JP2003264132A - 基板処理装置及び基板処理方法 - Google Patents
基板処理装置及び基板処理方法Info
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板に形成されるパターンの線幅均一性を向
上させること。 【解決手段】 現像液供給ノズル２０が基板Ｗの一端側
から他端側に移動して、基板Ｗの主面全体に現像液を供
給する。所要の現像処理時間経過後、リンス液供給ノズ
ル４０が基板Ｗの一端側から他端側に移動して、基板Ｗ
の主面全体に現像液を供給する。リンス液供給ノズル４
０の移動速度Ｖ２を、現像液供給ノズル２０の移動速度
Ｖ１よりも速くすることにより、リンス液滴下によるゆ
らぎの影響で現像反応が促進され易い部位（走査方向Ａ
下流側）では、実際の現像時間を短くする。
上させること。 【解決手段】 現像液供給ノズル２０が基板Ｗの一端側
から他端側に移動して、基板Ｗの主面全体に現像液を供
給する。所要の現像処理時間経過後、リンス液供給ノズ
ル４０が基板Ｗの一端側から他端側に移動して、基板Ｗ
の主面全体に現像液を供給する。リンス液供給ノズル４
０の移動速度Ｖ２を、現像液供給ノズル２０の移動速度
Ｖ１よりも速くすることにより、リンス液滴下によるゆ
らぎの影響で現像反応が促進され易い部位（走査方向Ａ
下流側）では、実際の現像時間を短くする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハや液
晶表示パネル用ガラス基板、プラズマ表示パネル用ガラ
ス基板等の基板に現像処理を行うための基板処理装置及
び基板処理方法に関する。
晶表示パネル用ガラス基板、プラズマ表示パネル用ガラ
ス基板等の基板に現像処理を行うための基板処理装置及
び基板処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、基板の現像方法として、現像液供
給ノズルを基板の一端側から他端側に移動させて、該基
板の上面全体に現像液を供給し（この現像液供給方法を
スリットスキャン現像方法ともいう）、その後所定時間
経過後に、リンス液供給ノズルを前記現像液供給ノズル
の移動速度と同速度で基板の一端側から他端側に移動さ
せて、基板の上面全体にリンス液を供給して、基板上面
における現像を停止させるようにしたものがある。
給ノズルを基板の一端側から他端側に移動させて、該基
板の上面全体に現像液を供給し（この現像液供給方法を
スリットスキャン現像方法ともいう）、その後所定時間
経過後に、リンス液供給ノズルを前記現像液供給ノズル
の移動速度と同速度で基板の一端側から他端側に移動さ
せて、基板の上面全体にリンス液を供給して、基板上面
における現像を停止させるようにしたものがある。
【０００３】この現像方法は、現像液供給ノズルの移動
速度とリンス液供給ノズルの移動速度とを同じにするこ
とによって、基板の上面全体において現像時間をほぼ同
じとし、もって、現像むらを防止すると共に、現像後に
おけるレジストパターンの線幅均一性を向上させようと
するものである。
速度とリンス液供給ノズルの移動速度とを同じにするこ
とによって、基板の上面全体において現像時間をほぼ同
じとし、もって、現像むらを防止すると共に、現像後に
おけるレジストパターンの線幅均一性を向上させようと
するものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、種々実
験を行ったところ、リンス液供給ノズルの移動方向前方
（基板の他端側）で、レジストパターンの線幅が所望す
る寸法より細くなる傾向を生じ、未だ現像均一性が不十
分であることが判明した。
験を行ったところ、リンス液供給ノズルの移動方向前方
（基板の他端側）で、レジストパターンの線幅が所望す
る寸法より細くなる傾向を生じ、未だ現像均一性が不十
分であることが判明した。
【０００５】これは、上記現像方法によると、図８に示
すように、基板Ｗに液盛りされた現像液１０１に、リン
ス液供給ノズル１１０からリンス液を滴下する際に、該
液盛りされた現像液１０１に多少の振動（ゆらぎ）１０
２が生じ、それがリンス液供給ノズル１１０の移動方向
前方にも伝達されてしまい、いわゆる攪拌作用により現
像反応を促進してしまうためと考えられる。
すように、基板Ｗに液盛りされた現像液１０１に、リン
ス液供給ノズル１１０からリンス液を滴下する際に、該
液盛りされた現像液１０１に多少の振動（ゆらぎ）１０
２が生じ、それがリンス液供給ノズル１１０の移動方向
前方にも伝達されてしまい、いわゆる攪拌作用により現
像反応を促進してしまうためと考えられる。
【０００６】そこで、この発明の課題は、線幅均一性を
より向上させることができる基板処理装置及び基板処理
方法を提供することにある。
より向上させることができる基板処理装置及び基板処理
方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決すべく、
請求項１記載の基板処理装置は、基板を保持する基板保
持手段と、基板径寸法と実質的に同寸法又はそれ以上の
幅寸法の吐出口を有する現像液供給ノズルと、前記現像
液供給ノズルを、前記基板保持手段により保持された基
板の一端側から他端側に向けて移動させる第１移動手段
と、基板径寸法と実質的に同寸法又はそれ以上の幅寸法
の吐出口を有するリンス液供給ノズルと、前記リンス液
供給ノズルを、前記基板の前記一端側から前記他端側に
向けて移動させる第２移動手段と、前記現像液供給ノズ
ルを前記基板の前記一端側から前記他端側に向けて第１
移動速度パターンで移動させてその基板の主面に現像液
を供給させた後、前記リンス液供給ノズルを前記基板の
前記一端側から前記他端側に向けて第２移動速度パター
ンで移動させてその基板の主面にリンス液を供給させる
制御手段と、を備え、前記第１移動速度パターンと前記
第２移動速度パターンとは、前記基板の各部における現
像時間をその一端部から他端部に向うに従って短くする
ように設定されたものである。
請求項１記載の基板処理装置は、基板を保持する基板保
持手段と、基板径寸法と実質的に同寸法又はそれ以上の
幅寸法の吐出口を有する現像液供給ノズルと、前記現像
液供給ノズルを、前記基板保持手段により保持された基
板の一端側から他端側に向けて移動させる第１移動手段
と、基板径寸法と実質的に同寸法又はそれ以上の幅寸法
の吐出口を有するリンス液供給ノズルと、前記リンス液
供給ノズルを、前記基板の前記一端側から前記他端側に
向けて移動させる第２移動手段と、前記現像液供給ノズ
ルを前記基板の前記一端側から前記他端側に向けて第１
移動速度パターンで移動させてその基板の主面に現像液
を供給させた後、前記リンス液供給ノズルを前記基板の
前記一端側から前記他端側に向けて第２移動速度パター
ンで移動させてその基板の主面にリンス液を供給させる
制御手段と、を備え、前記第１移動速度パターンと前記
第２移動速度パターンとは、前記基板の各部における現
像時間をその一端部から他端部に向うに従って短くする
ように設定されたものである。
【０００８】なお、請求項２記載のように、前記第１移
動速度パターンは、第１移動速度の等速度パターンであ
り、前記第２移動速度パターンは、第２移動速度の等速
