JP4308202B2 - 基板に関する情報を測定する方法及びリソグラフィ装置に使用する基板 - Google Patents
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
BD ビーム送出系、放射線源
C 目標部分
CO コンデンサ
IF 位置センサ
IL 照明系、照明装置
IN インテグレータ
M1 アラインメント・マーク
M2 アラインメント・マーク
MA パターニング装置、マスク
MT 支持構造
P1 アラインメント・マーク
P2 アラインメント・マーク
PB 投影ビーム
PL 投影系
PM 位置決め装置
PW 位置決め装置
SO 放射線源
W 基板
WT 基板テーブル、ウェハ・テーブル
10 リソグラフィ装置
50 センサ
60 アラインメント系
70 焦点誤差検出系
80 レベル・センサ
100 衝突光ビーム
200 マーカ
202 格子
204 ライン
206 溝
208 上面
300 フィーチャ
310 レジスト
320 底部反射防止膜、BARC
330 不透明コーティング
400 フィーチャ
410 レジスト
420 コーティング
500 方法
510 開始
540 終了
Claims (57)
- リソグラフィ装置によって形成されたフィーチャを含む基板によって提供される情報を測定する方法であって、
前記基板上の前記フィーチャの上方に配置されるマーカ上に光ビームを投影する段階であって、前記マーカが、前記マーカ内で反復的な順序で配列される複数のライン及び複数の溝を含み、かつ、前記基板のうち前記フィーチャを含む範囲に配置されている段階と、
前記マーカによって提供される情報をセンサで検出する段階とを含み、
コーティングが前記基板上に配置され、従って、前記コーティングが前記光ビームと前記フィーチャとの間にあり、前記光ビームが、前記フィーチャに反射し、前記マーカによって提供される前記情報を不正確に読み取る原因になることを実質的に防止し、
前記コーティングが、不透明金属の結晶を成長させるためのシード層を含み、
前記シード層がタンタルを含み、前記金属がアルミニウムを含む、方法。 - 前記コーティングが、前記マーカ上に堆積される不透明材料層を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記不透明層が金属を含む、請求項2に記載の方法。
- 前記金属がアルミニウムを含む、請求項3に記載の方法。
- 前記コーティングが、前記マーカと前記フィーチャとの間に配置される反射防止膜である、請求項1に記載の方法。
- 前記反射防止膜が非感光性である、請求項5に記載の方法。
- 前記反射防止膜が、前記光ビームの波長に対して反射防止性である、請求項5に記載の方法。
- 前記光ビームの波長が約533nmである、請求項7に記載の方法。
- 前記光ビームの波長が約632.8nmである、請求項7に記載の方法。
- 前記センサがアラインメント・センサである、請求項1に記載の方法。
- 前記センサが焦点センサである、請求項1に記載の方法。
- 前記センサが光学センサである、請求項1に記載の方法。
- 前記マーカによって提供される前記情報が、X−Y平面における前記マーカの位置を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記位置が、前記リソグラフィ装置におけるパターニング装置に対する前記基板の整合位置を含む、請求項13に記載の方法。
- 前記検出に基づいて前記基板の位置を調整する段階をさらに含む、請求項14に記載の方法。
- 前記マーカによって提供される前記情報が、焦点情報を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記焦点情報が、前記基板全体にわたり焦点及び/又はレベリング性能をマップする試験に使用される、請求項16に記載の方法。
- 前記マーカによって提供される前記情報が、照射線量情報を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記検出段階が、前記マーカによって回折された光を前記センサで検出する段階を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記リソグラフィ装置内で実施される、請求項1に記載の方法。
- 計測ツール内で実施される、請求項1に記載の方法。
- リソグラフィ装置に使用される基板であって、
前記リソグラフィ装置によって形成されるフィーチャと、
前記フィーチャ上方のレジスト層中形成され、反復的な順序で配列される複数のライン及び複数の溝を含むことにより前記基板に関する情報を提供するように構成され、さらに前記基板のうち前記フィーチャを含む範囲に配置されている、マーカと、
前記マーカによって提供される前記情報を検出するために使用される光ビームが、前記フィーチャに反射し、前記マーカによって提供される前記情報を不正確に読み取る原因になることを実質的に防止するコーティングと
を含み、
