JP2002214797A - レーザ照射装置及び照射方法 - Google Patents
レーザ照射装置及び照射方法Info
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- JP2002214797A JP2002214797A JP2001009187A JP2001009187A JP2002214797A JP 2002214797 A JP2002214797 A JP 2002214797A JP 2001009187 A JP2001009187 A JP 2001009187A JP 2001009187 A JP2001009187 A JP 2001009187A JP 2002214797 A JP2002214797 A JP 2002214797A
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- irradiated
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 レーザビームのビームスポットを移動させる
ことによって、レーザビームの照射されない細長い領域
を残し、他の領域にレーザビームを照射する場合の照射
時間を短くすることが可能なレーザ照射装置を提供す
る。 【解決手段】 加工用レーザ光源が、加工用レーザビー
ムを出射する。マスクが、加工用レーザ光源から出射し
た加工用レーザビームの光路内に配置されている。マス
クには、少なくとも２つの透過領域が形成されており、
両者の間に遮光領域が画定されている。ステージが、被
照射物を保持する。結像光学装置が、マスクを透過した
レーザビームをステージに保持された被照射物上に導く
とともに、マスクの遮光領域を被照射物の表面上に結像
させる。
ことによって、レーザビームの照射されない細長い領域
を残し、他の領域にレーザビームを照射する場合の照射
時間を短くすることが可能なレーザ照射装置を提供す
る。 【解決手段】 加工用レーザ光源が、加工用レーザビー
ムを出射する。マスクが、加工用レーザ光源から出射し
た加工用レーザビームの光路内に配置されている。マス
クには、少なくとも２つの透過領域が形成されており、
両者の間に遮光領域が画定されている。ステージが、被
照射物を保持する。結像光学装置が、マスクを透過した
レーザビームをステージに保持された被照射物上に導く
とともに、マスクの遮光領域を被照射物の表面上に結像
させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、レーザ照射装置及
び照射方法に関し、細い線状の領域の両側にレーザビー
ムを照射するのに適したレーザ照射装置及び照射方法に
関する。
び照射方法に関し、細い線状の領域の両側にレーザビー
ムを照射するのに適したレーザ照射装置及び照射方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】フォトレジスト膜をレーザビームで直接
露光することによって、幅０．５〜２μｍ程度の細い非
露光領域を形成する場合、フォトレジスト膜の表面にお
けるビームスポットを直径０．５μｍ程度まで絞る必要
がある。この小さなビームスポットを移動させて露光す
べき領域全体を露光するには、長時間が必要とされる。
例えば、一辺の長さが５０ｍｍの正方形の領域に、幅
０．５μｍの非露光領域を３００μｍのピッチで配置し
たい場合、ビームスポットの移動速度を５０ｍｍ／ｓと
すると、露光時間が約２８時間になる。
露光することによって、幅０．５〜２μｍ程度の細い非
露光領域を形成する場合、フォトレジスト膜の表面にお
けるビームスポットを直径０．５μｍ程度まで絞る必要
がある。この小さなビームスポットを移動させて露光す
べき領域全体を露光するには、長時間が必要とされる。
例えば、一辺の長さが５０ｍｍの正方形の領域に、幅