度パターンであり、前記第２移動速度は、前記第１移動
速度よりも大きく設定されていてもよい。
動速度パターンは、第１移動速度の等速度パターンであ
り、前記第２移動速度パターンは、第２移動速度の等速
度パターンであり、前記第２移動速度は、前記第１移動
速度よりも大きく設定されていてもよい。
【０００９】また、請求項３記載のように、前記リンス
液供給ノズルの吐出口は、そのリンス液供給ノズルが前
記基板の前記一端側から前記他端側に向けて移動する際
の移動方向とは逆方向へリンス液を吐出するとよい。
液供給ノズルの吐出口は、そのリンス液供給ノズルが前
記基板の前記一端側から前記他端側に向けて移動する際
の移動方向とは逆方向へリンス液を吐出するとよい。
【００１０】さらに、請求項４記載のように、現像条件
を取得する現像条件取得手段と、取得された現像条件に
応じて、前記第１移動速度パターンと前記第２移動速度
パターンとのうち少なくとも一方を設定する、速度パタ
ーン設定手段と、をさらに備えた構成であってもよい。
を取得する現像条件取得手段と、取得された現像条件に
応じて、前記第１移動速度パターンと前記第２移動速度
パターンとのうち少なくとも一方を設定する、速度パタ
ーン設定手段と、をさらに備えた構成であってもよい。
【００１１】この場合、請求項５記載のように、前記現
像条件としては、レジスト種、現像液種、現像液濃度及
びリンス液供給ノズルのリンス液吐出角度のうちの少な
くとも一つに関する情報を含んでいるとよい。
像条件としては、レジスト種、現像液種、現像液濃度及
びリンス液供給ノズルのリンス液吐出角度のうちの少な
くとも一つに関する情報を含んでいるとよい。
【００１２】また、請求項６記載の基板処理方法は、基
板に現像液を供給した後、リンス液を供給する基板処理
方法であって、第１走査速度パターンで、基板の一端側
から他端側に向けて走査しつつ、その基板の主面に現像
液を供給する工程と、前記基板の主面に現像液を供給し
た後、第２走査速度パターンで、基板の前記一端側から
前記他端側に向けて走査しつつ、その基板の主面にリン
ス液を供給する工程と、を含み、前記第１走査速度パタ
ーンと前記第２走査速度パターンとは、前記基板の各部
における現像時間を、その一端部から他端部に向うに従
って短くするように設定されるものである。
板に現像液を供給した後、リンス液を供給する基板処理
方法であって、第１走査速度パターンで、基板の一端側
から他端側に向けて走査しつつ、その基板の主面に現像
液を供給する工程と、前記基板の主面に現像液を供給し
た後、第２走査速度パターンで、基板の前記一端側から
前記他端側に向けて走査しつつ、その基板の主面にリン
ス液を供給する工程と、を含み、前記第１走査速度パタ
ーンと前記第２走査速度パターンとは、前記基板の各部
における現像時間を、その一端部から他端部に向うに従
って短くするように設定されるものである。
【００１３】なお、請求項７記載のように、前記リンス
液を、前記基板の前記一端側から前記他端側に向けて走
査する際の走査方向とは逆方向へ吐出するとよい。
液を、前記基板の前記一端側から前記他端側に向けて走
査する際の走査方向とは逆方向へ吐出するとよい。
【００１４】また、請求項８記載のように、現像条件に
応じて、前記第１走査速度パターンと前記第２走査速度
パターンとのうちの少なくとも一つを設定してもよい。
応じて、前記第１走査速度パターンと前記第２走査速度
パターンとのうちの少なくとも一つを設定してもよい。
【００１５】
【発明の実施の形態】｛第１の実施の形態｝以下、この
発明の第１の実施の形態に係る基板処理装置について説
明する。
発明の第１の実施の形態に係る基板処理装置について説
明する。
【００１６】図１はこの発明の第１の実施の形態に係る
基板処理装置の概略構成を示す平面図であり、図２は図
１のＩＩ−ＩＩ線断面図である。
基板処理装置の概略構成を示す平面図であり、図２は図
１のＩＩ−ＩＩ線断面図である。
【００１７】この基板処理装置は、露光後の基板Ｗに対
して現像液を供給して現像処理を行う装置であり、基板
Ｗを保持する基板保持部１０と、現像液供給ノズル２０
と、この現像液供給ノズル２０を移動させるための第１
移動機構３０と、リンス液供給ノズル４０と、このリン
ス液供給ノズル４０を移動させるための第２移動機構５
０と、本装置全体の動作制御を行う制御部６０とを備え
ている。
して現像液を供給して現像処理を行う装置であり、基板
Ｗを保持する基板保持部１０と、現像液供給ノズル２０
と、この現像液供給ノズル２０を移動させるための第１
移動機構３０と、リンス液供給ノズル４０と、このリン
ス液供給ノズル４０を移動させるための第２移動機構５
０と、本装置全体の動作制御を行う制御部６０とを備え
ている。
【００１８】基板保持部１０は、基板Ｗを略水平姿勢で
保持する。具体的には、基板保持部１０は、装置本体５
の略中央部に略鉛直姿勢で配設された支持軸１１と、そ
の支持軸の上端部に固設された支持台１２とを備えてい
る。支持台１２は、基板Ｗを略水平姿勢で吸着保持可能
に構成されている。なお、支持台１２は基板Ｗを吸着保
持する構成に限定されるものではなく、その他、例え
ば、基板Ｗの周縁部を把持する構成であってもよい。
保持する。具体的には、基板保持部１０は、装置本体５
の略中央部に略鉛直姿勢で配設された支持軸１１と、そ
の支持軸の上端部に固設された支持台１２とを備えてい
る。支持台１２は、基板Ｗを略水平姿勢で吸着保持可能
に構成されている。なお、支持台１２は基板Ｗを吸着保
持する構成に限定されるものではなく、その他、例え
ば、基板Ｗの周縁部を把持する構成であってもよい。
【００１９】なお、基板保持部１０周りには、基板Ｗを
囲むようにして円形状の内カップ６が設けられると共
に、その内カップ６の外周周りに略方形状の外カップ７
が設けられている。また、外カップ７の両側に待機ポッ
ト８が設けられている。
囲むようにして円形状の内カップ６が設けられると共
に、その内カップ６の外周周りに略方形状の外カップ７
が設けられている。また、外カップ７の両側に待機ポッ
ト８が設けられている。
【００２０】現像液供給ノズル２０は、基板Ｗの径寸法
と実質的に同寸法又はそれ以上の幅寸法の吐出口２１
（図２参照）を有している。そして、該吐出口２１の幅
方向全体から現像液が吐出され、基板Ｗの所定の直径方
向全体に亘って現像液が供給される構成となっている。
と実質的に同寸法又はそれ以上の幅寸法の吐出口２１
（図２参照）を有している。そして、該吐出口２１の幅
方向全体から現像液が吐出され、基板Ｗの所定の直径方
向全体に亘って現像液が供給される構成となっている。
【００２１】また、この現像液供給ノズル２０には、現
像液供給系機構２６が連結されている。該現像液供給系
機構２６は、現像液を蓄えた現像液供給源及び開閉バル
ブ（共に図示省略）を備えており、開閉バルブの開閉タ
イミングに応じて前記現像液供給源からの現像液が所定
のタイミングで現像液供給ノズル２０に供給されるよう
に構成されている。
像液供給系機構２６が連結されている。該現像液供給系
機構２６は、現像液を蓄えた現像液供給源及び開閉バル
ブ（共に図示省略）を備えており、開閉バルブの開閉タ
イミングに応じて前記現像液供給源からの現像液が所定
のタイミングで現像液供給ノズル２０に供給されるよう
に構成されている。
