JP2007150064A - リンス処理方法、現像処理装置、および制御プログラム - Google Patents
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Abstract
【解決手段】露光パターンを現像処理した後の基板をリンス処理するリンス処理方法は、予め基板の表面状態に応じてリンス処理の条件を設定する工程(ステップ1)と、基板の表面状態を測定する工程(ステップ2)と、測定された基板の表面状態から対応するリンス処理の条件を選択する工程(ステップ3)と、選択された条件でリンス処理を行う工程(ステップ4)とを有する。
【選択図】図18
Description
図1は本発明のリンス処理方法が実施される現像処理装置が搭載されたレジスト塗布現像処理システムを示す概略平面図、図2はその正面図、図3はその背面図である。
現像後のリンス処理を行う場合には、通常、現像液が保持されているウエハにリンス液(純水)を供給しつつウエハを回転させて、現像液をリンス液に置換した後、リンス液を振り切る。この場合に、ウエハW表面でのリンス液の広がり方が現像後のウエハWの表面状態(例えば接触角)に大きく依存することが判明した。そして、現像後の欠陥の生じ方はリンス処理(リンス・乾燥時)におけるリンス液の広がり方に大きく左右される。このため、各種表面状態毎にリンス処理でのリンス液の状態(広がり方)を把握しておき、それぞれについて現像欠陥が最小となる最適なリンス液の広がり方が達成可能なレシピを準備しておけば、ウエハの表面状態を検出することにより、それに対応した最適なレシピを選択することができる。このため、図12に示すように、リンス液の広がり方の分類に対応してウエハの表面状態を複数にグループ分けし、それぞれのグループに対して最適なリンス処理および乾燥処理の条件(レシピ)を対応づけてなる制御テーブル120を記憶部86に格納し、ウエハの表面状態に応じた適切な処理を可能とする。
図13は、ウエハ表面(膜が形成されている場合にはその膜の表面)の純水に対する接触角と、リンス処理におけるリンス・乾燥時のリンス液の広がり方との関係を具体的に示すものであり、横軸に膜を形成しない場合および種々の膜を形成した場合の純水に対する接触角をとり、縦軸にリンス処理時のウエハ表面でのリンス液の状態(例えば中心から乾く、あるいは外側から乾くといった状態)を調査し、それを分類した1〜5の5つのグループをとる。
図12のグループ1は現像後のリンス液(純水)に対する接触角が10度以下であるが、この場合に対応する最適なレシピであるレシピaは、例えば図14に示すように、まず、現像後、ウエハWを回転させながらウエハ中心直上に配置されたリンス液供給ノズル62から現像液パドル201上にリンス液(純水)を供給し、ウエハ全域にリンス液(純水)の膜202を形成する(図14の(a))。引き続き、ウエハを回転させながら必要に応じて最初に不活性ガス供給ノズル63からウエハWの中心にN2ガス等の不活性ガスを短時間供給し、ウエハ中心に乾燥域203のコアを形成する(図14の(b))。ウエハを回転させながら中心から外周へ乾燥域203を広げ、乾燥を進行させる(図14の(c))。このときウエハWの中心側から外側に向けてリンス液供給ノズル62をスキャンさせながらリンス液を供給するスキャンリンスを行ってもよい。
52……スピンチャック
61……現像液供給ノズル
62……リンス液供給ノズル
63……不活性ガス供給ノズル
80……現像処理装置
85……測定部
86……記憶部
90……コントローラ
101……プロセスコントローラ
102……ユーザーインターフェイス
103……記憶部
120……制御テーブル
DEV……現像処理装置
W……半導体ウエハ
Claims (9)
- 露光パターンを現像処理した後の基板をリンス処理するリンス処理方法であって、
予め基板の表面状態に応じてリンス処理の条件を設定する工程と、
基板の表面状態を測定する工程と、
測定された基板の表面状態から対応するリンス処理の条件を選択する工程と、
前記選択された条件でリンス処理を行う工程と
を有することを特徴とするリンス処理方法。 - 前記表面状態を測定する工程は、基板の表面状態として、リンス液に対する接触角を測定することを特徴とする請求項1に記載のリンス処理方法。
- 予め基板の表面状態に応じてリンス処理の条件を設定する工程は、複数の表面状態のそれぞれに対して現像欠陥を許容範囲にすることが可能なリンス処理の条件を設定することを特徴とする請求項1または請求項2に記載のリンス処理方法。
- 基板上のレジスト膜に形成された露光パターンを現像する現像処理装置であって、
基板に対して現像処理、リンス処理を順次行う現像処理部と、
現像処理を行う基板の表面状態を測定する表面状態測定部と、
基板の表面状態に応じてリンス処理条件が設定された情報が記憶された記憶部と、
前記記憶部から前記表面状態測定部において測定した基板の表面状態に対応する条件を選択し、その条件でリンス処理が行われるように前記現像処理部を制御する制御部と
を具備することを特徴とする現像処理装置。 - 前記表面状態測定部は、基板表面のリンス液に対する接触角を測定することを特徴とする請求項4に記載の現像処理装置。
- 前記記憶部は、複数の表面状態のそれぞれに対して現像欠陥を許容範囲にすることが可能なリンス処理条件を対応づけた制御テーブルを有することを特徴とする請求項4に記載の現像処理装置。
- 基板に対して現像処理、リンス処理を順次行う現像処理装置をコンピュータに制御させる制御プログラムであって、
基板の表面状態を測定する装置に基板の表面状態を測定させる機能と、
記憶部に記憶された、基板の表面状態に応じてリンス処理条件が設定された情報から、前記測定された表面状態に対応する条件を選択する機能と、
選択された条件でリンス処理を実行させる機能と
を有することを特徴とする制御プログラム。 - 前記表面状態は、基板表面のリンス液に対する接触角であることを特徴とする請求項7に記載の制御プログラム。