０．５μｍの非露光領域を３００μｍのピッチで配置し
たい場合、ビームスポットの移動速度を５０ｍｍ／ｓと
すると、露光時間が約２８時間になる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、レー
ザビームのビームスポットを移動させることによって、
レーザビームの照射されない細長い領域を残し、他の領
域にレーザビームを照射する場合の照射時間を短くする
ことが可能なレーザ照射装置及び照射方法を提供するこ
とである。
ザビームのビームスポットを移動させることによって、
レーザビームの照射されない細長い領域を残し、他の領
域にレーザビームを照射する場合の照射時間を短くする
ことが可能なレーザ照射装置及び照射方法を提供するこ
とである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の一観点による
と、加工用レーザビームを出射する加工用レーザ光源
と、前記加工用レーザ光源から出射した加工用レーザビ
ームの光路内に配置され、少なくとも２つの透過領域が
形成されており、両者の間に遮光領域が画定されている
マスクと、被照射物を保持するステージと、前記マスク
を透過したレーザビームを前記ステージに保持された被
照射物上に導くとともに、該マスクの前記遮光領域を該
被照射物の表面上に結像させる結像光学装置とを有する
レーザ照射装置が提供される。
と、加工用レーザビームを出射する加工用レーザ光源
と、前記加工用レーザ光源から出射した加工用レーザビ
ームの光路内に配置され、少なくとも２つの透過領域が
形成されており、両者の間に遮光領域が画定されている
マスクと、被照射物を保持するステージと、前記マスク
を透過したレーザビームを前記ステージに保持された被
照射物上に導くとともに、該マスクの前記遮光領域を該
被照射物の表面上に結像させる結像光学装置とを有する
レーザ照射装置が提供される。
【０００５】被照射物の表面上におけるレーザビームの
照射パターンは、２つの照射領域を有し、その間に遮光
領域が画定される。被照射物を結像光学系の光軸に垂直
な平面に平行な方向に移動させると、２つの照射領域に
より２本の細長い領域を露光するとともに、２本の露光
領域に挟まれた非露光領域を残すことができる。
照射パターンは、２つの照射領域を有し、その間に遮光
領域が画定される。被照射物を結像光学系の光軸に垂直
な平面に平行な方向に移動させると、２つの照射領域に
より２本の細長い領域を露光するとともに、２本の露光
領域に挟まれた非露光領域を残すことができる。
【０００６】本発明の他の観点によると、被照射物の表
面上において、ある間隔を隔てて配置された２つの照射
領域と、両者の間に画定された遮光領域とを含む照射パ
ターンを有するレーザビームを、前記被照射物の表面に
照射しながら、該レーザビームの照射されない領域が第
１の軌跡を描くように、該レーザビームの２つの照射領
域と該被照射物との一方を他方に対して相対的に移動さ
せる第１の工程を有するレーザ照射方法が提供される。
面上において、ある間隔を隔てて配置された２つの照射
領域と、両者の間に画定された遮光領域とを含む照射パ
ターンを有するレーザビームを、前記被照射物の表面に
照射しながら、該レーザビームの照射されない領域が第
１の軌跡を描くように、該レーザビームの２つの照射領
域と該被照射物との一方を他方に対して相対的に移動さ
せる第１の工程を有するレーザ照射方法が提供される。
【０００７】本発明の他の観点によると被照射物の表面
上にＸＹ直交座標系を定義したとき、Ｘ軸に平行な直線
状領域の両側にレーザビームを照射しつつ、レーザビー
ムの照射領域と該被照射物との少なくとも一方を、Ｘ軸
に平行な方向に移動させる第１の工程を有するレーザ照
射方法が提供される。
上にＸＹ直交座標系を定義したとき、Ｘ軸に平行な直線
状領域の両側にレーザビームを照射しつつ、レーザビー