【００２２】第１移動機構３０は、現像液供給ノズル２
０を、基板保持部１０により保持された基板Ｗの一端側
から他端側に向けて移動させる。本実施の形態では、第
１移動機構３０は、ガイドレール３２に沿ってい移動可
能な水平駆動部３４と、支持アーム部３６とを備えてい
る。ガイドレール３２は、装置本体５の上面側であって
基板保持部１０の側方に水平方向に沿って敷設されてい
る。水平駆動部３４は、該ガイドレール３２に沿って所
定の走査方向Ａ及びその逆方向に水平移動可能に構成さ
れている。支持アーム部３６は、基板保持部１０側に延
びるようにして水平駆動部３４に片持ち状に支持されて
おり、その遊端側に現像液供給ノズル２０が前記走査方
向Ａに対して直交する方向に沿って略水平姿勢で支持さ
れている。
０を、基板保持部１０により保持された基板Ｗの一端側
から他端側に向けて移動させる。本実施の形態では、第
１移動機構３０は、ガイドレール３２に沿ってい移動可
能な水平駆動部３４と、支持アーム部３６とを備えてい
る。ガイドレール３２は、装置本体５の上面側であって
基板保持部１０の側方に水平方向に沿って敷設されてい
る。水平駆動部３４は、該ガイドレール３２に沿って所
定の走査方向Ａ及びその逆方向に水平移動可能に構成さ
れている。支持アーム部３６は、基板保持部１０側に延
びるようにして水平駆動部３４に片持ち状に支持されて
おり、その遊端側に現像液供給ノズル２０が前記走査方
向Ａに対して直交する方向に沿って略水平姿勢で支持さ
れている。
【００２３】そして、水平駆動部３４の駆動により、現
像液供給ノズル２０が、基板Ｗの主面の上方を、その一
端側から他端側に向けて移動可能とされる。現像液供給
ノズル２０が基板Ｗの上方を移動する際、現像液供給ノ
ズル２０から現像液を吐出させることで、基板Ｗの一端
側から他端側にかけて現像液が供給されることとなる。
像液供給ノズル２０が、基板Ｗの主面の上方を、その一
端側から他端側に向けて移動可能とされる。現像液供給
ノズル２０が基板Ｗの上方を移動する際、現像液供給ノ
ズル２０から現像液を吐出させることで、基板Ｗの一端
側から他端側にかけて現像液が供給されることとなる。
【００２４】リンス液供給ノズル４０は、基板Ｗの径寸
法と実質的に同寸法又はそれ以上の幅寸法の吐出口４１
（図２参照）を有している。そして、該吐出口４１の幅
方向全体からリンス液が吐出され、基板Ｗの所定の直径
方向全体に亘ってリンス液が供給される構成となってい
る。
法と実質的に同寸法又はそれ以上の幅寸法の吐出口４１
（図２参照）を有している。そして、該吐出口４１の幅
方向全体からリンス液が吐出され、基板Ｗの所定の直径
方向全体に亘ってリンス液が供給される構成となってい
る。
【００２５】なお、このリンス液供給ノズル４０の吐出
口４１は、図３に示すように、前記走査方向Ａとは逆方
向へリンス液を吐出する形状とされている。具体的に
は、リンス液供給ノズル４０の吐出口４１は、基板Ｗに
対して垂直な方向から走査方向Ａと逆向きにθ度傾く方
向へ指向している。そして、該吐出口４１より吐出され
たリンス液が、前記走査方向Ａとは逆方向へ流れるよう
になっている。これにより、リンス液がリンス液供給ノ
ズル４０より走査方向Ａの前方側へ流れたり、リンス液
によって基板Ｗ上の現像液がリンス液供給ノズル４０よ
り走査方向Ａの前方側へ押し流されたりすることを防止
するようにしている。
口４１は、図３に示すように、前記走査方向Ａとは逆方
向へリンス液を吐出する形状とされている。具体的に
は、リンス液供給ノズル４０の吐出口４１は、基板Ｗに
対して垂直な方向から走査方向Ａと逆向きにθ度傾く方
向へ指向している。そして、該吐出口４１より吐出され
たリンス液が、前記走査方向Ａとは逆方向へ流れるよう
になっている。これにより、リンス液がリンス液供給ノ
ズル４０より走査方向Ａの前方側へ流れたり、リンス液
によって基板Ｗ上の現像液がリンス液供給ノズル４０よ
り走査方向Ａの前方側へ押し流されたりすることを防止
するようにしている。
【００２６】また、このリンス液供給ノズル４０には、
リンス液供給系機構４６が連結されている。該リンス液
供給系機構４６は、リンス液を蓄えたリンス液供給源及
び開閉バルブ（共に図示省略）を備えており、開閉バル
ブの開閉タイミングに応じて前記リンス液供給源からの
リンス液が所定のタイミングでリンス液供給ノズル４０
に供給されるように構成されている。
リンス液供給系機構４６が連結されている。該リンス液
供給系機構４６は、リンス液を蓄えたリンス液供給源及
び開閉バルブ（共に図示省略）を備えており、開閉バル
ブの開閉タイミングに応じて前記リンス液供給源からの
リンス液が所定のタイミングでリンス液供給ノズル４０
に供給されるように構成されている。
【００２７】第２移動機構５０は、リンス液供給ノズル
４０を、基板保持部１０により保持された基板Ｗの一端
側から他端側に向けて移動させる。本実施の形態では、
第２移動機構５０は、上記第１移動機構３０と同様構成
を有しており、即ち、上記水平駆動部３４に対応する水
平駆動部５４と、上記支持アーム部３６に対応する支持
アーム部５６とを備えている。
４０を、基板保持部１０により保持された基板Ｗの一端
側から他端側に向けて移動させる。本実施の形態では、
第２移動機構５０は、上記第１移動機構３０と同様構成
を有しており、即ち、上記水平駆動部３４に対応する水
平駆動部５４と、上記支持アーム部３６に対応する支持
アーム部５６とを備えている。
【００２８】そして、水平駆動部５４の駆動により、リ
ンス液供給ノズル４０が基板Ｗの上方を移動し、この移
動の際、リンス液供給ノズル４０からリンス液を吐出さ
せることで、基板Ｗの一端側から他端側にかけてリンス
液が供給されることとなる。
ンス液供給ノズル４０が基板Ｗの上方を移動し、この移
動の際、リンス液供給ノズル４０からリンス液を吐出さ
せることで、基板Ｗの一端側から他端側にかけてリンス
液が供給されることとなる。
【００２９】制御部６０は、本装置全体の制御を行うも
のであり、ＣＰＵ、ＲＯＭおよびＲＡＭ等を備え、予め
格納されたソフトウェアプログラムによって所定の演算
動作を行う一般的なマイクロコンピュータにより構成さ
れている。
のであり、ＣＰＵ、ＲＯＭおよびＲＡＭ等を備え、予め
格納されたソフトウェアプログラムによって所定の演算
動作を行う一般的なマイクロコンピュータにより構成さ
れている。
【００３０】この制御部６０は、次に説明する一連の動
作の制御を行うものであり、少なくとも、現像液供給ノ
ズル２０を第１移動速度パターン（第１走査速度パター
ン）で移動させるように、第１移動機構３０の動作を制
御すると共に、リンス液供給ノズル４０を第２移動速度
パターン（第２走査速度パターン）で移動させるよう
に、第２移動機構５０の動作を制御する。
作の制御を行うものであり、少なくとも、現像液供給ノ
ズル２０を第１移動速度パターン（第１走査速度パター
ン）で移動させるように、第１移動機構３０の動作を制
御すると共に、リンス液供給ノズル４０を第２移動速度
パターン（第２走査速度パターン）で移動させるよう
に、第２移動機構５０の動作を制御する。
【００３１】ここで、第１移動速度パターン及び第２移
動速度パターンは、基板Ｗの各部における現像時間を、
その一端部から他端部に向うに従って短くするように設
