KR100971324B1 - 웨이퍼의 이온 차징 방지를 위한 사진공정방법 및 웨이퍼 쿨링 유니트 - Google Patents

웨이퍼의 이온 차징 방지를 위한 사진공정방법 및 웨이퍼 쿨링 유니트 Download PDF

Info

Publication number
KR100971324B1
KR100971324B1 KR1020080081830A KR20080081830A KR100971324B1 KR 100971324 B1 KR100971324 B1 KR 100971324B1 KR 1020080081830 A KR1020080081830 A KR 1020080081830A KR 20080081830 A KR20080081830 A KR 20080081830A KR 100971324 B1 KR100971324 B1 KR 100971324B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wafer
cooling unit
cooling
ion charging
cleaning
Prior art date
Application number
KR1020080081830A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20100023192A (ko
Inventor
임병진
Original Assignee
주식회사 동부하이텍
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 동부하이텍 filed Critical 주식회사 동부하이텍
Priority to KR1020080081830A priority Critical patent/KR100971324B1/ko
Publication of KR20100023192A publication Critical patent/KR20100023192A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100971324B1 publication Critical patent/KR100971324B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
    • G03F7/70875—Temperature, e.g. temperature control of masks or workpieces via control of stage temperature
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
    • G03F7/70925—Cleaning, i.e. actively freeing apparatus from pollutants, e.g. using plasma cleaning
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체 제조를 위한 사진공정의 현상단계 후에 웨이퍼 쿨링단계를 추가로 구비하고, 쿨링단계가 진행되는 웨이퍼 쿨링 유니트에서 웨이퍼가 안착되는 리프트핀의 상단면에 리프트핀의 단면적보다 넓은 단면적을 갖는 금속재질로 이루어진 지지대를 구비하여 웨이퍼와의 접촉면적을 넓게 구성함으로써, 웨이퍼의 세정공정에서 웨이퍼의 표면에 차징된 이온을 쿨링 유니트 외부의 접지로 원활하게 이동되도록 하여, 사진공정의 후속공정에서 웨이퍼 표면의 이온 차징에 의해 유발되는 유전체 파괴 등의 문제점을 예방할 수 있도록 하는 웨이퍼의 이온 차징 방지를 위한 사진공정방법 및 웨이퍼 쿨링 유니트에 관한 것이다.
사진공정, 현상공정, 이온 차징, 쿨링, 리프트핀, 접지.