ムの照射領域と該被照射物との少なくとも一方を、Ｘ軸
に平行な方向に移動させる第１の工程を有するレーザ照
射方法が提供される。
【０００８】２つの照射領域により２本の細長い領域を
露光するとともに、２本の露光領域に挟まれた非露光領
域を残すことができる。
露光するとともに、２本の露光領域に挟まれた非露光領
域を残すことができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】図１に、本発明の実施例によるレ
ーザ照射装置の概略図を示す。加工用レーザ光源１が、
加工用レーザビームを出射する。加工用レーザ光源１と
して、例えば波長３２４ｎｍのＨｅ−Ｃｄ連続動作（Ｃ
Ｗオペレーション）レーザ、波長３５１ｎｍのＡｒイオ
ン連続動作レーザ等を用いることができる。なお、パル
ス動作のレーザ発振器を用いてもよい。
ーザ照射装置の概略図を示す。加工用レーザ光源１が、
加工用レーザビームを出射する。加工用レーザ光源１と
して、例えば波長３２４ｎｍのＨｅ−Ｃｄ連続動作（Ｃ
Ｗオペレーション）レーザ、波長３５１ｎｍのＡｒイオ
ン連続動作レーザ等を用いることができる。なお、パル
ス動作のレーザ発振器を用いてもよい。
【００１０】加工用レーザ光源１から出射したレーザビ
ームは、エネルギ安定化装置２、レーザシャッタ３、コ
リメートレンズ４を通ってマスク５に入射する。エネル
ギ安定化装置２は、それを通過したレーザビームのパワ
ーが、レーザ光源１の定格出力の約８０％になるように
レーザビームのパワーを減衰させる。レーザ光源１の出
力が低下すると、減衰率を低下させ、エネルギ安定化装
置２を通過したレーザビームのパワーの変動が少なくな
るように制御される。
ームは、エネルギ安定化装置２、レーザシャッタ３、コ
リメートレンズ４を通ってマスク５に入射する。エネル
ギ安定化装置２は、それを通過したレーザビームのパワ
ーが、レーザ光源１の定格出力の約８０％になるように
レーザビームのパワーを減衰させる。レーザ光源１の出
力が低下すると、減衰率を低下させ、エネルギ安定化装
置２を通過したレーザビームのパワーの変動が少なくな
るように制御される。
【００１１】図２に、マスク５の平面図を示す。幅Ｗ３
の線状の遮光領域５Ｃの両側に、透過領域５Ａ及び５Ｂ
が配置されている。透過領域５Ａ及び５Ｂの幅は、それ
ぞれＷ１及びＷ２である。
の線状の遮光領域５Ｃの両側に、透過領域５Ａ及び５Ｂ
が配置されている。透過領域５Ａ及び５Ｂの幅は、それ
ぞれＷ１及びＷ２である。
【００１２】図１に戻って説明を続ける。マスク５の透
過領域５Ａ及び５Ｂを透過したレーザビームは、フィー
ルドレンズ６を通り、ダイクロイックミラー７で反射
し、イメージングレンズ８を通って、ＸＹステージ１０
の上に載置された被照射物４０に入射する。被照射物４
０は、例えば表面上にフォトレジスト膜が形成されたレ
ンズやガラス平板である。ＸＹステージ１０は、被照射
物４０を、イメージングレンズ８の光軸に垂直な平面に
平行な方向に移動させることができる。
過領域５Ａ及び５Ｂを透過したレーザビームは、フィー
ルドレンズ６を通り、ダイクロイックミラー７で反射
し、イメージングレンズ８を通って、ＸＹステージ１０
の上に載置された被照射物４０に入射する。被照射物４
０は、例えば表面上にフォトレジスト膜が形成されたレ
ンズやガラス平板である。ＸＹステージ１０は、被照射
物４０を、イメージングレンズ８の光軸に垂直な平面に
平行な方向に移動させることができる。
【００１３】イメージングレンズ８は、高さ調節機構１
１により、光軸方向に並進移動可能に支持されている。
イメージングレンズ８を、その光軸方向に並進移動させ
ることにより、被照射物４０の表面からイメージングレ
ンズ８までの高さが調節される。高さセンサ１２が、被
照射物４０の表面の高さを検出し、検出結果を制御装置
３０に送出する。
