JPH05315226A

JPH05315226A - 投影露光装置

Info

Publication number: JPH05315226A
Application number: JP14376292A
Authority: JP
Inventors: Yoichi To; 洋一塘
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1992-05-11
Filing date: 1992-05-11
Publication date: 1993-11-26

Abstract

(57)【要約】【目的】縮小投影露光装置（ステッパ）の光源面の形
状を変化させる変形証明法において、レチクル・パター
ンのピッチへの解像力の依存性を軽減する。【構成】ｉ線ステッパの投影光学系中の開口絞りの位
置、たとえばフライアイレンズの後段に、遮光部から透
明部へ向けて光透過率分布有するフィルタを配する。た
とえば輪帯照明用のフィルタ１では、ガラス板５の中央
の遮光部４から外周側の透明部へ向けて連続的に光透過
率が増大している。輪帯照明法では、０次光と＋１次回
折光が縮小投影レンズの中心線に対してなす角度が等し
くなる場合に焦点深度が増大する。上記フィルタ１によ
れば、透明部から大きな入射角で入射する０次光は微細
なパターンの解像に寄与し、中間的な光透過率を有する
領域を透過してやや小さな入射角で入射する０次光は粗
いパターンの解像に寄与する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造分野等
においてフォトリソグラフィーに使用される投影露光装
置に関し、特に露光光の高調波成分の相対強度を高める
ことにより解像度を向上させるいわゆる変形照明法にも
とづきながらレチクル・パターンのピッチ依存性を解消
できる装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体集積回路の分野においてはサブミ
クロン・レベルの加工が量産工場において既に実現さ
れ、今後のハーフミクロン・レベル、さらには６４Ｍビ
ットＤＲＡＭクラスで必須となるクォーターミクロン・
レベルの加工に関する研究が進められている。

【０００３】このような微細加工の進歩の鍵となった技
術はフォトリソグラフィであり、従来の進歩は露光波長
の短波長化、およびステッパ（縮小投影露光装置）の縮
小投影レンズの高開口数（ＮＡ）化によるところが大き
い。このうち、短波長化に関しては、ＫｒＦエキシマ・
レーザ光（２４８ｎｍ）を用いる遠紫外線リソグラフィ
が有望であるが、十分な性能を有するレジスト材料の開
発が遅れており、直ちに量産現場へ導入することは難し
い。

【０００４】これに対し、露光光の高調波成分を利用し
て解像度を上昇させるいわゆる超解像技術により、従来
の高圧水銀ランプを光源とするｇ線（４３６ｎｍ）リソ
グラフィ、あるいはｉ線（３６５ｎｍ）リソグラフィを
延命する試みも数多く行われている。超解像技術として
脚光を浴びた技術のひとつに、位相シフト法がある。こ
れは、レチクルを透過する露光光に位相差を与えること
により、透過光相互の干渉を利用して解像度の向上を図
る方法である。位相シフト法では、位相差を発生させる
ために、レチクルを構成するガラス基板上に該ガラス基
板とは屈折率の異なる透明膜（位相シフタ）を特定のパ
ターンに形成することが必要である。しかし、レチクル
の製造、検査、欠陥修正が極めて複雑であること、専用
のＣＡＤ技術を要すること等、実用化を前に克服すべき
課題が多い。

【０００５】そこで、さらに近年では、ステッパの光学
系に改良を加えて現行の技術範囲内で解像度を向上させ
る試みがなされている。これは、光源または瞳の中心部
を暗くすると超解像現象により解像限界近傍における像
のコントラストが向上するという、光学の分野では古く
から知られている手法を利用するものであり、ステッパ
のような部分的コヒーレント結像系において有効であ
る。

【０００６】図６に、一般的なステッパの光学系を示
す。この光学系において、高圧水銀ランプ等からなる光
源４１から放射される紫外線は、楕円ミラー４２で集光
された後、ミラー４３で光路を曲げられ、図示されない
干渉フィルタにより特定の波長（たとえばｉ線）に選別
された後、フライアイレンズ４４に入射して面内照度を
均一化される。光はその後、ミラー４５で反射されてコ
ンデンサ・レンズ４６、レチクル４７、縮小投影レンズ
４８，４９を順次透過し、最終的にはステージ５１に載
置されたウェハ５０上のフォトレジスト塗膜にレチクル
４７上のＣｒパターンが投影されるようになされてい
る。

