JP2002057093A - 現像処理の評価方法、レジストパタ−ン形成方法及びレジストパタ−ン形成システム - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 レジストパターンを得るために基板に現像液
を供給し、その後リンス液を供給するにあたり、リンス
状態を高い信頼性で評価すること。 【解決手段】 露光後の基板に現像液を供給し、更にリ
ンス液を供給した後、当該基板を加熱、冷却し、その後
少なくとも基板の表面を前処理液例えば純水に浸す。こ
れにより基板表面に残っている現像液の成分が前処理液
に溶解する。続いて前処理液をイオンクロマト分析装置
にて分析を行って前記成分を定量し、この定量結果によ
りリンス状態を評価する。この評価結果については、例
えばリンス時間と前記成分の濃度との相関を求めてリン
ス時間を設定してもよいし、その濃度に基づいてリンス
時間を自動調整するようにしてもよい。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、基板に対して現像
処理について評価を行う方法及び装置並びにパターン形
成システムに関する。

【０００２】

【従来の技術】例えば半導体ウエハや液晶ディスプレイ
用ガラス基板（ＬＣＤ基板）などの基板上にレジストパ
タ−ン（マスク）を形成する工程は、基板にレジスト液
を塗布し、次いで露光し、その後現像処理を行うことに
より行われる。レジスト液が例えばネガ形ならば、光の
当たった部分が硬化し、硬化しない部分が現像液により
溶解する。現像処理は、基板をチャックに保持すると共
にノズルから基板表面全体に現像液を供給して所定時間
放置（静止）し、その後基板表面に洗浄液例えば純水を
供給して現像液を洗い流すことにより行われる。

【０００３】ところで回路パタ−ンの線幅が狭くなる
と、パ−ティクルが基板表面に付着して現像欠陥になっ
てしまう傾向がある。このため現像、リンス（洗浄）を
終えた基板について散乱光を利用した表面欠陥検査装置
により基板表面を観察し、本発明者は、パ−ティクルの
大きさ及び数を調べて表面欠陥の評価を行うことを試み
ている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら表面欠陥
検査装置によりパ−ティクルを調べる手法は、洗浄を終
えてから検査装置まで搬送する間及び待機している間に
基板に付着するパ−ティクルが外乱となって信頼性の高
い測定が困難であるし、また装置が高額であるという課
題がある。

【０００５】本発明者は、パ−ティクルが基板に付着し
て現像欠陥になる要因の一つは、パタ−ンの一部が剥が
れてパタ−ン間を塞いでしまうことにあるのではないか
と推測しており、このため現像欠陥とリンス状態とは相
関があるものと考えている。従ってリンス条件を適切に
行うことにより現像欠陥が抑えられるはずであるが、リ
ンス条件を決めるための指標がないため、試行錯誤でリ
ンス条件を設定している。一方高いスル−プットが要求
されていることからリンス時間もできるだけ短縮するこ
とが重要である。従ってリンス時間は現像欠陥から見れ
ば長いほど良く、スループットから見れば短い方が良い
が、程よい長さにリンス時間を設定することつまり現像
欠陥もなくかつ短時間でリンスを行える効率の良いリン
ス条件を設定することが困難であった。

【０００６】本発明はこのような事情の下に成されたも
のであり、その目的はリンス処理の評価を精度よく行う
ことのできる方法、及びリンス処理を適切に行うことの
できる方法ならびにシステムを提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明は、レジストが塗
布され、露光が行われた基板の表面に現像液を供給する
現像工程と、前記基板にリンス液を供給して現像液を洗
い流すリンス工程と、次いで少なくとも基板の表面を前
処理液に浸して、基板の表面に付着している現像液中の
成分を前処理液に溶かす前処理工程と、前記前処理液に
対して分析を行って現像液中の成分を定量する分析工程
と、を含むことを特徴とする現像処理の評価方法であ
る。この方法によれば、基板に残っている現像液中の成
分を定量するので、搬送途中のパ−ティクルの影響を受
けることなく基板のリンス状態を精度良く評価できる。
従って例えばリンス工程における基板にリンス液を供給
する時間を変えて、その時間と現像液中の成分の定量結
果との関係を求め、この関係に基づいて前記時間を設定
すれば、適切なリンス時間を設定することができる。

