JPH08255738A - 露光装置 - Google Patents

露光装置

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JPH08255738A
JPH08255738A JP7057358A JP5735895A JPH08255738A JP H08255738 A JPH08255738 A JP H08255738A JP 7057358 A JP7057358 A JP 7057358A JP 5735895 A JP5735895 A JP 5735895A JP H08255738 A JPH08255738 A JP H08255738A
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exposure
illuminance
illumination
light
wafer
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JP7057358A
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Takechika Nishi
健爾 西
Toshihiko Tsuji
寿彦 辻
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Nikon Corp
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70358Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging

Abstract

(57)【要約】 【目的】 走査露光方式で露光する際に、露光用光源に
供給される駆動電力の設定分解能が低い場合でも、感光
基板上での積算露光量を適正範囲内に収める。 【構成】 水銀ランプ1からの照明光を減光板23、及
び光量絞り10で減光した後、ビームスプリッター31
で分岐してインテグレータセンサ33で受光し、その出
力信号としての照度検出信号S1と、露光量制御系20
からの目標照度信号S2とを電源系22に供給し、電源
系22では2つの信号が等しくなるように所定の分解能
で水銀ランプ1を点灯する。露光量制御系20では、照
度検出信号S1よりウエハW上での照度の誤差Δeを求
め、この誤差Δeに応じてステージ制御系46に対し
て、レチクルR側の走査ステージ42、及びウエハステ
ージ48の走査速度の補正値を供給する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば半導体素子又は
液晶表示素子等をフォトリソグラフィ工程で製造する際
に使用される露光装置に関し、特にマスクと感光性の基
板とを同期して走査することにより、マスク上のパター
ンを逐次その基板上に露光する所謂スリットスキャン方
式、又はステップ・アンド・スキャン方式等の走査露光
型の露光装置に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体素子等を製造する際に、マスクと
してのレチクルのパターンをフォトレジストが塗布され
たウエハ(又はガラスプレート等)の各ショット領域に
転写露光するために使用される露光装置では、一般にウ
エハ上の各ショット領域への露光量をそれぞれ適正範囲
に収めるための照度制御機構が設けられている。斯かる
露光装置における照度制御機構は主に、レチクルの照明
領域内での照度分布のむらを抑制するための照度分布制
御機構と、ウエハ上の各ショット領域への積算露光量を
適正露光量にするための露光量制御機構とに分けられ
る。
【0003】これに関して、従来の露光装置としては主
に、ステップ・アンド・リピート方式でウエハの各ショ
ット領域を露光位置に位置決めした後、それぞれ静止状
態でレチクルのパターンを投影光学系を介して各ショッ
ト領域に転写する一括露光方式の投影露光装置(ステッ
パー等)が使用されていた。一括露光方式では、先ず照
度分布制御は、照明光学系内に設けたオプティカル・イ
ンテグレータ(フライアイレンズ等)を用いて、多数の
光源像からの光束を重畳することにより行われている。
また、一括露光方式では、各ショット領域に静止状態で
露光が行われるため、各ショット領域への積算露光量
は、露光用の照明光を分岐して得られるモニタ用の光束
を実際の露光時間中に連続的に受光し、そのモニタ用の
光束の光電変換信号を積分して得られる信号に予め実験
的に求められている所定の係数を乗算することにより算
出される。
【0004】従って、一括露光方式の投影露光装置用の
露光量制御機構は、そのモニタ用の光束を受光する光電
検出器(インテグレータセンサ)と、このインテグレー
タセンサの検出信号を積分する積分手段と、この積分手
段による積分結果と目標値との差分が小さくなるように
照明光の照度、又は露光時間を制御する制御手段とから
容易に構成することができる。
【0005】また、例えば微細な周期的なパターンに対
する解像度、及び焦点深度を向上させるために、照明系
開口絞りを光軸に対して偏心した複数の開口からなる形
状とする変形光源法(例えば特開平4−225358号
公報参照)、又は照明系開口絞りの形状を輪帯状にする
輪帯照明法等が提案されている。このように照明系開口
絞りの開口の形状が種々に変化した場合でも、そのイン
テグレータセンサの受光面をウエハの表面と実質的に共
役な検出面上に配置することにより、ウエハの表面での
実際の照度が正確にモニタできる。従って、そのインテ
グレータセンサの検出信号を積分して得られる値が所定
の目標値に収束されるように、例えば露光時間を制御す
ることにより、ウエハの各ショット領域での積算露光量
を容易に適正範囲に収めることができる。
【0006】これに対して最近、半導体素子等の1個の
チップパターンが大型化する傾向にあり、投影露光装置
においては、より大きな面積のパターンを効率的にウエ
ハ上に露光するための大面積化が求められている。この
ような大面積化を行うためには、特にディストーション
を全面で所定量以下に収めることが必要となる。そこ
で、広い露光面積の全面でディストーションを小さくす
るために、ウエハ上の各ショット領域を走査開始位置に
ステッピングした後、投影光学系に対してレチクル及び
ウエハを同期して走査することにより、レチクル上のパ
ターンをウエハ上の各ショット領域に逐次露光する所謂
ステップ・アンド・スキャン方式の露光装置が注目され
ている。このステップ・アンド・スキャン方式の投影露
光装置は、従来の等倍の投影光学系を用いて、レチクル
とウエハとを同期して走査することにより、レチクルの
パターンをウエハの全面に逐次露光する所謂スリットス
キャン方式の投影露光装置(アライナー等)を発展させ
たものである。
【0007】そのようなスリットスキャン方式又はステ
ップ・アンド・スキャン方式等の走査露光方式の投影露
光装置の照度制御機構の内で、照度分布制御機構として
は一括露光方式の場合と同じくオプティカル・インテグ
