KR20020081927A - 반도체 웨이퍼의 에지 노광 방법 - Google Patents

Abstract

반도체 웨이퍼의 에지 노광 방법을 제공한다. 이 방법은 포토레지스트막이 형성된 에지 영역을 포함하는 웨이퍼를 웨이퍼지지부 상에 탑재하고, 노광용 빔을 발생시키는 광원을 준비한 후, 웨이퍼의 에지영역에 노광용 빔으로 적어도 2회 반복노광시키는 단계를 포함한다. 그 결과, 종래 기술에 비해 효율적인 반도체 웨이퍼의 에지 노광 방법을 제공한다.

Description

반도체 웨이퍼의 에지 노광 방법{Edge Exposure Method in Semiconductor Wafer}

본 발명은 반도체 장치의 제조방법에 관한 것으로서, 특히 반도체 웨이퍼의 에지 노광 방법에 관한 것이다.

반도체 웨이퍼는 제품으로 형성되게 될 유효 영역 및 상기 유효 영역을 둘러싸는 더미(dummy)영역으로 구성되는 표면을 가진다. 상기 웨이퍼 상의 더미 영역은 노광이 불필요한 영역이기는 하지만 유효 영역과의 패턴 밀도의 차이로 인해 발생하는 제품의 불량을 방지하기 위하여 더미 노광으로 더미 영역에서도 더미 패턴을 형성하며, 상기 더미 노광은 유효 영역을 형성하기 위한 노광 방식과 동일하게 이루어진다.

상기 더미 패턴이 형성된 웨이퍼의 더미 영역을 클램프와 같은 장비로 잡을 경우 떨어져나오는 포토레지스트가 장비를 오염시키는 것을 막기 위하여, 별도로구비된 웨이퍼 에지 노광장치(Wafer Edge Exposure, WEE라고도 함)를 이용하여 더미 패턴이 형성된 웨이퍼의 에지 영역에 대해 다시 추가적인 노광작업을 실시한다. 상기 추가적인 노광의 과정은 회전하는 에지영역을 포함하는 웨이퍼에 대해 고정된 자외선 빔을 상기 에지 영역에 조사함으로써 이루어진다. 종래 기술에 따라 상기 에지 영역의 포토레지스트를 제거하는 경우, 200mm의 직경을 갖는 웨이퍼에 대하여 40초의 시간이 소요된다.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 에지 노광의 목적을 달성하면서 종래기술에 비해 효율적인 반도체 웨이퍼의 에지 노광 방법을 제공하는데 있다.

도 1은 본 발명에 따른 웨이퍼 에지 노광 방식의 일실시예를 설명하기 위한 도면이다.

상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명은 반복노광에 의한 반도체 웨이퍼의 에지 노광 방법을 제공한다.

이 방법은 포토레지스트막이 형성된 에지 영역을 포함하는 웨이퍼를 웨이퍼지지부 상에 탑재하고, 노광용 빔을 발생시키는 광원을 준비한 후, 상기 웨이퍼의 에지영역을 상기 노광용 빔으로 적어도 2회 반복노광시키는 단계를 포함한다. 상기 웨이퍼는 플랫존을 포함한다.

상기 노광용 빔은 자외선으로 구성하며, 상기 노광용 빔은 상기 광원 및 상기 웨이퍼지지부 사이에 위치하는 노광제어 마스크를 통해 상기 에지영역의 폭을 조절하는 것이 바람직하다.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명하도록 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되어지는 것이다.

도 1은 반도체 웨이퍼 에지 노광공정을 설명하기 위한 도면이다.

도 1을 참조하면, 웨이퍼 에지 노광공정은 빔 발생장치(400) 및 웨이퍼지지부(300)를 포함하는 웨이퍼 에지 노광장비(WEE) 내에서 이루어진다. 먼저, 에지 영역(200)을 가지면서 플랫존이 구비된 웨이퍼(100) 상에 포토레지스트를 형성한다. 상기 포토레지스트가 형성된 웨이퍼(100)를 상기 웨이퍼 에지 노광장비 내로 이송하여 상기 웨이퍼지지부(300) 상에 탑재한다. 여기서, 상기 웨이퍼(100)의 중심(800)이 상기 웨이퍼지지부(300)의 회전중심축(900) 상에 위치하도록 배치한다. 그 다음, 웨이퍼지지부(300)에 설치된 진공 척(chuck)에 의해 상기 웨이퍼를 상기 웨이퍼지지부(300) 상에 고정시킨다. 상기 포토레지스트막을 형성하는 단계는 유효 패턴 및 더미 패턴을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.