【０００８】また他の発明は、レジストが塗布され、露
光が行われた基板の表面に現像液を供給する現像工程
と、前記基板にリンス液を供給して現像液を洗い流すリ
ンス工程と、次いで少なくとも基板の表面を前処理液に
浸して、基板の表面に付着している現像液中の成分を前
処理液に溶かす前処理工程と、前記前処理液に対して分
析を行って現像液中の成分を定量する分析工程と、現像
液中の成分の定量結果と予め設定した現像液中の成分の
濃度基準値とを比較し、その比較結果に基づいて、リン
ス工程の処理条件を調整する工程を含むことを特徴とす
るレジストパタ−ン形成方法である。この発明によれ
ば、何等かの要因でリンス状態が悪くなった場合に直ぐ
にリンス時間を長くするなど適切な対応をとることがで
きる。

【０００９】本発明は、上述の方法を実施するシステム
も権利範囲に含まれるものであり、そのシステムは、レ
ジストが塗布され、露光が行われた基板の表面に現像液
を供給するための現像部と、前記基板にリンス液を供給
して現像液を洗い流すためのリンス液供給部と、リンス
液が供給された基板の少なくとも表面を、容器に貯液さ
れた前処理液に浸し、基板の表面に付着している現像液
中の成分を当該前処理液に溶かすための前処理部と、前
記前処理液に対して分析を行って現像液中の成分を定量
する分析部と、を備えたことを特徴とするものである。

【００１０】

【発明の実施の形態】以下に本発明に係るレジストパタ
ーン形成方法を実施するためのレジストパターン形成シ
ステムの実施の形態について説明する。この実施の形態
に用いられるシステムは図１及び図２に示すようにレジ
ストパターンを形成するためのパターン形成装置１と、
パターンを形成した基板に対して分析前の処理を行うた
めの前処理部２と、パターン形成装置１で用いた現像液
中の成分を分析するための分析部をなすイオンクロマト
分析装置３とを備えている。

【００１１】先ずパターン形成装置１について述べる
と、このパターン形成装置１は、ウエハカセットＣを搬
入出するためのカセットステーション４１を備え、この
カセットステーション４１には前記カセットＣを載置す
る載置部４２と、カセットＣからウエハＷを取り出すた
めの受け渡し手段４３とが設けられている。カセットス
テーション４１の奥側には、例えばカセットステーショ
ン４１から奥を見て例えば右側には、上下２段に塗布ユ
ニット４４及び現像部である現像ユニット５が２個ずつ
設けられると共に手前側、奥側には加熱・冷却系のユニ
ット等を多段に積み重ねた棚ユニットＵ１、Ｕ２が夫々
配置され、更に塗布ユニット４４、現像ユニット５、棚
ユニットＵ１、Ｕ２との間でウエハＷの搬送を行うため
の主搬送手段であるメインアーム４５が設けられてい
る。但し図１では図示の便宜上受け渡し手段４３及びメ
インアーム４５は描いていない。前記棚ユニットＵ１、
Ｕ２においては、加熱ユニットや冷却ユニットのほか、
ウエハの受け渡しユニットや疎水化処理ユニット等が割
り当てられて積層されている。またメインアーム４５
は、進退自在、垂直軸まわりに回転自在及び昇降自在に
構成されている。

【００１２】メインアーム４５や塗布ユニット４４、現
像ユニット５等が設けられている部分を処理ブロックと
呼ぶことにすると、当該処理ブロックはインターフェイ
スユニット４６を介して露光ブロック４７と接続されて
いる。インターフェイスユニット４６は例えば昇降自
在、左右、前後に移動自在かつ鉛直軸まわりに回転自在
に構成されたウエハＷの受け渡し手段４８により前記処
理ブロックと露光ブロック４７との間でウエハＷの受け
渡しを行うものである。

