JP2004289119A - 迷放射を決定する方法、リソグラフィ投影装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本方法は、投影システムの像面と一致する検出器開口を検出器に設けるステップと、投影ビーム強度に従って基準パラメータの測定を行うステップと、投影システムで形成された孤立特徴の像の迷放射パラメータの測定を行うステップと、測定された迷放射パラメータおよび基準パラメータに基づいて投影システムの迷放射条件を表す係数を計算するステップとを備え、最初に、前記特徴の形を前記投影システムの倍率だけ縮小し、続いて、縮小された形の縁を構成する各線要素を、その線要素に対して垂直な方向に少なくともλ/NAの距離を超えて各線要素自体に平行に移動させることによって、さらに、検出器開口が孤立特徴の像の内側に位置付けされる位置付けステップを含むことによって、前記検出器開口の範囲が、画定された観念上の形の範囲内にすっぽり入る。
【選択図】図1
Description
−波長λの放射を含む放射の投影ビームを供給するステップと、
−特徴を含むパターンに従って投影ビームをパターン形成するステップと、
−パターン形成されたビームを像面に投影して、前記特徴の像を作るステップとを備える。
−放射の前記投影ビームを供給する放射システムと、
−所望のパターンに従って投影ビームをパターン形成するように使用されるパターン形成手段を支持するための支持構造と、
−基板を保持するための基板テーブルと、
−パターン形成されたビームを倍率Mで基板の目標部分に投影するための投影システムとを備える。
−マスク。マスクの概念は、リソグラフィではよく知られており、様々な混成マスクの種類はもちろんのこと、2進位相シフト、交番位相シフトおよび減衰位相シフトのようなマスクの種類を含む。そのようなマスクを放射ビーム内に配置することで、マスクのパターン応じて、マスクに当たる放射の選択的な透過(透過マスクの場合)または反射(反射マスクの場合)が起こる。マスクの場合、支持構造は一般にマスク・テーブルであり、このマスク・テーブルによって、マスクを入射放射ビーム内の所望の位置に確実に保持することができるようになり、さらに、望むならば、マスクをビームに対して移動させることができるようになる。
−プログラム可能ミラー・アレイ。そのようなデバイスの一例は、粘弾性制御層および反射表面を有するマトリック・アドレス指定可能表面である。そのような装置の基本原理は、(たとえば)反射表面のアドレス指定された領域は入射光を回折光として反射するが、アドレス指定されない領域は入射光を非回折光として反射することである。適切なフィルタを使用して、前記の非回折光を反射ビームからフィルタ除去して、後に回折光だけを残すことができる。このようにして、マトリックス・アドレス指定可能表面のアドレス指定パターンに従って、ビームはパターン形成されるようになる。プログラム可能ミラー・アレイの他の実施例では、小さなミラーのマトリックス配列が使用される。この小さなミラーの各々は、適切な局部電界を加えることで、または圧電作動手段を使用することで、軸のまわりに個々に傾斜させることができる。再び、アドレス指定されたミラーが、アドレス指定されないミラーに対して異なる方向に入射放射ビームを反射するように、ミラーをマトリックス・アドレス指定することができる。このようにして、反射ビームは、マトリックス・アドレス指定可能ミラーのアドレス指定パターンに応じてパターン形成される。必要なマトリックス・アドレス指定は、適切な電子的手段を使用して行うことができる。上記の両方の状況で、パターン形成手段は1つまたは複数のプログラム可能ミラー・アレイを含むことができる。そのようなミラー・アレイについて、たとえば、米国特許第5,296,891号および米国特許第5,523,193号、およびPCT特許出願WO98/38597およびWO98/33096からより多くの情報を収集することができる。これらの特許および特許出願は、参照して本明細書に組み込む。プログラム可能ミラー・アレイの場合、前記の支持構造は、たとえば、フレームまたはテーブルとして具体化することができ、それらは、必要に応じて、固定するか、可動にすることができる。
−プログラム可能LCDアレイ。そのような構造の実施例は、米国特許第5,229,872号に与えられている。この特許は、参照して本明細書に組み込む。上記のように、この場合の支持構造は、たとえば、フレームまたはテーブルとして具体化することができ、それらは、必要に応じて、固定するか、可動にすることができる。
−検出器開口を有する検出器を、投影ビームが通過する経路中に配置するステップと、
−検出器開口を、像面と実質的に一致する位置に位置付けし、それによって、少なくともλ/NAの距離を越えた前記検出器開口の観念上の拡張によって得られる拡張された領域が前記特徴の像によって覆われるステップと、
−検出された放射強度を測定するステップと、
