JP3811082B2 - 基板処理装置及び基板処理方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウエハや液晶表示パネル用ガラス基板、プラズマ表示パネル用ガラス基板等の基板に現像処理を行うための基板処理装置及び基板処理方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、基板の現像方法として、現像液供給ノズルを基板の一端側から他端側に移動させて、該基板の上面全体に現像液を供給し(この現像液供給方法をスリットスキャン現像方法ともいう)、その後所定時間経過後に、リンス液供給ノズルを前記現像液供給ノズルの移動速度と同速度で基板の一端側から他端側に移動させて、基板の上面全体にリンス液を供給して、基板上面における現像を停止させるようにしたものがある。
【0003】
この現像方法は、現像液供給ノズルの移動速度とリンス液供給ノズルの移動速度とを同じにすることによって、基板の上面全体において現像時間をほぼ同じとし、もって、現像むらを防止すると共に、現像後におけるレジストパターンの線幅均一性を向上させようとするものである。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、種々実験を行ったところ、リンス液供給ノズルの移動方向前方(基板の他端側)で、レジストパターンの線幅が所望する寸法より細くなる傾向を生じ、未だ現像均一性が不十分であることが判明した。
【0005】
これは、上記現像方法によると、図8に示すように、基板Wに液盛りされた現像液101に、リンス液供給ノズル110からリンス液を滴下する際に、該液盛りされた現像液101に多少の振動(ゆらぎ)102が生じ、それがリンス液供給ノズル110の移動方向前方にも伝達されてしまい、いわゆる攪拌作用により現像反応を促進してしまうためと考えられる。
【0006】
そこで、この発明の課題は、線幅均一性をより向上させることができる基板処理装置及び基板処理方法を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決すべく、請求項1記載の基板処理装置は、基板を保持する基板保持手段と、基板径寸法と実質的に同寸法又はそれ以上の幅寸法の吐出口を有する現像液供給ノズルと、前記現像液供給ノズルを、前記基板保持手段により保持された基板の一端側から他端側に向けて移動させる第1移動手段と、基板径寸法と実質的に同寸法又はそれ以上の幅寸法の吐出口を有するリンス液供給ノズルと、前記リンス液供給ノズルを、前記基板の前記一端側から前記他端側に向けて移動させる第2移動手段と、前記現像液供給ノズルを前記基板の前記一端側から前記他端側に向けて第1移動速度パターンで移動させてその基板の主面に現像液を供給させた後、その供給された現像液が前記基板の主面に液盛りされたままの状態で、前記リンス液供給ノズルを前記基板の前記一端側から前記他端側に向けて第2移動速度パターンで移動させてその基板の主面にリンス液を供給させる制御手段と、を備え、前記第1移動速度パターンと前記第2移動速度パターンとは、前記基板の各部における現像時間をその一端部から他端部に向うに従って短くするように設定されたものである。
【0008】
なお、請求項2記載のように、前記第1移動速度パターンは、第1移動速度の等速度パターンであり、前記第2移動速度パターンは、第2移動速度の等速度パターンであり、前記第2移動速度は、前記第1移動速度よりも大きく設定されていてもよい。
【0009】
また、請求項3記載のように、前記リンス液供給ノズルの吐出口は、そのリンス液供給ノズルが前記基板の前記一端側から前記他端側に向けて移動する際の移動方向とは逆方向へリンス液を吐出するとよい。
【0010】
さらに、請求項4記載のように、現像条件を取得する現像条件取得手段と、