【００１３】ここでパターン形成装置１内に設けられた
現像ユニット５について図３を参照しながら説明する。
この現像ユニット５は、基板であるウエハＷの中心部を
真空吸着してウエハＷを水平に保持し、駆動部５１によ
り昇降及び回転される基板保持部をなすスピンチャック
５２を備えている。スピンチャック５２の下方側には円
形状の液受け板５３が設けられ、この液受け板５３には
ドレイン管５４及びウエハＷの裏面周縁部を洗浄するた
めのリンスノズル５５が設けられている。液受け板５３
の外側には、全周に亘って凹部を形成した液受けカップ
５６が配置され、底面には排気、排液を行うための吸引
管５７が接続されている。またその液受け板５３の周縁
部には、上端がウエハＷの裏面に接近する断面山形のリ
ング体５８が設けられている。

【００１４】一方現像ユニット５は、ウエハＷの表面に
処理液である現像液を供給するための現像液ノズル５９
と、ウエハＷの表面にリンス液（洗浄液）を供給するた
めのリンス液供給部であるリンス液ノズル６とを備えて
いる。現像液ノズル５９はウエハＷの直径の長さに亘っ
て供給孔が多数配列された構造となっており、カップ５
６の外方側の図示しない待機部とウエハＷ上方の間を移
動できるように構成されたアーム５９ａに取り付けられ
ている。またリンス液ノズル６はウエハＷの中心部にリ
ンス液を供給するように構成され、図示しない待機部と
ウエハＷ上方との間を移動できるように構成されたアー
ム６１に取り付けられている。

【００１５】リンスノズル６は図３及び図４に示すよう
にリンス液供給管６２の先端側に設けられ、リンス液供
給管６２の基端側は、リンス液を貯留している容器６３
の底部付近に浸漬されている。リンス液供給管６２には
バルブＶ１が介設され、このバルブＶ１は制御部７から
の制御信号により開閉されるように構成されている。制
御部７はリンス液をウエハＷに供給する時間つまりバル
ブＶ１を開状態にしている時間を設定できる機能を有し
ており、この時間は例えば手動モードを選択して図示し
ないタッチパネルやキーボードなどの入力手段により手
動で設定できる他、自動モードを選択することにより後
述の分析結果に基づいて自動設定できるようになってい
る。

【００１６】前記容器６３は密閉容器として構成される
と共に例えば窒素ガス（Ｎ2ガス）を供給するガス管６
４が接続され、Ｎ2ガスの供給により液面が押されてリ
ンス液がノズル６から吐出する。なおバルブＶ１が閉じ
られているときにＮ2ガスを排気するようにバルブＶ2を
備えたベント６５が容器６３に接続されている。

【００１７】図１に説明を戻すと、パターン形成装置１
の外部に設けられた前処理部２の隣りにはカセットステ
ージ２１が設置されると共に、前処理部２に臨む位置に
は、カセットステージ２１に置かれたカセットＣと前処
理部２との間でウエハＷの受け渡しを行う受け渡しアー
ム２２が設けられている。図１中２０は搬送口である。
前処理部２は、パターン形成装置１でレジストパターン
が形成されたウエハＷの表面に付着している現像液の成
分を前処理液に溶解させるためのものであり、例えば図
５に示すように前処理液例えば純水が貯溜されている液
槽２３と、ウエハＷを保持してこの液槽２３内に浸漬す
るための、支持アーム２４とを備えている。２４ａは支
持アーム２４を昇降させる昇降部である。図５は支持ア
ーム２４の上にウエハＷが支持されて液槽２３内に浸漬
されている様子を示している。また液槽２３には、前処
理液を攪拌するために、例えばウエハＷ表面に沿って気
泡を流すためのバブリング手段２５が設けられている。
また処理液を撹拌するためには、液槽２３内に超音波発
生手段を設け、ここからの超音波により液を振動させて
撹拌するようにしてもよい。更にまたこの液槽２３は底
面にドレイン管２６及び洗浄液例えば純水を供給する洗
浄液供給管２７が各々接続されており、前処理が終った
前処理液を排出して、液槽２３内を洗浄液で洗浄できる
ように構成されている。この例では洗浄液である純水は
前処理液を兼用している。

