゾーンプレート
の支持膜（例えば、窒化シリコン：SiN ）５２ａを形成
する。さらに、支持基板５１の裏面５１ｂにも同様の物
質からなる支持膜５２ｂを形成する。ただし、支持基板
５１の裏面５１ｂにおいて、ゾーンプレートが形成され
る領域に対応する領域Ａは支持膜５２ｂを形成しないで
おく。そして、支持膜５２ａの表面全体に、さらにＸ線
を吸収する物質（例えば、金：Au）からなるＸ線吸収層
５３を形成し、その上に全体にレジスト５４を塗布する
（図５ａ）。

【００１０】次に、レジスト５４に光（イオンビーム、
電子線、原子ビームなどを含む）を照射して縮小投影露
光を行なうことで、所望のゾーンプレートに対応するパ
ターン５５を形成する。この縮小露光工程では、前記所
望のパターン５５を拡大した（およそ５〜20倍）パター
ンが形成されたマスク（レチクル）を用い、半導体集積
装置を製造する際に使用される縮小投影型露光装置を利
用する。露光が終了した後、レジスト５４を現像する
と、このレジスト５４には前記所望のパターンが形成さ
れる（図５ｂ）。

【００１１】そして、レジスト５４をマスクとしてＸ線
吸収層５３をエッチングする。前記現像によりレジスト
５４が除去された部分はＸ線吸収層５３が露出している
ので、所定時間エッチングを行なうことでこの露出部分
の吸収層５３を除去する。エッチング終了後レジスト５
４を除去すると、Ｘ線吸収層５３は輪帯状にパターニン
グされ、この吸収層５３と支持膜５２ａとでパターン５
５が形成される（図５ｃ）。

【００１２】さらに、支持基板５１の裏面から支持基板
５１をエッチングして、支持膜５２ｂが形成されていな
い領域（ゾーンプレートが形成される領域）Ａの基板５
１を除去する（図５ｄ）ことで、透過型のＸ線用ゾーン
プレート５０を製造することができる。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】前述のようにＸ線用ゾ
ーンプレートの製造過程で縮小投影露光を行なう場合、
露光に使用する縮小露光装置で使用するマスク（レチク
ル）には該装置の縮小率分だけ所望のゾーンプレートの
パターンを拡大したパターンを設けておかなければなら
ない。例えば、縮小率が 1/5〜1/10に設定された縮小投
影露光装置で直径10mm程度のＸ線用ゾーンプレートを製
造する場合、露光に用いるレチクルに設けるパターンの
直径は 100mm前後から数 100mmとなり、このようなパタ
ーンでは同心円状の輪帯（ライン）が数千本にもおよ
ぶ。

【００１４】ところで、レチクルを製造する場合、通常
は電子線やレーザによる描画装置を用いる。その場合、
まず、光を透過する基板（例えば、SiO₂ガラス、ポリエ
チレンフィルムなど）上に光を透過しない光吸収層を形
成し、この吸収層を前記描画装置によってパターンの一
本一本のラインを描画していく。描画装置にはＸおよび
Ｙ軸方向に前記基板を移動させる駆動系が設けられてお
り、この駆動系で基板に円を近似した動きを与えること
で円状の輪帯を形成（描画）する。しかし、従来の描画
装置は描画できる領域が非常に狭く、前述のようにレチ
クルに形成するゾーンプレートパターンの直径がある程
度大きくなると対応できなくなっていた。

【００１５】また、ゾーンプレートの口径がある程度以
上大きくなると、各輪帯の境界部をきれいな真円状に描
画することが難しくなる。つまり、前記駆動系による基
板の移動は実質的には直線移動であるため、得られたパ
ターンの隣合う各輪帯の境界部には階段状の段差が形成
される。ゾーンプレートの製造時にこのようなレチクル
を用いてパターンを露光すると、露光光がレンズ系を通
る際に前記段差部で干渉が起き、露光されたゾーンプレ
ートのパターンの見栄えが悪くなるばかりか集光度も低
下する。また、円周角方向によって輪帯の幅、真円度が
大きく変化するため駆動系による制御性にも大きな偏り
を持ち、円に歪みが生じ易かった。そのため、このよう
な従来のレチクルを用いて露光したＸ線用ゾーンプレー
トは、大口径ではあっても高い分解能を得ることが難し
かった。この場合、ＸＹ方向の駆動系にθ回転が可能な
駆動系を加えれば前記段差に起因する問題は回避するこ
とができる。しかし、θ駆動系を備えた装置でもその駆
動精度と描画領域に限界があり、また、駆動軸が増える
ため制御が難しくなるという問題が生じる。

