CN111356955A - 曝光装置和物品制造方法 - Google Patents

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Abstract

一种曝光装置，包括：投影光学系统，该投影光学系统将曝光光投影到基板上以在基板上形成图案；遮光构件，包括允许由基板反射的光通过的开口；以及光接收元件，接收在由基板反射之后通过开口的光束，其中，根据由光接收元件接收到的光量来执行改变散焦量的聚焦控制。

Description

曝光装置和物品制造方法
技术领域
本发明涉及曝光装置及使用该曝光装置的物品制造方法。
背景技术
曝光装置是已知的，通过该曝光装置，原件(掩模)上的图案通过投影光学系统被转印到感光基板上。近年来，通过这种曝光装置曝光的基板已经变得较大，并且因而，其上具有图案的掩模已经变得较大。随着掩模变得较大，掩模本身的成本和制造掩模所需的时间都增大。这导致制造掩模的较高成本。
作为对此的解决方案，所谓的无掩模曝光装置引起关注，该无掩膜曝光装置能够在不使用其上具有图案的掩模的情况下在基板上形成图案。无掩模曝光装置是使用诸如数字微镜器件(DMD)之类的光学调制器的数字曝光装置。在无掩模曝光装置中，DMD生成与曝光图案对应的曝光光、在基板上曝光与曝光图案对应的图案数据，并且因此在不使用掩模的情况下在基板上形成图案。
专利文献1公开了一种无掩模曝光装置，在该无掩模曝光装置中从激光发射部发射的激光束进入光学调制器的每个调制元件，并且每个调制元件将激光束调制为要么曝光状态要么非曝光状态以执行基于图像数据的图像曝光。
[引文列表]
[专利文献]
PTL 1：日本专利申请公开No.2004-62155
PTL 2：日本专利申请公开No.2011-2512
发明内容
[技术问题]
在无掩模曝光装置中，点光在基板上的强度分布对图案分辨率性能具有重大影响。如果点光的会聚位置在与基板垂直的方向上偏离，那么作为结果的点光在基板上的强度分布的变化可能导致图案分辨率性能的退化。通过改变散焦的聚焦控制提高了图案分辨率性能，该散焦表示点光的会聚位置与基板面之间的位置偏差。
专利文献2公开了使用用于检测散焦的图像处理传感器的聚焦控制方法。图像处理传感器部署在保持基板的保持构件上。在聚焦控制中，由光学调制器反射并透射通过投影光学系统的光被成像在图像处理传感器上，并且调节由光学调制器反射的光束的角度以使得增大形成在图像处理传感器上的光学图像的对比度。
利用专利文献2中公开的聚焦控制方法，可以对相对于基板的保持面的散焦执行聚焦控制。但是，难以对相对于实际发生图案形成的基板的散焦执行聚焦控制。因此，利用专利文献2中公开的聚焦控制方法，可能难以充分地提高聚焦精确度。而且，由于执行基于光学图像的对比度的聚焦控制花费相对长的时间，因此难以实现高速聚焦控制。
本发明的一个目的是提供能够以高速和高精确度在基板上执行聚焦控制的曝光装置。
[问题的解决方法]
根据本发明的曝光装置包括：投影光学系统，被配置成将用于在基板上形成图案的曝光光投影到基板上；遮光构件，具有用于允许由基板反射的光通过的开口；以及光接收元件，被配置成接收在由基板反射之后通过开口的光束；
其中，根据由光接收元件接收到的光量，执行用于改变表示曝光光的会聚位置与基板之间的位置偏差的散焦量的聚焦控制。
[发明的有益效果]
本发明提供了能够以高速和高精确度在基板上执行聚焦控制的曝光装置。
附图说明
图1是示出根据第一实施例的光学系统的配置的图。
图2是示出根据第二实施例的光学系统的配置的图。
图3是示出根据第三实施例的光学系统的配置的图。
图4是示出根据第四实施例的光学系统的配置的图。
图5是示出根据本发明的基板上的扫描曝光的概述的图。
图6是示出散焦量与由光接收元件检测到的光量之间的关系的图。
图7是示出基板的表面高度如何改变的图。