定されたパターンである（後に詳述）。
動速度パターンは、基板Ｗの各部における現像時間を、
その一端部から他端部に向うに従って短くするように設
定されたパターンである（後に詳述）。
【００３２】ここでは、第１移動速度パターンを第１移
動速度Ｖ１の等速度パターンに設定し、第２移動速度パ
ターンを該第１移動速度Ｖ１よりも大きい第２移動速度
Ｖ２の等速度パターンに設定している。
動速度Ｖ１の等速度パターンに設定し、第２移動速度パ
ターンを該第１移動速度Ｖ１よりも大きい第２移動速度
Ｖ２の等速度パターンに設定している。
【００３３】なお、第１移動速度パターン及び第２移動
速度パターンの具体的パターンについては、レジストの
種や現像液の供給流量、リンス液の供給流量、第１移動
速度パターンと第２移動速度パターンとの相対的関係に
より変化するため、予め所定の現像条件において、実験
等により最適値を求めておく。
速度パターンの具体的パターンについては、レジストの
種や現像液の供給流量、リンス液の供給流量、第１移動
速度パターンと第２移動速度パターンとの相対的関係に
より変化するため、予め所定の現像条件において、実験
等により最適値を求めておく。
【００３４】このように構成された基板処理装置の概略
動作について、図４を参照して説明する。
動作について、図４を参照して説明する。
【００３５】まず、初期待機状態では、図４（ａ）に示
すように、基板Ｗが基板保持部１０に水平姿勢に支持さ
れている。また、現像液供給ノズル２０及びリンス液供
給ノズル４０は、基板Ｗの一端側（走査方向Ａの上流
側）に位置している。
すように、基板Ｗが基板保持部１０に水平姿勢に支持さ
れている。また、現像液供給ノズル２０及びリンス液供
給ノズル４０は、基板Ｗの一端側（走査方向Ａの上流
側）に位置している。
【００３６】処理開始後、はじめに、図４（ｂ）に示す
ように、現像液供給ノズル２０が基板Ｗの主面上方を、
走査方向Ａに、即ち基板Ｗの一端側から他端側に向けて
移動（走査）する。現像液供給ノズル２０が基板Ｗの主
面上方を移動する際、該現像液供給ノズル２０から現像
液が吐出される。この際、現像液供給ノズル２０は、第
１移動速度パターンにて移動する。これにより、基板Ｗ
の主面全体に対して、その一端側から他端側にかけて順
次現像液が供給され、現像液の液盛りが行われる。これ
により、基板Ｗの主面において現像がなされる。
ように、現像液供給ノズル２０が基板Ｗの主面上方を、
走査方向Ａに、即ち基板Ｗの一端側から他端側に向けて
移動（走査）する。現像液供給ノズル２０が基板Ｗの主
面上方を移動する際、該現像液供給ノズル２０から現像
液が吐出される。この際、現像液供給ノズル２０は、第
１移動速度パターンにて移動する。これにより、基板Ｗ
の主面全体に対して、その一端側から他端側にかけて順
次現像液が供給され、現像液の液盛りが行われる。これ
により、基板Ｗの主面において現像がなされる。
【００３７】現像液供給ノズル２０が基板Ｗの主面上方
を通過した後、基板Ｗにおける現像反応に必要な所定の
初期現像処理時間が経過すると、図４（ｃ）に示すよう
に、リンス液供給ノズル４０が基板Ｗの主面上方を、走
査方向Ａに、即ち基板Ｗの一端側から他端側に向けて移
動（走査）する。そして、リンス液供給ノズル４０が基
板Ｗの主面上方を通過する際、該リンス液供給ノズル４
０からリンス液が吐出される。この際、リンス液供給ノ
ズル４０は、第２移動速度パターンにて移動する。これ
により、基板Ｗの主面全体に対して、その一端側から他
端側にかけて順次リンス液が供給され、現像が停止す
る。
を通過した後、基板Ｗにおける現像反応に必要な所定の
初期現像処理時間が経過すると、図４（ｃ）に示すよう
に、リンス液供給ノズル４０が基板Ｗの主面上方を、走
査方向Ａに、即ち基板Ｗの一端側から他端側に向けて移
動（走査）する。そして、リンス液供給ノズル４０が基
板Ｗの主面上方を通過する際、該リンス液供給ノズル４
０からリンス液が吐出される。この際、リンス液供給ノ
ズル４０は、第２移動速度パターンにて移動する。これ
により、基板Ｗの主面全体に対して、その一端側から他
端側にかけて順次リンス液が供給され、現像が停止す
る。
【００３８】そして、一連の現像処理が終了した状態で
は、図４（ｄ）に示すように、現像液供給ノズル２０及
びリンス液供給ノズル４０が基板Ｗの他端側（走査方向
Ａの下流側）に位置した状態となっている。
は、図４（ｄ）に示すように、現像液供給ノズル２０及
びリンス液供給ノズル４０が基板Ｗの他端側（走査方向
Ａの下流側）に位置した状態となっている。
【００３９】上記第１移動速度パターン及び第２移動速
度パターンと、基板Ｗの各部における現像時間との関係
について説明する。
度パターンと、基板Ｗの各部における現像時間との関係
について説明する。
【００４０】図５は、現像液供給ノズル２０又はリンス
液供給ノズル４０の移動開始後の時間と、それらの基板
Ｗに対する位置との関係を示している。同図の横軸は、
現像液供給ノズル２０の移動開始時点からの経過時間を
示している。また、縦軸は、基板Ｗの一端部から他端部
に至る移動位置を示しており、Ｌは基板Ｗの他端部の位
置を示している。
液供給ノズル４０の移動開始後の時間と、それらの基板
Ｗに対する位置との関係を示している。同図の横軸は、
現像液供給ノズル２０の移動開始時点からの経過時間を
示している。また、縦軸は、基板Ｗの一端部から他端部
に至る移動位置を示しており、Ｌは基板Ｗの他端部の位
置を示している。
【００４１】現像液供給ノズル２０が、第１移動速度Ｖ
１の等速度の第１移動速度パターンで、基板Ｗの一端部
から他端部に移動すると、図５の直線Ｍに示すようにな
る。そして、所定の初期現像処理時間（t0）経過後、リ
ンス液供給ノズルが、前記第１移動速度Ｖ１よりも大き
い第２移動速度Ｖ２の等速度の第２移動速度パターン
で、基板Ｗの一端部から他端部に移動すると、図５の直
線Ｎに示すようになる。この場合、第２移動速度Ｖ２は
第１移動速度Ｖ１よりも大きいので、直線Ｎの傾きは、
直線Ｍの傾きよりも大きい。
１の等速度の第１移動速度パターンで、基板Ｗの一端部
から他端部に移動すると、図５の直線Ｍに示すようにな
る。そして、所定の初期現像処理時間（t0）経過後、リ
ンス液供給ノズルが、前記第１移動速度Ｖ１よりも大き
い第２移動速度Ｖ２の等速度の第２移動速度パターン
で、基板Ｗの一端部から他端部に移動すると、図５の直
線Ｎに示すようになる。この場合、第２移動速度Ｖ２は
第１移動速度Ｖ１よりも大きいので、直線Ｎの傾きは、
直線Ｍの傾きよりも大きい。
【００４２】図５において、横軸方向における直線Ｍと
直線Ｎとの間隔は、基板Ｗの各部における実際の現像時
間を表している。
直線Ｎとの間隔は、基板Ｗの各部における実際の現像時
間を表している。
【００４３】まず、基板Ｗの一端部における実際の現像
時間は、現像処理時間（t0）である。また、基板Ｗの一
端部から走査方向Ａに沿って距離Ｌａ離れた部位では、
実際の現像時間は、上記現像処理時間（t0）よりも小さ
なtaとなる。さらに、基板Ｗの一端部から走査方向Ａに
沿って距離Ｌｂ（Ｌｂ＞Ｌａ）離れた部位では、実際の
現像時間は、上記現像処理時間（t0）及びtaよりも小さ
なtbとなる。
時間は、現像処理時間（t0）である。また、基板Ｗの一