１により、光軸方向に並進移動可能に支持されている。
イメージングレンズ８を、その光軸方向に並進移動させ
ることにより、被照射物４０の表面からイメージングレ
ンズ８までの高さが調節される。高さセンサ１２が、被
照射物４０の表面の高さを検出し、検出結果を制御装置
３０に送出する。
【００１４】マスク５は、その線状の遮光領域５Ｃが、
レーザ光源１、コリメートレンズ４、フィールドレンズ
６、及びイメージングレンズ８を含む光学系の光軸と交
差するように配置されている。
レーザ光源１、コリメートレンズ４、フィールドレンズ
６、及びイメージングレンズ８を含む光学系の光軸と交
差するように配置されている。
【００１５】測定用レーザ光源２０が、測定用レーザビ
ームを出射する。測定用レーザ光源２０として、例えば
Ｈｅ−Ｎｅレーザ発振器を用いることができる。測定用
レーザビームは、フィールドレンズ２１、シリンドリカ
ルレンズ２２を通過して部分反射鏡２３に入射する。部
分反射鏡２３で反射された測定用レーザビームは、ダイ
クロイックミラー７を透過し、イメージングレンズ８で
収束されて被照射物４０の表面を照射する。
ームを出射する。測定用レーザ光源２０として、例えば
Ｈｅ−Ｎｅレーザ発振器を用いることができる。測定用
レーザビームは、フィールドレンズ２１、シリンドリカ
ルレンズ２２を通過して部分反射鏡２３に入射する。部
分反射鏡２３で反射された測定用レーザビームは、ダイ
クロイックミラー７を透過し、イメージングレンズ８で
収束されて被照射物４０の表面を照射する。
【００１６】被照射物４０の表面からの散乱光が、イメ
ージングレンズ８、ダイクロイックミラー７、部分反射
鏡２３、フィールドレンズ２４を透過して、４分割フォ
トダイオード２５に入射する。被照射物４０の表面のビ
ームスポットが、４分割フォトダイオード２５の受光面
に結像する。測定用レーザビームが、被照射物４０の表
面上にベストフォーカスされている時、ビームスポット
はほぼ真円になる。ベストフォーカス状態からずれる
と、シリンドリカルレンズ２２の影響により、ビームス
ポットが長円になる。ビームスポットが真円である時、
４分割フォトダイオード２５の各フォトダイオードの受
光量が等しくなる。ビームスポットが長円になると、４
分割フォトダイオード２５の各フォトダイオードの受光
量にばらつきが生ずる。各フォトダイオードの受光量を
比較することにより、被照射物４０の表面の高さに関す
る情報を得ることができる。４分割フォトダイオード２
５の各フォトダイオードで検出された受光量が、制御装
置３０に入力される。
ージングレンズ８、ダイクロイックミラー７、部分反射
鏡２３、フィールドレンズ２４を透過して、４分割フォ
トダイオード２５に入射する。被照射物４０の表面のビ
ームスポットが、４分割フォトダイオード２５の受光面
に結像する。測定用レーザビームが、被照射物４０の表
面上にベストフォーカスされている時、ビームスポット
はほぼ真円になる。ベストフォーカス状態からずれる
と、シリンドリカルレンズ２２の影響により、ビームス
ポットが長円になる。ビームスポットが真円である時、
４分割フォトダイオード２５の各フォトダイオードの受
光量が等しくなる。ビームスポットが長円になると、４
分割フォトダイオード２５の各フォトダイオードの受光
量にばらつきが生ずる。各フォトダイオードの受光量を
比較することにより、被照射物４０の表面の高さに関す
る情報を得ることができる。４分割フォトダイオード２
５の各フォトダイオードで検出された受光量が、制御装
置３０に入力される。
【００１７】制御装置３０は、高さセンサ１２及び４分
割フォトダイオード２５から入力された情報に基づい
て、マスク５の線状の遮光領域５Ｃが被照射物４０の表
面に結像するように、イメージングレンズ８の高さを調
節する。例えば、高さセンサ１２からの情報により、被
照射物４０の表面の高さが粗く検出され、４分割フォト
