JP2007173533A - 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】パターンの微細加工ができるだけでなく、低価格な露光装置、露光方法及びデバイス製造方法を提供する。
【解決手段】パターン領域と、当該パターン領域の外側に第１の幅を有して形成された遮光領域とを有するレチクルのパターンを照明光学系によって被露光体に露光する露光方法であって、前記レチクルを照明する範囲を規定する開口を有する視野絞りの当該開口の位置を前記第１の幅の中心位置よりもパターン領域側になるように前記視野絞りを制御する制御ステップと、前記視野絞りを介して、前記レチクルに光を照射する照射ステップとを有することを特徴とする露光方法を提供する。
【選択図】図４

Description

本発明は、露光装置、露光方法及びデバイス製造方法に関する。特には、回路パターンなどのパターンが形成されたレチクルやマスク等の原版を使用する露光装置、露光方法及びデバイス製造方法に関する。

マスク上のＬＳＩパターンをウェハ上に転写するパターン露光技術では、転写できるパターンの微細化だけでなく、露光装置の低価格化が要求されている。一般に、露光処理を行なう際には、レチクル（マスク）の不必要な範囲に露光光が当たらないように、マスキングブレードと呼ばれる遮光板（視野絞り）で光の範囲を制限している。しかし、マスキングブレードで露光領域を制御する際に、設定範囲を描画パターンの範囲と全く同じ大きさに設定すると、マスキングブレードの開口の端部部分のボケ（収差）の影響により、開口の端部近傍の領域では素子の描画精度が低下してしまう。そのため、レチクルのパターン外周の境界領域に遮光領域を設け、遮光領域の幅の１／２だけマスキングブレードを開方向に広げることにより、描画精度の低下を防いでいる（例えば、特許文献１参照のこと）。

しかし、投影レンズの高ＮＡ化に伴い、遮光領域で反射した光がレチクル裏面（裏面とはパターン面と反対の面のことをさす）で反射し、再びレチクルパターン面に戻る場合がある。それにより、投影レンズに入射し悪影響を及ぼす光となり、ウェハ上のパターン転写領域付近を照射し、パターン転写領域付近での線幅の異常を引き起こす原因となる。この現象を図９を用いて説明する。ここで、図９は、遮光領域の中心にマスキングブレードの開口の端部位置を設定した場合のレチクルへの入射光の模式図である。２００はレチクルで、２０１が遮光領域を表しており、遮光領域の幅はＷｓで表されている。２０２はパターン領域で、マスキングブレードの開口の端部位置Ｗｉはパターン領域２０２と遮光領域２０１の境界位置からＷｉ＝Ｗｓ／２の位置に設定されている。マスキングブレードの開口の端部位置に相当する光線ＯＢ１に着目すると、レチクルに入射する光線ＯＢ１が比較的小さい角度θｃ_１の場合には、レチクルパターン面において遮光領域２０１に当たる。その一部が反射され、レチクル裏面へ向かう。そして、その一部がレチクル裏面で再び反射され光線ＯＢ１が遮光領域２０１で遮光される。ところが、レチクルに入射する光線ＯＢ１の角度θｃ_１が角度θｃ_２のように大きな光線ＯＢ２であると、遮光領域２０１で一度反射した後に、レチクル裏面で反射する。そして、再びレチクルパターン面に戻ってきた光線ＯＢ２は、遮光領域２０１の外側へ漏れ出してしまう。光線ＯＢ２は投影光学系に入射し、ウェハ上の転写領域の隣接部に到達するため、これにより隣接部の線幅が太くなったり細くなったりする線幅不良が発生してしまうのである。この現象を回避する対策の１つとして、レチクル裏面に反射防止膜を施す方法があげられている（例えば、特許文献２参照のこと）。
特開２０００−２５２１９３号公報 特開２００５−０３１２８７号公報

しかしながら、特許文献２の方法では、レチクル２００の裏面に反射防止膜を施す必要があるため、レチクルが高価なものになるという課題が発生する。その結果、係るレチクルを使用する露光装置自体の製造原価が高くなる。

