KR100649014B1 - 감광막 잔류물의 제거 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 감광막을 현상하고, 발생되는 잔류물을 효율적으로 제거하기 위한 감광막 잔류물의 제거 장치에 관한 것으로, 웨이퍼 상에 린스액을 공급하는 노즐부; 상기 노즐부의 위치를 고정시키는 제 1 이동축; 상기 노즐부를 가로방향으로 이동시키는 제 2 이동축; 상기 노즐부와 상기 제 1 이동축을 연결시키며, 좌우운동이 가능한 연결암으로 구성된다.
린스, 감광막 잔류물, 순수, 현상

Description

감광막 잔류물의 제거 장치{Apparatus for rinsing resist residue}
도 1은 종래기술의 감광막 잔류물의 제거 장치이다.
도 2는 종래기술의 린스공정 후의 웨이퍼의 단면도이다.
도 3은 본 발명에 따른 감광막 잔류물의 제거 장치이다.
도 4는 본 발명에 따른 린스공정 후의 웨이퍼의 단면도이다.
도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
20 : 반도체 웨이퍼 21 : 제 1 노즐부
22 : 제 2 노즐부 23 : 제 1 공급관
24 : 제 2 공급관 25 : 제 1 이동축
26 : 제 2 이동축 27 : 이동암
28 : 제 1 연결암 29 : 제 2 연결암
30 : 전동부 31 : 회동축
본 발명은 감광막 잔류물의 제거장치에 관한 것으로, 특히 감광막을 현상하고, 발생되는 잔류물을 효율적으로 제거하기 위한 감광막 잔류물의 제거 장치에 관 한 것이다.
일반적으로 반도체 소자의 제조공정에서 감광막을 이용하여 패턴을 이용하는 방법이 필수적으로 사용되고 있다. 감광막을 도포하고 마스크를 이용하여 노광하고, 현상한 후에 패턴을 형성하는 데, 현상(develop) 공정은 두 단계로 진행된다.
현상액을 감광막이 형성되어 있는 웨이퍼(wafer) 상에 도포하고 현상시키는 제 1 단계와, 현상된 감광막의 잔류물을 제거하기 위해 순수(DI)를 분사하는 제 2 단계로 구성된다.
이하 첨부된 도면을 참고하여 종래 기술의 감광막 잔류물의 제거 장치에 대하여 상세하게 설명하면 다음과 같다.
도 1은 종래기술의 감광막 잔류물의 제거 장치이다.
감광막 현상 후 잔류물 제거장치는 감광막이 도포되고 노광 및 현상되어진 반도체 웨이퍼(10) 상에 웨이퍼(10)의 중앙부에 순수(deionized water)를 공급하는 제 1 노즐부(11)와 웨이퍼(10)의 주변부에 순수를 공급하는 제 2 노즐부(12), 제 1 노즐부(11)와 제 2 노즐부(12)에 순수를 각각 공급하는 제 1 공급관(13)과 제 2 공급관(14), 제 1 노즐부(11)과 제 2 노즐부(12)를 가로방향으로 이동시키며, 모터와 같은 이동수단이 내재되어 있는 이동축(15), 그리고 제 1 노즐부(11)과 제 2 노즐부(12)를 이동축과 각각 연결하는 제 1 연결암(16)과 제 2 연결암(17)으로 구성된다.
순수에 의한 린스(rinse) 공정은 일반적으로 사용하는 MARK-8 E2 NOZZLE의 경우, 일정한 각도로 이동축(15)에 고정되어 있는 제 1 노즐부(11)와 제 2 노즐부 (12)에 의해 회전하는 웨이퍼(10)의 중앙부 및 주변부에 순수가 분사되어, 감광막이 도포되고 노광 및 현상 공정을 거친 웨이퍼(10)의 현상 후 발생한 감광막 잔류물(resist residue)을 제거한다.
도 1과 같은 방식으로 웨이퍼(10) 상에 순수를 분사하여 린스공정을 진행하면, 웨이퍼(10)의 표면에 순수가 분사되는 각도가 일정하여 패턴의 밀도가 높은 경우 또는 그림자 효과(shadow effect)에 의해 순수가 공급되지 않는 영역에서 감광막 잔류물이 제거되지 않는 문제가 있다.
도 2는 종래 기술의 린스공정 후의 웨이퍼의 단면도이다.
화살표는 순수의 분사방향이며, 웨이퍼(10) 상에 패턴(18)의 밀도가 높은 경우, 순수의 분사방향과 반대 방향에서 패턴(18)의 측면에 인접하게 존재하는 감광막 잔류물(19)은 그림자 효과에 의해 순수가 공급되지 않는 다.
이와 같은 종래 기술의 감광막 잔류물의 제거 장치는 다음과 같은 문제가 있다.
웨이퍼 상에 순수를 분사하여 린스공정을 진행하면, 웨이퍼의 표면에 순수가 분사되는 각도가 일정하여 패턴의 밀도가 높은 경우 또는 그림자 효과(shadow effect)에 의해 순수가 공급되지 않는 영역에서 감광막 잔류물이 제거되지 않는 문제가 있다.
본 발명은 이와 같은 종래기술의 감광막 잔류물의 제거 장치에 대한 문제를 해결하기 위한 것으로, 순수를 공급하는 노즐을 좌우로 회전시켜 순수를 웨이퍼에 균일하게 분사하여 감광막 잔류물에 의해 발생하는 각종 결함을 제거하는 감광막 잔류물의 제거 장치를 제공하는 데 그 목적이 있다.
