JPH04152621A - レジスト現像装置およびレジスト現像方法 - Google Patents

レジスト現像装置およびレジスト現像方法

Info

Publication number
JPH04152621A
JPH04152621A JP27843090A JP27843090A JPH04152621A JP H04152621 A JPH04152621 A JP H04152621A JP 27843090 A JP27843090 A JP 27843090A JP 27843090 A JP27843090 A JP 27843090A JP H04152621 A JPH04152621 A JP H04152621A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
temperature
developer
stage
developing
resist
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP27843090A
Other languages
English (en)
Inventor
Kenichi Morimoto
健一 森本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dai Nippon Printing Co Ltd
Original Assignee
Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dai Nippon Printing Co Ltd filed Critical Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority to JP27843090A priority Critical patent/JPH04152621A/ja
Publication of JPH04152621A publication Critical patent/JPH04152621A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、半導体あるいはその半導体素子製造に利用さ
れるフォトリソグラフィー、EBリソグラフィー等にお
けるレジスト現像装置およびレジスト現像方法に関する
ものである。
[従来の技術] 近年、半導体集積回路等の高性能イし 高集積度化への
要求は一層増大しており、それに伴いレジストパターン
もより微細となり、スプレー民 浸漬式等の方法で現像
・リンスが行われている。
般に、より微細なレジストパターンを現像するには、浸
漬式による現像方法が多く用いられている。
ところで、現像液は温度によって変化しやすいため、レ
ジストの現像が温度に影響される。したがって、現像液
の温度変化を防ぎ、安定したレジスト現像を行うように
することが求められるが、そのために現像時に現像液を
所定の温度に保持することが必要である。
そこで、第3図に示すように従来の浸漬式現像装置01
においては、現像液を貯蔵するタンク02″を温度調節
することにより、そのタンク02内に貯蔵されている現
像液を所定の温度に調節している。
[発明が解決しようとする課題] しかしながら、このようにタンク02の温度調節を行っ
ても、このタンク02から現像槽03までの現像液を搬
送する給液管04は温度調節されていないため、実際に
現像の行われる現像槽03においては、現像液が所望の
温度にはならない。
このため、従来の現像装置01では温度の影響を受ける
ことなく安定したレジスト現像を行うことができないと
いう問題がある。
本発明はこのような問題に鑑みてなされたものであって
、その目的は、現像液の温度変化を防ぐことにより、安
定したレジスト現像を行うことのできるレジスト現像装
置およびレジスト現像方法を提供することにある。
[課題を解決するための手段] 上記課題を解決するために、本発明に係るレジスト現像
装置は、レジストを塗布した基板に露光かつ現像するこ
とによりレジストパターンを作成する現像装置において
、現像液が給排される現像槽と、基板を支持するととも
にこの基板が現像槽内の現像液に対し沈入または脱出で
きるように移動可能なステージと、このステージを移動
するためのステージ駆動手段と、このステージ駆動手段
を駆動制御する制御装置と、現像槽内に現像液の温度を
検出する温度センサーとを備え、前記制御装置は、前記
温度センサーからの検出温度に基づいて前記現像液の温
度が規定の温度範囲にあるとき、前記基板が現像槽内の
現像液中に沈入するまで前記ステージを移動するように
前記ステージ駆動手段を駆動制御することを特徴として
いる。
また本発明に係るレジスト現像方法は、前記レジスト現
像装置の現像槽へ現像液を供給する際、温度v4節され
ていない給液管部の現像液を放出かつ廃棄した後に、温
度調節された現像液を現像槽内に供給し、その現像液の
温度が規定の温度範囲になったとき、現像処理を開始す
るようにしたことを特徴としている。
[作用コ このように構成された本発明のレジスト現像装置におい
ては、温度センサーからの検出温度に基づいて現像槽内
の現像液の温度が規定の温度範囲にあるときに、基板上
のレジストが現像されるようになる。したがって、温度
による影響を受けることなく、基板のレジストの現像が
安定した状態で行われるようになる。
また、本発明のレジスト現像方法においては、現像開始
直前に、給液管にある温度調節されない現像液を廃棄し
、温調タンク内の温度調節された現像液のみを現像に使
うとともに、現像槽内に供給された現像液が規定の温度
範囲になったとき、現像を開始するようにしているので
、現像液の温度変化を最小にし、しかも規定温度範囲の
現像液で更に一層安定した状態で現像を行うことができ
るようになる。
[実施例] 以下、図面を用いて本発明の詳細な説明する。
第1図は、本発明に係る現像装置の一実施例の基本構造
を示す図であり、第2図は本実施例による現像開始まで
の一連の工程を示す図である。図中、1は恒温ジャケッ
ト、2は現像槽、・3は給液管、4は現像液温調タン久
 5はステージ、6はステージ駆動[7は温度センサー
、8はステージ駆動部の制御装置、9はリンス・スプレ
ー用ノズル、 10はリンス液、 11は加圧タン久 
11aは加圧空気の導入0.12は基板 13は現像液
である。
第1図に示すように 恒温ジャケット1で囲まれた現像
槽2内に、給液管3を通して現像液温調タンク4内に貯
蔵されている現像液が供給されるようになっている。そ
の場合、タンク4は温度調節可能となっており、したが
