JPH03222407A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPH03222407A JPH03222407A JP1978190A JP1978190A JPH03222407A JP H03222407 A JPH03222407 A JP H03222407A JP 1978190 A JP1978190 A JP 1978190A JP 1978190 A JP1978190 A JP 1978190A JP H03222407 A JPH03222407 A JP H03222407A
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- JP
- Japan
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- wafer
- developer
- resist
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- concentration
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- Pending
Links
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract description 13
- 239000012634 fragment Substances 0.000 abstract description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 abstract 3
- 238000010276 construction Methods 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 24
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- QVEIBLDXZNGPHR-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1,4-dione;diazide Chemical compound [N-]=[N+]=[N-].[N-]=[N+]=[N-].C1=CC=C2C(=O)C=CC(=O)C2=C1 QVEIBLDXZNGPHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体製造装置に間し、特にあらかじめレジス
トが塗布されたウェーハ上に現像液を滴下して現像する
半導体製造装置に間する。
トが塗布されたウェーハ上に現像液を滴下して現像する
半導体製造装置に間する。
従来、ホトリソグラフィ工程において使用されるウェー
ハ上のレジストに現像液を滴下して現像する半導体製造
装置は、１本のノズルから１種類の現像液を滴下して現
像する構造となっていた。
ハ上のレジストに現像液を滴下して現像する半導体製造
装置は、１本のノズルから１種類の現像液を滴下して現
像する構造となっていた。
この半導体製造装置を用いてウェーハ上のレジストを現
像する場合には、第３図（ａ）に示すように、ウェーハ
６の周辺部のポジタイプのレジストを除去するなめに、
まず、周辺露光用光源９を用いて周辺部の露光を行い
その後、第３図（ｂ）に示すように、現像液滴下用ノズ
ル２から現像液を滴下し、ウェーハ６上のレジストを現
像すると同時に周辺部のレジストの現像も行っていた。
像する場合には、第３図（ａ）に示すように、ウェーハ
６の周辺部のポジタイプのレジストを除去するなめに、
まず、周辺露光用光源９を用いて周辺部の露光を行い
その後、第３図（ｂ）に示すように、現像液滴下用ノズ
ル２から現像液を滴下し、ウェーハ６上のレジストを現
像すると同時に周辺部のレジストの現像も行っていた。
上述の従来のウェーハ上に現像液を滴下してレジストが
塗布されたウェーハを現像する半導体製造装置において
は、ウェーハの周辺部のレジストを除去するために、周
辺部の露光を行った後に１本のノズルから１種類の現像
液を滴下してウェーハ上のパターンを現像すると同時に
周辺部のレジストを除去している。
塗布されたウェーハを現像する半導体製造装置において
は、ウェーハの周辺部のレジストを除去するために、周
辺部の露光を行った後に１本のノズルから１種類の現像
液を滴下してウェーハ上のパターンを現像すると同時に
周辺部のレジストを除去している。
この露光を行う際に、周辺部のレジストを確実に除去す
るために露光する時間を長くすると、レジストの主成分
であるナフトキノンジアジドが光と反応してＮ２ガスが
大量に発生し、レジストが破片状に基板から飛ばされ、
解像すべきパターンの上に付着してパターン異常を生じ
てしまうという欠点がある。
るために露光する時間を長くすると、レジストの主成分
であるナフトキノンジアジドが光と反応してＮ２ガスが
大量に発生し、レジストが破片状に基板から飛ばされ、
解像すべきパターンの上に付着してパターン異常を生じ
てしまうという欠点がある。
本発明の目的は、ウェーハのパターン異状の発生がなく
、パターンを解像できる半導体製造装置を提供すること
にある。
、パターンを解像できる半導体製造装置を提供すること
にある。
本発明は、あらかじめレジストが塗布されなウェーハ上
に現像液を滴下して現像するホトリソグラフィ工程にて
使用される半導体製造装置において、異なる濃度の現像
液を滴下する複数のノズルが設けられている。
に現像液を滴下して現像するホトリソグラフィ工程にて
使用される半導体製造装置において、異なる濃度の現像
液を滴下する複数のノズルが設けられている。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図は本発明の第１の実施例の断面図である。
第１の実施例は、第１図に示すように、力・ンプ５内に
は、ウェーハ６上のパターンを現像するために、ウェー
ハ６の中心部の上部に２．０〜２゜５％の濃度の現像液
を滴下するためのノズル２と、ウェーハ６の周辺部のレ
ジストを除去のために、ウェーハ６の周辺部の上部に３
．０％以上の濃度の現像液を滴下するノズル３を有して
いる。
は、ウェーハ６上のパターンを現像するために、ウェー
ハ６の中心部の上部に２．０〜２゜５％の濃度の現像液
を滴下するためのノズル２と、ウェーハ６の周辺部のレ