【００１８】イオンクロマト分析装置３は例えば前処理
部２の隣りに設置されており、前処理部２でウエハＷが
浸漬された後の前処理液をイオンクロマト法により分析
処理し、ウエハＷに付着している現像液の成分を定量す
るつまり濃度を検出するためのものである。前処理部２
から前処理液をイオンクロマト分析装置３まで搬送する
方法は、オペレータが前処理部２の液槽２３内の前処理
液を採取器で採取してイオンクロマト分析装置３にセッ
ティングしてもよいし、あるいは図５に示すようにイオ
ンクロマト分析装置３と前処理部２との間を移動可能な
ロボットハンドからなる作動機構３１により採取器３２
を把持し、液槽２３内の前処理液を採取器３２内に吸入
して、当該採取器３２をイオンクロマト分析装置３にセ
ッティングする自動搬送を行うようにしてもよい。イオ
ンクロマト分析装置３における分析対象の成分は、現像
液が例えばＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムハイド
ロオキサイド）を主成分とする場合、Ｎ（ＣＨ3）4+と
なる。このＮ（ＣＨ3）4+の濃度は即ちＴＭＡＨの濃度
であり、分析対象の成分は実質現像液に含まれる成分で
ある。

【００１９】次に上述実施の形態の作用について述べる
が、先ずパターン形成装置１におけるウエハＷの流れに
ついて簡単に説明しておく。処理前のウエハＷを収納し
たカセットＣは載置部４２に載置され、このカセットＣ
から受け渡し手段４３によりウエハＷが取り出される。
そしてウエハＷは受け渡し手段４３から棚ユニットＵ１
の中の受け渡しユニット（載置台が置かれているユニッ
ト）を介してメインアーム４５へと受け渡され、塗布ユ
ニット４４でレジスト液の塗布が行われた後、メインア
ーム４５から棚ユニットＵ２の一つである受け渡しユニ
ット及びインターフェイスユニット４６の受け渡し手段
４８を経て露光ブロック４７へと搬送され、露光が行わ
れる。なおウエハＷにレジストを塗布する前には、棚ユ
ニットＵ１（Ｕ２）に含まれる処理ユニットにて例えば
疎水化処理、冷却処理が行われ、レジストを塗布した後
は、加熱処理及び冷却処理が行われる。なおレジストの
種類によっては疎水化処理の代りに図には記載していな
いユニットにて反射防止膜が塗布される。露光後、ウエ
ハＷは逆の経路で主搬送手段２３まで搬送され、現像ユ
ニット５にて現像処理される。

【００２０】現像ユニット５では、例えば図６（ａ）に
示すように現像液ノズル５９から現像液を吐出してウエ
ハＷの直径方向に液盛りし、ノズル５９から現像液を更
に吐出しながらスピンチャック５２によりウエハＷを１
８０度回転させてウエハＷ表面全体に現像液を供給し、
所定時間静置する。続いて図６（ｂ）に示すようにリン
ス液ノズル６からウエハＷの中心部にリンス液６０を供
給しながらウエハＷを回転させてウエハＷ表面の現像液
を洗い流すと共に、図３に示すノズル５５によりウエハ
Ｗ裏面の周縁部も洗浄する。なお現像処理後の前後にお
いても棚ユニットＵ１（Ｕ２）にて加熱、冷却処理が行
われる。こうしてウエハＷはその表面にレジストパター
ンが形成され、例えば元のカセットＣに戻される。

