KR19980020162U - 반도체 제조장비의 레지스트 현상장치 - Google Patents
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Abstract
본 고안은 종래의 반도체 제조장비의 레지스트 현상장치에서 발생할 수 있는 이물에 의나 레지스트패턴 불량발생을 제거할 수 있도록 웨이퍼 척과 현상액분사노즐 및 린스액분사노즐 사이에 웨이퍼 전면을 덮을 수 있는 이물차단판을 설치하고, 이물차단판 표면에 현상액 및 린스액분사노즐이 관통되는 관통구를 형성하며, 이러한 관통구를 통하여 현상액과 린스액이 분사될 수 있도록 함에 따라 외부에서 유입되는 이물이 웨이퍼 표면에 떨어지지 않도록 한 반도체 제조장비의 레지스트 현상장치에 관한 것이다.
Description
제1도는 종래의 반도체 제조장비의 현상장치를 설명하기 위한 도면으로,
제1도의 (가)는 종래의 반도체 제조장비의 레지스트 현상장치의 단면도이고,
제1도의 (나)는 종래의 반도체 제조장비의 레지스트 현상장치인 현상액분사부의 평면도이다.
제2도는 본 고안의 반도체 제조장비의 레지스트 현상장치를 설명하기 위한 도면으로,
제2도의 (가)는 본 고안의 반도체 제조장비의 레지스트 현상장치의 단면도이고,
제2도의 (나)는 본 고안의 반도체 제조장비의 레지스트 현상장치인 이물차단판의 평면도이다.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*
10, 20 : 웨이퍼11, 21 : 웨이퍼척
12, 22 : 현상액분사노즐13, 23 : 항온수튜브
14, 24 : 린스액분사노즐25 : 이물차단판
26 : 관통구
본 고안은 반도체 제조장비의 레지스트 현상장치에 관한 것으로, 특히 웨이퍼(wafer)상에 형성된 레지스트 패턴(resist pattern)현상 시, 발생되는 이물을 제거하는데 적당하도록 한 반도체 제조장비의 레지스트 현상장치에 관한 것이다.
반도체 제조장비의 레지스트 현상장치는 일반적으로 반도체 제조공정중 포토공정 진행시 감광막패턴 현상공정에 사용되는 장치로, 노광이 완료된 웨이퍼 위에 현상액을 분사하여 노광된 부위 또는 노광되지 않은 부위의 감광막을 용해 즉, 선택적으로 현상(develop)하여 패턴을 만들어준다.
그리고 웨이퍼 상에 현상액을 분사한 다음 일정시간 경과 후, 현상액에 의해 용해된 감광물질을 순수를 이용하여 세정(rinse)한다.
제1도는 종래의 반도체 제조장비의 현상장치를 설명하기 위한 도면으로, 제1도의 (가)는 종래의 반도체 제조장비의 레지스트 현상장치의 단면도이고, 제1도의 (나)는 종래의 반도체 제조장비의 레지스트 현상장치인 현상액분사부의 평면도이다.
이하, 첨부된 도면을 참고로 하여 종래의 반도체 제조장비의 레지스트 현상장치 및 그 문제점을 설명하겠다.
종래의 반도체 제조장비의 레지스트 현상장치는 제1도의 (가)(나)와 같이, 웨이퍼(10)가 안착되는 웨이퍼척(wafer chuck)(11)과, 웨이퍼척(11)을 구동하여 회전시키는 스핀모터(spin motor)(11-1)와, 웨이퍼 상부에 설치된 현상액분사노즐(13)과, 현상액분사노즐(13) 외주면에 설치되어, 항온수가 공급되어 현상액의 온도를 일정하게 유지시키는 항온수튜브(12)와, 웨이퍼(10) 가장자리 상부에 설치된 린스액노즐(14)을 포함하여 이루어진다.
종래의 반도체 제조장비의 레지스트 현상장치는 우선, 웨이퍼(10)가 웨이퍼 척(11)에 안착되어 스핀모터(11-1)에 의해 회전되며, 그 상부에 설치된 현상액 분사노즐(12)을 통하여 현상액이 웨이퍼 상에 분사된다.