ってタンク4内の貯蔵現像液は通常所定の温度に調節さ
れている。
方、給液管3は現像液が温度調節されない領域となって
いる。
ステージ5が恒温ジャケット1の孔1aを上下移動可能
に貫通して現像槽2内に延設されている。
このステージ5には下方に向かってステージ支持軸5a
が延設しており、このステージ支持軸5aは上部が大径
部5bとされ下部が小径部5Cとされた段付形状となっ
ている。その場合、大径部5bは孔1aに隙間なく嵌入
してこの孔1a閉塞することができる大きさに設定され
ているとともに、小径部5cは孔1aとの間に所定の隙
間が形成されるようにその孔1aの径より小さい値に設
定されている。
そして、第1図に示すようにステージ5が最高位置にあ
る状態では、ステージ支持軸5aの小径部5Cが恒温ジ
ャケット1の孔1aに位置するようになっており、した
がって現像槽2内の現像液が孔1aと小径部5Cとの間
の隙間を通って下方に流れ落ちることができるようにな
っている。また、ステージ5が最低位置にある状態では
、大径部5bが孔1aに隙間なく嵌入する位置となって
おり、したがって孔1aが大径部5bによって閉塞さね
 現像槽2内の現像液が孔1aを通って下方に流れ落ち
ることができないようになっている。
ステージ5のステージ支持軸5aの小径部5Cが駆動手
段6に連結されており、この駆動手段6はステージ5を
上下移動かつ回転駆動するようになっている。
現像槽2内には温度センサー7が配設されており、この
温度センサー7は現像槽2内にある現像液の温度を検出
して制御装置8に送給するようになっている。制御装置
8は温度センサー7からの現像液温度が規定範囲にある
か否かを判断し、現像液温度が規定範囲にある場合には
、駆動手段6にステージ5を下降するよう制御信号を出
力する。
更に、 リンス・スプレー用ノズル9がステージ5上に
リンス液を噴射できるように配設されており、このリン
ス・スプレー用ノズル9の下端はリンス液10を貯蔵し
た加圧タンク11内に延設されている。そして、加圧タ
ンク11内のリンス液10は導入口11aから導入され
る加圧空気によりノズル9からステージ5上に噴射され
るようになる。
このように構成された本実施例の現像装置の作用につい
て説明する。
第2図(a)に示すように、まずステージ5が最高位置
に設定されるとともに、このステージ5の上面に基板1
2がセットされる。基板12には、従来と同様にレジス
ト(不図示)が塗布されているとともに、このレジスト
は、例えば電子線、X線、イオンビーム光等を用いて露
光されている。
次いで、現像を開始する前に給液管3内に溜っている現
像液を現像槽2内に放出するとともに、その現像液を、
現像槽2の円錐状の側面に沿って現像槽2の中央部へ流
動させ、更に孔1aと支持軸5aの小径部5Cとの間の
隙間から現像槽2外の下方へ廃棄する。
次に、第2図(b)に示すように、ステージ駆動部6に
よりステージ5が下方へ移動して、その大径部5bが孔
1aに隙間なく嵌入するようになる。すなわち、孔1a
が閉塞される。この状態で、現像槽2内へ温調タンク4
から温度調節された現像液が所定量供給される。その場
合、ステージ5は現像槽2内の現像液面よりも上に位置
するとともに、温度センサー7の一部が現像液13中に
沈入するようにする。したがって、ステージ5上の基板
12はまだ現像されない。また、現像液13の温度が温
度センサー7によって検出さね その検出温度が制御装
置8に送られるようになる。
制御装置8は、現像液13の温度が規定範囲になるまで
、ステージ駆動部6に駆動信号を出力するがことなく、
したがってステージ5は同図(b)に示す位置に保持さ
れる。制御装置8は現像液13の温度が規定範囲(例え
ば24.8℃〜25.2℃)内に一定時間(例えば20
秒)保持されたと判断すると、制御装置8は駆動信号を
出力する。
このため、同図(c)に示すようにステージ駆動部6が
駆動して、ステージ5が最低の位置まで下降する。ステ
ージ5の最下位置では、ステージ5および基板12が現
像液13内に沈むので、基板12のレジストの現像が開
始される。
所定の現像が終了すると、同図(d)に示すようにステ
ージ5が最高位置に上昇される。このため、現像槽2内
の現像液13が孔1aと小径部5Cとの間の隙間を通っ
て外へ廃棄される。最後をこ、同図(e)に示すように
現像が終了した基板12上にノズル9からリンス液10
が噴射さね 基板12が洗浄されるとともに、基板12
が乾燥される。こうして、基板12の一連の現像工程が
終了する。
このような本実施例のレジスト現像装置におし1ては、
現像槽2内の現像液13の温度が規定範囲に入ったとき
に現像を行うようにしてしするので、温度による影響を
受けることなく、基板12のレジストの現像を安定した
状態で行うことができるようになる。
また、本実施例のレジスト現像方法においては、現像開
始直前に、給液管にある温度調節されない現像液を廃棄
し、温調タンク4内の温度調節された現像液のみを現像
に使うとともに、現像槽2内に供給された現像液13が
規定の温度範囲になったとき、現像を開始するようにし
ているので、現像液13の温度変化を最小にし、しかも
規定温度範囲の現像液で更に一層安定した状態で現像を
行うことができるようになる。
[発明の効果] 以上の説明から明らかなように、本発明のレジスト現像
装置およびレジスト現像方法によれば、現像液の温度変
化の影響をできるだけ少なくして現像を行うことができ
るようになるので、安定したレジストパターンを確実に
得ることができるようになる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係るレジスト現像装置の一実施例を示
す図、第2図はこの実施例のレジスト現像装置による一
連の現像工程を示し、 (a)は温度調節されない現像
液の廃棄工程を示す図、 (b)は温度調節された現像
液の供給工程と現像液の温度の検出工程を示す図、 (
c)は現像工程を示す図、 (d)は現像液の廃棄工程
を示す図、 (e)はリンス・乾燥工程を示す図、第3
図は従来の現像装置を示す図である。 1・−・恒温ジャケット 2・・・現像槽、 3・・・
給液管、4・・・現像液温調タン久 5・・・ステージ
、6・・・ステージ駆動s、7・・・温度センサー、8
・・・ステージ駆動部の制御装置、9・・・リンス・ス
プレー用ノズル、10・・・リンス液、11・・・加圧
タン久 11a・・・加圧空気の導入口、 12・・・
基板、 13・・・現像液特許出願人    大日本印
刷株式会社代理人 弁理士    青木健二(外7名)
第3図 (a) 第2図