端部から走査方向Ａに沿って距離Ｌａ離れた部位では、
実際の現像時間は、上記現像処理時間（t0）よりも小さ
なtaとなる。さらに、基板Ｗの一端部から走査方向Ａに
沿って距離Ｌｂ（Ｌｂ＞Ｌａ）離れた部位では、実際の
現像時間は、上記現像処理時間（t0）及びtaよりも小さ
なtbとなる。
【００４４】即ち、基板Ｗの各部における現像時間は、
その一端部から他端部に向うに従って徐々に短くなる。
その一端部から他端部に向うに従って徐々に短くなる。
【００４５】従って、この基板処理装置によると、基板
Ｗの一端部から他端部に向うに従って、その基板Ｗの各
部における現像時間を短くできる。このため、現像反応
が促進され易いと考えられる部分で、現像時間を短くす
ることができ、線幅均一性をより向上させることができ
る。
Ｗの一端部から他端部に向うに従って、その基板Ｗの各
部における現像時間を短くできる。このため、現像反応
が促進され易いと考えられる部分で、現像時間を短くす
ることができ、線幅均一性をより向上させることができ
る。
【００４６】特に、本実施の形態では、リンス液供給ノ
ズル４０の吐出口４１から走査方向Ａとは逆方向へリン
ス液が吐出されるため、該吐出口４１より吐出されたリ
ンス液が、前記走査方向Ａとは逆方向へ流れることにな
り、従って、リンス液がリンス液供給ノズル４０より走
査方向Ａの前方へ流れたり、リンス液によって基板Ｗ上
の現像液がリンス液供給ノズル４０より走査方向Ａの前
方側へ押し流されたりすることをも防止できる。
ズル４０の吐出口４１から走査方向Ａとは逆方向へリン
ス液が吐出されるため、該吐出口４１より吐出されたリ
ンス液が、前記走査方向Ａとは逆方向へ流れることにな
り、従って、リンス液がリンス液供給ノズル４０より走
査方向Ａの前方へ流れたり、リンス液によって基板Ｗ上
の現像液がリンス液供給ノズル４０より走査方向Ａの前
方側へ押し流されたりすることをも防止できる。
【００４７】これと相俟って、基板Ｗ上におけるリンス
液の流れや現像液の押し流れによる影響を可及的に排除
して、主に現像反応の促進分を考慮して、リンス液供給
ノズル４０の第２移動速度パターン等を決定できて、好
都合である。
液の流れや現像液の押し流れによる影響を可及的に排除
して、主に現像反応の促進分を考慮して、リンス液供給
ノズル４０の第２移動速度パターン等を決定できて、好
都合である。
【００４８】また、リンス液供給ノズル４０の第２移動
速度パターンを速くしているため、リンス液の使用量を
減らすことができる。
速度パターンを速くしているため、リンス液の使用量を
減らすことができる。
【００４９】ところで、実施例として、直径２００ｍｍ
の半導体ウエハ上に、ＫｒＦ光源に対応するレジストＵ
Ｖ６によるレジスト膜を形成し、該レジスト膜を初期現
像処理時間１２秒で現像する現像液を用い、第１移動速
度パターンと第２移動速度パターンの最適値を求めた。
の半導体ウエハ上に、ＫｒＦ光源に対応するレジストＵ
Ｖ６によるレジスト膜を形成し、該レジスト膜を初期現
像処理時間１２秒で現像する現像液を用い、第１移動速
度パターンと第２移動速度パターンの最適値を求めた。
【００５０】まず、現像液供給ノズル２０を４０ｍｍ／
ｓｅｃ（第１移動速度Ｖ１）の等速度パターンで移動さ
せた。そして、リンス液供給ノズル４０を等速度パター
ンで移動させることとし、その第２移動速度Ｖ２と半導
体ウエハ上に形成されるパターンの線幅変動との関係を
測定した。すると、図６の直線Ｐに示されるようにな
り、リンス液供給ノズル４０を約４４ｍｍ／ｓｅｃで移
動させる場合に、線幅変動が最も小さくなることがわか
った。
ｓｅｃ（第１移動速度Ｖ１）の等速度パターンで移動さ
せた。そして、リンス液供給ノズル４０を等速度パター
ンで移動させることとし、その第２移動速度Ｖ２と半導
体ウエハ上に形成されるパターンの線幅変動との関係を
測定した。すると、図６の直線Ｐに示されるようにな
り、リンス液供給ノズル４０を約４４ｍｍ／ｓｅｃで移
動させる場合に、線幅変動が最も小さくなることがわか
った。
【００５１】なお、レジスト膜を初期現像処理時間６０
秒で現像する現像液を用いた場合には、図６の直線Ｑに
示されるようになり、リンス液供給ノズル４０の第２移
動速度Ｖ２をさらに速くできると推測される。
秒で現像する現像液を用いた場合には、図６の直線Ｑに
示されるようになり、リンス液供給ノズル４０の第２移
動速度Ｖ２をさらに速くできると推測される。
【００５２】｛第２の実施の形態｝次に、この発明の第
２の実施の形態に係る基板処理装置について説明する。
なお、この説明においては、上記第１の実施の形態に係
る基板処理装置における構成要素と同様構成要素につい
ては同一符号を付してその説明を省略し、相違点を中心
に説明する。
２の実施の形態に係る基板処理装置について説明する。
なお、この説明においては、上記第１の実施の形態に係
る基板処理装置における構成要素と同様構成要素につい
ては同一符号を付してその説明を省略し、相違点を中心
に説明する。
【００５３】図７は、第２の実施の形態に係る基板処理
装置の概略図である。
装置の概略図である。
【００５４】この基板処理装置では、上記第１の実施の
形態で説明した基板処理装置に加えて、現像条件を取得
する現像条件取得部７０を備えている。また、制御部６
０Ｂは、取得された現像条件に応じて、第１移動速度パ
ターンと第２移動速度パターンのうちの少なくとも一方
を設定する機能を有している。
形態で説明した基板処理装置に加えて、現像条件を取得
する現像条件取得部７０を備えている。また、制御部６
０Ｂは、取得された現像条件に応じて、第１移動速度パ
ターンと第２移動速度パターンのうちの少なくとも一方
を設定する機能を有している。
【００５５】ここで、最適な第１移動速度パターンと第
２移動速度パターンとに影響を与える現像条件として
は、レジスト種、現像液種、現像液濃度及びリンス液供
給ノズルのリンス液吐出角度等が想定される。
２移動速度パターンとに影響を与える現像条件として
は、レジスト種、現像液種、現像液濃度及びリンス液供
給ノズルのリンス液吐出角度等が想定される。
【００５６】即ち、レジスト種に関しては、それに含ま
れる樹脂成分の違いにより、所定の現像液との反応速度
が異なる。このため、レジスト種に応じて、現像反応の
促進程度が異なると考えられ、現像反応の促進効果の大
きいレジストの場合には、第１移動速度パターンと第２
移動速度パターンとの速度差（基板Ｗの各部における現
像時間）を大きくする必要がある。具体的には、Ｉ線露
光やＫｒＦ露光で使用されるレジスト、例えば、ノボラ
ック樹脂系やポリ水酸化スチレン（ＰＨＳ）樹脂系のレ
ジストはゆらぎによる現像液の拡散作用による現像反応
促進効果が大きいので、上記速度差（時間差）を大きく
する必要があり、ＡｒＦ露光で使用されるレジスト、例
えば、メタクリル樹脂系のレジストは現像反応促進効果
が小さいので、上記速度差（時間差）を小さくする必要
があると考えられる。
れる樹脂成分の違いにより、所定の現像液との反応速度
が異なる。このため、レジスト種に応じて、現像反応の
促進程度が異なると考えられ、現像反応の促進効果の大
きいレジストの場合には、第１移動速度パターンと第２
移動速度パターンとの速度差（基板Ｗの各部における現