이와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 감광막 잔류물의 제거장치는 웨이퍼 상에 린스액을 공급하는 노즐부; 상기 노즐부의 위치를 고정시키는 제 1 이동축; 상기 노즐부를 가로방향으로 이동시키는 제 2 이동축; 상기 노즐부와 상기 제 1 이동축을 연결시키며, 좌우운동이 가능한 연결암으로 구성되는 것을 특징으로 한다.
또한 본 발명에 따른 감광막 잔류물의 제거장치에 있어서, 상기 노즐부는 상기 웨이퍼의 중앙부에 린스액을 공급하는 제 1 노즐부와 상기 웨이퍼의 주변부에 린스액을 공급하는 제 2 노즐부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한 본 발명에 따른 감광막 잔류물의 제거장치에 있어서, 제 2 이동축과 연결되며 제 2 이동축을 이동시켜 노즐부의 각도를 조절하기 위해 가로방향으로 운동하는 이동암과 상기 제 1 이동축, 상기 제 2 이동축, 그리고 상기 이동암과 연결되며 상하운동 및 회전하는 회동축을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한 본 발명에 따른 감광막 잔류물의 제거장치에 있어서, 상기 린스액은 순수이고, 상기 노즐부에 순수를 공급하는 공급관과 상기 이동암이 가로방향으로 운동하기 위해 동력을 전달하는 전동부를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
이하 첨부된 도면을 참고하여 본 발명에 따른 감광막 잔류물의 제거장치에 대하여 상세하게 설명하면 다음과 같다.
도 3은 본 발명에 따른 감광막 잔류물의 제거 장치이다.
감광막 현상 후 잔류물 제거장치는 감광막이 도포되고 노광 및 현상되어진 반도체 웨이퍼(20) 상에 웨이퍼(20)의 중앙부에 순수(deionized water)를 공급하는 제 1 노즐부(21)와 웨이퍼(20)의 주변부에 순수를 공급하는 제 2 노즐부(22), 제 1 노즐부(21)와 제 2 노즐부(22)에 순수를 각각 공급하는 제 1 공급관(23)과 제 2 공급관(24), 제 1 노즐부(21)과 제 2 노즐부(22)를 웨이퍼(20) 상에 순수가 분사되는 위치를 고정시키는 제 1 이동축(25), 제 1 노즐부(21)와 제 2 노즐부(22)를 가로방향으로 이동시키는 제 2 이동축(26), 제 2 이동축(26)과 연결되며 제 2 이동축(26)을 이동시켜 제 1 노즐부(21)와 제 2 노즐부(22)의 각도를 조절하기 위해 가로방향으로 운동하는 이동암(27), 제 1 노즐부(21)과 제 2 노즐부(22)를 제 1 이동축(25)과 각각 연결하는 제 1 연결암(28)과 제 2 연결암(29), 이동암(27)이 가로방향으로 운동하기 위해 동력을 전달하는 전동부(30), 그리고 제 1 이동축(25), 제 2 이동축(26), 그리고 이동암(27)과 연결되며 상하운동 및 회전하는 회동축(31)으로 구성된다.
전동부(30)에는 모터(도시되지 않음)가 설치되어 있으며, 이동암(27)에 동력을 전달하여 순수를 분사할 때, 제 1 노즐부(21)와 제 2 노즐부(22)의 각도를 좌우로 변경시킨다. 순수를 웨이퍼(20) 상에 분사할 때, 웨이퍼(20)를 고속으로 회전시키고 제 1 노즐부(21) 및 제 2 노즐부(22)를 1 회 또는 그 이상 좌우로 회전시키면서 순수가 웨이퍼(20)에 균일하게 분사되도록 한다.
도 4는 본 발명에 따른 린스공정 후의 웨이퍼의 단면도이다.
순수는 제 1 분사방향(31)과 방향을 전환하여 제 2 분사방향(32)으로 분사되어, 웨이퍼(20) 상에 패턴(37)의 밀도가 높은 경우에도 패턴(37)의 양측에 모두 순수가 분사되므로, 종래 기술과 같이 그림자 효과가 발생하지 않아 순수의 분사방향과 반대 방향에서 패턴(37)의 측면에 인접하게 존재하는 감광막 잔류물이 모두 제거된다.
이와 같은 본 발명에 따른 감광막 잔류물의 제거장치는 다음과 같은 효과가 있다.
즉, 반도체 제조공정에서 자주 발생되는 감광막 현상 후 감광막 잔류물에 의해 감광막 잔류물이 제거되지 않아 마스크로 작용하는 블록 결함(block defect) 또는 이와 유사한 각종 결함을 사전에 제거할 수 있다.
또한 일정한 각도에서 도포되던 순수를 분사도중에 각도를 변경함으로써 순수가 웨이퍼 상에 형성되어 있는 패턴과 순수의 분사각도에 의해 발생하는 그림자 효과를 없앰으로써 순수의 분사각도와 반대방향으로 패턴의 측면에 인접하여 있는 잔류물을 완전히 제거할 수 있어 반도체 소자의 수율 향상에 기여할 수 있는 효과가 있다.