【００２１】ここで本発明実施の形態の狙い一つとし
て、現像ユニット５にて行われたリンス処理の評価を、
イオンクロマト分析装置３にて行うことが挙げられる。
パターン形成装置１から搬出されたウエハＷに対する処
理を説明する前に、このリンス処理の評価に関して本発
明者が着眼した点について述べておく。本発明者はリン
ス時間（リンス液によりウエハＷ表面を洗浄している時
間）が短いと、ウエハＷ表面に付着するパーティクルの
数が多いことを把握しており両者の関係の一例を示すと
図７（ａ）に示すようになる。この場合パーティクルは
０．２μｍ以上を係数対象としている。即ちリンス時間
を長くするにつれてパーティクルの数が減少し、ある時
間例えばおよそ１０秒を越えるとパーティクルの数がほ
とんど同じになることから、この例ではリンス時間を１
０秒以上に設定すればよいことが分かる。しかし「発明
が解決しようとする課題」の項でも述べたように、パー
ティクルを計数する手法は、ウエハＷの搬送途中などに
おいてウエハＷ表面に付着するパーティクルがノイズに
なるという不都合がある。これに対してこの実施の形態
の手法は、ウエハＷ表面に付着している現像液中の成分
を調べて、リンス状態の良し悪しを評価しようとするも
のである。

【００２２】本発明者は現像処理を終えたウエハ、つま
りＴＭＡＨを主成分とする現像液が供給され更にリンス
工程を終えたウエハを純水に浸し、この純水に対してイ
オンクロマト分析を行ってＴＭＡＨの濃度を調べたとこ
ろ、リンス時間とＴＭＡＨ濃度とが図７（ｂ）に示すよ
うに相関していることを見い出した。この結果からもリ
ンス時間を１０秒以上に設定すればよいことが分かる。
即ちリンス時間とパターンに悪影響を及ぼす程度の大き
さのパーティクルの数との関係は、リンス時間とウエハ
表面に残っているＴＭＡＨの濃度との関係に対応してお
り、このためリンス状態の評価は、ウエハＷを前処理に
浸漬した後、この前処理液中のＴＭＡＨの濃度を調べる
ことにより行うことができる。上述の例では、パーティ
クルが少なくかつスループットの高い適切なリンス時間
はおよそ１０秒であるが、レジストパターンや現像液の
種類あるいはリンス液の流量などにより適切なリンス時
間は変わってくる。

【００２３】そこでこの実施の形態では次のようにして
リンス状態を評価し、適切なリンス時間を決めるように
している。図１に説明を戻すと、一連の処理を終えたウ
エハＷを収納したカセットＣは図示しない自動搬送ロボ
ットによりあるいはオペレータによりカセットステージ
２１まで搬送され、受け渡しアーム２２により図５に示
す前処理部２のアーム２４に受け渡される。続いてアー
ム２４が下降して液槽２３内にウエハＷが浸漬され、ウ
エハＷ表面に付着している現像液の成分例えばＴＭＡＨ
が純水（前処理液）に溶解すると共にバブリング手段６
４からウエハＷの表面に沿って気泡流が形成され、これ
によって前処理液が攪拌される。そして所定時間経過後
に、アーム２４によりウエハＷを液槽２３から引き上
げ、例えば作動機構３１を用いて採取器３２により液槽
２３内の前処理液を採取し、図８に示すようにこの採取
器３２をイオンクロマト分析装置３にセットして分析を
行いＴＭＡＨの濃度を測定する。このような処理をリン
ス時間を変えて各リンス時間毎にＴＭＡＨの濃度を測定
し、両者をプロットしてグラフを作成することにより適
切なリンス時間を設定することができる。なお前処理部
２の液槽２３内は、既述のように前処理の度毎に洗浄
し、洗浄液供給管２７から新しい前処理液が供給され
る。図９は以上述べた工程をまとめて図示したものであ
る。