レータが使用されている。但し、オプティカル・インテ
グレータとしてフライアイレンズを使用する場合、最終
段のフライアイレンズの各レンズエレメントの入射面が
レチクルのパターン面と共役となる。また、走査露光方
式ではレチクル上の照明領域は細長い矩形状、又は円弧
状の領域(以下、「スリット状の照明領域」という)で
あるため、照明効率を高めるためには、最終段のフライ
アイレンズを構成する各レンズエレメントの断面形状
は、スリット状の照明領域とほぼ相似の細長い矩形であ
ることが望ましい。
【0008】一方、走査露光方式用の露光量制御機構と
して、一括露光方式用の露光量制御機構をそのまま適用
することは困難である。走査露光方式では、ウエハの各
ショット領域をこれらショット領域の長さより短いスリ
ット状の露光フィールドに対して走査するため、各ショ
ット領域内の積算露光量の制御は、そのスリット状の露
光フィールド内の積算露光量をウエハ上の全ての点で一
定にするように実行される。仮に、ウエハ上の各点での
積算露光量が異なると、各ショット領域内で積算露光量
のむらが生じることになり、これは一括露光方式の露光
装置における照明領域内での照度むらと同様の誤差とな
ってしまう。
【0009】また、一括露光方式では積算露光量を制御
するための1つの方法として、例えばシャッターの開閉
により露光時間の制御が行われるが、走査露光方式では
連続して露光が行われるため、ウエハ上の各点での積算
露光量をシャッターの開閉によって制御することはでき
ない。そこで、走査露光方式では、例えばレチクルとウ
エハとをそれぞれ所定の一定速度で走査することで積算
露光量を制御している。このように走査速度を制御する
方法では、積算露光量を時間的に微調整することは困難
である。従って、走査露光方式では更に、各ショット領
域への露光を行っている間、連続して照度が時間的安定
性を保つように照度制御を行う必要がある。これに関し
て、一括露光方式の場合には、そのように照度を一定に
保つ制御方法として、照明光の照度を常時モニタし、そ
の結果を露光用光源の電源にフィードバックして、その
電源から露光用光源に供給する電力を制御する定照度制
御法が知られている。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、一括露
光方式で使用されている定照度制御法をそのまま走査露
光方式の露光装置に適用しても、ウエハ上の各点での積
算露光量を適正範囲に収めるのが困難である場合があ
る。即ち、露光用光源としては例えば水銀ランプのよう
な放電ランプ、又はエキシマレーザ光源若しくはYAG
レーザの高調波発生装置のようなレーザ光源等が使用さ
れるが、その露光用光源に供給される駆動電力はかなり
大きな値であるため、その駆動電力のみを制御して高い
分解能で、且つ高い応答速度で照明光の照度を調整する
のは困難であるという不都合があった。
【0011】これに関して、一括露光方式であれば、露
光用光源からの照明光の照度が階段状に変化したような
場合でも、それに応じて例えばシャッターを制御して露
光時間を調整するのみで容易に積算露光量を適正範囲内
に収めることができる。しかしながら、走査露光方式で
は、常時露光が行われているため、例えばシャッターを
制御することによって積算露光量を調整するのは困難で
ある。
【0012】本発明は斯かる点に鑑み、露光用の光源に
供給される駆動電力の設定分解能が低い場合でも、感光
性の基板上での積算露光量を適正範囲内に収めることの
できる走査露光型の露光装置を提供することを目的とす
る。
【0013】
【課題を解決するための手段】本発明による露光装置
は、例えば図1及び図7に示すように、露光用の照明光
を発生する露光用光源(1)と、その照明光により転写
用パターンの形成されたマスク(R)上の所定の照明領
域を照明する照明光学系(6,8,9,16,34,3
8,39)と、その所定の照明領域に対してマスク
(R)を所定方向に走査するマスクステージ(42)
と、その所定方向に対応する方向に感光基板(W)を走
査する基板ステージ(48)とを備え、マスク(R)と
感光基板(W)とを同期して走査することにより、感光
基板(W)上にマスク(R)のパターンを逐次露光する
走査露光型の露光装置において、露光用光源(1)と感
光基板(W)との間に配置され、その照明光を可変の割
合で減衰させる照度可変手段(10,11,23,2
4)と、その照明光の露光エネルギーを連続して計測す
る露光量計測手段(31〜33)と、この露光量計測手
段により計測される露光エネルギーが所定の目標値に近
づくように露光用光源(1)の出力及びその照度可変手
段によるその照明光の減衰量を制御する定照度制御手段
(20)と、露光量計測手段(31〜33)により計測
される露光エネルギーとその所定の目標値との差分に応
じてマスクステージ(42)及び基板ステージ(48)
の走査速度を制御するステージ制御手段(46)と、を
有するものである。
【0014】
【作用】斯かる本発明によれば、先ず、定照度制御手段
が、マスク(R)を照明する照明光の照度を所定の目標
値に近づけるように露光用光源(1)に供給される電力
を制御する。この際に、例えばその露光用光源(1)が
安定に発光するときの照明光の照度に比べてその目標値
が低いような場合には、その照度可変手段を介してその
照明光の照度をその目標値近傍まで減衰させる。
【0015】但し、露光用光源(1)に供給される電力
の設定分解能が粗く、且つその照度可変手段で減衰する
割合の分解能も粗いような場合には、これだけでは照明
光の照度は目標値に対して許容範囲内に収まらないこと
がある。また、照度が目標値である場合の基板ステージ
(48)の走査速度をVW0、感光基板(W)上での露光
領域の走査方向への幅をDとすると、感光基板(W)上
の各点での露光時間T 0 はL/VW0となる。従って、照
度の目標値をe0 とすると、適正積算露光量ΣE0 は次
のようになる。
【0016】ΣE0 =e0・D/VW0 ここで、照度が目標値からΔeだけ変化したとすると、
基板ステージ(48)の走査速度を次式を満たすように
ΔVW だけ変化させることにより、適正積算露光量P0
を得ることができる。
【0017】 ΣE0 =(e0+Δe)・D/(VW0+ΔVW) 即ち、速度の補正値ΔVW は、次のようになる。当然な
がら、これに対応するようにマスクステージ(42)の
走査速度も変化する必要がある。
【0018】 ΔVW =(e0+Δe)・D/ΣE0 −VW0 そこで、照度の誤差が許容範囲を超えているときには、
更にステージ制御手段(46)を介してマスクステージ
(42)及び基板ステージ(48)の走査速度を制御す
ることにより、感光基板(W)上の各点での積算露光量
を適正範囲内に収めることができる。
【0019】
【実施例】以下、本発明による露光装置の一実施例につ
き図面を参照して説明する。本実施例は、ステップ・ア
ンド・スキャン方式の投影露光装置に本発明を適用した
ものである。図1は、本実施例の投影露光装置を示し、
この図1において、水銀ランプ1からの照明光は楕円鏡