−測定された放射強度に基づいて、投影システムの迷放射条件を表す係数を計算するステップと、をさらに備えることを特徴とする。
−波長λを有する放射を含む放射の投影ビームを供給するステップと、
−複数の特徴を含むパターンに従って投影ビームをパターン形成するステップと、
−前記パターン形成されたビームを像面に投影して、前記複数の特徴の像を作るステップとを備え、さらに、
−投影ビームが通過する経路に検出器を配置するステップであって、前記検出器が、前記複数の特徴と対応した複数の透過領域を含む検出器開口を有するものであるステップと、
−検出器開口を、像面と実質的に一致している位置に位置付けし、前記複数の特徴の像が、少なくともλ/NAの距離を越えた前記複数の透過領域の観念上の拡張によって得られる検出器開口の対応する複数のより拡張された領域を覆うステップと、
−検出された放射強度を測定するステップと、
−測定された放射強度およびパターンの無い状態の像面の放射強度を表す基準信号に基づいて、投影システムの迷放射条件を表す係数を計算するステップとを備えることを特徴とする方法。
−波長λの放射を含む放射の投影ビームを供給する放射システムと、
−所望のパターンに従って投影ビームをパターン形成するように使用されるパターン形成手段を支持するための支持構造と、
−基板を保持するための基板テーブルと、
−パターン形成されたビームを基板の目標部分に投影して、パターンの像を作るための、開口数NAの投影システムとを備え、さらに、
−前記パターンの1つまたは複数の特徴の像と対応した1つまたは複数の透過領域を含む検出器開口を備える検出器であって、前記1つまたは複数の特徴の像が、少なくともλ/NAの距離を越えた前記1つまたは複数の透過領域の観念上の拡張で得られる検出器開口の1つまたは複数の拡張された領域と実質的に一致するものである検出器と、
−迷放射を表すパラメータを格納するためのメモリ手段、および投影システムの迷放射条件を計算するためのプロセッサ手段とを備えることを特徴とする。
図1は、本発明の特定の実施例に従ったリソグラフィ投影装置を模式図化して示す。本装置は、
−この特別な場合には放射源LAも備える、放射(たとえば、248nm、193nm、または157nmの波長で動作するエキシマ・レーザ、または13.6nmで動作するレーザ起動プラズマ源で生成されるようなUV放射)の投影ビームPBを供給するための放射システムEx、ILと、
−マスクMA(たとえば、レチクル)を保持するためのマスク・ホルダを備え、さらに要素PLに対してマスクを正確に位置付けするための第1の位置付け手段PMに接続された第1の物体テーブル(マスク・テーブル)MTと、
−基板W(たとえば、レジスト被覆シリコン・ウェーハ)を保持するための基板ホルダを備え、さらに要素PLに対して基板を正確に位置付けするための第2の位置付け手段PWに接続された第2の物体テーブル(基板テーブル)WTと、
−マスクMAの照射部分の像を基板Wの目標部分C(たとえば、1つまたは複数のダイを含む)に形成するための投影システム(「レンズ」)PL(たとえば、石英および/またはCaF2レンズ・システム、または、そのような材料で作られたレンズ要素を備えるカタディオプトリック・システム、またはミラー群)とを備える。
1.ステップ・モードでは、マスク・テーブルMTは基本的に静止したままであり、全マスク像が一括して(すなわち、単一「フラッシュ」で)目標部分Cに投影される。次に、異なる目標部分CがビームPBで照射されるように、基板テーブルWTがxおよび/またはy方向に移動される。
2.走査モードでは、基本的に同じシナリオが当てはまるが、ただ、特定の目標部分Cが単一「フラッシュ」で露光されないことが異なる。代わりに、マスク・テーブルMTが、特定の方向(いわゆる「走査方向」、たとえば、y方向)に速度vで移動可能であり、その結果、投影ビームPBはマスク像全体を走査することができるようになる。これと並行して、基板テーブルWTが、速度V=Mvで、同じ方向または反対方向に同時に移動する。ここで、MはレンズPLの拡大率である(一般に、M=1/4または1/5)。このようにして、分解能で妥協する必要なく、比較的大きな目標部分Cを露光することができる。
「実施例2」
「実施例3」
I2=I21+Isr2[0μm、無限大]。
同様に、位置60で、検出放射強度I1(信号S1として与えられる)は、前記の観念上の強度I21と、範囲R1=[0、(1/2)×(SI−SD)μm]の迷放射による寄与Isr1[0μm、(1/2)×(SI−SD)μm]との和である。すなわち、
I1=I21+Isr1[0μm、(1/2)×(SI−SD)μm]。
強度I2とI1の差は、次式で与えられる
I2−I1=Isr2[0μm、無限大]−Isr1[0μm、(1/2)×(SI−SD)μm]。
