JP2890943B2 - 位置検出方法及びそれを用いた位置検出装置 - Google Patents
位置検出方法及びそれを用いた位置検出装置Info
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は位置検出方法及びそれを
用いた位置検出装置に関し、例えば半導体素子製造用の
プロキシミティタイプの露光装置や所謂ステッパー等に
おいて、マスクやレチクル（以下「マスク」という。）
等の第１物体面上に形成されている微細な電子回路パタ
ーンをウエハ等の第２物体面上に露光転写する際にマス
クとウエハとの相対的な位置決め（アライメント）を行
う場合に好適な位置検出方法及びそれを用いた位置検出
装置に関するものである。
用いた位置検出装置に関し、例えば半導体素子製造用の
プロキシミティタイプの露光装置や所謂ステッパー等に
おいて、マスクやレチクル（以下「マスク」という。）
等の第１物体面上に形成されている微細な電子回路パタ
ーンをウエハ等の第２物体面上に露光転写する際にマス
クとウエハとの相対的な位置決め（アライメント）を行
う場合に好適な位置検出方法及びそれを用いた位置検出
装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より半導体素子製造用の露光装置に
おいては、マスクとウエハの相対的な位置合わせは性能
向上を図る為の重要な一要素となっている。特に最近の
露光装置における位置合わせにおいては、半導体素子の
高集積化の為に、例えばサブミクロン以下の位置合わせ
精度を有するものが要求されている。
おいては、マスクとウエハの相対的な位置合わせは性能
向上を図る為の重要な一要素となっている。特に最近の
露光装置における位置合わせにおいては、半導体素子の
高集積化の為に、例えばサブミクロン以下の位置合わせ
精度を有するものが要求されている。
【０００３】多くの位置合わせ装置においては、マスク
及びウエハ面上に位置合わせ用の所謂アライメントパタ
ーン（「アライメントマーク」ともいう。）を所謂スク
ライブライン上に設け、それらより得られる位置情報を
利用して、双方のアライメントを行っている。このとき
のアライメント方法としては、例えば米国特許第４０３
７９６９号や特開昭５６−１５７０３３号公報ではアラ
イメントパターンとしてゾーンプレートを用い、該ゾー
ンプレートに光束を照射し、このときゾーンプレートか
ら射出した光束の所定面上における集光点位置を検出す
ること等により行っている。
及びウエハ面上に位置合わせ用の所謂アライメントパタ
ーン（「アライメントマーク」ともいう。）を所謂スク
ライブライン上に設け、それらより得られる位置情報を
利用して、双方のアライメントを行っている。このとき
のアライメント方法としては、例えば米国特許第４０３
７９６９号や特開昭５６−１５７０３３号公報ではアラ
イメントパターンとしてゾーンプレートを用い、該ゾー
ンプレートに光束を照射し、このときゾーンプレートか
ら射出した光束の所定面上における集光点位置を検出す
ること等により行っている。
【０００４】又、米国特許第４３１１３８９号ではマス
ク面上にその回折光が所謂シリンドリカルレンズと同様
の光学作用を持つようなアライメントパターンを設け、
ウエハ面上にはその回折光を更にマスクとウエハが合致
したときに所定次数の回折光の光量が最大となるような
点列状のアライメントパターンを設け、双方のアライメ
ントパターンを介した光束を検出することによってマス
クとウエハとの相対的位置関係の検出を行っている。
ク面上にその回折光が所謂シリンドリカルレンズと同様
の光学作用を持つようなアライメントパターンを設け、
ウエハ面上にはその回折光を更にマスクとウエハが合致
したときに所定次数の回折光の光量が最大となるような
点列状のアライメントパターンを設け、双方のアライメ
ントパターンを介した光束を検出することによってマス
クとウエハとの相対的位置関係の検出を行っている。
【０００５】この他、本出願人は先に特願昭６３−２２
６００３号においてマスクとしての第１物体とウエハと
しての第２物体との相対的な位置ずれ検出を行う際、第
１物体及び第２物体面上に各々２組のレンズ作用を有す
るアライメントマークとしての物理光学素子を設け、該
物理光学素子にレーザを含む投光手段から光束を照射
し、該物理光学素子で逐次回折された回折光をセンサー
（検出手段）に導光している。そしてセンサー面上での
２つの光スポットの相対間隔値を求めることにより第１
物体と第２物体の相対的位置ずれ量を検出している。
６００３号においてマスクとしての第１物体とウエハと
しての第２物体との相対的な位置ずれ検出を行う際、第
１物体及び第２物体面上に各々２組のレンズ作用を有す
るアライメントマークとしての物理光学素子を設け、該
物理光学素子にレーザを含む投光手段から光束を照射
し、該物理光学素子で逐次回折された回折光をセンサー
（検出手段）に導光している。そしてセンサー面上での
２つの光スポットの相対間隔値を求めることにより第１
物体と第２物体の相対的位置ずれ量を検出している。
【０００６】このとき投光手段は位置検出をすべく物体
面上に設けた２組の物理光学素子で逐次回折された光を
受光する検出手段と共に１つの筺体（アライメントヘッ
ド）内に収納されている。
面上に設けた２組の物理光学素子で逐次回折された光を
受光する検出手段と共に１つの筺体（アライメントヘッ
ド）内に収納されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】通常アライメントマー
クを設けるマスク及びウエハ面上のスクライブラインの
幅は５０μｍ〜１００μｍ程度である。このスクライブ
ライン幅は投影倍率が５倍のステッパーではレチクル面
上で２５０μｍ〜５００μｍ、Ｘ線の等倍密着露光（プ
ロキシミティ）装置で５０μｍ〜１００μｍであり、こ
の幅のエリアにアライメントマークがおさまるように設
けられる。このようにアライメントパターンはスクライ
ブライン幅以内に設定されている。
クを設けるマスク及びウエハ面上のスクライブラインの
幅は５０μｍ〜１００μｍ程度である。このスクライブ
ライン幅は投影倍率が５倍のステッパーではレチクル面
上で２５０μｍ〜５００μｍ、Ｘ線の等倍密着露光（プ
ロキシミティ）装置で５０μｍ〜１００μｍであり、こ
の幅のエリアにアライメントマークがおさまるように設
けられる。このようにアライメントパターンはスクライ
ブライン幅以内に設定されている。
【０００８】このような小さいエリア内に設けたアライ
メントパターンにアライメントヘッド（投光手段）から
の光束（光ビーム）を効率良く照射するにはアライメン
トパターンのサイズに対応した大きさに光束径を絞る必
要がある。更に光束の照射方法もアライメントパターン
に対して正確な位置に照射する必要がある。
メントパターンにアライメントヘッド（投光手段）から
の光束（光ビーム）を効率良く照射するにはアライメン
トパターンのサイズに対応した大きさに光束径を絞る必
要がある。更に光束の照射方法もアライメントパターン
に対して正確な位置に照射する必要がある。
【０００９】一般にアライメントパターンに光束を不正
確に照射すると、それだけセンサで検出される光量（信
号光）が低下してくる。アライメントパターンのサイズ
に対して十分大きな光束径であるならばアライメントパ
ターンに略一様な光量分布で照射することができる。
確に照射すると、それだけセンサで検出される光量（信
号光）が低下してくる。アライメントパターンのサイズ
に対して十分大きな光束径であるならばアライメントパ
ターンに略一様な光量分布で照射することができる。
【００１０】しかしながら光束を効率良く照射し、かつ
アライメントパターンのエリア以外の回路パターンエリ
アに光束を照射すると回路パターンから不要な散乱光が
ノイズとなってくるので、これを防止する為にはアライ
メントパターンのサイズに対応した、略等しいサイズの
光束で照射する必要がある。
アライメントパターンのエリア以外の回路パターンエリ
アに光束を照射すると回路パターンから不要な散乱光が
ノイズとなってくるので、これを防止する為にはアライ
メントパターンのサイズに対応した、略等しいサイズの
光束で照射する必要がある。
【００１１】一般にこのように光束径を絞ると光束の光
量分布はマスク（レチクル）面上のアライメントパター
ン面上で一様でなくなってくる。
量分布はマスク（レチクル）面上のアライメントパター
ン面上で一様でなくなってくる。
【００１２】更にアライメントパターンへの光束の照射
位置が大幅にずれてくるとマスクとウエハのずれがある
程度存在する場合のアライメントパターンより得られる
回折光のスポット位置（即ちマスクとウエハのずれ情
報）がアライメントパターンへの光束の照射位置がずれ
ていない場合に比べて異なってくる。即ちアライメント
パターンに照射する光束の照射位置がずれてくるとアラ
イメント検出に誤差が生じてくる。
位置が大幅にずれてくるとマスクとウエハのずれがある
程度存在する場合のアライメントパターンより得られる