图8是示出根据第一变形例的光学系统的配置的图。
图9是示出根据第一变形例的散焦量与由光接收元件检测到的光量之间的关系的图。
图10是示出第二变形例的光学系统的配置的图。
图11是示出根据第二变形例的散焦量与由光接收元件检测到的光量之间的关系的图。
具体实施方式
现在将参考附图详细描述本发明的实施例。本发明不限于本文中描述的实施例，其仅仅是本发明的说明。本发明的曝光装置适合于用作所谓的无掩模曝光装置，该无掩模曝光装置能够在不使用其上具有图案的掩模的情况下在基板上形成图案。本发明的曝光装置也可以被用作使用其上具有图案的掩模在基板上形成图案的曝光装置。
(第一实施例)
参考图1，将描述根据本实施例的包括照明光学系统IL和投影光学系统PO的曝光装置的配置。
在本实施例中，通过检测由基板PL反射并且穿过包括在投影光学系统PO中的针孔构件的光束的量，检测表示点光的会聚位置与基板PL的面之间的位置偏差的散焦量。通过移动用作遮光构件的针孔构件来执行用于改变检测到的散焦量的聚焦控制。
在根据本实施例的所谓的无掩模类型的曝光装置中，从照明光学系统IL发射的光束进入用作作为光学调制器的光学调制单元的数字微镜器件(下文中被称为DMD)。然后，与曝光图案对应的曝光光由DMD生成并且通过投影光学系统PO被会聚到基板PL上，使得与曝光图案对应的图案数据被曝光在基板上。
例如，使用半导体激光器或发光二极管(LED)作为光源LS。光源的波长取决于施加到基板PL上的光敏抗蚀剂的类型。光源LS的波长通常在约300nm至440nm的范围内。
现在将描述照明光学系统IL的配置。从光源LS发射的光束被光学系统IL1准直并且照亮复眼透镜FE。
图1中所示的复眼透镜FE包括布置在XY平面中的九个透镜单元，该XY平面包含与照明光学系统IL的光轴(Z轴)垂直的X轴和Y轴。九个透镜单元在X轴方向和Y轴方向两者上都布置成三行。复眼透镜FE的透镜单元的数量可以适当地改变。
在光学系统IL2的作用下，复眼透镜FE用其基本上均匀地照亮光学系统IL2的光束在用作DMD的光学调制元件的微镜上被成像。虽然在图1中进入DMD的光束被示为透射通过DMD，但是进入DMD的光束实际上被DMD的每个微镜的反射面反射。
DMD的微镜被二维地布置，并且微镜的反射面的角度可以单独地被改变。这使得能够将照亮每个镜的光调制为要么曝光状态要么非曝光状态。
现在将描述投影光学系统PO的配置。由DMD的微镜反射的光束进入投影光学系统PO的光学系统PO1。光学系统PO1具有将进入光学系统PO1的光束会聚在微透镜阵列MLA上的功能。微透镜阵列MLA包括物镜(field lens)MF和与物镜MF隔开物镜MF的焦距的成像透镜Mi。
由光学系统PO1成像在物镜MF上的光束由成像透镜Mi再成像。在本实施例中，由成像透镜Mi形成图像的点(再成像点)位于成像透镜Mi的内部。通过光学系统PO2，来自再成像点的光束在部署了具有多个开口的针孔构件PH1的另一成像位置处被再成像。针孔构件PH1中的开口与DMD的微镜的各个位置对应。通过针孔构件PH1而直径减小的点光透射通过光学系统PO3以照到基板PL上。
针孔构件PH1例如由金属制成。由于金属具有高的光反射率，因此通过使用金属形成针孔构件PH1来增强针孔构件PH1的遮光性能。针孔构件PH1可以涂覆有电介质膜。
现在将给出如何通过使用针孔构件和光接收元件(下面描述)来执行散焦量检测方法和用于改变散焦量的聚焦控制方法的描述。
首先，将描述使用针孔构件和光接收元件的散焦量检测方法。在本实施例中，用作反射构件的分束器BS1a部署在投影光学系统PO中包括的光学系统PO2与针孔构件PH1之间。由分束器BS1a反射的光束通过成像透镜L1a被成像在光接收元件LR1a上。