像時間）を大きくする必要がある。具体的には、Ｉ線露
光やＫｒＦ露光で使用されるレジスト、例えば、ノボラ
ック樹脂系やポリ水酸化スチレン（ＰＨＳ）樹脂系のレ
ジストはゆらぎによる現像液の拡散作用による現像反応
促進効果が大きいので、上記速度差（時間差）を大きく
する必要があり、ＡｒＦ露光で使用されるレジスト、例
えば、メタクリル樹脂系のレジストは現像反応促進効果
が小さいので、上記速度差（時間差）を小さくする必要
があると考えられる。
【００５７】また、現像液種に関しては、例えば、界面
活性剤の混入の有無により現像反応の促進程度が異なる
と考えられる。通常使用されている現像液としては、界
面活性剤の混入無しの現像液（例えばＴＭＡＨ（水酸化
テトラメチルアンモニウム）２．３８パーセントで残り
は水のもの）と、界面活性剤を混入した現像液とに、お
おきく２種類に分けられる。界面活性剤入の現像液は、
表面張力が小さいので、リンス液が滴下された場合に受
けるゆらぎの影響が大きく、現像反応の促進効果が大き
いと考えられる。従って、界面活性剤入の現像液を用い
る場合は、界面活性剤無しの現像液を用いる場合より
も、上記速度差（時間差）を大きくする必要があると考
えられる。
活性剤の混入の有無により現像反応の促進程度が異なる
と考えられる。通常使用されている現像液としては、界
面活性剤の混入無しの現像液（例えばＴＭＡＨ（水酸化
テトラメチルアンモニウム）２．３８パーセントで残り
は水のもの）と、界面活性剤を混入した現像液とに、お
おきく２種類に分けられる。界面活性剤入の現像液は、
表面張力が小さいので、リンス液が滴下された場合に受
けるゆらぎの影響が大きく、現像反応の促進効果が大き
いと考えられる。従って、界面活性剤入の現像液を用い
る場合は、界面活性剤無しの現像液を用いる場合より
も、上記速度差（時間差）を大きくする必要があると考
えられる。
【００５８】現像液濃度の違いに関しては、通常、ＴＭ
ＡＨの濃度２．３８パーセントの現像液が使用されてい
るものの、濃度の異なる現像液が使用される場合もあ
る。そして、現像液濃度の大きい方が現像反応速度が速
いので、ゆらぎによる現像促進効果が大きく、従って、
現像液の濃度を大きくすればするほど、上記速度差（時
間差）を大きくする必要があると考えられる。
ＡＨの濃度２．３８パーセントの現像液が使用されてい
るものの、濃度の異なる現像液が使用される場合もあ
る。そして、現像液濃度の大きい方が現像反応速度が速
いので、ゆらぎによる現像促進効果が大きく、従って、
現像液の濃度を大きくすればするほど、上記速度差（時
間差）を大きくする必要があると考えられる。
【００５９】リンス液吐出角度に関しては、次の通りで
ある。
ある。
【００６０】まず、基板Ｗ上に現像液が液盛りされ、現
像反応がある程度進むと、現像液とそれに反応して溶解
したレジストとが混じり合うため、液盛りされた現像液
の表面張力や基板面との接触角が変化するところ、その
変化度合は、レジスト種や現像液種により異なる。この
ため、基板Ｗ上にリンス液を供給して現像液を洗い流す
際において、最適なリンス液の吐出角度θは一定ではな
く、それらレジスト種や現像液種に応じて、最適なリン
ス液の吐出角度θを設定することが望ましい。そして、
リンス液の吐出角度θを変更すると、当然、走査方向Ａ
の前方の現像液に与えるゆらぎの影響も変化する。即
ち、吐出角度θが小さくなるほど（基板Ｗに対して垂直
に近くなるほど）、ゆらぎの影響が大きく現像反応が促
進される。また、基板Ｗに対する吐出角度θが大きくな
るほど（基板Ｗに対して平行姿勢に近づくほど）、ゆら
ぎによる影響は小さく、現像反応の促進効果は小さい。
従って、基板Ｗに対する吐出角度θを小さくすればする
ほど、上記速度差（時間差）を大きくする必要があると
考えられる。
像反応がある程度進むと、現像液とそれに反応して溶解
したレジストとが混じり合うため、液盛りされた現像液
の表面張力や基板面との接触角が変化するところ、その
変化度合は、レジスト種や現像液種により異なる。この
ため、基板Ｗ上にリンス液を供給して現像液を洗い流す
際において、最適なリンス液の吐出角度θは一定ではな
く、それらレジスト種や現像液種に応じて、最適なリン
ス液の吐出角度θを設定することが望ましい。そして、
リンス液の吐出角度θを変更すると、当然、走査方向Ａ
の前方の現像液に与えるゆらぎの影響も変化する。即
ち、吐出角度θが小さくなるほど（基板Ｗに対して垂直
に近くなるほど）、ゆらぎの影響が大きく現像反応が促
進される。また、基板Ｗに対する吐出角度θが大きくな
るほど（基板Ｗに対して平行姿勢に近づくほど）、ゆら
ぎによる影響は小さく、現像反応の促進効果は小さい。
従って、基板Ｗに対する吐出角度θを小さくすればする
ほど、上記速度差（時間差）を大きくする必要があると
考えられる。
【００６１】なお、ここで例示した現像条件は、例示で
あり、その他、例えば、リンス液供給ノズル４０からの
リンス液の吐出流速、吐出口２１の形状等を考慮するよ
うにしてもよい。
あり、その他、例えば、リンス液供給ノズル４０からの
リンス液の吐出流速、吐出口２１の形状等を考慮するよ
うにしてもよい。
【００６２】現像条件取得部７０は、上述のような現像
条件を少なくとも１つ取得する。この現像条件は、例え
ば、オペレータが入力装置を用いて手入力することによ
り設定される。
条件を少なくとも１つ取得する。この現像条件は、例え
ば、オペレータが入力装置を用いて手入力することによ
り設定される。
【００６３】制御部６０Ｂは、取得された現像条件に応
じて、第１移動速度パターンと第２移動速度パターンの
うちの少なくとも一方を設定する。
じて、第１移動速度パターンと第２移動速度パターンの
うちの少なくとも一方を設定する。
【００６４】この制御部６０Ｂでは、その記憶部内に、
各種現像条件に第１移動速度パターンや第２移動速度パ
ターンを対応づけたテーブルが格納されている。なお、
各種現像条件に対応する第１移動速度パターンや第２移
動速度パターンは、予め実験的・経験的・推論的に得ら
れたパターンである。そして、上記取得された現像条件
から当該テーブルを参照して、第１移動速度パターンや
第２移動速度パターンを決定する。その他、初期の第１
移動速度パターンや第２移動速度パターンに、各種現像
条件に対応づけられた係数を乗じて、第１移動速度パタ
ーンや第２移動速度パターンを決定するようにしてもよ
い。
各種現像条件に第１移動速度パターンや第２移動速度パ
ターンを対応づけたテーブルが格納されている。なお、
各種現像条件に対応する第１移動速度パターンや第２移
動速度パターンは、予め実験的・経験的・推論的に得ら
れたパターンである。そして、上記取得された現像条件
から当該テーブルを参照して、第１移動速度パターンや
第２移動速度パターンを決定する。その他、初期の第１
移動速度パターンや第２移動速度パターンに、各種現像
条件に対応づけられた係数を乗じて、第１移動速度パタ
ーンや第２移動速度パターンを決定するようにしてもよ
い。
【００６５】この現像処理装置では、レジスト種や現像
液種、現像液濃度、リンス液供給ノズルのリンス液吐出
角度等の現像条件に応じて、第１移動速度パターンと第
２移動速度パターンのうちの少なくとも一方を設定す
る。このため、それらレジスト種や現像液種、現像液濃