【００１６】本発明は、このような問題を解決すること
を目的とする。

【００１７】

【課題を解決するための手段】上記目的のために、本発
明では、光の透過部と非透過部とで所望のゾーンプレー
トの一部を構成するパターンが形成されたマスクを用意
する過程、該マスクのパターンを、予め感光剤を塗布し
た基板上の一部の領域に投影露光する過程、前記マスク
と基板との相対移動により該基板全面にマスクのパター
ンを投影露光することで、前記ゾーンプレートのパター
ン全体を該基板上に投影露光する過程、および前記露光
された基板をフォトエッチング処理する過程からなるゾ
ーンプレートの製造方法を提供する（請求項１）。

【００１８】また、第１のゾーンプレートの一部を構成
するパターンを光の透過部と非透過部とで形成した第１
のマスクを用意する過程、該第１のマスクのパターン
を、予め感光剤を塗布した第１の基板上の一部の領域に
投影露光する過程、該投影露光の露光光と前記第１の基
板との相対移動により該基板全面に前記マスクのパター
ンを投影露光することで、前記第１のゾーンプレートの
パターン全体を該第１の基板上に投影露光する過程、前
記露光された第１の基板をフォトエッチング処理するこ
とで第１のゾーンプレートを得る過程、該第１のゾーン
プレートを第２のマスクとし、第１のゾーンプレートの
パターンを、予め感光剤を塗布した第２の基板上に投影
露光する過程、および前記露光された第２の基板をフォ
トエッチング処理することで第２のゾーンプレートを得
る過程からなるゾーンプレートの製造方法を提供する
（請求項２）。この場合、この第２のゾーンプレートが
所望のゾーンプレートとなる。

【００１９】

【作用】本発明では、前記縮小投影時に使用するマスク
（レチクル）を製造する際、このレチクルに形成するゾ
ーンプレートパターンの一部を構成するパターン（以
下、原図という）が形成されたマスクを用意する。この
マスクには前記レチクルのパターンを適当に分割したパ
ターンを原図として形成するので、従来の描画装置で描
画可能な領域内に収まるように形成するパターンの大き
さを適宜設定してそれに合うように分割すればよい。そ
のため、大面積のパターンが必要な場合にも対応するこ
とができる。また、パターンの分割数を大きくすること
で、該パターンの輪帯を形成する円弧部分を直線で近似
させても所望の精度で歪みなくレチクルのパターンを形
成させることができる。この場合、原図を描画する際は
直線移動だけを行なうＸＹ方向の駆動系を使用すれば済
むので、従来と同様の描画装置を使用できる。例えば、
図１に示すように、円形（輪帯）状のパターンを中心角
が36″の扇形に1000分割すると、分割された１つの扇形
におけるパターンの円弧部分を直線で近似することがで
き、原図を描画する際に制御が難しいθ回転が可能な駆
動系を使用しなくて済む。

【００２０】原図をもとにレチクルにゾーンプレートの
パターンを露光する際は、予め感光剤を塗布したレチク
ル基板上に前記原図のパターンを投影露光し、さらに原
図が形成された前記マスクと基板との相対移動により該
基板全面に前記原図のパターンを投影露光する。例え
ば、前述のように所望のレチクルのパターンを中心角が
36″の扇形に分割してこの１つを原図とする場合、前記
マスクとレチクル基板との相対移動は前記扇形の中心
（かなめ）を回転中心とした回転移動となる（図１参
照）。このようにして、基板上に所望のゾーンプレート
のパターン全体（つまり円形状のパターン）を投影露光
した後で通常のフォトエッチング処理を行なえば、所望
のゾーンプレートのパターンが精度よく（歪みなく）形
成されたレチクルを得ることができる。