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)レジストを塗布した基板に露光かつ現像すること
    によりレジストパターンを作成する現像装置において、 現像液が給排される現像槽と、基板を支持するとともに
    この基板が現像槽内の現像液に対し沈入または脱出でき
    るように移動可能なステージと、このステージを移動す
    るためのステージ駆動手段と、このステージ駆動手段を
    駆動制御する制御装置と、現像槽内に現像液の温度を検
    出する温度センサーとを備え、 前記制御装置は、前記温度センサーからの検出温度に基
    づいて前記現像液の温度が規定の温度範囲にあるとき、
    前記基板が現像槽内の現像液中に沈入するまで前記ステ
    ージを移動するように前記ステージ駆動手段を駆動制御
    することを特徴とするレジスト現像装置
  2. (2)請求項1記載のレジスト現像装置を用いてレジス
    トを塗布した基板を現像する方法において、前記現像槽
    へ現像液を供給する際、温度調節されていない給液管部
    の現像液を放出かつ廃棄した後に、温度調節された現像
    液を現像槽内に供給し、その現像液の温度が規定の温度
    範囲になったとき、現像処理を開始するようにしたこと
    を特徴とするレジスト現像方法。
JP27843090A 1990-10-17 1990-10-17 レジスト現像装置およびレジスト現像方法 Pending JPH04152621A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP27843090A JPH04152621A (ja) 1990-10-17 1990-10-17 レジスト現像装置およびレジスト現像方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP27843090A JPH04152621A (ja) 1990-10-17 1990-10-17 レジスト現像装置およびレジスト現像方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH04152621A true JPH04152621A (ja) 1992-05-26