- 前記記憶部に記憶された、基板の表面状態に応じてリンス処理条件が設定された情報は、複数の表面状態のそれぞれに対して現像欠陥を許容範囲にすることが可能なリンス処理条件を対応づけた制御テーブルであることを特徴とする請求項7に記載の制御プログラム。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005343914A JP4494332B2 (ja) | 2005-11-29 | 2005-11-29 | リンス処理方法、現像処理装置、および制御プログラム |
US11/602,390 US8029624B2 (en) | 2005-11-29 | 2006-11-21 | Rinse method and developing apparatus |
KR1020060118280A KR101080445B1 (ko) | 2005-11-29 | 2006-11-28 | 린스 처리 방법, 현상 처리 장치 및 컴퓨터 판독 가능한제어 프로그램을 기록한 기록 매체 |
CN2006101631660A CN101000465B (zh) | 2005-11-29 | 2006-11-29 | 漂洗处理方法及显影处理装置 |
TW095144095A TWI317969B (en) | 2005-11-29 | 2006-11-29 | Rinse processing method, developing processing apparatus, and computer readable medium encoded with a control program to be executed by a computer |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005343914A JP4494332B2 (ja) | 2005-11-29 | 2005-11-29 | リンス処理方法、現像処理装置、および制御プログラム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007150064A true JP2007150064A (ja) | 2007-06-14 |
JP4494332B2 JP4494332B2 (ja) | 2010-06-30 |
Family
ID=38086251
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005343914A Expired - Fee Related JP4494332B2 (ja) | 2005-11-29 | 2005-11-29 | リンス処理方法、現像処理装置、および制御プログラム |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8029624B2 (ja) |
JP (1) | JP4494332B2 (ja) |
KR (1) | KR101080445B1 (ja) |
CN (1) | CN101000465B (ja) |
TW (1) | TWI317969B (ja) |
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JP7512067B2 (ja) | 2019-04-09 | 2024-07-08 | 東京エレクトロン株式会社 | パターン崩壊を緩和するリンス溶液の使用時点での混合 |
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- 2005-11-29 JP JP2005343914A patent/JP4494332B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
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- 2006-11-21 US US11/602,390 patent/US8029624B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2006-11-28 KR KR1020060118280A patent/KR101080445B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2006-11-29 CN CN2006101631660A patent/CN101000465B/zh not_active Expired - Fee Related
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---|---|
TWI317969B (en) | 2009-12-01 |
TW200735178A (en) | 2007-09-16 |
KR20070056993A (ko) | 2007-06-04 |
KR101080445B1 (ko) | 2011-11-04 |
JP4494332B2 (ja) | 2010-06-30 |
US8029624B2 (en) | 2011-10-04 |
US20070119479A1 (en) | 2007-05-31 |
CN101000465A (zh) | 2007-07-18 |
CN101000465B (zh) | 2012-09-19 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070903 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091215 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100208 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100406 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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