【００２１】マスクと基板との相対移動は、少なくとも
どちらか一方が移動すればよい。図１に示すような回転
移動を行なう場合、マスクと露光光との位置関係を固定
したまま双方を基板に対して回転させてもよいし、マス
クと露光光との位置関係を固定しておきこれら双方に対
して基板を回転させてもよい。また、投影露光は連続的
でもよいし、非連続的として一方が移動する度に原図の
パターンが投影露光されるように非連続的としてもよ
い。さらに、投影露光は等倍でもよいし縮小投影露光と
してもよい。縮小投影とすると、原図に描画するパター
ンの線幅が細くなり過ぎて描画装置の性能がその線幅に
対応できなくなることを防止できる。また、原図のパタ
ーンを投影露光時にレチクル用のパターンに合成する際
にパターンの線幅が細くて所望の精度で合成されず、境
界部で段差が生じるような場合にもレチクルでのパター
ンを拡大して原図のパターンを描画しておくとよい。

【００２２】ところで、以上のようにして得られたレチ
クルは、そのパターンが所望のゾーンプレートの形状と
対応（相似）した形状となっているので、このレチクル
自身をゾーンプレートと見なすこともできる。本明細書
ではこのようなレチクルもゾーンプレートとして扱うこ
ととする。なお、ここでは本発明を分かり易くするため
に実施例の図を用いて説明したが、これにより本発明が
実施例に限定されるものではない。また、本明細書では
Ｘ線用のゾーンプレートを例に説明しているが、本発明
はＸ線用に限るものではない。Ｘ線の他に、可視光領域
の光線、赤外線、紫外線等マスクを用いた露光工程に使
用される全ての電磁波、さらに電子線、イオンビーム、
原子ビームなどに適用させることができる。

【００２３】

【実施例１】以下、図１および図２を参照にして、本発
明の一実施例を説明する。本実施例は、扇形領域にパタ
ーニングされた原図を有する原盤を用意してこれをもと
に縮小投影露光用のレチクル（第１のゾーンプレート）
を製造し、さらにこのレチクルを用いて縮小投影露光を
行なうことでＸ線用ゾーンプレート（第２のゾーンプレ
ート）を製造する。なお、本実施例では前記原図をもと
にレチクルのパターンを投影露光する際にも縮小投影露
光法を用いた。原図のパターンをレチクル用に縮小投影
露光する時の縮小率を1/1 〜1/10、得られたレチクルの
パターンをＸ線用ゾーンプレートとして縮小投影露光す
る時の縮小率を 1/5〜1/10に設定すると、原図段階で必
要となるパターンの大きさ（領域）は目的とするＸ線用
ゾーンプレートの直径の５〜 100倍程度となる。従っ
て、直径10mmのＸ線用ゾーンプレートをパターニングす
る場合、原図に形成するパターンの直径は50〜1000mmと
なる。なお、原図のパターンをレチクルに投影露光する
際に縮小率を1/1 〜1/10に設定して縮小投影露光を行っ
たのは、原図に描画するパターンの線幅が細くなり過ぎ
て描画装置の性能がその線幅に対応できなくなる場合を
考慮したためである。このような場合は、レチクルのパ
ターンを拡大して原図のパターンを描画し、レチクル製
造の際に縮小投影露光を行えばよい。また、原図のパタ
ーンを投影露光時にレチクル用のパターンに合成する際
にパターンの線幅が細くて所望の精度で合成されず、境
界部で段差が生じるような場合にもレチクルでのパター
ンを拡大して原図のパターンを描画しておくとよい。さ
らに、原図のパターニングされた領域が広くなり過ぎて
一度に露光できない時は、縮小投影露光の際に前記パタ
ーニング領域を幾つかに分割し、周方向や半径方向に重
ね合わせながら露光を行えばよい。本実施例では、縮小
率が 1/5となる縮小投影系レンズを搭載した縮小投影露
光装置を用いてまずレチクル（第１のゾーンプレート）
のパターニングを行い、さらに得られたパターンをもと
にＸ線用ゾーンプレート（第２のゾーンプレート）のパ
ターニングを行った。以下、本実施例を各過程ごとに説
明する。（イ）レチクル用の原図を作成する過程図２は、本実施例で使用する原図が形成されたマスク１
を示す概略斜視図である。このマスク１は、露光光の透
過率が非常に高い物質（例えば、ガラス、ポリビニルフ
ィルムなど）からなるマスク基板１０と、この上に厚さ
約 0.5μｍで成膜された光を吸収する物質（例えば、ク
ロム）からなる光吸収材９とで構成され、扇型の領域に
ゾーンプレートの一部を形成するパターン２１が設けら
れている。そして、このパターン２１部がレチクル原図
として機能する。