【０００７】ここで、この光学系において縮小投影レン
ズ４８，４９の瞳がたとえば図中Ｂ−Ｂ線で示される位
置にある場合、この瞳面の中心部を遮光するフィルタ
は、超解像フィルタと呼ばれている。一方、フライアイ
レンズ４の後段、たとえば図中Ａ−Ａ線で示される開口
絞りの位置に各種の遮光フィルタを挿入し、光源面の形
状を変化させる技術は、変形照明法と呼ばれている。

【０００８】変形照明法のうち、開口絞りの中央に円形
の遮光部を設けてドーナツ型の光源像による照明を可能
とするものが輪帯照明法であり、たとえば第５２回応用
物理学会学術講演会（１９９１年秋季年会）講演予稿
集，ｐ．６０１，講演番号１２ａ−ＺＦ−６にその検討
結果が報告されている。輪帯照明法では、露光光は光軸
から離れた斜め方向からレチクルに入射する。入射光
は、レチクル上のＣｒパターンで回折されずに直進した
０次光と、Ｃｒパターンにより回折された±１次回折
光、さらに高次の±ｎ次回折光に分かれる。ここで、０
次光が入射瞳の外周付近を通過するような角度からレチ
クルを照明すると、この０次光の周囲に左右対称に発生
する回折光の片側の成分のみが縮小投影レンズに入射す
る。つまり、従来法では０次光が光軸方向から垂直に入
射するために、０次光に対して回折角αまでの範囲内の
回折光しか縮小投影レンズに取り込めなかったのに対
し、輪帯照明法によれば０次光に対して片側のみとなる
が、おおよそ回折角２αまでの範囲内の回折光が取り込
める。これにより、縮小投影レンズの見掛け上のＮＡが
増大し、干渉縞のピッチが小さくなって限界解像度が向
上するのである。

【０００９】また、従来法ではウェハが焦点面から光軸
に沿ってずれると（デフォーカス）、±１次光に光路差
が発生し、これにより焦点深度が制限されてきた。しか
し、輪帯照明法では、Ｃｒパターンのピッチに応じて斜
め照明の角度、すなわち０次光の入射角を最適化する
と、縮小投影レンズの中心線に対して０次光と＋１次光
がそれぞれなす角度を等しくすることができ、光路差を
解消することができる。つまり、ウェハ上では０次光と
＋１次光が常に同位相で干渉できるため焦点深度が増大
し、デフォーカス時にも良好な結像状態が維持される。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】このように、輪帯照明
法は従来のレチクルをそのまま使用しながら、従来法に
比べて限界解像度と焦点深度の向上を可能とする点で注
目すべき技術であるが、実用化を前に解決しなければな
らない問題も抱えている。その問題のひとつに、Ｃｒパ
ターンのピッチへの依存性がある。輪帯照明法では、上
述の説明からも明らかなように、レチクルのＣｒパター
ンのある特定のピッチに対してそれぞれ最適な０次光の
入射角が存在する。この０次光の入射角は、開口絞りの
中央に位置する円形の遮光部の直径により変化する。原
理的には、遮光部の直径が大きいほど、つまり０次光の
入射角が大きくなるほど微細なパターンまで解像できる
ようになるが、遮光部の面積が大きくなり過ぎると全体
としての露光量が減少し、スループットが著しく低下す
るという問題がある。しかも、実際のＬＳＩの回路パタ
ーンには様々なピッチを有するパターンが混在している
ため、ある特定のピッチに対して遮光部の直径を最適化
しても、他のピッチに対しては効果が現れないといった
問題も生ずる。

【００１１】そこで本発明は、変形照明法にもとづきな
がら、レチクル上の様々なピッチを有するＣｒパターン
に対し、限界解像度および焦点深度の向上を実現できる
投影露光装置を提供することを目的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明の投影露光装置
は、上述の目的を達成するために提案されるものであ
り、投影光学系中の開口絞りの位置に遮光部と透明部と
の間で所定の光透過率分布を有するフィルタが配設され
ていることを特徴とする。

