JP2924178B2

JP2924178B2 - 位置検出装置

Info

Publication number: JP2924178B2
Application number: JP2339907A
Authority: JP
Inventors: 繁幸須田
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1990-11-30
Filing date: 1990-11-30
Publication date: 1999-07-26
Anticipated expiration: 2014-07-26
Also published as: JPH04207012A

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野）本発明は位置検出装置に関し、例えば半導体素子製造
用のプロキシミティタイプの露光装置において、マスク
やレチクル（以下「マスク」という。）等の第１物体面
上に形成されている微細な電子回路パターンをウエハ等
の第２物体面上に露光転写する際にマスクとウエハとの
相対的な位置決め（アライメント）を行う場合に好適な
位置検出装置に関するものである。

（従来の技術）従来より半導体製造用の露光装置においては、マスク
とウエハの相対的な位置合わせは性能向上を図る為の重
要な一要素となっている。特に最近の露光装置における
位置合わせにおいては、半導体素子の高集積化の為に、
例えばサブミクロン以下の位置合わせ精度を有するもの
が要求されている。

多くの位置合わせ装置においては、マスク及びウエハ
面上に位置合わせ用の所謂アライメントパターンを設
け、それらより得られる位置情報を利用して、双方のア
ライメントを行っている。このときのアライメント方法
としては、例えば双方のアライメントパターンのずれ量
を画像処理を行うことにより検出したり、又は米国特許
第4037969号や特開昭56−157033号公報で提案されてい
るようにアライメントパターンとしてゾーンプレートを
用い、該ゾーンプレートに光束を照射し、このときゾー
ンプレートから射出した光束の所定面上における集光点
位置を検出すること等により行っている。

一般にゾーンプレートを利用したアライメント方法
は、単なるアライメントパターンを用いた方法に比べて
アライメントパターンの欠損に影響されずに比較的高精
度のアライメントが出来る特長がある。

この他本出願人は先に特願昭63−226003号においてマ
スクとしての第１物体とウエハとしての第２物体との相
対的な位置ずれ検出を行った位置検出装置を提案してい
る。同号では第１物体及び第２物体面上に各々２組のレ
ンズ作用を有するアライメントマークとしての物理光学
素子を設け、該物理光学素子にレーザを含む投光手段か
ら光束を照射し、該物理光学素子で逐次回折された回折
光をセンサ（検出手段）に導光している。そしてセンサ
面上での２つの光スポットの相対間隔値を求めることに
より第１物体と第２物体の相対的位置ずれ量を検出して
いる。

このとき投光手段は位置検出をすべく物体面上の設け
た２組の物理光学素子で逐次回折された光を受光する検
出手段と共に１つの筺体内に収納されている。

（発明が解決しようとする課題）一般に投光手段からの投射光束（ビーム）のアライメ
ントマーク（物理光学素子）への入射位置精度が不十分
であると検出手段で得られる信号のS/N比が低下し、又
オフセットの発生等が生じてくる。この為高い機械精度
及び高い組立精度が要求されてくる。

投射ビームの強度分布は一般に例えば第６図に示すよ
うに２つの対称軸I_x,I_yを有するガウシアン分布を有し
ており、アライメントマークに到達する際には略々平面
波となるように設定される。例えばｘ方向とｙ方向の強
度がe^-2に低下するビーム半径を仮にw_x,w_yとする。尚、
第６図において13はレーザー、14はコリメーターレン
ズ、Ｌは光束を示している。

このときビーム径w_X,w_yを大きくしてアライメントマ
ークを充分カバーできる様に設定すると投射ビームとア
ライメントマークの相対位置合わせ精度を緩和しても、
アライメントマークに入射する光束の強度分布が変化し
にくくなる。これよりセンサ上の２つのスポットの重心
位置の間隔変化が生じにくくその面の安定度は向上す
る。しかしながら投射ビームの有効利用が悪くなり、信
号強度の低下、ノイズ成分の増加を伴なう等の問題点が
生じてくる。

逆に投射ビーム径を小さくした場合、前述のS/N比は
向上するが、アライメントマーク面上の強度分布が不均
一となる為、投射ビームとアライメントマークの相対位
置が変化するとマスクのアライメントマークで形成され
る像の強度分布が変化を受け、この像を拡大結像して形
成されるセンサ上の２つの光スポットの重心間隔が変化
し、精度が劣化してくる。