【００２４】ここで、このマスク１の製造方法について
説明する。まず、ガラス（SiO₂）からなるマスク基板１
０を用意し、その上にクロム（Cr）からなる光吸収材９
を厚さ約 0.5μｍで成膜した。さらに、この光吸収材９
上に感光性樹脂（商品名 OEBR1000: 東京応化社製）を
厚さ 0.5〜 1.0μｍ程度で成膜した。そして、この樹脂
の表面上に電子線描画装置（以下、EB装置と略す）を用
いて所望のパターンを描画した。なお、レーザプロット
ジェネレータ（LPG ）を使用して描画することも可能だ
が、描画される最小線幅が大きくなるためゾーンプレー
トの線幅を微細化しようとすると、縮小投影露光の回数
を増やさなければならない。そのため、描画できる最小
線幅が小さいEB装置を用いた方が好ましい。ここで描画
されるパターンの大きさは、所望のＸ線用ゾーンプレー
ト（第２のゾーンプレート）のパターンと縮小投影露光
時の縮小率をもとに設定される。つまり、レチクルには
Ｘ線用ゾーンプレートのパターンを露光時の縮小率の逆
数倍拡大したパターンを形成することになり、また、原
図にはこのレチクルのパターンをさらに縮小率の逆数倍
に拡大したパターンを想定し、これを所定の中心角で分
割したパターンを形成することになる。本実施例では、
投影露光を２回行なう際にいずれも縮小率が1/5の縮小
投影光学系を用いたので、レチクルに形成するゾーンプ
レートパターンは所望のゾーンプレートパターンの５倍
の大きさ、原図においてはさらにその５倍（所望のゾー
ンプレートパターンの25倍）の大きさのパターンが形成
されることになる。ただし、原図として実際にパターニ
ングする領域は、「ゾーンプレートの円形状（輪帯）の
パターンを中心角36″で1000分割して形成された扇形」
の１つに相当する領域とした。この扇形の領域には前述
のようにEB装置により「レチクルに形成するパターン」
の一部が描画される。なお、本実施例では、ゾーンプレ
ートパターンを形成する輪帯の一部となる円弧状部分
は、全て直線で近似して描画してある。描画後は、反応
性イオンエッチング法を用いてエッチング処理すること
で、マスク基板１０と光吸収部材９により形成されたパ
ターン（原図）を備えたマスク１を得た。なお、エッチ
ング方法は反応性イオンエッチング法に限定されるもの
ではなく、プラズマを用いたドライプロセス等の一般の
フォトエッチング方法を利用してもよい。（ロ）レチクル（第１のゾーンプレート）を製造する過
程図１は、上記（イ）の過程で得られたマスク１を使用し
てレチクル用のゾーンレートのパターンを投影露光して
いる状態を示す。以下、図１を用いてレチクル（第１の
ゾーンプレート）の製造過程を説明する。