2によって集光される。その集光点近傍にシャッター制
御機構5により開閉されるシャッター4が配置され、シ
ャッター4が開状態の場合、その照明光はミラー3及び
インプットレンズ6を介してほぼ平行光束に変換された
後、視野絞り7に達する。視野絞り7の直後に、出し入
れ自在に減光板23が配置され、減光板23により視野
絞り7を通過する照明光の光量を所定範囲内で段階的、
又は連続的に変化させることができるようになってい
る。
【0020】減光板23は、例えば反射型ハーフミラー
を複数個切り換え自在に配置したものであり、各ハーフ
ミラーの光軸に対する傾きがそれぞれ全体としての透過
率を所定の透過率にするように設定されている。そし
て、駆動モータを含む減光板駆動機構24で、減光板2
3をステップ移動させることにより、照明光の光量が調
整される。本実施例では、ウエハWに対する露光量の制
御を行うのは露光量制御系20であり、露光量制御系2
0が減光板駆動機構24の動作を制御すると共に、シャ
ッター制御機構5の動作をも制御する。更に、露光量制
御系20は、水銀ランプ1用の電源系22を介して、水
銀ランプ1に供給される電力を制御する。
【0021】視野絞り7の開口を通過した後、減光板2
4によって光量が調整された照明光は、第1リレーレン
ズ8を経て2段のフライアイレンズ群の内の第1フライ
アイレンズ9に入射する。第1フライアイレンズ9によ
る複数の光源像からの照明光は、第2リレーレンズ12
Aを介して第2フライアイレンズ14に導かれる。本例
では、第1フライアイレンズ9の射出面、即ち光源像の
形成面の近傍に光量絞り10が配置され、光量絞り10
の開口の大きさは光量絞り駆動機構11によって任意の
大きさに調整できるようになっている。光量絞り駆動機
構11の動作も露光量制御系20により制御される。本
例ではその光量絞り10の開口の大きさを調整すること
により、第1フライアイレンズ9から第2フライアイレ
ンズ14に向かう照明光の光量を連続的に調整できる。
【0022】図2(a)は、光量絞り10の一例を示
し、図2(a)において、光量絞り10は虹彩絞りより
構成されている。この場合、例えばその虹彩絞りの周囲
のレバーを動かすことにより、図2(b)に示すよう
に、その虹彩絞りのほぼ円形の開口の大きさが連続的に
調整できるようになっている。図1に戻り、近年、照明
光学系の開口数(N.A.)を絞る、即ち照明光学系の開口
数の投影光学系の開口数に対する比の値であるコヒーレ
ンスファクタ(σ値)を小さくすることにより、所定の
パターンに対する焦点深度を向上させる技術が開発され
ている。このようにσ値を小さくするときには、レチク
ルを照明する照明光の照度が減少する。本例ではそのよ
うな照明光の照度の減少を防止する手段として、第2フ
ライアイレンズ14の入射面での照明領域の大きさを調
整する調整機構が設けられている。
【0023】その調整機構は、第2リレーレンズ12A
と、この第2リレーレンズ12Aより屈折力の大きな別
の第2リレーレンズ12Bと、それら2つの第2リレー
レンズ12A,12Bを切り換える交換機構13とから
構成され、本例の投影露光装置全体の動作を統括制御す
る主制御系19によりその交換機構13の動作が制御さ
れる。そして、通常のσ値で照明を行うときには、交換
機構13を介して第1フライアイレンズ9と第2フライ
アイレンズ14との間に一方の第2リレーレンズ12A
が配置され、これにより第2フライアイレンズ14の入
射面のほぼ全面が照明光により照明される。一方、σ値
を小さくして(照明光学系の開口数を絞って)照明を行
うときには、交換機構13を介して第1フライアイレン
ズ9と第2フライアイレンズ14との間に他方の第2リ
レーレンズ12Bが配置され、これにより第2フライア
イレンズ14の入射面の中央部が部分的に照明光で照明
される。従って、σ値を小さくしたときには、第2フラ
イアイレンズ14の段階での照明光の照度が高くなるた
め、σ値の如何に拘らず、レチクル及びウエハ上での照
明光の照度がほぼ一定に維持される。
【0024】なお、本例の調整機構は、切り換え方式で
あるが、その調整機構を第1フライアイレンズ9と第2
フライアイレンズ14との間に配置されるズームレンズ
系と、このズームレンズ系の変倍を行う変倍機構とから
構成してもよい。このようにズームレンズ系を使用する
ことにより、第2フライアイレンズ14の入射面での照
明視野の大きさを連続的に変化させることができる。従
って、σ値を連続的に変化させたような場合でも、常に
レチクル及びウエハ上での照度を高く維持できる利点が
ある。
【0025】次に、本例の第2フライアイレンズ14
は、それぞれモザイク状にレンズエレメントが密着して
配置された片面が平面状の2個のレンズ束14a及び1
4bを、それぞれの平面部が対向するように近接して配
置したものである。そこで、以下では第2フライアイレ
ンズ14を「モザイク型フライアイレンズ14」と呼
ぶ。
【0026】図3(a)は本例のモザイク型フライアイ
レンズ14の側面図であり、この図3(a)において、
照明光学系の光軸AX1に沿ってそれぞれの平面部FB
及びFCが間隔δで対向するように配置された2個のレ
ンズ束14a及び14bよりモザイク型フライアイレン
ズ14が構成されている。この場合、光源側の第1のレ
ンズ束14aを構成する各レンズエレメントはそれぞれ
入射面FA側で屈折力を有し、レチクル側の第2のレン
ズ束14bを構成する各レンズエレメントはそれぞれ射
出面FD側で屈折力を有する。
【0027】更に、第1のレンズ束14aに光源側から
入射する平行光束は、第2のレンズ束14bの射出面F
D上に集光され、逆に第2のレンズ束14bにレチクル
側から入射する平行光束は、第1のレンズ束14aの入
射面FA上に集光されるように、各レンズエレメントの
屈折力が定められている。即ち、第2のレンズ束14b
の射出面FDは、モザイク型フライアイレンズ14の焦
点面となっており、その射出面FDに多数の光源像が形
成される。従って、レンズ束14a及び14bは、2つ
が組み合わされて初めて1個のフライアイレンズとして
作用する。なお、図3(a)〜(c)に示すモザイク型
フライアイレンズ14の2つのレンズ束14a,14b
を構成するレンズエレメントの個数は一例であり、実際
には必要とされる照度分布の均一性の要求精度に応じて
そのレンズエレメントの個数が決定される。
【0028】図3(b)は、図3(a)のAA線に沿っ
て第1のレンズ束14aを示す正面図、図3(c)は図
3(a)のCC線に沿って第2のレンズ束14bを示す
正面図であり、図3(a)及び図3(c)において、本
例の投影露光装置の走査露光時のレチクルの走査方向に
対応する方向をX1方向として、その走査方向に垂直な
非走査方向に対応する方向をY1方向としている。
【0029】この場合、図3(b)に示すように、第1
のレンズ束14aは、X1方向の幅dxでY1方向の幅
dy(dy>dx)の細長い矩形の断面形状を有するレ
ンズエレメント61を、それぞれY1方向に密着して配