이때, 웨이퍼 상에 분사되는 현상액의 온도를 일정하게 유지시키기 위하여 현상액분사노즐(12) 외주면에 톱니모양의 항온수튜브(13)를 설치하고, 항온수튜브(13) 내에 항온수를 공급한다.
그리고 웨이퍼 상에 현상액 공급이 완료되면 웨이퍼 가장자리 상부에 설치된 노즐(14)을 통하여 순수를 분사하여 현상공정이 완료된 웨이퍼를 린스하게 된다.
그러나, 종래의 반도체 제조장비의 레지스트 현상장치에서는 웨이퍼 표면이 노출된 상태이기 때문에 항온수가 공급되는 항온수튜브에 리크가 발생되거나,(이 경우 육안으로는 식별되지 않기 때문에 항온수가 웨이퍼 표면으로 떨어져 불량을 유발시키는 것을 방치할 가능성이 높다.) 또는 외부에서 유입되는 이물이 있을 경우 쉽게 웨이퍼 표면에 떨어져 불량을 유발하게 된다.
본 고안은 이러한 문제를 해결하고자 안출된 것으로, 항온수가 공급된 항온 수튜브에 발생된 리크나, 외부의 이물로 인하여 웨이퍼 상에 항온수나 이물이 떨어짐을 방지하여 웨이퍼 불량을 유발하는 요인을 방지가능한 반도체 제조장비의 레지스트 현상장치를 목적으로 한다.
본 고안은 웨이퍼 척과 현상액분사노즐 및 린스액분사노즐 사이에 웨이퍼 전면을 덮을 수 있는 이물차단판을 설치하고, 이물차단판 표면에 현상액 및 린스액 분사노즐이 관통되는 관통구를 형성하며, 이러한 관통구를 통하여 현상액과 린스액이 분사될 수 있도록 함에 따라 외부에서 유입되는 이물이 웨이퍼 표면에 떨어지지 않도록 한 반도체 제조장비의 레지스트 현상장치에 관한 것으로, 종래의 반도체 제조장비의 레지스트 현상장치에서 발생할 수 있는 이물에 의한 레지스트패턴 불량발생을 제거할 수 있다.
제2도는 본 고안의 반도체 제조장비의 레지스트 현상장치를 설명하기 위한 도면으로, 제2도는 (가)는 본 고안의 반도체 제조장비의 레지스트 현상장치의 단면도이고, 제2도의 (나)는 본 고안의 반도체 제조장비의 레지스트 현상장치인 이물차단판의 평면도이다.
이하, 첨부된 도면을 참고로 하여 본 고안의 반도체 제조장비의 레지스트 현상장치를 설명하겠다.
본 고안의 반도체 제조장비의 레지스트 현상장치는 제2도의 (가)(나)와 같이, 웨이퍼(20)가 안착되는 웨이퍼척(21)과, 웨이퍼척을 구동하여 회전시키는 스핀모터(21-1)와, 웨이퍼 상부에 설치된 현상액분사노즐(22)과, 현상액분사노즐(22) 외주면에 설치되어, 향온수가 공급되어 현상액이 일정온도를 유지하도록 하는 항온수튜브(22)와, 웨이퍼 가장자리 상부에 설치된 린스액노즐(24)와, 웨이퍼 상부에 상세히 말하자면, 웨이퍼 척(21)과 현상액분사노즐(22)과 린스액노즐(24) 사이에 설치되고, 표면에 현상액분사노즐(22)과 린스액노즐(24)이 관통되는 관통구(26)가 형성되어 현상액과 린스액이 웨이퍼(20) 상에 분사되고 이물은 차단되는 이물차단판(25)을 포함하여 이루어진다.
반도체 제조공정중 포토공정 진행시 감광막패턴 현상공정에 사용되는 장치인 본 고안의 반도체 제조장비의 레지스트 현상장치에서는 노광공정이 완료된 웨이퍼(20) 상에 현상액을 분사하여 노광시 빛을 받은 부위의 감광막을 용해하여 선택적으로 패턴을 만들어준다.