Description

웨이퍼의 이온 차징 방지를 위한 사진공정방법 및 웨이퍼 쿨링 유니트{Photolithography process method and wafer cooling unit for preventing ion charging on wafer}
본 발명은 웨이퍼의 이온 차징 방지를 위한 사진공정방법 및 웨이퍼 쿨링 유니트에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 반도체 제조를 위한 사진공정의 현상단계 후에 웨이퍼 쿨링단계를 추가로 구비하고, 쿨링단계가 진행되는 쿨링 유니트에서 웨이퍼가 안착되는 접촉면적을 넓게 구성하고 금속재질로 이루어진 핀을 연결하여 장비 밖으로 접지시켜 웨이퍼의 표면에 차징된 이온을 외부로 이동시킴으로써 사진공정의 후속공정에서 이온 차징에 의해 유발되는 유전체 파괴 등의 문제점을 방지할 수 있도록 하는 웨이퍼의 이온 차징 방지를 위한 사진공정방법 및 웨이퍼 쿨링 유니트에 관한 것이다.
반도체 제조공정 중 사진공정은 웨이퍼 상에 감광막을 도포하는 코팅(Coating)공정, 감광막에 회로 패턴의 빛을 노출시키는 노광(Exposure)공정, 상기 빛에 노출된 웨이퍼의 현상(Develop)공정으로 나눌 수 있다.
상기 현상공정은 현상액에 웨이퍼를 담가두는 단계와, 현상이 완료된 후 웨 이퍼 위에 잔존하는 현상액 찌꺼기와 그 이외의 불순물들을 순수(DI water)로 세정하는 단계로 나눌 수 있는데, 순수의 세정을 거친 웨이퍼에서는 이온 차징(charging) 현상이 일어나 후속되는 공정에서 결함(defect)을 초래하게 되는 문제점이 있다.
상기 웨이퍼의 이온 차징 현상이란 웨이퍼의 표면이 마찰력 등에 의해 극성을 띤 전하로 대전되는 현상으로 그 정도에 따라 전압이 발생하고 후술되는 바와 같이 반도체의 옥사이드(oxide) 유전체를 파괴하게 되는 문제점이 있다.
사진공정에서 상기 웨이퍼의 이온 차징 현상은 현상공정에서 순수를 이용한 웨이퍼의 세정공정(DI Rinse)에 의해 유발되며, 그 발생 정도는 웨이퍼의 회전속도에 비례한다.
도 1은 종래 웨이퍼 세정장치의 구조를 개략적으로 나타낸 도면이다.
종래의 웨이퍼 세정장치(1)는 웨이퍼(W)가 안착되는 지지부재(2)와, 상기 지지부재(2)의 저면에 연결되어 상기 지지부재(2)를 회전시키는 회전축(4)이 구비되고, 상기 웨이퍼(W)의 상측으로는 순수를 분사하는 노즐(6)과, 상기 노즐(6)을 소정의 위치로 이동시키는 이송축(8)으로 구성된다.
상기 웨이퍼 세정장치(1)의 경우 노즐(6)에서 분사되는 순수의 양이나 세기 등에 따라 웨이퍼의 표면에 전하가 축적되어 차징 현상이 발생되고, 이로 인해 전기적 특성이 변화되어 소자의 신뢰성을 떨어뜨리는 문제점이 있다.
도 2는 종래 웨이퍼 세정전과 세정후의 웨이퍼 차징 정도를 나타낸 사진이고, 도 3은 종래 웨이퍼 차징에 의하여 옥사이드 절연물이 파괴된 모습을 나타낸 단면도와 사진이다.
도 2의 (a)는 웨이퍼의 세정전 웨이퍼 표면에서의 전압분포를 나타낸 것이고, 도 2의 (b)는 웨이퍼의 세정후 웨이퍼 표면에서의 전압분포를 나타낸 것으로, 웨이퍼의 세정공정을 거치는 과정에서 웨이퍼의 표면에는 이온 차징 현상이 발생되어, 웨이퍼의 세정공정 후의 웨이퍼 표면에서는 세정공정 전에 비하여 높은 전압이 측정된다.
도 3의 (a)에 도시된 바와 같이 MOS(Metal Oxide Semiconductor)의 구조는 실리콘 기판(10) 상의 소스(Source, 12)와 드레인(Drain, 16) 사이에 게이트(Gate, 14)가 형성되고, 상기 게이트(14)의 저면으로는 실리콘 기판(10)과의 절연을 위한 산화막(SiO2, 18)이 형성되며, 상기 소스(12)와 드레인(16)의 하측으로는 추가적으로 이온이 도핑되는 P-웰(20)이 형성된 구조로 되어 있다.