回折光のスポット位置（即ちマスクとウエハのずれ情
報）がアライメントパターンへの光束の照射位置がずれ
ていない場合に比べて異なってくる。即ちアライメント
パターンに照射する光束の照射位置がずれてくるとアラ
イメント検出に誤差が生じてくる。
【００１３】従って、光ビーム（投光手段）とアライメ
ントマーク（第１物体又は第２物体）の位置決め精度を
向上させ、最適な光ビーム径とすることでアライメント
の高精度化が可能となる。しかしながら光ビームのアラ
イメントマーク面上への入射位置決め精度を機械系のみ
で向上させようとすると系の複雑化及び大型化を伴ない
長期間の安定性を図るのが難しいという問題点が生じて
くる。
ントマーク（第１物体又は第２物体）の位置決め精度を
向上させ、最適な光ビーム径とすることでアライメント
の高精度化が可能となる。しかしながら光ビームのアラ
イメントマーク面上への入射位置決め精度を機械系のみ
で向上させようとすると系の複雑化及び大型化を伴ない
長期間の安定性を図るのが難しいという問題点が生じて
くる。
【００１４】本発明は第１物体又は第２物体に設けたア
ライメントマークである物理光学素子に対する投光手段
からの光ビームの入射位置決めを簡便な方法で高精度に
行なうことにより、機械精度及び組立て精度等の緩和を
図り、その後の第１物体と第２物体の相対的位置検出を
高精度に行うことができる位置検出方法及びそれを用い
た位置検出装置の提供を目的とする。
ライメントマークである物理光学素子に対する投光手段
からの光ビームの入射位置決めを簡便な方法で高精度に
行なうことにより、機械精度及び組立て精度等の緩和を
図り、その後の第１物体と第２物体の相対的位置検出を
高精度に行うことができる位置検出方法及びそれを用い
た位置検出装置の提供を目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明の位置検出方法
は、所定の強度分布を持つ光束をマスクの位置合わせパ
ターンに照射し、該位置合わせパターンから出射し且つ
ウエハーを経由した信号光を用いて前記マスクとウエハ
ー間の位置ずれを検出する方法において、前記信号光と
同じ信号光を用いて前記光束の前記マスク上への入射位
置を予め決めた位置からのずれも検出し、前記マスクに
対して前記光束を位置合わせすることにより前記入射位
置のずれを補正し、前記位置合わせされた光束により前
記マスクとウエハー間の位置ずれを検出することを特徴
としている。
は、所定の強度分布を持つ光束をマスクの位置合わせパ
ターンに照射し、該位置合わせパターンから出射し且つ
ウエハーを経由した信号光を用いて前記マスクとウエハ
ー間の位置ずれを検出する方法において、前記信号光と
同じ信号光を用いて前記光束の前記マスク上への入射位
置を予め決めた位置からのずれも検出し、前記マスクに
対して前記光束を位置合わせすることにより前記入射位
置のずれを補正し、前記位置合わせされた光束により前
記マスクとウエハー間の位置ずれを検出することを特徴
としている。
【００１６】又本発明の位置検出装置は、第１物体と第
２物体とを対向させて相対的な位置検出を行う際、該第
１物体と第２物体の少なくとも一方の物体面上に第１，
第２の２組の１対の物理光学素子を位置検出方向とそれ
と直交方向に各々形成し、投光手段からの光束のうち該
第１の１対の物理光学素子と他方の物体面で光学作用を
受けた１対の光束Ａを所定面上に導光し、該所定面上で
の該１対の光束Ａの光量分布を検出すると共に該第２の
１対の物理光学素子と他方の物体面で光学作用を受けた
１対の光束Ｂを所定面上に導光し、該所定面上での該１
対の光束Ｂの光量分布を検出することにより、該投光手
段と該一方の物体との位置設定を行うようにしたことを
特徴としている。
２物体とを対向させて相対的な位置検出を行う際、該第
１物体と第２物体の少なくとも一方の物体面上に第１，
第２の２組の１対の物理光学素子を位置検出方向とそれ
と直交方向に各々形成し、投光手段からの光束のうち該
第１の１対の物理光学素子と他方の物体面で光学作用を
受けた１対の光束Ａを所定面上に導光し、該所定面上で
の該１対の光束Ａの光量分布を検出すると共に該第２の
１対の物理光学素子と他方の物体面で光学作用を受けた
１対の光束Ｂを所定面上に導光し、該所定面上での該１
対の光束Ｂの光量分布を検出することにより、該投光手
段と該一方の物体との位置設定を行うようにしたことを
特徴としている。
【００１７】このとき前記第１，第２の２組の１対の物
理光学素子は前記第１物体と第２物体の相対的な位置検
出用のマークであることを特徴としている。
理光学素子は前記第１物体と第２物体の相対的な位置検
出用のマークであることを特徴としている。
【００１８】この他の本発明の位置検出装置は、第１物
体と第２物体とを対向させて相対的な位置検出を行う
際、該第１物体面上と該第２物体面上に各々１対の物理
光学素子を少なくとも一方の物体面上には位置検出方向
とそれと直交方向に２組形成し、投光手段からの光束を
該第１物体面上と第２物体面上の１対の物理光学素子を
介し、このとき生ずる１対の回折光を所定面上に導光
し、該所定面上の回折光の光束位置を検出手段で検出す
ることにより、該第１物体と第２物体との相対的な位置
検出を行なう際、該投光手段からの光束のうち該一方の
物体面上に形成した第１の１対の物理光学素子と他方の
物体面で光学作用を受け、該検出手段の第１検出面に入
射する１対の回折光の光強度分布を検出すると共に第２
の１対の物理光学素子と他方の物体面で光学作用を受
け、該検出手段の第２検出面に入射する１対の回折光の
光強度分布を検出することにより、該投光手段と該第１
物体又は該第２物体との位置設定を行うようにしたこと
を特徴としている。
体と第２物体とを対向させて相対的な位置検出を行う
際、該第１物体面上と該第２物体面上に各々１対の物理
光学素子を少なくとも一方の物体面上には位置検出方向
とそれと直交方向に２組形成し、投光手段からの光束を
該第１物体面上と第２物体面上の１対の物理光学素子を
介し、このとき生ずる１対の回折光を所定面上に導光
し、該所定面上の回折光の光束位置を検出手段で検出す
ることにより、該第１物体と第２物体との相対的な位置
検出を行なう際、該投光手段からの光束のうち該一方の
物体面上に形成した第１の１対の物理光学素子と他方の
物体面で光学作用を受け、該検出手段の第１検出面に入
射する１対の回折光の光強度分布を検出すると共に第２
の１対の物理光学素子と他方の物体面で光学作用を受
け、該検出手段の第２検出面に入射する１対の回折光の
光強度分布を検出することにより、該投光手段と該第１
物体又は該第２物体との位置設定を行うようにしたこと
を特徴としている。
【００１９】特に本発明ではアライメントマークとして
の１対の物理光学素子を互いに近接配置し、入射光束が
回折されたときの光量損失が略等しくなるように、例え
ば対称に配置している。そして１対の物理光学素子から
生じる１対の回折光の光量分布を検出し、このときの光
量分布を比較し、各々の光量分布が互いに所定の関係と
なるように投光手段からの光束を物理光学素子、即ち第
１物体又は第２物体に対しアライメントし、この光束が
予め決めた位置に正確に入射するようにしたことを特徴
としている。本発明の露光装置は前述の位置検出装置を
用いて、第１物体と第２物体との相対的な位置合わせを
行い第１物体面上のパターンを第２物体面上に露光転写
していることを特徴としている。
の１対の物理光学素子を互いに近接配置し、入射光束が
回折されたときの光量損失が略等しくなるように、例え
ば対称に配置している。そして１対の物理光学素子から
生じる１対の回折光の光量分布を検出し、このときの光
量分布を比較し、各々の光量分布が互いに所定の関係と
なるように投光手段からの光束を物理光学素子、即ち第
１物体又は第２物体に対しアライメントし、この光束が
予め決めた位置に正確に入射するようにしたことを特徴
としている。本発明の露光装置は前述の位置検出装置を
用いて、第１物体と第２物体との相対的な位置合わせを
行い第１物体面上のパターンを第２物体面上に露光転写
していることを特徴としている。
【００２０】
【実施例】図１は本発明の実施例１の要部斜視図、図
２，図３は図１の一部分の拡大説明図、図４，図５は本
発明に係る位置ずれ検出と面間隔検出の原理説明図であ
る。尚、図１はプロキシミティ方式により等倍焼付を行
うＸ線露光装置や光ステッパーのような縮小投影露光装
置等に適用した場合を示している。
２，図３は図１の一部分の拡大説明図、図４，図５は本
発明に係る位置ずれ検出と面間隔検出の原理説明図であ
る。尚、図１はプロキシミティ方式により等倍焼付を行
うＸ線露光装置や光ステッパーのような縮小投影露光装
置等に適用した場合を示している。
【００２１】図中、１は光源であり、光ステッパーのと
きは半導体レーザ、Ｈｅ−Ｎｅレーザ、Ａｒレーザ等の
コヒーレント光束を放射する光源、又は発光ダイオード
等の非コヒーレント光束を放射する光源又はスーパール
ミネッセントダイオード（ＳＬＤ）等の中間的特性を有