この場合、対策の1つとして、遮光領域の幅を十分広くすることが考えられるが、遮光領域を広くしすぎると、1回の露光（１ショット）に必要な領域が大きくなり、ウェハ上におけるデバイスの配列効率が悪くなるため好ましくない。

そこで、本発明は、パターンの微細加工ができるだけでなく、低価格な露光装置、露光方法及びデバイス製造方法を提供する。

本発明の一側面としての露光方法は、パターン領域と、当該パターン領域の外側に第１の幅を有して形成された遮光領域とを有するレチクルのパターンを照明光学系によって被露光体に露光する露光方法であって、前記レチクルを照明する範囲を規定する開口を有する視野絞りの当該開口の位置を前記第１の幅の中心位置よりもパターン領域側になるように前記視野絞りを制御する制御ステップと、前記視野絞りを介して、前記レチクルに光を照射する照射ステップとを有することを特徴とする。

本発明の別の側面としての露光装置は、パターン領域と、当該パターン領域の外側に第１の幅を有して形成された遮光領域とを有するレチクルのパターンを照明光学系によって被露光体に露光する露光装置であって、前記レチクルを照明する範囲を規定する開口を有する視野絞りと、前記開口が前記第１の幅の中心位置よりもパターン領域側になるように前記視野絞りを制御する制御部とを有することを特徴とする。

本発明の別の側面としてのデバイス製造方法は、上記露光方法を用いて前記被露光体を露光する露光ステップと、前記露光された前記被露光体を現像する現像ステップとを有することを特徴とする。

本発明の別の側面としてのデバイス製造方法は、上記露光装置を用いて前記被露光体を露光する露光ステップと、前記露光された前記被露光体を現像する現像ステップとを有することを特徴とする。

本発明は、パターンの微細加工ができるだけでなく、低価格な露光装置、露光方法及びデバイス製造方法を提供することができる。

以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。図１は露光装置１の構成を示すブロック図である。

露光装置１は、ステップ・アンド・スキャン方式でレチクル２０に形成された回路パターンをウェハ４０に露光する投影露光装置である。かかる露光装置１は、サブミクロンやクオーターミクロン以下のリソグラフィー工程に好適である。露光装置１は、図１に示すように、照明装置１０と、レチクル２０を載置する図示しないレチクルステージと、投影光学系３０と、図示しないウェハステージと、フォーカスチルト検出系と、制御部５０とを有する。

照明装置１０は、転写用の回路パターンが形成されたレチクル２０を照明し、光源部１１と、照明光学系１２とを有する。

光源部１１は、例えば、レーザーを使用する。レーザーは、波長約１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザー、波長約２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザーなどを使用することができる。しかしながら、光源の種類はエキシマレーザーに限定されず、例えば、波長約１５７ｎｍのＦ_２レーザーや波長２０ｎｍ以下のＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ）光、さらには３６５ｎｍの光を発光する水銀ランプを使用してもよい。

照明光学系１２は、光源部１１から射出した光束を用いて被照明面を照明する光学系であり、本実施形態では、光束を露光に最適な所定の形状の露光スリットに成形し、レチクル２０を照明する。照明光学系１２は、ビーム整形部１３と、リレー光学系１４と、オプティカルインテグレーター１５と、絞り１６と、コンデンサレンズ１７と、マスキングブレード１８と、結像光学系１９とを有する。照明光学系１２は、軸上光、軸外光を問わずに使用することができる。

ビーム整形部１３は、光源１１からの光を所望の光に整形する。ビーム整形部１３は、光源１１と、後述するリレー光学系１４との間に配置される。

リレー光学系１４は、ビーム整形部１３からの光を後述するオプティカルインテグレーター１５へ伝達する。リレー光学系１４は、ビーム整形部１３と、オプティカルインテグレーター１５との間に配置されている。

オプティカルインテグレーター１５は、ハエの目レンズや２組のシリンドリカルレンズアレイ（又はレンチキュラーレンズ）板を重ねることによって構成されるインテグレーターを含むが、光学ロッドや回折素子に置換される場合もある。