ダイオード２５からの情報により、被照射物４０の表面
の高さが高精度に検出される。
割フォトダイオード２５から入力された情報に基づい
て、マスク５の線状の遮光領域５Ｃが被照射物４０の表
面に結像するように、イメージングレンズ８の高さを調
節する。例えば、高さセンサ１２からの情報により、被
照射物４０の表面の高さが粗く検出され、４分割フォト
ダイオード２５からの情報により、被照射物４０の表面
の高さが高精度に検出される。
【００１８】次に、図３を参照して図１に示したレーザ
照射装置を用いて、被照射物上のレジスト膜を露光する
方法について説明する。
照射装置を用いて、被照射物上のレジスト膜を露光する
方法について説明する。
【００１９】図３は、被照射物の表面内の露光された領
域と露光されない領域とを示す。図２に示したマスク５
の線状の遮光領域５Ｃの像がＸ軸に平行になるようなＸ
Ｙ直交座標系を導入する。マスク５の透過領域５Ａ及び
５Ｂの像（照射領域）４１Ａ及び４１Ｂの間に、遮光領
域４１Ｃが画定されている。以下、照射領域４１Ａと４
１Ｂとを合わせてビームスポットと呼ぶ。照射領域４１
Ａ及び４１Ｂの幅（Ｙ軸方向の長さ）は、それぞれＷＩ
１及びＷＩ２であり、遮光領域４１Ｃの幅はＷＩ３であ
る。幅ＷＩ１〜ＷＩ３は、それぞれ図２に示した透過領
域の幅Ｗ１、Ｗ２、及び遮光領域の幅Ｗ３に、図１に示
した結像光学系６及び８の結像倍率を乗じたものに等し
い。照射領域４１Ａが、遮光領域４１ＣよりもＹ軸の正
の側に位置し、照射領域４１Ｂが、遮光領域４１Ｃより
もＹ軸の負の側に位置する。
域と露光されない領域とを示す。図２に示したマスク５
の線状の遮光領域５Ｃの像がＸ軸に平行になるようなＸ
Ｙ直交座標系を導入する。マスク５の透過領域５Ａ及び
５Ｂの像（照射領域）４１Ａ及び４１Ｂの間に、遮光領
域４１Ｃが画定されている。以下、照射領域４１Ａと４
１Ｂとを合わせてビームスポットと呼ぶ。照射領域４１
Ａ及び４１Ｂの幅（Ｙ軸方向の長さ）は、それぞれＷＩ
１及びＷＩ２であり、遮光領域４１Ｃの幅はＷＩ３であ
る。幅ＷＩ１〜ＷＩ３は、それぞれ図２に示した透過領
域の幅Ｗ１、Ｗ２、及び遮光領域の幅Ｗ３に、図１に示
した結像光学系６及び８の結像倍率を乗じたものに等し
い。照射領域４１Ａが、遮光領域４１ＣよりもＹ軸の正
の側に位置し、照射領域４１Ｂが、遮光領域４１Ｃより
もＹ軸の負の側に位置する。
【００２０】図１に示したＸＹステージ１０を駆動し
て、ビームスポットをＸ軸の正の向きに移動させる。こ
のとき、常にマスク５の遮光領域５Ｃが、被照射物４０
の表面上に結像するように、イメージングレンズ８の高
さが調節される。遮光領域４１Ｃが線状の軌跡４２を描
く。線状の軌跡４２の内部は露光されず、その両側が露
光される。ビームスポットをＸ軸方向にある距離だけ移
動させた後、Ｙ軸の正の向きにピッチＰｙだけ移動させ
る。ここで、ピッチＰｙは、幅ＷＩ１及びＷＩ２の大き
な方よりも大きく、ＷＩ１とＷＩ２との和よりも小さ
い。例えば、幅ＷＩ１とＷＩ２の各々が２５０μｍ、遮
光領域４１Ｃの幅ＷＩ３が０．５μｍ、ピッチＰｙが３
００μｍである。
て、ビームスポットをＸ軸の正の向きに移動させる。こ
のとき、常にマスク５の遮光領域５Ｃが、被照射物４０
の表面上に結像するように、イメージングレンズ８の高
さが調節される。遮光領域４１Ｃが線状の軌跡４２を描
く。線状の軌跡４２の内部は露光されず、その両側が露
光される。ビームスポットをＸ軸方向にある距離だけ移
動させた後、Ｙ軸の正の向きにピッチＰｙだけ移動させ
る。ここで、ピッチＰｙは、幅ＷＩ１及びＷＩ２の大き
な方よりも大きく、ＷＩ１とＷＩ２との和よりも小さ
い。例えば、幅ＷＩ１とＷＩ２の各々が２５０μｍ、遮
光領域４１Ｃの幅ＷＩ３が０．５μｍ、ピッチＰｙが３
００μｍである。
【００２１】次に、ビームスポットをＸ軸の負の向きに
移動させる。照射領域４１Ｂの移動によって既に露光さ
れた領域に、照射領域４１Ａの移動によって露光される