する光源より成っている。２はコリメーターレンズであ
り、光源１からの光束を平行光束としてレンズ系５に入
射させている。レンズ系５は入射光束を所望のビーム径
にした後、ミラー６で反射させて耐Ｘｒａｙ窓７（露光
用光源としてＸｒａｙ源を用いたときに配される。）を
通過させて第１物体としてのマスク１８面上の位置ずれ
検出用のＡＡアライメントマーク（以下「ＡＡマーク」
という。）２０Ｍ、又は面間隔検出用のＡＦアライメン
トマーク（以下「ＡＦマーク」という。）２１Ｍに入射
させている。光源１、コリメーターレンズ２、レンズ系
５等は投光手段を構成している。
きは半導体レーザ、Ｈｅ−Ｎｅレーザ、Ａｒレーザ等の
コヒーレント光束を放射する光源、又は発光ダイオード
等の非コヒーレント光束を放射する光源又はスーパール
ミネッセントダイオード（ＳＬＤ）等の中間的特性を有
する光源より成っている。２はコリメーターレンズであ
り、光源１からの光束を平行光束としてレンズ系５に入
射させている。レンズ系５は入射光束を所望のビーム径
にした後、ミラー６で反射させて耐Ｘｒａｙ窓７（露光
用光源としてＸｒａｙ源を用いたときに配される。）を
通過させて第１物体としてのマスク１８面上の位置ずれ
検出用のＡＡアライメントマーク（以下「ＡＡマーク」
という。）２０Ｍ、又は面間隔検出用のＡＦアライメン
トマーク（以下「ＡＦマーク」という。）２１Ｍに入射
させている。光源１、コリメーターレンズ２、レンズ系
５等は投光手段を構成している。
【００２２】ＡＡマーク２０ＭとＡＦマーク２１Ｍはマ
スク１８の周辺部のスクライブライン上の４カ所に設け
られている。１９は第２物体としてのウエハであり、マ
スク１８と近接（間隔１０μｍ〜１００μｍ）配置され
ており、その面上にはマスク１８と位置合わせすべきＡ
Ａマーク２０Ｗがスクライブライン上に設けられてい
る。ＡＡマーク２０Ｍ，２０ＷとＡＦマーク２１Ｍは１
次元又は２次元のゾーンプレート等の物理光学素子より
成っている。
スク１８の周辺部のスクライブライン上の４カ所に設け
られている。１９は第２物体としてのウエハであり、マ
スク１８と近接（間隔１０μｍ〜１００μｍ）配置され
ており、その面上にはマスク１８と位置合わせすべきＡ
Ａマーク２０Ｗがスクライブライン上に設けられてい
る。ＡＡマーク２０Ｍ，２０ＷとＡＦマーク２１Ｍは１
次元又は２次元のゾーンプレート等の物理光学素子より
成っている。
【００２３】１０は受光レンズであり、マスク１８面上
のＡＡマーク２０Ｍ及びＡＦマーク２１Ｍを通過してき
た所定次数の回折光１６を受光手段１１面上に集光して
いる。受光手段１１は位置ずれ検出用の第１検出面とし
てのＡＡラインセンサー１２と面間隔検出用の第２検出
面としてのＡＦラインセンサー１３の２つのラインセン
サーを同一基板上に設けて構成されている。１４はアラ
イメントヘッドであり、駆動手段（不図示）によって駆
動可能となるように構成されている。
のＡＡマーク２０Ｍ及びＡＦマーク２１Ｍを通過してき
た所定次数の回折光１６を受光手段１１面上に集光して
いる。受光手段１１は位置ずれ検出用の第１検出面とし
てのＡＡラインセンサー１２と面間隔検出用の第２検出
面としてのＡＦラインセンサー１３の２つのラインセン
サーを同一基板上に設けて構成されている。１４はアラ
イメントヘッドであり、駆動手段（不図示）によって駆
動可能となるように構成されている。
【００２４】図２はマスク１８とウエハ１９面上に設け
たＡＡマーク２０Ｍ，２０ＷとＡＦマーク２１Ｍの説明
図である。
たＡＡマーク２０Ｍ，２０ＷとＡＦマーク２１Ｍの説明
図である。
【００２５】図３はマスク１８とウエハ１９面上の各マ
ークを介した光束の光路を示している。図２に示すよう
に第１の１対の物理光学素子としてのＡＡマーク２０Ｍ
は２つのＡＡマーク２０Ｍ１，２０Ｍ２より成り、１対
の物理光学素子としてのＡＡマーク２０Ｗは２つのＡＡ
マーク２０Ｗ１，２０Ｗ２より成り、第２の１対の物理
光学素子としてのＡＦマーク２１Ｍは入射用の２つのＡ
Ｆマーク２１Ｍ１，２１Ｍ３と射出用の２つのＡＦマー
ク２１Ｍ２，２１Ｍ４より成っている。尚、ＡＦマーク
２１Ｍにおける第２の１対の物理光学素子とはＡＦマー
ク２１Ｍ１と２１Ｍ２又はＡＦマーク２１Ｍ３と２１Ｍ
４のことをいう。
ークを介した光束の光路を示している。図２に示すよう
に第１の１対の物理光学素子としてのＡＡマーク２０Ｍ
は２つのＡＡマーク２０Ｍ１，２０Ｍ２より成り、１対
の物理光学素子としてのＡＡマーク２０Ｗは２つのＡＡ
マーク２０Ｗ１，２０Ｗ２より成り、第２の１対の物理
光学素子としてのＡＦマーク２１Ｍは入射用の２つのＡ
Ｆマーク２１Ｍ１，２１Ｍ３と射出用の２つのＡＦマー
ク２１Ｍ２，２１Ｍ４より成っている。尚、ＡＦマーク
２１Ｍにおける第２の１対の物理光学素子とはＡＦマー
ク２１Ｍ１と２１Ｍ２又はＡＦマーク２１Ｍ３と２１Ｍ
４のことをいう。
【００２６】尚、ウエハ１９面上にはＡＦマークは設け
られておらず、ウエハ１９面上で０次反射（正反射）し
た光を用いている。
られておらず、ウエハ１９面上で０次反射（正反射）し
た光を用いている。
【００２７】図３に示すようにＡＡマーク２０Ｍ１と２
０Ｗ１とが対応しており、又ＡＡマーク２０Ｍ２と２０
Ｗ２とが対応しており、各々のＡＡマーク２０Ｍ１，２
０Ｍ２に入射した２つの光束１５の各マークによる２つ
の回折光（以下「ＡＡ回折光」という。）２６−１，２
６−２は位置ずれに対応してＡＡラインセンサー１２面
上を移動するように設定されている。
０Ｗ１とが対応しており、又ＡＡマーク２０Ｍ２と２０
Ｗ２とが対応しており、各々のＡＡマーク２０Ｍ１，２
０Ｍ２に入射した２つの光束１５の各マークによる２つ
の回折光（以下「ＡＡ回折光」という。）２６−１，２
６−２は位置ずれに対応してＡＡラインセンサー１２面
上を移動するように設定されている。
【００２８】又、ＡＦマーク２１Ｍ１と２１Ｍ３に入射
した光束１５のウエハ１９面で反射しＡＦマーク２１Ｍ
２，２１Ｍ４より射出した２つの回折光（以下「ＡＦ回
折光」という。）２７−１，２７−２は面間隔に対応し
てＡＦラインセンサー１３面上を移動するように設定さ
れている。
した光束１５のウエハ１９面で反射しＡＦマーク２１Ｍ
２，２１Ｍ４より射出した２つの回折光（以下「ＡＦ回
折光」という。）２７−１，２７−２は面間隔に対応し
てＡＦラインセンサー１３面上を移動するように設定さ
れている。
【００２９】尚、図３において各入射光１５は光源１か
ら放射された共通の１つのビームの中の光線を用いてい
る。
ら放射された共通の１つのビームの中の光線を用いてい
る。
【００３０】本発明の位置検出装置はマスクとウエハと
のアライメントを投光手段、即ちアライメントヘッド１
４とマスク１８との相対的位置関係を検出し、双方の位
置関係を駆動手段で調整した後に行うことを特長とする
ものであるが、その前に本発明に係る位置ずれ検出方法
と面間隔検出方法の原理について説明する。
のアライメントを投光手段、即ちアライメントヘッド１
４とマスク１８との相対的位置関係を検出し、双方の位
置関係を駆動手段で調整した後に行うことを特長とする
ものであるが、その前に本発明に係る位置ずれ検出方法
と面間隔検出方法の原理について説明する。
【００３１】まず本発明においてマスク１８とウエハ１
９との相対的な面内の位置検出方法について第４図を用
いて説明する。
９との相対的な面内の位置検出方法について第４図を用
いて説明する。
【００３２】図４は図３において位置検出方向（アライ
メント方向）に垂直で、かつマスク１８とウエハ１９の
面法線に垂直な方向から見たときの状態を光路を展開し
て示している。
メント方向）に垂直で、かつマスク１８とウエハ１９の
面法線に垂直な方向から見たときの状態を光路を展開し
て示している。
【００３３】同図において図１〜図３で示した要素と同
一要素には同符番を付している。又、ウエハ１９面上の
ＡＡマークでは入射光束は反射回折されるが同図では等
価な透過回折した状態で示している。
一要素には同符番を付している。又、ウエハ１９面上の
ＡＡマークでは入射光束は反射回折されるが同図では等
価な透過回折した状態で示している。
【００３４】２０Ｍ１はマスク１８に、２０Ｗ１はウエ
ハ１９に設けたＡＡマークであり、単一マークを形成し
ており、第１信号を得る為のものである。２０Ｍ２はマ
スク１８に、２０Ｗ２はウエハ１９に設けたＡＡマーク
であり、単一マークを形成しており、第２信号を得る為
のものである。２６−１，２６−２は第１，第２信号用
のＡＡ回折光、３２は１次ピント面であり、受光レンズ
１０に関して受光手段１１と共役関係にある。
ハ１９に設けたＡＡマークであり、単一マークを形成し
ており、第１信号を得る為のものである。２０Ｍ２はマ
スク１８に、２０Ｗ２はウエハ１９に設けたＡＡマーク
であり、単一マークを形成しており、第２信号を得る為
のものである。２６−１，２６−２は第１，第２信号用
のＡＡ回折光、３２は１次ピント面であり、受光レンズ
１０に関して受光手段１１と共役関係にある。
【００３５】今、ウエハ１９から１次ピント面３２まで