従って投射ビーム（投光手段）とアライメントマーク
（第１物体又は第２物体）の位置決め精度を向上させ、
最適な投射ビーム径とすることでアライメントの高精度
化が可能となる。

しかしながら投射ビームのアライメントマーク面上へ
の入射位置決め精度を機械系のみで向上させようとする
と系の複雑化及び大型化を伴い長期間の安定性を図るの
が難しいという問題点が生じてくる。

本発明は第１物体又は第２物体に設けたアライメント
マークである物理光学素子に対する投光手段からの投射
ビームの入射位置決めを簡便な方法で高精度に行なうこ
とにより機械精度及び組み立て精度等の緩和を図り、そ
の後の第１物体と第２物体の相対的位置検出を高精度に
行うことができる位置検出装置の提供を目的とする。

（課題を解決するための手段）本発明の位置検出装置は、第１物体と第２物体とを対向させて相対的な位置検出
を行う位置検出装置において、該第１物体面上と該第２
物体面上に各々形成された物理光学素子のうち一方の物
体面上の物理光学素子Ａに投光手段から光を入射させた
ときに生じる回折光を他方の物体面上の物理光学素子Ｂ
に入射させ、該物理光学素子Ｂにより所定面上に生ずる
回折パターンの光束位置を検出手段により検出すること
により、該第１物体と該第２物体との相対的な位置検出
を行うようにするとともに、該他方の物体面上若しくは
該他方の物体と実質的に一体的に構成されている物体面
上に該物理光学素子Ｂと等価な光学的作用を有する物理
光学素子BBと、該投光手段からの光束の入射位置の検出
が可能な光電変換手段とを設け、該光電変換手段と該物
理光学素子BBを利用して該投光手段と該物理光学素子Ａ
との位置設定を行うようにしたことを特徴としている。

特に前記光電変換手段と前記物理光学素子BBは相対的
位置関係が既知の所定の値となるように形成されている
ことを特徴としている。

即ち本発明では他方の物体面上に予め所定の既知の位
置関係となるように光電変換手段と物理光学素子BBとを
設け、投光手段からの光束の他方の物体面への入射位置
を光電変換手段で求め、これより投光手段と物理光学素
子BBとの位置情報を得ている。そして物理光学素子BBを
利用して投光手段の位置設定を行い、その後第１物体と
第２物体との位置ずれ検出を行なうことを特徴としてい
る。

（実施例）第１図は本発明の位置検出装置に係る位置検出の際の
原理及び構成要件等を展開して示した説明図、第２図，
第３図（Ａ），（Ｂ）は各々第１図の構成に基づく本発
明の第１実施例の要部斜視図である。

まず第１物体と第２物体の相対的位置検出方法につい
て説明する。図中、１は第１物体、２は第２物体であ
り、第１〜第３図は第１物体１と第２物体２との相対的
な位置ずれ量を検出する場合を示している。５は第１物
体１に、３は第２物体２に設けたアライメントマークで
あり、第１信号を得る為のものである。同様に６は第１
物体１に、４は第２物体２に設けたアライメントマーク
であり、第２信号光を得る為のものである。

100は直線格子であり、第１物体１面上のアライメン
トマーク5,6近傍に設けられており、後述するピックア
ップ筺体16からの入射光束を第２物体２の方向へ垂直に
射出偏向させている。

101はリファレンス部材であり、ウエハステージ17面
上に固設されており、その面上には後述するような光束
の入射位置を検出する為の光電変換手段102とアライメ
ントマーク3,4と同様の光学的作用を有する物理光学素
子3a,4aが設けられている。直線格子100とリファレンス
部材101とにより後述するようにピックアップ筺体16内
の投光手段と第１物体１との相対的な位置関係を検出し
ている。

各アライメントマーク3,4,5,6は１次元又は２次元の
レンズ作用のある又はレンズ作用のない物理光学素子の
機能を有しており、パターン領域の４ケ所に各々設けら
れている。９はウエハスクライブライン、10はマスクス
クライブラインである。L1は入射光束である。7,8は前
述の第１及び第２のアライメント用の第1,第２信号光束
を示す。11,12は各々第１及び第２信号光束を検出する
為の第１及び第２検出部である。第２物体２から第１又
は第２検出部11,12までの光学的な距離を説明の便宜上
Ｌとする。物体１と第２物体２の距離をｇ、アライメン
トマーク５及び６の焦点距離を各々f_a1,f_a2とし、第１
物体１と第２物体２の相対位置ずれ量をΔσとし、その
ときの第1,第２検出部11,12の第１及び第２信号光束重
心の合致状態からの変位量を各々S₁,S₂とする。尚、第
１物体１に入射するアライメント光束は便宜上平面波と
し、符号は図中に示す通りとする。