상기 빔 발생장치(400)는 노광용 빔으로 사용되는 자외선을 발생시키는 광원(410) 및 상기 광원(410)에서 발생된 자외선을 통제하기 위하여 상기 광원(410)과 상기 웨이퍼지지부(300) 사이에 위치하는 노광제어 마스크(420)를 포함한다. 상기 노광용 빔이 웨이퍼(100) 면에 수직하게 조사되도록 상기 빔 발생장치(400) 및 상기 웨이퍼지지부(300)를 설치한다. 상기 웨이퍼 에지(200)의 노광되는 부분의 폭(1)은 상기 노광제어 마스크(420)를 조작함으로 조절한다.

상기 광원(410)에서 발생된 노광용 빔을 상기 에지 영역(200)에 적어도 2회 노광시키는 반복노광법이 본 발명의 기술적 과제를 달성하는 방법이다. 상기 반복노광법은 상기 웨이퍼(100)가 플랫존에 의해 완전한 원형(圓形)이 아니라는 사실로 인해 다양한 방법의 실시예를 가질수 있다. 여기서는 회전 노광과 병진 노광을 차례로 2회이상 반복하는 실시예에 대해 설명한다.

먼저 고정된 상기 빔 발생장치(400)의 광원(410)에 대해 상기 웨이퍼지지부(300)를 회전시키어 플랫존 이외의 에지영역을 노광하는 회전에지 노광단계를 실시한다. 상기 웨이퍼(100)가 원형이 아니라는 사실로 인해, 상기 회전에지노광은 플랫존에서는 효과가 없다. 따라서 상기 웨이퍼(100)가 회전하는 동안 상기 노광용 빔이 플랫존의 한 모서리를 조사하게될 때부터, 상기 회전에지노광은 플랫존에 평행하면서 플랫존에 포함된 에지영역을 노광하는 병진에지노광으로 대체된다. 종래 기술의 경우 상기 회전에지노광과 상기 병진에지노광은 상기 웨이퍼(100)의 한회전동안 한번 수행한다. 이경우 에지노광의 목적인 상기 에지영역(200)에서의 포토레지스트의 완전한 제거를 위해 필요한 시간은 실시예로서 40초였다. 그런데 상기 회전에지노광 및 상기 병진에지노광을 교차반복적으로 2회 실시하는 경우, 실시예로서 30초의 시간으로 동일한 포토레지스트의 완전한 제거를 이룰수 있다.

본 발명은 상기 교차반복에 의한 에지 반복노광의 실시예로 설명한 상기 빔 발생장치(400)와 상기 웨이퍼(100)의 위치 및 노광을 위한 운동 방식과 다른 형태로 실시될 수도 있다.

본 발명은 종래 기술에 비해 효율적인 반도체 웨이퍼의 에지 노광 방법을 제공하며, 그 결과 반도체 제품의 생산량을 증대시킬 수 있다.

Claims (6)

1. 에지영역을 가지면서 플랫존이 구비된 웨이퍼 상에 포토레지스트막을 형성하는 단계;

   상기 포토레지스트막이 형성된 웨이퍼를 웨이퍼지지부 상에 탑재하는 단계;

   상기 웨이퍼의 에지영역을 노광하기 위한 노광용 빔을 발생시키는 광원을 준비하는 단계; 및

   상기 웨이퍼의 에지영역에 상기 노광용 빔을 적어도 2 회 반복 노광시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 에지 노광 방법.
2. 제 1 항에 있어서,

   상기 포토레지스트막을 형성하는 단계는 유효 패턴 및 더미 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 에지 노광 방법.
3. 제 1 항에 있어서,

   상기 노광용 빔은 자외선인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 에지 노광 방법.
4. 제 1 항에 있어서,

   상기 반복 노광의 1회 노광 단계는

   상기 웨이퍼의 에지영역을 상기 노광용 빔으로 노광하는 동안 상기 웨이퍼지지부 상에 탑재된 웨이퍼를 회전시키는 회전 에지노광 단계; 및

   상기 광원을 병진운동시킴으로써 상기 웨이퍼의 플랫존을 노광하는 병진 에지노광 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 에지 노광 방법.
5. 제 4 항에 있어서,

   상기 회전 에지노광 단계 및 상기 병진 에지노광 단계는 특정 노광단계가 모두 끝나기전 다른 노광단계를 진행하는 교차적 반복노광의 방법을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 에지 노광 방법.
6. 제 1 항에 있어서,

   상기 광원 및 상기 웨이퍼지지부 사이에 위치하는 노광제어 마스크를 통해 상기 에지영역의 폭을 결정하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 에지 노광 방법.