絞り１６は、制約された開口を持ったツバ型、もしくは平らなリング状のであり、オプティカルインテグレーター１５を介した光を制限する。絞り１６は、オプティカルインテグレーター１５と、コンデンサレンズ１７との間に配置される。

コンデンサレンズ１７は、オプティカルインテグレーター１５からの光を後述する結像光学系１９へ集光する。コンデンサレンズ１７は、絞り１６と、後述するマスキングブレード１８との間に配置される。

マスキングブレード（視野絞り）１８は、レチクル２０を照明する範囲を規定する。また、マスキングブレード１８は、後述する制御部５０によって視野を制御されている。つまり、マスキングブレード１８は、図２に示すように、四角形状の開口を有する。ここで、図２は、レチクル２０と、マスキングブレード１８とを示す上面図である。上面から見たマスキングブレード１８と、パターン領域との距離Ｗｉは、後述する遮光領域２１の第１の幅Ｗｓの中心よりもパターン領域２２側になるように開口が形成されている。マスキングブレード１８は、図３に示すように光線ＯＢの後述する遮光領域２１へ入射する光を図４に示すように制限する。ここで、図３及び図４は、レチクル２０内での反射光の様子を示す模式図である。それにより、光線ＯＢの不要光が投影光学系１９に入射することを抑え、ウェハ４０上の転写領域の隣接部に到達することを防ぐ。その結果、隣接部の線幅が太くなったり細くなったりする線幅不良が発生することを防止することができる。尚、マスキングブレード１８の視野の制御方法（露光方法）については、後述する。また、マスキングブレード１８は、後述する遮光領域２１の第１の幅Ｗｓの中心よりもパターン領域２２側になるように開口が予め形成されていれば、制御部５０によって開口サイズを制御しなくてもよい。

更に、マスキングブレード１８は、レチクル２０面と光学的に共役な位置に配置されている。この場合、マスキングブレード１８の配置は、共役な位置でなくとも、その近傍であればよい。また、マスキングブレード１８は、レチクル２０面の直上に配置されてもよい。

結像光学系１９は、マスキングブレード１８を介した光を後述するレチクル２０に結像させる。結像光学系１９は、マスキングブレード１８と、後述するレチクル２０との間に配置される。

レチクル２０は、例えば、石英製で、その上には転写されるべき回路パターンが形成され、レチクルステージに支持及び駆動されている。レチクル２０から発せられた回折光は、投影光学系３０を通り、ウェハ４０上に投影される。レチクル２０とウェハ４０とは、光学的に共役の関係に配置される。レチクル２０とウェハ４０を縮小倍率比の速度比で走査することによりレチクル２０のパターンをウェハ４０上に転写する。レチクル２０は、図３及び図４に示すように、遮光領域２１と、パターン領域２２とから形成されている。遮光領域２１は、不要光を遮光する機能を有し、後述するパターン領域２２の外周に形成される。パターン領域２２は、マスキングブレード１８を介した光によって照明される。また、パターン領域２２には、所望のパターンが形成されている。

レチクルステージは、図示しないレチクルチャックを介してレチクル２０を支持し、図示しない移動機構に接続されている。図示しない移動機構は、リニアモーターなどで構成され、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向、Ｚ軸方向及び各軸の回転方向にレチクルステージを駆動することでレチクル２０を移動させることができる。

投影光学系３０は、物体面からの光束を像面に結像する機能を有し、本実施形態では、レチクル２０に形成されたパターンを経た回折光をウェハ４０上に結像する。投影光学系３０は、複数のレンズ素子のみからなる光学系、複数のレンズ素子と少なくとも一枚の凹面鏡とを有する光学系とを有する光学系等を使用することができる。色収差の補正が必要な場合には、互いに分散値（アッベ値）の異なるガラス材からなる複数のレンズ素子を使用したり、回折光学素子をレンズ素子と逆方向の分散が生じるように構成したりする。

ウェハ４０は、被処理体であり、フォトレジストが基板上に塗布されている。なお、本実施形態では、ウェハ４０は、フォーカスチルト検出系５０が位置を検出する被検出体でもある。ウェハ４０は、別の実施形態では、液晶基板やその他の被処理体に置換される。