の距離をＬ、マスク１８とウエハ１９との間隔をｇ、Ａ
Ａマーク２０Ｍ１と２０Ｍ２の焦点距離を各々ｆa1，ｆ
a2、マスク１８とウエハ１９の相対位置ずれ量をΔσと
し、このときのＡＡ回折光２６−１，２６−２の光束重
心の合致状態からの変位量を各々Ｓ1 ，Ｓ2 とする。
の距離をＬ、マスク１８とウエハ１９との間隔をｇ、Ａ
Ａマーク２０Ｍ１と２０Ｍ２の焦点距離を各々ｆa1，ｆ
a2、マスク１８とウエハ１９の相対位置ずれ量をΔσと
し、このときのＡＡ回折光２６−１，２６−２の光束重
心の合致状態からの変位量を各々Ｓ1 ，Ｓ2 とする。
【００３６】尚、マスク１８に入射する光束１５は便宜
上平面波とし、符号は図中に示す通りとする。ＡＡ回折
光２６−１，２６−２の光束重心の変位量Ｓ1 及びＳ2
はＡＡマーク２０Ｍ１，２０Ｍ２の焦点Ｆ1 ，Ｆ2 とＡ
Ａマーク２０Ｗ１，２０Ｗ２の光軸中心を結ぶ直線と１
次ピント面３２との交点として幾何学的に求められる。
従ってマスク１８とウエハ１９の相対位置ずれに対して
各ＡＡ回折光２６−１，２６−２の光束重心の変位量Ｓ
1 ，Ｓ2 が互いに逆方向となるようにするにはＡＡマー
ク２０Ｗ１，２０Ｗ２の光学的な結像倍率の符号を互い
に逆とすることで達成することができる。
上平面波とし、符号は図中に示す通りとする。ＡＡ回折
光２６−１，２６−２の光束重心の変位量Ｓ1 及びＳ2
はＡＡマーク２０Ｍ１，２０Ｍ２の焦点Ｆ1 ，Ｆ2 とＡ
Ａマーク２０Ｗ１，２０Ｗ２の光軸中心を結ぶ直線と１
次ピント面３２との交点として幾何学的に求められる。
従ってマスク１８とウエハ１９の相対位置ずれに対して
各ＡＡ回折光２６−１，２６−２の光束重心の変位量Ｓ
1 ，Ｓ2 が互いに逆方向となるようにするにはＡＡマー
ク２０Ｗ１，２０Ｗ２の光学的な結像倍率の符号を互い
に逆とすることで達成することができる。
【００３７】又、定量的には
【００３８】
【数１】 と表わせ、ずれ倍率はβ1 ＝Ｓ1 ／Δσ、β2 ＝Ｓ2 ／
Δσと定義できる。従って、ずれ倍率を逆符合とするに
は
Δσと定義できる。従って、ずれ倍率を逆符合とするに
は
【００３９】
【数２】 を満たせば良い。この内、実用的に適切な構成条件の１
つとして Ｌ》｜ｆa1｜ ｆa1／ｆa2 ＜０ ｜ｆa1｜＞ｇ ｜ｆa2｜＞ｇ の条件がある。即ち、ＡＡマーク２０Ｍ１，２０Ｍ２、
焦点距離ｆa1，ｆa2に対して１次ピント面３２までの距
離Ｌを大きく、且つマスク１８とウエハ１９の間隔ｇを
小さくし、更にＡＡマークの一方を凸レンズ、他方を凹
レンズとする構成である。
つとして Ｌ》｜ｆa1｜ ｆa1／ｆa2 ＜０ ｜ｆa1｜＞ｇ ｜ｆa2｜＞ｇ の条件がある。即ち、ＡＡマーク２０Ｍ１，２０Ｍ２、
焦点距離ｆa1，ｆa2に対して１次ピント面３２までの距
離Ｌを大きく、且つマスク１８とウエハ１９の間隔ｇを
小さくし、更にＡＡマークの一方を凸レンズ、他方を凹
レンズとする構成である。
【００４０】図４の上側にはＡＡマーク２０Ｍ１の正の
パワーで入射光束を集光光束とし、その集光点Ｆ1 に至
る前にＡＡマーク２０Ｗ１に光束を照射し、これをＡＡ
マーク２０Ｗ１の負のパワーにより更に１次ピント面３
２に結像させているＡＡマーク２０Ｗ１の焦点距離ｆb1
はレンズの式
パワーで入射光束を集光光束とし、その集光点Ｆ1 に至
る前にＡＡマーク２０Ｗ１に光束を照射し、これをＡＡ
マーク２０Ｗ１の負のパワーにより更に１次ピント面３
２に結像させているＡＡマーク２０Ｗ１の焦点距離ｆb1
はレンズの式
【００４１】
【数３】 を満たすように定められる。同様に図４の下側において
はＡＡマーク２０Ｍ２の負のパワーにより入射光束を入
射側の点であるＦ2 より発散する光束に変え、これをＡ
Ａマーク２０Ｗ２に照射し、ＡＡマーク２０Ｗ２の正の
パワーにより１次ピント面３２に結像させている。この
ときのＡＡマーク２０Ｗ２の焦点距離ｆb2は
はＡＡマーク２０Ｍ２の負のパワーにより入射光束を入
射側の点であるＦ2 より発散する光束に変え、これをＡ
Ａマーク２０Ｗ２に照射し、ＡＡマーク２０Ｗ２の正の
パワーにより１次ピント面３２に結像させている。この
ときのＡＡマーク２０Ｗ２の焦点距離ｆb2は
【００４２】
【数４】 を満たすように定められる。以上の構成条件でＡＡマー
ク２０Ｍ１の集光像に対するＡＡマーク２０Ｗ１の結像
倍率は図より明らかに正の倍率である。ウエハ１９のず
れ量Δσと１次ピント面３２の光点変位量Ｓ1 の方向は
逆となり、先に定義したずれ倍率β1 は負となる。同様
にＡＡマーク２０Ｍ２の点像（虚像）に対するＡＡマー
ク２０Ｗ２の結像倍率は負であり、ウエハ１９のずれ量
Δσと１次ピント面３２上の光点変位量Ｓ2 の方向は同
方向で、ずれ倍率β2 は正となる。
ク２０Ｍ１の集光像に対するＡＡマーク２０Ｗ１の結像
倍率は図より明らかに正の倍率である。ウエハ１９のず
れ量Δσと１次ピント面３２の光点変位量Ｓ1 の方向は
逆となり、先に定義したずれ倍率β1 は負となる。同様
にＡＡマーク２０Ｍ２の点像（虚像）に対するＡＡマー
ク２０Ｗ２の結像倍率は負であり、ウエハ１９のずれ量
Δσと１次ピント面３２上の光点変位量Ｓ2 の方向は同
方向で、ずれ倍率β2 は正となる。
【００４３】従ってマスク１８とウエハ１９の相対位置
ずれ量Δσに対してＡＡマーク２０Ｍ１，２０Ｗ１の系
とＡＡマーク２０Ｍ２，２０Ｗ２の系のＡＡ回折光２６
−１．２６−２のずれ量Ｓ1 ，Ｓ2 は互いに逆方向とな
る。即ちＡＡマーク２０Ｍ１，２０Ｗ１のパターンの回
折によって形成される１次ピント面３２上のスポット３
０とＡＡマーク２０Ｍ２，２０Ｗ２のパターンの回折に
よって形成される１次ピント面３２上のスポット３１と
の距離がマスク１８とウエハ１９の位置ずれ量に応じて
変わり、この２つのスポット３０，３１の距離を受光レ
ンズ１０により受光手段１１のＡＡラインセンサー１２
面上に投影している。そしてＡＡラインセンサー１２で
２つのスポット３０，３１のスポット間隔を検出するこ
とによりマスク１８とウエハ１９の相対的な位置ずれを
検出している。
ずれ量Δσに対してＡＡマーク２０Ｍ１，２０Ｗ１の系
とＡＡマーク２０Ｍ２，２０Ｗ２の系のＡＡ回折光２６
−１．２６−２のずれ量Ｓ1 ，Ｓ2 は互いに逆方向とな
る。即ちＡＡマーク２０Ｍ１，２０Ｗ１のパターンの回
折によって形成される１次ピント面３２上のスポット３
０とＡＡマーク２０Ｍ２，２０Ｗ２のパターンの回折に
よって形成される１次ピント面３２上のスポット３１と
の距離がマスク１８とウエハ１９の位置ずれ量に応じて
変わり、この２つのスポット３０，３１の距離を受光レ
ンズ１０により受光手段１１のＡＡラインセンサー１２
面上に投影している。そしてＡＡラインセンサー１２で
２つのスポット３０，３１のスポット間隔を検出するこ
とによりマスク１８とウエハ１９の相対的な位置ずれを
検出している。
【００４４】図６はこのときのセンサー１２面上に形成
される２つのスポット３０，３１の模式図である。
される２つのスポット３０，３１の模式図である。
【００４５】本実施例ではウエハ１９がマスク１８に対
して傾斜（Ｔｉｌｔ）していても２つのスポット３０，
３１は１次ピント面３２上を共に同一方向に同一量移動
する為、スポット間隔は不変であり、この結果位置検出
誤差は発生しないという特長を有している。
して傾斜（Ｔｉｌｔ）していても２つのスポット３０，
３１は１次ピント面３２上を共に同一方向に同一量移動
する為、スポット間隔は不変であり、この結果位置検出
誤差は発生しないという特長を有している。
【００４６】以上が本発明に係る位置検出手段の構成で
ある。
ある。
【００４７】次に本発明においてマスク１８とウエハ１
９との面間隔検出方法について図５を用いて説明する。
９との面間隔検出方法について図５を用いて説明する。
【００４８】同図において図１〜図３で示した要素と同
一要素には同符番を付している。
一要素には同符番を付している。
【００４９】本実施例では入射光１５をマスク１８面上
の２つのＡＦマーク２１Ｍ１（２１Ｍ３）に入射させて
いる。ＡＦマーク２１Ｍ１（２１Ｍ３）に入射した光は
該マークで回折されて例えば１次回折光はマスク１８と
間隔ｇ1 （ｇ2 ）離れたウエハ１９面上で正反射し、マ
スク１８面上のＡＦマーク２１Ｍ２（２１Ｍ４）に入射
する。ＡＦマーク２１Ｍ２（２１Ｍ４）は回折光がレン
ズと同じ集束作用を持つようなパターンから成ってい
る。そしてウエハ１９で反射した光がＡＦマーク２１Ｍ
２（２１Ｍ４）へ入射する際、その入射位置（グレーテ
ィングエリアの瞳位置）に応じて出射回折光の出射角が
変わるような光学作用を有している。
の２つのＡＦマーク２１Ｍ１（２１Ｍ３）に入射させて
いる。ＡＦマーク２１Ｍ１（２１Ｍ３）に入射した光は
該マークで回折されて例えば１次回折光はマスク１８と
間隔ｇ1 （ｇ2 ）離れたウエハ１９面上で正反射し、マ
スク１８面上のＡＦマーク２１Ｍ２（２１Ｍ４）に入射
する。ＡＦマーク２１Ｍ２（２１Ｍ４）は回折光がレン
ズと同じ集束作用を持つようなパターンから成ってい
る。そしてウエハ１９で反射した光がＡＦマーク２１Ｍ
