KR100607789B1 - 포토리소그래피 공정의 노광 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 포토리소그래피 공정의 노광 방법에 관한 것으로, 포토레지스트가 도포된 반도체 기판이 노광 장치에 장착되고, 상기 반도체 기판을 정렬하는 단계; 상기 반도체 기판 정렬 후, 반도체 회로를 형성하는 패턴이 반도체 기판 위로 전사되어 노광되는 단계 및 상기 노광 과정중 실제 칩을 형성하는 샷과 실제 칩이 형성되지 않는 여분의 샷을 블라인드 세팅을 통해 블라인드 샷으로 노광하는 단계로 이루어짐에 기술적 특징이 있고, 여분의 블라인드 샷을 구성함으로써 노광 및 현상 과정 중에 발생할 수 있는 부산물, 찌꺼기 등에 의한 결함의 발생을 억제시켜 반도체 소자의 수율이 향상되는 효과가 있다.

블라인드 샷, 노광 과정, 현상 과정

Description

포토리소그래피 공정의 노광 방법{Exposure method for photolithography process}

도 1은 일반적인 기판을 나타내는 도면이다.

도 2는 종래의 노광 작업시 기판의 하부 영역에서 발생된 결함을 나타내는 도면이다.

도 3은 본 발명에 따른 노광 작업시 기판의 상태를 나타내는 도면이다.

본 발명은 포토리소그래피 공정의 노광 방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 포토 공정중 일정한 패턴을 지닌 마스크를 반도체 기판 위에 전사시켜 일정 패턴을 형성시키는 노광 방법에 관한 것이다.

반도체 제조 공정 중에 기판을 가공하여 원하는 동작을 하는 회로를 만들기 위해 패턴 공정을 진행한다. 이 패턴 공정은 포토레지스트 도포하는 과정, 노광을 하는 과정 및 현상을 하는 과정으로 구분된다. 상기 패턴 공정 중에서 패턴이 형성 되는 노광 과정과 현상 과정은 다음과 같다.

포토레지스트가 도포된 반도체 기판이 노광 장치에 장착되고, 노광이 진행되기 전에 반도체 기판을 정렬하는 단계를 수행한다. 상기 반도체 기판의 정렬이 완료되면, 반도체 회로를 형성하는 패턴이 기판 위로 전사되어 노광되는 단계가 진행된다. 노광 과정중 실제 칩을 형성하는 샷(Shot)과 여분의 샷이 동시에 노광된다.

노광이 완료된 반도체 기판은 실제 패턴 형성을 위한 현상 장치로 이동되어 현상 과정이 이루어진다. 현상액이 고속 및 저속으로 회전하는 기판 위에 현상액 노즐을 통하여 분사가 진행된다. 상기 분사된 현상액은 기판의 회전이 없는 상태에서 현상이 진행되는데 충분한 시간(40초~60초) 동안 그대로 유지된다. 상기 과정 중에 노광된 포토레지스트의 현상이 이루어 지게 된다.

현상이 모두 진행된 기판의 부산물들을 제거하기 위해서 세정 과정이 이루어 지는데, 이때 기판이 2000rpm 정도의 고속으로 회전함과 동시에 세정을 위한 순수(DI Water)가 10초~20초 정도의 분사되며 세정 과정이 진행된다.

세정 과정이 모두 끝난 후, 15초~25초 정도의 시간 동안 순수의 분사없이 기판을 고속 회전시켜 건조 과정을 진행한다. 이때 기판에 남아있던 순수가 모두 없어져 현상과정이 완료된다.

상기와 같은 종래의 기술에서는 형성하고자 하는 반도체 회로의 노광 작업시 실제 칩을 형성하는 샷과 여분의 더미샷(Dummy shot)을 노광하는데, 도 1에서와 같이 기판의 ID가 마킹(Marking)되는 영역에 여분의 더미샷을 노광할 수 없다.

따라서, 상기와 같은 종래의 기술은 노광이 완료되고, 후속 공정인 현상 과 정중 진행되는 세정 과정에서 세정을 위한 순수가 분사됨과 동시에 기판이 고속으로 회전을 진행하는 과정을 거칠 때, 현상 과정이 완료된 감광막의 찌꺼기 및 부산물 등이 노광이 진행되지 않은 영역에서 원활하게 제거되지 않아 도 2에서와 같이 결함(10)이 발생하는 문제점이 있었다.

따라서, 본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 제반 단점과 문제점을 해결하기 위한 것으로, 여분의 블라인드 샷(Blind shot)을 구성하여 노광되지 않은 포토레지스트의 남는 영역을 제거하여 현상 과정 중에 발생되는 결함이 발생되지 않도록 하는 포토리소그래피 공정의 노광 방법을 제공함에 본 발명의 목적이 있다.