ウェハステージは、図示しないウェハチャックによってウェハ４０を支持する。ウェハステージは、レチクルステージと同様に、リニアモーターを利用して、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向、Ｚ軸方向及び各軸の回転方向にウェハ４０を移動させる。また、レチクルステージの位置とウェハステージの位置は、例えば、レーザー干渉計などにより監視され、両者は一定の速度比率で駆動される。ウェハステージは、例えば、ダンパを介して床等の上に支持されるステージ定盤上に設けられる。レチクルステージ及び投影光学系３０は、例えば、床等に載置されたベースフレーム上にダンパを介して支持される図示しない鏡筒定盤上に設けられる。

フォーカスチルト検出系は、本実施形態では、光学的な計測システムを用いて、露光中のウェハ４０の表面位置（Ｚ軸方向）の位置情報を検出する。フォーカスチルト検出系は、ウェハ４０上の複数の計測すべき計測点に光束を入射し、各々の光束を個別のセンサに導き、異なる位置の位置情報（計測結果）から露光する面のチルトを検出する。

制御部５０は、ＣＰＵやメモリを有し、照明装置１０、レチクルステージ、ウェハステージ、フォーカスチルト検出系と電気的に接続され、露光装置１の動作を制御する。また、制御部５０は、マスキングブレード１８を制御し、結像光学系１９に入射する光を制御する。つまり、制御部５０は、図４に示すようにマスキングブレード１８の開口の端部を遮光領域２１の幅Ｗｓの中心位置よりもパターン領域２２側になるような場所Ｗｉに制御する。更に、制御部５０は、遮光領域２１に対するマスキングブレード１８の開口の端部の位置を、照明光学系１２の照明条件に応じて変更してもよい。また、制御部５０は、マスキングブレード１８の開口の端部の位置を、上下左右のそれぞれの位置で設定してもよい。尚、制御部５０の動作としては、後述する本実施例の露光方法５００と共に説明する。

以下、図５を参照して、露光方法５００を説明する。ここで、図５は、本実施形態の露光方法５００を示すフローチャートである。

露光方法５００は、パターン領域２２と、パターン領域２２の外側に第１の幅Ｗｓを有して形成された遮光領域２１とを有するレチクル２０のパターンを照明光学系１０によってウェハ４０に露光する。

まず、レチクル２０を照明する範囲を規定する開口を有するマスキングブレード１８の開口の位置を第１の幅Ｗｓの中心位置よりもパターン領域側になるようにマスキングブレード１８を制御する（ステップ５０２）。尚、ステップ５０２においては、後述する。オプティカルインテグレーター１５を経た光束は、コンデンサレンズ１７によりマスキングブレード１８が配置されている面を重畳的に照明する。そして、レチクル２０をマスキングブレード１８を介して、レチクル２０に光を照射する（ステップ５０４）。この場合、露光装置１は、結像光学系１９を経てレチクル２０を均一に照明している。そして、レチクル２０に入射した光は、投影光学系３０を経て、レチクル２０に形成されたパターンをウェハ４０へと転写する。そして、ステップ・アンド・リピート方式、もしくはステップ・アンド・スキャン方式により逐次転写していく。

以下、ステップ５０２について、詳述する。

図９は、前述したように、従来例におけるレチクル２００への入射光の模式図で、遮光領域２０１の中心にマスキングブレードの開口の端部の位置を設定している場合である。これに対し、図３は、本実施例におけるレチクル２０への入射光の模式図である。従来例の図９との大きな違いは、マスキングブレード１８の設定位置Ｗｉが、レチクル２０の遮光領域２１の幅Ｗｓに対して、Ｗｉ＜Ｗｓ／２となるよう、中心（Ｗｉ＝Ｗｓ／２）よりもパターン領域２２側に設定されている点である。パターン領域２２側に設定することで、図９における光線ＯＢ２と同一の入射角度θｃ_２で入射する光線ＯＢにおいても、一部遮光領域２１で反射したのち、レチクル２０裏面で反射する。それにより、再び、レチクルパターン面側に到達する光線ＯＢの位置が遮光領域２１の位置Ｗｓの内部に留めることが可能になる。位置Ｗｉについては、Ｗｉ＜Ｗｓ／２を満足する範囲で出来る限り小さいことが望ましい。しかしながら、マスキングブレード１８の開口の端部のボケ（結像光学系１９の点像強度分布で製造誤差や設定誤差による広がりも含む）の大きさφ_Bの半分よりは大きくしておくのが望ましい。なぜなら、Ｗｉ＜φ_B／２となると、パターン領域内にマスキングブレード１８の開口の端部のボケが入り込んでしまい、パターン領域２２周辺部における照度が低下し、線幅不良を引き起こすからである。よって、以下の数式１を満足する範囲にマスキングブレード１８の開口の端部の位置Ｗｉを設定するのが望ましいと考えられる。