如上所述，穿过针孔构件PH1的点光透射通过光学系统PO3并被会聚到基板PL上。会聚在基板PL上的点光被基板PL部分地反射，并穿过光学系统PO3以及针孔构件PH1中的开口，以进入分束器BS1a。进入分束器BS1a的光被分束器BS1a部分地反射，并且通过成像透镜L1a被成像在光接收元件LR1a上。
在本实施例中，基于由光接收元件LR1a接收的光量来估计表示点光的会聚位置与基板PL的面之间的位置偏差的散焦量。针孔构件PH1部署在与基板PL的面光学共轭的平面上。在散焦量小于预定值的对焦状态下，由光接收元件LR1a检测到的光量最大。在散焦量大于或等于预定值的离焦状态下，穿过针孔构件PH1的光束被部分地渐晕并且这减小了由光接收元件LR1a接收的光量。
通过将在对焦状态下由光接收元件LR1a检测到的最大光量用作基准值来估计散焦量。具体而言，通过预先确定由光接收元件LR1a检测到的光量与散焦量之间的关系，可以根据由光接收元件LR1a检测到的光量来估计散焦量。例如，通过将上述关系存储在控制单元CTR中并将由光接收元件LR1a检测到的光量输入到控制单元CTR中，控制单元CTR可以执行用于减小散焦量的聚焦控制。
接下来，将详细描述聚焦控制方法。在本实施例中，通过在投影光学系统PO的光轴的方向上移动作为光学构件的针孔构件PH1来执行聚焦控制。具体而言，在由光接收元件LR1a检测到的光量增大的方向上移动针孔构件PH1。针孔构件PH1的移动量例如由通过上述方法估计的散焦量和光学系统PO3的焦距来确定。
针孔构件PH1由致动器AFD1驱动。针孔构件PH1的移动量从控制单元CTR发送并被输入到致动器AFD1。DMD或微透镜阵列MLA可以被用作在聚焦控制期间被驱动的光学构件。
如上所述，在本实施例中，基于由光接收元件LR1a检测到的光量来执行聚焦控制。由于通过光接收元件LR1a在相对短的时间内检测光量，因此通过执行根据本实施例的聚焦控制来实现高速聚焦控制。通过直接检测在基板PL上的曝光区域中反射的光束来获得由光接收元件LR1a检测到的光量。因此，通过基于由光接收元件LR1a检测到的光量来执行聚焦控制，提高了聚焦控制的精确度。
本实施例假设使用二维地布置了多个光接收部的光接收元件LR1a。光接收元件LR1a的光接收部各自与针孔构件PH1的一个开口和DMD的一个微镜相对应。这使得能够针对基板上被暴露于由DMD的一个镜反射的光束的每个区域进行聚焦控制，并且因此提高聚焦控制的精确度。
当多个光接收部单独地检测光量时，可能花费一些时间来执行聚焦控制。因此，如果在与DMD的一个微镜相对应的曝光区域中基板PL的表面形状的改变量足够小，那么光接收元件LR1a可以仅包括一个光接收部。这进一步减小了聚焦控制所需的时间。
在本实施例中，另一分束器BS1b部署在针孔构件PH1和光学系统PO3之间。由分束器BS1b反射的光束通过成像透镜L1b被成像在光接收元件LR1b上。基于由光接收元件LR1b检测到的光量，根据基板PL的表面反射率的改变来校正由光接收元件LR1a检测到的光量的基准值。
现在将详细描述由光接收元件LR1a检测到的光量的基准值的校正。例如，由于各种抗蚀剂材料可以被施加到基板PL，因此基板PL的表面反射率取决于所施加的抗蚀剂材料的类型而改变。当基板PL的表面反射率改变时，在对焦状态下由光接收元件LR1a检测到的最大光量也改变。在本实施例中，如上所述，通过使用由光接收元件LR1a检测到的最大光量作为基准值来执行聚焦控制。因此，需要根据基板PL的表面反射率的改变来改变基准值。
由基板PL反射的光束到达光接收元件LR1b而不穿过针孔构件PH1。因此，无论散焦量如何，由光接收元件LR1b检测到的光量都几乎不变。即，通过使用由光接收元件LR1b检测到的光量来归一化由光接收元件LR1a检测到的光量，即使当基板PL的表面反射率改变时，也维持聚焦控制的精确度。例如，可以通过使用由光接收元件LR1a检测到的光量与由光接收元件LR1b检测到的光量之间的比率来归一化光接收元件LR1a的检测值。