【００２５】まず、遠紫外線透過率の高い石英からなる
レチクル基板７を用意し、このレチクル基板７上に光吸
収材としてクロム（Cr）層６を成膜した。さらに、この
クロム層６上に感光性樹脂（商品名 AZ1300J: ヘキスト
社製）５をスピンコート等により形成した。次に、この
感光性樹脂５の表面にレチクル用のゾーンレートのパタ
ーンを投影露光する。露光に用いる装置としては、例え
ば、半導体製造装置における縮小投影露光装置を使用す
ることができる。なお、投影露光には１対１の転写系、
あるいは縮小投影系などが利用できるが、本実施例では
前述のように縮小率 1/5の縮小投影系を用いた。この場
合、レチクル上に形成されるゾーンプレートの直径は小
さくなるが、分解能は向上するのでこの後の縮小投影露
光によってサブクウォーターミクロンオーダー以下の精
度（分解能）での描画が可能となる。前記投影露光装置
はレチクル基板７を回転させる回転機構を有するものと
し、マスク１と露光光３の位置を固定した状態でレチク
ル基板７を一定速度で一回転させると共に、その間連続
的に露光光３を照射するようにしてある。また、露光光
としてはｇ線を使用した。露光に際しては、まず、前記
回転機構（例えば、回転ステージ）上に感光性樹脂５が
上面となるようにレチクル基板７を載置する。そして、
マスク１に露光光を３を照射して原図のパターン２１が
形成された扇形領域を感光性樹脂５に縮小投影露光しな
がら前記回転ステージを一定速度で一回転させ、感光性
樹脂５に円形（輪帯）状のゾーンプレートのパターン全
体を露光した。その際、図１に示すように、マスク１と
感光性樹脂５の露光面とが平行となり、また、マスク１
の前記扇形領域の中心（かなめ）Ａが前記回転ステージ
の回転軸４上に位置するように設定した。

【００２６】露光が完了した後、公知のドライエッチン
グ処理を行なうことでレチクル（第１のゾーンプレー
ト）が完成した。このレチクルには所望のＸ線用ゾーン
プレート（第２のゾーンプレート）のパターンの５倍の
大きさを有するゾーンプレート（本実施例では直径が25
mm、輪帯の最小線幅が 0.9μｍ）が形成されており、前
記第２のゾーンプレートを露光によってパターニングす
る際にマスクとして機能する。（ハ）Ｘ線用ゾーンプレート（第２のゾーンプレート）
を製造する過程図５ａに示すように、シリコンからなる支持基板５１の
表面５１ａ全体にＸ線を透過させる物質からなるゾーン
プレートの支持膜（例えば、窒化シリコン：SiN _X）５
２ａを形成し、さらに、支持基板５１の裏面５１ｂにも
同様の物質からなる支持膜５２ｂを形成する。ただし、
支持基板５１の裏面５１ｂにおいて、ゾーンプレートが
形成される領域に対応する領域Ａは支持膜５２ｂを形成
しないでおく。そして、支持膜５２ａの表面全体に、さ
らにＸ線を吸収する物質（例えば、Au）からなるＸ線吸
収層５３を厚さ約 0.2μｍで形成し、その上に全体にレ
ジスト５４を塗布する。

【００２７】そして、上記（ロ）の過程で得られたレチ
クル（第１のゾーンプレート）を用い、このレチクルに
形成されたゾーンプレートのパターンをレジスト５４に
縮小投影露光（縮小率1/5 ）した。露光には（ロ）の過
程で使用した縮小投影露光装置と同様の構成を有する装
置を用い、露光光としてはKrF のレーザ光を使用した。
露光光はKrF の他にｉ線、ArF 、Ｘ線等を用いることも
可能である。縮小率を1/10程度に設定するのであれば、
ｉ線を利用してもよい。パターンの露光終了後、現像し
たレジスト５４をマスクとしてＸ線吸収層５３をエッチ
ングし、さらにエッチング終了後レジスト５４を除去す
ることで所望のパターンを形成した。この後、支持基板
５１の裏面から支持基板５１をエッチングして、支持膜
５２ｂが形成されていない領域（ゾーンプレートが形成
される領域）の基板５１を除去することでＸ線用ゾーン
プレート（第２のゾーンプレート）が完成した。