上述した実施例においては、マスキングブレード１８とレチクル２０との間に結像光学系１９がある場合について説明しているが、図４に示すようにマスキングブレード１８がレチクル２０の直上にある場合でも同じことが言える。マスキングブレード１８がレチクル２０直上にある場合も、マスキングブレード１８がレチクルパターン面からデフォーカスしていることにより、レチクルパターン面上で開口の端部のボケφ_Bが発生する。この開口の端部のボケφ_Bの大きさは、以下の数式２で表される。但し、レチクル２０の厚みをｔ、レチクル２０とマスキングブレード１８との間隔をｄ、レチクル２０の入射側の媒質の屈折率をｎ_１、レチクル２０の屈折率をｎ_２、投影光学系３０の倍率をβ、投影光学系３０の開口数をＮＡとする。また、投影光学系３０の開口数に対する照明光学系１２の開口数の比をσとする。

さらに、φ_Bの外側にＷｆ=２×ｔ×ｔａｎθ´ｃの範囲に渡ってレチクル２０表裏面反射の光が到達する。よって、マスキングブレード１８の設定位置よりも外側にφ_B／２＋Ｗｆの範囲に光が到達する。そのため、マスキングブレード１８を遮光領域２１の中心に設定した場合は、光が漏れないのに必要な遮光領域２１の幅としては、２×（φ_B／２＋Ｗｆ）=φ_B＋２Ｗｆとなる。これに対して、図４のように、マスキングブレード１８の設定位置をボケ量の半分程度になるように設定した場合は（Ｗｉ=φ_B／２）、光が漏れないのに必要な遮光領域２１の幅としては、Ｗｉ＋（φ_B／２）+Ｗｆ=φ_B＋Ｗｆとなる。よって、遮光領域２１の中心にマスキングブレード１８を設定するときよりも遮光領域２１の幅が小さくてすむことになる。また、同じ遮光領域２１の幅の場合においても、より大きい入射ＮＡ光に対して遮光領域２１での遮光上有利になり、隣接部へのフレアを低減することが可能になるのである。