(第二实施例)
参考图2，将描述根据本发明的第二实施例的曝光装置。在根据第一实施例的曝光装置中，使用阻挡投影光学系统PO的光路的针孔构件PH1来执行散焦量的检测和聚焦控制。在根据第二实施例的曝光装置中，具有多个开口的针孔构件PH2部署在由分束器BS1a反射的光的光路中，该分束器BS1a部署在投影光学系统PO的光路中。在下文中，将描述与第一实施例的不同之处。与第一实施例相同的配置的描述将被省略。
在本实施例中，由分束器BS1a反射的光束被成像透镜L1a会聚到针孔构件PH2上，并且被成像透镜L2成像在光接收元件LR1a上。针孔构件PH2被部署为使得由光接收元件LR1a接收的光量在表示点光的会聚位置与基板PL的面之间的位置偏差的散焦量小于预定值的对焦状态下最大。
与根据第一实施例的曝光装置中一样，控制单元CTR基于由光接收元件LR1检测到的光量来估计散焦量。为了聚焦控制，在本实施例中，微透镜阵列MLA在投影光学系统PO的光轴的方向上移动。具体而言，用于移动微透镜阵列MLA的驱动信号从控制单元CTR被发送到致动器AFD2，该致动器AFD2基于该驱动信号来驱动微透镜阵列MLA。
虽然在本实施例中移动微透镜阵列MLA以进行聚焦控制，但是可以通过移动DMD来执行聚焦控制。不一定需要移动整个微透镜阵列MLA。可以代替地单独地移动成像透镜Mi。
(第三实施例)
参考图3，将描述根据本发明的第三实施例的曝光装置。在上述第二实施例的配置中，具有多个开口的针孔构件PH2部署在由分束器BS1a反射的光的光路中，该分束器BS1a部署在投影光学系统PO的光路中。在本实施例中，具有多个开口的针孔构件PH3部署在由分束器BS3反射的光的光路中，该分束器BS3部署为比投影光学系统PO靠近光源LS。在下文中，将描述与第一实施例和第二实施例的不同之处。与第一实施例和第二实施例相同的配置的描述将被省略。
在本实施例中，由分束器BS3反射的光束被成像透镜L3a会聚到针孔构件PH3上，并且被成像透镜L3b成像在光接收元件LR3上。针孔构件PH3被部署为使得由光接收元件LR3检测到的光量在表示点光的会聚位置与基板PL的面之间的位置偏差的散焦量小于预定值的对焦状态下最大。
与在根据上述第一实施例和第二实施例中任一个的曝光装置中一样，控制单元CTR基于由光接收元件LR3检测到的光量来确定散焦量。为了进行聚焦控制，在本实施例中，DMD在照明光学系统IL和投影光学系统PO的光轴的方向上移动。具体而言，用于移动DMD的驱动信号从控制单元CTR被发送到致动器AFD3，该致动器AFD3基于该驱动信号来驱动DMD。
虽然在本实施例中移动DMD以进行聚焦控制，但是可以通过移动微透镜阵列MLA来执行聚焦控制。
(第四实施例)
参考图4，将描述根据本发明的第四实施例的曝光装置。在本实施例中，与包括照明光学系统IL和投影光学系统PO的曝光单元EU分开地设置光学单元OU。光学单元OU用于检测表示点光的会聚位置与基板PL的面之间的位置偏差的散焦量。曝光单元EU的配置与先前实施例中描述的配置相同，因此在此将不进行描述。
光学单元OU包括光源LSB、成像光学系统LK1、针孔构件PH4以及成像光学系统LK2。从光源LSB发射的光束被成像光学系统LK1会聚到针孔构件PH4上，并且被成像光学系统LK2会聚在基板PL上的位置A处。
分束器BS4a部署在成像光学系统LK1和针孔构件PH4之间。由分束器BS4a反射的光束通过成像透镜L4a被会聚到光接收元件LR4a上。
针孔构件PH4被部署成使得当发生散焦时由光接收元件LR4a检测到的光量减小。在本实施例中，通过与第一实施例中用于检测散焦量的方法相同的方法来检测散焦量。关于由光学单元OU检测到的散焦量的信息被发送到控制单元CTR。基于接收到的信息，控制单元CTR将用于驱动包括在曝光单元EU中的针孔构件PH1的驱动信号发送到致动器AFD1。致动器AFD1通过基于接收到的驱动信号移动针孔构件PH1来执行聚焦控制。