この差は、範囲R=[(1/2)×(SI−SD)μm、無限大]の迷放射の目安である。基準パラメータS2で規格化すると、迷放射条件を表す係数が得られる。したがって、本方法のこの実施例では、範囲R=[(1/2)×(SI−SD)μm、無限大]の迷放射を表す迷放射係数Coは、式Co=(S2−S1)/S2に従って得られる。代替方法は、実施例1で述べたのと同じ迷放射係数を測定することである。
「実施例4」
IL 照明システム
PB ビーム
NA 開口数
MA マスク
PL レンズ
WT 基板テーブル
PM 第1の位置付け手段
λ 波長
10、11 領域
30 像
40、50 縁
20、33 辺
60、61 位置
70 列
S1 迷放射パラメータ
S2 検出器信号
Claims (11)
- 開口数NAの投影システムを備えるリソグラフィ投影装置を使用して、迷放射条件を決定する方法であって、
−波長λの放射を含む放射の投影ビームを供給するステップと、
−特徴を含むパターンに従って前記投影ビームをパターン形成するステップと、
−前記パターン形成されたビームを像面に投影して、前記特徴の像を作るステップとを備え、さらに、
−検出器開口を有する検出器を、前記投影ビームが通過する経路に配置するステップと、
−前記検出器開口を、前記像面と実質的に一致する位置に位置付けし、それによって、少なくともλ/NAの距離を越えた前記検出器開口の観念上の拡張によって得られる拡張された領域が前記特徴の像によって覆われるステップと、
−検出された放射強度を測定するステップと、
−前記測定された放射強度に基づいて、前記投影システムの迷放射条件を表す係数を計算するステップとを備えることを特徴とする方法。 - 前記投影システムの迷放射条件を表す係数の計算が、さらに、パターンの無い状態の像面の放射強度を表す基準信号に基づいている、請求項1に記載の方法。
- 前記特徴が孤立領域であり、前記孤立領域が、前記孤立領域を含むパターンの領域と対称をなす、請求項1または請求項2に記載の方法。
- 前記特徴の像の形が、前記拡張された領域の形に一致し、前記位置決めステップが、さらに前記検出器開口を前記孤立領域と角度的に位置合せするための位置合せステップを含む、請求項3に記載の方法。
- 前記位置合せステップが、さらに、前記検出器開口を、前記孤立領域の像に対して横方向で中心に位置付けするための中心位置付けステップを含む、請求項4に記載の方法。
- 前記孤立領域が、実質的に正方形の領域である、請求項3から請求項5までのいずれかに記載の方法。
- 前記パターンが、複数の孤立領域を含んで、対応する複数の迷放射パラメータを測定する、請求項1から請求項6までのいずれかに記載の方法。
- 前記パターンが、複数の実質的に正方形の孤立領域を含んで、対応する複数の迷放射パラメータを測定する、請求項7に記載の方法。
- 開口数NAの投影システムを備えるリソグラフィ投影装置を使用して、迷放射条件を決定する方法であって、
−波長λを有する放射を含む放射の投影ビームを供給するステップと、
−複数の特徴を含むパターンに従って前記投影ビームをパターン形成するステップと、
−前記パターン形成されたビームを像面に投影して、前記複数の特徴の像を作るステップとを備え、さらに、
−前記投影ビームが通過する経路に検出器を配置するステップであって、前記検出器が、前記複数の特徴と対応した複数の透過領域を含む検出器開口を有するものであるステップと、
−前記検出器開口を、前記像面と実質的に一致している位置に位置付けし、それによって、前記複数の特徴の像が、少なくともλ/NAの距離を越えた前記複数の透過領域の観念上の拡張によって得られる前記検出器開口の対応する複数の拡張された領域を覆うステップと、
−検出された放射強度を測定するステップと、
−前記測定された放射強度に基づいて、前記投影システムの迷放射条件を表す係数を計算するステップとを備えることを特徴とする方法。 - リソグラフィ投影装置であって、
−波長λの放射を含む放射の投影ビームを供給する放射システムと、
−所望のパターンに従って前記投影ビームをパターン形成するように使用されるパターン形成手段を支持するための支持構造と、
−基板を保持するための基板テーブルと、
−前記パターン形成されたビームを前記基板の目標部分に投影して、前記パターンの像を作るための、開口数NAの投影システムとを備え、さらに、
−前記パターンの1つまたは複数の特徴の像と対応して1つまたは複数の透過領域を含む検出器開口を備える検出器であって、前記1つまたは複数の特徴の像が、少なくともλ/NAの距離を越えた前記1つまたは複数の透過領域の観念上の拡張で得られる前記検出器開口の1つまたは複数の拡張された領域と実質的に一致するものである検出器と、
−迷放射を表すパラメータを格納するためのメモリ手段、および前記投影システムの迷放射条件を計算するためのプロセッサ手段とを備えることを特徴とするリソグラフィ投影装置。 - 検出器開口を有する前記検出器が基板テーブルに設けられる、請求項10に記載のリソグラフィ投影装置。
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