取得された現像条件に応じて、前記第1移動速度パターンと前記第2移動速度パターンとのうち少なくとも一方を設定する、速度パターン設定手段と、をさらに備えた構成であってもよい。
【0011】
この場合、請求項5記載のように、前記現像条件としては、レジスト種、現像液種、現像液濃度及びリンス液供給ノズルのリンス液吐出角度のうちの少なくとも一つに関する情報を含んでいるとよい。
【0012】
また、請求項6記載の基板処理方法は、基板に現像液を供給した後、リンス液を供給する基板処理方法であって、第1走査速度パターンで、基板の一端側から他端側に向けて走査しつつ、その基板の主面に現像液を供給する工程と、前記基板の主面に現像液を供給した後、その供給された現像液が前記基板の主面に液盛りされたままの状態で、第2走査速度パターンで、基板の前記一端側から前記他端側に向けて走査しつつ、その基板の主面にリンス液を供給する工程と、を含み、前記第1走査速度パターンと前記第2走査速度パターンとは、前記基板の各部における現像時間を、その一端部から他端部に向うに従って短くするように設定されるものである。
【0013】
なお、請求項7記載のように、前記リンス液を、前記基板の前記一端側から前記他端側に向けて走査する際の走査方向とは逆方向へ吐出するとよい。
【0014】
また、請求項8記載のように、現像条件に応じて、前記第1走査速度パターンと前記第2走査速度パターンとのうちの少なくとも一つを設定してもよい。
【0015】
【発明の実施の形態】
{第1の実施の形態}
以下、この発明の第1の実施の形態に係る基板処理装置について説明する。
【0016】
図1はこの発明の第1の実施の形態に係る基板処理装置の概略構成を示す平面図であり、図2は図1のII−II線断面図である。
【0017】
この基板処理装置は、露光後の基板Wに対して現像液を供給して現像処理を行う装置であり、基板Wを保持する基板保持部10と、現像液供給ノズル20と、この現像液供給ノズル20を移動させるための第1移動機構30と、リンス液供給ノズル40と、このリンス液供給ノズル40を移動させるための第2移動機構50と、本装置全体の動作制御を行う制御部60とを備えている。
【0018】
基板保持部10は、基板Wを略水平姿勢で保持する。具体的には、基板保持部10は、装置本体5の略中央部に略鉛直姿勢で配設された支持軸11と、その支持軸の上端部に固設された支持台12とを備えている。支持台12は、基板Wを略水平姿勢で吸着保持可能に構成されている。なお、支持台12は基板Wを吸着保持する構成に限定されるものではなく、その他、例えば、基板Wの周縁部を把持する構成であってもよい。
【0019】
なお、基板保持部10周りには、基板Wを囲むようにして円形状の内カップ6が設けられると共に、その内カップ6の外周周りに略方形状の外カップ7が設けられている。また、外カップ7の両側に待機ポット8が設けられている。
【0020】
現像液供給ノズル20は、基板Wの径寸法と実質的に同寸法又はそれ以上の幅寸法の吐出口21(図2参照)を有している。そして、該吐出口21の幅方向全体から現像液が吐出され、基板Wの所定の直径方向全体に亘って現像液が供給される構成となっている。
【0021】
また、この現像液供給ノズル20には、現像液供給系機構26が連結されている。該現像液供給系機構26は、現像液を蓄えた現像液供給源及び開閉バルブ(共に図示省略)を備えており、開閉バルブの開閉タイミングに応じて前記現像液供給源からの現像液が所定のタイミングで現像液供給ノズル20に供給されるように構成されている。
【0022】
第1移動機構30は、現像液供給ノズル20を、基板保持部10により保持された基板Wの一端側から他端側に向けて移動させる。本実施の形態では、第1移動機構30は、ガイドレール32に沿ってい移動可能な水平駆動部34と、支持アーム部36とを備えている。ガイドレール32は、装置本体5の上面側であって基板保持部10の側方に水平方向に沿って敷設されている。水平駆動部34は、該ガイドレール32に沿って所定の走査方向A及びその逆方向に水平移動可能に構成されている。支持アーム部36は、基板保持部10側に延びるようにして水平駆動部34に片持ち状に支持されており、その遊端側に現像液供給ノズル20が前記走査方向Aに対して直交する方向に沿って略水平姿勢で支持されている。