列することにより、第1行62A、第2行62B、第3
行62C、…の各行のレンズ群を構成し、且つ奇数番目
の第1行62A、第3行62C、…のレンズ群と、偶数
番目の第2行62B、第4行62D、…のレンズ群とを
Y1方向にレンズエレメントの幅dyの1/2だけずら
して構成されている。
【0030】本例では図3(a)において、モザイク型
フライアイレンズ14の入射面、即ち第1のレンズ束1
4aの入射面FAがレチクルのパターン面と共役であ
り、その第1のレンズ束14aを構成するレンズエレメ
ント61の断面形状が、レチクル上のスリット状の照明
領域と相似であるときに最も照明効率が高くなる。そこ
で、レンズエレメント61の断面形状のX1方向の幅d
xと、Y1方向の幅dyとの比の値は、レチクル上のス
リット状の照明領域の走査方向の幅と、非走査方向の幅
との比の値にほぼ等しく設定されている。そのため、レ
ンズエレメント61の断面は、非走査方向に対応するY
1方向に細長い矩形となっている。一例として、dx:
dy=1:3程度に設定される。
【0031】また、図3(c)に示すように、第2のレ
ンズ束14bは、X1方向の幅ex(=2・dx)でY
1方向の幅ey(=dy/2)のほぼ正方形に近い断面
形状を有するレンズエレメント65を、それぞれX1方
向に密着して配列することにより、第1列66A、第2
列66B、第3列66C、…の各列のレンズ群を構成
し、且つ奇数番目の第1列66A、第3列66C、…の
レンズ群と、偶数番目の第2列66B、第4列66D、
…のレンズ群とをX1方向にレンズエレメントの幅ex
の1/2だけずらして構成されている。因みに、第1の
レンズ束14aのレンズエレメント61の断面形状につ
いて、dx:dy=1:3程度である場合、第2のレン
ズ束14bのレンズエレメント65の断面形状につい
て、ex:ey=2:1.5=4:3程度となり、レン
ズエレメント65の断面形状はほぼ正方形状となる。
【0032】このような配置において、更に第1のレン
ズ束14aの或るレンズエレメントの中心と第2のレン
ズ束14bの或るレンズエレメントの中心とをX1方
向、及びY1方向に関して合わせておく。これにより、
第1のレンズ束14aを構成する全てのレンズエレメン
ト61の中心63と、第2のレンズ束14bを構成する
全てのレンズエレメント65の中心67とが、X1方向
及びY1方向に関して同じ位置に配列されている。
【0033】このようにモザイク型フライアイレンズ1
4を2つのレンズ束14a,14bに分けた場合の作用
効果につき説明するに、本例のモザイク型フライアイレ
ンズ14は、2段目のフライアイレンズであり、この2
段目のフライアイレンズの射出面に形成される個々の光
源像は、図1の1段目のフライアイレンズ9の射出面上
で光量絞り10の開口内に形成される多数の光源像の像
である。即ち、モザイク型フライアイレンズ14の射出
面に形成される個々の光源像は、多数の微小な光源像を
例えば円形の領域内に一様に分布させたものとなる。
【0034】従って、このモザイク型フライアイレンズ
14の射出面に形成される光源像を、図3(b)に示す
ように第1のレンズ束14aの端面に射影して得られる
光源像は、各レンズエレメント61の中心63を中心と
する円形の領域64内に微小な光源像を分布させたもの
となる。その円形の領域64は、図2に示す光量絞り1
0の開口の形状と相似である。ところが、本例の第1の
レンズ束14aの各レンズエレメント61の断面形状は
細長い矩形であるため、特にその光量絞り10の開口を
大きく設定すると、その円形の領域64が各レンズエレ
メント61の端面からはみ出してしまう。従って、モザ
イク型フライアイレンズ14の代わりに、そのレンズエ
レメント61と同じ断面形状のレンズエレメントを束ね
たフライアイレンズを使用すると、射出面で光源像のケ
ラレが生じて照明効率が低下してしまう。
【0035】これに対して、本例では第1のレンズ束1
4aの直後に、図3(c)に示すように、それぞれほぼ
正方形の断面形状を有するレンズエレメント65からな
る第2のレンズ束14bが配置され、各レンズエレメン
ト65の中心67を中心とする円形の領域64内に分布
するような光源像が形成される。この場合、レンズエレ
メント65の断面形状は正方形に近いため、図2の光量
絞り10の開口を大きく設定したときでも、その円形の
領域64はほぼそのレンズエレメント65の断面内に収
まっている。従って、モザイク型フライアイレンズ14
の射出面に形成される多数の光源像のケラレが少なくな
り、照明効率が改善されている。そして、モザイク型フ
ライアイレンズ14の射出面に形成される多数の光源像
からの照明光で重畳的に照明を行うことにより、レチク
ル及びウエハ上での照度分布の均一性は極めて高くなっ
ている。
【0036】また、図1において、モザイク型フライア
イレンズ14のレチクル側の第2のレンズ束14bに
は、このレンズ束14bを光軸AX1に垂直な方向にシ
フトさせると共に、このレンズ束14bのアオリ角(傾
斜角)を所定範囲内で調整する調整機構15が取り付け
られている。本例では、調整機構15を介してレンズ束
14bのシフト量、及びアオリ角を調整することによ
り、照明光学系におけるテレセントリック性のずれ量の
補正を行う。例えば、水銀ランプ1の交換時、又は照明
条件の切り換え時(通常照明と変形光源との切り換え
等)に、主制御系19が調整機構15の動作を制御する
ことにより、自動的にそのテレセントリック性の補正が
行われるようになっている。
【0037】さて、図1において、モザイク型フライア
イレンズ14の射出面の近傍に複数種類の照明系開口絞
りが配置された照明系開口絞り板16が設置されてい
る。図4は、その照明系開口絞り板16を示し、この図
4において、照明系開口絞り板16上にはほぼ等角度間
隔で、通常の円形開口よりなる開口絞り18A、小さな
円形開口よりなりコヒーレンスファクタであるσ値を小
さくするための開口絞り18B、輪帯照明用の輪帯状の
開口絞り18C、及び変形光源法用に複数の開口を偏心
させて配置してなる変形開口絞り18Dが配置されてい
る。その照明系開口絞り板16を回転させることによ
り、4個の開口絞りの内の所望の開口絞りを選択でき
る。
【0038】図1に戻り、主制御系19が、駆動モータ
よりなる照明系用絞り駆動機構17を介して、照明系開
口絞り板16の回転角を制御する。モザイク型フライア
イレンズ14から射出された後、照明系開口絞り板16
中から選択された開口絞りを通過した照明光ILは、透
過率が98%程度のビームスプリッター31に入射す
る。そして、ビームスプリッター31を透過した照明光
が、第1リレーレンズ34を経て2枚の可動ブレード3
5A及び35Bを有する可動ブラインド(可変視野絞
り)に至る。以下、その可動ブラインドを「可動ブライ
ンド35A,35B」と呼ぶ。可動ブラインド35A,
35Bの配置面は、モザイク型フライアイレンズ14の
射出面のフーリエ変換面となっている。即ち、可動ブラ
インド35A,35Bの配置面は、後述のレチクルRの
パターン形成面と共役であり、可動ブラインド35A,