信号光束重心の変位量S₁及びS₂はアライメントマーク
５及び６の焦点F₁,F₂とアライメントマーク3,4の光軸中
心を結ぶ直線L1,L2と、検出部11及び12の受光面との交
点として近似的に幾何学により求められる。従って第１
物体１と第２物体２の相対位置ずれに対して各信号光束
重心の変位量S₁,S₂は第１図より明らかのようにアライ
メントマーク3,4の光学的な結像倍率の符号を互いに逆
とすることで逆方向となる。

また定量的にはと表わせ、ずれ倍率はβ_１＝S₁/Δσ、β_２＝S₂/Δσと
定義できる。従って、ずれ倍率を逆符合とすると第１物
体１と第２物体２のずれに対して光束7,8は検出部11,12
の受光面で逆方向に、具体的にはそれぞれ距離S₁,S₂だ
け変化する。

第１図の上側においてはアライメントマーク５に入射
した光束を集光光束とし、その集光点F₁に至る前にアラ
イメントマーク３に光束を照射し、これを更に第１検出
部11に結像させている。このときのアライメントマーク
３の焦点距離f_b1はレンズの式を満たすように定められる。同様に第１図の下側におい
てはアライメントマーク６により入射光束を入射側の点
であるF₂より発散する光束に変え、これをアライメント
マーク４を介して第２検出部12に結像させている。この
ときのアライメントマーク４の焦点距離f_b2はを満たすように定められる。以上の構成条件でアライメ
ントマーク3,アライメントマーク５の集光像に対する結
像倍率は図より明らかに正の倍率であり、第２物体２の
ずれ量Δσと第１検出部11の光点変位量S₁の方向は逆と
なり、先に定義したずれ倍率β_１は負となる。同様にア
ライメントマーク６の点像（虚像）に対するアライメン
トマーク４の結像倍率は負であり、第２物体２のずれ量
Δσと第２検出部12上の光点変位量S₂の方向は同方向
で、ずれ倍率β_２は正となる。

従って第１物体１と第２物体２の相対ずれ量Δσに対
してアライメントマーク5,3の系とアライメントマーク
6,4の系の信号光束ずれ量S₁,S₂は互いに逆方向となる。

即ち、第１図の配置において第１物体１を空間的に固
定し、第２物体２を図面下側に変位させた状態を考える
と合致状態の第１検出部11及び第２検出部12上のスポッ
ト間隔が広がり、逆に図面上側に変位させると挟まるよ
うに変化する。

次に本発明をプロキシミティ型半導体製造装置に適用
した際の装置周辺部分を示す第２図、第３図（Ａ），
（Ｂ）の各構成要素について説明する。

図中、13は光源、14はコリメーターレンズ（またはビ
ーム径変換レンズ）、15は投射光束折り曲げミラー、16
はピックアップ筺体、17はウエハステージ、23は信号処
理装置、19は測長機を含むウエハステージ駆動制御部で
あり、Ｅは露光光束幅を示す。光源13、コリメーターレ
ンズ14は投光手段の一部を構成している。

尚、ピックアップ筺体16内には各プロセスに対応する
アライメントマーク位置変更に対応する為、可動機構を
有し、その位置決めの為の測長機（不図示）を含む駆動
制御部が設けられている。

又１は第１物体で、例えばマスクである。２は第２物
体で、例えばマスク１と位置合わせされるウエハであ
る。各アライメントマーク5,6と3,4は例えば１次元ある
いは２次元のフレネルゾーンプレート等のグレーティン
グレンズより成り、それぞれマスク１面上とウエハ２面
上のスクライブライン10,9上に設けられている。７は第
１光束、８は第２光束であり、これらの光束（信号光
束）7,6は光源13から出射した光束L1のうちレンズ系14
により所定のビーム径にコリメートされ、ミラー15で光
路を曲げられてアライメントマーク５（６）,3（４）を
介した後の光束を示している。