【００２４】更にこの実施の形態では、リンス時間の設
定作業などを終了し、実際の製品ウエハＷに対してパタ
ーン形成装置１でレジストパターンを形成する場合に
は、製品ウエハＷの中から抜き取られたウエハＷに対し
て既述のようにして前処理及びイオンクロマト分析を行
い、ウエハＷ表面に付着しているＴＭＡＨを定量し、図
５に示すようにその定量結果を制御部７に入力する。一
方制御部７には、良好なリンス状態であるときの濃度基
準値例えば図７（ｂ）に示したようにリンス時間に対し
てＴＭＡＨ濃度がほぼ一定になったときの濃度が予め入
力されており、濃度測定値（定量結果）と濃度基準値と
が比較される。この比較結果（濃度測定値から濃度測定
値を差し引いた値）の利用の仕方については、例えばプ
リントアウトあるいは画面に表示して、オペレータがリ
ンス状態を評価するようにしてもよいし、更には比較結
果が一定の値よりも小さければリンス状態が良好であ
り、一定の値よりも大きければリンス状態が不良である
旨の推定結果を出力するようにしてもよい。そしてまた
図４に示すように比較結果に基づいてリンス時間を自動
調整するようにしてもよい。この場合例えば濃度測定値
が濃度基準値よりも大きいときに、その差分に応じた長
さだけ、今のリンス時間よりも長くなるように調整す
る。

【００２５】上述実施の形態によれば次のような効果が
ある。ウエハＷ表面に残っている現像液の成分の定量結
果に基づいてリンス状態を評価しているため、搬送中な
どにパーティクルが付着しても外乱とならないので、信
頼性の高い評価を行うことができる。このため定量結果
を利用して例えばリンス時間を適切な長さに設定するこ
とができ、高いスループットを確保しながら現像欠陥を
抑えたリンス処理を行うことができる。また高価な表面
欠陥観察装置を使用しないので、コストの点でも有利で
ある。そして例えば製品ウエハの処理が行われていると
き、製品ウエハＷを抜き取って前処理液に対してイオン
クロマト分析を行い、前記ＴＭＡＨの定量結果と濃度基
準値とを比較することにより、リンス液の供給系に不具
合がないか否かを監視することができる。更にＴＭＡＨ
の定量結果と濃度基準値との比較結果に基づいてリンス
時間を自動調整するようにすれば、例えば製品ウエハＷ
を処理しているときに何らかの要因でリンス状態が悪く
なっても直ちにリンス時間を長くして対応することがで
きる。なおリンス時間を自動調整する代りに、リンス工
程における他の処理条件、例えば流量を多くするなどし
てもよい。

【００２６】以上において、本発明ではリンスノズル６
に超音波発振子を設けてリンス液に超音波を印加しなが
らリンスを行うようにしてもよいし、リンス液を加熱し
て現像液の温度よりも高い温度でリンスを行うようにし
てもよい。そして前処理を行うにあたっては、少なくと
もウエハ表面を前処理液に浸漬すればよく、また既述の
ような前処理部を用いる代りに、オペレータが例えば前
処理液の入った袋の中にウエハＷ浸すようにしてもよ
い。前処理液としては純水に限られず、イオンクロマト
分析に影響のない溶液例えば弱い酸などを用いてもよ
い。現像液についてもＴＭＡＨを主成分とするもの限ら
れない。前処理液を分析するためにはイオンクロマト分
析以外の手法を用いてもよい。処理対象となる基板はウ
エハに限らず液晶ディスプレイ用の基板であってもよ
い。

【００２７】

【発明の効果】本発明によれば現像処理つまり現像液を
供給した後のリンス工程の処理状態を高い信頼性で評価
することができるので、長過ぎず、短か過ぎず、適切な
リンス時間を設定することができ、高いスループットを
得ながら現像欠陥を抑えた処理を行うことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明方法に用いられるレジストパターン形成
システムの一実施の形態の全体を示す斜視図である。