웨이퍼의 표면에 이온 차징 현상이 발생하는 경우에는 상기 게이트(14) 저면에 형성된 산화막(18)의 양단에 걸리는 전압이 유전체의 특성 이상으로 되어 유전체가 뚫려져 도 3의 (a)와 (b)에 도시된 바와 같이 펀치 쓰루(punch through, 31,32,33)가 발생하여 절연이 파괴됨으로써 소자의 불량이 발생되는 문제점이 있다.
상기와 같은 웨이퍼 표면의 이온 차징 현상은 종래의 사진공정 중 현상공정에서의 세정단계에서 발생되는 문제로서, 종래의 사진공정방법의 일반적인 진행 단계는 다음과 같다.
도 4는 종래 일반적인 사진공정방법의 순서도이다.
종래 일반적인 사진공정방법은 크게 웨이퍼의 표면에 감광제(photoresist)를 도포시키는 코팅공정(S 6)과, 상기 코팅공정을 거친 웨이퍼를 노광기로 옮기고 패턴이 형성된 마스크를 정렬시켜 웨이퍼의 표면에 자외선 빛을 부분적으로 투과시켜 해당 부위의 감광제를 선택적으로 노광시키는 정렬/노광공정(S 10)과, 상기 노광공정을 거친 웨이퍼를 현상기로 옮겨 웨이퍼의 표면에 현상용액을 분사시켜서 노광시 빛을 받은 부분을 화학작용에 의해 제거하는 현상공정(S 18)의 순서로 진행된다.
상기 코팅공정(S 6)의 전단계에서는 감광제와 웨이퍼 표면의 접착력을 높이기 위해 웨이퍼의 표면에 접착강화제인 HMDS(Hexa Methyl Di Silazane) 처리를 하고(S 2), 냉각시키는 쿨링단계(S 4)를 거치게 되며, 코팅공정(S 6)의 진행후에는 감광제의 성분 중 용매(solvent)를 제거하기 위한 소프트 베이크(S 8)를 거치게 된다. 정렬/노광단계(S 10) 후에는 웨이퍼 모서리부에서 일정영역의 감광제를 희석제를 이용하여 제거하는 WEE(Wafer Edge Exposure)공정(S 12)과, 노광후 베이크(S 14) 및 쿨링단계(S 16)를 순차적으로 진행하게 된다.
그러나, 종래 트랙장비에서 진행되는 사진공정방법은 베이크를 실시한 후에 웨이퍼를 쿨링시키는 단계로 진행하게 되지만, 현상공정(S 18) 후에는 쿨링단계를 거치지 않고 공정이 끝나는 경우가 많다. 또한 일부 레이어(layer)에서는 현상공정 후 쿨링을 실시하는 경우도 있으나 웨이퍼 표면에서의 이온 차징 현상을 감소시키기에는 큰 도움이 되지 못하는 문제점이 있다.
이러한 문제는 이하에 기재된 종래의 웨이퍼 쿨링 유니트의 구조에서 기인하 는 것이다.
도 5는 종래 웨이퍼 쿨링 유니트의 구조를 개략적으로 나타낸 사시도이다.
종래의 웨이퍼 쿨링 유니트(50)는 웨이퍼 이송로봇(미도시)에 의해 운송되는 웨이퍼가 안착되는 웨이퍼 안착부(52)가 마련되고, 상기 웨이퍼 안착부(52)에는 핀 업다운 실린더(56)의 작동에 의해 상기 웨이퍼 안착부(52)에 형성된 관통공(53)을 통하여 상하 방향으로 이동되는 리프트핀(54)이 설치되어 있으며, 상기 리프트핀(54)은 예컨대 3개로 구성되어 웨이퍼 안착부(52)의 상부면에 트라이 앵글 형상으로 배치되어 있다.
상기 현상공정을 거친후에 웨이퍼 표면에 이온이 차징된 상태에서 웨이퍼 쿨링 유니트(50)로 이송된 웨이퍼가 상기 리프트핀(54)의 상단에 안착되는 경우에는 웨이퍼와의 접촉시에 웨이퍼에 잔류하는 이온이 급격하게 리프트핀(54)으로 전도되어 아킹(arcing)현상이 발생될 수 있다.
통상 리프트핀(54)의 재질은 전기적으로 차단되도록 절연체로 제작되지만, 웨이퍼에 차징된 이온들은 절연체의 표면을 따라 급격히 이동되어 전기적인 아킹현상이 발생됨에 따라서 웨이퍼에 형성된 소자들이 전기적으로 손상되어 결과적으로는 웨이퍼의 수율을 감소시키게 되는 문제점이 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 반도체 제조를 위한 사진공정중 노광공정 후에 순수를 이용한 세정공정을 거치는 과정에서 발생하는 웨이퍼 표면에서의 이온 차징 현상을 감소시킬 수 있도록 현상공정의 진행후에 쿨링단계를 추가로 구비하고, 상기 쿨링단계가 진행되는 웨이퍼 쿨링 유니트의 구조를 변경함으로써 웨이퍼 표면에 차징된 이온을 외부로 이동시킴으로써 이온 차징에 의해 유발되는 후속공정에서의 웨이퍼의 전기적 손상을 방지할 수 있도록 하는 웨이퍼의 이온 차징 방지를 위한 사진공정방법 및 웨이퍼 쿨링 유니트를 제공함에 그 목적이 있다.