35Bの近傍に、開口形状が固定された固定ブラインド
37が配置されている。
【0039】固定ブラインド37は、例えば4個のナイ
フエッジにより矩形の開口を囲んだ機械的な視野絞りで
あり、その矩形の開口によりレチクルR上でのスリット
状の照明領域の形状が規定される。即ち、可動ブライン
ド35A,35B、及び固定ブラインド37により制限
された照明光ILが、第2リレーレンズ38、コンデン
サーレンズ39、及びミラー40を介してレチクルR上
のスリット状の照明領域41を均一な照度分布で照明す
る。
【0040】この場合、固定ブラインド37の配置面
は、レチクルRのパターン形成面の共役面から僅かにデ
フォーカスされているため、スリット状の照明領域41
の輪郭部の照度分布が所定の勾配をもって変化する。ま
た、可動ブラインド35A,35Bは、走査露光の開始
時及び終了時にスリット状の照明領域がレチクルR上の
露光すべきでない領域にかかるのを防止する役割を果た
す。そのため、可動ブレード35A及び35Bは、それ
ぞれスライド機構36A及び36Bにより開閉できるよ
うに支持されている。スライド機構36A及び36Bが
可動ブラインド駆動機構を構成し、可動ブラインド駆動
機構の動作はステージ制御系46により制御される。
【0041】レチクルR上の照明領域41内のパターン
の像が、投影光学系PLを介して投影倍率β(βは例え
ば1/4、又は1/5等)でウエハW上のスリット状の
露光フィールド47に投影される。ここで、投影光学系
PLの光軸に平行にZ軸を取り、Z軸に垂直な平面内で
走査露光時のレチクルR及びウエハWの走査方向に平行
にX軸を取り、Z軸に垂直な平面内でX軸に垂直な方向
(非走査方向)にY軸を取る。本例では、レチクルR
は、X方向に摺動自在な走査ステージ42を介してレチ
クルベース43上に保持され、ウエハWは、ウエハWを
X方向に走査すると共にY方向に位置決めするウエハス
テージ48上に保持されている。ウエハステージ48に
は、ウエハWをZ方向に位置決めするZステージ等も組
み込まれている。
【0042】走査ステージ42及びウエハステージ48
よりステージ駆動機構が構成され、このステージ駆動機
構の動作がステージ制御系46により制御されている。
走査露光時にはステージ制御系46は、走査ステージ4
2を介して照明領域41に対して+X方向(又は−X方
向)に所定速度VR でレチクルRを走査するのと同期し
て、ウエハステージ48を介してウエハW上の所定のシ
ョット領域を露光フィールド47に対して−X方向(又
は+X方向)に速度VW(=β・VR)で走査する。これに
より、そのショット領域上にレチクルRのパターンが逐
次転写露光される。また、ステージ制御系46は、走査
露光中にスライド機構36A及び36Bを介して、可動
ブラインド35A,35Bの位置を制御する。この場合
の制御方法につき図6を参照して説明する。
【0043】先ず、走査露光の開始直後には、図6
(a)に示すように、レチクルRのパターン領域87を
囲む遮光帯88に対して、図1の固定ブラインド37の
開口部の像37Rが外側に出ている。そこで、不要な部
分への露光を避けるため、図1の可動ブレード35Bの
位置を移動させて、可動ブラインド35A,35Bの像
35Rの一方のエッジ部35Raを遮光帯88内に入れ
ておく。その後、図6(b)に示すように、固定ブライ
ンド37の像37Rが走査方向にパターン領域87内に
収まっているときには、可動ブラインド35A,35B
の像35Rをその像37Rを囲むように設定する。そし
て、走査露光の終了時に、図6(c)に示すように、遮
光帯88に対して、固定ブラインド37の像37Rが外
側に出るときには、図1の可動ブレード35Aの位置を
移動させて、可動ブラインド35A,35Bの像35R
の他方のエッジ部35Rbを遮光帯88内に入れてお
く。このような動作により、レチクルR上のスリット状
の照明領域41が遮光帯88の外側に出ることが防止さ
れ、ウエハW上への不要なパターンの露光が防止され
る。
【0044】また、図1において、ウエハステージ48
上のウエハWの近傍に、ウエハWの露光面と同じ高さの
受光面を有する光電検出器よりなる照度むらセンサ49
が設置され、照度むらセンサ49から出力される検出信
号が主制御系19に供給されている。更に、ウエハステ
ージ48上にレチクルアライメント等を行う際に使用さ
れる基準マーク板50が設けられ、この基準マーク板5
0上に開口パターンよりなる基準マーク50aが形成さ
れ、レチクルR上にも対応するようにアライメントマー
クが形成されている。例えばレチクルRを交換したとき
には、基準マーク板50を投影光学系PLの有効露光フ
ィールド内に移動させ、基準マーク板50の基準マーク
50aを底面側から光源51により照明光ILと同じ波
長帯の照明光により照明する。この照明光のもとで、レ
チクルRの上方のミラー45を介してレチクルアライメ
ント顕微鏡44により、基準マーク50a及びレチクル
R上のアライメントマークの像を観察する。そして、こ
の観察結果に基づいて基準マーク板50に対するレチク
ルRの位置合わせを行う。
【0045】更に、基準マーク板50上にはフォーカス
・キャリブレーション用の基準マークも形成され、この
基準マークの底部に検出系が配置されている。図5
(a)はそのフォーカス・キャリブレーション用の基準
マーク、及び検出系を示し、この図5(a)において、
基準マーク板50上の遮光膜中に例えば十字型の開口パ
ターンよりなる基準マーク50bが形成され、この基準
マーク50bの底部に検出系54が配置されている。こ
の基準マーク50bを用いて、次のように投影光学系P
Lの結像面の位置が求められる。即ち、その検出系54
において、光ファイバ81を介してウエハステージ48
の内部に図1の照明光ILと同じ波長帯の照明光を導
き、この照明光によりコリメータレンズ82、ハーフミ
ラー83、及び集光レンズ84を介して基準マーク50
bを底面側から照明する。この基準マーク50bを通過
した照明光が、投影光学系PLを介してレチクルRのパ
ターン形成面に基準マーク50bの像を結像し、このパ
ターン形成面からの反射光が投影光学系PLを介して基
準マーク50bに戻る。そして、基準マーク50bを通
過した照明光が、検出系54内で集光レンズ84、ハー
フミラー83、及び集光レンズ85を経て光電検出器8
6に入射する。
【0046】光電検出器86の検出信号(光電変換信
号)S6は、図1の主制御系19に供給される。この場
合、ウエハステージ48内のZステージを駆動して、基
準マーク50bのZ方向の位置を変化させると、図5
(b)に示すように、検出信号S6は基準マーク50b
のZ座標が投影光学系PLの結像面の位置に合致すると
きにピークとなるように変化する。従って、検出信号S
6の変化より、投影光学系PLの結像面の位置を求める
ことができ、それ以後はその位置にウエハWの露光面を
設定することにより、良好な状態で露光が行われる。従
って、その基準マーク板50の基準マーク50bを用い
ることにより、投影光学系PLの結像面の位置のキャリ