【0023】
そして、水平駆動部34の駆動により、現像液供給ノズル20が、基板Wの主面の上方を、その一端側から他端側に向けて移動可能とされる。現像液供給ノズル20が基板Wの上方を移動する際、現像液供給ノズル20から現像液を吐出させることで、基板Wの一端側から他端側にかけて現像液が供給されることとなる。
【0024】
リンス液供給ノズル40は、基板Wの径寸法と実質的に同寸法又はそれ以上の幅寸法の吐出口41(図2参照)を有している。そして、該吐出口41の幅方向全体からリンス液が吐出され、基板Wの所定の直径方向全体に亘ってリンス液が供給される構成となっている。
【0025】
なお、このリンス液供給ノズル40の吐出口41は、図3に示すように、前記走査方向Aとは逆方向へリンス液を吐出する形状とされている。具体的には、リンス液供給ノズル40の吐出口41は、基板Wに対して垂直な方向から走査方向Aと逆向きにθ度傾く方向へ指向している。そして、該吐出口41より吐出されたリンス液が、前記走査方向Aとは逆方向へ流れるようになっている。これにより、リンス液がリンス液供給ノズル40より走査方向Aの前方側へ流れたり、リンス液によって基板W上の現像液がリンス液供給ノズル40より走査方向Aの前方側へ押し流されたりすることを防止するようにしている。
【0026】
また、このリンス液供給ノズル40には、リンス液供給系機構46が連結されている。該リンス液供給系機構46は、リンス液を蓄えたリンス液供給源及び開閉バルブ(共に図示省略)を備えており、開閉バルブの開閉タイミングに応じて前記リンス液供給源からのリンス液が所定のタイミングでリンス液供給ノズル40に供給されるように構成されている。
【0027】
第2移動機構50は、リンス液供給ノズル40を、基板保持部10により保持された基板Wの一端側から他端側に向けて移動させる。本実施の形態では、第2移動機構50は、上記第1移動機構30と同様構成を有しており、即ち、上記水平駆動部34に対応する水平駆動部54と、上記支持アーム部36に対応する支持アーム部56とを備えている。
【0028】
そして、水平駆動部54の駆動により、リンス液供給ノズル40が基板Wの上方を移動し、この移動の際、リンス液供給ノズル40からリンス液を吐出させることで、基板Wの一端側から他端側にかけてリンス液が供給されることとなる。
【0029】
制御部60は、本装置全体の制御を行うものであり、CPU、ROMおよびRAM等を備え、予め格納されたソフトウェアプログラムによって所定の演算動作を行う一般的なマイクロコンピュータにより構成されている。
【0030】
この制御部60は、次に説明する一連の動作の制御を行うものであり、少なくとも、現像液供給ノズル20を第1移動速度パターン(第1走査速度パターン)で移動させるように、第1移動機構30の動作を制御すると共に、リンス液供給ノズル40を第2移動速度パターン(第2走査速度パターン)で移動させるように、第2移動機構50の動作を制御する。
【0031】
ここで、第1移動速度パターン及び第2移動速度パターンは、基板Wの各部における現像時間を、その一端部から他端部に向うに従って短くするように設定されたパターンである(後に詳述)。
【0032】
ここでは、第1移動速度パターンを第1移動速度V1の等速度パターンに設定し、第2移動速度パターンを該第1移動速度V1よりも大きい第2移動速度V2の等速度パターンに設定している。
【0033】
なお、第1移動速度パターン及び第2移動速度パターンの具体的パターンについては、レジストの種や現像液の供給流量、リンス液の供給流量、第1移動速度パターンと第2移動速度パターンとの相対的関係により変化するため、予め所定の現像条件において、実験等により最適値を求めておく。