【００１３】本発明はまた、前記フィルタの光透過率が
前記遮光部から前記透明部へ向けて連続的に増大された
ものであることを特徴とする。

【００１４】本発明はまた、前記フィルタの光透過率
が、前記遮光部から前記透明部へ向けて段階的に増大さ
れたものであることを特徴とする。

【００１５】本発明はさらに、前記フィルタの前記遮光
部が円形であり、その中心が前記投影光学系の光軸に一
致されてなることを特徴とする。

【００１６】

【作用】本発明の投影露光装置において開口絞りの位置
に装入されるフィルタは、従来の輪帯照明用フィルタと
は異なり、遮光部と透明部との間に所定の光透過率分布
を有している。図１に、本発明で使用されるフィルタの
概念的な光透過率分布曲線を示す。図中、縦軸は光透過
率（％）、横軸は半径ｒで規格化したフィルタ中心から
の距離を表す。また、グラフＡ〜グラフＣは本発明で使
用されるフィルタに対応し、グラフＤは従来型のフィル
タに対応している。つまり、これらのフィルタは円形で
あって、光透過率０％の円形の遮光部がその中央に置か
れていることを想定している。従来の輪帯照明法と比較
しながら説明を行うには、このようにフィルタ、遮光部
が共に円形であり、該遮光部がフィルタの中心に置か
れ、しかも該遮光部またはフィルタの中心が投影光学系
の光軸に一致されていると仮定するのが最も判りやす
い。

【００１７】ただし、図１は概念図であり、この図にも
とづいて本発明と従来例との数値上の比較を行うことは
意味がない。

【００１８】従来のフィルタでは、グラフＤに示される
ように、遮光部のエッジを境に光透過率が０％から１０
０％へ急激に変化する。したがって、このフィルタの中
心を投影光学系の光軸に一致させて使用した場合、レチ
クル上の粗いピッチのＣｒパターンに対しても微細なピ
ッチのＣｒパターンに対しても、露光光は同一の光強度
と同一の入射角をもって入射する。しかし、回折光に
は、Ｃｒパターンのピッチが微細な場合には回折角が大
きく、粗い場合には回折角が小さくなるという性質があ
る。したがって、露光光の入射角が遮光部のエッジ位置
により一義的に決まってしまう従来型のフィルタでは、
ある特定のピッチについて０次光と＋１次光が縮小投影
レンズの中心線に対してそれぞれなす角度を等しくし、
これにより焦点深度を増大させることができるが、他の
ピッチについては＋１次光の角度が変化してしまい、十
分な焦点深度を確保することができない。

【００１９】これに対し、本発明で使用されるフィルタ
は、光透過率が上述のように遮光部のエッジで急激に変
化するのではなく、所定の光透過率分布をもって変化す
る。この光透過率分布には様々なパターンが考えられる
が、グラフＡとグラフＢは光透過率０％から１００％へ
至る連続的な変化パターン、グラフＣは０→ｔ₁→ｔ₂
→１００（単位％）のごとく段階的な変化パターンを示
している。グラフＡとグラフＢで表される特性の相違に
ついては実施例の欄で後述する。いずれの場合も、透過
率１００％のフィルタ外周領域からは最も大きい入射角
と高い光強度をもって露光光が入射し、内周側へ移行す
るにつれて光強度はやや落ちるが入射角の減少した露光
光が入射し、光透過率０％の遮光部では光入射が生じな
くなる。光透過率分布が連続的である場合には、入射角
が漸増すると共に光強度が漸減するが、段階的である場
合には一定の入射角範囲に属する入射光の光強度がほぼ
一定となる。

【００２０】このように、入射光が様々な入射角をもっ
てレチクルに入射可能となることにより、様々なピッチ
のＣｒパターンが混在するレチクルを用いた場合にも、
焦点深度のピッチ依存性を緩和し、良好な解像を実現す
ることができる。

【００２１】

【実施例】以下、本発明の具体的な実施例について説明
する。

【００２２】実施例１本実施例の投影露光装置は、フライアイレンズとコンデ
ンサレンズの中間光路上に、中央の遮光部から外周側の
透明部へ向かって光透過率が連続的に漸増された円形の
フィルタが配設されたｉ線ステッパである。まず、上記
フィルタの上面図を図２に示す。このフィルタ１は、円
形の枠部２にガラス板５が支持されてなるものである。
上記枠部２は遮光体であるから、該枠部２の内周壁３が
開口絞りに相当し、ガラス板５の中心Ｏから内周壁３ま
での距離がフィルタ１の半径ｒである。上記ガラス板５
の中心Ｏの近傍は光透過率０％の遮光部４であり、ここ
から枠部２の内周壁３方向へ向かって光透過率が連続的
に増大し、内周壁３近傍は光透過率１００％の透明部と
なっている。