Family

ID=17597239

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP27843090A Pending JPH04152621A (ja) 1990-10-17 1990-10-17 レジスト現像装置およびレジスト現像方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH04152621A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012073743A1 (ja) * 2010-12-02 2012-06-07 Hoya株式会社 液体供給装置およびレジスト現像装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012073743A1 (ja) * 2010-12-02 2012-06-07 Hoya株式会社 液体供給装置およびレジスト現像装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6210481B1 (en) Apparatus and method of cleaning nozzle and apparatus of processing substrate
KR101435225B1 (ko) 기판 세정 방법 및 기판 세정 장치
US20110083702A1 (en) Nozzle cleaning apparatus, nozzle cleaning method and a computer-readable storage medium storing nozzle cleaning program
KR100221698B1 (ko) 기판 현상방법 및 그 장치
JPH08108125A (ja) 液供給装置
WO2005064655A1 (ja) 現像装置及び現像方法
US20050223980A1 (en) Substrate processing device, substrate processing method, and developing device
KR20010051270A (ko) 액처리장치
US20060269877A1 (en) Apparatus for developing photoresist and method for operating the same
EP0851301B1 (en) Developing liquid supplying device
JP3614769B2 (ja) 液処理装置
JP2005277268A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JP3535997B2 (ja) 現像処理装置及び現像処理方法
JP3811082B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JPH04152621A (ja) レジスト現像装置およびレジスト現像方法
JP5683259B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JP2002096030A (ja) ノズルを用いた処理装置
JPH0677124A (ja) レジストの現像装置および現像方法
JP2003197508A (ja) 現像装置及び現像方法
CN115509097A (zh) 液处理装置和液处理方法
JP2001085287A (ja) 現像処理装置及び現像処理方法
JPH1027741A (ja) ウエハの薬液処理装置およびその方法
JPH1022191A (ja) ウエハの薬液処理装置およびその方法
JP4043423B2 (ja) 現像装置及び現像方法
KR101487366B1 (ko) 현상 처리 방법, 컴퓨터 기억 매체 및 현상 처리 장치