상술한 바와 같은 목적을 구현하기 위한 본 발명의 웨이퍼의 이온 차징 방지를 위한 사진공정방법은, 웨이퍼의 표면에 감광제를 도포시키는 코팅공정과, 상기 코팅공정을 거친 웨이퍼의 표면에 자외선 빛을 부분적으로 투과시켜 해당 부위의 감광제를 선택적으로 노광시키는 노광공정과, 상기 노광공정을 거친 웨이퍼의 표면에 현상용액을 분사시켜 노광시 자외선 빛을 받은 부분을 화학작용에 의해 제거하는 현상공정과, 상기 현상공정이 완료된 웨이퍼에 순수를 분사시켜 세정하는 세정공정의 순서로 진행되는 사진공정방법에 있어서, 상기 세정공정의 완료후에 웨이퍼를 냉각시키는 쿨링공정을 추가로 구비하여, 상기 세정공정에서 웨이퍼의 표면에 차징되는 이온을 중화시키는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 웨이퍼의 이온 차징 방지를 위한 웨이퍼 쿨링 유니트는, 코팅공정, 노광공정, 현상공정, 현상 후 순수를 이용한 웨이퍼의 세정공정의 순서로 진행되는 반도체 제조를 위한 사진공정에서, 상기 세정공정의 완료후에 웨이퍼를 냉각시키는 쿨링공정이 진행되는 웨이퍼 쿨링 유니트에 있어서, 상기 웨이퍼 쿨링 유니트 내에 웨이퍼가 안착되는 웨이퍼 안착부; 상기 웨이퍼 안착부에 구비되고 상기 웨이퍼의 저면에 상단면이 접촉되어 상기 웨이퍼를 상하로 이동시키는 복수의 리프트핀;을 포함하여 이루어지되, 상기 리프트핀은 금속재질로 이루어짐과 아울러 웨이퍼와의 접촉시 상기 웨이퍼에 차징된 이온을 접지로 이동시키기 위한 접지라인에 연결된 것을 특징으로 한다.
상기 리프트핀의 상단부에는 상기 리프트핀의 단면적보다 넓은 단면적을 갖는 지지대가 구비되어, 상기 웨이퍼와의 접촉시 상기 웨이퍼의 표면에 차징된 이온이 상기 접지라인으로 원활히 이동되도록 이루어진 것을 특징으로 한다.
상기 지지대는 금속재질로 이루어진 것을 특징으로 한다.
상기 지지대와 상기 접지 사이를 연결하는 상기 접지라인 상에는 저항체가 추가로 구비된 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 웨이퍼의 이온 차징 방지를 위한 사진공정방법 및 웨이퍼 쿨링 유니트에 의하면, 사진공정의 현상공정에서 순수를 이용한 세정공정 후에 쿨링공정을 추가로 실시하여 대전된 웨이퍼를 중화시킴으로써 웨이퍼의 차징 현상을 감소시킬 수 있는 장점이 있다.
또한, 본 발명에 의하면 쿨링공정이 진행되는 웨이퍼 쿨링 유니트에서 웨이퍼가 안착되는 웨이퍼 안착부에 설치되는 리프트핀의 상단부에 웨이퍼와 접촉되는 면적이 넓은 지지대를 구비하고, 상기 지지대의 재질을 금속재질로 구성함과 아울러 외부의 접지와 연결하여 웨이퍼의 표면에 차징된 이온을 외부로 이동시킴으로써 이온 차징에 의한 전압 상승을 방지하게 되어 웨이퍼에 형성된 소자의 전기적인 결함 발생을 방지할 수 있는 장점이 있다.
이하 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대한 구성 및 작용을 상세히 설명하면 다음과 같다.
이하에서는 종래기술의 구성요소와 동일한 구성요소에 대하여는 동일한 도면부호를 부여하고, 이에 대한 상세한 설명은 생략하며, 본 발명에서 새롭게 부가된 구성요소를 중심으로 상세히 설명하도록 한다.
도 6은 본 발명에 따른 사진공정방법의 순서도이다.
본 발명의 사진공정방법의 순서는 상기 도 4에 도시된 종래의 사진공정방법의 순서에서 현상공정(S 18) 이후 단계에 쿨링공정(S 20)을 추가로 구비한 것을 특징으로 한다.
상기 쿨링공정(S 20)을 추가로 실시함으로써, 현상공정(S 18)의 웨이퍼 세정단계(DI Rinse)에서 웨이퍼의 표면에 이온이 차징되는 현상을 일부 억제하는 효과를 얻을 수 있게 된다.