본 고안의 반도체 제조장비의 레지스트 현상장치를 통한 현상공정을 알아보면, 우선 노광이 완료된 웨이퍼(20)를 본 고안의 반도체 제조장비의 레지스트 현상장치의 웨이퍼척(21)에 안착된 후, 웨이퍼 상에 현상액이 분사되기 이전에, 이물차단판(25)은 웨이퍼 상부로 이동하여 적절한 위치를 맞추거나 또는 이미 적절한 위치에 고정되어 있다.
이때, 이물차단판(25)은 웨이퍼 전면을 덮도록 형성된다.
그리고 이물차단판(25)이 웨이퍼 상부에 고정되면, 스핀모터(21-1)가 회전됨에 다라 웨이퍼척에 안착된 웨이퍼가 회전되면서 현상액분사노즐을 통하여 웨이퍼 상에 현상액이 공급된다.
이어서 현상액 공급이 완료되면, 웨이퍼 가장자리 상부에 설치된 린스액노즐(24)을 통하여 린스액이 공급되면서 웨이퍼 세정을 실시한다.
본 고안은 종래의 반도체 제조장비의 레지스트 현상장치에서 발생할 수 있는 이물에 의한 레지스트패턴 불량발생을 제거할 수 있도록 웨이퍼 척과 현상액분사노즐 및 린스액분사노즐 사이에 웨이퍼 전면을 덮을 수 있는 이물차단판을 설치하고, 이물차단판 표면에 현상액 및 린스액분사노즐이 관통되는 관통구를 형성하며, 이러한 관통구를 통하여 현상액과 린스액이 분사될 수 있도록 함에 따라 외부에서 유입되는 이물이 웨이퍼 표면에 떨어지지 않도록 한 것이다.
상기에서 살펴본 바와 같이, 본 고안의 이물차단판은 외부에서 유입되는 이물이 노출된 웨이퍼 표면에 떨어지는 것을 효과적으로 방지가능하다.
Claims (2)
- 웨이퍼가 안착되는 웨이퍼척과, 상기 웨이퍼 상부에 설치된 현상액분사노즐과, 상기 현상액분사노즐 외주면에 설치된 항온수튜브와, 상기 웨이퍼 가장자리 상부에 설치된 린스액노즐을 포함하여 이루어져, 상기 현상액분사노즐을 통하여 현상액이 웨이퍼 상에 공급되어 현상공정이 완료된 후, 상기 린스액노즐을 통하여 상기 웨이퍼가 린스되는 반도체 제조장비의 레지스트 현상장치에 있어서,상기 웨이퍼척과 상기 현사액분사노즐 및 상기 린스액노즐 사이에 설치되어, 표면에 상기 현상액분사노즐과 상기 린스액노즐이 관통되는 관통구가 각각 형성되어 현상액과 린스액은 분사되고, 이물은 차단되는 이물차판단을 포함하여 이루어지는 것이 특징인 반도체 제조장치의 레지스트 현상장치.
- 제1항에 있어서,상기 이물차단판은 웨이퍼 전면을 덮을 수 있도록 설치된 것을 특징으로 하는 반도체 제조장비의 레지스트 현상장치.
Priority Applications (1)
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| KR2019960033373U KR0140088Y1 (ko) | 1996-10-10 | 1996-10-10 | 반도체 제조장비의 레지스트 현상장치 |
Applications Claiming Priority (1)
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| KR2019960033373U KR0140088Y1 (ko) | 1996-10-10 | 1996-10-10 | 반도체 제조장비의 레지스트 현상장치 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
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| KR19980020162U true KR19980020162U (ko) | 1998-07-15 |
| KR0140088Y1 KR0140088Y1 (ko) | 1999-04-01 |
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Family Applications (1)
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| KR2019960033373U KR0140088Y1 (ko) | 1996-10-10 | 1996-10-10 | 반도체 제조장비의 레지스트 현상장치 |
Country Status (1)
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| KR (1) | KR0140088Y1 (ko) |
-
1996
- 1996-10-10 KR KR2019960033373U patent/KR0140088Y1/ko not_active IP Right Cessation
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| KR0140088Y1 (ko) | 1999-04-01 |
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