２（２１Ｍ４）へ入射する際、その入射位置（グレーテ
ィングエリアの瞳位置）に応じて出射回折光の出射角が
変わるような光学作用を有している。
【００５０】例えばマスク１８とウエハ１９との面間隔
がｇ2 のときＡＦマークで回折されたＡＦ回折光は実線
で示す光路を進み受光レンズ１０を通ってＡＦラインセ
ンサー１３面上に２つのスポット５１，５２を形成す
る。又面間隔がｇ1 のとき同様にＡＦマークで回折され
たＡＦ回折光は点線で示す光路を進みＡＦラインセンサ
ー１３面上に２つのスポット５３，５４を形成する。
がｇ2 のときＡＦマークで回折されたＡＦ回折光は実線
で示す光路を進み受光レンズ１０を通ってＡＦラインセ
ンサー１３面上に２つのスポット５１，５２を形成す
る。又面間隔がｇ1 のとき同様にＡＦマークで回折され
たＡＦ回折光は点線で示す光路を進みＡＦラインセンサ
ー１３面上に２つのスポット５３，５４を形成する。
【００５１】図６はこのときのセンサー１３面上に形成
される２つのスポット５１，５２の模式図である。
される２つのスポット５１，５２の模式図である。
【００５２】このようにマスク１８とウエハ１９の面間
隔に応じてＡＦラインセンサー１３面上に生じる２つの
スポットの間隔が変わるので、このときの２つのスポッ
トの間隔を測定することによりマスク１８とウエハ１９
との面間隔を検出している。
隔に応じてＡＦラインセンサー１３面上に生じる２つの
スポットの間隔が変わるので、このときの２つのスポッ
トの間隔を測定することによりマスク１８とウエハ１９
との面間隔を検出している。
【００５３】次に本実施例の特長である投光手段（アラ
イメントヘッド１４）と第１物体であるマスク１８との
相対的な位置検出を行う方法について説明する。
イメントヘッド１４）と第１物体であるマスク１８との
相対的な位置検出を行う方法について説明する。
【００５４】まず投光手段からの光束を位置検出方向
（アライメント方向、ＡＡ方向、ｙ方向ともいう。）に
ついて所定の範囲の位置に正確に投光する方法について
説明する。
（アライメント方向、ＡＡ方向、ｙ方向ともいう。）に
ついて所定の範囲の位置に正確に投光する方法について
説明する。
【００５５】このときは位置検出用のＡＡマーク２０
Ｍ，２０Ｗを介した光束（回折光）２６−１，２６−２
を用いて行う。本実施例ではマスク１８面上の１対のＡ
Ａマーク２０Ｍ１，２０Ｍ２のｙ方向に関する中点、こ
こではＡＦマーク２１Ｍの中央部にアライメントヘッド
１４からの光束のｙ方向についての光束中心が位置した
ときにラインセンサー１２面上に生ずる２つの光束２６
−１，２６−２の光量分布（例えば分布形状又は光量積
分値）が互いに略等しくなるように１対のＡＡマーク２
０Ｍ１，２０Ｍ２、そして１対のＡＡマーク２０Ｗ１，
２０Ｗ２の開口面積等が設定されている。
Ｍ，２０Ｗを介した光束（回折光）２６−１，２６−２
を用いて行う。本実施例ではマスク１８面上の１対のＡ
Ａマーク２０Ｍ１，２０Ｍ２のｙ方向に関する中点、こ
こではＡＦマーク２１Ｍの中央部にアライメントヘッド
１４からの光束のｙ方向についての光束中心が位置した
ときにラインセンサー１２面上に生ずる２つの光束２６
−１，２６−２の光量分布（例えば分布形状又は光量積
分値）が互いに略等しくなるように１対のＡＡマーク２
０Ｍ１，２０Ｍ２、そして１対のＡＡマーク２０Ｗ１，
２０Ｗ２の開口面積等が設定されている。
【００５６】本実施例では図６に示すように投光手段か
らの光束のうちマスク１８面上のＡＡマーク２０Ｍ１と
ウエハ１９面上のＡＡマーク２０Ｗ１とを介した光束２
６−１とマスク１８面上のＡＡマーク２０Ｍ２とウエハ
１９面上のＡＡマーク２０Ｗ２を介した光束２６−２と
によるラインセンサー１２面上における光量分布の積分
値が互いに等しくなるようにアライメントヘッド１４を
駆動しその位置を調整し、そこからの光束１５のマスク
１８上での入射位置を調整している。
らの光束のうちマスク１８面上のＡＡマーク２０Ｍ１と
ウエハ１９面上のＡＡマーク２０Ｗ１とを介した光束２
６−１とマスク１８面上のＡＡマーク２０Ｍ２とウエハ
１９面上のＡＡマーク２０Ｗ２を介した光束２６−２と
によるラインセンサー１２面上における光量分布の積分
値が互いに等しくなるようにアライメントヘッド１４を
駆動しその位置を調整し、そこからの光束１５のマスク
１８上での入射位置を調整している。
【００５７】このようにラインセンサー１２面上におけ
る２つの光束２６−１，２６−２の光量分布の積分値が
互いに等しくなるようにして、これにより投光手段の即
ち光束１５のＡＡ方向の位置決めを行っている。実際に
は、ＡＡマーク２０Ｍ１と２０Ｍ２の開口面積が等しく
そしてＡＡマーク２０Ｗ１と２０Ｗ２の開口面積が等し
くなるようにしても、左右のＡＡマークの設計上の差か
ら開口によって光量がケラレ、２つの光束２６−１，２
６−２の光量に差を生じたりする場合がある。
る２つの光束２６−１，２６−２の光量分布の積分値が
互いに等しくなるようにして、これにより投光手段の即
ち光束１５のＡＡ方向の位置決めを行っている。実際に
は、ＡＡマーク２０Ｍ１と２０Ｍ２の開口面積が等しく
そしてＡＡマーク２０Ｗ１と２０Ｗ２の開口面積が等し
くなるようにしても、左右のＡＡマークの設計上の差か
ら開口によって光量がケラレ、２つの光束２６−１，２
６−２の光量に差を生じたりする場合がある。
【００５８】しかしながらこの場合設計上、予めわかっ
ている量についてはその分を考慮し、例えば次のように
光量バランスを考えれば良い。
ている量についてはその分を考慮し、例えば次のように
光量バランスを考えれば良い。
【００５９】本実施例の場合、図４から明らかのように
マスク１８面上に同じ開口面積のＡＡマーク２０Ｍ１，
２０Ｍ２を配置している。このときウエハ１９面上にも
マスクのＡＡマークと同じ大きさのＡＡマーク２０Ｗ
１，２０Ｗ２を設置したとするとＡＡマーク２０Ｍ１は
焦点距離ｆa1＞０の凸レンズ作用をもつので回折光は全
てＡＡマーク２０Ｗ１に入射する。
マスク１８面上に同じ開口面積のＡＡマーク２０Ｍ１，
２０Ｍ２を配置している。このときウエハ１９面上にも
マスクのＡＡマークと同じ大きさのＡＡマーク２０Ｗ
１，２０Ｗ２を設置したとするとＡＡマーク２０Ｍ１は
焦点距離ｆa1＞０の凸レンズ作用をもつので回折光は全
てＡＡマーク２０Ｗ１に入射する。
【００６０】一方、ＡＡマーク２０Ｍ２は焦点距離ｆa2
＜０の凹レンズ作用をもつので回折光は広がりながらＡ
Ａマーク２０Ｗ２に入射する。この為マークサイズより
広がった分の光量はケラレることになる。
＜０の凹レンズ作用をもつので回折光は広がりながらＡ
Ａマーク２０Ｗ２に入射する。この為マークサイズより
広がった分の光量はケラレることになる。
【００６１】このときのケラレ量はＡＡマーク２０Ｍ２
に平面波が入射したと仮定したときＡＡマーク２０Ｍ
２，２０Ｗ２のマークサイズＬM2，ＬW2、ＡＡマーク２
０Ｍ２のパワー、ＡＡマーク２０Ｍ２とＡＡマーク２０
Ｗ２の面間隔（ギャップ間隔）ｇで決まり、この量を定
量的に算出してやって光束２６−１，２６−２の光量分
布を比較するときに加味してやれば良い。
に平面波が入射したと仮定したときＡＡマーク２０Ｍ
２，２０Ｗ２のマークサイズＬM2，ＬW2、ＡＡマーク２
０Ｍ２のパワー、ＡＡマーク２０Ｍ２とＡＡマーク２０
Ｗ２の面間隔（ギャップ間隔）ｇで決まり、この量を定
量的に算出してやって光束２６−１，２６−２の光量分
布を比較するときに加味してやれば良い。
【００６２】今、各ＡＡマークのレンズ作用は図４の面
内のみにあるとすれば（紙面と垂直方向にはない、シリ
ドリカルレンズの作用）ＡＡマーク２０Ｗ２の有効な光
束はＡＡマーク２０Ｍ２へ入射した光束に比較し、光量
が
内のみにあるとすれば（紙面と垂直方向にはない、シリ
ドリカルレンズの作用）ＡＡマーク２０Ｗ２の有効な光
束はＡＡマーク２０Ｍ２へ入射した光束に比較し、光量
が
【００６３】
【数５】 倍となる。
【００６４】そこでＡＡマーク２０Ｍ１，２０Ｗ１によ
る回折光束による光量をｋ倍してやれば良い。
る回折光束による光量をｋ倍してやれば良い。
【００６５】このようにラインセンサー１２面上の２つ
の光束２６−１，２６−２の積分光量のバランスをとる
ことによって投光手段のＡＡ方向の投光光束１５の位置
決めを行なえる。
の光束２６−１，２６−２の積分光量のバランスをとる
ことによって投光手段のＡＡ方向の投光光束１５の位置
決めを行なえる。
【００６６】尚、積分光量のバランスをとる代りに、２
つの光束２６−１，２６−２の光量分布の分布形状が相
似（ある場合には同じ）又は対称になるよう光束１５の
位置決めを行なうように系を構成しても良い。
つの光束２６−１，２６−２の光量分布の分布形状が相
似（ある場合には同じ）又は対称になるよう光束１５の
位置決めを行なうように系を構成しても良い。
【００６７】次に投光手段からの光束をＡＡ方向と直交
方向（ｘ方向）について所定の範囲に正確に投光する方
法について説明する。このときは面間隔検出用の光束２
７−１，２７−２を用いて行う。即ちＡＦマーク２１Ｍ