【0034】
このように構成された基板処理装置の概略動作について、図4を参照して説明する。
【0035】
まず、初期待機状態では、図4(a)に示すように、基板Wが基板保持部10に水平姿勢に支持されている。また、現像液供給ノズル20及びリンス液供給ノズル40は、基板Wの一端側(走査方向Aの上流側)に位置している。
【0036】
処理開始後、はじめに、図4(b)に示すように、現像液供給ノズル20が基板Wの主面上方を、走査方向Aに、即ち基板Wの一端側から他端側に向けて移動(走査)する。現像液供給ノズル20が基板Wの主面上方を移動する際、該現像液供給ノズル20から現像液が吐出される。この際、現像液供給ノズル20は、第1移動速度パターンにて移動する。これにより、基板Wの主面全体に対して、その一端側から他端側にかけて順次現像液が供給され、現像液の液盛りが行われる。これにより、基板Wの主面において現像がなされる。
【0037】
現像液供給ノズル20が基板Wの主面上方を通過した後、基板Wにおける現像反応に必要な所定の初期現像処理時間が経過すると、図4(c)に示すように、リンス液供給ノズル40が基板Wの主面上方を、走査方向Aに、即ち基板Wの一端側から他端側に向けて移動(走査)する。そして、リンス液供給ノズル40が基板Wの主面上方を通過する際、該リンス液供給ノズル40からリンス液が吐出される。この際、リンス液供給ノズル40は、第2移動速度パターンにて移動する。これにより、基板Wの主面全体に対して、その一端側から他端側にかけて順次リンス液が供給され、現像が停止する。
【0038】
そして、一連の現像処理が終了した状態では、図4(d)に示すように、現像液供給ノズル20及びリンス液供給ノズル40が基板Wの他端側(走査方向Aの下流側)に位置した状態となっている。
【0039】
上記第1移動速度パターン及び第2移動速度パターンと、基板Wの各部における現像時間との関係について説明する。
【0040】
図5は、現像液供給ノズル20又はリンス液供給ノズル40の移動開始後の時間と、それらの基板Wに対する位置との関係を示している。同図の横軸は、現像液供給ノズル20の移動開始時点からの経過時間を示している。また、縦軸は、基板Wの一端部から他端部に至る移動位置を示しており、Lは基板Wの他端部の位置を示している。
【0041】
現像液供給ノズル20が、第1移動速度V1の等速度の第1移動速度パターンで、基板Wの一端部から他端部に移動すると、図5の直線Mに示すようになる。そして、所定の初期現像処理時間(t0)経過後、リンス液供給ノズルが、前記第1移動速度V1よりも大きい第2移動速度V2の等速度の第2移動速度パターンで、基板Wの一端部から他端部に移動すると、図5の直線Nに示すようになる。この場合、第2移動速度V2は第1移動速度V1よりも大きいので、直線Nの傾きは、直線Mの傾きよりも大きい。
【0042】
図5において、横軸方向における直線Mと直線Nとの間隔は、基板Wの各部における実際の現像時間を表している。
【0043】
まず、基板Wの一端部における実際の現像時間は、現像処理時間(t0)である。また、基板Wの一端部から走査方向Aに沿って距離La離れた部位では、実際の現像時間は、上記現像処理時間(t0)よりも小さなtaとなる。さらに、基板Wの一端部から走査方向Aに沿って距離Lb(Lb>La)離れた部位では、実際の現像時間は、上記現像処理時間(t0)及びtaよりも小さなtbとなる。
【0044】
即ち、基板Wの各部における現像時間は、その一端部から他端部に向うに従って徐々に短くなる。
【0045】
従って、この基板処理装置によると、基板Wの一端部から他端部に向うに従って、その基板Wの各部における現像時間を短くできる。このため、現像反応が促進され易いと考えられる部分で、現像時間を短くすることができ、線幅均一性をより向上させることができる。
【0046】