在本实施例中，用于检测散焦量的光学单元OU与用于执行聚焦控制的曝光单元EU分开设置。这增强了曝光处理的吞吐量。
参考图4，将描述其中基板PL在从X轴的正侧到负侧的方向上经受扫描曝光的示例。基板PL上的曝光区域首先穿过光学单元OU的投影区域，然后穿过曝光单元EU的投影区域。即，在基于穿过光学单元OU的投影区域时检测到的散焦量来执行聚焦控制之后，由曝光单元EU执行曝光处理。由于可以在不停止用于聚焦控制的基板PL的情况下执行扫描曝光，因此可以提高聚焦精确度和吞吐量两者。
在图4中，通过移动包括在曝光单元EU中的针孔构件PH1来执行聚焦控制。但是，可以通过移动DMD或微透镜阵列MLA来执行聚焦控制。
(扫描曝光的概述)
图5是示出基板上的扫描曝光的概述的图。DMD包括布置在XY平面中的多个微镜。图5中的每个点表示由DMD的微镜形成的点光。
图5中的Sx和Sy表示在扫描曝光期间基板PL的扫描方向。点光的阵列的方向相对于基板PL的扫描方向倾斜角度α。这种配置使得能够均匀地曝光基板PL。当在Sy方向上扫描基板时，位于Sx-Sy坐标系中Sx＝0处的区域如图5中的黑点所指示的那样被间歇性地曝光多次。图5示出了基板PL上的特定曝光区域如何顺序地被暴露于点光S1、S2、S3、S4和S5。
基于每次曝光时由光接收元件检测到的光量来执行上述聚焦控制。可以基于在利用特定点光Sn照射时由光接收元件检测到的光量来执行用于暴露于点光Sn+1的聚焦控制。可替代地，可以基于在利用多个点光照射时由光接收元件检测到的光量来执行聚焦控制。
例如，可以基于在利用点光Sn至Sn+99中的每个照射时由光接收元件检测到的光量来执行用于暴露于点光Sn+100的聚焦控制。
参考图6，将描述针对扫描基板上的特定区域的扫描曝光中的聚焦控制方法。在图6中，横轴表示散焦量，该散焦量表示点光的会聚位置与基板面之间的位置偏差，并且纵轴表示由光接收元件检测到的光量。将描述根据第一实施例的曝光装置中的聚焦控制方法。
参考图6，(A)表示在聚焦控制开始时由光接收元件检测到的光量和在聚焦控制开始时的散焦量。在(A)阶段，其中点光的会聚位置与基板面之间的位置偏差的方向是未知的，针孔构件PH1朝着光源LS或朝着基板PL被驱动。例如，当针孔构件PH1被移动以使得散焦量在负方向上增大Z1时，如(B)中那样由光接收元件检测到的光量减小。此时，针孔构件PH1的移动方向与由光接收元件检测到的光量的增大/减小之间的关系被识别。因此，在(C)中，在与针孔构件PH1被驱动的从(A)至(B)的方向相反的方向上移动针孔构件PH1。针孔构件PH1被驱动以使得针孔构件PH1从(B)到(C)的移动量是针孔构件PH1从(A)到(B)的移动量的两倍。
因此，通过适当地设定针孔构件PH1的驱动方向，实现了高速聚焦控制。
如图6中所示，在聚焦控制开始时，针孔构件的驱动方向与散焦的增大/减小之间的关系是未知的。因此，在聚焦控制开始时，针孔构件可以在散焦量增大的方向上移动。但是，如图5中所示，无掩模曝光装置执行使基板上的特定曝光区域多次暴露于点光的多次曝光。因此，即使当开始时通过聚焦控制增大散焦量时，这仅影响针对初始阶段的曝光的聚焦控制的精确度，并且不太可能影响基板上的图案形成的精确度。
如图7中所示，基板PL的实际表面高度常常逐渐改变。图7示出了基板PL的表面高度沿着Y轴方向如何改变。例如，Y轴方向上的位置Ys处的区域经受顺序扫描暴露于图5中所示的点光S1、S2、S3、S4和S5。换句话说，例如，对于点光S1，在Ys、Ys+1、Ys+2、…和Ye处的区域被顺序地暴露于点光S1。
高精确度曝光操作需要聚焦控制，该聚焦控制根据基板的表面高度的改变来减小散焦量。但是，如参考图6所描述的，在扫描曝光开始时尚未确定驱动针孔构件PH1以减小散焦量的方向。