度、リンス液供給ノズルのリンス液吐出角度等の現像条
件が変更された場合でも、当該現像条件に応じた線幅均
一性の向上を図ることができる。
液種、現像液濃度、リンス液供給ノズルのリンス液吐出
角度等の現像条件に応じて、第１移動速度パターンと第
２移動速度パターンのうちの少なくとも一方を設定す
る。このため、それらレジスト種や現像液種、現像液濃
度、リンス液供給ノズルのリンス液吐出角度等の現像条
件が変更された場合でも、当該現像条件に応じた線幅均
一性の向上を図ることができる。
【００６６】｛変形例｝以上、本発明の各実施の形態に
ついて説明したが、この発明は上記の例に限定されるも
のではない。
ついて説明したが、この発明は上記の例に限定されるも
のではない。
【００６７】上記第１及び第２の実施の形態において
は、第１移動速度パターンを第１移動速度Ｖ１の等速度
パターンに設定し、第２移動速度パターンを該第１移動
速度Ｖ１よりも大きい第２移動速度Ｖ２の等速度パター
ンに設定した場合を想定しているが、これに限られな
い。例えば、第１移動速度パターンと第２移動速度パタ
ーンのうちの一方又は双方が、等加速度パターンであっ
てもよい。また、例えば、基板Ｗの一端部において、現
像液供給ノズル２０の移動速度とリンス液供給ノズル４
０の移動速度とが同じであってもよい。要するに、基板
Ｗの各部における現像時間が、その一端部から他端部に
向うに従って短くなるようになっていればよい。換言す
れば、基板Ｗの一端側から他端側に向かう各位置におい
て、基板Ｗの一端部（ノズル２０，４０の移動開始端
部）を除いて、リンス液供給ノズル４０の移動速度が、
現像液供給ノズル２０の移動速度よりも大きければよ
い。
は、第１移動速度パターンを第１移動速度Ｖ１の等速度
パターンに設定し、第２移動速度パターンを該第１移動
速度Ｖ１よりも大きい第２移動速度Ｖ２の等速度パター
ンに設定した場合を想定しているが、これに限られな
い。例えば、第１移動速度パターンと第２移動速度パタ
ーンのうちの一方又は双方が、等加速度パターンであっ
てもよい。また、例えば、基板Ｗの一端部において、現
像液供給ノズル２０の移動速度とリンス液供給ノズル４
０の移動速度とが同じであってもよい。要するに、基板
Ｗの各部における現像時間が、その一端部から他端部に
向うに従って短くなるようになっていればよい。換言す
れば、基板Ｗの一端側から他端側に向かう各位置におい
て、基板Ｗの一端部（ノズル２０，４０の移動開始端
部）を除いて、リンス液供給ノズル４０の移動速度が、
現像液供給ノズル２０の移動速度よりも大きければよ
い。
【００６８】また、上記現像液供給ノズル２０とリンス
液供給ノズル４０とが一体化され、これらが単一の移動
手段により移動される構成であってもよい。この場合、
上記現像液供給ノズル２０とリンス液供給ノズル４０
は、基板Ｗの一端側から他端側に移動して現像液を供給
した後、基板Ｗの一端側に戻って、再度基板Ｗの一端側
から他端側に移動してリンス液の供給を行う。
液供給ノズル４０とが一体化され、これらが単一の移動
手段により移動される構成であってもよい。この場合、
上記現像液供給ノズル２０とリンス液供給ノズル４０
は、基板Ｗの一端側から他端側に移動して現像液を供給
した後、基板Ｗの一端側に戻って、再度基板Ｗの一端側
から他端側に移動してリンス液の供給を行う。
【００６９】この場合、現像液供給後、現像液供給ノズ
ル２０とリンス液供給ノズル４０とを復路移動させる代
りに、基板Ｗを実質的に１８０度回転させて、該復路で
リンス液の供給を行ってもよい。
ル２０とリンス液供給ノズル４０とを復路移動させる代
りに、基板Ｗを実質的に１８０度回転させて、該復路で
リンス液の供給を行ってもよい。
【００７０】即ち、現像液供給ノズル２０とリンス液供
給ノズル４０の移動方向は、基板Ｗの一端部及び他端部
を基準として決められる。
給ノズル４０の移動方向は、基板Ｗの一端部及び他端部
を基準として決められる。
【００７１】また、単一のノズルに対して、現像液供給
系機構２６及びリンス液供給系機構４６が連結されてお
り、バルブ機構の開閉により、該単一のノズルが現像液
供給ノズルとしてもリンス液供給ノズルとしても機能す
る構成であってもよい。
系機構２６及びリンス液供給系機構４６が連結されてお
り、バルブ機構の開閉により、該単一のノズルが現像液
供給ノズルとしてもリンス液供給ノズルとしても機能す
る構成であってもよい。
【００７２】
【発明の効果】以上のように、この発明の請求項１〜請
求項５記載の基板処理装置によると、基板の一端部から
他端部に向うに従って、その基板の各部における現像時
間を短くできるため、現像反応が促進され易い部分で、
現像時間を短くすることができ、線幅均一性をより向上
させることができる。
求項５記載の基板処理装置によると、基板の一端部から
他端部に向うに従って、その基板の各部における現像時
間を短くできるため、現像反応が促進され易い部分で、
現像時間を短くすることができ、線幅均一性をより向上
させることができる。
【００７３】さらに、請求項３記載の発明によれば、リ
ンス液供給ノズルの吐出口より吐出されたリンス液は、
該ノズルの移動方向とは逆方向へ吐出されるため、リン
ス液がリンス液供給ノズルより前方へ流れたり、リンス
液によって基板上の現像液がリンス液供給ノズルより前
方側へ押し流されたりすることを防止できる。
ンス液供給ノズルの吐出口より吐出されたリンス液は、
該ノズルの移動方向とは逆方向へ吐出されるため、リン
ス液がリンス液供給ノズルより前方へ流れたり、リンス
液によって基板上の現像液がリンス液供給ノズルより前
方側へ押し流されたりすることを防止できる。
【００７４】また、請求項４記載の発明によれば、現像
条件に応じて、第１移動速度パターンと第２移動速度パ
ターンのうちの少なくとも一方を設定しているため、現
像条件の変更に応じて、線幅均一性をより向上させるこ
とができる。
条件に応じて、第１移動速度パターンと第２移動速度パ
ターンのうちの少なくとも一方を設定しているため、現
像条件の変更に応じて、線幅均一性をより向上させるこ
とができる。
【００７５】請求項５記載の発明によれば、レジスト種
や現像液種、現像液濃度、リンス液供給ノズルのリンス
液吐出角度に応じて、適した速度パターンを設定でき
る。
や現像液種、現像液濃度、リンス液供給ノズルのリンス
液吐出角度に応じて、適した速度パターンを設定でき
る。
【００７６】また、以上のように、この発明の請求項６
記載の基板処理装置によると、基板の一端部から他端部
に向うに従って、その基板の各部における現像時間を短
くできるため、現像反応が促進され易い部分で、現像時
間を短くすることができ、線幅均一性をより向上させる
ことができる。
記載の基板処理装置によると、基板の一端部から他端部
に向うに従って、その基板の各部における現像時間を短
くできるため、現像反応が促進され易い部分で、現像時
間を短くすることができ、線幅均一性をより向上させる
ことができる。
【００７７】さらに、請求項７記載の発明によれば、リ
ンス液は、該ノズルの走査方向とは逆方向へ吐出される
ため、リンス液がリンス液供給ノズルより前方へ流れた
り、リンス液によって基板上の現像液がリンス液供給ノ
ズルより前方側へ押し流されたりすることを防止でき