特に、本実施の形態では、リンス液供給ノズル40の吐出口41から走査方向Aとは逆方向へリンス液が吐出されるため、該吐出口41より吐出されたリンス液が、前記走査方向Aとは逆方向へ流れることになり、従って、リンス液がリンス液供給ノズル40より走査方向Aの前方へ流れたり、リンス液によって基板W上の現像液がリンス液供給ノズル40より走査方向Aの前方側へ押し流されたりすることをも防止できる。
【0047】
これと相俟って、基板W上におけるリンス液の流れや現像液の押し流れによる影響を可及的に排除して、主に現像反応の促進分を考慮して、リンス液供給ノズル40の第2移動速度パターン等を決定できて、好都合である。
【0048】
また、リンス液供給ノズル40の第2移動速度パターンを速くしているため、リンス液の使用量を減らすことができる。
【0049】
ところで、実施例として、直径200mmの半導体ウエハ上に、KrF光源に対応するレジストUV6によるレジスト膜を形成し、該レジスト膜を初期現像処理時間12秒で現像する現像液を用い、第1移動速度パターンと第2移動速度パターンの最適値を求めた。
【0050】
まず、現像液供給ノズル20を40mm/sec(第1移動速度V1)の等速度パターンで移動させた。そして、リンス液供給ノズル40を等速度パターンで移動させることとし、その第2移動速度V2と半導体ウエハ上に形成されるパターンの線幅変動との関係を測定した。すると、図6の直線Pに示されるようになり、リンス液供給ノズル40を約44mm/secで移動させる場合に、線幅変動が最も小さくなることがわかった。
【0051】
なお、レジスト膜を初期現像処理時間60秒で現像する現像液を用いた場合には、図6の直線Qに示されるようになり、リンス液供給ノズル40の第2移動速度V2をさらに速くできると推測される。
【0052】
{第2の実施の形態}
次に、この発明の第2の実施の形態に係る基板処理装置について説明する。なお、この説明においては、上記第1の実施の形態に係る基板処理装置における構成要素と同様構成要素については同一符号を付してその説明を省略し、相違点を中心に説明する。
【0053】
図7は、第2の実施の形態に係る基板処理装置の概略図である。
【0054】
この基板処理装置では、上記第1の実施の形態で説明した基板処理装置に加えて、現像条件を取得する現像条件取得部70を備えている。また、制御部60Bは、取得された現像条件に応じて、第1移動速度パターンと第2移動速度パターンのうちの少なくとも一方を設定する機能を有している。
【0055】
ここで、最適な第1移動速度パターンと第2移動速度パターンとに影響を与える現像条件としては、レジスト種、現像液種、現像液濃度及びリンス液供給ノズルのリンス液吐出角度等が想定される。
【0056】
即ち、レジスト種に関しては、それに含まれる樹脂成分の違いにより、所定の現像液との反応速度が異なる。このため、レジスト種に応じて、現像反応の促進程度が異なると考えられ、現像反応の促進効果の大きいレジストの場合には、第1移動速度パターンと第2移動速度パターンとの速度差(基板Wの各部における現像時間)を大きくする必要がある。具体的には、I線露光やKrF露光で使用されるレジスト、例えば、ノボラック樹脂系やポリ水酸化スチレン(PHS)樹脂系のレジストはゆらぎによる現像液の拡散作用による現像反応促進効果が大きいので、上記速度差(時間差)を大きくする必要があり、ArF露光で使用されるレジスト、例えば、メタクリル樹脂系のレジストは現像反応促進効果が小さいので、上記速度差(時間差)を小さくする必要があると考えられる。
【0057】
また、現像液種に関しては、例えば、界面活性剤の混入の有無により現像反応の促進程度が異なると考えられる。通常使用されている現像液としては、界面活性剤の混入無しの現像液(例えばTMAH(水酸化テトラメチルアンモニウム)2.38パーセントで残りは水のもの)と、界面活性剤を混入した現像液とに、おおきく2種類に分けられる。界面活性剤入の現像液は、表面張力が小さいので、リンス液が滴下された場合に受けるゆらぎの影響が大きく、現像反応の促進効果が大きいと考えられる。従って、界面活性剤入の現像液を用いる場合は、界面活性剤無しの現像液を用いる場合よりも、上記速度差(時間差)を大きくする必要があると考えられる。