本実施例において、光源の種類としては半導体レーザ
ー（LD）の場合を示したが、この他H_e−N_eレーザー、A_r
レーザー等のコヒーレント光束を放射する光源や、発光
ダイオード等の非コヒーレント光束を放射する光源、あ
るいはスーパールミネッセントダイオード（SLD）等の
中間的特性の光源等でも良い。

又、第１検出部11と第２検出部12が本図では１つのセ
ンサ（光電変換素子）22であり、光束７及び８を受光す
る、例えば１次元CCD等より成っている。

ここで投射光束L1は各々マスク１面上のアライメント
マーク5,6に所定の角度で入射した後、透過回折し、更
にウエハ２面上のアライメントマーク3,4で反射回折
し、受光レンズ21で集光されてセンサ22の受光面上に入
射している。尚、第３図（Ａ）では受光レンズ21は省略
している。そしてセンサ22からの信号を受けた信号処理
装置23で該センサ22面上に入射したアライメント光束の
センサ22面内での重心位置を検出し、該センサ22からの
出力信号を利用して信号処理装置23でマスク１とウエハ
２について位置ずれ検出を行っている。

ここで光束の重心とは光束断面内において、断面内各
点のその点からの位置ベクトルにその点の光強度を乗算
したものを断面全面で積分したときに積分値が０ベクト
ルになる点のことであるが、別な例として光強度がピー
クとなる点の位置を用いても良い。

次に本実施例の具体的な数値例について説明する。

アライメントマーク3,4,5,6は各々異った値の焦点距
離を有するフレネルゾーンプレート（又はグレーティン
グレンズ）により成っている。これらのマークの寸法は
各々スクライブライン９及び10の方向に50〜300μｍ、
スクライブライン幅方向（ｙ方向）に20〜100μｍが実
用的に適当なサイズである。

本実施例においては投射光束７はいずれもマスク１に
対して入射角約17.5゜で、マスク１面への射影成分がス
クライブライン方向（ｘ方向）に直交するように入射し
ている。

これらの所定角度でマスク１に入射した投射光束L1は
各々グレーティングレンズ5,6のレンズ作用を受けて収
束、又は発散光となり、マスク１からその主光線がマス
ク１の法線に対して所定角度になるように出射してい
る。

そしてアライメントマーク５及び６を透過回折した光
束７と８は各々ウエハ面２の鉛直下方、鉛直上方の所定
点に集光点、発散原点をもつ。このときのアライメント
マーク５と６の焦点距離は各々214.723μｍ、156.57μ
ｍである。又マスク１とウエハ２との間隔は30μｍであ
る。第１信号光束７はアライメントマーク５で透過回折
し、ウエハ２面上のアライメントマーク３で凹レンズ作
用を受け、センサ22面上の一点に集光している。このと
き、センサ22面上への光束がこの光束の入射位置の変動
量がアライメントマーク5,3のｘ方向における位置ずれ
量、即ち軸ずれ量に対応し、かつその量が拡大された状
態となって入射する。この結果、入射光束の重心位置の
変動がセンサ22で検出される。

又、第２信号光束８はアライメントマーク６で透過回
折し、ウエハ２面上のアライメントマーク４で結像点で
のスポット位置を第１信号光束と異なる方向に移動せし
めるように反射回折されてセンサ22面上の一点に集光す
る。光束８も光束７同様、入射位置の変動量は軸ずれ量
に対応し、かつ拡大された状態になっている。又光束7,
8の回折方位は入射光側の７゜〜13゜程度が適当であ
る。

このとき、光束7,8の集光するセンサ22の受光面の位
置をウエハ面から18.657mmあるいは受光レンズ21を介し
て、ここと等価な位置とすると、各々のずれ倍率（＝セ
ンサスポット間隔変化／マスク、ウエハのずれ量）の絶
対値が100倍で方向が逆方向に設定でき合成で200倍とな
る。これによりマスク１とウエハ２がｘ方向に0.005μ
ｍずれると、２つの光束の重心位置関係、即ちスポット
間隔が１μｍ変化する。このスポット間隔を検出してマ
スク１とウエハ２との位置ずれを検出する。このとき、
センサ22面のスポット径はアライメントマークのレンズ
としての有効径を200μｍ程度で、光源として0.8μｍ帯
の半導体レーザーを用いたとすると、略々00μｍ程度に
それぞれ設定可能であり、通常の処理技術を用いてこれ
を判定することは可能である。又合致状態に於ける２つ
のスポット間隔は、例えば2mm程度に設定しておくのが
適当である。