즉, 웨이퍼 표면에서의 이온 차징 현상은 웨이퍼의 표면 온도에 비례하여 발 생하게 되므로, 웨이퍼의 현상공정 후에 쿨링공정을 추가로 구비함으로써 웨이퍼의 온도를 낮추어 주게 되면 이온이 활성화되어 차징되는 정도를 감소시킬 수 있게 된다.
도 7은 본 발명에 따른 쿨링 유니트에서 웨이퍼 안착부의 지지대의 구조 및 이에 연결된 접지를 나타낸 구성도로서, (a)는 웨이퍼 안착부와 지지대의 형태를 나타낸 평면도이고, (b)는 리피트핀이 접지에 연결된 구조를 개략적으로 나타낸 측면도이다.
본 발명에서는 상기 쿨링공정(S 20)이 진행되는 웨이퍼 쿨링 유니트(70)의 구조를 도 5에 도시된 종래의 웨이퍼 쿨링 유니트(50)의 구조와 다르게 변경한 것을 특징으로 한다.
본 발명의 웨이퍼 쿨링 유니트(70)는 웨이퍼가 안착되는 웨이퍼 안착부(72)와, 상기 웨이퍼 안착부(72)에 형성된 관통공(73)을 통하여 상하방향으로 이동되도록 설치되며 그 상단면이 웨이퍼의 저면을 접촉·지지함으로써 상기 웨이퍼를 상하로 이동시키는 리프트핀(74)을 포함하는 구성에 있어서는 종래기술과 동일하다.
하지만, 본 발명의 웨이퍼 쿨링 유니트(70)의 상기 리프트핀(74)은 금속재질로 이루어지고, 웨이퍼 쿨링 유니트(70)의 외부에 구비된 접지(78)와의 사이에 접지라인(77)을 매개로 연결된 구조로 되어 있어, 상기 웨이퍼 표면에 차징되어 있는 이온들이 상기 접지(78)로 이동될 수 있도록 구성된 것이다.
또한, 상기 리프트핀(74)의 상단부에는 상기 리프트핀(74)의 단면적보다 넓은 단면적을 갖는 금속재질로 이루어진 지지대(75)를 구비하여, 웨이퍼의 저면과 상기 지지대(75)의 상단면이 접촉되도록 함으로써 웨이퍼와 지지대(75)간의 접촉시에 상기 웨이퍼의 표면에 차징된 이온이 지지대(75)와 리프트핀(74) 및 접지라인(77)을 따라서 접지(78)로 이동됨으로써 웨이퍼와의 접촉시에 발생하는 전기적인 손상을 방지할 수 있게 된다.
한편, 상기 지지대(75)와 접지(78) 사이를 연결하는 접지라인(77) 상에는 저항체(76)가 구비된다.
상기 저항체(76)는 지지대(75)와 리프트핀(74)을 따라서 이동되는 이온들이 급격하게 접지되는 것을 방지하기 위한 것으로, 상기 저항체(76)는 웨이퍼의 표면에 차징된 이온의 전기적인 흐름을 완화시키는 역할을 하게 된다.
따라서, 리프트핀(74) 상부의 지지대(75)가 웨이퍼의 저면에 접촉될 때 웨이퍼에 차징되어 잔류하는 이온들이 완화된 흐름을 갖고 접지되도록 함으로써 웨이퍼 안착부(72)에 웨이퍼가 반입, 반출될 때 급격한 이온의 흐름에 의해 초래되는 전기적인 충격을 방지할 수 있게 된다.
본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않고 본 발명의 기술적 요지를 벗어나지 아니하는 범위 내에서 다양하게 수정·변형되어 실시될 수 있음은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 있어서 자명한 것이다.
도 1은 종래 웨이퍼 세정장치의 구조를 개략적으로 나타낸 도면,
도 2는 종래 웨이퍼 세정전과 세정후의 웨이퍼 차징 정도를 나타낸 사진,
도 3은 종래 웨이퍼 차징에 의하여 옥사이드 절연물이 파괴된 모습을 나타낸 단면도와 사진,
도 4는 종래 일반적인 사진공정방법의 순서도,
도 5는 종래 웨이퍼 쿨링 유니트의 구조를 개략적으로 나타낸 사시도,
도 6은 본 발명에 따른 사진공정방법의 순서도,
도 7은 본 발명에 따른 쿨링 유니트에서 웨이퍼 안착부의 지지대의 구조 및 이에 연결된 접지를 나타낸 구성도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
1 : 세정장치 2 : 지지부재
4 : 회전축 6 : 노즐
8 : 이송축 10 : 실리콘 기판
12 : 소스 14 : 게이트
16 : 드레인 18 : 산화막
20 : P-웰 31,32,33 : 펀치 쓰루(punch through)
50,70 : 웨이퍼 쿨링 유니트 52,72 : 웨이퍼 안착부
54,74 : 리프트핀 75 : 지지대
76 : 저항체 78 : 접지