【0058】
現像液濃度の違いに関しては、通常、TMAHの濃度2.38パーセントの現像液が使用されているものの、濃度の異なる現像液が使用される場合もある。そして、現像液濃度の大きい方が現像反応速度が速いので、ゆらぎによる現像促進効果が大きく、従って、現像液の濃度を大きくすればするほど、上記速度差(時間差)を大きくする必要があると考えられる。
【0059】
リンス液吐出角度に関しては、次の通りである。
【0060】
まず、基板W上に現像液が液盛りされ、現像反応がある程度進むと、現像液とそれに反応して溶解したレジストとが混じり合うため、液盛りされた現像液の表面張力や基板面との接触角が変化するところ、その変化度合は、レジスト種や現像液種により異なる。このため、基板W上にリンス液を供給して現像液を洗い流す際において、最適なリンス液の吐出角度θは一定ではなく、それらレジスト種や現像液種に応じて、最適なリンス液の吐出角度θを設定することが望ましい。そして、リンス液の吐出角度θを変更すると、当然、走査方向Aの前方の現像液に与えるゆらぎの影響も変化する。即ち、吐出角度θが小さくなるほど(基板Wに対して垂直に近くなるほど)、ゆらぎの影響が大きく現像反応が促進される。また、基板Wに対する吐出角度θが大きくなるほど(基板Wに対して平行姿勢に近づくほど)、ゆらぎによる影響は小さく、現像反応の促進効果は小さい。従って、基板Wに対する吐出角度θを小さくすればするほど、上記速度差(時間差)を大きくする必要があると考えられる。
【0061】
なお、ここで例示した現像条件は、例示であり、その他、例えば、リンス液供給ノズル40からのリンス液の吐出流速、吐出口21の形状等を考慮するようにしてもよい。
【0062】
現像条件取得部70は、上述のような現像条件を少なくとも1つ取得する。この現像条件は、例えば、オペレータが入力装置を用いて手入力することにより設定される。
【0063】
制御部60Bは、取得された現像条件に応じて、第1移動速度パターンと第2移動速度パターンのうちの少なくとも一方を設定する。
【0064】
この制御部60Bでは、その記憶部内に、各種現像条件に第1移動速度パターンや第2移動速度パターンを対応づけたテーブルが格納されている。なお、各種現像条件に対応する第1移動速度パターンや第2移動速度パターンは、予め実験的・経験的・推論的に得られたパターンである。そして、上記取得された現像条件から当該テーブルを参照して、第1移動速度パターンや第2移動速度パターンを決定する。その他、初期の第1移動速度パターンや第2移動速度パターンに、各種現像条件に対応づけられた係数を乗じて、第1移動速度パターンや第2移動速度パターンを決定するようにしてもよい。
【0065】
この現像処理装置では、レジスト種や現像液種、現像液濃度、リンス液供給ノズルのリンス液吐出角度等の現像条件に応じて、第1移動速度パターンと第2移動速度パターンのうちの少なくとも一方を設定する。このため、それらレジスト種や現像液種、現像液濃度、リンス液供給ノズルのリンス液吐出角度等の現像条件が変更された場合でも、当該現像条件に応じた線幅均一性の向上を図ることができる。
【0066】
{変形例}
以上、本発明の各実施の形態について説明したが、この発明は上記の例に限定されるものではない。
【0067】