領域が部分的に重なる。Ｘ軸方向に関する露光開始位置
まで移動させた後、Ｙ軸の正の向きにピッチＰｙだけ移
動させる。
移動させる。照射領域４１Ｂの移動によって既に露光さ
れた領域に、照射領域４１Ａの移動によって露光される
領域が部分的に重なる。Ｘ軸方向に関する露光開始位置
まで移動させた後、Ｙ軸の正の向きにピッチＰｙだけ移
動させる。
【００２２】ビームスポットのＸ軸方向への移動とＹ軸
方向への移動とを繰り返すことにより、ピッチＰｙで相
互に平行に配置された複数の線状の非露光領域４２を残
し、他の領域を露光することができる。
方向への移動とを繰り返すことにより、ピッチＰｙで相
互に平行に配置された複数の線状の非露光領域４２を残
し、他の領域を露光することができる。
【００２３】図２に示したマスク５の遮光領域５Ｃが、
光学系の光軸と交差するように配置されているため、レ
ンズの球面収差等の影響を少なくし、図３に示した遮光
領域４１Ｃの解像度の低下を防止することができる。こ
れにより、細い非露光領域４２を、コントラストよく残
すことができる。なお、遮光領域５Ｃが光学系の光軸と
交差しない場合であっても、遮光領域５Ｃが光軸の極近
傍に配置される場合には、同様の効果が期待できるであ
ろう。
光学系の光軸と交差するように配置されているため、レ
ンズの球面収差等の影響を少なくし、図３に示した遮光
領域４１Ｃの解像度の低下を防止することができる。こ
れにより、細い非露光領域４２を、コントラストよく残
すことができる。なお、遮光領域５Ｃが光学系の光軸と
交差しない場合であっても、遮光領域５Ｃが光軸の極近
傍に配置される場合には、同様の効果が期待できるであ
ろう。
【００２４】照射領域４１Ａ及び４１Ｂの外周のうち、
遮光領域４１Ｃとの境界を画定しない部分は、光学系の
光軸から離れているため、レンズの収差の影響を受けや
すい。しかし、これらの部分は、非露光領域４２の縁を
画定しないため、非露光領域４２のコントラスト低下の
要因にはならない。
遮光領域４１Ｃとの境界を画定しない部分は、光学系の
光軸から離れているため、レンズの収差の影響を受けや
すい。しかし、これらの部分は、非露光領域４２の縁を
画定しないため、非露光領域４２のコントラスト低下の
要因にはならない。
【００２５】照射領域４１Ａ及び４１Ｂの幅ＷＩ１及び
ＷＩ２は、遮光領域４１Ｃの幅ＷＩ３に比べて十分大き
くすることができる。このため、遮光領域４１Ｃの幅Ｗ
Ｉ３とほぼ等しい大きさのビームスポットを移動させる
場合に比べて、露光時間を短縮することができる。
ＷＩ２は、遮光領域４１Ｃの幅ＷＩ３に比べて十分大き
くすることができる。このため、遮光領域４１Ｃの幅Ｗ
Ｉ３とほぼ等しい大きさのビームスポットを移動させる
場合に比べて、露光時間を短縮することができる。
【００２６】上記実施例では、照射領域４１Ａ及び４１
Ｂを直線的に移動させる場合を説明したが、必ずしも遮
光領域４１Ｃの軌跡が直線である必要はない。遮光領域
４１Ｃの軌跡が、遮光領域４１Ｃの長さに比べて十分大
きな曲率半径を有する円周であってもよいし、任意の曲
線であってもよい。この場合、遮光領域４１Ｃの長さ方
向が、その軌跡の接線方向と一致するように遮光領域４
１Ｃを移動させればよい。
Ｂを直線的に移動させる場合を説明したが、必ずしも遮
光領域４１Ｃの軌跡が直線である必要はない。遮光領域
４１Ｃの軌跡が、遮光領域４１Ｃの長さに比べて十分大
きな曲率半径を有する円周であってもよいし、任意の曲
線であってもよい。この場合、遮光領域４１Ｃの長さ方
向が、その軌跡の接線方向と一致するように遮光領域４
１Ｃを移動させればよい。
【００２７】複数の線状の非露光領域を残す場合、例え
ば非露光領域を同心円状に配置する場合、遮光領域の軌
跡が、前回のビームスポットの移動で形成された遮光領
域の軌跡の脇に配置され、かつレーザビームの照射領域
の一部が、前回のビームスポットの移動で既に露光され