１〜２１Ｍ４を用いて行う。
方向（ｘ方向）について所定の範囲に正確に投光する方
法について説明する。このときは面間隔検出用の光束２
７−１，２７−２を用いて行う。即ちＡＦマーク２１Ｍ
１〜２１Ｍ４を用いて行う。
【００６８】本実施例ではマスク１８面上のＡＦマーク
２１Ｍ１と２１Ｍ２の組と，２１Ｍ３と２１Ｍ４の組の
境界線近傍にアライメントヘッド１４からの光束１５の
ｘ方向についての光束中心が入射したときラインセンサ
ー１３面上に生ずる２つの光束２７−１，２７−２の光
量分布（例えば分布形状、光量積分値）が等しくなるよ
うに１対のＡＦマーク２１Ｍ１，２１Ｍ２と１対のＡＦ
マーク２１Ｍ３，２１Ｍ４の開口面積が設定されてい
る。
２１Ｍ１と２１Ｍ２の組と，２１Ｍ３と２１Ｍ４の組の
境界線近傍にアライメントヘッド１４からの光束１５の
ｘ方向についての光束中心が入射したときラインセンサ
ー１３面上に生ずる２つの光束２７−１，２７−２の光
量分布（例えば分布形状、光量積分値）が等しくなるよ
うに１対のＡＦマーク２１Ｍ１，２１Ｍ２と１対のＡＦ
マーク２１Ｍ３，２１Ｍ４の開口面積が設定されてい
る。
【００６９】即ち、図６に示すように投光手段からの光
束のうち１対のＡＦマーク２１Ｍ１，２１Ｍ２を介して
ラインセンサー１３に入射する光束２７−１と１対のＡ
Ｆマーク２１Ｍ３，２１Ｍ４を介してラインセンサー１
３に入射する光束２７−２の光量分布が略対称とするよ
うにし、これによりアライメントヘッド１４からの光束
１５ののｘ方向における入射位置を調整している。
束のうち１対のＡＦマーク２１Ｍ１，２１Ｍ２を介して
ラインセンサー１３に入射する光束２７−１と１対のＡ
Ｆマーク２１Ｍ３，２１Ｍ４を介してラインセンサー１
３に入射する光束２７−２の光量分布が略対称とするよ
うにし、これによりアライメントヘッド１４からの光束
１５ののｘ方向における入射位置を調整している。
【００７０】尚、本実施例では同じ開口面積を有した２
つのマーク（ＡＡマーク、ＡＦマーク）を用いてライン
センサー面上の光量分布を比べているが、光束が２つの
マークの中間（ＡＡマークであればＡＡマーク２０Ｍ１
と２０Ｍ２の中間位置、ＡＦマークであればＡＦマーク
２１Ｍ１と２１Ｍ３との中間）領域に入射したとき２つ
の光束（光束２６−１と光束２６−２又は光束２７−１
と光束２７−２）の光量分布に所定の関係が得られるよ
うに設定すればマークの開口面積や開口形状等は異なっ
ていても良い。
つのマーク（ＡＡマーク、ＡＦマーク）を用いてライン
センサー面上の光量分布を比べているが、光束が２つの
マークの中間（ＡＡマークであればＡＡマーク２０Ｍ１
と２０Ｍ２の中間位置、ＡＦマークであればＡＦマーク
２１Ｍ１と２１Ｍ３との中間）領域に入射したとき２つ
の光束（光束２６−１と光束２６−２又は光束２７−１
と光束２７−２）の光量分布に所定の関係が得られるよ
うに設定すればマークの開口面積や開口形状等は異なっ
ていても良い。
【００７１】ここではアライメントヘッド１４からの光
束１５はＡＡ方向（ｙ方向）に関してとＡＡ方向と直交
方向（ｘ方向）に関してとで強度分布が対称な光束を設
定していたが、予め強度分布がわかっていれば強度分布
が非対称な光束であっても良い。
束１５はＡＡ方向（ｙ方向）に関してとＡＡ方向と直交
方向（ｘ方向）に関してとで強度分布が対称な光束を設
定していたが、予め強度分布がわかっていれば強度分布
が非対称な光束であっても良い。
【００７２】又、光束１５がマスク１８上の予め決めた
位置に正しく当てられたとき、２つの光束の光量分布の
ピーク出力が同じになるか、又は２つの光束の光量分布
の半値幅が同じになるように設定し、２つの光束の光量
分布のピーク値や半値幅を互いに比較するようにしても
良い。
位置に正しく当てられたとき、２つの光束の光量分布の
ピーク出力が同じになるか、又は２つの光束の光量分布
の半値幅が同じになるように設定し、２つの光束の光量
分布のピーク値や半値幅を互いに比較するようにしても
良い。
【００７３】次に本実施例において受光手段１１面上に
生ずる４つのスポット（３０，３１，５１，５２）を用
いて効率的かつ高精度な位置合わせ（アライメント）及
び面間隔（ギャップ）計測を行う手順について説明す
る。
生ずる４つのスポット（３０，３１，５１，５２）を用
いて効率的かつ高精度な位置合わせ（アライメント）及
び面間隔（ギャップ）計測を行う手順について説明す
る。
【００７４】まずアライメントヘッド１４からの光束１
５を粗い精度でマスク１８に対しアライメントし、マス
ク１８面上のＡＡマーク２０及びＡＦマーク２０Ｍ、２
１Ｍに光束１５を投光する。
５を粗い精度でマスク１８に対しアライメントし、マス
ク１８面上のＡＡマーク２０及びＡＦマーク２０Ｍ、２
１Ｍに光束１５を投光する。
【００７５】次にＡＦマーク２１Ｍ１〜２１Ｍ４によっ
てラインセンサー１３上に形成される２つの光パターン
に応じた信号を、センサー１３からコントローラーに入
力し、コントローラーで粗い面間隔計測を行い、この計
測に基づいて不図示のウエハステージを駆動することに
よりアライメント計測が可能な程度面間隔の調整を行
う。
てラインセンサー１３上に形成される２つの光パターン
に応じた信号を、センサー１３からコントローラーに入
力し、コントローラーで粗い面間隔計測を行い、この計
測に基づいて不図示のウエハステージを駆動することに
よりアライメント計測が可能な程度面間隔の調整を行
う。
【００７６】次にＡＡマーク２０Ｍ１，２０Ｍ２，２０
Ｗ１，２０Ｗ２によってラインセンサー１２上に形成さ
れる２つの光パターンに応じた信号を、センサー１２か
らコントローラーに入力し、コントローラーで粗い精度
でアライメント計測を行い受光手段１１面上で４つの信
号が検出できる位置にウエハステージ（不図示）を移動
する。そしてラインセンサー１２，１３面上の４つの光
束２６−１と２６−２の組、２７−１と２７−２の組の
各組の光束間の積分光量を比較しながら各光束の積分光
量が等しくなるように投光光束１５のマスク１８面上へ
の入射位置決めを行う。
Ｗ１，２０Ｗ２によってラインセンサー１２上に形成さ
れる２つの光パターンに応じた信号を、センサー１２か
らコントローラーに入力し、コントローラーで粗い精度
でアライメント計測を行い受光手段１１面上で４つの信
号が検出できる位置にウエハステージ（不図示）を移動
する。そしてラインセンサー１２，１３面上の４つの光
束２６−１と２６−２の組、２７−１と２７−２の組の
各組の光束間の積分光量を比較しながら各光束の積分光
量が等しくなるように投光光束１５のマスク１８面上へ
の入射位置決めを行う。
【００７７】この時点でアライメント計測及び面間隔計
測における投射光束のずれによる誤差成分が最小限とな
り、次のステップでアライメントヘッド１４による高精
度なアライメント計測及び面間隔計測を行ない、マスク
１８とウエハ１９のギャップ調整とアライメントが正確
に行なわれる。
測における投射光束のずれによる誤差成分が最小限とな
り、次のステップでアライメントヘッド１４による高精
度なアライメント計測及び面間隔計測を行ない、マスク
１８とウエハ１９のギャップ調整とアライメントが正確
に行なわれる。
【００７８】次に本発明の他の実施例として投光手段
（アライメントヘッド１６）と第１物体（マスク１８）
との相対位置検出をＡＦマークのみで行う方法について
説明する。
（アライメントヘッド１６）と第１物体（マスク１８）
との相対位置検出をＡＦマークのみで行う方法について
説明する。
【００７９】具体的には駆動装置によりアライメントヘ
ッド１６（光束１５）をアライメント方向に走査し、ラ
インセンサー１３面上に形成される２つの光束２７−１
ａ，２７−２ａの光量積分値の和がピークを示す点ｙ1
（光束１５の入射位置）を求める。
ッド１６（光束１５）をアライメント方向に走査し、ラ
インセンサー１３面上に形成される２つの光束２７−１
ａ，２７−２ａの光量積分値の和がピークを示す点ｙ1
（光束１５の入射位置）を求める。
【００８０】次にアライメントヘッド１６からの光束１
５の入射位置を、アライメント方向であるｙ方向は点ｙ
1 に固定し、今度はアライメントヘッド１６をｘ方向に
走査をして、ラインセンサー１３面上に形成される２つ
の光束２７−１ａ，２７−２ａの光量の和がピークを示
す点ｘ1 を求める。以上の一連の動作をｘn −ｘn-1，
ｙn −ｙn-1 （ｎ＝２，３，４，・・・）が十分小さく
なるまで繰り返し、先々の値が予め決めた許容値に達す
る時の求めた座標（ｘn ，ｙn ）が光束１５の位置決め
された座標となる。
５の入射位置を、アライメント方向であるｙ方向は点ｙ
1 に固定し、今度はアライメントヘッド１６をｘ方向に
走査をして、ラインセンサー１３面上に形成される２つ
の光束２７−１ａ，２７−２ａの光量の和がピークを示
す点ｘ1 を求める。以上の一連の動作をｘn −ｘn-1，
ｙn −ｙn-1 （ｎ＝２，３，４，・・・）が十分小さく
なるまで繰り返し、先々の値が予め決めた許容値に達す
る時の求めた座標（ｘn ，ｙn ）が光束１５の位置決め