ブレーション(フォーカス・キャリブレーション)が行
われる。
【0047】図1に戻り、透過率が98%程度のビーム
スプリッター31で反射された漏れ光が、集光レンズ3
2を介して光電検出器よりなるインテグレータセンサ3
3の受光面に集光されている。インテグレータセンサ3
3の受光面は、レチクルRのパターン形成面、及びウエ
ハWの露光面と共役であり、インテグレータセンサ33
の検出信号(光電変換信号)が露光量制御系20、及び
電源系22に供給されている。
【0048】また、照明系開口絞り板16を回転させ
て、図4の輪帯照明用の開口絞り18C、又は変形開口
絞り18Dを2段目のフライアイレンズ14の射出面に
設定した場合に、インテグレータセンサ33の受光面は
露光面と共役であるため、インテグレータセンサ33へ
の照明光の入射角が大きくなり、入射角による感度誤差
が発生することがある。このような感度誤差を軽減する
ためには、例えばインテグレータセンサ33の受光面の
直前(又は露光面との共役面)に光束を拡散する拡散板
を配置して、これにより拡散された光束をインテグレー
タセンサ33で受光すればよい。
【0049】露光量制御系20にはメモリ21が接続さ
れ、メモリ21内にインテグレータセンサ33の出力信
号からウエハW上での露光エネルギーを求めるための変
換係数等が格納されている。本実施例では、例えばイン
テグレータセンサ33の出力信号は、所定の基準照度計
を用いて較正され、この較正結果に基づいてインテグレ
ータセンサ33の出力信号を補正するための補正係数も
メモリ21内に記憶されている。
【0050】インテグレータセンサ33の受光面はレチ
クルのパターン面と共役な位置に配置されているため、
照明系開口絞り板16を回転させて照明系開口絞りの形
状を変えた場合でも、インテグレータセンサ33の検出
信号に誤差が生じないようにしている。但し、インテグ
レータセンサ33の受光面を、投影光学系PLにおける
レチクルのパターンのフーリエ変換面(瞳面)と実質的
に共役な観察面に配置して、この観察面を通過する全光
束を受光できるようにしても構わない。
【0051】更に本例では、透過率が98%程度のビー
ムスプリッター31に関してインテグレータセンサ33
と反対側に、集光レンズ52、及び光電検出器よりなる
ウエハ反射率モニタ53が設置され、集光レンズ52に
よりウエハ反射率モニタ53の受光面はウエハWの表面
とほぼ共役となっている。この場合、レチクルRを透過
して投影光学系PLを介してウエハW上に照射される照
明光の内で、ウエハWでの反射光が、投影光学系PL、
レチクルR等を介してウエハ反射率モニタ53で受光さ
れ、この検出信号(光電変換信号)が主制御系19に供
給される。主制御系19では、レチクルR側に照射され
る照明光ILの光量、及びウエハ反射率モニタ53の検
出信号から算出されるウエハWでの反射光の光量に基づ
いて、投影光学系PLを通過する照明光の光量(パワ
ー)を求める。更に、このように求められた光量に露光
時間を乗じて得られる熱エネルギーに基づいて、主制御
系19は投影光学系PLの熱膨張量を予測し、この予測
された熱膨張量に依る投影光学系PLのディストーショ
ン等の結像特性の変化量を求める。そして、主制御系1
9は、投影光学系PLに接続された不図示の結像特性補
正機構を介して、投影光学系PLの結像特性を元の状態
に補正する。
【0052】次に、本例の照度制御機構の内の露光量制
御機構につき詳細に説明する。図7は、図1から抽出し
た本例の露光量制御機構を示し、この図7において、イ
ンテグレータセンサ33からの検出信号である照度検出
信号S1が露光量制御系20及び水銀ランプ1用の電源
系22に供給されている。露光量制御系20では、所定
の高いサンプリング周波数で内部のD/A変換器を介し
てその照度検出信号S1を取り込んでいる。露光量制御
系20には主制御系19から、ウエハWに対する目標積
算露光量の情報も供給され、更に、メモリ21に既に述
べたように、照度検出信号S1の値からウエハW上での
実際の露光量(単位時間当りの露光エネルギー)を求め
るための換算係数等が記憶されており、露光量制御系2
0では、照度検出信号S1よりウエハW上での露光量を
認識できるようになっている。
【0053】露光量制御系20では、走査露光の開始前
にその目標積算露光量を得るための条件を設定する。こ
のため、図7において、水銀ランプ1の出力パワーを
p、減光板23での透過率をq1 、光量絞り10での透
過率をq2 とすると、照明系開口絞りの形状に応じて変
化する係数kを用いて、ウエハW上での単位面積当りの
露光量(照度)eは次のように表される。
【0054】 e=k・p・q1・q2 (1) また、ウエハW上でのスリット状の露光領域47の走査
方向の幅をDとして、ウエハステージ48の走査露光時
のX方向への走査速度をVW とすると、ウエハW上での
積算露光量ΣEは、(1)式を用いて次のようになる。
【0055】 ΣE=e・(D/VW)=k・p・q1・q2・(D/VW) (2) この場合、露光領域47の走査方向の幅Dが固定されて
いるものとすると、積算露光量ΣEが、所定の目標積算
露光量(ウエハW上のフォトレジストの感度)ΣE0
なるように制御するには、水銀ランプ1の出力パワー
p、減光板23での透過率q1 、光量絞り10での透過
率q2 、又はウエハステージ48の走査速度VW の何れ
か、又はこれらの内の複数個を同時に調整すればよい。
そこで、図7において、積算露光量ΣEを、所定の目標
積算露光量ΣE0 に収束させるために、露光量制御系2
0は、電源系22に水銀ランプ1の目標出力パワーに対
応する目標照度信号S2を供給し、図1の減光板駆動機
構24を介して減光板23の透過率q1 を設定し、交換
機構11を介して光量絞り10での透過率q2 を設定
し、ステージ制御系46を介してウエハステージ48の
走査速度VW を設定する。この場合、投影光学系PLの
レチクルRからウエハWへの投影倍率をβとすると、レ
チクルステージ42の走査速度VR は−VW /βとな
る。
【0056】また、露光量制御系20では、走査露光中
に、例えば高速にサンプリングされる照度検出信号S1
の所定の複数個の計測値の平均値に基づいて、ウエハW
上での実際の露光量を算出し、この算出結果が目標とな
る露光量になるように目標照度信号S2の値を補正す
る。このようにインテグレータセンサ33の検出結果に
基づいて、ウエハW上での照度が一定になるように水銀
ランプ1の発光パワーを制御するモードを、定照度制御
モードと呼ぶ。
【0057】次に、本例では差動増幅器77、及びパワ
ー増幅器78より電源系22が構成され、差動増幅器7
7の非反転入力部、及び反転入力部にそれぞれ目標照度
信号S2、及びインテグレータセンサ33からの照度検
出信号S1が供給されている。差動増幅器77では、照
度検出信号S1が目標照度信号S2になるように所定の
ゲインで光源駆動信号S3を生成する。その光源駆動信
号S3は、パワー増幅器78で増幅され、パワー増幅器
78から出力される駆動電力(電圧)により水銀ランプ