次に第３図（Ａ），（Ｂ）に示すリファレンス部材10
1について説明する。

本実施例ではリファレンス部材101は第２物体２であ
るウエハと実質的に一体的に構成されているウエハステ
ージ17面上の一部に固設されている。

第４図は本実施例におけるリファレンス部材101の要
部概略図である。

同図に示すようにリファレンス部材101は４つの画素
（エレメント）102a〜102dより成る例えばピンフォトダ
イオードやCCD等の光電変換手段102と前述した第２物体
２面上の物理光学素子より成るアライメントマーク3,4
と略等価な光学的作用を有する物理光学素子3a,4bとを
有している。

そして第３図（Ａ）に示すようにリファレンス部材10
1をウエハステージ17上に設置し、第２物体２（ウエ
ハ）をウエハステージ17にチャッキングした後は互いに
相対位置関係は変化しないように一体的に設定されてい
る。

又、光電変換手段102と物理光学素子3a及び4aは通常
の半導体プロセスにより作成され、エレクトロンビーム
で作成されるフォトマスクと縮小投影露光装置等の精度
上例えば0.1μｍ程度で相対位置が既知となっている。

今、物理光学素子3a,4aの中心から光電変換手段102の
中心への距離を（，）とする。又、光電変換素子10
2の４つの画素102a〜102dの光電変換効率は通常の手段
で均一化ないし補正が行え、ここでは均一と見なし得る
ものである。

次に本実施例の特長である投光手段と第１物体１との
相対的な位置検出を行う方法について説明する。

まずピックアップ筺体16を移動し、ピックアップ筺体
16からの投射光束がマスク１面上に設けた直線格子100
上の任意の位置に位置するように移動し、この時のピッ
クアップ筺体16の位置座標（x,y）_POを記録する。この
時直線格子100は投射光束に対しピックアップ筺体16の
絶対位置決め精度を加味して充分カバーし得る広い面積
で概ね設定しおく。第５図はこの様子を示す概略図であ
る。

又、直線格子100のピッチはステージ17のｚ方向の位
置決め誤差の影響をなくす為、第１物体１より第２物体
２側へ回折光束が垂直に出射するよう投射光束の入射角
と波長により設定している。

次にウエハステージ17を移動させてリファレンス部材
101面上の略々光電変換手段102上に前記直線格子100か
らの回折光束が入射するよう設定する。ここで光電変換
手段102の画素102a〜102dからの出力信号を各々A,B,C,D
とし（Ａ＋Ｂ）−（Ｃ＋Ｄ）＝０及び（Ａ＋Ｄ）−（Ｃ
＋Ｂ）＝０ないし（Ａ＋Ｃ）−（Ｂ＋Ｄ）＝０となるよ
うにウエハステージ17を移動させてリファレンス部材10
1を設定する。この時のウエハステージ17の座標を（x,
y）_ro′とする。

これより光電変換手段102とピックアップ筺体16との
位置関係を特定している。そしてピックアップ筺体16か
らの投射光束の直線格子100からの回折光にアライメン
トマーク3a及び4aを合わせる為にリファレンス部材101
を載置したウエハステージ17を（x,y）_ro′−（，
）だけ測長機19を参照しながら移動する。このときの
リファレンス部材101の物理光学素子3a,4aの位置座標を
（x,y）_roとする。

以上のようにしてピックアップ筺体16の位置座標（x,
y）_POとリファレンス部材101上の物理光学素子3a,4aの
中心位置座標（x,y）_roの較正が完了する。

次にピックアップ筺体16に設けた測長機を参照し、投
射光束中心が略々アライメントマーク5,6の中心に移動
するようピックアップ筺体16を移動する。このとき同時
にリファレンス部材101を載置したウエハステージ17も
この時のピックアップ筺体16の移動量と同一量及び同一
方向に移動させる。

ここで前述の第１物体１と第２物体２の相対位置ずれ
量検出原理に基づき位置ずれ量Δσを求める。続いてピ
ックアップ筺体16とリファレンス部材101をΔσだけ移
動する。この時アライメントマーク5,6と物理光学素子3
a,4aの相対位置ずれ量は真値０に近づく。再度この相対
位置ずれ検出とピックアップ筺体16とリファレンス部材
101の一体移動を繰り返し行い収斂させることによりア
ライメントマーク5,6と物理光学素子3a,4aの位置合わせ
が完了する。同時にピックアップ筺体16と物理光学素子
3a,4aの位置合わせが完了していることにより、アライ
メントマーク5,6と投射光束の位置合わせが完了したこ
ととなる。