された座標となる。
【００８１】次に本発明における別の実施例としてはア
ライメントヘッド１４とマスク１８との位置決めを、Ａ
Ａ方向とそれと直交方向に形成したＡＡマークとしての
第１，第２の１対の物理光学素子を用いても行うことが
できる。このときの第２の１対の物理光学素子の一例を
図７に、又そのときの光束の光路を図８に示す。
ライメントヘッド１４とマスク１８との位置決めを、Ａ
Ａ方向とそれと直交方向に形成したＡＡマークとしての
第１，第２の１対の物理光学素子を用いても行うことが
できる。このときの第２の１対の物理光学素子の一例を
図７に、又そのときの光束の光路を図８に示す。
【００８２】図７において７１Ｍはマスク１８面上に設
けた１対の物理光学素子であり、光学的パワーをもつ２
つのＡＡマーク７１Ｍ１，７１Ｍ２より成り、７１Ｗは
ウエハ１９面上に設けた１対の物理光学素子であり、光
学的パワーをもつＡＡマーク７１Ｗ１，７１Ｗ２より成
っている。
けた１対の物理光学素子であり、光学的パワーをもつ２
つのＡＡマーク７１Ｍ１，７１Ｍ２より成り、７１Ｗは
ウエハ１９面上に設けた１対の物理光学素子であり、光
学的パワーをもつＡＡマーク７１Ｗ１，７１Ｗ２より成
っている。
【００８３】次に図７に示すＡＡマーク７１Ｍ，７１Ｗ
と図２に示したのと同じＡＡマーク２０Ｍ１，２０Ｍ
２，２０Ｗ１，２０Ｗ２とを用いて投光光束１５の入射
位置決めを行う手順について説明する。
と図２に示したのと同じＡＡマーク２０Ｍ１，２０Ｍ
２，２０Ｗ１，２０Ｗ２とを用いて投光光束１５の入射
位置決めを行う手順について説明する。
【００８４】まず第１の例として図７に示したＡＡマー
ク７１Ｍを図２で示したＡＦマーク２１Ｍの領域に入れ
換え、ＡＡマーク７１Ｗを図２のウエハ面上のＡＡマー
ク２０Ｗ１とＡＡマーク２１Ｗ２との間の領域に配置し
図８に示したような場合について説明する。
ク７１Ｍを図２で示したＡＦマーク２１Ｍの領域に入れ
換え、ＡＡマーク７１Ｗを図２のウエハ面上のＡＡマー
ク２０Ｗ１とＡＡマーク２１Ｗ２との間の領域に配置し
図８に示したような場合について説明する。
【００８５】マーク２０Ｍ１，２０Ｗ１及び２０Ｍ２，
２０Ｗ２の仕様を変えないとするとこれらからの光束は
センサー１２上に到達し、スポット３０，３１を形成す
る。
２０Ｗ２の仕様を変えないとするとこれらからの光束は
センサー１２上に到達し、スポット３０，３１を形成す
る。
【００８６】センサー上で２光束が重ならない様にマー
ク７１Ｍ１，７１Ｗ１及びマーク７１Ｍ２，７１Ｗ２か
らの２光束はセンサー１３上に到達しスポット５１，５
２を形成する様に設計し、光束１５のアライメント方向
の位置ずれはスポット３０，３１の光量分布を比較し、
アライメント方向と直交する方向の位置ずれはスポット
５１，５２の光量分布を比較することによって求められ
る。その具体的な手順は実施例１と同じである。
ク７１Ｍ１，７１Ｗ１及びマーク７１Ｍ２，７１Ｗ２か
らの２光束はセンサー１３上に到達しスポット５１，５
２を形成する様に設計し、光束１５のアライメント方向
の位置ずれはスポット３０，３１の光量分布を比較し、
アライメント方向と直交する方向の位置ずれはスポット
５１，５２の光量分布を比較することによって求められ
る。その具体的な手順は実施例１と同じである。
【００８７】第２の例としてＡＡマーク２０Ｍ，２０Ｗ
とＡＡマーク７１Ｍ，７１Ｗとが離れている場合につい
て説明する。
とＡＡマーク７１Ｍ，７１Ｗとが離れている場合につい
て説明する。
【００８８】この場合はＡＡマーク２０Ｍ，２０Ｗで実
施例１で示したのと同様にしてＡＡ方向の投光光束１５
の位置決めを行う。その後アライメントヘッド１４でＡ
Ａマーク７１Ｍ，７１Ｗの位置まで投光光束１５を移動
させ、ＡＡマーク７１Ｍと７１Ｗとを用いてＡＡ方向と
直交方向の投光光束１５の位置決めを行う。このように
すればアライメントヘッド１４からの投光光束１５のマ
スク１８への入射位置を適切に設定することができる。
施例１で示したのと同様にしてＡＡ方向の投光光束１５
の位置決めを行う。その後アライメントヘッド１４でＡ
Ａマーク７１Ｍ，７１Ｗの位置まで投光光束１５を移動
させ、ＡＡマーク７１Ｍと７１Ｗとを用いてＡＡ方向と
直交方向の投光光束１５の位置決めを行う。このように
すればアライメントヘッド１４からの投光光束１５のマ
スク１８への入射位置を適切に設定することができる。
【００８９】又、本発明は他のアライメント方式にも適
用可能である。例えば特開昭６２−２６１００３号公報
に於いてはマスク、ウエハーの回折格子に正確に入射ビ
ームが当てられていない場合、光学系のシリンドリカル
レンズ等によって発生した波面収差によって、マスクか
らの一対の回折光が形成するビート信号に位置決め誤差
が発生する。従って、この方式に於いて位置決め方向に
関して正確に入射ビームの位置決めを行うためには、マ
スクマークからの一対の回折光により得られるビート信
号の振幅をモニターし、この振幅が最大となるマスク上
のある場所に入射ビームを位置決めするといい。
用可能である。例えば特開昭６２−２６１００３号公報
に於いてはマスク、ウエハーの回折格子に正確に入射ビ
ームが当てられていない場合、光学系のシリンドリカル
レンズ等によって発生した波面収差によって、マスクか
らの一対の回折光が形成するビート信号に位置決め誤差
が発生する。従って、この方式に於いて位置決め方向に
関して正確に入射ビームの位置決めを行うためには、マ
スクマークからの一対の回折光により得られるビート信
号の振幅をモニターし、この振幅が最大となるマスク上
のある場所に入射ビームを位置決めするといい。
【００９０】
【発明の効果】以上のように各実施例によれば第１物体
と第２物体との相対的な位置検出を行う際に用いるアラ
イメントマークを利用して、アライメントヘッドからの
光束と第１物体とのアライメントをすることにより、第
１物体上のパターン配置の複雑化を防止しつつアライメ
ントヘッドからの光束をアライメントマークの所定領域
に精度良く入射させることができ、この結果第１物体と
第２物体との相対的位置検出を高精度に行うことができ
る。
と第２物体との相対的な位置検出を行う際に用いるアラ
イメントマークを利用して、アライメントヘッドからの
光束と第１物体とのアライメントをすることにより、第
１物体上のパターン配置の複雑化を防止しつつアライメ
ントヘッドからの光束をアライメントマークの所定領域
に精度良く入射させることができ、この結果第１物体と
第２物体との相対的位置検出を高精度に行うことができ
る。
【図１】 本発明の実施例１の要部概略図
【図２】 図１の一部分の拡大説明図
【図３】 図１の一部分の拡大説明図
【図４】 本発明に係る位置検出装置の位置ずれ検出と
面間隔検出の原理説明図
面間隔検出の原理説明図
【図５】 本発明に係る位置検出装置の位置ずれ検出と
面間隔検出の原理説明図
面間隔検出の原理説明図
【図６】 図１の受光手段１１面上のラインセンサーと
入射光束の光量分布を示す説明図
入射光束の光量分布を示す説明図
【図７】 本発明に係るアライメントマークと該アライ
メントマークの配置状態を示す概略図
メントマークの配置状態を示す概略図
【図８】 本発明に係るアライメントマークと該アライ
メントマークの配置状態を示す概略図
メントマークの配置状態を示す概略図
１ 光源 ２ コリメーターレンズ ５ レンズ系 １０１ 投光手段 ６ ミラー １０ 受光レンズ １１ 受光手段 １２ ラインセンサー（第１検出面） １３ ラインセンサー（第２検出面） １４ アライメントヘッド １５ 入射光束 １８ マスク １９ ウエハ ２０Ｍ，２０Ｗ，２１Ｍ，７１Ｍ，７１Ｗ 各々物理
光学素子
光学素子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平３−296603（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−167416（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−167405（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−69926（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−122120（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−74808（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−157033（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/027
Claims (6)
- 【請求項１】 所定の強度分布を持つ光束をマスクの位
置合わせパターンに照射し、該位置合わせパターンから
出射し且つウエハーを経由した信号光を用いて前記マス
クとウエハー間の位置ずれを検出する方法において、前