【００２３】ガラス板５上でかかる光透過率分布を実現
する方法としては、写真撮影用のガラス製のＮＤ（ニュ
ートラル・デンシティ）フィルタを光学旋盤で研削する
方法、適当なマトリクス中へ色素を分散させる方法、回
転する白黒パターンを写真撮影する方法、開口径を連続
的に可変とされた絞りを介して遮光性の薄膜を基板上に
成膜する方法等が考えられる。ここでは、後２者につい
て若干の説明を加える。

【００２４】まず、回転する白黒パターンを写真撮影す
る方法において、使用する白黒パターンの一例を図３に
示す。これは、セクタ１０と呼ばれる板状体であり、黒
色の台紙１１に４枚羽根状の突起部１２ｂを持つ白色の
歯車状パターン１２が描かれたものである。歯車状パタ
ーン１２の中央の円形部１２ａの半径ｒ₁は、ガラス板
５上の光透過率０％の領域の大きさに応じて設定すれば
良い。また、突起部１２ｂの形状、特にその長さや外縁
部１３の曲率を変化させれば、光透過率の分布パターン
を任意に制御することができる。

【００２５】このセクタ１０を適当な回転台に設置して
中心Ｏの回りに回転させ、これをカメラを用いてモノク
ロ写真乾板等に撮影したのち現像すれば、中央部が黒
く、周辺に向かって漸次薄い灰色となる銀塩像が形成さ
れる。写真乾板の感光乳剤の支持体は通常はガラス板で
あるから、撮影後の写真乾板をそのまま所望の大きさに
切り出し、フィルタ１用のガラス板５とすることができ
る。ただし、必要に応じて中央部の遮光性を増強するた
めの着色処理その他の加工を行っても構わない。

【００２６】一方、遮光性の薄膜を基板上に成膜する方
法等としては、たとえばスパッタリング装置のチャンバ
内において、ターゲットと基板との間に開口径を連続的
に可変とされた絞りを介在させ、スパッタリング時間の
経過と共に開口径を連続的に狭める（または広げる）よ
うにすれば良い。このとき、ターゲットとしてたとえば
Ｃｒターゲットを使用すれば、レチクルに使用されてい
るものと同様のＣｒの遮光膜が形成される。しかも、こ
のＣｒの遮光膜の膜厚は、絞りに遮蔽された時間にほぼ
反比例するため、絞りの開口径の調節により所望の光透
過率分布を実現することができる。

【００２７】次に、上述のフィルタ１をｉ線ステッパに
搭載し、実際に解像度の評価を行った。試験に使用した
フィルタ１は、図１のグラフＡの光透過率分布を有する
ものである。これを、市販のｉ線ステッパ（ＮＡ＝０．
５２，縮小比＝１／５倍）の投影光学系に組み込んだ。
組み込みの位置は、フライアイレンズの後段、すなわ
ち、図６のＡ−Ａ線上であり、遮光部４の中心Ｏ（すな
わちフィルタ１の中心でもある。）は投影光学系の光軸
に一致されている。

【００２８】サンプル・ウェハは、予め２００℃，９０
秒間の脱水ベーキングを経た５インチ径のシリコン・ウ
ェハ上に、ｉ線用ポジ型フォトレジスト材料（東京応化
工業社製；製品名ＴＨＭＲ−ｉＰ１８００）を膜厚１．
０５μｍにスピンコートし、９０℃，９０秒間のベーキ
ングにより溶媒を除去して作成した。このサンプル・ウ
ェハを上記ｉ線ステッパにセットし、０．２０μｍから
０．１μｍ刻みで１．０μｍまでのピッチを有するライ
ン・アンド・スペース・パターンが形成されたレチクル
を介して、露光量３００ｍＪ／ｃｍ²にて露光を行っ
た。露光後、１１０℃，９０秒間のポスト・エクスポー
ジャ・ベーキング（ＰＥＢ）を行い、アルカリ現像液
（東京応化工業社製；製品名ＮＭＤ−Ｗ）を用いて６０
秒間のパドル現像を行った。