Claims (5)

  1. 웨이퍼의 표면에 감광제를 도포시키는 코팅공정과, 상기 코팅공정을 거친 웨이퍼의 표면에 자외선 빛을 부분적으로 투과시켜 해당 부위의 감광제를 선택적으로 노광시키는 노광공정과, 상기 노광공정을 거친 웨이퍼의 표면에 현상용액을 분사시켜 노광시 자외선 빛을 받은 부분을 화학작용에 의해 제거하는 현상공정과, 상기 현상공정이 완료된 웨이퍼에 순수를 분사시켜 세정하는 세정공정의 순서로 진행되는 사진공정방법에 있어서,
    상기 세정공정의 완료후에 웨이퍼를 냉각시키는 쿨링공정을 추가로 구비하여, 상기 세정공정에서 웨이퍼의 표면에 차징되는 이온을 중화시키는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 이온 차징 방지를 위한 사진공정방법.
  2. 코팅공정, 노광공정, 현상공정, 현상 후 순수를 이용한 웨이퍼의 세정공정의 순서로 진행되는 반도체 제조를 위한 사진공정에서, 상기 세정공정의 완료후에 웨이퍼를 냉각시키는 쿨링공정이 진행되는 웨이퍼 쿨링 유니트에 있어서,
    상기 웨이퍼 쿨링 유니트 내에 웨이퍼가 안착되는 웨이퍼 안착부;
    상기 웨이퍼 안착부에 구비되고 상기 웨이퍼의 저면에 상단면이 접촉되어 상기 웨이퍼를 상하로 이동시키는 복수의 리프트핀;을 포함하여 이루어지되,
    상기 리프트핀은 금속재질로 이루어짐과 아울러 웨이퍼와의 접촉시 상기 웨 이퍼에 차징된 이온을 접지로 이동시키기 위한 접지라인에 연결된 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 이온 차징 방지를 위한 웨이퍼 쿨링 유니트.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 리프트핀의 상단부에는 상기 리프트핀의 단면적보다 넓은 단면적을 갖는 지지대가 구비되어, 상기 웨이퍼와의 접촉시 상기 웨이퍼의 표면에 차징된 이온이 상기 접지라인으로 원활히 이동되도록 이루어진 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 이온 차징 방지를 위한 웨이퍼 쿨링 유니트.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 지지대는 금속재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 이온 차징 방지를 위한 웨이퍼 쿨링 유니트.
  5. 제3항 또는 제4항에 있어서,
    상기 지지대와 상기 접지 사이를 연결하는 상기 접지라인 상에는 저항체가 추가로 구비된 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 이온 차징 방지를 위한 웨이퍼 쿨링 유니트.
KR1020080081830A 2008-08-21 2008-08-21 웨이퍼의 이온 차징 방지를 위한 사진공정방법 및 웨이퍼 쿨링 유니트 KR100971324B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080081830A KR100971324B1 (ko) 2008-08-21 2008-08-21 웨이퍼의 이온 차징 방지를 위한 사진공정방법 및 웨이퍼 쿨링 유니트