【００２８】本実施例で得られたＸ線用ゾーンプレート
は、従来よりも大口径（直径約５mm）とすることががで
きた。また、輪帯の最小線幅を従来より微細化すること
ができ、0.2 μｍ以下の線幅を得ることも可能となる。

【００２９】

【発明の効果】以上のように、本発明によれば、光の透
過部と非透過部とで所望のゾーンプレートの一部を構成
するパターンが形成されたマスクを用意し、このパター
ンを予め感光剤を塗布した基板上の一部の領域に投影露
光すると共に前記マスクと基板との相対移動により該基
板全面にマスクのパターンを投影露光することで、前記
ゾーンプレートのパターン全体を該基板上に投影露光し
露光された基板をフォトエッチング処理する。そのた
め、描画装置で描画可能な領域内に収まるように前記ゾ
ーンプレートのパターンを適当に分割することができる
ので、大面積のゾーンプレートを製造することが可能と
なる。

【００３０】また、前記パターンの分割数を大きくする
ことで、該パターンの輪帯を形成する円弧部分を直線で
近似させても所望の精度で歪みなくマスクのパターンを
形成させることができる。この場合、原図を描画する際
は直線移動だけを行なうＸＹ方向の駆動系を使用すれば
済むので、描画装置の構成が簡単で制御し易い。さら
に、本発明により製造されたゾーンプレートは、縮小投
影露光法の解像度を利用することで最外周の輪帯幅を0.
2 μｍ以下まで微細にすることが可能となる。そのた
め、従来に比べて集光度（ゾーンプレート面積とゾーン
プレートの集光効率等の積で表される）が格段に向上
し、ＮＡを大きくすることができる。

【００３１】さらにまた、本発明では大口径で高い分解
能を有するＸ線用ゾーンプレートを製造することができ
るので、このようなＸ線用ゾーンプレートをＸ線光学系
における透過型光学素子として使用すれば、従来と比較
して大幅な光量増と高分解能化が可能となる。そのた
め、Ｘ線用光学機器のシステム上の自由度が向上する
等、Ｘ線用機器の実用化に多大な貢献をすることが可能
である。

【図面の簡単な説明】

【図１】は、本発明の一実施例における第１のゾーンプ
レートの製造過程を示す斜視図である。

【図２】は、一実施例における原図マスクの概略を示す
斜視図である。

【図３】は、ゾーンプレートの一例を示す平面図であ
る。

【図４】は、ゾーンプレートの一例を示す断面図であ
る。

【図５】は、ゾーンプレートの製造過程の一例を示す説
明図である。

【主要部分の符号の説明】

１マスク３露光光４回転中心軸５感光性樹脂６光吸収材７レチクル基板９光吸収材１０マスク基板２１パターン部

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】光の透過部と非透過部とで所望のゾーン
プレートの一部を構成するパターンが形成されたマスク
を用意する過程、該マスクのパターンを、予め感光剤を塗布した基板上の
一部の領域に投影露光する過程、前記マスクと基板との相対移動により該基板全面にマス
クのパターンを投影露光することで、前記ゾーンプレー
トのパターン全体を該基板上に投影露光する過程、およ
び前記露光された基板をフォトエッチング処理する過程
からなることを特徴とするゾーンプレートの製造方法。
【請求項２】光の透過部と非透過部とで第１のゾーン
プレートの一部を構成するパターンが形成された第１の
マスクを用意する過程、該第１のマスクのパターンを、予め感光剤を塗布した第
１の基板上の一部の領域に投影露光する過程、前記第１のマスクと第１の基板との相対移動により該基
板全面に該マスクのパターンを投影露光することで、前
記第１のゾーンプレートのパターン全体を該第１の基板
上に投影露光する過程、前記露光された第１の基板をフォトエッチング処理する
ことで第１のゾーンプレートを得る過程、該第１のゾーンプレートを第２のマスクとし、第１のゾ
ーンプレートのパターンを、予め感光剤を塗布した第２
の基板上に投影露光する過程、および前記露光された第
２の基板をフォトエッチング処理することで第２のゾー
ンプレートを得る過程からなることを特徴とするゾーン
プレートの製造方法。