1が点灯される。その水銀ランプ1の発光パワーに応じ
た光電変換信号がインテグレータセンサ33から出力さ
れる。
【0058】上述のように本例では、走査露光中に定照
度制御モードで露光量制御が行われるが、電源系22か
ら水銀ランプに供給される電力の設定分解能が粗いため
に、実際に計測される照度が目標値から外れることがあ
る。具体的に、図7の減光板23、及び光量絞り10を
用いた機械的な減光システムで、水銀ランプ1からの照
明光の照度を制御する際の透過率q1・q2 の範囲は%表
示で100〜20%であり、その透過率q1・q2 の設定
分解能は±5%程度である。そこで、露光量制御系20
は、先ず水銀ランプ1の出力パワーpを例えば定格出力
パワーより僅かに低い初期値p0 に設定した後、その機
械的な減光システムを介して、(1)式で表されるウエ
ハ上での照度eを所定の目標照度e0 に最も近い値に設
定する。この目標照度e0 は、ウエハステージ48の走
査速度VW を所定の初期値VW0に設定した場合に(2)
式が目標積算露光量ΣE0 と合致するように定められて
いる。従って、次式が成立している。
【0059】 ΣE0 =e0・(D/VW0) (3) その後、電源系22ではインテグレータセンサ33から
の照度検出信号S1が目標照度信号S2になるように水
銀ランプ1を点灯するが、この場合のウエハW上での照
度の制御範囲は100〜70%であり、その照度の制御
分解能は0.1%程度である。従って、露光量制御系2
0がインテグレータセンサ33からの照度検出信号S1
よりウエハW上での照度eを算出し、その照度が目標照
度e0 となるように目標照度信号S2のレベルを調整し
ても、実際に計測される照度eは目標照度e0 に対して
0.1%程度の誤差Δeを有する。この誤差Δeを、本
例ではレチクルR側の走査ステージ42、及びウエハW
側のウエハステージ48の走査速度を調整することによ
り補正する。
【0060】即ち、露光量制御系20では、照度の目標
値に対する誤差がΔeである場合、ウエハステージ48
の走査速度を初期値VW0から次式を満たすようにΔVW
だけ変化させるように、ステージ制御系46での設定速
度を補正する。
【0061】 ΣE0 =(e0+Δe)・D/(VW0+ΔVW) (4) 従って、速度の補正値ΔVW は、次のようになる。当然
ながら、これに対応するようにレチクル側の走査ステー
ジ42の走査速度VR も調整される。
【0062】 ΔVW =(e0+Δe)・D/ΣE0 −VW0 (5) 即ち、本例では定照度制御モードで露光量制御を行って
も、照度eに誤差Δeが残っている場合には、照度をそ
れ以上変えることなく走査ステージ42、及びウエハス
テージ48の走査速度を調整することにより、積算露光
量ΣEを目標積算露光量ΣE0 に設定するものである。
【0063】次に、本例で走査露光方式で露光を行う場
合の露光量制御動作の一例につき図8〜図11を参照し
て説明する。先ず、図1において、主制御系19がウエ
ハW上での目標積算露光量の情報を露光量制御系20に
供給し、これに応じて露光量制御系20が水銀ランプ1
での出力パワー、及び減光板23における透過率等を設
定する。そして、電源系22にはその出力パワーで水銀
ランプ1を発光させるための目標照度信号S2(図7参
照)が供給される。その後、露光量制御系20はシャッ
ター制御機構5を介してシャッター4を開ける。但し、
この状態では可動ブラインド35A,35Bが閉じてい
るため、ウエハWへの露光は行われない。
【0064】その後、主制御系19は、ステージ制御系
46を介してレチクルR及びウエハWの走査を開始し、
レチクルR及びウエハWの走査速度がそれぞれ所定の目
標走査速度に達した後、可動ブラインド35A,35B
の動作が制御されてレチクルRのパターン像が逐次ウエ
ハW上の露光対象のショット領域上に露光される。図8
は、この際に水銀ランプ1への供給電力と発生される照
明光の照度との予め求められている関係を用いて、水銀
ランプ1を定電力で駆動したときに、即ち図7で水銀ラ
ンプ1に所定の一定電力を供給した状態での、インテグ
レータセンサ33から出力される照度検出信号S1(図
7参照)の変化の一例を示す。この図8において、その
一定電力で得られると推定される照度に対応する目標照
度信号S2(図7参照)のレベルを0として、照度検出
信号S1が表されている。この状態では、照度検出信号
S1は次第に目標値からドリフトしている。それを避け
るために、図7の差動増幅器77を動作させる。
【0065】この場合、先ず露光量制御系20では、そ
の照度検出信号S1を順次高い周波数でサンプリングし
て得られる複数個の信号の平均値からウエハW上での照
度を逐次算出し、その照度が目標照度から外れていると
きには、目標照度信号S2のレベルを補正する。これに
より、定照度制御モードで露光が行われる。このとき、
図7の電源系22の差動増幅器77における目標照度信
号S2と照度検出信号S1との差分(S2−S1)は、
図9に示すようになり、差動増幅器77からはその差分
を0にするように光源駆動信号S3が生成され、これに
応じてパワー増幅器78から水銀ランプ1に駆動電力が
供給される。
【0066】しかしながら、その光源駆動信号S3の設
定分解能は比較的粗く(例えば0.1%程度)、且つ差
動増幅器77及びパワー増幅器78では所定の応答速度
を有するため、例えば図10(a)に示すように露光量
制御系20からの目標照度信号S2を時間tに対して線
形に増加させたとしても、その光源駆動信号S3の目標
値は、図10(b)に示すように揺らぎながら階段状に
変化する信号となる。なお、図10(a)及び(b)に
おいては、目標照度信号S2の所定の基準値及びこれに
対応する光源駆動信号S3の値をそれぞれ0として、そ
の基準値からの偏差として照度検出信号S1、及び光源
駆動信号S3を表している。
【0067】図10(b)に示すように、光源駆動信号
S3の目標値が階段状に変化するのは、図7で差動増幅
器77から出力される光源駆動信号S3の設定分解能が
粗いためである。即ち、その光源駆動信号S3の実際の
値も図10(c)に示すように、階段状にデジタル的な
指令値として変化している。従って、図9の差分(S2
−S1)に対して図7の差動増幅器77から出力される
光源駆動信号S3は、図11(a)に示すようにデジタ
ル信号的に変化する。この結果として、インテグレータ
センサ33で検出される照度検出信号S1は、図11
(b)に示すように大きな揺らぎ成分は軽減されている
が、応答速度が低いために高周波の揺らぎ成分が残って
いる。更に、光源駆動信号S3の分解能が悪いために、
その照度検出信号S1は目標照度信号S2(=0とす
る)に対してオフセットΔSを持っている。そのオフセ
ットΔSは、ウエハW上では照度の誤差Δeとなる。そ
こで、本例では、(5)式を満たすように、ウエハステ
ージ48の走査速度をΔVW だけ変化させる。これによ
り、走査露光後にウエハW上の各点で積算露光量が適正
範囲内に収まるようになる。
【0068】この場合、照度の誤差Δeは目標値の0.