その結果、パターンの微細加工ができるだけでなく、低価格な露光装置、露光方法及びデバイス製造方法を提供することができる。

更に、図６乃至図８を参照して、別の実施例としての第２の実施例を説明する。ここで、図６は、照明形状の別の実施例を示す模式図である。そして、図６（ａ）は、レチクル２０Ａを照明する照明形状が点対称な時における、レチクル２０Ａ上におけるマスキングブレード１８の設定位置２３Ａ（太い点線）と遮光領域２１Ａの様子を示す図である。図６（ｂ）は、その時の照明形状の一例を示す図である。この場合は、図６（ｂ）に示すようにＸ方向とＹ方向とで照明ＮＡが同じである（σｘ＝σｙ）。そのため、レチクル２０Ａ上において、遮光領域２１Ａに対するマスキングブレード１８の設定位置（Ｗｉ（ＸＬ）、Ｗｉ（ＸＲ）、Ｗｉ（ＹＵ）、Ｗｉ（ＹＤ））は、いずれも等しくしておくのが望ましいと考えられる。また、遮光領域２１Ａの幅（Ｗｓ（ＸＬ）、Ｗｓ（ＸＲ）、Ｗｓ（ＹＵ）、Ｗｓ（ＹＤ））も等しくしておくのが望ましいと考えられる。これに対して、図７及び図８は、レチクル２０ｂ及び２０Ｃを照明する照明形状が点対称でなくＸ方向とＹ方向とで異なる場合を示す模式図である。そして、図７（ａ）は、レチクル２０Ｂを照明する照明形状が点対称な時における、レチクル２０Ｂ上におけるブレードの設定位置２３Ｂ（太い点線）と遮光領域２１Ｂの様子を示す図である。図７（ｂ）は、照明形状がX方向に２重極の形状をしている場合である。図８（ａ）は、レチクル２０Ｃを照明する照明形状が点対称な時における、レチクル２０Ｃ上におけるマスキングブレード１８の設定位置２３Ｃ（太い点線）と遮光領域２１Ｃの様子を示す図である。図８（ｂ）は、照明形状がX方向に2重極の形状をしている場合である。この場合は、照明ＮＡを表すσ値がＸ方向とＹ方向とで異なる。そのため、レチクル２０Ｂ及び２０Ｃ上において、マスキングブレード１８の開口の端部のボケはＸ方向とＹ方向とで異なる。また、レチクル２０Ｂ及び２０Ｃの表裏面反射による光の到達範囲もＸ方向とＹ方向とで異なることになる。よって、この場合のマスキングブレード１８の設定位置２３Ｂ及び２３Ｃは、図７（ａ）に示すように、Ｘ方向とＹ方向とで変えることが可能である。尚、図７ではＹ方向のレチクル２０Ｂ及び２０Ｃの表裏面反射による光の到達範囲が小さいので、Ｙ方向のマスキングブレード１８の設定位置Ｗｉ（ＹＵ）、Ｗｉ（ＹＤ）をＸ方向よりも広くしている例を示している。また、図８（ａ）に示すように、遮光領域２１の幅をＹ方向をＸ方向に比べて狭くすることも可能である。すなわち、照明形状に起因するマスキングブレード１８のボケ量及びレチクル２０Ｃの表裏面反射による光の到達位置に応じて、マスキングブレード１８の設定位置や遮光領域の幅を変えることで隣接部へのフレア（迷光）に対し最適な状態を達成することができる。

その結果、パターンの微細加工ができるだけでなく、低価格な露光装置、露光方法及びデバイス製造方法を提供することができる。

次に、図１０及び図１１を参照して、上述の露光装置１を利用したデバイス製造方法の実施例を説明する。図１０は、デバイス（ＩＣやＬＳＩなどの半導体チップ、ＬＣＤ、ＣＣＤ等）の製造を説明するためのフローチャートである。ここでは、半導体チップの製造を例に説明する。ステップ１（回路設計）では、デバイスの回路設計を行う。ステップ２（マスク製作）では、設計した回路パターンを形成したマスクを製作する。ステップ３（ウェハ製造）では、シリコンなどの材料を用いてウェハを製造する。ステップ４（ウェハプロセス）は、前工程と呼ばれ、マスクとウェハを用いてリソグラフィー技術によってウェハ上に実際の回路を形成する。ステップ５（組み立て）は、後工程と呼ばれ、ステップ４によって作成されたウェハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含む。ステップ６（検査）では、ステップ５で作成された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テストなどの検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、それが出荷（ステップ７）される。

図１１は、ステップ４のウェハプロセスの詳細なフローチャートである。ステップ１１（酸化）では、ウェハの表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）では、ウェハの表面に絶縁膜を形成する。ステップ１４（イオン打ち込み）では、ウェハにイオンを打ち込む。ステップ１５（レジスト処理）では、ウェハに感光剤を塗布する。ステップ１６（露光）では、露光装置１によってマスクの回路パターンをウェハに露光する。ステップ１７（現像）では、露光したウェハを現像する。ステップ１８（エッチング）では、現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）では、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行うことによってウェハ上に多重に回路パターンが形成される。本実施形態のデバイス製造方法によれば、従来よりも高品位のデバイスを製造することができる。

以上、本発明の好ましい実施例について説明したが、本発明はこれらの実施例に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。