記信号光と同じ信号光を用いて前記光束の前記マスク上
への入射位置を予め決めた位置からのずれも検出し、前
記マスクに対して前記光束を位置合わせすることにより
前記入射位置のずれを補正し、前記位置合わせされた光
束により前記マスクとウエハー間の位置ずれを検出する
ことを特徴とする位置検出方法。 - 【請求項２】 第１物体と第２物体とを対向させて相対
的な位置検出を行う際、該第１物体と第２物体の少なく
とも一方の物体面上に第１，第２の２組の１対の物理光
学素子を位置検出方向とそれと直交方向に各々形成し、
投光手段からの光束のうち該第１の１対の物理光学素子
と他方の物体面で光学作用を受けた１対の光束Ａを所定
面上に導光し、該所定面上での該１対の光束Ａの光量分
布を検出すると共に該第２の１対の物理光学素子と他方
の物体面で光学作用を受けた１対の光束Ｂを所定面上に
導光し、該所定面上での該１対の光束Ｂの光量分布を検
出することにより、該投光手段と該一方の物体との位置
設定を行うようにしたことを特徴とする位置検出装置。 - 【請求項３】 前記第１，第２の２組の１対の物理光学
素子は前記第１物体と第２物体の相対的な位置検出用の
マークであることを特徴とする請求項２記載の位置検出
装置。 - 【請求項４】 第１物体と第２物体とを対向させて相対
的な位置検出を行う際、該第１物体面上と該第２物体面
上に各々１対の物理光学素子を少なくとも一方の物体面
上には位置検出方向とそれと直交方向に２組形成し、投
光手段からの光束を該第１物体面上と第２物体面上の１
対の物理光学素子を介し、このとき生ずる１対の回折光
を所定面上に導光し、該所定面上の回折光の光束位置を
検出手段で検出することにより、該第１物体と第２物体
との相対的な位置検出を行なう際、該投光手段からの光
束のうち該一方の物体面上に形成した第１の１対の物理
光学素子と他方の物体面で光学作用を受け、該検出手段
の第１検出面に入射する１対の回折光の光強度分布を検
出すると共に第２の１対の物理光学素子と他方の物体面
で光学作用を受け、該検出手段の第２検出面に入射する
１対の回折光の光強度分布を検出することにより、該投
光手段と該第１物体又は該第２物体との位置設定を行う
ようにしたことを特徴とする位置検出装置。 - 【請求項５】 前記第１の１対の物理光学素子は前記第
１物体と第２物体との相対的な位置検出を行うものであ
り、前記第２の１対の物理光学素子は前記第１物体と第
２物体との相対的な面間隔検出を行うものであることを
特徴とする請求項４記載の位置検出装置。 - 【請求項６】 請求項２，３，４又は５の位置検出装置
を用いて、第１物体と第２物体との相対的な位置合わせ
を行い第１物体面上のパターンを第２物体面上に露光転
写していることを特徴とする露光装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33990590 | 1990-11-30 | ||
| JP2-339905 | 1990-11-30 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05243118A JPH05243118A (ja) | 1993-09-21 |
| JP2890943B2 true JP2890943B2 (ja) | 1999-05-17 |
Family
ID=18331897
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3340209A Expired - Fee Related JP2890943B2 (ja) | 1990-11-30 | 1991-11-29 | 位置検出方法及びそれを用いた位置検出装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5396335A (ja) |
| EP (1) | EP0488798B1 (ja) |
| JP (1) | JP2890943B2 (ja) |
| DE (1) | DE69129732T2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3428705B2 (ja) * | 1993-10-20 | 2003-07-22 | キヤノン株式会社 | 位置検出装置及びそれを用いた半導体素子の製造方法 |
| JP3368017B2 (ja) * | 1993-10-29 | 2003-01-20 | キヤノン株式会社 | 位置検出装置及びそれを用いた半導体素子の製造方法 |
| JPH0886612A (ja) * | 1994-09-19 | 1996-04-02 | Canon Inc | 光ヘテロダイン干渉を利用した位置ずれ検出装置 |
| US5777744A (en) * | 1995-05-16 | 1998-07-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure state detecting system and exposure apparatus using the same |
| JP3517504B2 (ja) * | 1995-12-15 | 2004-04-12 | キヤノン株式会社 | 位置検出装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 |
| US5969820A (en) * | 1996-06-13 | 1999-10-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Surface position detecting system and exposure apparatus using the same |
| TW380288B (en) * | 1996-06-25 | 2000-01-21 | Seiko Epson Corp | Conductive pattern transfer printing method on film carrier and the mask and film carrier using the same |
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| US6180289B1 (en) | 1997-07-23 | 2001-01-30 | Nikon Corporation | Projection-microlithography mask with separate mask substrates |
| JPH11142121A (ja) | 1997-11-11 | 1999-05-28 | Nikon Corp | レチクルの歪み計測方法および歪み計測装置 |
| JPH11241908A (ja) | 1997-12-03 | 1999-09-07 | Canon Inc | 位置検出装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 |
| US6240158B1 (en) * | 1998-02-17 | 2001-05-29 | Nikon Corporation | X-ray projection exposure apparatus with a position detection optical system |
| JP3863339B2 (ja) * | 2000-03-28 | 2006-12-27 | 株式会社東芝 | 光軸ずれ測定方法 |
| JP2005159213A (ja) * | 2003-11-28 | 2005-06-16 | Canon Inc | シアリング干渉を利用した測定方法及び装置、それを利用した露光方法及び装置、並びに、デバイス製造方法 |
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| JPH0749926B2 (ja) * | 1986-05-07 | 1995-05-31 | 日本電信電話株式会社 | 位置合わせ方法および位置合わせ装置 |
| DE68925142T2 (de) * | 1988-02-16 | 1996-06-13 | Canon K.K., Tokio/Tokyo | Vorrichtung zum Nachweis der örtlichen Beziehung zwischen zwei Objekten |
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| US5200800A (en) * | 1990-05-01 | 1993-04-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Position detecting method and apparatus |
-
1991
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