ている領域の一部と重なるようにビームスポットを移動
させればよい。
ば非露光領域を同心円状に配置する場合、遮光領域の軌
跡が、前回のビームスポットの移動で形成された遮光領
域の軌跡の脇に配置され、かつレーザビームの照射領域
の一部が、前回のビームスポットの移動で既に露光され
ている領域の一部と重なるようにビームスポットを移動
させればよい。
【００２８】以上実施例に沿って本発明を説明したが、
本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種
々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に
自明であろう。
本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種
々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に
自明であろう。
【００２９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
細い非露光領域を残す際に、遮光領域の両側を露光しな
がら、この露光領域を一方向に移動させることにより、
露光時間を短縮することができる。
細い非露光領域を残す際に、遮光領域の両側を露光しな
がら、この露光領域を一方向に移動させることにより、
露光時間を短縮することができる。
【図１】本発明の実施例によるレーザ照射装置の概略図
である。
である。
【図２】マスクの平面図である。
【図３】本発明の実施例によるレーザ照射方法により露
光される様子を示す図である。
光される様子を示す図である。
１ 加工用レーザ光源 ２ エネルギ安定化装置 ３ レーザシャッタ ４ コリメートレンズ ５ マスク ６ フィールドレンズ ７ ダイクロイックミラー ８ イメージングレンズ １０ ＸＹステージ １１ 高さ調節機構 １２ 高さセンサ ２０ 観測用レーザ光源 ２１ フィールドレンズ ２２ シリンドリカルレンズ ２３ 部分反射鏡 ２４ フィールドレンズ ２５ ４分割フォトダイオード ３０ 制御装置 ４０ 被照射物
Claims (9)
- 【請求項１】 加工用レーザビームを出射する加工用レ
ーザ光源と、 前記加工用レーザ光源から出射した加工用レーザビーム
の光路内に配置され、少なくとも２つの透過領域が形成
されており、両者の間に遮光領域が画定されているマス
クと、 被照射物を保持するステージと、 前記マスクを透過したレーザビームを前記ステージに保
持された被照射物上に導くとともに、該マスクの前記遮
光領域を該被照射物の表面上に結像させる結像光学装置
とを有するレーザ照射装置。 - 【請求項２】 前記マスクの前記遮光領域が、前記レー
ザ光源と前記結像光学装置とを含む光学系の光軸と交差
するように配置されている請求項１に記載のレーザ照射
装置。 - 【請求項３】 前記結像光学装置が、少なくとも１枚の
収束レンズを含み、前記レーザ照射装置が、さらに、最
も被照射物側に配置された収束レンズを、その光軸方向
に並進移動させる高さ調節機構を有する請求項１または
２に記載のレーザ照射装置。 - 【請求項４】 さらに、前記ステージに保持された被照
射物の表面の、前記結像光学装置の光軸方向に関する位
置を検出する高さセンサと、 前記高さセンサによる測定結果に基づいて、前記高さ調
節機構を制御する制御装置とを有する請求項３に記載の
レーザ照射装置。 - 【請求項５】 被照射物の表面上において、ある間隔を
隔てて配置された２つの照射領域と、両者の間に画定さ
れた遮光領域とを含む照射パターンを有するレーザビー
ムを、前記被照射物の表面に照射しながら、該レーザビ
ームの照射されない領域が第１の軌跡を描くように、該
レーザビームの２つの照射領域と該被照射物との一方を
他方に対して相対的に移動させる第１の工程を有するレ