因此，在刚开始扫描曝光之后的时段中，可能以不足的聚焦精确度来执行曝光操作。在图7的示例中，用于在位置Ys处暴露于点光S1的聚焦精确度可能不足。但是，如图6中所示，可以通过连续执行聚焦控制来提高聚焦精确度。
具体而言，用于暴露于点光S2的聚焦精确度可以低于用于暴露于点光S1的聚焦精确度。但是，可以使用于暴露于点光S3的聚焦精确度高于用于暴露于点光S1或S2的聚焦精确度。
因此，通过执行使基板PL上的特定区域多次暴露于点光的多次曝光，可以以高精确度进行图案形成。这是因为以不足的聚焦精确度执行的曝光量仅构成多次曝光的总量的一小部分。
(第一变形例)
图8是示出根据第二实施例的曝光装置的第一变形例的图。第一变形例与第二实施例的曝光装置的不同之处在于针孔构件PH2的布置位置。在第一变形例中，针孔构件PH2与成像透镜L1a的会聚面BP隔开预定量。
图9示出了当如上所述部署针孔构件PH2时在对焦状态附近检测到的光量随着散焦量的改变而显著改变。这增强了检测散焦量的精确度，并且因此有助于增强聚焦精确度。
(第二变形例)
图10是示出根据第二实施例的曝光装置的第二变形例的图。在第二变形例中，透射通过成像透镜L1a的光束被分束器BS2划分为透射光束和反射光束。光学布置被配置成使得透射通过分束器BS2的透射光束进一步透射通过针孔构件PH2a和成像透镜L2a并会聚到光接收元件LR2a上。光学布置还被配置成使得由分束器BS2反射的反射光束透射通过针孔构件PH2b和成像透镜L2b并会聚到光接收元件LR2b上。基于来自光接收元件LR2a和光接收元件LR2b的信息，控制单元CTR将驱动信号发送到致动器AFD2。
针孔构件PH2a和针孔构件PH2b被布置为使得它们中的一个部署在成像透镜L1a的会聚面BP的与对应的光接收元件相邻的一侧，而另一个部署在会聚面BP的与对应的光接收元件相对的一侧。针孔构件PH2a和针孔构件PH2b优选地被布置为使得针孔构件PH2a和会聚面BP之间的距离等于针孔构件PH2b和会聚面BP之间的距离。
现在将使用图11描述根据第二变形例的曝光装置中的聚焦控制方法。如上所述，当针孔构件PH2a和针孔构件PH2b各自部署成与会聚面BP偏离时，如图11中的虚线所指示的，在对焦状态下由光接收元件LR2a和光接收元件LR2b中的每个检测到的光量小于最大光量。
由光接收元件LR2a检测到的光量与由光接收元件LR2b检测到的光量之间的差异在图11中由实线指示。参考图11，当在正方向上发生散焦时，检测到的光量的差异为负，而当在负方向上发生散焦时，检测到的光量的差异为正。在对焦状态下，检测到的光量的差异为零。
利用这种配置，可以基于由光接收元件LR2a检测到的光量与由光接收元件LR2b检测到的光量之间的差异是正还是负来确定发生散焦的方向。因此实现高速聚焦控制。
(其它变形例)
可以通过在投影光学系统PO的光轴的方向上驱动基板PL来执行用于改变散焦量的聚焦控制。
(物品制造方法)
根据本发明的实施例的物品制造方法适合于用于制造诸如微器件(例如，半导体器件)或具有微结构的元件之类的物品。本实施例的物品制造方法包括通过使用上述曝光装置在施加到基板上的光致抗蚀剂上形成潜像图案的步骤(基板曝光步骤)和显影在基板曝光步骤中在基板上形成的潜像图案的步骤。这种制造方法还包括已知步骤(例如，氧化、膜沉积、气相沉积、掺杂、平坦化、刻蚀、抗蚀剂去除、切割、接合和封装)。就物品的性能、质量、生产率或生产成本中的至少一项而言，根据本实施例的物品制造方法优于常规方法。
虽然已经描述了本发明的优选实施例，但是本发明显然不限于这些实施例。在本发明的范围内可以做出各种修改和改变。
本发明不限于上述实施例，并且可以在不脱离本发明的精神和范围的情况下进行各种改变和修改。附上所附权利要求以使本发明的范围公开。