る。
ンス液は、該ノズルの走査方向とは逆方向へ吐出される
ため、リンス液がリンス液供給ノズルより前方へ流れた
り、リンス液によって基板上の現像液がリンス液供給ノ
ズルより前方側へ押し流されたりすることを防止でき
る。
【００７８】また、請求項８記載の発明によれば、現像
条件に応じて、第１走査速度パターンと第２走査速度パ
ターンのうちの少なくとも一方を設定するため、現像条
件に応じて、線幅均一性の向上を図ることができる。
条件に応じて、第１走査速度パターンと第２走査速度パ
ターンのうちの少なくとも一方を設定するため、現像条
件に応じて、線幅均一性の向上を図ることができる。
【図１】この発明の第１の実施の形態に係る基板処理装
置の概略構成を示す平面図である。
置の概略構成を示す平面図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ線断面図である。
【図３】リンス液供給ノズルを示す概略側面図である。
【図４】第１の実施の形態に係る基板処理装置の動作を
示す概略工程図である。
示す概略工程図である。
【図５】各ノズルの移動開始後の時間とそれらの基板に
対する位置との関係を示す図である。
対する位置との関係を示す図である。
【図６】リンス液供給ノズルの移動速度とパターンの線
幅変動との関係を示す図である。
幅変動との関係を示す図である。
【図７】この発明の第２の実施の形態に係る基板処理装
置の概略構成を示す平面図である。
置の概略構成を示す平面図である。
【図８】基板上にリンス液を滴下する際のゆらぎの発生
状態を説明するための図である。
状態を説明するための図である。
１０ 基板保持部
２０ 現像液供給ノズル
２１ 吐出口
２６ 現像液供給系機構
３０ 第１移動機構
４０ リンス液供給ノズル
４１ 吐出口
４６ リンス液供給系機構
５０ 第２移動機構
６０，６０Ｂ 制御部
７０ 現像条件取得部
Ａ 走査方向
Ｗ 基板
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 春本 将彦
京都市上京区堀川通寺之内上る４丁目天神
北町１番地の１ 大日本スクリーン製造株
式会社内
(72)発明者 小林 寛
京都市上京区堀川通寺之内上る４丁目天神
北町１番地の１ 大日本スクリーン製造株
式会社内
(72)発明者 松永 実信
京都市上京区堀川通寺之内上る４丁目天神
北町１番地の１ 大日本スクリーン製造株
式会社内
Ｆターム(参考） 5F046 LA14 LA19
Claims (8)
- 【請求項１】 基板を保持する基板保持手段と、 基板径寸法と実質的に同寸法又はそれ以上の幅寸法の吐
出口を有する現像液供給ノズルと、 前記現像液供給ノズルを、前記基板保持手段により保持
された基板の一端側から他端側に向けて移動させる第１
移動手段と、 基板径寸法と実質的に同寸法又はそれ以上の幅寸法の吐
出口を有するリンス液供給ノズルと、 前記リンス液供給ノズルを、前記基板の前記一端側から
前記他端側に向けて移動させる第２移動手段と、 前記現像液供給ノズルを前記基板の前記一端側から前記
他端側に向けて第１移動速度パターンで移動させてその
基板の主面に現像液を供給させた後、前記リンス液供給
ノズルを前記基板の前記一端側から前記他端側に向けて
第２移動速度パターンで移動させてその基板の主面にリ
ンス液を供給させる制御手段と、 を備え、 前記第１移動速度パターンと前記第２移動速度パターン
とは、前記基板の各部における現像時間をその一端部か
ら他端部に向うに従って短くするように設定された、基
板処理装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の基板処理装置であって、 前記第１移動速度パターンは、第１移動速度の等速度パ
ターンであり、 前記第２移動速度パターンは、第２移動速度の等速度パ
ターンであり、 前記第２移動速度は、前記第１移動速度よりも大きい、
基板処理装置。 - 【請求項３】 請求項１又は請求項２記載の基板処理装
置であって、 前記リンス液供給ノズルの吐出口は、そのリンス液供給
ノズルが前記基板の前記一端側から前記他端側に向けて
移動する際の移動方向とは逆方向へリンス液を吐出す
る、基板処理装置。 - 【請求項４】 請求項１〜請求項３のいずれかに記載の
基板処理装置であって、 現像条件を取得する現像条件取得手段と、 取得された現像条件に応じて、前記第１移動速度パター
ンと前記第２移動速度パターンとのうち少なくとも一方
を設定する、速度パターン設定手段と、 をさらに備えた、基板処理装置。 - 【請求項５】 請求項４記載の基板処理装置であって、 前記現像条件は、 レジスト種、現像液種、現像液濃度及びリンス液供給ノ
ズルのリンス液吐出角度のうちの少なくとも一つに関す
る情報を含む、基板処理装置。 - 【請求項６】 基板に現像液を供給した後、リンス液を
供給する基板処理方法であって、 第１走査速度パターンで、基板の一端側から他端側に向
けて走査しつつ、その基板の主面に現像液を供給する工
程と、 前記基板の主面に現像液を供給した後、第２走査速度パ
ターンで、基板の前記一端側から前記他端側に向けて走
査しつつ、その基板の主面にリンス液を供給する工程
と、 を含み、 前記第１走査速度パターンと前記第２走査速度パターン
とは、前記基板の各部における現像時間を、その一端部
から他端部に向うに従って短くするように設定される、
基板処理方法。 - 【請求項７】 請求項６記載の基板処理方法であって、 前記リンス液を、前記基板の前記一端側から前記他端側
に向けて走査する際の走査方向とは逆方向へ吐出する、
基板処理方法。 - 【請求項８】 請求項６又は請求項７記載の基板処理方
法であって、 現像条件に応じて、前記第１走査速度パターンと前記第
２走査速度パターンとのうちの少なくとも一つを設定す
る、基板処理方法。
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|---|---|---|---|
| JP2002063015A JP3811082B2 (ja) | 2002-03-08 | 2002-03-08 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
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|---|---|---|---|
| JP2002063015A Expired - Fee Related JP3811082B2 (ja) | 2002-03-08 | 2002-03-08 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
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-
2002
- 2002-03-08 JP JP2002063015A patent/JP3811082B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JP3811082B2 (ja) | 2006-08-16 |
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