【００２９】現像後のサンプル・ウェハを走査型電子顕
微鏡で観察したところ、０．２５μｍまでのライン・ア
ンド・スペースが良好に解像していた。

【００３０】なお、上記のフィルタ１を使用しない場合
には、遮光部が存在しないために露光量は１００ｍＪ／
ｃｍ²で済んだが、０．３０μｍまでのライン・アンド
・スペースまでしか良好に解像させることができなかっ
た。

【００３１】実施例２本実施例では、実施例１のフィルタとは光透過率分布が
若干異なるフィルタを用いて、同様の解像試験を行っ
た。本実施例で用いたフィルタ１は、図１のグラフＢで
表される光透過率分布を有するものである。本実施例で
用いたフィルタ１においては、グラフＡとグラフＢとの
比較からも明らかなように、実施例１で用いたフィルタ
よりも光透過率０％の遮光部４の面積が狭く、光透過率
分布はなだらかであり、光透過率も全体として高くなっ
ている。つまり、露光光のうち入射角の比較的小さい成
分の光強度が実施例１よりも増大しており、そのぶん、
粗いピッチのＣｒパターンに対する焦点深度が高くなっ
ている。

【００３２】このフィルタ１を実施例１と同じｉ線ステ
ッパにセットし、同様に解像試験を行った。ただし、露
光量は２００ｍＪ／ｃｍ²とした。本実施例では、０．
２７μｍまでのライン・アンド・スペースが良好に解像
した。

【００３３】実施例３本実施例では、中央の遮光部から外周側の透明部へ向か
って光透過率が段階的に増大された円形のフィルタを使
用した。まず、上記フィルタの上面図を図４に示す。こ
のフィルタ２１は、円形の枠部２２にガラス板２５が支
持されてなるものである。上記枠部２２の内周壁２３は
開口絞りに相当し、ガラス板２５の中心Ｏから内周壁２
３までの距離がフィルタ２１の半径ｒである。上記ガラ
ス板２５の中心Ｏの近傍は光透過率０％の遮光部２４ａ
であり、この遮光部２４ａの周囲には光透過率ｔ₁を有
する円環状の第１の半透過部２４ｂと、光透過率ｔ₂を
有する円環状の第２の半透過部２４ｃがそれぞれ同心的
に配されている。上記フィルタ２１の光透過率分布は、
図１のグラフＣで表されるとおりであり、上記光透過率
ｔ₁，ｔ₂は、０＜ｔ₁＜ｔ₂＜１００（単位％）の関
係を満たす。

【００３４】ここで、ガラス板２５上でかかる光透過率
分布を実現するために前述のような回転白黒パターンの
写真撮影を行う場合には、一例として図５に示されるよ
うなセクタ３０を使用すれば良い。このセクタは、黒色
の台紙３１に４枚羽根状の扇型突起部３２ｂ，３２ｃを
持つ白色の歯車状パターン３２が描かれたものである。
歯車状パターン３２の中央の円形部３２ａの半径ｒ
₂は、ガラス板２５上の光透過率０％の領域の大きさに
応じて設定すれば良い。また、扇型突起部３２ａの回転
軌跡は第１の半透過部２４ｂ、扇型突起部３２ｃの回転
軌跡は第２の半透過部２４ｃにそれぞれ対応することに
なるが、それぞれの中心角θ₁，θ₂（ただし、θ₁＞
θ₂）は、所望の光透過率に応じて変化させれば良い。

【００３５】このセクタ３０を適当な回転台に設置して
中心Ｏの回りに回転させ、これをカメラを用いてモノク
ロ写真乾板等に撮影したのち現像すれば、中央部が黒
く、その周囲に段階的に薄い灰色の円環部が同心的に配
された銀塩像が形成される。

【００３６】一方、かかる光透過率分布を前述のような
スパッタリング法により実現する場合には、ターゲット
と基板との間に介在される絞りの開口径を不連続に狭め
る（または広げる）ようにすれば良い。このとき、絞り
の駆動時にはスパッタリングを一旦停止するようにすれ
ば、隣接する半透過部間で光透過率をシャープに変化さ
せることができる。

【００３７】次に、上述のフィルタ２１を実施例１と同
じｉ線ステッパにセットし、同様に解像試験を行った。
ただし、露光量は２５０ｍＪ／ｃｍ²とした。本実施例
では、０．２６μｍまでのライン・アンド・スペースが
良好に解像した。