このようにしてピックアップ筺体16を設置した後、第
２物体上のアライメントマーク3,4を略々アライメント
マーク5,6の下に位置するようにウエハステージ17を移
動する。

以下、本実施例では前述の相対位置ずれ検出原理にも
とづき第１物体と第２物体２の位置合わせを行ってい
る。

尚、本実施例では光電変換手段102は便宜上４画素で
説明したが、当然一方向の検出のみを行う必要のときは
検出方向に並んだ２画素の構成でよい。又、光電変換手
段102として通常のTVカメラ等に用いられる多数画素よ
り構成される２次元エリアセンサを用い重心計算等の処
理により投射光束の重心位置を求めても良いし、直接光
点位置情報を出力し得る例えばPSD（ポジションセンシ
ングデバイス）等を用いて行っても良い。

本実施例においてはピックアップ筺体16からの投射光
束を17.5゜の斜入射光とし、第１物体１のアライメント
マーク5,6を透過回折した角度を第１物体に対して垂直
出射する特性として示したが、検出原理より明らかなよ
うに、これらは設計上任意に設定可能である。例えばこ
の特殊例として第１物体１に対し投射光束を垂直に入射
させる系にしても良い。この場合はマスク１面上に設け
た直線格子100はピッチが無限大、即ち無地のパターン
となる。即ち直線格子100を不要とすることができる。

又、便宜上第１物体面１上に直線格子100とアライメ
ントマーク５及び６を設けたものとして説明したが、ピ
ックアップ筺体16の設定手順から明らかなように初めに
第１物体１上に直線格子100のみ存在する形態とし、リ
ファレンス部材101の位置（x,y）_roを求めた後、第１物
体１とは別な被位置合わせ物体（即ち例えば通常のフォ
トマスク）に置き換え、以下同様の手順で両者の位置合
わせを行っても良い。

（発明の効果）本発明によれば第１物体面上に前述したような直線格
子を設け、該直線格子から生ずる所定次数の回折光を第
２物体側に設けたリファレンス部材で検出することによ
り、投光手段と第１物体との位置関係又は投光手段と第
２物体との位置関係を適切に設定することができる為、
後に行う第１物体と第２物体との相対的な位置検出を高
精度に行うことのできる位置検出装置を達成することが
できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の位置検出装置の位置検出の際の原理説
明図、第２図，第３図（Ａ），（Ｂ）は第１図に基づく
本発明の一実施例の要部概略図、第4,第５図は本発明の
一部分の説明図、第６図は従来のレーザから放射される
光束の概略図である。図中、１は第１物体、２は第２物体、3,4,5,6は各々ア
ライメントマーク、100は直線格子、101はリファレンス
部材、L1,L2は光束、7,8は各々信号光束、11は第１検出
部、12は第２検出部、13は光源、14はコリメーターレン
ズ、15はミラー、22はセンサである。

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】第１物体と第２物体とを対向させて相対的
な位置検出を行う位置検出装置において、該第１物体面
上と該第２物体面上に各々形成された物理光学素子のう
ち一方の物体面上の物理光学素子Ａに投光手段から光を
入射させたときに生じる回折光を他方の物体面上の物理
光学素子Ｂに入射させ、該物理光学素子Ｂにより所定面
上に生ずる回折パターンの光束位置を検出手段により検
出することにより、該第１物体と該第２物体との相対的
な位置検出を行うようにするとともに、該他方の物体面
上若しくは該他方の物体と実質的に一体的に構成されて
いる物体面上に該物理光学素子Ｂと等価な光学的作用を
有する物理光学素子BBと、該投光手段からの光束の入射
位置の検出が可能な光電変換手段とを設け、該光電変換
手段と該物理光学素子BBを利用して該投光手段と該物理
光学素子Ａとの位置設定を行うようにしたことを特徴と
する位置検出装置。
【請求項２】前記一方の物体面上に直線格子を設け、前
記投光手段からの光束を該直線格子を介して偏向させた
後、前記光電変換手段に入射させるようにしたことを特
徴とする請求項１記載の位置検出装置。
【請求項３】前記光電変換手段と前記物理光学素子BBは
相対的位置関係が既知の所定の値となるように形成され
ていることを特徴とする請求項２記載の位置検出装置。