前記コーティングが、不透明金属の結晶を成長させるためのシード層を含み、
前記シード層がタンタルを含み、前記金属がアルミニウムを含む、基板。 - 前記コーティングが、前記マーカ上に堆積される不透明層を含む、請求項22に記載の基板。
- 前記不透明層が金属を含む、請求項23に記載の基板。
- 前記金属がアルミニウムを含む、請求項24に記載の基板。
- 前記コーティングが、前記フィーチャと前記マーカとの間に配置される反射防止膜を含む、請求項22に記載の基板。
- 前記反射防止膜が非感光性である、請求項26に記載の基板。
- 前記反射防止膜が、前記光ビームの波長に対して反射防止性である、請求項26に記載の基板。
- 前記光ビームの波長が約533nmである、請求項28に記載の基板。
- 前記光ビームの波長が約632.8nmである、請求項28に記載の基板。
- 前記マーカによって提供される前記情報が、X−Y平面における前記マーカの位置を含む、請求項22に記載の方法。
- 前記マーカの前記位置が、前記リソグラフィ装置におけるパターニング装置に対する前記基板の整合位置に関する情報を提供する、請求項31に記載の基板。
- 前記マーカによって提供される前記情報が、焦点情報を含む、請求項22に記載の基板。
- 前記焦点情報が、前記基板全体にわたる焦点及び/又はレベリング性能をマップする試験に使用される、請求項33に記載の基板。
- 前記マーカによって提供される前記情報が、照射線量情報を含む、請求項22に記載の基板。
- 前記光ビームが、前記リソグラフィ装置内で生成される、請求項22に記載の基板。
- 前記光ビームが計測ツール内で生成される、請求項22に記載の基板。
- リソグラフィ装置とこれに使用する基板との組合せであって、
放射線ビームを調整する照明系と、
断面にパターンを有する放射線ビームを与えるように働くパターニング装置を支持する
支持体と、
前記基板を支持する基板テーブルと、
前記基板の目標部分上にパターン化された放射線ビームを投影する投影系と、
前記基板に関する情報を測定するためのセンサとを備え、
前記基板が、
前記パターニング装置で前記放射線ビームをパターン化し、前記投影系で前記基板の目標部分上に前記パターン化された放射線ビームを投影することによって形成されるフィーチャと、
前記フィーチャ上方のレジスト層中に形成され、反復的な順序で配列される複数のライン及び複数の溝を含むことにより前記基板に関する前記情報を提供するように構成され、さらに前記基板のうち前記フィーチャを含む範囲に配置されている、マーカと、
前記リソグラフィ装置内の前記センサからの光ビームが、前記フィーチャに反射し、前記マーカによって提供される前記情報を不正確に読み取る原因になることを実質的に防止するコーティングと
を含み、
前記コーティングが、不透明金属の結晶を成長させるためのシード層を含み、
前記シード層がタンタルを含み、前記金属がアルミニウムを含む、組合せ。 - 前記コーティングが、前記マーカ上に堆積される不透明層を含む、請求項38に記載の組合せ。
- 前記不透明層が金属を含む、請求項39に記載の組合せ。
- 前記金属がアルミニウムを含む、請求項40に記載の組合せ。
- 前記コーティングが、前記フィーチャと前記マーカとの間に配置される反射防止膜を含む、請求項38に記載の組合せ。
- 前記反射防止膜が非感光性である、請求項42に記載の組合せ。
- 前記反射防止膜が、前記センサによって提供される前記光ビームの波長に対して反射防止性である、請求項42に記載の組合せ。
- 前記光ビームの波長が約533nmである、請求項44に記載の組合せ。
- 前記光ビームの波長が約632.8nmである、請求項44に記載の組合せ。
- 前記リソグラフィ装置が、前記基板のトポグラフィをマップするためのレベル・センサをさらに備える、請求項38に記載の組合せ。
- 前記反射防止膜が、前記レベル・センサによって生成される光ビームの波長に対して透明である、請求項47に記載の組合せ。
- 前記波長が約900nm〜約1100nmである、請求項48に記載の組合せ。
- 前記センサがアラインメント・センサである、請求項38に記載の組合せ。
- 前記センサが焦点センサである、請求項38に記載の組合せ。
- 前記センサが光学センサである、請求項38に記載の組合せ。
- 前記マーカによって提供される前記情報が、X−Y平面における前記マーカの位置を含む、請求項38に記載の組合せ。
- 前記マーカの前記位置が、前記リソグラフィ装置内の前記パターニング装置に対する前記基板の整合位置に関する情報を提供する、請求項53に記載の組合せ。
- 前記マーカによって提供される前記情報が、焦点情報を含む、請求項38に記載の組合せ。
- 前記焦点情報が、前記基板全体にわたる焦点及び/又はレベリング性能をマップする試験に使用される、請求項55に記載の組合せ。
- 前記マーカによって提供される前記情報が、照射線量情報を含む、請求項38に記載の組合せ。
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