본 발명의 상기 목적은 포토레지스트가 도포된 반도체 기판이 노광 장치에 장착되고, 상기 반도체 기판을 정렬하는 단계; 상기 반도체 기판 정렬 후, 반도체 회로를 형성하는 패턴이 반도체 기판 위로 전사되어 노광되는 단계 및 상기 노광 과정중 실제 칩을 형성하는 샷과 실제 칩이 형성되지 않는 여분의 샷을 블라인드 세팅을 통해 블라인드 샷으로 노광하는 단계를 포함하여 이루어진 포토리소그래피 공정의 노광 방법에 의해 달성된다.

본 발명의 상기 목적과 기술적 구성 및 그에 따른 작용효과에 관한 자세한 사항은 본 발명의 바람직한 실시예를 도시하고 있는 도면을 참조한 이하 상세한 설 명에 의해 보다 명확하게 이해될 것이다.

본 발명에 따른 노광 방법을 살펴보면 다음과 같다. 먼저, 포토레지스트가 도포된 반도체 기판이 노광 장치에 장착되고, 노광이 진행되기 전에 반도체 기판을 정렬하는 단계를 수행한다. 상기 반도체 기판의 정렬이 완료되면, 반도체 회로를 형성하는 패턴이 기판 위로 전사되어 노광되는 단계가 진행된다. 노광 과정중 실제 칩을 형성하는 샷(Shot)과 실제 칩이 형성되지 않는 여분의 샷을 동시에 노광한다.

이후 도 3에 도시된 바와 같이, 기판의 ID 마킹 영역부터 실제 칩이 형성되는 영역까지 노광이 가능한 더미샷이 블라인드 세팅(Blind Setting)을 통해 이루어져 새로운 블라인드 샷으로 여분의 샷을 추가하여 선택적인 노광을 하여 기판의 수율이 향상된다.

노광이 완료된 반도체 기판은 실제 패턴 형성을 위한 현상 장치로 이동되어 현상 과정이 이루어진다. 현상액이 고속 및 저속으로 회전하는 기판 위에 현상액 노즐을 통하여 분사가 진행된다. 상기 분사된 현상액은 기판의 회전이 없는 상태에서 현상이 진행되는데 충분한 시간(40초~60초) 동안 그대로 유지된다. 상기 과정 중에 노광된 포토레지스트의 현상이 이루어 진다.

현상이 모두 진행된 기판의 부산물들을 제거하기 위해서 세정 과정이 이루어 지는데, 이때 기판이 2000rpm 정도의 고속으로 회전함과 동시에 세정을 위한 순수(DI Water)가 10초~20초 정도의 분사되며 세정 과정이 진행된다.

세정 과정이 모두 끝난 후, 15초~25초 정도의 시간 동안 순수의 분사없이 기판을 고속 회전시켜 건조 과정을 진행한다. 이때 기판에 남아있던 순수가 모두 없 어져 현상과정이 완료된다.

상기에 설명한 바와 같이, 본 발명에서는 현상액이 도포되어 현상이 완료된 후 상기 현상액과 부산물, 찌거기 등을 제거하는 과정에서 미리 노광된 더미 블라인드 샷 영역이 존재하게 되어 순수 세정을 통해 상기 부산물, 찌거기 등이 원활히 기판 밖으로 빠져 나갈 수 있게 하였다. 즉 세정 과정의 원활한 흐름을 방해하는 포토레지스트의 일종의 벽이 존재하지 않게 된다. 따라서 기존 공정과는 달리 더미 블라인드가 없는 지역에서 발생하게 되는 부산물, 찌꺼기 등의 결함이 형성되지 않게 된다.

본 발명은 이상에서 살펴본 바와 같이 바람직한 실시예를 들어 도시하고 설명하였으나, 상기한 실시예에 한정되지 아니하며 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변경과 수정이 가능할 것이다.

따라서, 본 발명의 포토리소그래피 공정의 노광 방법은 여분의 블라인드 샷을 구성함으로써 노광 및 현상 과정 중에 발생할 수 있는 부산물, 찌꺼기 등에 의한 결함의 발생을 억제시켜 반도체 소자의 수율이 향상되는 효과가 있다.

Claims (2)

1. 포토리소그래피 공정의 노광 방법에 있어서,

   포토레지스트가 도포된 반도체 기판이 노광 장치에 장착되고, 상기 반도체 기판을 정렬하는 단계;

   상기 반도체 기판 정렬 후, 반도체 회로를 형성하는 패턴이 반도체 기판 위로 전사되어 노광되는 단계; 및

   상기 노광 과정중 실제 칩을 형성하는 샷과 실제 칩이 형성되지 않는 여분의 샷을 블라인드 세팅을 통해 블라인드 샷으로 노광하는 단계

   를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 포토리소그래피 공정의 노광 방법.
2. 제 1항에 있어서,

   상기 블라인드 세팅은 기판 ID가 마킹되는 영역부터 실제 칩이 형성되는 영역까지 형성하는 것을 특징으로 하는 포토리소그래피 공정의 노광 방법.

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