上記第1及び第2の実施の形態においては、第1移動速度パターンを第1移動速度V1の等速度パターンに設定し、第2移動速度パターンを該第1移動速度V1よりも大きい第2移動速度V2の等速度パターンに設定した場合を想定しているが、これに限られない。例えば、第1移動速度パターンと第2移動速度パターンのうちの一方又は双方が、等加速度パターンであってもよい。また、例えば、基板Wの一端部において、現像液供給ノズル20の移動速度とリンス液供給ノズル40の移動速度とが同じであってもよい。要するに、基板Wの各部における現像時間が、その一端部から他端部に向うに従って短くなるようになっていればよい。換言すれば、基板Wの一端側から他端側に向かう各位置において、基板Wの一端部(ノズル20,40の移動開始端部)を除いて、リンス液供給ノズル40の移動速度が、現像液供給ノズル20の移動速度よりも大きければよい。
【0068】
また、上記現像液供給ノズル20とリンス液供給ノズル40とが一体化され、これらが単一の移動手段により移動される構成であってもよい。この場合、上記現像液供給ノズル20とリンス液供給ノズル40は、基板Wの一端側から他端側に移動して現像液を供給した後、基板Wの一端側に戻って、再度基板Wの一端側から他端側に移動してリンス液の供給を行う。
【0069】
この場合、現像液供給後、現像液供給ノズル20とリンス液供給ノズル40とを復路移動させる代りに、基板Wを実質的に180度回転させて、該復路でリンス液の供給を行ってもよい。
【0070】
即ち、現像液供給ノズル20とリンス液供給ノズル40の移動方向は、基板Wの一端部及び他端部を基準として決められる。
【0071】
また、単一のノズルに対して、現像液供給系機構26及びリンス液供給系機構46が連結されており、バルブ機構の開閉により、該単一のノズルが現像液供給ノズルとしてもリンス液供給ノズルとしても機能する構成であってもよい。
【0072】
【発明の効果】
以上のように、この発明の請求項1〜請求項5記載の基板処理装置によると、基板の一端部から他端部に向うに従って、その基板の各部における現像時間を短くできるため、現像反応が促進され易い部分で、現像時間を短くすることができ、線幅均一性をより向上させることができる。
【0073】
さらに、請求項3記載の発明によれば、リンス液供給ノズルの吐出口より吐出されたリンス液は、該ノズルの移動方向とは逆方向へ吐出されるため、リンス液がリンス液供給ノズルより前方へ流れたり、リンス液によって基板上の現像液がリンス液供給ノズルより前方側へ押し流されたりすることを防止できる。
【0074】
また、請求項4記載の発明によれば、現像条件に応じて、第1移動速度パターンと第2移動速度パターンのうちの少なくとも一方を設定しているため、現像条件の変更に応じて、線幅均一性をより向上させることができる。
【0075】
請求項5記載の発明によれば、レジスト種や現像液種、現像液濃度、リンス液供給ノズルのリンス液吐出角度に応じて、適した速度パターンを設定できる。
【0076】
また、以上のように、この発明の請求項6記載の基板処理装置によると、基板の一端部から他端部に向うに従って、その基板の各部における現像時間を短くできるため、現像反応が促進され易い部分で、現像時間を短くすることができ、線幅均一性をより向上させることができる。
【0077】
さらに、請求項7記載の発明によれば、リンス液は、該ノズルの走査方向とは逆方向へ吐出されるため、リンス液がリンス液供給ノズルより前方へ流れたり、リンス液によって基板上の現像液がリンス液供給ノズルより前方側へ押し流されたりすることを防止できる。
【0078】
また、請求項8記載の発明によれば、現像条件に応じて、第1走査速度パターンと第2走査速度パターンのうちの少なくとも一方を設定するため、現像条件に応じて、線幅均一性の向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の第1の実施の形態に係る基板処理装置の概略構成を示す平面図である。
【図2】図1のII−II線断面図である。
【図3】リンス液供給ノズルを示す概略側面図である。
【図4】第1の実施の形態に係る基板処理装置の動作を示す概略工程図である。
【図5】各ノズルの移動開始後の時間とそれらの基板に対する位置との関係を示す図である。