ーザ照射方法。 - 【請求項６】 さらに、前記レーザビームの照射されな
い領域が、前記第１の工程で描かれた前記第１の軌跡の
脇に位置する第２の軌跡を描き、かつ前記レーザビーム
の照射領域の一部が前記第１の工程で照射された領域の
一部と重なるように、該レーザビームの照射される領域
と前記被照射物との一方を他方に対して相対的に移動さ
せる第２の工程を有する請求項５に記載のレーザ照射方
法。 - 【請求項７】 前記第１の工程が、さらに、 被照射物の表面の高さを測定する工程と、 高さの測定結果に基づいて、前記レーザビームの照射パ
ターンの遮光領域が、前記被照射物の表面上にフォーカ
スするように、該被照射物の高さを調節する工程とを含
む請求項５または６に記載のレーザ照射方法。 - 【請求項８】 被照射物の表面上にＸＹ直交座標系を定
義したとき、Ｘ軸に平行な直線状領域の両側にレーザビ
ームを照射しつつ、レーザビームの照射領域と該被照射
物との少なくとも一方を、Ｘ軸に平行な方向に移動させ
る第１の工程を有するレーザ照射方法。 - 【請求項９】 さらに、前記第１の工程の後、前記レー
ザビームの照射領域と前記被照射物との少なくとも一方
を、Ｙ軸方向に移動させる第２の工程と、 前記レーザビームを照射しつつ、前記照射領域と前記被
照射物との少なくとも一方を、Ｘ軸に平行な方向に移動
させる第３の工程とを有し、 前記第３の工程で照射されるＹ軸の正側及び負側の一方
の領域が、前記第１の工程で照射されたＹ軸の正側及び
負側の他方の領域と部分的に重なるように、前記第２の
工程において、前記レーザビームの照射領域と前記被照
射物との少なくとも一方がＹ軸方向に移動される請求項
８に記載のレーザ照射方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001009187A JP2002214797A (ja) | 2001-01-17 | 2001-01-17 | レーザ照射装置及び照射方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001009187A JP2002214797A (ja) | 2001-01-17 | 2001-01-17 | レーザ照射装置及び照射方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002214797A true JP2002214797A (ja) | 2002-07-31 |
Family
ID=18876715
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001009187A Pending JP2002214797A (ja) | 2001-01-17 | 2001-01-17 | レーザ照射装置及び照射方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002214797A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2017006951A (ja) * | 2015-06-22 | 2017-01-12 | 株式会社ディスコ | レーザー加工装置 |
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- 2001-01-17 JP JP2001009187A patent/JP2002214797A/ja active Pending
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| A621 | Written request for application examination |
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