【図２】上述システムを示す平面図である。

【図３】上述システムに用いられる現像ユニットを示す
断面図である。

【図４】現像ユニットにおけるリンス液の供給系を示す
説明図である。

【図５】上述システムに用いられる前処理部を示す断面
図である。

【図６】現像ユニットにおける現像工程及びリンス工程
を示す説明図である。

【図７】リンス時間に対するウエハ上のパーティクル数
と現像の残さ濃度との関係を示す特性図である。

【図８】上述システムの分析部からイオンクロマト分析
装置へ前処理液を搬送する様子を示す説明図である。

【図９】上述システムを用いた現像処理の評価方法を示
すフロー図である。

【符号の説明】

１ パターン形成装置 Ｗ 半導体ウエハ ２ 前処理部 ２１ カセットステージ ２２ 受け渡しアーム ２３ 液槽 ２４ 支持アーム ３ イオンクロマト分析装置 ３１ 作動機構 ３２ 採取器 ４１ カセットステーション ４２ カセット載置部 ４４ 塗布ユニット ４５ メインアーム ４６ インターフェイスユニット ４７ 露光ブロック５ 現像ユニット５２ スピ
ンチャック５６ 液受けカップ ５９ 現像液ノズル ６ リンス液ノズル ６２ リンス液供給管 ６３ 容器 ７ 制御部

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 レジストが塗布され、露光が行われた基
   板の表面に現像液を供給する現像工程と、 前記基板にリンス液を供給して現像液を洗い流すリンス
   工程と、 次いで少なくとも基板の表面を前処理液に浸して、基板
   の表面に付着している現像液中の成分を前処理液に溶か
   す前処理工程と、 前記前処理液に対して分析を行って現像液中の成分を定
   量する分析工程と、を含むことを特徴とする現像処理の
   評価方法。
2. 【請求項２】 リンス工程における基板にリンス液を供
   給する時間を変えて、その時間と現像液中の成分の定量
   結果との関係を求め、この関係に基づいて前記時間を設
   定することを特徴とする請求項１記載の現像処理の評価
   方法。
3. 【請求項３】 現像液中の成分の定量結果に基づいてリ
   ンス工程におけるリンス状態を評価する評価工程を含む
   ことを特徴とする請求項１記載の現像処理の評価方法。
4. 【請求項４】 評価工程は、現像液中の成分の定量結果
   と予め設定した現像液中の成分の濃度基準値とを比較す
   る比較工程を含むことを特徴とする請求項３記載の現像
   処理の評価方法。
5. 【請求項５】 レジストが塗布され、露光が行われた基
   板の表面に現像液を供給する現像工程と、 前記基板にリンス液を供給して現像液を洗い流すリンス
   工程と、 次いで少なくとも基板の表面を前処理液に浸して、基板
   の表面に付着している現像液中の成分を前処理液に溶か
   す前処理工程と、 前記前処理液に対して分析を行って現像液中の成分を定
   量する分析工程と、 現像液中の成分の定量結果と予め設定した現像液中の成
   分の濃度基準値とを比較し、その比較結果に基づいて、
   リンス工程の処理条件を調整する工程を含むことを特徴
   とするレジストパタ−ン形成方法。
6. 【請求項６】 リンス工程の処理条件を調整する工程は
   リンス時間を調整する工程を含むことを特徴とする請求
   項５記載のレジストパタ−ン形成方法。
7. 【請求項７】 レジストが塗布され、露光が行われた基
   板の表面に現像液を供給するための現像部と、 前記基板にリンス液を供給して現像液を洗い流すための
   リンス液供給部と、 リンス液が供給された基板の少なくとも表面を、容器に
   貯液された前処理液に浸し、基板の表面に付着している
   現像液中の成分を当該前処理液に溶かすための前処理部
   と、 前記前処理液に対して分析を行って現像液中の成分を定
   量する分析部と、を備えたことを特徴とするレジストパ
   タ−ン形成システム。
8. 【請求項８】 現像液中の成分の定量結果と予め設定し
   た前記成分の濃度基準値とに基づいてリンス液の供給条
   件を調整する手段を含むことを特徴とする請求項７記載
   のレジストパタ−ン形成システム。
9. 【請求項９】 分析部は、クロマトグラフ装置であるこ
   とを特徴とする請求項７または８記載のレジストパタ−
   ン形成システム。