ジストを除去のために、ウェーハ６の周辺部の上部に３
．０％以上の濃度の現像液を滴下するノズル３を有して
いる。
ウェーハ６の周辺部分のレジストを除去して現像を行う
場合、まず、スピンチャック７を回転させながら周辺除
去用現像液滴下ノズル３から３．０％以上の濃度の現像
液を滴下させることにより、ウェーハ６周辺部のレジス
トを除去する。
場合、まず、スピンチャック７を回転させながら周辺除
去用現像液滴下ノズル３から３．０％以上の濃度の現像
液を滴下させることにより、ウェーハ６周辺部のレジス
トを除去する。
続いて、現像液滴下用ノズル２から２．０〜２．５％の
濃度の現像液をウェーハ６上に滴下し、パターンを現像
する。
濃度の現像液をウェーハ６上に滴下し、パターンを現像
する。
このように、周辺部のレジストの除去の際に光を照射し
ないために、レジストを主成分であるナフトキノンジア
ジドの光の反応による大量のＮ２ガスの発生はなく、レ
ジストの破片状の飛びちりがないために、ウェーハ６周
辺部でのパターン異常の発生を防止できる。
ないために、レジストを主成分であるナフトキノンジア
ジドの光の反応による大量のＮ２ガスの発生はなく、レ
ジストの破片状の飛びちりがないために、ウェーハ６周
辺部でのパターン異常の発生を防止できる。
第２の実施例は、第２図に示すように、ウェーハ６の周
辺部のレジストを除去するために、高濃度の現像液を滴
下するノズルを複数で構成し、複数で構成される周辺除
去用現像液滴下ノズル４とすることにより、第１の実施
例と同様、ウェーハ６周辺部でのパターン異常の生じな
いウェーハ６周辺部のレジストの除去が行なえるのみで
なく、ウェーハ６周辺部のレジストを除去するために高
濃度の現像液を滴下させる複数で構成される周辺除去用
現像液滴下ノズル４の本数をプログラム上で任意にコン
トロールすることにより、ウェーハ６周辺部の除去する
レジストの巾を任意に選べるという利点を有する。
辺部のレジストを除去するために、高濃度の現像液を滴
下するノズルを複数で構成し、複数で構成される周辺除
去用現像液滴下ノズル４とすることにより、第１の実施
例と同様、ウェーハ６周辺部でのパターン異常の生じな
いウェーハ６周辺部のレジストの除去が行なえるのみで
なく、ウェーハ６周辺部のレジストを除去するために高
濃度の現像液を滴下させる複数で構成される周辺除去用
現像液滴下ノズル４の本数をプログラム上で任意にコン
トロールすることにより、ウェーハ６周辺部の除去する
レジストの巾を任意に選べるという利点を有する。
以上説明したように本発明は、同一カップ内にパターン
を現像するための現像液を滴下するノズルと、ウェーハ
外周部のレジストを除去するための高濃度の現像液を滴
下するノズルを有する構造にすることにより、パターン
異常の発生がなくパターンを解像でき、周辺部のレジス
トを確実に除去する現像を行うことができるという効果
がある。
を現像するための現像液を滴下するノズルと、ウェーハ
外周部のレジストを除去するための高濃度の現像液を滴
下するノズルを有する構造にすることにより、パターン
異常の発生がなくパターンを解像でき、周辺部のレジス
トを確実に除去する現像を行うことができるという効果
がある。
第１図は本発明の第１の実施例の断面図、第２図は本発
明の第２の実施例の断面図、第３図（ａ）、（ｂ）は従
来の現像方法を説明する断面図である。 １・・・リンス用ノズル、２・・・現像液滴下用ノズル
、３・・・周辺除去用現像液滴下ノズル、４・・・複数
で構成される周辺除去用現像液滴下ノズル、５・・・カ
ップ、６・・・ウェーハ、７・・・スピンチャック、８
・・・排気ホース、９・・・周辺露光用光源、１０・・
・光源固定用枠。
明の第２の実施例の断面図、第３図（ａ）、（ｂ）は従
来の現像方法を説明する断面図である。 １・・・リンス用ノズル、２・・・現像液滴下用ノズル
、３・・・周辺除去用現像液滴下ノズル、４・・・複数
で構成される周辺除去用現像液滴下ノズル、５・・・カ
ップ、６・・・ウェーハ、７・・・スピンチャック、８
・・・排気ホース、９・・・周辺露光用光源、１０・・
・光源固定用枠。
Claims (1)
- あらかじめレジストが塗布されたウェーハ上に現像液を
滴下して現像するホトリソグラフィ工程にて使用される
半導体製造装置において、異なる濃度の現像液を滴下す
る複数のノズルを設けたことを特徴とする半導体製造装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1978190A JPH03222407A (ja) | 1990-01-29 | 1990-01-29 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1978190A JPH03222407A (ja) | 1990-01-29 | 1990-01-29 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03222407A true JPH03222407A (ja) | 1991-10-01 |
Family
ID=12008871
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1978190A Pending JPH03222407A (ja) | 1990-01-29 | 1990-01-29 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03222407A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6238107B1 (en) * | 1998-08-19 | 2001-05-29 | Tokyo Electron Limited | Developing apparatus |
-
1990
- 1990-01-29 JP JP1978190A patent/JPH03222407A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6238107B1 (en) * | 1998-08-19 | 2001-05-29 | Tokyo Electron Limited | Developing apparatus |
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