Claims (4)

  1. 감광막이 도포되고 노광 및 현상되어진 웨이퍼 상에 린스액을 공급하는 노즐부;
    상기 노즐부의 위치를 고정시키는 제 1 이동축;
    상기 노즐부를 가로방향으로 이동시키는 제 2 이동축;
    상기 제 2 이동축과 연결되며 제 2 이동축을 이동시켜 상기 노즐부의 각도를 조절하기 위해 가로방향으로 운동하는 이동암;
    상기 제 1 이동축, 상기 제 2 이동축, 그리고 상기 이동암과 연결되며 상하운동 및 회전하는 회동축;
    상기 노즐부와 상기 제 1 이동축을 연결시키며, 좌우운동이 가능한 연결암으로 구성되는 것을 특징으로 하는 감광막 잔류물의 제거장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 노즐부는
    상기 웨이퍼의 중앙부에 린스액을 공급하는 제 1 노즐부;
    상기 웨이퍼의 주변부에 린스액을 공급하는 제 2 노즐부를 포함하는 것을 특징으로 하는 감광막 잔류물의 제거장치.
  3. 삭제
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 린스액은 순수이고,
    상기 노즐부에 순수를 공급하는 공급관;
    상기 이동암이 가로방향으로 운동하기 위해 동력을 전달하는 전동부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 감광막 잔류물의 제거장치.
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS58122732A (ja) 1982-01-14 1983-07-21 Toshiba Corp ウエハの洗浄方法
JPH06151397A (ja) * 1992-11-09 1994-05-31 Ryoden Semiconductor Syst Eng Kk ウエハ洗浄装置
JPH09251953A (ja) * 1996-01-12 1997-09-22 Sony Corp レジスト現像方法
KR19990080106A (ko) * 1998-04-13 1999-11-05 윤종용 반도체 장치의 세정 장비

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58122732A (ja) 1982-01-14 1983-07-21 Toshiba Corp ウエハの洗浄方法
JPH06151397A (ja) * 1992-11-09 1994-05-31 Ryoden Semiconductor Syst Eng Kk ウエハ洗浄装置
JPH09251953A (ja) * 1996-01-12 1997-09-22 Sony Corp レジスト現像方法
KR19990080106A (ko) * 1998-04-13 1999-11-05 윤종용 반도체 장치의 세정 장비

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