1%程度であるため、走査速度の変化量も0.1%程度
であり、露光時間は殆ど同じである。従って、露光工程
のスループット(単位時間当りのウエハの処理枚数)は
殆ど低下しない。なお、上述実施例では、定照度制御モ
ードで露光量の制御を行っても照度の誤差Δeが残った
場合に、レチクル側のステージ、及びウエハステージの
走査速度を調整して積算露光量を制御している。それ以
外に、例えば露光用光源を定電力制御モードで点灯して
いる際にも、照度の誤差Δeを検出し、それに応じてそ
れらステージの走査速度を調整するようにしてもよい。
【0069】更に、上述実施例では露光用光源として水
銀ランプが使用されているが、露光用光源としてキセノ
ンランプのような放電ランプ、又はエキシマレーザ光源
等を使用する場合で、且つ駆動電力の設定分解能が粗い
場合には、本発明を適用することにより、ウエハ上での
積算露光量を適正範囲内に収めることができる。このよ
うに本発明は上述実施例に限定されず、本発明の要旨を
逸脱しない範囲で種々の構成を取り得る。
【0070】
【発明の効果】本発明によれば、露光用光源及び照度可
変手段により設定される露光エネルギーが所定の目標値
からずれているときには、そのずれ分に対応して積算露
光量が適正範囲内に収まるようにマスクステージ、及び
基板ステージの走査速度を調整している。従って、走査
露光方式で露光を行う際に、露光用の光源に供給される
駆動電力の設定分解能が低い場合でも、感光性の基板上
での積算露光量を適正範囲内に容易に収めることができ
る利点がある。
【0071】また、走査速度の調整量は僅かであるた
め、露光時間は殆ど同じであり、スループットが殆ど低
下しない利点もある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例の走査露光型の投影露光装置
を示す一部を切り欠いた構成図である。
【図2】実施例で使用される光量絞り10の一例を示す
図である。
【図3】(a)は図1のモザイク型フライアイレンズ
(第2フライアイレンズ)14を示す拡大側面図、
(b)は図3(a)のBB線に沿う正面図、(c)は図
3(a)のCC線に沿う正面図である。
【図4】図1の照明系開口絞り板16上に配置される複
数の照明系開口絞りを示す図である。
【図5】(a)はフォーカス・キャリブレーションを行
うための機構を示す要部の図、(b)は図5(a)の機
構により得られる検出信号の波形図である。
【図6】実施例で走査露光を行う場合の可動ブラインド
35A,35Bの動作の説明に供給する図である。
【図7】図1の露光量制御機構を示すブロック図であ
る。
【図8】光源に供給する電力を一定としたときに、イン
テグレータセンサを介して得られる照度検出信号S1の
一例を示す波形図である。
【図9】図8の場合における目標照度信号S2と照度検
出信号S1との差分(S2−S1)、即ち光源駆動信号
S3の目標値を示す波形図である。
【図10】(a)は、時間tに対して線形に変化する目
標照度信号S2を示す波形図、(b)は、目標照度信号
S2を図10(a)のように変化させて定照度制御モー
ドで露光量の制御を行う場合の光源駆動信号S3の目標
値を示す波形図、(c)はその際の実際の光源駆動信号
S3を示す波形図である。
【図11】(a)は、差分(S2−S1)が図9に示す
ように変化する場合に出力される光源駆動信号S3を示
す波形図、(b)は図11(a)の波形に対応して得ら
れる照度検出信号S1を示す波形図である。
【符号の説明】
R レチクル PL 投影光学系 W ウエハ 1 水銀ランプ 4 シャッター 23 減光板 9 第1フライアイレンズ 10 光量絞り 12A,12B 第2リレーレンズ 14 モザイク型フライアイレンズ(第2フライアイレ
ンズ) 16 照明系開口絞り板 19 主制御系 20 露光量制御系 22 電源系 33 インテグレータセンサ 37 固定ブラインド 42 レチクルステージ 48 ウエハステージ

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 露光用の照明光を発生する露光用光源
    と、前記照明光により転写用パターンの形成されたマス
    ク上の所定の照明領域を照明する照明光学系と、前記所
    定の照明領域に対して前記マスクを所定方向に走査する
    マスクステージと、前記所定方向に対応する方向に感光
    基板を走査する基板ステージとを備え、前記マスクと前
    記感光基板とを同期して走査することにより、前記感光
    基板上に前記マスクのパターンを逐次露光する走査露光
    型の露光装置において、 前記露光用光源と前記感光基板との間に配置され、前記
    照明光を可変の割合で減衰させる照度可変手段と、 前記照明光の露光エネルギーを連続して計測する露光量
    計測手段と、 該露光量計測手段により計測される露光エネルギーが所
    定の目標値に近づくように前記露光用光源の出力及び前
    記照度可変手段による前記照明光の減衰量を制御する定
    照度制御手段と、 前記露光量計測手段により計測される露光エネルギーと
    前記所定の目標値との差分に応じて前記マスクステージ
    及び前記基板ステージの走査速度を制御するステージ制
    御手段と、を有することを特徴とする露光装置。
JP7057358A 1995-03-16 1995-03-16 露光装置 Withdrawn JPH08255738A (ja)

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US10/191,327 US20030081191A1 (en) 1995-03-16 2002-07-10 Exposure apparatus and method

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6643061B2 (en) 1997-08-29 2003-11-04 Olympus Optical Co., Ltd. Microscope transmitted-illumination apparatus
JP2007173533A (ja) * 2005-12-22 2007-07-05 Canon Inc 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法

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