露光装置の構成を示すブロック図である。 本実施例におけるレチクルとマスキングブレードとを示す上面図である。 本実施例におけるレチクルへの入射光の模式図である。 本実施例におけるレチクルへの入射光の模式図である。 本実施形態の露光方法５００を示すフローチャートである。 図４に示すブレード設定位置とレチクル入射光の別の実施例を示す模式図である。 図４に示すブレード設定位置とレチクル入射光の別の実施例を示す模式図である。 図４に示すブレード設定位置とレチクル入射光の別の実施例を示す模式図である。 従来のブレード設定位置とレチクル入射光を示す模式図である。 デバイス（ＩＣやＬＳＩなどの半導体チップ、ＬＣＤ、ＣＣＤ等）の製造を説明するためのフローチャートである。 ステップ４のウェハプロセスの詳細なフローチャートである。

符号の説明

１ 露光装置
１０ 照明装置
１１ 光源
１２ 照明光学系
１８ マスキングブレード
２０ レチクル
３０ 投影光学系
４０ ウェハ
５０ 制御部

Claims (10)

1. パターン領域と、当該パターン領域の外側に第１の幅を有して形成された遮光領域とを有するレチクルのパターンを照明光学系によって被露光体に露光する露光方法であって、
   前記レチクルを照明する範囲を規定する開口を有する視野絞りの当該開口の位置を前記第１の幅の中心位置よりもパターン領域側になるように前記視野絞りを制御する制御ステップと、
   前記視野絞りを介して、前記レチクルに光を照射する照射ステップとを有することを特徴とする露光方法。
2. 前記照明光学系は、前記視野絞りと前記レチクルとの間に結像光学系を有し、前記視野絞りは、前記レチクル面と光学的に共役な位置に配置されていることを特徴とする請求項１記載の方法。
3. 前記結像光学系による前記視野絞りの前記開口の前記レチクル面上における点像強度分布φ_B、前記遮光領域の前記第１の幅をＷｓ、前記パターン領域と前記遮光領域との境界から前記視野絞りの前記開口の設定位置までの距離をＷｉとした場合、距離Ｗｉは、
   
   を満足する状態に設定されることを特徴とする請求項２記載の露光方法。
4. 前記視野絞りは、前記レチクル面上に配置されていることを特徴とする請求項１記載の露光方法。
5. 前記視野絞りの前記開口の前記レチクル面上におけるボケ量をφ_B、前記遮光領域の前記第１の幅をＷｓ、前記レチクルの厚みをｔ、前記レチクルと前記視野絞りの間隔をｄ、前記レチクル入射前の媒質の屈折率をｎ_１、前記レチクルの屈折率をｎ_２、前記パターン領域と前記遮光領域の境界から前記視野絞りの前記開口の設定位置までの距離をＷｉ、投影光学系の開口数をＮＡ、前記投影光学系の投影倍率をβ、前記投影光学系のＮＡに対する前記照明光学系のＮＡの比をσとした場合、距離Ｗｉは、
   
   
   を満足する状態に設定されることを特徴とする請求項４記載の露光方法。
6. 前記制御ステップは、前記遮光領域に対する前記視野絞りの前記開口の位置を、前記照明光学系の照明条件に応じて変更することを特徴とする請求項１記載の露光方法。
7. 前記制御ステップは、前記視野絞りの前記開口の位置を、上下左右のそれぞれの位置で設定することを特徴とする請求項１記載の露光方法。
8. パターン領域と、当該パターン領域の外側に第１の幅を有して形成された遮光領域とを有するレチクルのパターンを照明光学系によって被露光体に露光する露光装置であって、
   前記レチクルを照明する範囲を規定する開口を有する視野絞りと、
   前記開口が前記第１の幅の中心位置よりもパターン領域側になるように前記視野絞りを制御する制御部とを有することを特徴とする露光装置。
9. 請求項１乃至７のうちいずれか一項記載の露光方法を用いて前記被露光体を露光する露光ステップと、
   前記露光された前記被露光体を現像する現像ステップとを有することを特徴とするデバイス製造方法。
10. 請求項８記載の露光装置を用いて前記被露光体を露光する露光ステップと、
    前記露光された前記被露光体を現像する現像ステップとを有することを特徴とするデバイス製造方法。