【図6】リンス液供給ノズルの移動速度とパターンの線幅変動との関係を示す図である。
【図7】この発明の第2の実施の形態に係る基板処理装置の概略構成を示す平面図である。
【図8】基板上にリンス液を滴下する際のゆらぎの発生状態を説明するための図である。
【符号の説明】
10 基板保持部
20 現像液供給ノズル
21 吐出口
26 現像液供給系機構
30 第1移動機構
40 リンス液供給ノズル
41 吐出口
46 リンス液供給系機構
50 第2移動機構
60,60B 制御部
70 現像条件取得部
A 走査方向
W 基板
Claims (8)
- 基板を保持する基板保持手段と、
基板径寸法と実質的に同寸法又はそれ以上の幅寸法の吐出口を有する現像液供給ノズルと、
前記現像液供給ノズルを、前記基板保持手段により保持された基板の一端側から他端側に向けて移動させる第1移動手段と、
基板径寸法と実質的に同寸法又はそれ以上の幅寸法の吐出口を有するリンス液供給ノズルと、
前記リンス液供給ノズルを、前記基板の前記一端側から前記他端側に向けて移動させる第2移動手段と、
前記現像液供給ノズルを前記基板の前記一端側から前記他端側に向けて第1移動速度パターンで移動させてその基板の主面に現像液を供給させた後、その供給された現像液が前記基板の主面に液盛りされたままの状態で、前記リンス液供給ノズルを前記基板の前記一端側から前記他端側に向けて第2移動速度パターンで移動させてその基板の主面にリンス液を供給させる制御手段と、
を備え、
前記第1移動速度パターンと前記第2移動速度パターンとは、前記基板の各部における現像時間をその一端部から他端部に向うに従って短くするように設定された、基板処理装置。 - 請求項1記載の基板処理装置であって、
前記第1移動速度パターンは、第1移動速度の等速度パターンであり、
前記第2移動速度パターンは、第2移動速度の等速度パターンであり、
前記第2移動速度は、前記第1移動速度よりも大きい、基板処理装置。 - 請求項1又は請求項2記載の基板処理装置であって、
前記リンス液供給ノズルの吐出口は、そのリンス液供給ノズルが前記基板の前記一端側から前記他端側に向けて移動する際の移動方向とは逆方向へリンス液を吐出する、基板処理装置。 - 請求項1〜請求項3のいずれかに記載の基板処理装置であって、
現像条件を取得する現像条件取得手段と、
取得された現像条件に応じて、前記第1移動速度パターンと前記第2移動速度パターンとのうち少なくとも一方を設定する、速度パターン設定手段と、
をさらに備えた、基板処理装置。 - 請求項4記載の基板処理装置であって、
前記現像条件は、
レジスト種、現像液種、現像液濃度及びリンス液供給ノズルのリンス液吐出角度のうちの少なくとも一つに関する情報を含む、基板処理装置。 - 基板に現像液を供給した後、リンス液を供給する基板処理方法であって、
第1走査速度パターンで、基板の一端側から他端側に向けて走査しつつ、その基板の主面に現像液を供給する工程と、
前記基板の主面に現像液を供給した後、その供給された現像液が前記基板の主面に液盛りされたままの状態で、第2走査速度パターンで、基板の前記一端側から前記他端側に向けて走査しつつ、その基板の主面にリンス液を供給する工程と、
を含み、
前記第1走査速度パターンと前記第2走査速度パターンとは、前記基板の各部における現像時間を、その一端部から他端部に向うに従って短くするように設定される、基板処理方法。 - 請求項6記載の基板処理方法であって、
前記リンス液を、前記基板の前記一端側から前記他端側に向けて走査する際の走査方向とは逆方向へ吐出する、基板処理方法。 - 請求項6又は請求項7記載の基板処理方法であって、
現像条件に応じて、前記第1走査速度パターンと前記第2走査速度パターンとのうちの少なくとも一つを設定する、基板処理方法。
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