【００３８】以上、本発明を３例の実施例にもとづいて
説明したが、本発明はこれらの実施例に何ら限定される
ものではない。たとえばフィルタの光透過率分布は、連
続的変化、段階的変化のいずれにおいても適宜変更可能
である。特に後者の場合、半透過部の数や幅は任意に設
定することができる。

【００３９】また、遮光部は円形であるとは限らず、ま
たフィルタの中央に１ヶ所だけ配されるとも限らない。
上述のようなドーナツ型の光源像による輪帯照明法は数
有る変形照明法のひとつに過ぎず、本発明は他の形状の
遮光部を有するフィルタにも同様に適用できる。たとえ
ば、第５２回応用物理学会学術講演会（１９９１年秋季
年会）講演予稿集，ｐ．６０１，講演番号１２ａ−ＺＦ
−４、あるいは日経マイクロデバイス（日経ＢＰ社刊）
１９９１年１１月号ｐ．７３〜７７には、円形フィルタ
の中央部にライン・アンド・スペースの方向に平行また
は垂直な帯状の遮光部、または十文字型の遮光部を設け
る方法が報告されている。また、同講演予稿集，ｐ．６
０２，講演番号１２ａ−ＺＦ−７〜９、あるいは月刊セ
ミコンダクターワールド（プレスジャーナル社刊）１９
９２年３月号ｐ．５０〜５５には、フィルタの大部分を
占める遮光部の少なくとも１箇所に小さな円形の開口部
を設け、この開口部に対応した光源像により斜め入射照
明を行う方法が報告されている。これらの方法で使用さ
れるフィルタにおいても、遮光部の縁部に光透過率分布
を付与すれば、本発明と同様の効果を得ることができ
る。

【００４０】

【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明の投影露光装置によれば、開口絞り位置に配設される
変形照明用フィルタの遮光部から透明部にかけて光透過
率分布を与えることにより、従来のフィルタにみられた
ピッチ依存性を解消することができる。したがって、実
際のＬＳＩ回路パターン中に存在する様々なピッチのパ
ターンを良好に解像することができ、変形照明法の実用
性を真に高めることができる。また、本発明はｉ線リソ
グラフィはもちろん、光リソグラフィ全般の技術寿命を
延命させることが可能であり、２５６ＭビットＤＲＡ
Ｍ，さらには１ＧビットＤＲＡＭクラスの半導体装置の
製造にも適用できる装置として、極めて有望である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明および従来の投影露光装置に用いられる
変形照明用フィルタの光透過率分布を示す特性図であ
る。

【図２】本発明の投影露光装置に搭載されるフィルタの
一例を示す平面図である。

【図３】図２に示されるフィルタを写真撮影法により作
成する際に用いられるセクタの一例を示す平面図であ
る。

【図４】本発明の投影露光装置に搭載されるフィルタの
他の例を示す平面図である。

【図５】図４に示されるフィルタを写真撮影法により作
成する際に用いられるセクタの一例を示す平面図であ
る。

【図６】一般的なステッパの光学系を概略的に示す説明
図である。

【符号の説明】

１，２１・・・フィルタ２，２２・・・枠部３，２３・・・開口絞り４，２４ａ・・・遮光部５，２５・・・ガラス板２４ｂ・・・第１の半透過部２４ｃ・・・第２の半透過部４１・・・光源４４・・・フライアイレンズ４６・・・コンデンサ・レンズ４７・・・レチクル４８，４９・・・縮小投影レンズ５０・・・ウェハ５１・・・ステージ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】投影光学系により基板上にレチクルのパ
ターンを投影する投影露光装置において、前記投影光学系中の開口絞りの位置に遮光部と透明部と
の間で所定の光透過率分布を有するフィルタが配設され
ていることを特徴とする投影露光装置。
【請求項２】前記光透過率分布は、前記遮光部から前
記透明部へ向けて光透過率が連続的に増大されたもので
あることを特徴とする請求項１記載の投影露光装置。
【請求項３】前記光透過率分布は、前記遮光部から前
記透明部へ向けて光透過率が段階的に増大されたもので
あることを特徴とする請求項１記載の投影露光装置。
【請求項４】前記遮光部が円形であり、その中心が前
記投影光学系の光軸に一致されてなることを特徴とする
請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の投影露
光装置。