本申请要求基于2017年10月24日提交的日本专利申请No.2017-205644和2018年8月2日提交的日本专利申请No.2018-146251的优先权，所述日本专利申请通过引用整体并入本文。

Claims (15)

1.一种曝光装置，包括：
投影光学系统，被配置成将用于在基板上形成图案的曝光光投影到基板上；
遮光构件，具有用于允许由基板反射的光通过的开口；以及
光接收元件，被配置成接收在由基板反射之后通过开口的光束，
其中，根据由光接收元件接收到的光量，执行用于改变表示曝光光的会聚位置与基板之间的位置偏差的散焦量的聚焦控制。
2.根据权利要求1所述的曝光装置，其中，遮光构件在散焦量小于预定量的对焦状态下被部署在与基板光学共轭的平面上。
3.根据权利要求1或2所述的曝光装置，其中，控制单元在投影光学系统的光轴的方向上移动遮光构件。
4.根据权利要求3所述的曝光装置，其中，控制单元移动遮光构件以使得增大由光接收元件接收到的光量。
5.根据权利要求1所述的曝光装置，其中，控制单元在投影光学系统的光轴的方向上移动光学构件，所述光学构件部署在投影光学系统的光路中。
6.根据权利要求5所述的曝光装置，其中，控制单元移动光学构件以使得增大由光接收元件接收到的光量。
7.根据权利要求1所述的曝光装置，还包括反射构件，所述反射构件被配置成反射由基板反射的光，
其中，遮光构件部署在由反射构件反射的光的光路中。
8.根据权利要求7所述的曝光装置，其中，遮光构件在散焦量小于预定量的对焦状态下被部署为与和基板光学共轭的平面偏离。
9.根据权利要求1至8中的任一项所述的曝光装置，其中，遮光构件由金属制成。
10.根据权利要求1至9中的任一项所述的曝光装置，还包括：
光学调制单元，包括多个光学调制元件；以及
照明光学系统，被配置成用光照射光学调制单元，
其中，由光学调制单元反射的光进入投影光学系统。
11.根据权利要求10所述的曝光装置，其中，在聚焦控制下，执行将点光通过投射光学系统投影到基板上的曝光操作，所述点光由照明光学系统形成；以及
针对基板上的特定区域重复曝光操作。
12.一种曝光装置，包括投影光学系统，所述投影光学系统被配置成将用于在基板上形成图案的曝光光投影到基板上，所述曝光装置包括：
第一遮光构件，具有用于允许由基板反射的光通过的开口；
第一光接收元件，被配置成接收在由基板反射之后通过第一遮光构件中的开口的光束；
第二遮光构件，具有用于允许由基板反射的光通过的开口；以及
第二光接收元件，被配置成接收在由基板反射之后通过第二遮光构件中的开口的光束，
其中，第一遮光构件在表示曝光光的会聚位置与基板之间的位置偏差的散焦量小于预定量的对焦状态下被部署为与和基板光学共轭的平面偏离，所述第一遮光构件部署在所述平面的与第一光接收元件相邻的一侧；以及
第二遮光构件在对焦状态下被部署为与和基板光学共轭的平面偏离，所述第二遮光构件部署在所述平面的与第二光接收元件相对的一侧。
13.根据权利要求12所述的曝光装置，其中，根据由第一光接收元件和第二光接收元件接收到的光量来执行用于改变散焦量的聚焦控制。
14.一种曝光装置，包括：
曝光单元，包括投影光学系统和光学构件，所述投影光学系统被配置成将用于在基板上形成图案的曝光光投影到基板上，所述光学构件被配置成改变曝光光的会聚位置；以及
光学单元，包括遮光构件和光接收元件，所述遮光构件具有用于允许由基板反射的光通过的开口，所述光接收元件被配置成接收在由基板反射之后通过遮光构件中的开口的光束，
其中，根据由光接收元件接收到的光量，光学构件在投影光学系统的光轴的方向上被移动。
15.一种物品制造方法，包括：
曝光步骤，通过使用根据权利要求1至14中的任一项所述的曝光装置来曝光基板；以及
显影步骤，对在曝光步骤中曝光的基板进行显影。
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