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080081830A KR100971324B1 (ko) 2008-08-21 2008-08-21 웨이퍼의 이온 차징 방지를 위한 사진공정방법 및 웨이퍼 쿨링 유니트

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20100023192A KR20100023192A (ko) 2010-03-04
KR100971324B1 true KR100971324B1 (ko) 2010-07-20

Family

ID=42175466

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080081830A KR100971324B1 (ko) 2008-08-21 2008-08-21 웨이퍼의 이온 차징 방지를 위한 사진공정방법 및 웨이퍼 쿨링 유니트

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100971324B1 (ko)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR0170558B1 (ko) * 1994-07-07 1999-03-20 세끼사와 다다시 반도체장치의 제조방법
KR19990055759A (ko) * 1997-12-27 1999-07-15 김영환 반도체 소자의 제조방법
JP2002057093A (ja) 2000-08-11 2002-02-22 Tokyo Electron Ltd 現像処理の評価方法、レジストパタ−ン形成方法及びレジストパタ−ン形成システム
KR20080073300A (ko) * 2005-10-21 2008-08-08 비오씨 엘엘씨 기판으로부터 포토레지스트를 제거하는 비-플라즈마 방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR0170558B1 (ko) * 1994-07-07 1999-03-20 세끼사와 다다시 반도체장치의 제조방법
KR19990055759A (ko) * 1997-12-27 1999-07-15 김영환 반도체 소자의 제조방법
JP2002057093A (ja) 2000-08-11 2002-02-22 Tokyo Electron Ltd 現像処理の評価方法、レジストパタ−ン形成方法及びレジストパタ−ン形成システム
KR20080073300A (ko) * 2005-10-21 2008-08-08 비오씨 엘엘씨 기판으로부터 포토레지스트를 제거하는 비-플라즈마 방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR20100023192A (ko) 2010-03-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI260044B (en) Multi-step EBR process for liquid photosensitive material removal
US7410909B2 (en) Method of removing ion implanted photoresist
KR100663354B1 (ko) 포토레지스트 스트리퍼 조성물을 이용한 포토레지스트 제거공정을 갖는 반도체소자 제조방법들
US20170205712A1 (en) Development apparatus and method for developing photoresist layer on wafer using the same
US6251794B1 (en) Method and apparatus with heat treatment for stripping photoresist to eliminate post-strip photoresist extrusion defects
US20120202156A1 (en) Cleaning process for semiconductor device fabrication
KR100971324B1 (ko) 웨이퍼의 이온 차징 방지를 위한 사진공정방법 및 웨이퍼 쿨링 유니트
CN109308993B (zh) 集成电路制造工艺的返工方法
CN111063610B (zh) 光刻缺陷修复方法
US20090042388A1 (en) Method of cleaning a semiconductor substrate
JP4524457B2 (ja) 半導体装置の製造方法及び装置
KR20070006044A (ko) 패턴 구조물 형성 방법 및 이를 이용한 트렌치 형성 방법
US8916052B2 (en) Resist technique
KR100641538B1 (ko) 반도체 제조용 현상 방법
KR20010070467A (ko) 포토레지스트 마스크내의 현상관련 결함을 제거하는 방법및 이에 이용되는 청정 트랙 시스템
KR101194743B1 (ko) 반도체 소자의 형성 방법
KR100685392B1 (ko) 반도체 소자 형성 방법
KR100527375B1 (ko) 게이트 패터닝 공정 중 발생하는 결함을 제거하기 위한현상방법
KR100691133B1 (ko) 반도체 소자의 제조 방법
KR100960483B1 (ko) 반도체소자 제조방법
KR100649014B1 (ko) 감광막 잔류물의 제거 장치
KR19990011634A (ko) 반도체장치의 반사방지막을 이용한 패턴 형성방법
CN114765105A (zh) 减少半导体基材中的电荷的方法
KR100257763B1 (ko) 반도체 소자의 평탄화 방법
KR101128883B1 (ko) 반도체 소자의 형성 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee